JP2002230828A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JP2002230828A JP2002230828A JP2001023195A JP2001023195A JP2002230828A JP 2002230828 A JP2002230828 A JP 2002230828A JP 2001023195 A JP2001023195 A JP 2001023195A JP 2001023195 A JP2001023195 A JP 2001023195A JP 2002230828 A JP2002230828 A JP 2002230828A
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- recording layer
- film
- dielectric
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- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化記録膜を有する第１の情報記録層を介
して第２の情報記録層の記録・再生を良好に実行できる
情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 光透過層１０３、第１の情報記録層Ｌ
１、透明層１０２、第２の情報記録層Ｌ２が順次積層さ
れてなり、光透過層１０３の側からレーザー光が照射さ
れて情報信号の再生が行われる情報記録媒体において、
第１の情報記録層Ｌ１は、光透過層１０３の側から順に
第１の保護層１１、相変化記録膜１および第２の保護層
１２からなり、第２の情報記録層Ｌ２を再生する場合に
おける第１の情報記録層Ｌ１の記録領域および未記録領
域に対応して変動する再生光の変動率が１０％以下であ
る。
して第２の情報記録層の記録・再生を良好に実行できる
情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 光透過層１０３、第１の情報記録層Ｌ
１、透明層１０２、第２の情報記録層Ｌ２が順次積層さ
れてなり、光透過層１０３の側からレーザー光が照射さ
れて情報信号の再生が行われる情報記録媒体において、
第１の情報記録層Ｌ１は、光透過層１０３の側から順に
第１の保護層１１、相変化記録膜１および第２の保護層
１２からなり、第２の情報記録層Ｌ２を再生する場合に
おける第１の情報記録層Ｌ１の記録領域および未記録領
域に対応して変動する再生光の変動率が１０％以下であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化材料を用い
た情報記録層を含む複数の情報記録層を有する情報記録
媒体に関する。
た情報記録層を含む複数の情報記録層を有する情報記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化材料を用いた情報記録媒体として
ＤＶＤ−ＲＡＭディスクが知られている。図１１はＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクのトラック・フォーマットを示して
いる。図１１に示すように、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクは
ＣＡＰＡと呼ばれるヘッダ部２０１と、周上に交互に配
置された案内溝としてのランド・グルーブ部２０２とか
ら構成されている。ヘッダ部２０１にはプリピットによ
るアドレス情報が記録され、この部分の相変化記録膜に
は信号が記録されず、相変化記録膜は初期化状態（結晶
状態）を保っている。一方、ランド・グルーブ部２０２
には信号が記録され、アモルファスマークが記録された
非晶質領域と、アモルファスマーク以外の初期化状態が
維持された結晶領域とが混在している。記録密度を稼ぐ
ためにランド・グルーブ構造をとる記録媒体の場合、こ
のようにディスクの周上の一部にヘッダ部２０１を有し
ており、ヘッダ部２０１は光スポットがランド２０２Ａ
からグルーブ２０２Ｂ、またはグルーブ２０２Ｂからラ
ンド２０２Ａに切替わるときの制御信号の調整等にも用
いられる。
ＤＶＤ−ＲＡＭディスクが知られている。図１１はＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクのトラック・フォーマットを示して
いる。図１１に示すように、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクは
ＣＡＰＡと呼ばれるヘッダ部２０１と、周上に交互に配
置された案内溝としてのランド・グルーブ部２０２とか
ら構成されている。ヘッダ部２０１にはプリピットによ
るアドレス情報が記録され、この部分の相変化記録膜に
は信号が記録されず、相変化記録膜は初期化状態（結晶
状態）を保っている。一方、ランド・グルーブ部２０２
には信号が記録され、アモルファスマークが記録された
非晶質領域と、アモルファスマーク以外の初期化状態が
維持された結晶領域とが混在している。記録密度を稼ぐ
ためにランド・グルーブ構造をとる記録媒体の場合、こ
のようにディスクの周上の一部にヘッダ部２０１を有し
ており、ヘッダ部２０１は光スポットがランド２０２Ａ
からグルーブ２０２Ｂ、またはグルーブ２０２Ｂからラ
ンド２０２Ａに切替わるときの制御信号の調整等にも用
いられる。
【０００３】このような相変化材料を用いた情報記録層
を２層以上積層した情報記録媒体として、特開２０００
−３６１３０号公報に記載されたものや、特開平１１−
１９５２４３号公報に記載されたものがある。
を２層以上積層した情報記録媒体として、特開２０００
−３６１３０号公報に記載されたものや、特開平１１−
１９５２４３号公報に記載されたものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍディスクのトラック・フォーマットに類似した２層の
情報記録層を有する情報記録媒体を考える。その場合、
第１の情報記録層と第２の情報記録層は光学的に透明な
層を介して積層される。第１の情報記録層を通して第２
の情報記録層に記録する場合、あるいは第１の情報記録
層を通して第２の情報記録層を再生する場合、第１の情
報記録層のヘッダ部をレーザー光が透過する場合と、信
号が記録されたランド・グルーブの案内溝部をレーザー
光が透過する場合とでは、光の透過量に差がでる。第１
の情報記録層と第２の情報記録層の各ヘッダ部はその場
所が重なるようにディスクを構成することはディスクの
製造上も困難が伴うため、第１の情報記録層と第２の情
報記録層の各ヘッダ部の位置が互いに重なり合わない場
合を想定しなければならない。このようなディスクにお
いて、第２の情報記録層にアクセスする場合には、第２
の情報記録層の情報とは関係なく第１の情報記録層を透
過する光が第１の情報記録層の記録・未記録の状態、例
えば、レーザー光がヘッダ部を通過するか、あるいはラ
ンド・グルーブ部の記録マークを通過するかに応じて変
動する。この変動は第２の情報記録層への記録時は記録
パワーの変動となり、第２の情報記録層の再生時には再
生信号の変動となって現れる。この変動が許容範囲を越
えると、正しく信号を記録・再生することができなくな
る。
Ｍディスクのトラック・フォーマットに類似した２層の
情報記録層を有する情報記録媒体を考える。その場合、
第１の情報記録層と第２の情報記録層は光学的に透明な
層を介して積層される。第１の情報記録層を通して第２
の情報記録層に記録する場合、あるいは第１の情報記録
層を通して第２の情報記録層を再生する場合、第１の情
報記録層のヘッダ部をレーザー光が透過する場合と、信
号が記録されたランド・グルーブの案内溝部をレーザー
光が透過する場合とでは、光の透過量に差がでる。第１
の情報記録層と第２の情報記録層の各ヘッダ部はその場
所が重なるようにディスクを構成することはディスクの
製造上も困難が伴うため、第１の情報記録層と第２の情
報記録層の各ヘッダ部の位置が互いに重なり合わない場
合を想定しなければならない。このようなディスクにお
いて、第２の情報記録層にアクセスする場合には、第２
の情報記録層の情報とは関係なく第１の情報記録層を透
過する光が第１の情報記録層の記録・未記録の状態、例
えば、レーザー光がヘッダ部を通過するか、あるいはラ
ンド・グルーブ部の記録マークを通過するかに応じて変
動する。この変動は第２の情報記録層への記録時は記録
パワーの変動となり、第２の情報記録層の再生時には再
生信号の変動となって現れる。この変動が許容範囲を越
えると、正しく信号を記録・再生することができなくな
る。
【０００５】本発明は、相変化記録膜を有する第１の情
報記録層を介して第２の情報記録層の記録・再生を良好
に実行できる情報記録媒体を提供することを目的とす
る。
報記録層を介して第２の情報記録層の記録・再生を良好
に実行できる情報記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の情報記録媒体
は、光透過層（１０３）、第１の情報記録層（Ｌ１）、
透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ２）が順次積
層されてなり、光透過層（１０３）の側からレーザー光
が照射されて情報信号の再生が行われる情報記録媒体に
おいて、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光透過層（１０
３）の側から順に第１の保護層（１１）、相変化記録膜
（１）および第２の保護層（１２）からなり、第２の情
報記録層（Ｌ２）を再生する場合における第１の情報記
録層（Ｌ１）の記録領域および未記録領域に対応して変
動する再生光の変動率が１０％以下であることを特徴と
する。
は、光透過層（１０３）、第１の情報記録層（Ｌ１）、
透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ２）が順次積
層されてなり、光透過層（１０３）の側からレーザー光
が照射されて情報信号の再生が行われる情報記録媒体に
おいて、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光透過層（１０
３）の側から順に第１の保護層（１１）、相変化記録膜
（１）および第２の保護層（１２）からなり、第２の情
報記録層（Ｌ２）を再生する場合における第１の情報記
録層（Ｌ１）の記録領域および未記録領域に対応して変
動する再生光の変動率が１０％以下であることを特徴と
する。
【０００７】この情報記録媒体によれば、第２の情報記
録層を再生する場合における第１の情報記録層の記録領
域および未記録領域に対応して変動する再生光の変動率
が１０％以下とされているので、第２の記録層について
記録・再生する場合に第１の保護層に信号が記録されて
いるか否かに依存する光のパワーの変動を抑制できる。
したがって、第２の記録層の記録・再生を良好に行うこ
とができる。また、第１の情報記録層の記録領域と第２
の情報記録層の記録領域との間の位置関係を調整する必
要がなくなる。
録層を再生する場合における第１の情報記録層の記録領
域および未記録領域に対応して変動する再生光の変動率
が１０％以下とされているので、第２の記録層について
記録・再生する場合に第１の保護層に信号が記録されて
いるか否かに依存する光のパワーの変動を抑制できる。
したがって、第２の記録層の記録・再生を良好に行うこ
とができる。また、第１の情報記録層の記録領域と第２
の情報記録層の記録領域との間の位置関係を調整する必
要がなくなる。
【０００８】第１の情報記録層（Ｌ１）の記録領域にお
ける記録マークの占める面積率をＡａとすると、 ０．
２≦Ａａ≦０．５であってもよい。
ける記録マークの占める面積率をＡａとすると、 ０．
２≦Ａａ≦０．５であってもよい。
【０００９】この場合、記録マークが未記録部分と交互
に記録される形態に対応しており、また、記録マークが
小さくなり過ぎることもないため、第２の記録層の記録
・再生を良好に行うことができるとともに、第１の情報
記録層の記録領域と第２の情報記録層の記録領域との間
の位置関係を調整する必要のない、実用的な情報記録媒
体を得ることができる。
に記録される形態に対応しており、また、記録マークが
小さくなり過ぎることもないため、第２の記録層の記録
・再生を良好に行うことができるとともに、第１の情報
記録層の記録領域と第２の情報記録層の記録領域との間
の位置関係を調整する必要のない、実用的な情報記録媒
体を得ることができる。
【００１０】第１の情報記録層（Ｌ１）の記録領域の透
過率をＴｒとすると、 ０．３≦Ｔｒ≦０．８であり、
第１の情報記録層（Ｌ１）の未記録領域の透過率をＴｎ
ｒとすると、 ０．３≦Ｔｎｒ≦０．８であってもよ
い。
過率をＴｒとすると、 ０．３≦Ｔｒ≦０．８であり、
第１の情報記録層（Ｌ１）の未記録領域の透過率をＴｎ
ｒとすると、 ０．３≦Ｔｎｒ≦０．８であってもよ
い。
【００１１】この場合、０．３≦Ｔｒ≦０．８かつ、
０．３≦Ｔｎｒ≦０．８であるため、第１の情報記録層
の透過率が小さすぎることがなく、第２の情報記録層か
ら充分な信号を得ることができる。また、第１の情報記
録層の透過率が大きすぎることがないため、第１の情報
記録層自体からの反射光量や第１の情報記録層を記録す
る際の吸収率を抑制できる。したがって、良好な再生、
記録を行うことができる。
０．３≦Ｔｎｒ≦０．８であるため、第１の情報記録層
の透過率が小さすぎることがなく、第２の情報記録層か
ら充分な信号を得ることができる。また、第１の情報記
録層の透過率が大きすぎることがないため、第１の情報
記録層自体からの反射光量や第１の情報記録層を記録す
る際の吸収率を抑制できる。したがって、良好な再生、
記録を行うことができる。
【００１２】光透過層（１０３）、第１の情報記録層
（Ｌ１）、透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ
２）が順次積層されてなり、光透過層（１０３）の側か
らレーザー光が照射されて情報信号の再生が行われる情
報記録媒体において、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光
透過層（１０３）の側から順に第１の保護層（１１）、
相変化記録膜（１）および第２の保護層（１２）からな
り、相変化記録膜（１）の結晶の屈折率をｎ1c、消衰係
数をｋ1c、相変化記録膜（１）の非晶質の屈折率を
ｎ1a、消衰係数をｋ1aとすると、 （ｎ1c−ｎ1a）×
（ｋ1c−ｋ1a）＜０かつ、|（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−
（ｎ1a＋３／２×ｋ1a）|≦２であってもよい。
（Ｌ１）、透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ
２）が順次積層されてなり、光透過層（１０３）の側か
らレーザー光が照射されて情報信号の再生が行われる情
報記録媒体において、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光
透過層（１０３）の側から順に第１の保護層（１１）、
相変化記録膜（１）および第２の保護層（１２）からな
り、相変化記録膜（１）の結晶の屈折率をｎ1c、消衰係
数をｋ1c、相変化記録膜（１）の非晶質の屈折率を
ｎ1a、消衰係数をｋ1aとすると、 （ｎ1c−ｎ1a）×
（ｋ1c−ｋ1a）＜０かつ、|（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−
（ｎ1a＋３／２×ｋ1a）|≦２であってもよい。
【００１３】この場合には、（ｎ1c−ｎ1a）×（ｋ1c−
ｋ1a）＜０かつ、 |（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−（ｎ1a
＋３／２×ｋ1a）|≦２の条件が満たされているので、
第２の記録層について記録・再生する場合に第１の保護
層に信号が記録されているか否かに依存する光のパワー
の変動を抑制できる。したがって、第２の記録層の記録
・再生を良好に行うことができる。また、第１の情報記
録層の記録領域と第２の情報記録層の記録領域との間の
位置関係を調整する必要がなくなる。
ｋ1a）＜０かつ、 |（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−（ｎ1a
＋３／２×ｋ1a）|≦２の条件が満たされているので、
第２の記録層について記録・再生する場合に第１の保護
層に信号が記録されているか否かに依存する光のパワー
の変動を抑制できる。したがって、第２の記録層の記録
・再生を良好に行うことができる。また、第１の情報記
録層の記録領域と第２の情報記録層の記録領域との間の
位置関係を調整する必要がなくなる。
【００１４】光透過層（１０３）、第１の情報記録層
（Ｌ１）、透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ
２）が順次積層されてなり、光透過層（１０３）の側か
らレーザー光が照射されて情報信号の再生が行われる情
報記録媒体において、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光
透過層（１０３）の側から順に第１の保護層（１１）、
相変化記録膜（１）および第２の保護層（１２）からな
り、第１の保護層（１１）を構成する保護膜の数をＩ、
この保護膜の各膜厚をｄｉ［ｎｍ］（ｉは自然数）、こ
の保護膜の各屈折率をｎｉ、レーザー光の波長をλ［ｎ
ｍ］、ｍを整数、Σをｉについて１からＩまでの合計と
すると、略、 （ｍ／２＋１／４）−１／８≦Σ（ｄｉ
／（λ／ｎｉ））≦（ｍ／２＋１／４）＋１／８であ
り、第２の保護層（１２）を構成する保護膜の数をＪ、
この保護膜の各膜厚をｄｊ［ｎｍ］（ｊは自然数）、こ
の保護膜の各屈折率をｎｊ、ｋを整数、Σをｊが１から
Ｊまでの合計とすると、略、 （ｋ／２）−１／８≦Σ
（ｄｊ／（λ／ｎｊ））≦（ｋ／２）＋１／８であって
もよい。
（Ｌ１）、透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ
２）が順次積層されてなり、光透過層（１０３）の側か
らレーザー光が照射されて情報信号の再生が行われる情
報記録媒体において、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光
透過層（１０３）の側から順に第１の保護層（１１）、
相変化記録膜（１）および第２の保護層（１２）からな
り、第１の保護層（１１）を構成する保護膜の数をＩ、
この保護膜の各膜厚をｄｉ［ｎｍ］（ｉは自然数）、こ
の保護膜の各屈折率をｎｉ、レーザー光の波長をλ［ｎ
ｍ］、ｍを整数、Σをｉについて１からＩまでの合計と
すると、略、 （ｍ／２＋１／４）−１／８≦Σ（ｄｉ
／（λ／ｎｉ））≦（ｍ／２＋１／４）＋１／８であ
り、第２の保護層（１２）を構成する保護膜の数をＪ、
この保護膜の各膜厚をｄｊ［ｎｍ］（ｊは自然数）、こ
の保護膜の各屈折率をｎｊ、ｋを整数、Σをｊが１から
Ｊまでの合計とすると、略、 （ｋ／２）−１／８≦Σ
（ｄｊ／（λ／ｎｊ））≦（ｋ／２）＋１／８であって
もよい。
【００１５】この情報記録媒体によれば、第１の保護層
および第２の保護層を構成する保護膜の厚みを適正化し
ているので、第２の記録層について記録・再生する場合
に第１の保護層に信号が記録されているか否かに依存す
る光のパワーの変動を抑制できる。
および第２の保護層を構成する保護膜の厚みを適正化し
ているので、第２の記録層について記録・再生する場合
に第１の保護層に信号が記録されているか否かに依存す
る光のパワーの変動を抑制できる。
【００１６】光透過層（１０３）、第１の情報記録層
（Ｌ１）、透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ
２）が順次積層されてなり、光透過層（１０３）の側か
らレーザー光が照射されて情報信号の再生が行われる情
報記録媒体において、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光
透過層（１０３）の側から順に第１の保護層（１１）、
相変化記録膜（１）および第２の保護層（１２）からな
り、第１の保護層（１１）を構成する保護膜の数をＩ、
この保護膜の各膜厚をｄｉ［ｎｍ］（ｉは自然数）、こ
の保護膜の各屈折率をｎｉ、レーザー光の波長をλ［ｎ
ｍ］、ｍを整数、Σをｉについて１からＩまでの合計と
すると、略、 （ｍ／２＋１／４）−１／８≦Σ（ｄｉ
／（λ／ｎｉ））≦（ｍ／２＋１／４）＋１／８ 第２
の保護層を構成する保護膜の数をＪ、この保護膜の各膜
厚をｄｊ［ｎｍ］（ｊは自然数）、この保護膜の各屈折
率をｎｊ、ｋを整数、Σをｊが１からＪまでの合計とす
ると、略、 （ｋ／２）−１／８≦Σ（ｄｊ／（λ／ｎ
ｊ））≦（ｋ／２）＋１／８であり、相変化記録膜
（１）の結晶の屈折率をｎ1c、消衰係数をｋ1c、相変化
記録膜（１）の非晶質の屈折率をｎ1a、消衰係数をｋ1a
とすると、 （ｎ1c−ｎ1a）×（ｋ1c−ｋ1a）＜０か
つ、 |（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−（ｎ1a＋３／２×ｋ1
a）|≦２であってもよい。
（Ｌ１）、透明層（１０２）、第２の情報記録層（Ｌ
２）が順次積層されてなり、光透過層（１０３）の側か
らレーザー光が照射されて情報信号の再生が行われる情
報記録媒体において、第１の情報記録層（Ｌ１）は、光
透過層（１０３）の側から順に第１の保護層（１１）、
相変化記録膜（１）および第２の保護層（１２）からな
り、第１の保護層（１１）を構成する保護膜の数をＩ、
この保護膜の各膜厚をｄｉ［ｎｍ］（ｉは自然数）、こ
の保護膜の各屈折率をｎｉ、レーザー光の波長をλ［ｎ
ｍ］、ｍを整数、Σをｉについて１からＩまでの合計と
すると、略、 （ｍ／２＋１／４）−１／８≦Σ（ｄｉ
／（λ／ｎｉ））≦（ｍ／２＋１／４）＋１／８ 第２
の保護層を構成する保護膜の数をＪ、この保護膜の各膜
厚をｄｊ［ｎｍ］（ｊは自然数）、この保護膜の各屈折
率をｎｊ、ｋを整数、Σをｊが１からＪまでの合計とす
ると、略、 （ｋ／２）−１／８≦Σ（ｄｊ／（λ／ｎ
ｊ））≦（ｋ／２）＋１／８であり、相変化記録膜
（１）の結晶の屈折率をｎ1c、消衰係数をｋ1c、相変化
記録膜（１）の非晶質の屈折率をｎ1a、消衰係数をｋ1a
とすると、 （ｎ1c−ｎ1a）×（ｋ1c−ｋ1a）＜０か
つ、 |（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−（ｎ1a＋３／２×ｋ1
a）|≦２であってもよい。
【００１７】この場合には、第２の記録層について記録
・再生する場合に第１の保護層に信号が記録されている
か否かに依存する光のパワーの変動を抑制できる。
・再生する場合に第１の保護層に信号が記録されている
か否かに依存する光のパワーの変動を抑制できる。
【００１８】なお、本発明の理解を容易にするために添
付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それによ
り本発明が図示の形態に限定されるものではない。
付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それによ
り本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図１０を用いて、本
発明の情報記録媒体の実施形態について説明する。
発明の情報記録媒体の実施形態について説明する。
【００２０】第１の情報記録層および第２の情報記録層
の２層の情報記録層を有する情報記録媒体において、第
１の情報記録層を通して第２の情報記録層に記録する場
合、あるいは第１の情報記録層を通して第２の情報記録
層を再生する場合には、上記のように、光のパワーが変
動する。この場合、第２の情報記録層において正常に記
録再生するための変動の許容値としては、第２の情報記
録層への記録時の記録パワーが５％〜１０％以下、第２
の情報記録層の再生時の再生パワーの変動は５％〜１０
％以下が望ましい。
の２層の情報記録層を有する情報記録媒体において、第
１の情報記録層を通して第２の情報記録層に記録する場
合、あるいは第１の情報記録層を通して第２の情報記録
層を再生する場合には、上記のように、光のパワーが変
動する。この場合、第２の情報記録層において正常に記
録再生するための変動の許容値としては、第２の情報記
録層への記録時の記録パワーが５％〜１０％以下、第２
の情報記録層の再生時の再生パワーの変動は５％〜１０
％以下が望ましい。
【００２１】ここで、第１の情報記録層の結晶部につい
て、反射率をＲ1c、透過率をＴ1c、吸収率をＡ1cとし、
非晶質部について、反射率をＲ1a、透過率をＴ1a、吸収
率をＡ1aとする。また、記録領域（ランド・グルーブ
部）での結晶部の占有する面積をＡｃ、非晶質部の占有
する面積をＡａとする。但し、Ａｃ＋Ａａ＝１である。
て、反射率をＲ1c、透過率をＴ1c、吸収率をＡ1cとし、
非晶質部について、反射率をＲ1a、透過率をＴ1a、吸収
率をＡ1aとする。また、記録領域（ランド・グルーブ
部）での結晶部の占有する面積をＡｃ、非晶質部の占有
する面積をＡａとする。但し、Ａｃ＋Ａａ＝１である。
【００２２】第２の記録層の結晶部の反射率をＲ2c、非
晶質部の反射率をＲ2a（ここではＲ 2c＞Ｒ2aとする）と
すると、
晶質部の反射率をＲ2a（ここではＲ 2c＞Ｒ2aとする）と
すると、
【００２３】
【数１】 が成立する。
【００２４】ΔＰｒ2について考えると、
【００２５】
【数２】 であり、
【００２６】
【数３】 であるから、常に、
【００２７】
【数４】 となる。
【００２８】本実施形態では、透明層を介して積層され
た２つの情報記録層Ｌ１，Ｌ２を有し、第１の情報記録
層Ｌ１を通して第２の情報記録層Ｌ２を記録再生する記
録媒体において、第１の情報記録層Ｌ１の未記録部の透
過率Ｔｎｒと、記録部の透過率Ｔｒについて、
た２つの情報記録層Ｌ１，Ｌ２を有し、第１の情報記録
層Ｌ１を通して第２の情報記録層Ｌ２を記録再生する記
録媒体において、第１の情報記録層Ｌ１の未記録部の透
過率Ｔｎｒと、記録部の透過率Ｔｒについて、
【００２９】
【数５】 を満足する。
【００３０】この条件は以下の実験に基づく。すなわ
ち、|ΔＰｒ2|は一般に０ということはなく、第２の情
報記録層Ｌ２からの再生信号は第１の情報記録層Ｌ１の
記録・未記録の状態により変動する。そこで、ΔＰｒ2
＝−０．０５、−０．０８、−０．１２、−０．１５と
なるような複数枚のディスクを作製し、実験を行った。
ΔＰｒ2＝−０．１５のディスクを再生したところ、第
１の記録層Ｌ１の記録部を透過している領域から未記録
部を透過している領域へ再生のレーザー光が移動した時
点で、再生信号系のＰＬＬが外れてしまい、データを読
み取ることができなくなった。また、ΔＰｒ2＝−０．
１２のディスクでも同様であった。しかしながら、ΔＰ
ｒ2＝−０．０５、−０．０８のディスクでは、このよ
うな現象はなく、良好な信号再生が可能であった。
ち、|ΔＰｒ2|は一般に０ということはなく、第２の情
報記録層Ｌ２からの再生信号は第１の情報記録層Ｌ１の
記録・未記録の状態により変動する。そこで、ΔＰｒ2
＝−０．０５、−０．０８、−０．１２、−０．１５と
なるような複数枚のディスクを作製し、実験を行った。
ΔＰｒ2＝−０．１５のディスクを再生したところ、第
１の記録層Ｌ１の記録部を透過している領域から未記録
部を透過している領域へ再生のレーザー光が移動した時
点で、再生信号系のＰＬＬが外れてしまい、データを読
み取ることができなくなった。また、ΔＰｒ2＝−０．
１２のディスクでも同様であった。しかしながら、ΔＰ
ｒ2＝−０．０５、−０．０８のディスクでは、このよ
うな現象はなく、良好な信号再生が可能であった。
【００３１】ランド・グルーブ部における非晶質部の占
有する面積Ａａは、
有する面積Ａａは、
【００３２】
【数６】 の範囲をとる。そのために最もヘッダ部とランド・グル
ーブ部の透過率差が大きいのは、Ａａ＝０．５のときで
ある。これは、ランド・グルーブ部について、信号が記
録されている部分の結晶部と非晶質部の面積比が１：１
のときである。
ーブ部の透過率差が大きいのは、Ａａ＝０．５のときで
ある。これは、ランド・グルーブ部について、信号が記
録されている部分の結晶部と非晶質部の面積比が１：１
のときである。
【００３３】以下に、Ａａ＝０．５の場合について、公
知技術におけるレーザーパワーの変動率ΔＰｗ2および
ΔＰｒ2を計算する。
知技術におけるレーザーパワーの変動率ΔＰｗ2および
ΔＰｒ2を計算する。
【００３４】特開２０００−３６１３０号公報の図２に
示された構成をとる場合、第１の情報記録層の透過率の
値として結晶部４５％、非晶質部７０％に設定されてい
る。このような情報記録層をミラー部からなるアドレス
部に採用した場合、アドレス部の透過率ｔ1nr（結晶部
の透過率に等しい）は４５％、信号記録部の透過率ｔ1 r
（４５＋７０）／２は５７．５％となり、その差は１
２．５％になる。このときのレーザーパワーの変動率
は、
示された構成をとる場合、第１の情報記録層の透過率の
値として結晶部４５％、非晶質部７０％に設定されてい
る。このような情報記録層をミラー部からなるアドレス
部に採用した場合、アドレス部の透過率ｔ1nr（結晶部
の透過率に等しい）は４５％、信号記録部の透過率ｔ1 r
（４５＋７０）／２は５７．５％となり、その差は１
２．５％になる。このときのレーザーパワーの変動率
は、
【００３５】
【数７】 である。この数字は許容値を大きく上回り、記録再生特
性に影響を与える。この公報では、この問題点の解決方
法として予め第１の情報記録層にダミー信号を記録する
ことが述べられている。ダミー信号を全体の面積の２０
％〜５０％の面積を占めるように記録しておくことで第
１の情報記録層の記録・未記録による透過率の変動を避
けられるとしている。しかし、この方法は情報記録層全
面に案内溝が形成されている場合は有効であるが、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭのようなミラー部にアドレス信号がプリピッ
トとして存在する場合は、アドレス信号の読み取りエラ
ーを招くなどの影響がある。また、たとえアドレス信号
に影響を与えないようにダミー信号を記録できたとして
もディスクの出荷時やフォーマット時に全面にダミー信
号を記録する手順を踏まなければならず実用的でない。
性に影響を与える。この公報では、この問題点の解決方
法として予め第１の情報記録層にダミー信号を記録する
ことが述べられている。ダミー信号を全体の面積の２０
％〜５０％の面積を占めるように記録しておくことで第
１の情報記録層の記録・未記録による透過率の変動を避
けられるとしている。しかし、この方法は情報記録層全
面に案内溝が形成されている場合は有効であるが、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭのようなミラー部にアドレス信号がプリピッ
トとして存在する場合は、アドレス信号の読み取りエラ
ーを招くなどの影響がある。また、たとえアドレス信号
に影響を与えないようにダミー信号を記録できたとして
もディスクの出荷時やフォーマット時に全面にダミー信
号を記録する手順を踏まなければならず実用的でない。
【００３６】また、この公報では第１の情報記録層にダ
ミー信号が記録されていない場合の第２の情報記録層へ
の記録についても述べられている。その方法は、第２の
情報記録層に記録する場合はかならず第１の情報記録層
の同じ領域については記録がされているように信号の記
録を制御するものである。しかし、このような方法をと
ったとしても前記のアドレス部のあるディスクの場合
は、アドレス部の記録の必要性は残っており、また、こ
のような制約を与えることによりディスクへのアクセス
が複雑となりドライブ装置のコストアップの要因とな
る。
ミー信号が記録されていない場合の第２の情報記録層へ
の記録についても述べられている。その方法は、第２の
情報記録層に記録する場合はかならず第１の情報記録層
の同じ領域については記録がされているように信号の記
録を制御するものである。しかし、このような方法をと
ったとしても前記のアドレス部のあるディスクの場合
は、アドレス部の記録の必要性は残っており、また、こ
のような制約を与えることによりディスクへのアクセス
が複雑となりドライブ装置のコストアップの要因とな
る。
【００３７】次に、特開平１１−１９５２４３号公報に
おける実施例１について検討する。第１の情報記録層の
透過率として結晶部の透過率６２．２％、非晶質部の透
過率８０．４％が設定されている。この場合、アドレス
部の透過率（結晶部の透過率に等しい）は６２．２％、
信号記録部の透過率は（６２．２＋８０．４）／２＝７
１．５％となり、その差は８．９％になる。このときの
レーザーパワーの変動率は、
おける実施例１について検討する。第１の情報記録層の
透過率として結晶部の透過率６２．２％、非晶質部の透
過率８０．４％が設定されている。この場合、アドレス
部の透過率（結晶部の透過率に等しい）は６２．２％、
信号記録部の透過率は（６２．２＋８０．４）／２＝７
１．５％となり、その差は８．９％になる。このときの
レーザーパワーの変動率は、
【００３８】
【数８】 である。この数字は許容値を大きく上回り、記録再生特
性に影響が出てしまう。
性に影響が出てしまう。
【００３９】以上のようにこれらの例ではレーザーパワ
ーの変動が大きく、第２の情報記録層について良好な記
録再生が不可能である。これに対して、本発明の情報記
録媒体によれば、相変化記録膜を有する第１の情報記録
層を介して第２の情報記録層の記録・再生を良好に実行
できる。
ーの変動が大きく、第２の情報記録層について良好な記
録再生が不可能である。これに対して、本発明の情報記
録媒体によれば、相変化記録膜を有する第１の情報記録
層を介して第２の情報記録層の記録・再生を良好に実行
できる。
【００４０】図１は本発明の情報記録媒体の第１の実施
形態を示す断面図である。図１に示すように、この情報
記録媒体は図１の上方から順に、光透過層１０３、第１
の情報記録層Ｌ１、透明層１０２、第２の情報記録層Ｌ
２および基板１０１を備える。第１の情報記録層Ｌ１お
よび第２の情報記録層Ｌ２には、それぞれ互いに独立し
て情報が記録される。
形態を示す断面図である。図１に示すように、この情報
記録媒体は図１の上方から順に、光透過層１０３、第１
の情報記録層Ｌ１、透明層１０２、第２の情報記録層Ｌ
２および基板１０１を備える。第１の情報記録層Ｌ１お
よび第２の情報記録層Ｌ２には、それぞれ互いに独立し
て情報が記録される。
【００４１】図１に示すように、第１の情報記録層Ｌ１
は第１の誘電体１１と、相変化記録膜１と、第２の誘電
体１２とからなる。また、第２の情報記録層Ｌ２は第１
の誘電体２１と、相変化記録層２と、第２の誘電体２２
と、反射層３とからなる。
は第１の誘電体１１と、相変化記録膜１と、第２の誘電
体１２とからなる。また、第２の情報記録層Ｌ２は第１
の誘電体２１と、相変化記録層２と、第２の誘電体２２
と、反射層３とからなる。
【００４２】なお、第２の情報記録層Ｌ２は記録可能な
層として構成される場合に限らず、再生専用の層として
構成されてもよい。情報の記録・再生は図１における上
方からレーザー光を照射することにより行う。以上の点
は、後述する第２および第３の実施形態についても同様
である。
層として構成される場合に限らず、再生専用の層として
構成されてもよい。情報の記録・再生は図１における上
方からレーザー光を照射することにより行う。以上の点
は、後述する第２および第３の実施形態についても同様
である。
【００４３】図２は本発明の情報記録媒体の第２の実施
形態を示す断面図である。この情報記録媒体は、図２に
おける下方から順次、基板１０１、第２の情報記録層Ｌ
２、透明層１０２、第１の情報記録層Ｌ１Ａおよび光透
過層１０３を備える。第１の情報記録層Ｌ１Ａは図２の
下方から順次、第４の誘電体１２ｃ、第３の誘電体１２
ｂ、第２の誘電体１２ａ、相変化材料膜１、および第１
の誘電体１１を備える。第２の情報記録層Ｌ２は図２の
下方から順次、反射層３、第２の誘電体２２、相変化材
料膜２、および第１の誘電体２１を備える。
形態を示す断面図である。この情報記録媒体は、図２に
おける下方から順次、基板１０１、第２の情報記録層Ｌ
２、透明層１０２、第１の情報記録層Ｌ１Ａおよび光透
過層１０３を備える。第１の情報記録層Ｌ１Ａは図２の
下方から順次、第４の誘電体１２ｃ、第３の誘電体１２
ｂ、第２の誘電体１２ａ、相変化材料膜１、および第１
の誘電体１１を備える。第２の情報記録層Ｌ２は図２の
下方から順次、反射層３、第２の誘電体２２、相変化材
料膜２、および第１の誘電体２１を備える。
【００４４】図３は本発明による情報記録媒体の第３の
実施形態を示す断面図である。この情報記録媒体は、図
３における下方から順次、基板１０１、第２の情報記録
層Ｌ２、透明層１０２、第１の情報記録層Ｌ１Ｂおよび
光透過層１０３を備える。第１の情報記録層Ｌ１Ｂは図
３の下方から順次、第６の誘電体１２ｆ、第５の誘電体
１２ｅ、第４の誘電体１２ｄ、相変化材料膜１、第３の
誘電体１１ｃ、第２の誘電体１１ｂ、および第１の誘電
体１１ａを備える。第２の情報記録層Ｌ２は図３の下方
から順次、反射層３、第２の誘電体２２、相変化材料膜
２、および第１の誘電体２１を備える。
実施形態を示す断面図である。この情報記録媒体は、図
３における下方から順次、基板１０１、第２の情報記録
層Ｌ２、透明層１０２、第１の情報記録層Ｌ１Ｂおよび
光透過層１０３を備える。第１の情報記録層Ｌ１Ｂは図
３の下方から順次、第６の誘電体１２ｆ、第５の誘電体
１２ｅ、第４の誘電体１２ｄ、相変化材料膜１、第３の
誘電体１１ｃ、第２の誘電体１１ｂ、および第１の誘電
体１１ａを備える。第２の情報記録層Ｌ２は図３の下方
から順次、反射層３、第２の誘電体２２、相変化材料膜
２、および第１の誘電体２１を備える。
【００４５】上記、第１〜第３の実施形態に例示したよ
うな構成を備える情報記録媒体において上記問題を解決
する根本的な方法は、第１の情報記録層Ｌ１の記録部と
未記録部との間の透過率差を少なくし、第２の情報記録
層Ｌ２についての記録・再生への影響を無視できるよう
にすることである。本発明は、第１の情報記録層Ｌ１の
膜構成と記録材料の選択により、記録部と未記録部との
間の透過率差を抑制する点を特徴とする。なお、本発明
の情報記録媒体は、誘電体の層数等の構成について、第
１〜第３の実施形態に限定されるものではない。
うな構成を備える情報記録媒体において上記問題を解決
する根本的な方法は、第１の情報記録層Ｌ１の記録部と
未記録部との間の透過率差を少なくし、第２の情報記録
層Ｌ２についての記録・再生への影響を無視できるよう
にすることである。本発明は、第１の情報記録層Ｌ１の
膜構成と記録材料の選択により、記録部と未記録部との
間の透過率差を抑制する点を特徴とする。なお、本発明
の情報記録媒体は、誘電体の層数等の構成について、第
１〜第３の実施形態に限定されるものではない。
【００４６】以下、さらに本発明の情報記録媒体の具体
的な構成について説明する。
的な構成について説明する。
【００４７】また、本実施形態では、第１の情報記録層
Ｌ１の相変化記録材料の、結晶化状態での屈折率ｎ1c、
消衰係数ｋ1c、非結晶化状態での屈折率ｎ1a、消衰係数
ｋ1aが、
Ｌ１の相変化記録材料の、結晶化状態での屈折率ｎ1c、
消衰係数ｋ1c、非結晶化状態での屈折率ｎ1a、消衰係数
ｋ1aが、
【００４８】
【数９】 かつ、
【００４９】
【数１０】 を満足する。
【００５０】ここで、図４および図５は第１の情報記録
層としてＰＣ基板／誘電体／相変化膜／誘電体膜の３層
構造の各層の厚みを適当に選び、相変化膜の光学定数
（ｎ，ｋ）を変数として反射率、透過率を計算した結果
を示している。反射率については、それぞれ２，４，
６，８，１０，１２％になるような（ｎ，ｋ）の組み合
せが略同心円状に描かれている。透過率Ｔについては、
それぞれＴ＝３８，５０，６４％になるような（ｎ，
ｋ）を破線で示している。計算パラメータは、波長：４
０５ｎｍ、相変化膜の厚み：６ｎｍ、誘電体（ＺｎＳ・
ＳｉＯ2）の光学定数ｎ＝２．３、ＰＣ基板の光学定数
ｎ＝１．６１である。
層としてＰＣ基板／誘電体／相変化膜／誘電体膜の３層
構造の各層の厚みを適当に選び、相変化膜の光学定数
（ｎ，ｋ）を変数として反射率、透過率を計算した結果
を示している。反射率については、それぞれ２，４，
６，８，１０，１２％になるような（ｎ，ｋ）の組み合
せが略同心円状に描かれている。透過率Ｔについては、
それぞれＴ＝３８，５０，６４％になるような（ｎ，
ｋ）を破線で示している。計算パラメータは、波長：４
０５ｎｍ、相変化膜の厚み：６ｎｍ、誘電体（ＺｎＳ・
ＳｉＯ2）の光学定数ｎ＝２．３、ＰＣ基板の光学定数
ｎ＝１．６１である。
【００５１】例えば、結晶部の透過率５０％の記録媒体
を想定する。結晶部の透過率が５０％であるということ
は、結晶の（ｎ，ｋ）がＴ＝５０％の線上にあるという
ことである。それに対して再生光のパワー変動（ΔＰｒ
2）が±１０％以下に収まるためには、Ａａ＝０．５の
場合、非晶質部の（ｎ，ｋ）は、Ｔ＝４５％とＴ＝５６
％の線の間になければならず、Ａａ＝０．２の場合、非
晶質の（ｎ，ｋ）は、Ｔ＝３８％とＴ＝６４％の線の間
になければならない。すなわち、非晶質部の（ｎ，ｋ）
が、Ｔ＝３８％とＴ＝６４％の線の間に存在すれば、再
生光のパワー変動（ΔＰｒ2）が±１０％以下に収まる
ことになる。
を想定する。結晶部の透過率が５０％であるということ
は、結晶の（ｎ，ｋ）がＴ＝５０％の線上にあるという
ことである。それに対して再生光のパワー変動（ΔＰｒ
2）が±１０％以下に収まるためには、Ａａ＝０．５の
場合、非晶質部の（ｎ，ｋ）は、Ｔ＝４５％とＴ＝５６
％の線の間になければならず、Ａａ＝０．２の場合、非
晶質の（ｎ，ｋ）は、Ｔ＝３８％とＴ＝６４％の線の間
になければならない。すなわち、非晶質部の（ｎ，ｋ）
が、Ｔ＝３８％とＴ＝６４％の線の間に存在すれば、再
生光のパワー変動（ΔＰｒ2）が±１０％以下に収まる
ことになる。
【００５２】また、第１の情報記録層として、良好な信
号再生に必要な信号強度を確保するためには、結晶部と
非結晶部の反射率差ができる限り大きくなければならな
い。実用上、記録再生で充分な信号を得るためには、Ｒ
1c（第１の情報記録層Ｌ１の未記録部＝結晶部の反射
率）が１０％程度で、Ｒ1a（第１の情報記録層Ｌ１の記
録マーク部＝非結晶部の反射率）ができるだけ小さいの
がよい。理想的にはＲ1a＝０％がよく、また、Ｒ1cが大
きいと記録に必要なレーザーパワーが大きくなりすぎて
記録ができなくなる。なお、現状の材料では、Ｒ1c＝１
０％、Ｒ1a＝４％が得られている。図４では、Ａ点が結
晶部の（ｎ，ｋ）＝（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．８，３．
５）を示し、Ｂ点が非結晶部の（ｎ，ｋ）＝（ｎａ，ｋ
ａ）＝（３．２，３．０）を示している。
号再生に必要な信号強度を確保するためには、結晶部と
非結晶部の反射率差ができる限り大きくなければならな
い。実用上、記録再生で充分な信号を得るためには、Ｒ
1c（第１の情報記録層Ｌ１の未記録部＝結晶部の反射
率）が１０％程度で、Ｒ1a（第１の情報記録層Ｌ１の記
録マーク部＝非結晶部の反射率）ができるだけ小さいの
がよい。理想的にはＲ1a＝０％がよく、また、Ｒ1cが大
きいと記録に必要なレーザーパワーが大きくなりすぎて
記録ができなくなる。なお、現状の材料では、Ｒ1c＝１
０％、Ｒ1a＝４％が得られている。図４では、Ａ点が結
晶部の（ｎ，ｋ）＝（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．８，３．
５）を示し、Ｂ点が非結晶部の（ｎ，ｋ）＝（ｎａ，ｋ
ａ）＝（３．２，３．０）を示している。
【００５３】ここで、図４では結晶部のＡ点および非晶
質部のＢ点の（透過率，反射率）は、Ａ点（５０％，１
２％）に対してＢ点（４６％，４％）であり、透過率に
ついての許容値を満足し、反射率についても充分な値を
示している。ここで、Ａ点とＢ点を結ぶ直線を考える。
透過率の条件を満足するのは図の右下がりの部分である
から、Ａ点（ｎｃ，ｋｃ）とＢ点（ｎａ，ｋａ）を結ぶ
直線の傾き｛＝（ｋｃ−ｋａ）／（ｎｃ−ｎａ）｝は負
でなければならない。すなわち、（ｋｃ−ｋａ）／（ｎ
ｃ−ｎａ）＜０（または、（ｋｃ−ｋａ）×（ｎｃ−ｎ
ａ）＜０）の条件が必要となる。
質部のＢ点の（透過率，反射率）は、Ａ点（５０％，１
２％）に対してＢ点（４６％，４％）であり、透過率に
ついての許容値を満足し、反射率についても充分な値を
示している。ここで、Ａ点とＢ点を結ぶ直線を考える。
透過率の条件を満足するのは図の右下がりの部分である
から、Ａ点（ｎｃ，ｋｃ）とＢ点（ｎａ，ｋａ）を結ぶ
直線の傾き｛＝（ｋｃ−ｋａ）／（ｎｃ−ｎａ）｝は負
でなければならない。すなわち、（ｋｃ−ｋａ）／（ｎ
ｃ−ｎａ）＜０（または、（ｋｃ−ｋａ）×（ｎｃ−ｎ
ａ）＜０）の条件が必要となる。
【００５４】また、図５において斜めにひかれた直線
は、下から順に、直線Ｘ１（ｎ＋１．５×ｋ＝７．０５
−２）、直線Ｘ２（ｎ＋１．５×ｋ＝１．８＋１．５×
３．５＝７．０５）、直線Ｘ３（ｎ＋１．５×ｋ＝７．
０５＋２）を示している。直線Ｘ２は（ｎｃ，ｋｃ）＝
（１．８，３．５）を通り、ｎ＋３／２×ｋ＝ｎｃ＋３
／２×ｋｃを満足するように引かれている。
は、下から順に、直線Ｘ１（ｎ＋１．５×ｋ＝７．０５
−２）、直線Ｘ２（ｎ＋１．５×ｋ＝１．８＋１．５×
３．５＝７．０５）、直線Ｘ３（ｎ＋１．５×ｋ＝７．
０５＋２）を示している。直線Ｘ２は（ｎｃ，ｋｃ）＝
（１．８，３．５）を通り、ｎ＋３／２×ｋ＝ｎｃ＋３
／２×ｋｃを満足するように引かれている。
【００５５】Ｔｃ＝０．５（Ｔ＝５０％）、Ａａ＝０．
２のとき、Ｔ＝３８％とＴ＝６４％の線の間が、この条
件を満足する領域になる。このときの（ｎ，ｋ）は直線
Ｘ１と直線Ｘ３で挟まれた領域とほぼ一致する。
２のとき、Ｔ＝３８％とＴ＝６４％の線の間が、この条
件を満足する領域になる。このときの（ｎ，ｋ）は直線
Ｘ１と直線Ｘ３で挟まれた領域とほぼ一致する。
【００５６】さらに、第１の情報記録層Ｌ１の記録部に
おける記録マークの占める面積比率をＡａ、未記録部の
占める面積比率をＡｃとしたとき、 ０．２≦Ａａ≦０．５ Ａａ＋Ａｃ＝１ である。
おける記録マークの占める面積比率をＡａ、未記録部の
占める面積比率をＡｃとしたとき、 ０．２≦Ａａ≦０．５ Ａａ＋Ａｃ＝１ である。
【００５７】ここで、Ａａはグルーブやランドなどの案
内溝に記録された記録マークの占有面積比率であるが、
記録マークは未記録部分と交互に記録され、その面積は
未記録部分の面積を上回ることはなく、Ａａ≦０．５が
成立する。また、あまり小さな記録マークでは信号が得
られないため、０．２≦Ａａとする。
内溝に記録された記録マークの占有面積比率であるが、
記録マークは未記録部分と交互に記録され、その面積は
未記録部分の面積を上回ることはなく、Ａａ≦０．５が
成立する。また、あまり小さな記録マークでは信号が得
られないため、０．２≦Ａａとする。
【００５８】さらにまた、第１の情報記録層Ｌ１の未記
録部の透過率Ｔｎｒと記録部の透過率Ｔｒが、それぞ
れ、 ０．３≦Ｔｎｒ≦０．８ ０．３≦Ｔｒ≦０．８ を満足する。
録部の透過率Ｔｎｒと記録部の透過率Ｔｒが、それぞ
れ、 ０．３≦Ｔｎｒ≦０．８ ０．３≦Ｔｒ≦０．８ を満足する。
【００５９】ここで、第２の情報記録層Ｌ２からの再生
信号は、入射光量に対して、第１の情報記録層Ｌ１の透
過率の二乗と第２の情報記録層Ｌ２の反射率を掛け合わ
せたものになる。第１の情報記録層Ｌ１の透過率が小さ
すぎると第２の情報記録層Ｌ２からの再生信号も小さく
なり、充分な信号が得られない。また、第１の情報記録
層Ｌ１の透過率が大きすぎる場合には、第１の情報記録
層Ｌ１自体からの反射光量や第１の情報記録層Ｌ１を記
録する際の吸収率が小さくなりすぎて、良好な再生や記
録ができない。このため、０．３≦Ｔｎｒ≦０．８およ
び０．３≦Ｔｒ≦０．８を満たす必要がある。
信号は、入射光量に対して、第１の情報記録層Ｌ１の透
過率の二乗と第２の情報記録層Ｌ２の反射率を掛け合わ
せたものになる。第１の情報記録層Ｌ１の透過率が小さ
すぎると第２の情報記録層Ｌ２からの再生信号も小さく
なり、充分な信号が得られない。また、第１の情報記録
層Ｌ１の透過率が大きすぎる場合には、第１の情報記録
層Ｌ１自体からの反射光量や第１の情報記録層Ｌ１を記
録する際の吸収率が小さくなりすぎて、良好な再生や記
録ができない。このため、０．３≦Ｔｎｒ≦０．８およ
び０．３≦Ｔｒ≦０．８を満たす必要がある。
【００６０】次に、結晶部の透過率Ｔ1c、非晶質部（マ
ーク）の透過率Ｔ1aおよび非晶質部の占有面積Ａａの関
係について、以下に説明する。
ーク）の透過率Ｔ1aおよび非晶質部の占有面積Ａａの関
係について、以下に説明する。
【００６１】第１の情報記録層Ｌ１を通した第２の情報
記録層Ｌ２からの反射光の変動率（ΔＰｒ2）は、第１
の情報記録層Ｌ１の記録された領域を基準にすると、
記録層Ｌ２からの反射光の変動率（ΔＰｒ2）は、第１
の情報記録層Ｌ１の記録された領域を基準にすると、
【００６２】
【数１１】 で与えられる。ここで、Ａａ＋Ａｃ＝１である。
【００６３】反射光の変動率ΔＰｒ2にある値Ｋを与え
ると（ΔＰｒ2＝Ｋとおくと）、このΔＰｒ2の式は、結
晶部の透過率Ｔ1cと非晶質部（マーク）の占有面積Ａａ
を係数とした非晶質部の透過率Ｔ1aについての４次式と
なり、これを解くと、
ると（ΔＰｒ2＝Ｋとおくと）、このΔＰｒ2の式は、結
晶部の透過率Ｔ1cと非晶質部（マーク）の占有面積Ａａ
を係数とした非晶質部の透過率Ｔ1aについての４次式と
なり、これを解くと、
【００６４】
【数１２】 の４つの解が得られる。
【００６５】Ｔ1a、Ｔ1c、Ａａ、Ｋそれぞれのとり得る
値を考えると、この中で実現し得る解は、（１）式およ
び（３）式のみであり、（２）式および（４）式ではＴ
1a＜０となるため成立し得ない。すなわち、
値を考えると、この中で実現し得る解は、（１）式およ
び（３）式のみであり、（２）式および（４）式ではＴ
1a＜０となるため成立し得ない。すなわち、
【００６６】
【数１３】 である。
【００６７】図６はＡａ＝０．５の場合に、ΔＰｒ
2（＝Ｋ）＝０．０５、０．１０、０．１５について計
算した結果を示しており、図７はＡａ＝０．３の場合
に、ΔＰｒ 2（＝Ｋ）＝０．０５、０．１０、０．１５
について計算した結果を示している。図６および図７に
おいて、（ａ）および（ｆ）で示す直線は、ΔＰｒ
2（＝Ｋ）＝０．１５の場合を、（ｂ）および（ｅ）で
示す直線は、ΔＰｒ2（＝Ｋ）＝０．１０の場合を、
（ｃ）および（ｄ）で示す直線は、ΔＰｒ2（＝Ｋ）＝
０．０５の場合を、それぞれ表している。
2（＝Ｋ）＝０．０５、０．１０、０．１５について計
算した結果を示しており、図７はＡａ＝０．３の場合
に、ΔＰｒ 2（＝Ｋ）＝０．０５、０．１０、０．１５
について計算した結果を示している。図６および図７に
おいて、（ａ）および（ｆ）で示す直線は、ΔＰｒ
2（＝Ｋ）＝０．１５の場合を、（ｂ）および（ｅ）で
示す直線は、ΔＰｒ2（＝Ｋ）＝０．１０の場合を、
（ｃ）および（ｄ）で示す直線は、ΔＰｒ2（＝Ｋ）＝
０．０５の場合を、それぞれ表している。
【００６８】例えば、図６において、Ａａ＝０．５の場
合に、あるＴ1cに対して、−０．１５≦ΔＰｒ2≦０．
１５を満たすＴ1aは、（ａ）および（ｆ）で示す２本の
直線で挟まれた領域として示され、−０．１０≦ΔＰｒ
2≦０．１０を満たすＴ1aは、（ｂ）および（ｅ）で示
す２本の直線で挟まれた領域として示され、−０．０５
≦ΔＰｒ2≦０．０５を満たすＴ1aは、（ｃ）および
（ｄ）で示す２本の直線で挟まれた領域として示され
る。また、Ｔ1c＝０．５０、Ａａ＝０．５のとき、|Δ
Ｐｒ2|≦０．１０を満足するためには、Ｔ1aは０．３８
３＜Ｔ1a＜０．６３６でなければならない。
合に、あるＴ1cに対して、−０．１５≦ΔＰｒ2≦０．
１５を満たすＴ1aは、（ａ）および（ｆ）で示す２本の
直線で挟まれた領域として示され、−０．１０≦ΔＰｒ
2≦０．１０を満たすＴ1aは、（ｂ）および（ｅ）で示
す２本の直線で挟まれた領域として示され、−０．０５
≦ΔＰｒ2≦０．０５を満たすＴ1aは、（ｃ）および
（ｄ）で示す２本の直線で挟まれた領域として示され
る。また、Ｔ1c＝０．５０、Ａａ＝０．５のとき、|Δ
Ｐｒ2|≦０．１０を満足するためには、Ｔ1aは０．３８
３＜Ｔ1a＜０．６３６でなければならない。
【００６９】図８〜図１０は誘電体保護膜の厚みと誘電
体保護膜の光学定数との関係を示す図である。
体保護膜の光学定数との関係を示す図である。
【００７０】図８は図１に示す第１の実施形態の構成に
対応しており、層変化記録膜１の厚みが６ｎｍの場合を
示している。Ｘ軸は誘電体保護膜１２の厚みをλ／ｎで
割った値、ｎは誘電体保護膜１２の光学定数である。Ｙ
軸は誘電体保護膜１１の厚みをλ／ｎで割った値、ｎは
誘電体保護膜１１の光学定数である。
対応しており、層変化記録膜１の厚みが６ｎｍの場合を
示している。Ｘ軸は誘電体保護膜１２の厚みをλ／ｎで
割った値、ｎは誘電体保護膜１２の光学定数である。Ｙ
軸は誘電体保護膜１１の厚みをλ／ｎで割った値、ｎは
誘電体保護膜１１の光学定数である。
【００７１】図９は図２に示す第２の実施形態の構成に
対応しており、層変化記録膜１の厚みが６ｎｍの場合を
示している。Ｘ軸は第２の誘電体１２ａの厚みをλ／ｎ
で割った値、ｎは第２の誘電体１２ａの光学定数であ
る。Ｙ軸は第１の誘電体１１の厚みをλ／ｎで割った値
であり、ｎは第１の誘電体１１の光学定数である。第３
の誘電体保護膜１２ｂの厚みは１０４ｎｍ（（λ／ｎ）
×４／８）、第４の誘電体保護膜１２ｃの厚みは１３１
ｎｍ（（λ／ｎ）×６／８）である。
対応しており、層変化記録膜１の厚みが６ｎｍの場合を
示している。Ｘ軸は第２の誘電体１２ａの厚みをλ／ｎ
で割った値、ｎは第２の誘電体１２ａの光学定数であ
る。Ｙ軸は第１の誘電体１１の厚みをλ／ｎで割った値
であり、ｎは第１の誘電体１１の光学定数である。第３
の誘電体保護膜１２ｂの厚みは１０４ｎｍ（（λ／ｎ）
×４／８）、第４の誘電体保護膜１２ｃの厚みは１３１
ｎｍ（（λ／ｎ）×６／８）である。
【００７２】図１０は図３に示す第３の実施形態の構成
に対応しており、層変化記録膜１の厚みが６ｎｍの場合
を示している。Ｘ軸は第４の誘電体１２ｄの厚みをλ／
ｎで割った値であり、ｎは第４の誘電体１２ｄの光学定
数である。Ｙ軸は第１の誘電体１１ａの厚みをλ／ｎで
割った値であり、ｎは第１の誘電体１１ａの光学定数で
ある。第２の誘電体１１ｂの厚みは１８２ｎｍ（（λ／
ｎ）×７／８）、第３の誘電体１１ｃの厚みは２２ｎｍ
（（λ／ｎ）×１／８）、第５の誘電体１２ｅの厚みは
２２ｎｍ（（λ／ｎ）×１／８）、第６の誘電体１２ｆ
の厚みは１５３ｎｍ（（λ／ｎ）×７／８）である。
に対応しており、層変化記録膜１の厚みが６ｎｍの場合
を示している。Ｘ軸は第４の誘電体１２ｄの厚みをλ／
ｎで割った値であり、ｎは第４の誘電体１２ｄの光学定
数である。Ｙ軸は第１の誘電体１１ａの厚みをλ／ｎで
割った値であり、ｎは第１の誘電体１１ａの光学定数で
ある。第２の誘電体１１ｂの厚みは１８２ｎｍ（（λ／
ｎ）×７／８）、第３の誘電体１１ｃの厚みは２２ｎｍ
（（λ／ｎ）×１／８）、第５の誘電体１２ｅの厚みは
２２ｎｍ（（λ／ｎ）×１／８）、第６の誘電体１２ｆ
の厚みは１５３ｎｍ（（λ／ｎ）×７／８）である。
【００７３】図８〜図１０の各図において、結晶部の反
射率が、８，１０，１２％になるＸＹ座標点を細い破線
で示している。また、非晶質部の反射率が、１，２，
３，４％になるＸＹ座標点を太い破線で示している。両
者の破線が重なり合う領域が良好な再生信号が得られる
実用的な領域である。
射率が、８，１０，１２％になるＸＹ座標点を細い破線
で示している。また、非晶質部の反射率が、１，２，
３，４％になるＸＹ座標点を太い破線で示している。両
者の破線が重なり合う領域が良好な再生信号が得られる
実用的な領域である。
【００７４】図８によれば、第１の実施形態において、
両者の破線が重なり合う領域は、｛Ｘ＝０、１／２、
１｝｛Ｙ＝１／４、３／４｝近傍である。すなわち、誘
電体保護膜１２の膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝
＝０、１／２、１（＝ｋ／２）であり、誘電体１１の膜
厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝１／４、３／４
（＝ｍ／２＋１／４）である。
両者の破線が重なり合う領域は、｛Ｘ＝０、１／２、
１｝｛Ｙ＝１／４、３／４｝近傍である。すなわち、誘
電体保護膜１２の膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝
＝０、１／２、１（＝ｋ／２）であり、誘電体１１の膜
厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝１／４、３／４
（＝ｍ／２＋１／４）である。
【００７５】図９によれば、第２の実施形態において、
両者の破線が重なり合う領域は、｛Ｘ＝１／４、３／
４｝｛Ｙ＝１／４、３／４｝近傍である。すなわち、第
２の誘電体１２ａの膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／
ｎ）｝＝１／２＋３／４＋（１／４，３／４）＝６／
４，８／４＝１＋１／２，２（＝ｋ／２）であり、第１
の誘電体１１の膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝
１／４、３／４（＝ｍ／２＋１／４）である。
両者の破線が重なり合う領域は、｛Ｘ＝１／４、３／
４｝｛Ｙ＝１／４、３／４｝近傍である。すなわち、第
２の誘電体１２ａの膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／
ｎ）｝＝１／２＋３／４＋（１／４，３／４）＝６／
４，８／４＝１＋１／２，２（＝ｋ／２）であり、第１
の誘電体１１の膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝
１／４、３／４（＝ｍ／２＋１／４）である。
【００７６】図１０によれば、第３の実施形態におい
て、両者の破線が重なり合う領域は、（Ｘ，Ｙ）＝（０
〜１／８，２／８〜３／８），（３／８〜５／８，２／
８〜３／８），（７／８〜１，２／８〜３／８），（０
〜１／８，６／８〜７／８），（３／８〜５／８，６／
８〜７／８）近傍である。すなわち、第４の誘電体１２
ｄの膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝１／８＋７
／８＋（Ｘ，Ｙ）＝１＋（Ｘ，Ｙ）であり、第１の誘電
体１１ａの膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝７／
８＋１／８＋（Ｘ，Ｙ）＝１＋（Ｘ，Ｙ）である。
て、両者の破線が重なり合う領域は、（Ｘ，Ｙ）＝（０
〜１／８，２／８〜３／８），（３／８〜５／８，２／
８〜３／８），（７／８〜１，２／８〜３／８），（０
〜１／８，６／８〜７／８），（３／８〜５／８，６／
８〜７／８）近傍である。すなわち、第４の誘電体１２
ｄの膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝１／８＋７
／８＋（Ｘ，Ｙ）＝１＋（Ｘ，Ｙ）であり、第１の誘電
体１１ａの膜厚に関し、Σ｛膜厚／（λ／ｎ）｝＝７／
８＋１／８＋（Ｘ，Ｙ）＝１＋（Ｘ，Ｙ）である。
【００７７】したがって、図８〜図１０における破線が
重なる領域は、
重なる領域は、
【００７８】
【数１４】 の関係を、それぞれ満たすことになる。
【００７９】なお、厳密には、図８〜図１０における破
線が重なる領域として示した以外にも、両者の破線が重
なる領域がある。しかし、それらの領域は非常に狭い領
域であり、情報記録媒体を作成するマージンがない。ま
た、それらの領域では、透過率差が大きくなり、もう一
つの制約である変動率ΔＰｒ2の影響のため、充分な性
能が得られない。 （実施例）以下、具体的な実施例について説明する。
線が重なる領域として示した以外にも、両者の破線が重
なる領域がある。しかし、それらの領域は非常に狭い領
域であり、情報記録媒体を作成するマージンがない。ま
た、それらの領域では、透過率差が大きくなり、もう一
つの制約である変動率ΔＰｒ2の影響のため、充分な性
能が得られない。 （実施例）以下、具体的な実施例について説明する。
【００８０】−第１の実施例− 第１の実施例の情報記録媒体について、図１を参照して
説明する。
説明する。
【００８１】この情報記録媒体を作製する際には、ま
ず、厚さ０．６ｍｍの基板１０１上に反射層３、第２の
誘電体２２、相変化材料膜２、第１の誘電体２１を順次
真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートした。次に、光透過層１０３となる厚さ０．６ｍ
ｍの基板上に第１の誘電体１１、相変化材料膜１、第２
の誘電体１２を順次真空スパッタ法で形成した後、紫外
線硬化樹脂をスピンコートした。次いで、それぞれの基
板の相変化材料膜１および２の全面にレーザー光を照射
することで結晶状態とした後、互いの基板を紫外線硬化
樹脂により貼り合わせた。紫外線硬化樹脂によって２つ
の情報記録層Ｌ１およびＬ２の間に形成された透明層１
０２の厚さは４０μｍである。
ず、厚さ０．６ｍｍの基板１０１上に反射層３、第２の
誘電体２２、相変化材料膜２、第１の誘電体２１を順次
真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートした。次に、光透過層１０３となる厚さ０．６ｍ
ｍの基板上に第１の誘電体１１、相変化材料膜１、第２
の誘電体１２を順次真空スパッタ法で形成した後、紫外
線硬化樹脂をスピンコートした。次いで、それぞれの基
板の相変化材料膜１および２の全面にレーザー光を照射
することで結晶状態とした後、互いの基板を紫外線硬化
樹脂により貼り合わせた。紫外線硬化樹脂によって２つ
の情報記録層Ｌ１およびＬ２の間に形成された透明層１
０２の厚さは４０μｍである。
【００８２】第１の誘電体１１が第１の保護層に、第２
の誘電体１２が第２の保護層に、それぞれ対応する。
の誘電体１２が第２の保護層に、それぞれ対応する。
【００８３】第１の情報記録層Ｌ１の第１の誘電体１１
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは２２０ｎｍである。
第１の情報記録層Ｌ１の相変化材料膜１はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは６ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ
１の第２の誘電体１２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚み
は２６０ｎｍである。
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは２２０ｎｍである。
第１の情報記録層Ｌ１の相変化材料膜１はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは６ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ
１の第２の誘電体１２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚み
は２６０ｎｍである。
【００８４】第２の情報記録層Ｌ２の第１の誘電体２１
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは１６０ｎｍである。
第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは１４ｎｍである。第２の情報記録層
Ｌ２の第２の誘電体２２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚
みは３０ｎｍである。第２の情報記録層Ｌ２の反射膜３
はＡｌからなり厚みは１００ｎｍである。
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは１６０ｎｍである。
第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは１４ｎｍである。第２の情報記録層
Ｌ２の第２の誘電体２２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚
みは３０ｎｍである。第２の情報記録層Ｌ２の反射膜３
はＡｌからなり厚みは１００ｎｍである。
【００８５】第１の情報記録層Ｌ１の相変化材料膜１お
よび第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２の光学定数
は（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．５，３．８）、（ｎａ，ｋ
ａ）＝（２．９，２．８４）である。したがって、（ｎ
ｃ＋３／２ｋｃ）−（ｎａ＋３／２ｋａ）＝＋０．０
４、かつ、（ｎｃ−ｎａ）×（ｋｃ−ｋａ）＝−１．３
４であり、前記の条件を満たしている。
よび第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２の光学定数
は（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．５，３．８）、（ｎａ，ｋ
ａ）＝（２．９，２．８４）である。したがって、（ｎ
ｃ＋３／２ｋｃ）−（ｎａ＋３／２ｋａ）＝＋０．０
４、かつ、（ｎｃ−ｎａ）×（ｋｃ−ｋａ）＝−１．３
４であり、前記の条件を満たしている。
【００８６】また、誘電体ＺｎＳ・ＳｉＯ2の光学定数
は２．３であるから、第１の情報記録層Ｌ１における第
１の誘電体１１の膜厚／（λ／Ｎ）は、 ２２０／（λ／２．３）＝１．２４９ 第２の誘電体１２の膜厚／（λ／Ｎ）は、 ２６０／（λ／２．３）＝１．４７７ であり、前記の条件を満たしている。
は２．３であるから、第１の情報記録層Ｌ１における第
１の誘電体１１の膜厚／（λ／Ｎ）は、 ２２０／（λ／２．３）＝１．２４９ 第２の誘電体１２の膜厚／（λ／Ｎ）は、 ２６０／（λ／２．３）＝１．４７７ であり、前記の条件を満たしている。
【００８７】第１の情報記録層Ｌ１および第２の情報記
録層Ｌ２の光学特性を以下に示す。なお、以下に示す反
射率、光吸収率、光透過率は、それぞれの情報記録層に
入射した光の強度を１００％としたときの値である。よ
って、第２の情報記録層Ｌ２の場合、光透過層から入射
した光が第１の情報記録層を透過した後に、第２の情報
記録層に入射した際の光の強度を１００％とする。
録層Ｌ２の光学特性を以下に示す。なお、以下に示す反
射率、光吸収率、光透過率は、それぞれの情報記録層に
入射した光の強度を１００％としたときの値である。よ
って、第２の情報記録層Ｌ２の場合、光透過層から入射
した光が第１の情報記録層を透過した後に、第２の情報
記録層に入射した際の光の強度を１００％とする。
【００８８】 ＜第２の情報記録層の光学特性＞ 結晶部： 反射率 Ｒ1c： ４０．３％ 非晶質部： 反射率 Ｒ1a： １５．５％ 第１の情報記録層Ｌ１の案内溝部分にあたるランド・グ
ルーブ部での記録マークの占有面積を５０％（Ａａ＝
０．５）とすると、第１の情報記録層の記録部（ランド
・グルーブ部）を透過する光の透過率は５１．３％、未
記録部を透過する光の透過率は５２．６％である。この
とき、第１の情報記録層Ｌ１の記録部を透過した光を基
準とした場合の、第２の情報記録層Ｌ２に記録する光の
変動率は２．４％であり、第２の情報記録層Ｌ２を再生
する場合の再生光の変動率は４．８％である。
ルーブ部での記録マークの占有面積を５０％（Ａａ＝
０．５）とすると、第１の情報記録層の記録部（ランド
・グルーブ部）を透過する光の透過率は５１．３％、未
記録部を透過する光の透過率は５２．６％である。この
とき、第１の情報記録層Ｌ１の記録部を透過した光を基
準とした場合の、第２の情報記録層Ｌ２に記録する光の
変動率は２．４％であり、第２の情報記録層Ｌ２を再生
する場合の再生光の変動率は４．８％である。
【００８９】第１の実施例の光記録媒体のそれぞれの情
報記録層Ｌ１，Ｌ２について波長４０５ｎｍの青紫レー
ザーで記録再生実験を行ったところ、第１の実施例では
第１の情報記録層Ｌ１の記録部と未記録部との透過率の
差が小さいために、第２の情報記録層Ｌ２を記録再生す
る場合も第１の情報記録層Ｌ１の記録状態によらず良好
な記録再生が可能であった。
報記録層Ｌ１，Ｌ２について波長４０５ｎｍの青紫レー
ザーで記録再生実験を行ったところ、第１の実施例では
第１の情報記録層Ｌ１の記録部と未記録部との透過率の
差が小さいために、第２の情報記録層Ｌ２を記録再生す
る場合も第１の情報記録層Ｌ１の記録状態によらず良好
な記録再生が可能であった。
【００９０】−第２の実施例− 図２は第２の実施例の情報記録媒体を示す断面図であ
る。この情報記録媒体は、図２における下方から順次、
基板１０１、第２の情報記録層Ｌ２、透明層１０２、第
１の情報記録層Ｌ１Ａおよび光透過層１０３を備える。
第１の情報記録層Ｌ１Ａは図２の下方から順次、第４の
誘電体１２ｃ、第３の誘電体１２ｂ、第２の誘電体１２
ａ、相変化材料膜１、および第１の誘電体１１を備え
る。第２の情報記録層Ｌ２は図２の下方から順次、反射
層３、第２の誘電体２２、相変化材料膜２、および第１
の誘電体２１を備える。
る。この情報記録媒体は、図２における下方から順次、
基板１０１、第２の情報記録層Ｌ２、透明層１０２、第
１の情報記録層Ｌ１Ａおよび光透過層１０３を備える。
第１の情報記録層Ｌ１Ａは図２の下方から順次、第４の
誘電体１２ｃ、第３の誘電体１２ｂ、第２の誘電体１２
ａ、相変化材料膜１、および第１の誘電体１１を備え
る。第２の情報記録層Ｌ２は図２の下方から順次、反射
層３、第２の誘電体２２、相変化材料膜２、および第１
の誘電体２１を備える。
【００９１】第１の誘電体１１が第１の保護層に、第２
の誘電体１２ａ、第３の誘電体１２ｂおよび第４の誘電
体１２ｃからなる層が第２の保護層に、それぞれ対応す
る。
の誘電体１２ａ、第３の誘電体１２ｂおよび第４の誘電
体１２ｃからなる層が第２の保護層に、それぞれ対応す
る。
【００９２】この情報記録媒体を作製する際には、ま
ず、厚さ０．６ｍｍの基板１０１上に反射層３、第２の
誘電体２２、相変化材料膜２、第１の誘電体２１を順次
真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートした。次に、光透過層１０３となる厚さ０．６ｍ
ｍの基板上に第１の誘電体１１、相変化材料膜１、第２
の誘電体１２ａ、第３の誘電体１２ｂ、第４の誘電体１
２ｃを順次真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹
脂をスピンコートした。次いで、それぞれの基板の相変
化材料膜１および２の全面にレーザー光を照射すること
で結晶状態とした後、互いの基板を紫外線硬化樹脂によ
り貼り合わせた。紫外線硬化樹脂により２つの情報記録
層Ｌ１ＡおよびＬ２の間に形成された透明層１０２の厚
さは４０μｍである。
ず、厚さ０．６ｍｍの基板１０１上に反射層３、第２の
誘電体２２、相変化材料膜２、第１の誘電体２１を順次
真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートした。次に、光透過層１０３となる厚さ０．６ｍ
ｍの基板上に第１の誘電体１１、相変化材料膜１、第２
の誘電体１２ａ、第３の誘電体１２ｂ、第４の誘電体１
２ｃを順次真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹
脂をスピンコートした。次いで、それぞれの基板の相変
化材料膜１および２の全面にレーザー光を照射すること
で結晶状態とした後、互いの基板を紫外線硬化樹脂によ
り貼り合わせた。紫外線硬化樹脂により２つの情報記録
層Ｌ１ＡおよびＬ２の間に形成された透明層１０２の厚
さは４０μｍである。
【００９３】第１の情報記録層Ｌ１Ａの第１の誘電体１
１はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは２３０ｎｍであ
る。第１の情報記録層Ｌ１Ａの相変化材料膜１はＡｇＩ
ｎＳｂＴｅからなり厚みは６ｎｍである。第１の情報記
録層Ｌ１Ａの第２の誘電体１２ａはＺｎＳ・ＳｉＯ2か
らなり厚みは２０ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ１Ａ
の第３の誘電体１２ｂはＡｌＮからなり厚みは１８０ｎ
ｍである。第１の情報記録層Ｌ１Ａの第４の誘電体１２
ｃはＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは９０ｎｍである。
１はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは２３０ｎｍであ
る。第１の情報記録層Ｌ１Ａの相変化材料膜１はＡｇＩ
ｎＳｂＴｅからなり厚みは６ｎｍである。第１の情報記
録層Ｌ１Ａの第２の誘電体１２ａはＺｎＳ・ＳｉＯ2か
らなり厚みは２０ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ１Ａ
の第３の誘電体１２ｂはＡｌＮからなり厚みは１８０ｎ
ｍである。第１の情報記録層Ｌ１Ａの第４の誘電体１２
ｃはＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは９０ｎｍである。
【００９４】第２の情報記録層Ｌ２の第１の誘電体２１
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは１６０ｎｍである。
第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは１４ｎｍである。第２の情報記録層
Ｌ２の第２の誘電体２２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚
みは３０ｎｍである。第２の情報記録層Ｌ２の反射膜３
はＡｌからなり厚みは１００ｎｍである。
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは１６０ｎｍである。
第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは１４ｎｍである。第２の情報記録層
Ｌ２の第２の誘電体２２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚
みは３０ｎｍである。第２の情報記録層Ｌ２の反射膜３
はＡｌからなり厚みは１００ｎｍである。
【００９５】第１の情報記録層Ｌ１Ａの相変化材料膜１
および第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２の光学定
数は（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．５，３．８）、（ｎａ，ｋ
ａ）＝（２．９，２．８４）である。したがって、（ｎ
ｃ＋３／２ｋｃ）−（ｎａ＋３／２ｋａ）＝＋０．０
４、かつ、（ｎｃ−ｎａ）×（ｋｃ−ｋａ）＝−１．３
４であり、前記の条件を満たしている。
および第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２の光学定
数は（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．５，３．８）、（ｎａ，ｋ
ａ）＝（２．９，２．８４）である。したがって、（ｎ
ｃ＋３／２ｋｃ）−（ｎａ＋３／２ｋａ）＝＋０．０
４、かつ、（ｎｃ−ｎａ）×（ｋｃ−ｋａ）＝−１．３
４であり、前記の条件を満たしている。
【００９６】また、誘電体ＺｎＳ・ＳｉＯ2の光学定数
は２．３であり、ＡｌＮの光学定数は１．９５であるか
ら、第１の情報記録層Ｌ１Ａにおける第１の誘電体１１
の膜厚／（λ／Ｎ）は、 ２３０／（λ／２．３）＝１．３０６ 第２，３，４の誘電体１２ａ，１２ｂ，１２ｃの膜厚／
（λ／Ｎ）の合計は、 ２０／（λ／２．３）＋１８０／（λ／１．９５）＋９
０／（λ／２．３）＝１．４９ であり、前記の条件を満たしている。
は２．３であり、ＡｌＮの光学定数は１．９５であるか
ら、第１の情報記録層Ｌ１Ａにおける第１の誘電体１１
の膜厚／（λ／Ｎ）は、 ２３０／（λ／２．３）＝１．３０６ 第２，３，４の誘電体１２ａ，１２ｂ，１２ｃの膜厚／
（λ／Ｎ）の合計は、 ２０／（λ／２．３）＋１８０／（λ／１．９５）＋９
０／（λ／２．３）＝１．４９ であり、前記の条件を満たしている。
【００９７】第１の情報記録層Ｌ１Ａおよび第２の情報
記録層Ｌ２の光学特性を以下に示す。なお、以下に示す
反射率、光吸収率、光透過率は、それぞれの情報記録層
に入射した光の強度を１００％としたときの値である。
よって、第２の情報記録層Ｌ２の場合、光透過層から入
射した光が第１の情報記録層Ｌ１Ａを透過した後に、第
２の情報記録層に入射した際の光の強度を１００％とす
る。
記録層Ｌ２の光学特性を以下に示す。なお、以下に示す
反射率、光吸収率、光透過率は、それぞれの情報記録層
に入射した光の強度を１００％としたときの値である。
よって、第２の情報記録層Ｌ２の場合、光透過層から入
射した光が第１の情報記録層Ｌ１Ａを透過した後に、第
２の情報記録層に入射した際の光の強度を１００％とす
る。
【００９８】 ＜第２の情報記録層の光学特性＞ 結晶部： 反射率 Ｒ1c： ４０．３％ 非晶質部： 反射率 Ｒ1a： １５．５％ 第１の情報記録層Ｌ１Ａの案内溝部分にあたるランド・
グルーブ部での記録マークの占有面積を５０％（Ａａ＝
０．５）とすると、第１の情報記録層の記録部（ランド
・グルーブ部）を透過する光の透過率は５４．９％、未
記録部を透過する光の透過率は５６．１％である。この
とき、第１の情報記録層Ｌ１Ａの記録部を透過した光を
基準とした場合の、第２の情報記録層Ｌ２に記録する光
の変動率は２．２％であり、第２の情報記録層Ｌ２を再
生する場合の再生光の変動率は４．５％である。
グルーブ部での記録マークの占有面積を５０％（Ａａ＝
０．５）とすると、第１の情報記録層の記録部（ランド
・グルーブ部）を透過する光の透過率は５４．９％、未
記録部を透過する光の透過率は５６．１％である。この
とき、第１の情報記録層Ｌ１Ａの記録部を透過した光を
基準とした場合の、第２の情報記録層Ｌ２に記録する光
の変動率は２．２％であり、第２の情報記録層Ｌ２を再
生する場合の再生光の変動率は４．５％である。
【００９９】第２の実施例の光記録媒体のそれぞれの情
報記録層Ｌ１Ａ，Ｌ２について波長４０５ｎｍの青紫レ
ーザーで記録再生実験を行ったところ、第２の実施例で
は第１の情報記録層Ｌ１Ａの記録部と未記録部との透過
率の差が小さいために、第２の情報記録層Ｌ２を記録再
生する場合も第１の情報記録層Ｌ１Ａの記録状態によら
ず良好な記録再生が可能であった。
報記録層Ｌ１Ａ，Ｌ２について波長４０５ｎｍの青紫レ
ーザーで記録再生実験を行ったところ、第２の実施例で
は第１の情報記録層Ｌ１Ａの記録部と未記録部との透過
率の差が小さいために、第２の情報記録層Ｌ２を記録再
生する場合も第１の情報記録層Ｌ１Ａの記録状態によら
ず良好な記録再生が可能であった。
【０１００】−第３の実施例− 図３は第３の実施例の情報記録媒体を示す断面図であ
る。この情報記録媒体は、図３における下方から順次、
基板１０１、第２の情報記録層Ｌ２、透明層１０２、第
１の情報記録層Ｌ１Ｂおよび光透過層１０３を備える。
第１の情報記録層Ｌ１Ｂは図３の下方から順次、第６の
誘電体１２ｆ、第５の誘電体１２ｅ、第４の誘電体１２
ｄ、相変化材料膜１、第３の誘電体１１ｃ、第２の誘電
体１１ｂ、および第１の誘電体１１ａを備える。第２の
情報記録層Ｌ２は図３の下方から順次、反射層３、第２
の誘電体２２、相変化材料膜２、および第１の誘電体２
１を備える。
る。この情報記録媒体は、図３における下方から順次、
基板１０１、第２の情報記録層Ｌ２、透明層１０２、第
１の情報記録層Ｌ１Ｂおよび光透過層１０３を備える。
第１の情報記録層Ｌ１Ｂは図３の下方から順次、第６の
誘電体１２ｆ、第５の誘電体１２ｅ、第４の誘電体１２
ｄ、相変化材料膜１、第３の誘電体１１ｃ、第２の誘電
体１１ｂ、および第１の誘電体１１ａを備える。第２の
情報記録層Ｌ２は図３の下方から順次、反射層３、第２
の誘電体２２、相変化材料膜２、および第１の誘電体２
１を備える。
【０１０１】第１の誘電体１１ａ、第２の誘電体１１ｂ
および第３の誘電体１１ｃが第１の保護層に、第４の誘
電体１２ｄ、第５の誘電体１２ｅおよび第６の誘電体１
２ｆが第２の誘電体に、それぞれ対応する。
および第３の誘電体１１ｃが第１の保護層に、第４の誘
電体１２ｄ、第５の誘電体１２ｅおよび第６の誘電体１
２ｆが第２の誘電体に、それぞれ対応する。
【０１０２】この情報記録媒体を作製する際には、ま
ず、厚さ０．６ｍｍの基板１０１上に反射層３、第２の
誘電体２２、相変化材料膜２、第１の誘電体２１を順次
真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートした。次に、光透過層１０３となる厚さ０．６ｍ
ｍの基板上に第１の誘電体１１ａ、第２の誘電体１１
ｂ、第３の誘電体１１ｃ、相変化材料膜１、第４の誘電
体１２ｄ、第５の誘電体１２ｅ、第６の誘電体１２ｆを
順次真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をス
ピンコートした。次いで、それぞれの基板の相変化材料
膜１および２の全面にレーザー光を照射することで結晶
状態とした後、互いの基板を紫外線硬化樹脂により貼り
合わせた。紫外線硬化樹脂により２つの情報記録層Ｌ１
ＢおよびＬ２の間に形成された透明層１０２の厚さは４
０μｍである。
ず、厚さ０．６ｍｍの基板１０１上に反射層３、第２の
誘電体２２、相変化材料膜２、第１の誘電体２１を順次
真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートした。次に、光透過層１０３となる厚さ０．６ｍ
ｍの基板上に第１の誘電体１１ａ、第２の誘電体１１
ｂ、第３の誘電体１１ｃ、相変化材料膜１、第４の誘電
体１２ｄ、第５の誘電体１２ｅ、第６の誘電体１２ｆを
順次真空スパッタ法で形成した後、紫外線硬化樹脂をス
ピンコートした。次いで、それぞれの基板の相変化材料
膜１および２の全面にレーザー光を照射することで結晶
状態とした後、互いの基板を紫外線硬化樹脂により貼り
合わせた。紫外線硬化樹脂により２つの情報記録層Ｌ１
ＢおよびＬ２の間に形成された透明層１０２の厚さは４
０μｍである。
【０１０３】第１の情報記録層Ｌ１Ｂの第１の誘電体１
１ａはＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは９０ｎｍであ
る。第１の情報記録層Ｌ１Ｂの第２の誘電体１１ｂはＡ
ｌＮからなり厚みは１１０ｎｍである。第１の情報記録
層Ｌ１Ｂの第３の誘電体１１ｃはＺｎＳ・ＳｉＯ2から
なり厚みは９０ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ１の相
変化材料膜１はＡｇＩｎＳｂＴｅからなり厚みは６ｎｍ
である。第１の情報記録層Ｌ１Ｂの第４の誘電体１２ｄ
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは４０ｎｍである。第
１の情報記録層Ｌ１Ｂの第５の誘電体１２ｅはＡｌＮか
らなり厚みは１００ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ１
Ｂの第６の誘電体１２ｆはＺｎＳ・ＳｉＯ 2からなり厚
みは５０ｎｍである。
１ａはＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは９０ｎｍであ
る。第１の情報記録層Ｌ１Ｂの第２の誘電体１１ｂはＡ
ｌＮからなり厚みは１１０ｎｍである。第１の情報記録
層Ｌ１Ｂの第３の誘電体１１ｃはＺｎＳ・ＳｉＯ2から
なり厚みは９０ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ１の相
変化材料膜１はＡｇＩｎＳｂＴｅからなり厚みは６ｎｍ
である。第１の情報記録層Ｌ１Ｂの第４の誘電体１２ｄ
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは４０ｎｍである。第
１の情報記録層Ｌ１Ｂの第５の誘電体１２ｅはＡｌＮか
らなり厚みは１００ｎｍである。第１の情報記録層Ｌ１
Ｂの第６の誘電体１２ｆはＺｎＳ・ＳｉＯ 2からなり厚
みは５０ｎｍである。
【０１０４】第２の情報記録層Ｌ２の第１の誘電体２１
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは１６０ｎｍである。
第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは１４ｎｍである。第２の情報記録層
Ｌ２の第２の誘電体２２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚
みは３０ｎｍである。第２の情報記録層Ｌ２の反射膜３
はＡｌからなり厚みは１００ｎｍである。
はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚みは１６０ｎｍである。
第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２はＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅからなり厚みは１４ｎｍである。第２の情報記録層
Ｌ２の第２の誘電体２２はＺｎＳ・ＳｉＯ2からなり厚
みは３０ｎｍである。第２の情報記録層Ｌ２の反射膜３
はＡｌからなり厚みは１００ｎｍである。
【０１０５】第１の情報記録層Ｌ１Ｂの相変化材料膜１
および第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２の光学定
数は（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．５，３．８）、（ｎａ，ｋ
ａ）＝（２．９，２．８４）である。したがって、（ｎ
ｃ＋３／２ｋｃ）−（ｎａ＋３／２ｋａ）＝＋０．０
４、かつ、（ｎｃ−ｎａ）×（ｋｃ−ｋａ）＝−１．３
４であり、前記の条件を満たしている。
および第２の情報記録層Ｌ２の相変化材料膜２の光学定
数は（ｎｃ，ｋｃ）＝（１．５，３．８）、（ｎａ，ｋ
ａ）＝（２．９，２．８４）である。したがって、（ｎ
ｃ＋３／２ｋｃ）−（ｎａ＋３／２ｋａ）＝＋０．０
４、かつ、（ｎｃ−ｎａ）×（ｋｃ−ｋａ）＝−１．３
４であり、前記の条件を満たしている。
【０１０６】また、誘電体ＺｎＳ・ＳｉＯ2の光学定数
は２．３であり、ＡｌＮの光学定数は１．９５であるか
ら、第１の情報記録層Ｌ１Ｂにおける第１の誘電体１１
ａ、第２の誘導体１１ｂおよび第３の誘導体１１ｃの膜
厚／（λ／Ｎ）の合計は、 ９０／（λ／２．３）＋１１０／（λ／１．９５）＋４
０／（λ／２．３）＝１．０２６７９ であり、第１の情報記録層Ｌ１Ｂにおける第４の誘電体
１２ｄ、第５の誘導体１２ｅおよび第６の誘導体１２ｆ
の膜厚／（λ／Ｎ）の合計は、 ４０／（λ／２．３）＋１００／（λ／１．９５）＋５
０／（λ／２．３）＝０．９９２６ であり、前記の条件を満たしている。
は２．３であり、ＡｌＮの光学定数は１．９５であるか
ら、第１の情報記録層Ｌ１Ｂにおける第１の誘電体１１
ａ、第２の誘導体１１ｂおよび第３の誘導体１１ｃの膜
厚／（λ／Ｎ）の合計は、 ９０／（λ／２．３）＋１１０／（λ／１．９５）＋４
０／（λ／２．３）＝１．０２６７９ であり、第１の情報記録層Ｌ１Ｂにおける第４の誘電体
１２ｄ、第５の誘導体１２ｅおよび第６の誘導体１２ｆ
の膜厚／（λ／Ｎ）の合計は、 ４０／（λ／２．３）＋１００／（λ／１．９５）＋５
０／（λ／２．３）＝０．９９２６ であり、前記の条件を満たしている。
【０１０７】第１の情報記録層Ｌ１Ｂおよび第２の情報
記録層Ｌ２の光学特性を以下に示す。なお、以下に示す
反射率、光吸収率、光透過率は、それぞれの情報記録層
に入射した光の強度を１００％としたときの値である。
よって、第２の情報記録層Ｌ２の場合、光透過層から入
射した光が第１の情報記録層を透過した後に、第２の情
報記録層に入射した際の光の強度を１００％とする。
記録層Ｌ２の光学特性を以下に示す。なお、以下に示す
反射率、光吸収率、光透過率は、それぞれの情報記録層
に入射した光の強度を１００％としたときの値である。
よって、第２の情報記録層Ｌ２の場合、光透過層から入
射した光が第１の情報記録層を透過した後に、第２の情
報記録層に入射した際の光の強度を１００％とする。
【０１０８】 ＜第２の情報記録層の光学特性＞ 結晶部： 反射率 Ｒ1c： ４０．３％ 非晶質部： 反射率 Ｒ1a： １５．５％ 第１の情報記録層Ｌ１Ｂの案内溝部分にあたるランド・
グルーブ部での記録マークの占有面積を５０％（Ａａ＝
０．５）とすると、第１の情報記録層の記録部（ランド
・グルーブ部）を透過する光の透過率は５１．４％、未
記録部を透過する光の透過率は５２．６％である。この
とき、第１の情報記録層Ｌ１Ｂの記録部を透過した光を
基準とした場合の、第２の情報記録層Ｌ２に記録する光
の変動率は２．４％であり、第２の情報記録層Ｌ２を再
生する場合の再生光の変動率は４．８％である。
グルーブ部での記録マークの占有面積を５０％（Ａａ＝
０．５）とすると、第１の情報記録層の記録部（ランド
・グルーブ部）を透過する光の透過率は５１．４％、未
記録部を透過する光の透過率は５２．６％である。この
とき、第１の情報記録層Ｌ１Ｂの記録部を透過した光を
基準とした場合の、第２の情報記録層Ｌ２に記録する光
の変動率は２．４％であり、第２の情報記録層Ｌ２を再
生する場合の再生光の変動率は４．８％である。
【０１０９】第３の実施例の光記録媒体のそれぞれの情
報記録層Ｌ１Ｂ，Ｌ２について波長４０５ｎｍの青紫レ
ーザーで記録再生実験を行ったところ、第３の実施例で
は第１の情報記録層Ｌ１Ｂの記録部と未記録部との透過
率の差が小さいために、第２の情報記録層Ｌ２を記録再
生する場合も第１の情報記録層Ｌ１Ｂの記録状態によら
ず良好な記録再生が可能であった。
報記録層Ｌ１Ｂ，Ｌ２について波長４０５ｎｍの青紫レ
ーザーで記録再生実験を行ったところ、第３の実施例で
は第１の情報記録層Ｌ１Ｂの記録部と未記録部との透過
率の差が小さいために、第２の情報記録層Ｌ２を記録再
生する場合も第１の情報記録層Ｌ１Ｂの記録状態によら
ず良好な記録再生が可能であった。
【０１１０】上記各実施例では、第２の情報記録層とし
て、Ｒc2＞Ｒa2となる条件の相変化記録層を使用した
が、この層として、Ｒc2＜Ｒa2となるいわゆる逆相の相
変化記録層を使用してもよい。また、第２の情報記録層
は相変化記録層以外の層、例えば、ピット情報からなる
再生専用層（いわゆるＲＯＭディスク）や光磁気記録層
としてもよい。第２の情報記録層における記録・再生方
式については限定されない。
て、Ｒc2＞Ｒa2となる条件の相変化記録層を使用した
が、この層として、Ｒc2＜Ｒa2となるいわゆる逆相の相
変化記録層を使用してもよい。また、第２の情報記録層
は相変化記録層以外の層、例えば、ピット情報からなる
再生専用層（いわゆるＲＯＭディスク）や光磁気記録層
としてもよい。第２の情報記録層における記録・再生方
式については限定されない。
【図１】本発明の情報記録媒体の基本的な構成を示す断
面図。
面図。
【図２】第２の実施例の情報記録媒体を示す断面図。
【図３】第３の実施例の情報記録媒体を示す断面図。
【図４】第１の情報記録層としてＰＣ基板／誘電体／相
変化膜／誘電体膜の３層構造において、相変化膜の光学
定数（ｎ，ｋ）を変数として反射率、透過率を計算した
結果を示す図。
変化膜／誘電体膜の３層構造において、相変化膜の光学
定数（ｎ，ｋ）を変数として反射率、透過率を計算した
結果を示す図。
【図５】第１の情報記録層としてＰＣ基板／誘電体／相
変化膜／誘電体膜の３層構造において、相変化膜の光学
定数（ｎ，ｋ）を変数として反射率、透過率を計算した
結果を示す図。
変化膜／誘電体膜の３層構造において、相変化膜の光学
定数（ｎ，ｋ）を変数として反射率、透過率を計算した
結果を示す図。
【図６】Ａａ＝０．５の場合におけるΔＰｒ2（＝Ｋ）
の計算結果を示す図。
の計算結果を示す図。
【図７】Ａａ＝０．３の場合におけるΔＰｒ2（＝Ｋ）
の計算結果を示す図。
の計算結果を示す図。
【図８】第１の実施形態における誘電体の厚みと誘電体
の光学定数との関係を示す図。
の光学定数との関係を示す図。
【図９】第２の実施形態における誘電体の厚みと誘電体
の光学定数との関係を示す図。
の光学定数との関係を示す図。
【図１０】第３の実施形態における誘電体の厚みと誘電
体の光学定数との関係を示す図。
体の光学定数との関係を示す図。
【図１１】ＤＶＤ−ＲＡＭディスクのトラック・フォー
マットを示す図。
マットを示す図。
１ 相変化膜 １１、１１ａ〜１１ｃ 第１の保護層（誘電体） １２、１２ａ〜１２ｆ 第２の保護層（誘電体） １０２ 透明層 １０３ 光透過層 Ｌ１ 第１の情報記録層 Ｌ２ 第２の情報記録層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 陽一 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5D029 HA06 HA07 JA01 JB13 JC04 JC05 LA17 LB07 LB11 LC05
Claims (6)
- 【請求項１】 光透過層、第１の情報記録層、透明層、
第２の情報記録層が順次積層されてなり、前記光透過層
の側からレーザー光が照射されて情報信号の再生が行わ
れる情報記録媒体において、 前記第１の情報記録層は、前記光透過層の側から順に第
１の保護層、相変化記録膜および第２の保護層からな
り、 前記第２の情報記録層を再生する場合における前記第１
の情報記録層の記録領域および未記録領域に対応して変
動する再生光の変動率が１０％以下であることを特徴と
する情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１の情報記録層の記録領域におけ
る記録マークの占める面積率をＡａとすると、 ０．２≦Ａａ≦０．５ であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒
体。 - 【請求項３】 前記第１の情報記録層の記録領域の透過
率をＴｒとすると、 ０．３≦Ｔｒ≦０．８ であり、 前記第１の情報記録層の未記録領域の透過率をＴｎｒと
すると、 ０．３≦Ｔｎｒ≦０．８ であることを特徴とする請求項１または２に記載の情報
記録媒体。 - 【請求項４】 光透過層、第１の情報記録層、透明層、
第２の情報記録層が順次積層されてなり、前記光透過層
の側からレーザー光が照射されて情報信号の再生が行わ
れる情報記録媒体において、 前記第１の情報記録層は、前記光透過層の側から順に第
１の保護層、相変化記録膜および第２の保護層からな
り、 前記相変化記録膜の結晶の屈折率をｎ1c、消衰係数をｋ
1c、前記相変化記録膜の非晶質の屈折率をｎ1a、消衰係
数をｋ1aとすると、 （ｎ1c−ｎ1a）×（ｋ1c−ｋ1a）＜０ かつ、 |（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−（ｎ1a＋３／２×ｋ1a）|≦
２ であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の情報記録媒体。 - 【請求項５】 光透過層、第１の情報記録層、透明層、
第２の情報記録層が順次積層されてなり、前記光透過層
の側からレーザー光が照射されて情報信号の再生が行わ
れる情報記録媒体において、 前記第１の情報記録層は、前記光透過層の側から順に第
１の保護層、相変化記録膜および第２の保護層からな
り、 前記第１の保護層を構成する保護膜の数をＩ、この保護
膜の各膜厚をｄｉ［ｎｍ］（ｉは自然数）、この保護膜
の各屈折率をｎｉ、レーザー光の波長をλ［ｎｍ］、ｍ
を整数、Σをｉについて１からＩまでの合計とすると、
略、 （ｍ／２＋１／４）−１／８≦Σ（ｄｉ／（λ／ｎ
ｉ））≦（ｍ／２＋１／４）＋１／８ であり、 前記第２の保護層を構成する保護膜の数をＪ、この保護
膜の各膜厚をｄｊ［ｎｍ］（ｊは自然数）、この保護膜
の各屈折率をｎｊ、ｋを整数、Σをｊが１からＪまでの
合計とすると、略、 （ｋ／２）−１／８≦Σ（ｄｊ／（λ／ｎｊ））≦（ｋ
／２）＋１／８ であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の情報記録媒体。 - 【請求項６】 光透過層、第１の情報記録層、透明層、
第２の情報記録層が順次積層されてなり、前記光透過層
の側からレーザー光が照射されて情報信号の再生が行わ
れる情報記録媒体において、 前記第１の情報記録層は、前記光透過層の側から順に第
１の保護層、相変化記録膜および第２の保護層からな
り、 前記第１の保護層を構成する保護膜の数をＩ、この保護
膜の各膜厚をｄｉ［ｎｍ］（ｉは自然数）、この保護膜
の各屈折率をｎｉ、レーザー光の波長をλ［ｎｍ］、ｍ
を整数、Σをｉについて１からＩまでの合計とすると、
略、 （ｍ／２＋１／４）−１／８≦Σ（ｄｉ／（λ／ｎ
ｉ））≦（ｍ／２＋１／４）＋１／８ 前記第２の保護層を構成する保護膜の数をＪ、この保護
膜の各膜厚をｄｊ［ｎｍ］（ｊは自然数）、この保護膜
の各屈折率をｎｊ、ｋを整数、Σをｊが１からＪまでの
合計とすると、略、 （ｋ／２）−１／８≦Σ（ｄｊ／（λ／ｎｊ））≦（ｋ
／２）＋１／８ であり、 前記相変化記録膜の結晶の屈折率をｎ1c、消衰係数をｋ
1c、前記相変化記録膜の非晶質の屈折率をｎ1a、消衰係
数をｋ1aとすると、 （ｎ1c−ｎ1a）×（ｋ1c−ｋ1a）＜０ かつ、 |（ｎ1c＋３／２×ｋ1c）−（ｎ1a＋３／２×ｋ1a）|≦
２ であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の情報記録媒体。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2001023195A JP2002230828A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 情報記録媒体 |
| US10/059,129 US6724716B2 (en) | 2001-01-31 | 2002-01-31 | Phase-change type optical storage medium having multiple recording layers |
| EP02001938A EP1229528A3 (en) | 2001-01-31 | 2002-01-31 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001023195A JP2002230828A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
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ID=18888508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001023195A Withdrawn JP2002230828A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 情報記録媒体 |
Country Status (3)
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