JP2001067722A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JP2001067722A JP2001067722A JP24418999A JP24418999A JP2001067722A JP 2001067722 A JP2001067722 A JP 2001067722A JP 24418999 A JP24418999 A JP 24418999A JP 24418999 A JP24418999 A JP 24418999A JP 2001067722 A JP2001067722 A JP 2001067722A
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- interface control
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Abstract
(57)【要約】
【課題】記録層の放熱性を改善して記録層の急速な冷却
を可能とし、記録ビット端部のジッター特性を向上さ
せ、また高速記録および高速消去を可能とするととも
に、繰り返し記録再生に対するＯＷ消去特性やジッター
特性の劣化を抑制する。 【解決手段】透明基板１１上に第一の界面制御層１３、
照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化す
る記録層１４、第二の界面制御層１５及び反射層１７が
順次積層され、第一の界面制御層１３の熱伝導率をσ1
、第二の界面制御層１５の熱伝導率をσ2 とした場
合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2 ≧１．２であ
る。
を可能とし、記録ビット端部のジッター特性を向上さ
せ、また高速記録および高速消去を可能とするととも
に、繰り返し記録再生に対するＯＷ消去特性やジッター
特性の劣化を抑制する。 【解決手段】透明基板１１上に第一の界面制御層１３、
照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化す
る記録層１４、第二の界面制御層１５及び反射層１７が
順次積層され、第一の界面制御層１３の熱伝導率をσ1
、第二の界面制御層１５の熱伝導率をσ2 とした場
合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2 ≧１．２であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照射するレーザ光
等の光線の出力に応じて非晶質または結晶質の２状態に
相変化する記録層を有し、前記２状態における記録ビッ
トの光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生
するものであって、書き換え可能な光記録媒体に関す
る。
等の光線の出力に応じて非晶質または結晶質の２状態に
相変化する記録層を有し、前記２状態における記録ビッ
トの光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生
するものであって、書き換え可能な光記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の相転移を利用した書き換え可能な
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
２に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴｅ等
から成り非晶質または結晶質の２状態に相変化可能な記
録層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
２に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴｅ等
から成り非晶質または結晶質の２状態に相変化可能な記
録層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
【０００３】このような書き換え可能な媒体Ｍにおい
て、記録層３は結晶質状態と非結晶質状態とで光の反射
率が異なっており、一般的には結晶質状態の方が反射率
が高い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のようなもの
である。まず、記録層３の全ての記録ビットを結晶化し
ておく。即ち、反射率が高い状態とし初期化しておく。
情報の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種のレーザ
パワーにパルス変調されたレーザビームを照射し、高出
力（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが照射され
た記録ビットでは記録層３材料の融点よりも高温にな
り、溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出力（５
〜１０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ビッ
トでは、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで昇温さ
れた後、冷却され結晶質状態になる。
て、記録層３は結晶質状態と非結晶質状態とで光の反射
率が異なっており、一般的には結晶質状態の方が反射率
が高い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のようなもの
である。まず、記録層３の全ての記録ビットを結晶化し
ておく。即ち、反射率が高い状態とし初期化しておく。
情報の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種のレーザ
パワーにパルス変調されたレーザビームを照射し、高出
力（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが照射され
た記録ビットでは記録層３材料の融点よりも高温にな
り、溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出力（５
〜１０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ビッ
トでは、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで昇温さ
れた後、冷却され結晶質状態になる。
【０００４】上記の書込動作は、古い情報が残留してい
る上から直接行うことができ、各記録ビットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライト（Over Writeで、以下、ＯＷと略す）が
可能である。再生は、読取用の低出力（１〜２ｍＷ程
度）のレーザビームを照射して、高反射率の結晶質相か
低反射率の非晶質相かを判読し、０，１のデジタル情報
として読み取る。
る上から直接行うことができ、各記録ビットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライト（Over Writeで、以下、ＯＷと略す）が
可能である。再生は、読取用の低出力（１〜２ｍＷ程
度）のレーザビームを照射して、高反射率の結晶質相か
低反射率の非晶質相かを判読し、０，１のデジタル情報
として読み取る。
【０００５】記録層３の材料としては、Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ
のうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適してお
り、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという特徴が
ある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴｅ系材
料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材料等が
ある。
のうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適してお
り、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという特徴が
ある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴｅ系材
料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材料等が
ある。
【０００６】そして、従来、このような相変化型の媒体
Ｍにおいて、相変化型の記録層に接して両側或いは片側
に形成した界面制御層を備え、界面制御層が、１０００
℃での標準生成自由エネルギーが−４００ｋＪ／ｍｏｌ
Ｏ2 から−８００ｋＪ／ｍｏｌＯ2 の範囲にある酸化物
からなり、具体的にはＣｒ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ2Ｏ
5 ，ＴｉＯ2 ，Ｖ2 Ｏ3 のうちのいずれか一種或いはこ
れらの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的
に安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しに
よる記録層の破壊が生じ難いものが提案されている（従
来例１：特開平５−１４４０８３号公報参照）。
Ｍにおいて、相変化型の記録層に接して両側或いは片側
に形成した界面制御層を備え、界面制御層が、１０００
℃での標準生成自由エネルギーが−４００ｋＪ／ｍｏｌ
Ｏ2 から−８００ｋＪ／ｍｏｌＯ2 の範囲にある酸化物
からなり、具体的にはＣｒ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ2Ｏ
5 ，ＴｉＯ2 ，Ｖ2 Ｏ3 のうちのいずれか一種或いはこ
れらの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的
に安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しに
よる記録層の破壊が生じ難いものが提案されている（従
来例１：特開平５−１４４０８３号公報参照）。
【０００７】また、従来例２として、相変化型の記録層
に接して両側或いは片側に形成した界面制御層を備え、
界面制御層の主成分がイオン半径１．０Å以上の陽イオ
ンとＯ2-イオンの化合した酸化物、即ちＹ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｈのうちのいずれか一種或いはこれ
らの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的に
安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しによ
る記録層の破壊が生じ難いものが公知である（従来例
２：特開平５−３４２６３２号公報参照）。
に接して両側或いは片側に形成した界面制御層を備え、
界面制御層の主成分がイオン半径１．０Å以上の陽イオ
ンとＯ2-イオンの化合した酸化物、即ちＹ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｈのうちのいずれか一種或いはこれ
らの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的に
安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しによ
る記録層の破壊が生じ難いものが公知である（従来例
２：特開平５−３４２６３２号公報参照）。
【０００８】更に、従来例３として、基板上に形成され
た相変化型の記録層と、記録層上及び／又は基板と記録
層との間に形成された誘電体保護層とを具備する情報記
録媒体であって、誘電体保護層と記録層との間に、記録
層材料よりも融点が高く記録層材料と固溶しない金属、
合金又は金属間化合物からなる境界層を有し、該境界層
がＷ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｒ
ｕ，Ｔｃ，Ｒｈ，Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
Ｔａ−Ｗ，Ｗ−Ｓｉ，Ｍｏ−Ｓｉ及びＮｂ−Ａｌからな
る群から選択されたものからなることにより、誘電体保
護層と記録層との付着性が向上し、優れた繰り返し特性
を有する情報記録媒体が知られている（従来例３：特開
平７−２６２６１４号公報参照）。
た相変化型の記録層と、記録層上及び／又は基板と記録
層との間に形成された誘電体保護層とを具備する情報記
録媒体であって、誘電体保護層と記録層との間に、記録
層材料よりも融点が高く記録層材料と固溶しない金属、
合金又は金属間化合物からなる境界層を有し、該境界層
がＷ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｒ
ｕ，Ｔｃ，Ｒｈ，Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
Ｔａ−Ｗ，Ｗ−Ｓｉ，Ｍｏ−Ｓｉ及びＮｂ−Ａｌからな
る群から選択されたものからなることにより、誘電体保
護層と記録層との付着性が向上し、優れた繰り返し特性
を有する情報記録媒体が知られている（従来例３：特開
平７−２６２６１４号公報参照）。
【０００９】従来例４として、相変化型の記録層に隣接
して、金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からな
り、記録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシ
ード層を設けることにより、微小記録マークを形成した
場合にマークエッジの乱れが小さくジッター特性が良好
なものが公知である（従来例４：特開平１０−１０６０
２７号公報参照）。
して、金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からな
り、記録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシ
ード層を設けることにより、微小記録マークを形成した
場合にマークエッジの乱れが小さくジッター特性が良好
なものが公知である（従来例４：特開平１０−１０６０
２７号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
上記の相変化型の記録層においては、結晶質相と非晶質
相のいずれも再現性良く安定に形成されると共に、両相
間を高速かつ可逆的に転移可能であるという特性が必要
であるのに対し、結晶質相と非晶質相の一方が安定に形
成されても他方が不安定になり易く、また繰り返し記録
再生に対してＯＷ消去特性やジッター特性が劣化し易い
という問題点があった。
上記の相変化型の記録層においては、結晶質相と非晶質
相のいずれも再現性良く安定に形成されると共に、両相
間を高速かつ可逆的に転移可能であるという特性が必要
であるのに対し、結晶質相と非晶質相の一方が安定に形
成されても他方が不安定になり易く、また繰り返し記録
再生に対してＯＷ消去特性やジッター特性が劣化し易い
という問題点があった。
【００１１】また、上記従来例１〜４は、相変化型の記
録層に接して両側或いは片側に界面制御層を形成するこ
とで、記録、消去の繰り返しによる記録層の破壊を生じ
難くくしたもの、およびジッター特性を良好にしたもの
に関し、記録層の上下に隣接する界面制御層間でその種
類は同一である。即ち、記録層の上側および下側での熱
的条件は同じである。さらに、上述した結晶質相と非晶
質相の一方の形成が不安定になり易いという点について
は、従来例１〜４では全く言及していない。
録層に接して両側或いは片側に界面制御層を形成するこ
とで、記録、消去の繰り返しによる記録層の破壊を生じ
難くくしたもの、およびジッター特性を良好にしたもの
に関し、記録層の上下に隣接する界面制御層間でその種
類は同一である。即ち、記録層の上側および下側での熱
的条件は同じである。さらに、上述した結晶質相と非晶
質相の一方の形成が不安定になり易いという点について
は、従来例１〜４では全く言及していない。
【００１２】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、相変化型の記録層が結晶
質相と非晶質相の２状態に相変化する際に、前記２状態
のいずれも再現性良く安定に形成され、また繰り返し記
録再生に対するＯＷ消去特性やジッター特性の劣化を抑
制することにある。
れたものであり、その目的は、相変化型の記録層が結晶
質相と非晶質相の２状態に相変化する際に、前記２状態
のいずれも再現性良く安定に形成され、また繰り返し記
録再生に対するＯＷ消去特性やジッター特性の劣化を抑
制することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
透明基板上に第一の界面制御層、照射する光の出力に応
じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層、第二の界面
制御層および反射層が順次積層され、前記第一の界面制
御層の熱伝導率をσ1 、第二の界面制御層の熱伝導率を
σ2 とした場合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2
≧１．２であることを特徴とする。
透明基板上に第一の界面制御層、照射する光の出力に応
じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層、第二の界面
制御層および反射層が順次積層され、前記第一の界面制
御層の熱伝導率をσ1 、第二の界面制御層の熱伝導率を
σ2 とした場合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2
≧１．２であることを特徴とする。
【００１４】本発明は、上記構成により、記録層から第
一の界面制御層と第二の界面制御層への熱伝導性の傾斜
をいずれか一方で大きくすることで、第一の界面制御層
と第二の界面制御層のいずれか一方への放熱性を大きく
する。すると、記録層の急速な冷却が可能となるため、
照射する光の出力を大きくでき記録ビット端部のジッタ
ー特性を改善できる。また、結晶質相と非晶質相の２状
態間の可逆的な相転移が安定的かつ高速に行われるた
め、高速記録および高速消去が可能となるとともに、繰
り返し記録再生に対するＯＷ消去特性やジッター特性の
劣化が抑制できる。
一の界面制御層と第二の界面制御層への熱伝導性の傾斜
をいずれか一方で大きくすることで、第一の界面制御層
と第二の界面制御層のいずれか一方への放熱性を大きく
する。すると、記録層の急速な冷却が可能となるため、
照射する光の出力を大きくでき記録ビット端部のジッタ
ー特性を改善できる。また、結晶質相と非晶質相の２状
態間の可逆的な相転移が安定的かつ高速に行われるた
め、高速記録および高速消去が可能となるとともに、繰
り返し記録再生に対するＯＷ消去特性やジッター特性の
劣化が抑制できる。
【００１５】また本発明において、好ましくは、前記記
録層はカルコゲン化物から成り、前記第一の界面制御層
および第二の界面制御層は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｚ
ｒ，Ｂｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｐ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｒ，
Ｙ，Ｓｅ，Ｌａ，Ｌｉから成る元素群の各単体、前記元
素群のうち１種以上を含む窒化物、前記元素群のうち１
種以上を含む酸化物、前記元素群のうち１種以上を含む
炭化物または前記元素群のうち１種以上を含む硫化物か
ら選択されることを特徴とする。
録層はカルコゲン化物から成り、前記第一の界面制御層
および第二の界面制御層は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｚ
ｒ，Ｂｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｐ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｒ，
Ｙ，Ｓｅ，Ｌａ，Ｌｉから成る元素群の各単体、前記元
素群のうち１種以上を含む窒化物、前記元素群のうち１
種以上を含む酸化物、前記元素群のうち１種以上を含む
炭化物または前記元素群のうち１種以上を含む硫化物か
ら選択されることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の媒体Ｍ１の基本的な層構
成を図１に示す。同図において、１１はポリカーボネー
ト，ポリオレフィン，ポリアセタール，エポキシ樹脂，
アクリル樹脂，ガラス，樹脂層を表面に形成した強化ガ
ラス，透光性セラミックス等から成るディスク状の透明
基板、１２はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第一透明誘電
体層、１３は第一の界面制御層、１４は相変化型の記録
層、１５は第二の界面制御層、１６はＺｎＳ−ＳｉＯ2
等から成る第二透明誘電体層、１７はＡｌ等から成る反
射層である。
成を図１に示す。同図において、１１はポリカーボネー
ト，ポリオレフィン，ポリアセタール，エポキシ樹脂，
アクリル樹脂，ガラス，樹脂層を表面に形成した強化ガ
ラス，透光性セラミックス等から成るディスク状の透明
基板、１２はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第一透明誘電
体層、１３は第一の界面制御層、１４は相変化型の記録
層、１５は第二の界面制御層、１６はＺｎＳ−ＳｉＯ2
等から成る第二透明誘電体層、１７はＡｌ等から成る反
射層である。
【００１７】本発明において、記録層１４はＧｅＴｅ，
ＧｅＳｂＴｅ，ＩｎＳｅＴｌＣｏ，ＩｎＳｂＴｅ等のカ
ルコゲン化物から成る材料がよく、なかでもＧｅＴｅ，
ＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が大きく、結晶化する
際に短時間の結晶化が可能であり、非晶質状態の安定性
も高いという点で好ましい。
ＧｅＳｂＴｅ，ＩｎＳｅＴｌＣｏ，ＩｎＳｂＴｅ等のカ
ルコゲン化物から成る材料がよく、なかでもＧｅＴｅ，
ＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が大きく、結晶化する
際に短時間の結晶化が可能であり、非晶質状態の安定性
も高いという点で好ましい。
【００１８】また、Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅc ｛ａ＋ｂ＋ｃ＝
１００ａｔ（原子）％｝とした場合、５ａｔ％≦ａ≦７
０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では相変化速度が遅く、
７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定になる。０ａｔ
％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％＜ｂでは非晶質
状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦７０ａｔ％がよ
く、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高くなりすぎ、７
０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高くなりすぎる。ま
た、記録層１４の厚さは、５〜５０ｎｍがよく、５ｎｍ
未満では結晶質状態と非晶質状態間の反射率差が小さく
なり、５０ｎｍを超えると繰り返し記録再生によるＢＥ
Ｒ(Bit Error Rate)等の特性劣化が大きくなる。より好
ましくは、１０〜４０ｎｍである。
１００ａｔ（原子）％｝とした場合、５ａｔ％≦ａ≦７
０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では相変化速度が遅く、
７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定になる。０ａｔ
％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％＜ｂでは非晶質
状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦７０ａｔ％がよ
く、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高くなりすぎ、７
０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高くなりすぎる。ま
た、記録層１４の厚さは、５〜５０ｎｍがよく、５ｎｍ
未満では結晶質状態と非晶質状態間の反射率差が小さく
なり、５０ｎｍを超えると繰り返し記録再生によるＢＥ
Ｒ(Bit Error Rate)等の特性劣化が大きくなる。より好
ましくは、１０〜４０ｎｍである。
【００１９】上記第一，第二透明誘電体層１２，１６
は、記録層１４および第一，第二の界面制御層１３，１
５の保護層として機能するものであり、その材質は、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳｅ2 ，Ｓｂ2
Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルファスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉ
と表記する），ＴｉＢ2，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好まし
い。
は、記録層１４および第一，第二の界面制御層１３，１
５の保護層として機能するものであり、その材質は、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳｅ2 ，Ｓｂ2
Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルファスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉ
と表記する），ＴｉＢ2，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好まし
い。
【００２０】特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 がよく、この材料
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０ａｔ％≦ｘ≦９５ａｔ％
が好適であり、ｘ＜６０ａｔ％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５ａｔ％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッターを劣
化させる。
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０ａｔ％≦ｘ≦９５ａｔ％
が好適であり、ｘ＜６０ａｔ％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５ａｔ％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッターを劣
化させる。
【００２１】また、反射層１７は反射率が高いＡｌ，Ａ
ｌＣｒ合金，ＡｌＣｕ合金，ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，ＡｕＰｔ合金等が好ましく用
いられる。
ｌＣｒ合金，ＡｌＣｕ合金，ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，ＡｕＰｔ合金等が好ましく用
いられる。
【００２２】本発明において、第一の界面制御層１３の
熱伝導率をσ1 、第二の界面制御層１５の熱伝導率をσ
2 とした場合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2 ≧
１．２であり、０．８＜σ1 ／σ2 ＜１．２の場合、記
録層１４の放熱性が低下するため照射する光の出力を小
さくしなければならず、その結果記録ビット端部のジッ
ター特性が劣化し、また結晶質相と非晶質相の２状態間
の可逆的な相転移が不安定になると共に高速性が失われ
る。そのため、高速記録および高速消去が困難となり、
繰り返し記録再生に対するＯＷ消去特性等も劣化し易
い。好ましくは、０．１≦σ1 ／σ2 ≦０．８または
１．２≦σ1 ／σ2 ≦１０．０であり、σ1／σ2 ＜
０．１または１０．０＜σ1 ／σ2 の場合、記録層１４
における可逆的な相転移が不安定なり、例えば高速記録
は可能だが、消去ができなくなるといった問題が生じ
る。
熱伝導率をσ1 、第二の界面制御層１５の熱伝導率をσ
2 とした場合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2 ≧
１．２であり、０．８＜σ1 ／σ2 ＜１．２の場合、記
録層１４の放熱性が低下するため照射する光の出力を小
さくしなければならず、その結果記録ビット端部のジッ
ター特性が劣化し、また結晶質相と非晶質相の２状態間
の可逆的な相転移が不安定になると共に高速性が失われ
る。そのため、高速記録および高速消去が困難となり、
繰り返し記録再生に対するＯＷ消去特性等も劣化し易
い。好ましくは、０．１≦σ1 ／σ2 ≦０．８または
１．２≦σ1 ／σ2 ≦１０．０であり、σ1／σ2 ＜
０．１または１０．０＜σ1 ／σ2 の場合、記録層１４
における可逆的な相転移が不安定なり、例えば高速記録
は可能だが、消去ができなくなるといった問題が生じ
る。
【００２３】また本発明では、照射する光の入射側に位
置する界面制御層の熱伝導率よりも、光の入射側と反対
側に位置する界面制御層の熱伝導率を大きくした方が、
放熱性がさらに向上し、安定かつ高速な相転移がなされ
る。図１の場合、第一の界面制御層１３の熱伝導率σ1
よりも第二の界面制御層１５の熱伝導率σ2 の方を大き
くするのが良く、従ってσ1 ／σ2 ≦０．８とする方が
好ましい。逆に、第二の界面制御層１５側より光を入射
する場合、σ1 ／σ2 ≧１．２とするのが良い。
置する界面制御層の熱伝導率よりも、光の入射側と反対
側に位置する界面制御層の熱伝導率を大きくした方が、
放熱性がさらに向上し、安定かつ高速な相転移がなされ
る。図１の場合、第一の界面制御層１３の熱伝導率σ1
よりも第二の界面制御層１５の熱伝導率σ2 の方を大き
くするのが良く、従ってσ1 ／σ2 ≦０．８とする方が
好ましい。逆に、第二の界面制御層１５側より光を入射
する場合、σ1 ／σ2 ≧１．２とするのが良い。
【００２４】本発明の第一の界面制御層１３および第二
の界面制御層１５は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｚｒ，Ｂ
ｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｐ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｙ，Ｓ
ｅ，Ｌａ，Ｌｉから成る元素群の各単体、前記元素群の
うち１種以上を含む窒化物、前記元素群のうち１種以上
を含む酸化物、前記元素群のうち１種以上を含む炭化物
または前記元素群のうち１種以上を含む硫化物から選択
されるのが良く、この元素群を成す各元素およびそれら
の化合物は成膜条件を変えることによりそれらの熱伝導
率を容易に制御できるという点で好ましい。
の界面制御層１５は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｚｒ，Ｂ
ｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｐ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｙ，Ｓ
ｅ，Ｌａ，Ｌｉから成る元素群の各単体、前記元素群の
うち１種以上を含む窒化物、前記元素群のうち１種以上
を含む酸化物、前記元素群のうち１種以上を含む炭化物
または前記元素群のうち１種以上を含む硫化物から選択
されるのが良く、この元素群を成す各元素およびそれら
の化合物は成膜条件を変えることによりそれらの熱伝導
率を容易に制御できるという点で好ましい。
【００２５】そして、本発明では、σ1 ／σ2 ≦０．８
またはσ1 ／σ2 ≧１．２となるように、第一の界面制
御層１３および第二の界面制御層１５の組成を、前記元
素群の各単体またはその化合物とから選択する。例え
ば、σ1 ／σ2 ≦０．８となる好ましい組み合わせとし
て、ＧｅＮ（第一の界面制御層１３）とＧｅＣｒＮ（第
二の界面制御層１５）とする組み合わせ、同様にＧａＯ
とＳｉＮ，ＳｉＣＮとＳｉＮ，ＣｒＯとＳｉＮ，ＧｅＴ
ｉＮとＳｉＮ等がある。このうち、ＧｅＮとＧｅＣｒＮ
の組み合わせがより好ましく、この場合ＧｅＮとＧｅＣ
ｒＮとも屈折率が２．０〜２．３の高屈折率になり、他
の層との界面での光反射性が高まり光のエンハンスメン
ト効果が向上し、その結果Ｃ／Ｎ比等が向上する。
またはσ1 ／σ2 ≧１．２となるように、第一の界面制
御層１３および第二の界面制御層１５の組成を、前記元
素群の各単体またはその化合物とから選択する。例え
ば、σ1 ／σ2 ≦０．８となる好ましい組み合わせとし
て、ＧｅＮ（第一の界面制御層１３）とＧｅＣｒＮ（第
二の界面制御層１５）とする組み合わせ、同様にＧａＯ
とＳｉＮ，ＳｉＣＮとＳｉＮ，ＣｒＯとＳｉＮ，ＧｅＴ
ｉＮとＳｉＮ等がある。このうち、ＧｅＮとＧｅＣｒＮ
の組み合わせがより好ましく、この場合ＧｅＮとＧｅＣ
ｒＮとも屈折率が２．０〜２．３の高屈折率になり、他
の層との界面での光反射性が高まり光のエンハンスメン
ト効果が向上し、その結果Ｃ／Ｎ比等が向上する。
【００２６】またσ1 ／σ2 ≧１．２となる好ましい組
み合わせとして、ＳｉＮ（第一の界面制御層１３）と成
膜条件の異なるＳｉＮ（第二の界面制御層１５）とする
組み合わせ、同様にＧｅＣｒＮとＧｅＮ，ＹＡｌＳｉＯ
ＮとＧｅＣｒＮ，ＳｉＮとＡｌＳｉＯＮ，ＳｉＴｉＮと
ＳｉＮ，ＩｎＯとＳｉＮ，ＳｉＣａＯとＳｉＮ，ＳｉＡ
ｌＰＯＮとＳｉＮ，ＣｒＳＯとＳｉＮ，ＣｏＳＯとＳｉ
Ｎ，ＳｉＮｉＮとＳｉＮ，ＳｉＡｕＮとＳｉＮ，ＡｇＯ
とＳｉＮ，ＺｒＯとＳｉＮ，ＢｉＯとＳｉＮ，ＳｉＰｄ
ＮとＳｉＮ，ＳｉＣｄＮとＳｉＮ，ＳｉＳｒＮとＳｉ
Ｎ，ＳｅＯとＳｉＮ，ＬａＯとＳｉＮ，ＧｅＬｉＮとＳ
ｉＮ，ＺｒＯとＳｉＮ等がある。このうち、ＹＡｌＳｉ
ＯＮとＧｅＣｒＮの組み合わせがより好ましく、この場
合ＹＡｌＳｉＯＮとＧｅＣｒＮとも屈折率が２．０〜
２．３の高屈折率になり、他の層との界面での光反射性
が高まり光のエンハンスメント効果が向上し、その結果
Ｃ／Ｎ比等が向上する。
み合わせとして、ＳｉＮ（第一の界面制御層１３）と成
膜条件の異なるＳｉＮ（第二の界面制御層１５）とする
組み合わせ、同様にＧｅＣｒＮとＧｅＮ，ＹＡｌＳｉＯ
ＮとＧｅＣｒＮ，ＳｉＮとＡｌＳｉＯＮ，ＳｉＴｉＮと
ＳｉＮ，ＩｎＯとＳｉＮ，ＳｉＣａＯとＳｉＮ，ＳｉＡ
ｌＰＯＮとＳｉＮ，ＣｒＳＯとＳｉＮ，ＣｏＳＯとＳｉ
Ｎ，ＳｉＮｉＮとＳｉＮ，ＳｉＡｕＮとＳｉＮ，ＡｇＯ
とＳｉＮ，ＺｒＯとＳｉＮ，ＢｉＯとＳｉＮ，ＳｉＰｄ
ＮとＳｉＮ，ＳｉＣｄＮとＳｉＮ，ＳｉＳｒＮとＳｉ
Ｎ，ＳｅＯとＳｉＮ，ＬａＯとＳｉＮ，ＧｅＬｉＮとＳ
ｉＮ，ＺｒＯとＳｉＮ等がある。このうち、ＹＡｌＳｉ
ＯＮとＧｅＣｒＮの組み合わせがより好ましく、この場
合ＹＡｌＳｉＯＮとＧｅＣｒＮとも屈折率が２．０〜
２．３の高屈折率になり、他の層との界面での光反射性
が高まり光のエンハンスメント効果が向上し、その結果
Ｃ／Ｎ比等が向上する。
【００２７】このような第一の界面制御層１３および第
二の界面制御層１５は、１種のターゲット又は複合ター
ゲットを用いたスパッタリング法により成膜され、その
際雰囲気ガスを不活性ガスに窒素，酸素等を混合させて
反応性スパッタリングを行うことによっても成膜するこ
とができる。
二の界面制御層１５は、１種のターゲット又は複合ター
ゲットを用いたスパッタリング法により成膜され、その
際雰囲気ガスを不活性ガスに窒素，酸素等を混合させて
反応性スパッタリングを行うことによっても成膜するこ
とができる。
【００２８】かくして、本発明の光記録媒体は、記録層
の急速な冷却が可能となるため、照射する光の出力を大
きくして記録ビット端部のジッター特性を改善でき、ま
た結晶質相と非晶質相の２状態間の可逆的な相転移が安
定的かつ高速に行われるため、高速記録および高速消去
が可能となり、繰り返し記録再生に対するＯＷ消去特性
等も向上する。
の急速な冷却が可能となるため、照射する光の出力を大
きくして記録ビット端部のジッター特性を改善でき、ま
た結晶質相と非晶質相の２状態間の可逆的な相転移が安
定的かつ高速に行われるため、高速記録および高速消去
が可能となり、繰り返し記録再生に対するＯＷ消去特性
等も向上する。
【００２９】本発明において、上記各層を透明基板１１
の両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２
枚の透明基板１１を貼り付けることにより、２倍の記録
容量としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子
ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式も応用
可能である。本発明の媒体Ｍ１は書き換え可能な光ディ
スクであり、ＣＤ−ＲＷ（compact disc rewritable
），ＤＶＤ−ＲＷ（digital versatile disc rewritab
le ）等の光ディスクに適用できる。
の両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２
枚の透明基板１１を貼り付けることにより、２倍の記録
容量としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子
ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式も応用
可能である。本発明の媒体Ｍ１は書き換え可能な光ディ
スクであり、ＣＤ−ＲＷ（compact disc rewritable
），ＤＶＤ−ＲＷ（digital versatile disc rewritab
le ）等の光ディスクに適用できる。
【００３０】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００３１】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。
【００３２】（実施例）図１の媒体Ｍ１（光ディスク）
を以下のようにして構成した。ポリカーボネートから成
る３．５インチ径のディスク状の透明基板１１の主面上
に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法により
順次成膜した。
を以下のようにして構成した。ポリカーボネートから成
る３．５インチ径のディスク状の透明基板１１の主面上
に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法により
順次成膜した。
【００３３】膜厚約１２００Å，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2 ）20から成る第一透明誘電体層１２、膜厚約８０Åの
各種材料（表１）からなる第一の界面制御層１３、膜厚
約１６０Å，Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から成る記録層１４、
膜厚約８０Åの各種材料（表１）からなる第二の界面制
御層１５、膜厚約２００Å，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20から成る第二透明誘電体層１６、膜厚約１０００Å，
ＡｌＣｒ合金から成る反射層１７である。
2 ）20から成る第一透明誘電体層１２、膜厚約８０Åの
各種材料（表１）からなる第一の界面制御層１３、膜厚
約１６０Å，Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から成る記録層１４、
膜厚約８０Åの各種材料（表１）からなる第二の界面制
御層１５、膜厚約２００Å，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20から成る第二透明誘電体層１６、膜厚約１０００Å，
ＡｌＣｒ合金から成る反射層１７である。
【００３４】そして、これらについて、第一の界面制御
層１３の熱伝導率σ1 と第二の界面制御層の熱伝導率σ
2 との比σr 、光ディスクの最外周部のトラックの線速
度が６ｍ／ｓｅｃで再生した場合の記録ビット端部のジ
ッター特性（％）、線速度６ｍ／ｓｅｃで記録再生した
場合のＯＷ消去率（ｄＢ）、線速度１５ｍ／ｓｅｃで記
録再生した場合の高速ＯＷ消去率（ｄＢ）を測定した結
果を表１に示す。
層１３の熱伝導率σ1 と第二の界面制御層の熱伝導率σ
2 との比σr 、光ディスクの最外周部のトラックの線速
度が６ｍ／ｓｅｃで再生した場合の記録ビット端部のジ
ッター特性（％）、線速度６ｍ／ｓｅｃで記録再生した
場合のＯＷ消去率（ｄＢ）、線速度１５ｍ／ｓｅｃで記
録再生した場合の高速ＯＷ消去率（ｄＢ）を測定した結
果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】尚、上記ＯＷ消去率の測定は以下のように
して行った。まず、光ディスクの最外周部のトラックの
線速度を６ｍ／ｓｅｃまたは１５ｍ／ｓｅｃとし、光波
長８３０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍＷ
（結晶質状態に対応）にパルス変調されたレーザビーム
を照射し、４．９１ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓで記録を
行い、次いで１．８４ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓでＯＷ
し、ＯＷ前の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルとＯＷ
後の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルの差をＯＷ消去
率とした。
して行った。まず、光ディスクの最外周部のトラックの
線速度を６ｍ／ｓｅｃまたは１５ｍ／ｓｅｃとし、光波
長８３０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍＷ
（結晶質状態に対応）にパルス変調されたレーザビーム
を照射し、４．９１ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓで記録を
行い、次いで１．８４ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓでＯＷ
し、ＯＷ前の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルとＯＷ
後の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルの差をＯＷ消去
率とした。
【００３７】表１に示すように、本発明品（ＮＯ．１〜
２７）はジッター特性が８．８％以下、ＯＷ消去率が−
３０．２ｄＢ以下と小さく、また高速ＯＷ消去率も−２
３．０ｄＢ以下と小さかった。一方、本発明の範囲外の
もの（ＮＯ．２８〜３０）では、ジッター特性が２０．
８％以上、ＯＷ消去率が−１０．２ｄＢ以上、高速ＯＷ
消去率が−７．４ｄＢ以上と劣化した。
２７）はジッター特性が８．８％以下、ＯＷ消去率が−
３０．２ｄＢ以下と小さく、また高速ＯＷ消去率も−２
３．０ｄＢ以下と小さかった。一方、本発明の範囲外の
もの（ＮＯ．２８〜３０）では、ジッター特性が２０．
８％以上、ＯＷ消去率が−１０．２ｄＢ以上、高速ＯＷ
消去率が−７．４ｄＢ以上と劣化した。
【００３８】尚、表１のＮＯ．１で、ととではその
成膜条件が異なる。即ち、の場合、と比較して、Ａ
ｒ，Ｎ2 雰囲気中のＡｒ／Ｎ2 比が低く、雰囲気の全圧
が高く、成膜時の入力パワーを高くしてあり、その結果
のＳｉＮの方がのＳｉＮよりも緻密な膜となり熱伝
導率が大きくなるようにした。
成膜条件が異なる。即ち、の場合、と比較して、Ａ
ｒ，Ｎ2 雰囲気中のＡｒ／Ｎ2 比が低く、雰囲気の全圧
が高く、成膜時の入力パワーを高くしてあり、その結果
のＳｉＮの方がのＳｉＮよりも緻密な膜となり熱伝
導率が大きくなるようにした。
【００３９】
【発明の効果】本発明は、第一の界面制御層の熱伝導率
をσ1 、第二の界面制御層の熱伝導率をσ2 とした場
合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2 ≧１．２であ
ることにより、記録層から第一の界面制御層と第二の界
面制御層への熱伝導性の傾斜をいずれか一方で大きくす
ることで、記録層の放熱性が改善されて記録層の急速な
冷却が可能となるため、照射する光の出力を大きくでき
記録ビット端部のジッター特性が良好なものとなる。ま
た、結晶質相と非晶質相の２状態間の可逆的な相転移が
安定的かつ高速に行われるため、高速記録および高速消
去が可能となるとともに、繰り返し記録再生に対するＯ
Ｗ消去特性やジッター特性の劣化が抑制できるという作
用効果を有する。
をσ1 、第二の界面制御層の熱伝導率をσ2 とした場
合、σ1 ／σ2 ≦０．８またはσ1 ／σ2 ≧１．２であ
ることにより、記録層から第一の界面制御層と第二の界
面制御層への熱伝導性の傾斜をいずれか一方で大きくす
ることで、記録層の放熱性が改善されて記録層の急速な
冷却が可能となるため、照射する光の出力を大きくでき
記録ビット端部のジッター特性が良好なものとなる。ま
た、結晶質相と非晶質相の２状態間の可逆的な相転移が
安定的かつ高速に行われるため、高速記録および高速消
去が可能となるとともに、繰り返し記録再生に対するＯ
Ｗ消去特性やジッター特性の劣化が抑制できるという作
用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体Ｍ１の部分断面図である。
【図２】従来の光記録媒体Ｍの部分断面図である。
１：透明基板 ２：第一透明誘電体層 ３：記録層 ４：第二透明誘電体層 ５：反射層 １１：透明基板 １２：第一透明誘電体層 １３：第一の界面制御層 １４：記録層 １５：第二の界面制御層 １６：第二透明誘電体層 １７：反射層
Claims (2)
- 【請求項１】透明基板上に第一の界面制御層、照射する
光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録
層、第二の界面制御層及び反射層が順次積層され、前記
第一の界面制御層の熱伝導率をσ1 、第二の界面制御層
の熱伝導率をσ2 とした場合、σ1 ／σ2 ≦０．８また
はσ1 ／σ2 ≧１．２であることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項２】前記記録層はカルコゲン化物から成り、前
記第一の界面制御層および第二の界面制御層は、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉ
ｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｚｒ，Ｂｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｐ，
Ｃａ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｙ，Ｓｅ，Ｌａ，Ｌｉから成る元素
群の各単体、前記元素群のうち１種以上を含む窒化物、
前記元素群のうち１種以上を含む酸化物、前記元素群の
うち１種以上を含む炭化物または前記元素群のうち１種
以上を含む硫化物から選択されることを特徴とする請求
項１記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24418999A JP2001067722A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24418999A JP2001067722A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001067722A true JP2001067722A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17115106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24418999A Pending JP2001067722A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001067722A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841217B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6881466B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US7608385B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-10-27 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for producing the same |
| US7858290B2 (en) | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7897231B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-08-31 JP JP24418999A patent/JP2001067722A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6881466B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6841217B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7608385B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-10-27 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for producing the same |
| US7967956B2 (en) | 2003-07-24 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for producing the same |
| US7858290B2 (en) | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7897231B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
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