JPH0376238B2 - - Google Patents
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- JPH0376238B2 JPH0376238B2 JP57199267A JP19926782A JPH0376238B2 JP H0376238 B2 JPH0376238 B2 JP H0376238B2 JP 57199267 A JP57199267 A JP 57199267A JP 19926782 A JP19926782 A JP 19926782A JP H0376238 B2 JPH0376238 B2 JP H0376238B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は光学的な記録媒体に関するものであ
り、レーザ光等の光及び熱エネルギーを用いて情
報を高密度に記録し、且つ再生可能な記録媒体に
関する。
り、レーザ光等の光及び熱エネルギーを用いて情
報を高密度に記録し、且つ再生可能な記録媒体に
関する。
レーザ光線を利用して高密度な情報の記録・再
生を行う装置及び技術は公知である。そして光学
的記録材料については、レーザ光の照射により、
ピツト（凹部）を形成するものと、照射部の光学
的特性（例えば、反射率、吸収係数、屈折率）を
変化させるものとがある。
生を行う装置及び技術は公知である。そして光学
的記録材料については、レーザ光の照射により、
ピツト（凹部）を形成するものと、照射部の光学
的特性（例えば、反射率、吸収係数、屈折率）を
変化させるものとがある。
前者は、レーザ光等のエネルギービームを照射
して、基板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発
させピツトを形成するものである。この方式の記
録材料の代表例としては、低融点金属であるBi、
Se、Te、Ge、In等の単位金属及び合金である。
後者は、レーザ光照射により、基板上の薄膜の光
学的な性質の変化を生ぜしめるものである。即
ち、物質の相転移あるいは原子間の結合状態を替
えて、反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的
性質の変化を行うものである。本発明は、斯かる
後者の方式に関する。
して、基板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発
させピツトを形成するものである。この方式の記
録材料の代表例としては、低融点金属であるBi、
Se、Te、Ge、In等の単位金属及び合金である。
後者は、レーザ光照射により、基板上の薄膜の光
学的な性質の変化を生ぜしめるものである。即
ち、物質の相転移あるいは原子間の結合状態を替
えて、反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的
性質の変化を行うものである。本発明は、斯かる
後者の方式に関する。
前記光学的性質の変化を利用する記録材料の代
表例としてカルコゲン化物が知られている。即
ち、酸素を除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Se、
Te等の金属あるいは半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭54−3725号にテルル低酸化物
TeOX（０＜Ｘ＜2.0）を主成分とする材料につい
て報告されている。
表例としてカルコゲン化物が知られている。即
ち、酸素を除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Se、
Te等の金属あるいは半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭54−3725号にテルル低酸化物
TeOX（０＜Ｘ＜2.0）を主成分とする材料につい
て報告されている。
これは、非晶質状態から結晶状態あるいは他の
非晶質状態への相転移による光学的特性への変化
によるものである。テルル低酸化物はレーザ光照
射による加熱昇温により黒化する。熱黒化転移温
度はTe成分の量により異なり、Te成分が多いと
転移温度が低く、反対にTe成分が少ないと転移
温度は高い。Ｘ＝0.8〜1.2の間で、熱黒化転移温
度は80℃〜150℃である。TeOX、Ｘ＝1.1の薄膜
（厚み1200Å）について、半導体レーザ波長で透
過率が15％から５％へと減少し、反射率が15％か
ら30％へと増加する。
非晶質状態への相転移による光学的特性への変化
によるものである。テルル低酸化物はレーザ光照
射による加熱昇温により黒化する。熱黒化転移温
度はTe成分の量により異なり、Te成分が多いと
転移温度が低く、反対にTe成分が少ないと転移
温度は高い。Ｘ＝0.8〜1.2の間で、熱黒化転移温
度は80℃〜150℃である。TeOX、Ｘ＝1.1の薄膜
（厚み1200Å）について、半導体レーザ波長で透
過率が15％から５％へと減少し、反射率が15％か
ら30％へと増加する。
ところで、信号を記録再生する場合、Ｓ／Ｎ比
の点から光学的特性変化が大きいことが望しい。
TeOXの場合、再生は表面反射率変化により行
う。SN比の点から言えば、反射光変化の量は末
だ不充分である。信号を記録する場合、半導体レ
ーザ光源の光出力の点からは、記録薄膜はなるべ
く高感度であることが望ましい。現在では、大出
力のレーザ光源を必要としている。
の点から光学的特性変化が大きいことが望しい。
TeOXの場合、再生は表面反射率変化により行
う。SN比の点から言えば、反射光変化の量は末
だ不充分である。信号を記録する場合、半導体レ
ーザ光源の光出力の点からは、記録薄膜はなるべ
く高感度であることが望ましい。現在では、大出
力のレーザ光源を必要としている。
光学的特性変化が大きい記録媒体を提供するこ
とを目的とする。更に記録薄膜の記録感度を向上
せんとするものである。
とを目的とする。更に記録薄膜の記録感度を向上
せんとするものである。
カルコゲン元素Teと他の酸化物により、効果
的に非晶質状態を得て、カルコゲン元素の特徴
（光学的変化）を用いるものである。酸化物を用
いる理由は、一般に酸化物は透明のものが多く、
初期光学的濃度を小さく出来るからである。そし
て、更に、記録薄膜の記録感度向上の為、Te（テ
ルル）薄膜を前記非晶質薄膜の下に積層したもの
である。
的に非晶質状態を得て、カルコゲン元素の特徴
（光学的変化）を用いるものである。酸化物を用
いる理由は、一般に酸化物は透明のものが多く、
初期光学的濃度を小さく出来るからである。そし
て、更に、記録薄膜の記録感度向上の為、Te（テ
ルル）薄膜を前記非晶質薄膜の下に積層したもの
である。
積層する理由は以下の通りである。前記非晶質
薄膜は初期光学的濃度が小さい為、照射レーザ光
エネルギーの利用効率が悪い。つまり吸収係数が
小さいため、前記非晶質薄膜に吸収される光エネ
ルギーが少ない。このため前記非晶質薄膜の記録
感度が低下する。このため、記録膜の全体のエネ
ルギー吸収を大きくするために、テルル薄膜を前
記非晶質薄膜の下に積層にせんとするものであ
る。次に種々の材料の熱伝導率を示す。アルミニ
ウム：0.56、チタニウム；0.050、テルル；
0.0076、アクリル0.00048（cal／Ｓ・cm・℃）。レ
ーザー光線の熱を逃がさずに、記録部（レーザー
光照射部）のみを効率よく昇温せしめるために、
積層薄膜としては熱伝導率が小さいものが望まし
い。また、前記非晶質薄膜の熱転移温度は130℃
前後（後述）に対し、テルル薄膜の融点は452℃
と高い。非晶質薄膜が熱転移温度に達しても、テ
ルル薄膜を損傷しない。これらの点から積層薄膜
としてテルルが有効であることがわかる。
薄膜は初期光学的濃度が小さい為、照射レーザ光
エネルギーの利用効率が悪い。つまり吸収係数が
小さいため、前記非晶質薄膜に吸収される光エネ
ルギーが少ない。このため前記非晶質薄膜の記録
感度が低下する。このため、記録膜の全体のエネ
ルギー吸収を大きくするために、テルル薄膜を前
記非晶質薄膜の下に積層にせんとするものであ
る。次に種々の材料の熱伝導率を示す。アルミニ
ウム：0.56、チタニウム；0.050、テルル；
0.0076、アクリル0.00048（cal／Ｓ・cm・℃）。レ
ーザー光線の熱を逃がさずに、記録部（レーザー
光照射部）のみを効率よく昇温せしめるために、
積層薄膜としては熱伝導率が小さいものが望まし
い。また、前記非晶質薄膜の熱転移温度は130℃
前後（後述）に対し、テルル薄膜の融点は452℃
と高い。非晶質薄膜が熱転移温度に達しても、テ
ルル薄膜を損傷しない。これらの点から積層薄膜
としてテルルが有効であることがわかる。
本発明に係る記録媒体はテルル（Te）、シリコ
ン（Si）及び酸素（Ｏ）からなる。即ち、透過率
の高い酸化シリコンSiOX（０＜Ｘ≦２）とテル
ル（Te）とからなる非晶質薄膜を用いる。
ン（Si）及び酸素（Ｏ）からなる。即ち、透過率
の高い酸化シリコンSiOX（０＜Ｘ≦２）とテル
ル（Te）とからなる非晶質薄膜を用いる。
薄膜の組成は
Te Ｙ SiOX 100−Ｙ
（Ｙはモル％、０＜Ｙ＜100、０＜Ｘ≦２）
である。Ｙ＝45、Ｘ＝２、膜厚1500Åなる場合、
第１図に示すような熱転移による反射率及び透過
率の変化をした。熱転移温度は約130℃である。
この熱転移により半導体レーザ波長（8000Å）に
於いて透過率は56％から20％へと減少し、また反
射率は20％から40％へと増加した。
第１図に示すような熱転移による反射率及び透過
率の変化をした。熱転移温度は約130℃である。
この熱転移により半導体レーザ波長（8000Å）に
於いて透過率は56％から20％へと減少し、また反
射率は20％から40％へと増加した。
一酸化シリコン（SiO）とテルル（Te）との
非晶質状態に於いても殆んど同様の効果が得られ
た。即ち、SiO2がSiOX（０＜Ｘ≦２）となつて
も、形成される非晶質状態薄膜の転移温度及び光
学的特性変化に大きな差がないことを示してい
る。
非晶質状態に於いても殆んど同様の効果が得られ
た。即ち、SiO2がSiOX（０＜Ｘ≦２）となつて
も、形成される非晶質状態薄膜の転移温度及び光
学的特性変化に大きな差がないことを示してい
る。
ところで、上述した酸化シリコンテルル薄膜は
透過率が高く、レーザ光エネルギー吸収効率が悪
い。この為、酸化シリコンテルル薄膜の下にテル
ル層を設ける。このテルル層からのレーザ光の反
射により、非晶質薄膜を通過するレーザ光の量を
増加させる。またテルル層に発生した熱を非晶質
薄膜に伝える。これ等により非晶質薄膜のレーザ
光エネルギーの利用効率を高める。酸化シリコン
テルル薄膜とテルル薄膜との積層構造とすること
により、記録層のレーザ光エネルギーの吸収率を
高め、これにより記録感度の向上をもたらす。
透過率が高く、レーザ光エネルギー吸収効率が悪
い。この為、酸化シリコンテルル薄膜の下にテル
ル層を設ける。このテルル層からのレーザ光の反
射により、非晶質薄膜を通過するレーザ光の量を
増加させる。またテルル層に発生した熱を非晶質
薄膜に伝える。これ等により非晶質薄膜のレーザ
光エネルギーの利用効率を高める。酸化シリコン
テルル薄膜とテルル薄膜との積層構造とすること
により、記録層のレーザ光エネルギーの吸収率を
高め、これにより記録感度の向上をもたらす。
次に第２図を参照して、上記材料を利用した記
録媒体について説明する。基板１としては、ガラ
ス板若しくはポリメチルメタクレート樹脂、ポリ
塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エチルテレフタレート樹脂等の合成樹脂シート若
しくはフイルムを用いる。この基板１上にテルル
層２を設ける。この厚みは、300〜50Å程度とす
る。この上に、テルル・酸化シリコンの非晶質薄
膜３を形成する。その組成は上述した通りであ
る。この第２図に示す実施例の場合には、上方
（基板側でない方）より再生レーザ光を照射し、
記録層にて反射されたレーザ光を、同じく上方に
配置された読出し手段（図示せず）で受けること
により、情報を再生することができる。
録媒体について説明する。基板１としては、ガラ
ス板若しくはポリメチルメタクレート樹脂、ポリ
塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エチルテレフタレート樹脂等の合成樹脂シート若
しくはフイルムを用いる。この基板１上にテルル
層２を設ける。この厚みは、300〜50Å程度とす
る。この上に、テルル・酸化シリコンの非晶質薄
膜３を形成する。その組成は上述した通りであ
る。この第２図に示す実施例の場合には、上方
（基板側でない方）より再生レーザ光を照射し、
記録層にて反射されたレーザ光を、同じく上方に
配置された読出し手段（図示せず）で受けること
により、情報を再生することができる。
第３図は他の実施例を示すものであり、基板１
上に非晶質薄膜３、テルル層２をこの順序にて積
層したものである。この場合には、再生レーザ光
源及び読出し手段は共に、基板側に配置される。
上に非晶質薄膜３、テルル層２をこの順序にて積
層したものである。この場合には、再生レーザ光
源及び読出し手段は共に、基板側に配置される。
カルコゲン元素特有の光学特性変化を示すテル
ル・酸化シリコンからなる非晶質薄膜を用いたの
で、従来に比較して大きな光学的特性変化（特に
透過率の変化）が得られた。そして、記録層を非
晶質薄膜とテルルとの積層構造により構成したの
で、従来の非晶質薄膜だけの場合に比較して記録
感度を1.5倍以上向上させることができた。
ル・酸化シリコンからなる非晶質薄膜を用いたの
で、従来に比較して大きな光学的特性変化（特に
透過率の変化）が得られた。そして、記録層を非
晶質薄膜とテルルとの積層構造により構成したの
で、従来の非晶質薄膜だけの場合に比較して記録
感度を1.5倍以上向上させることができた。
第１図は本発明に係る記録媒体の特性を示す
図、第２図は本発明に係る記録媒体の一実施例の
構成を示す図、第３図は他の実施例を示す図であ
る。 １……基板、２……テルル層、４……非晶質薄
膜。
図、第２図は本発明に係る記録媒体の一実施例の
構成を示す図、第３図は他の実施例を示す図であ
る。 １……基板、２……テルル層、４……非晶質薄
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学的あるいは熱的なエネルギー照射により
記録層に相変化を得る光学的記録媒体であつて、
基板上に、テルル（Te）と酸化シリコン（SiOX）
を主成分とする非晶質薄膜からなる記録層を形成
するとともに、読みだし方向から見てこの記録層
の下となる方向にテルル（Te）を主成分とする
補助層を形成して記録層の記録感度を向上させた
ことを特徴とする光学記録媒体。 ２ 非晶質薄膜が、TeYSiOX100−Ｙ（但し、０
＜Ｘ≦２、０＜Ｙ＜100、Ｙはモル％）を主成分
とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199267A JPS5990247A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199267A JPS5990247A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990247A JPS5990247A (ja) | 1984-05-24 |
| JPH0376238B2 true JPH0376238B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=16404943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199267A Granted JPS5990247A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990247A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727788A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS57135197A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording medium |
| JPS5845634A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-16 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体 |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57199267A patent/JPS5990247A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727788A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS57135197A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording medium |
| JPS5845634A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-16 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5990247A (ja) | 1984-05-24 |
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