JPH02139280A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH02139280A JPH02139280A JP63242970A JP24297088A JPH02139280A JP H02139280 A JPH02139280 A JP H02139280A JP 63242970 A JP63242970 A JP 63242970A JP 24297088 A JP24297088 A JP 24297088A JP H02139280 A JPH02139280 A JP H02139280A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は消去速度が大きい光記録媒体およびその製造
方法に関する。
方法に関する。
近年、情報記録の高密度化１大容量化に対する要求が高
まり、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、
とくにレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の
磁気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度
を有し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触
状態で情報の記録。
まり、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、
とくにレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の
磁気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度
を有し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触
状態で情報の記録。
再生ができるために記録媒体の損傷も少なく、長寿命で
あるなどの特徴があることから高密度、大容量の記録方
式として有望である。
あるなどの特徴があることから高密度、大容量の記録方
式として有望である。
この光ディスクは用途に応じて再生専用型、ｉａ記型、
書換え型の３種類に大別することができる。
書換え型の３種類に大別することができる。
再生専用型は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディ
スクであり、追記型は必要に応じて情報を記録し再生す
ることはできるが、記録した情報の消去は不可能なもの
である。これに対して書換え型は情報の記録、再生とさ
らに記録済みの情報を消去して書換えることが可能であ
り、コンピュータ用のデータファイルとしての利用が望
まれ最も期待の大きいものである。
スクであり、追記型は必要に応じて情報を記録し再生す
ることはできるが、記録した情報の消去は不可能なもの
である。これに対して書換え型は情報の記録、再生とさ
らに記録済みの情報を消去して書換えることが可能であ
り、コンピュータ用のデータファイルとしての利用が望
まれ最も期待の大きいものである。
書換え型のディスクについては、光磁気方式と相変化方
式の２つの記録方式の開発が進められているがいずれの
方式も記録材料や書込み機構などの点でなお改良の余地
が残されている。これらのうち、相変化方式は一般にレ
ーザをディスクの記録面に集光して加熱し、レーザのパ
ルス出力とパルス幅とを制御することによって生ずる記
録材料の相変化すなわち結晶状態から非晶質状態への移
行または相変化などを起こさせ、それぞれの状態におけ
る反射率の違いで情報の記録と消去を行うものである。
式の２つの記録方式の開発が進められているがいずれの
方式も記録材料や書込み機構などの点でなお改良の余地
が残されている。これらのうち、相変化方式は一般にレ
ーザをディスクの記録面に集光して加熱し、レーザのパ
ルス出力とパルス幅とを制御することによって生ずる記
録材料の相変化すなわち結晶状態から非晶質状態への移
行または相変化などを起こさせ、それぞれの状態におけ
る反射率の違いで情報の記録と消去を行うものである。
この相変化方式の光ディスクの構造については図示を省
略するが、通常多くのトラッキング溝を設けた例えばポ
リカーボネートなどの基板表面に酸化シリコン等のセラ
ミック等よりなる保！ｌ膜を形成し、その上に記録用の
媒体膜を設け、さらにその上にセラミック等よりなる保
護膜と有機物の表面保護膜を順次堆積した構造としであ
る。また保護膜と有機物表面保護膜の間にアルミ等の冷
却膜を設ける事も行われている。冷却膜は結晶状態から
非晶質状態への変化の際に溶融状態からの冷却速度を上
げるためのものであり、この際セラミック膜は断熱層と
して作用する。媒体の特性確保のためにはこの断熱層の
厚さを最適値にする事が肝要である。レーザは基板の媒
体膜を有する側と反対の面から入射させる。
略するが、通常多くのトラッキング溝を設けた例えばポ
リカーボネートなどの基板表面に酸化シリコン等のセラ
ミック等よりなる保！ｌ膜を形成し、その上に記録用の
媒体膜を設け、さらにその上にセラミック等よりなる保
護膜と有機物の表面保護膜を順次堆積した構造としであ
る。また保護膜と有機物表面保護膜の間にアルミ等の冷
却膜を設ける事も行われている。冷却膜は結晶状態から
非晶質状態への変化の際に溶融状態からの冷却速度を上
げるためのものであり、この際セラミック膜は断熱層と
して作用する。媒体の特性確保のためにはこの断熱層の
厚さを最適値にする事が肝要である。レーザは基板の媒
体膜を有する側と反対の面から入射させる。
通常の光ディスクでは、初期状態では媒体膜を結晶状態
とし、情報記録時にはこれにレーザを照射して照射部を
溶融した後急冷して非晶質状態のスポットを形成する。
とし、情報記録時にはこれにレーザを照射して照射部を
溶融した後急冷して非晶質状態のスポットを形成する。
消去時にはこの非晶質状態のスポットをレーザによりア
ニールして結晶状態へ戻す。
ニールして結晶状態へ戻す。
相変化型の光記録媒体としては多くの材料が提案されて
いるが、このうちＧｅＴｅは、結晶状態と非晶質状態の
反射率差が大きく、記録情報の安定性も高い事から有望
な材料と考えられている。しかし、我々の検討結果によ
れば非晶質状態のＧｅＴｅ薄膜をレーザ照射により結晶
状態へ完全にアニールするには最短でも０．５μｓを要
する。この材料を用いて光ディスクを作成し、ビーム径
が約１１φのレーザ光により情報消去を行う場合には、
周速２層７３以下であることが必要である。一方で結晶
状態から非晶質状態への変化は、０．１〜０．２ｕａで
行う事が可能であり、光ディスクの周速を高めデータの
転送速度を高めるためには、上記の結晶状態へのアニー
ル時間（消去時間）を非晶質状態への変化時間（書込み
時間）と同程度にする事が望まれていた。
いるが、このうちＧｅＴｅは、結晶状態と非晶質状態の
反射率差が大きく、記録情報の安定性も高い事から有望
な材料と考えられている。しかし、我々の検討結果によ
れば非晶質状態のＧｅＴｅ薄膜をレーザ照射により結晶
状態へ完全にアニールするには最短でも０．５μｓを要
する。この材料を用いて光ディスクを作成し、ビーム径
が約１１φのレーザ光により情報消去を行う場合には、
周速２層７３以下であることが必要である。一方で結晶
状態から非晶質状態への変化は、０．１〜０．２ｕａで
行う事が可能であり、光ディスクの周速を高めデータの
転送速度を高めるためには、上記の結晶状態へのアニー
ル時間（消去時間）を非晶質状態への変化時間（書込み
時間）と同程度にする事が望まれていた。
この発明は上述の点に鑑みてなされその目的は媒体膜の
結晶化速度を早めて消去時間の短い光記録媒体を提供す
ることおよびこの光記録媒体の製造方法を提供すること
にある。
結晶化速度を早めて消去時間の短い光記録媒体を提供す
ることおよびこの光記録媒体の製造方法を提供すること
にある。
上述の目的はこの発明によれば、
１）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体において、主成分と
してＧｅとＴｏを、副成分としてＡｕまたはＣｕの１つ
を２モル％以下含む媒体膜を備えること、２）媒体膜を
光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の記録、再住、
消去を行う光記録媒体において、主成分としてＧｅとＴ
ｏを、副成分としてＮｉまたはＣ。
記録、再生、消去を行う光記録媒体において、主成分と
してＧｅとＴｏを、副成分としてＡｕまたはＣｕの１つ
を２モル％以下含む媒体膜を備えること、２）媒体膜を
光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の記録、再住、
消去を行う光記録媒体において、主成分としてＧｅとＴ
ｏを、副成分としてＮｉまたはＣ。
の１つを０．５モル％より少ない量含む媒体膜を備える
こと、 ３）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体の製造方法において
、ＧｅとＴｏに対して蒸気圧の相対的に低い第３金属元
素を添加した蒸着原料を用い真空蒸着法により媒体膜を
形成することにより達成される。
こと、 ３）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体の製造方法において
、ＧｅとＴｏに対して蒸気圧の相対的に低い第３金属元
素を添加した蒸着原料を用い真空蒸着法により媒体膜を
形成することにより達成される。
結晶化速度は室温付近から高温になるにつれ大きくなっ
ていくが媒体膜の融点近くになると結晶化核密度の減少
により急激に結晶化速度は減少する。しかし本発明のよ
うに第３金属元素が添加されると、この金属元素または
その化合物が結晶化の核として働くので第３金属元素の
ない場合に比してより高温まで結晶化速度が減少せず、
また結晶化速度の最高値も大きくなる。レーザによる記
録消去時にはレーザにより結晶化温度を前記結晶化速度
の最高値を与える温度に昇温させる。
ていくが媒体膜の融点近くになると結晶化核密度の減少
により急激に結晶化速度は減少する。しかし本発明のよ
うに第３金属元素が添加されると、この金属元素または
その化合物が結晶化の核として働くので第３金属元素の
ない場合に比してより高温まで結晶化速度が減少せず、
また結晶化速度の最高値も大きくなる。レーザによる記
録消去時にはレーザにより結晶化温度を前記結晶化速度
の最高値を与える温度に昇温させる。
このような光記録媒体の媒体膜の製造方法として真空蒸
着法が用いられる＊ Ｇ ｅ ＋ Ｔ ｅの蒸気圧に対
して第３金属元素の蒸気圧が小さいために、第３金属元
素を副成分として媒体膜に導入する際に組成制御を行う
ことが容易になる。
着法が用いられる＊ Ｇ ｅ ＋ Ｔ ｅの蒸気圧に対
して第３金属元素の蒸気圧が小さいために、第３金属元
素を副成分として媒体膜に導入する際に組成制御を行う
ことが容易になる。
次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の光記録媒体の構造を示し、
３鶴厚のポリカーボネート基板１の上に０．１−厚の保
護層２がスパッタリングで形成されている。その上の媒
体膜はＧｅＴｅ化合物に＾ｕ、Ｃｕ、Ａｇ。
３鶴厚のポリカーボネート基板１の上に０．１−厚の保
護層２がスパッタリングで形成されている。その上の媒
体膜はＧｅＴｅ化合物に＾ｕ、Ｃｕ、Ａｇ。
Ｃｏ、Ｎｌなどのいずれかを添加し０．１μ厚さに形成
されている。熱遮蔽層４は保護層２と同じ材料で同じ厚
さをもつ、冷却層５は金属アルミニウムの蒸着により０
．Ｉ Ｉ！ｍ厚さに形成されている０表面の有機物保護
層６は層構造２〜５を機械的に保護する働きをし、紫外
線硬化樹脂を２龍厚さに塗布したものである。媒体膜は
例えば組成比（モル％）４１：４１：６のＧｅＴｅＡｕ
の蒸着原料を用い、抵抗加熱式の真空蒸着法によりＡｕ
を含む媒体膜を調製することができる。この際ボート温
度は６００〜１０００℃。
されている。熱遮蔽層４は保護層２と同じ材料で同じ厚
さをもつ、冷却層５は金属アルミニウムの蒸着により０
．Ｉ Ｉ！ｍ厚さに形成されている０表面の有機物保護
層６は層構造２〜５を機械的に保護する働きをし、紫外
線硬化樹脂を２龍厚さに塗布したものである。媒体膜は
例えば組成比（モル％）４１：４１：６のＧｅＴｅＡｕ
の蒸着原料を用い、抵抗加熱式の真空蒸着法によりＡｕ
を含む媒体膜を調製することができる。この際ボート温
度は６００〜１０００℃。
基板温度は８０℃以下、ボートと基板間の距離は約３０
１、真空度は１０−” ｔｏｒｒ以下に調整される。こ
の他電子ビーム蒸着によっても媒体膜を形成することが
できる。この際電子ビームパワーは約１に−にすること
ができる。得られた光記録媒体を１０℃／分の速度で昇
温しなからレーザの反射率変化を測定すると、反射率は
約１６７℃で２０％から５０％へ上昇した。この前後で
の媒体膜の結晶形態をＸ線回折により調べたところ、成
膜時は非晶質状態であったものが、反射率上昇後は結晶
化しており、結晶としては主としてＧｅＴｅが観測され
た。このことから、上述の反射率変化を示した温度は、
１０℃／分昇温の場合の結晶化温度と考えられる。蒸着
原料としてＧｅＴｅ （モル組成比５０ ： ５０）を
用いた時の結晶化温度は約１８５℃であり、これは上述
のＧｅＴｅＡｕを原料とした場合に比して高い、このこ
とから、ＧｅＴｅＡｕを原料とした場合の方が結晶化速
度が大きいことがわかった。なお、ＧｅＴｅＡｕを蒸着
原料とした時の成膜された媒体膜中のＡｕｆａ度はきわ
めて低く 、０．３モル％であった。
１、真空度は１０−” ｔｏｒｒ以下に調整される。こ
の他電子ビーム蒸着によっても媒体膜を形成することが
できる。この際電子ビームパワーは約１に−にすること
ができる。得られた光記録媒体を１０℃／分の速度で昇
温しなからレーザの反射率変化を測定すると、反射率は
約１６７℃で２０％から５０％へ上昇した。この前後で
の媒体膜の結晶形態をＸ線回折により調べたところ、成
膜時は非晶質状態であったものが、反射率上昇後は結晶
化しており、結晶としては主としてＧｅＴｅが観測され
た。このことから、上述の反射率変化を示した温度は、
１０℃／分昇温の場合の結晶化温度と考えられる。蒸着
原料としてＧｅＴｅ （モル組成比５０ ： ５０）を
用いた時の結晶化温度は約１８５℃であり、これは上述
のＧｅＴｅＡｕを原料とした場合に比して高い、このこ
とから、ＧｅＴｅＡｕを原料とした場合の方が結晶化速
度が大きいことがわかった。なお、ＧｅＴｅＡｕを蒸着
原料とした時の成膜された媒体膜中のＡｕｆａ度はきわ
めて低く 、０．３モル％であった。
次に、波長８３０ｎｍの半導体レーザを直径約１．２−
に集光して照射した時の反射率変化を測定した。
に集光して照射した時の反射率変化を測定した。
レーザパワーを１２１とした時のレーザパルス幅と反射
率の関係を第２図に示す０曲線２１はＧｅＴｅを原料と
した試料、曲線２２はＧｅＴｅＡｕを原料とした試料で
、曲線２０は両試料を蒸着した状態での反射率を示す０
反射率の変化は非晶質状態の光記録材料が結晶化するこ
とによるものであるが、その変化量はあるレーザパルス
幅から急に増大し、蒸着原料がＧｅＴｅの場合約０．５
μｓ、ＧｅＴｅＡｕの場合約０．３ｕａでその変化が飽
和する。このように反射率変化が飽和するレーザパルス
幅がレーザによる結晶化時間、すなわち消去時間であり
、光記録媒体の消去特性を示す値となる。蒸着原料Ｇａ
ＴｅにＡｕを添加する事により上記のように消去時間が
短縮されたことが確かめられた。
率の関係を第２図に示す０曲線２１はＧｅＴｅを原料と
した試料、曲線２２はＧｅＴｅＡｕを原料とした試料で
、曲線２０は両試料を蒸着した状態での反射率を示す０
反射率の変化は非晶質状態の光記録材料が結晶化するこ
とによるものであるが、その変化量はあるレーザパルス
幅から急に増大し、蒸着原料がＧｅＴｅの場合約０．５
μｓ、ＧｅＴｅＡｕの場合約０．３ｕａでその変化が飽
和する。このように反射率変化が飽和するレーザパルス
幅がレーザによる結晶化時間、すなわち消去時間であり
、光記録媒体の消去特性を示す値となる。蒸着原料Ｇａ
ＴｅにＡｕを添加する事により上記のように消去時間が
短縮されたことが確かめられた。
次に光記録媒体を１００℃に１０００時間放置した時の
非晶質状態の安定性を調べた結果を示す、第３図は反射
率の推移を示したもので、はとんど変化は認められず、
Ｘ線回折でも結晶化は認められなかった。これにより、
本発明に基づく媒体膜は、レーザ照射や１０℃／分昇温
試験において、高温での結晶化速度が大きくなり、消去
時間が短縮されたが、書込み後の１００℃以下での非晶
質状態は十分に安定である事がわかった。
非晶質状態の安定性を調べた結果を示す、第３図は反射
率の推移を示したもので、はとんど変化は認められず、
Ｘ線回折でも結晶化は認められなかった。これにより、
本発明に基づく媒体膜は、レーザ照射や１０℃／分昇温
試験において、高温での結晶化速度が大きくなり、消去
時間が短縮されたが、書込み後の１００℃以下での非晶
質状態は十分に安定である事がわかった。
蒸着原料としてＧｅＴｅＡｕの組成比を５Ｏ−（Ｘ／２
） ：５Ｏ−（ｘ／２） ： ｘとし、０≦Ｘ≦１
２の範囲で組成を変えて先述した方法と同様な方法で試
料を作製した。第４図は１０℃／分の昇温速度での結晶
化温度、第５図は消去時間のＸ依存性を示し、両者とも
２モル％以上の添加量では大きな組成依存性は認められ
ないが、消去時間はｘ−８で約０．２μｓと極小になっ
た。
） ：５Ｏ−（ｘ／２） ： ｘとし、０≦Ｘ≦１
２の範囲で組成を変えて先述した方法と同様な方法で試
料を作製した。第４図は１０℃／分の昇温速度での結晶
化温度、第５図は消去時間のＸ依存性を示し、両者とも
２モル％以上の添加量では大きな組成依存性は認められ
ないが、消去時間はｘ−８で約０．２μｓと極小になっ
た。
蒸着原料として、ＧｅＴｅＣｕ、 ＧｅＴｅＡｇ、 Ｇ
ｅＴｅＣ。
ｅＴｅＣ。
ＧｅＴｅＮ１を用い、先述した方法と同様な方法で試料
を作製した場合の昇温速度１０℃／分での結晶化温度と
レーザ照射による消去時間を第６図と第７図にそれぞれ
示す、この時の原料モル組成比はいずれ−も４Ｂ＋４８
：４である。このとき得られた媒体膜中のＣｕ、Ａｇ、
Ｃｏ、Ｍｌの各組成比は約０．２モル％である。どの場
合も、結晶化温度の低下と消去時間の短縮が認められた
。特に消去時間の短縮が大きいのは、Ｃｏ、Ｎｉを添加
した場合である。 Ｃｏ、Ｎｌの添加量を大きくすると
結晶化速度が大きすぎ、１００℃以下の低温での非晶質
状態の安定性に問題があるため、その添加量は５モル％
以内にすることが望ましい、すなわも、Ｎｉ添加量５モ
ル％の場合は１００℃、 １０００時間の高温放置でも
試料は非晶質状態であったが、６モル％の場合には同様
の高１放置で反射率が２０％から２３％へ上昇し、ｘｗ
Ａ回折でもＧｅＴｅの結晶ピークが確認された。また媒
体膜組成で表現するとＣｏ、Ｎ１組成比が０．４モル％
のとき１００℃、 １０００時間放置で試料は非晶質状
態を維持するが、０．５モル％以上では反射率が２０％
から２３％へ上昇しＧｅＴｅの結晶ピークが確認された
。また媒体膜組成で表現するとＧｅ、Ｎｌ ＆Ｉ成比が
０．４モル％のとき１００℃、１０００時間放置で試料
は非晶質状態を維持するが、０．５モル％以上では反射
率が２０％から２３％へ上昇しＧｅＴｅの結晶ピークが
確認される。
を作製した場合の昇温速度１０℃／分での結晶化温度と
レーザ照射による消去時間を第６図と第７図にそれぞれ
示す、この時の原料モル組成比はいずれ−も４Ｂ＋４８
：４である。このとき得られた媒体膜中のＣｕ、Ａｇ、
Ｃｏ、Ｍｌの各組成比は約０．２モル％である。どの場
合も、結晶化温度の低下と消去時間の短縮が認められた
。特に消去時間の短縮が大きいのは、Ｃｏ、Ｎｉを添加
した場合である。 Ｃｏ、Ｎｌの添加量を大きくすると
結晶化速度が大きすぎ、１００℃以下の低温での非晶質
状態の安定性に問題があるため、その添加量は５モル％
以内にすることが望ましい、すなわも、Ｎｉ添加量５モ
ル％の場合は１００℃、 １０００時間の高温放置でも
試料は非晶質状態であったが、６モル％の場合には同様
の高１放置で反射率が２０％から２３％へ上昇し、ｘｗ
Ａ回折でもＧｅＴｅの結晶ピークが確認された。また媒
体膜組成で表現するとＣｏ、Ｎ１組成比が０．４モル％
のとき１００℃、 １０００時間放置で試料は非晶質状
態を維持するが、０．５モル％以上では反射率が２０％
から２３％へ上昇しＧｅＴｅの結晶ピークが確認された
。また媒体膜組成で表現するとＧｅ、Ｎｌ ＆Ｉ成比が
０．４モル％のとき１００℃、１０００時間放置で試料
は非晶質状態を維持するが、０．５モル％以上では反射
率が２０％から２３％へ上昇しＧｅＴｅの結晶ピークが
確認される。
以上の実験ではＧｅＴｅ化合物にＡ ｕ ＋ Ｃｕ Ｉ
Ａ ｇ ＋ ＣＯ＊ Ｎ ｌを４モル％添加したが、
他の金属元素あるいは金属化合物の添加によっても非晶
質状態のＧｅＴｅの中に結晶化核として分散存在すれば
、アニールによる消去時間を短縮する効果が生ずること
は明らかである。
Ａ ｇ ＋ ＣＯ＊ Ｎ ｌを４モル％添加したが、
他の金属元素あるいは金属化合物の添加によっても非晶
質状態のＧｅＴｅの中に結晶化核として分散存在すれば
、アニールによる消去時間を短縮する効果が生ずること
は明らかである。
以上のようにしてＧｅとＴｏに対して第３金属元素を添
加した蒸着材料を用い真空蒸着法により媒体膜を形成す
る場合においては、Ｇｅ、Ｔｅの蒸気圧に比し媒体膜に
添加すべき第３金属元素の蒸気圧が小さいので真空蒸着
法は第３金属元素を副成分とする媒体膜を形成する際に
好適に使用でき、媒体膜中の副成分の組成比を精度良く
制御することが可能となる。
加した蒸着材料を用い真空蒸着法により媒体膜を形成す
る場合においては、Ｇｅ、Ｔｅの蒸気圧に比し媒体膜に
添加すべき第３金属元素の蒸気圧が小さいので真空蒸着
法は第３金属元素を副成分とする媒体膜を形成する際に
好適に使用でき、媒体膜中の副成分の組成比を精度良く
制御することが可能となる。
媒体膜の組成がＧｅ （５０−ｚ／２）丁ｅ（５０−ｚ
／２） Ａｕ（ｚ）であるときの媒体膜中のＡｕ組成比
Ｚ （モル％）と消去時間との関係が第８図に示される
。媒体膜は前述した真空蒸着法で形成された。消去時間
はＡｕ組成比２が０．１モル％までは減少傾向にあるが
０．１モル％以上で飽和する。これはＡｕ組成比２が大
きくなると＾ＵがＧｅ又はＴｏと化合物を形成するため
と思われる。
／２） Ａｕ（ｚ）であるときの媒体膜中のＡｕ組成比
Ｚ （モル％）と消去時間との関係が第８図に示される
。媒体膜は前述した真空蒸着法で形成された。消去時間
はＡｕ組成比２が０．１モル％までは減少傾向にあるが
０．１モル％以上で飽和する。これはＡｕ組成比２が大
きくなると＾ＵがＧｅ又はＴｏと化合物を形成するため
と思われる。
媒体膜の組成がＧｅ （５０−ｚ／２） Ｔｏ（５０−
２／２） Ａ１１（Ｚ）であるときの媒体膜中のＡｕ組
成比Ｚ （モル％）と結晶化温度との関係が第９図に示
される。＾Ｕ組成比Ｚが０＜２≦２モル％の場合は結晶
化温度が結晶化の核を含まない場合に比して等しいかあ
るいは低下していることがわかる。
２／２） Ａ１１（Ｚ）であるときの媒体膜中のＡｕ組
成比Ｚ （モル％）と結晶化温度との関係が第９図に示
される。＾Ｕ組成比Ｚが０＜２≦２モル％の場合は結晶
化温度が結晶化の核を含まない場合に比して等しいかあ
るいは低下していることがわかる。
媒体膜中の組成がＧｅ （５Ｇ−ｙ／２） Ｔｏ（５０
−ｙ／２）Ｃｕ（ｙ）であるときの媒体膜中のＣｕｇ成
比ｙと結晶化温度との関係が第１１図に示される。０〈
１５２モル％が適当な範囲であることがわかる。
−ｙ／２）Ｃｕ（ｙ）であるときの媒体膜中のＣｕｇ成
比ｙと結晶化温度との関係が第１１図に示される。０〈
１５２モル％が適当な範囲であることがわかる。
媒体膜のＧｅとＴｏの組成比が１対ｌでない場合でかつ
ＡｕまたはＣｕを０．３モル％以下含む場合の媒体膜の
結晶化温度と消去時間とが第１表に示される。
ＡｕまたはＣｕを０．３モル％以下含む場合の媒体膜の
結晶化温度と消去時間とが第１表に示される。
第１表
ＧｅとＴｅの組成比はかなりずれがあっても結晶化温度
の低下と消去時間の短縮が認められる。
の低下と消去時間の短縮が認められる。
ＧｅＴｅに副成分である第３の金属元素として原子半径
が１．５Å以下の丁１＋Ｖ＋ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＺｎＪ
ｂ＋Ｍｏ＋Ｔｃ。
が１．５Å以下の丁１＋Ｖ＋ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＺｎＪ
ｂ＋Ｍｏ＋Ｔｃ。
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｔａ、ＬＲｅ＋Ｏｓ、
［ｒ、ＰＬ、Ａｕ、Ｈｇ等の１つを０．５モル％加え
ると消去時間が短縮する。原子半径が１．５人より大き
い元素は顕著な効果は認められない。
［ｒ、ＰＬ、Ａｕ、Ｈｇ等の１つを０．５モル％加え
ると消去時間が短縮する。原子半径が１．５人より大き
い元素は顕著な効果は認められない。
この発明によれば
ｌ）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体において、主成分と
してＧｅとＴｅを、副成分としてＡｕまたはＣｕの１つ
を２モル％以下含む媒体膜を備え、２）媒体膜を光照射
しこの媒体膜を相変化させて情報の記録、再生１消去を
行う光記録媒体において、′主成分としてＧｅとＴｅを
、副成分としてＮｉまたはＣ。
記録、再生、消去を行う光記録媒体において、主成分と
してＧｅとＴｅを、副成分としてＡｕまたはＣｕの１つ
を２モル％以下含む媒体膜を備え、２）媒体膜を光照射
しこの媒体膜を相変化させて情報の記録、再生１消去を
行う光記録媒体において、′主成分としてＧｅとＴｅを
、副成分としてＮｉまたはＣ。
の１つを０．５モル％より少ない量含む媒体膜を備え、
３）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体の製造方法において
、ＧｅとＴｅに対して蒸気圧の相対的に低い第３金属元
素を添加した蒸着原料を用い真空蒸着法により媒体膜を
形成するので媒体膜中に第３金属元素またはその化合物
が結晶化の核として働き、その結果第３金属元素のない
場合に比較してより高温まで結晶化速度が減少せず結晶
化速度の最高値も大きくなる。レーザによる記録消去時
にレーザにより結晶化温度を前記結晶化最高遠度を与え
る温度に一致させることにより消去時間を短縮させデー
タ転送速度のはやい光記録媒体を得ることが可能となる
。また光記録媒体の製造に際しては第３金属元素の蒸気
圧が相対的に低いのでこれを副成分として媒体膜に導入
することが容易であるという効果が得られる。
記録、再生、消去を行う光記録媒体の製造方法において
、ＧｅとＴｅに対して蒸気圧の相対的に低い第３金属元
素を添加した蒸着原料を用い真空蒸着法により媒体膜を
形成するので媒体膜中に第３金属元素またはその化合物
が結晶化の核として働き、その結果第３金属元素のない
場合に比較してより高温まで結晶化速度が減少せず結晶
化速度の最高値も大きくなる。レーザによる記録消去時
にレーザにより結晶化温度を前記結晶化最高遠度を与え
る温度に一致させることにより消去時間を短縮させデー
タ転送速度のはやい光記録媒体を得ることが可能となる
。また光記録媒体の製造に際しては第３金属元素の蒸気
圧が相対的に低いのでこれを副成分として媒体膜に導入
することが容易であるという効果が得られる。
第１図は本発明の実施例に係る光記録媒体を示す断面図
、第２図はＧｅＴｅおよびＧｅＴｅＡｕからなる媒体膜
につき反射率のレーザパルス幅依存性を示す縞図、第３
図はＧｅＴｅＡｕからなる媒体膜を１００ ℃で放置し
たときの反射率の変化を示す線図、第４図。 第５図は蒸着原料中のＡｕ添加量と得られた媒体膜の結
晶化温度、消去時間の関係をそれぞれ示す縞図、第６図
、第７図は蒸着原料中にＣｕ、Ａｇ、Ｎｌを個々に添加
して調製した媒体膜の結晶化温度と消去時間をそれぞれ
示す線図、第８図は媒体膜中のＡｕ組成比と消去時間と
の関係を示す線図、第９図は媒体膜中のＡｕ組成比と結
晶化温度との関係を示す線図、第１Ｏ図は媒体膜中のＣ
ｕ組成比と消去時間との関係を示す縞図、第１１図は媒
体膜中のＣｕ組成比と結晶化温度との関係を示す縞図で
ある。 ｌ：基板、２：保護層、３：媒体膜、４：熱燻ＩＮＮ、
５：冷却層、６：有機物保ｔ１層。 第１図 し−プ゛°ハ９Ｊレスヤ酪仲５ｅｃ） 第２図 時 開（ｈ） 第６図 １７図 Ｙ眉カー利中ψＡｕティ：ｇ−ＩＸ（そ」し’／、 ）
菟４！、Ｈ中のＡｕ沖重量Ｘ（七ノー。）第８ＩＡ 第９図
、第２図はＧｅＴｅおよびＧｅＴｅＡｕからなる媒体膜
につき反射率のレーザパルス幅依存性を示す縞図、第３
図はＧｅＴｅＡｕからなる媒体膜を１００ ℃で放置し
たときの反射率の変化を示す線図、第４図。 第５図は蒸着原料中のＡｕ添加量と得られた媒体膜の結
晶化温度、消去時間の関係をそれぞれ示す縞図、第６図
、第７図は蒸着原料中にＣｕ、Ａｇ、Ｎｌを個々に添加
して調製した媒体膜の結晶化温度と消去時間をそれぞれ
示す線図、第８図は媒体膜中のＡｕ組成比と消去時間と
の関係を示す線図、第９図は媒体膜中のＡｕ組成比と結
晶化温度との関係を示す線図、第１Ｏ図は媒体膜中のＣ
ｕ組成比と消去時間との関係を示す縞図、第１１図は媒
体膜中のＣｕ組成比と結晶化温度との関係を示す縞図で
ある。 ｌ：基板、２：保護層、３：媒体膜、４：熱燻ＩＮＮ、
５：冷却層、６：有機物保ｔ１層。 第１図 し−プ゛°ハ９Ｊレスヤ酪仲５ｅｃ） 第２図 時 開（ｈ） 第６図 １７図 Ｙ眉カー利中ψＡｕティ：ｇ−ＩＸ（そ」し’／、 ）
菟４！、Ｈ中のＡｕ沖重量Ｘ（七ノー。）第８ＩＡ 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体において、主成分と
してＧｅとＴｅを、副成分としてＡｕまたはＣｕの１つ
を２モル％以下含む媒体膜を備えることを特徴とする光
記録媒体。 ２）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体において、主成分と
してＧｅとＴｅを、副成分としてＮｉまたはＣｏの１つ
を０．５モル％より少ない量含む媒体膜を備えることを
特徴とする光記録媒体。 ３）媒体膜を光照射しこの媒体膜を相変化させて情報の
記録、再生、消去を行う光記録媒体の製造方法において
、ＧｅとＴｅに対して蒸気圧の相対的に低い第３金属元
素を添加した蒸着原料を用い真空蒸着法により媒体膜を
形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242970A JPH02139280A (ja) | 1988-08-03 | 1988-09-28 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-193756 | 1988-08-03 | ||
| JP19375688 | 1988-08-03 | ||
| JP63242970A JPH02139280A (ja) | 1988-08-03 | 1988-09-28 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139280A true JPH02139280A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=26508074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63242970A Pending JPH02139280A (ja) | 1988-08-03 | 1988-09-28 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139280A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009127294A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Toho Seiki Kk | 鍵保管装置 |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP63242970A patent/JPH02139280A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009127294A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Toho Seiki Kk | 鍵保管装置 |
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