JPH02278538A - 相変化型記録媒体の結晶化方法 - Google Patents
相変化型記録媒体の結晶化方法Info
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- JPH02278538A JPH02278538A JP10087589A JP10087589A JPH02278538A JP H02278538 A JPH02278538 A JP H02278538A JP 10087589 A JP10087589 A JP 10087589A JP 10087589 A JP10087589 A JP 10087589A JP H02278538 A JPH02278538 A JP H02278538A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
-
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
相変化型記録媒体の結晶化方法に関し、結晶化を記録領
域の全域に亙って均等に行うことを目的とし、 透明な樹脂層よりなり案内溝を備えた光デイスク基板上
に、相変化型記録媒体を膜形成した後、レーザ光を該記
録媒体に照射して結晶化を行う際、該レーザ光の照射を
基板に対し垂直を避けて行うことにより相変化型記録媒
体の結晶化方法を構成する。
域の全域に亙って均等に行うことを目的とし、 透明な樹脂層よりなり案内溝を備えた光デイスク基板上
に、相変化型記録媒体を膜形成した後、レーザ光を該記
録媒体に照射して結晶化を行う際、該レーザ光の照射を
基板に対し垂直を避けて行うことにより相変化型記録媒
体の結晶化方法を構成する。
本発明は相変化型記録媒体の結晶化方法に関する。
光ディスクはディスク基板上に記録媒体が膜形成されて
おり、同心円状あるいは渦巻き状に設けられている案内
溝（プリグループ）に沿ってレーザ光を照射し、このト
ラックに記録ビットの有無の形で記録しである情報を反
射率の相違を利用して読み出すものであって、読み出し
専用メモリ（Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）
と書き換え可能なメモリ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｍｅｍｏ
ｒｙ）とがあり、それぞれ使い分けされている。
おり、同心円状あるいは渦巻き状に設けられている案内
溝（プリグループ）に沿ってレーザ光を照射し、このト
ラックに記録ビットの有無の形で記録しである情報を反
射率の相違を利用して読み出すものであって、読み出し
専用メモリ（Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）
と書き換え可能なメモリ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｍｅｍｏ
ｒｙ）とがあり、それぞれ使い分けされている。
すなわち、前者はテルル（Ｔｅ）やセレン（Ｓｅ）のよ
うな低融点の金属或いはこの合金を用い、情報の記録を
レーザ光の照射による穴（ピット）の形成で行い、再生
を穴の有無による反射率の差を利用して行っている。
うな低融点の金属或いはこの合金を用い、情報の記録を
レーザ光の照射による穴（ピット）の形成で行い、再生
を穴の有無による反射率の差を利用して行っている。
一方、後者は記録媒体をインジウム・アンチモン（Ｉｎ
Ｓｂ）合金のようにレーザ光の照射条件により結晶の相
変化を生じ、反射率が変化するのを利用して情報の記録
を行うメモリであり、情報の書き換えが可能である。
Ｓｂ）合金のようにレーザ光の照射条件により結晶の相
変化を生じ、反射率が変化するのを利用して情報の記録
を行うメモリであり、情報の書き換えが可能である。
本発明は後者のメモリの初期化に必要な結晶化方法に関
するものである。
するものである。
光ディスクに使用されている相変化型記録媒体には上記
のＩｎＳｂ合金以外にゲルマニウム・アンチモン・テル
ル（ＧｅＳｂＴｅ）合金やインジウム・テルル（ＩｎＴ
ｅ）合金などが知られている。
のＩｎＳｂ合金以外にゲルマニウム・アンチモン・テル
ル（ＧｅＳｂＴｅ）合金やインジウム・テルル（ＩｎＴ
ｅ）合金などが知られている。
こ＼で、ＩｎＳｂ合金の相変化はＩｎＳｂ金属間化合物
とｓｂ金金属からなる固溶体が、レーザ照射による熱エ
ネルギーの付与条件によりｓｂ金属原子の分散状態が異
なり、この状態の相違によりレーザ光の反射率が異なる
ことを利用するもので、メモリに使用される相変化は結
晶−結晶間の変化である。
とｓｂ金金属からなる固溶体が、レーザ照射による熱エ
ネルギーの付与条件によりｓｂ金属原子の分散状態が異
なり、この状態の相違によりレーザ光の反射率が異なる
ことを利用するもので、メモリに使用される相変化は結
晶−結晶間の変化である。
一方、ＧｅＳｂＴｅ合金とＩｎＴｅ合金は結晶と非晶質
の変化がメモリに使用されている。
の変化がメモリに使用されている。
以下、代表的な相変化型記録媒体であるＩｎＳｂ合金に
ついて本発明を説明する。
ついて本発明を説明する。
光ディスクはディスク状をしたガラス基板の上に紫外線
硬化樹脂を滴下した後、案内溝が型形成されているスタ
ンパを当接し、この状態でガラス基板を通して紫外線を
照射することにより樹脂を硬化せしめ、案内溝の付いた
ディスク基板が形成される。
硬化樹脂を滴下した後、案内溝が型形成されているスタ
ンパを当接し、この状態でガラス基板を通して紫外線を
照射することにより樹脂を硬化せしめ、案内溝の付いた
ディスク基板が形成される。
また、射出成形法などにより案内溝の付いたディスク基
板も作られているが、基板の平坦性はガラス基板の上に
形成したものに較べ劣っている。
板も作られているが、基板の平坦性はガラス基板の上に
形成したものに較べ劣っている。
光デイスク素子の構成は、第３図に示すように案内溝を
形成した樹脂層１をガラス基板２の上に備えたディスク
基板３の上に電子ビーム蒸着またはスパッタなどの方法
により記録媒体を１０００人程度０厚さに形成して記録
膜４を形成した後、この上に厚さが１０００人程度０厚
護膜５が形成されている。
形成した樹脂層１をガラス基板２の上に備えたディスク
基板３の上に電子ビーム蒸着またはスパッタなどの方法
により記録媒体を１０００人程度０厚さに形成して記録
膜４を形成した後、この上に厚さが１０００人程度０厚
護膜５が形成されている。
然し、このようにして形成した記録膜４は非晶質であり
、情報の記録を行うには結晶化させる必要がある。
、情報の記録を行うには結晶化させる必要がある。
この結晶化処理は初期化と言われているが、従来はディ
スク基板を約２００°Ｃに加熱しながら製膜するか、或
いは製膜後に約２００°Ｃに加熱するなどの方法がとら
れていた。
スク基板を約２００°Ｃに加熱しながら製膜するか、或
いは製膜後に約２００°Ｃに加熱するなどの方法がとら
れていた。
こ＼で、記録膜がＩｎとｓｂの二元合金からなる場合に
は加熱温度が２００°Ｃでも差支えないが、光ディスク
の保存寿命を高めたり、繰り返し使用回数を向上するた
めにゲルマニウム（Ｇｅ）やテルル（Ｔｅ）などを少量
添加して固溶体を作ることが行われており、か−る組成
の記録媒体を結晶化するには加熱温度を２００°Ｃ以上
に上げることが必要である。
は加熱温度が２００°Ｃでも差支えないが、光ディスク
の保存寿命を高めたり、繰り返し使用回数を向上するた
めにゲルマニウム（Ｇｅ）やテルル（Ｔｅ）などを少量
添加して固溶体を作ることが行われており、か−る組成
の記録媒体を結晶化するには加熱温度を２００°Ｃ以上
に上げることが必要である。
然し、ガラス基板２の上に設けられ、案内溝を形成して
いる樹脂層１の耐熱温度は高々２００ ’Ｃであって、
これ以上の温度に加熱すると、成分の分解が生じて樹脂
層１が色づいたり、案内溝の変形（だれ）が生ずる。
いる樹脂層１の耐熱温度は高々２００ ’Ｃであって、
これ以上の温度に加熱すると、成分の分解が生じて樹脂
層１が色づいたり、案内溝の変形（だれ）が生ずる。
そのためにレーザ光を照射して非晶質なＩｎＳｂ膜を結
晶化する方法がとられている。
晶化する方法がとられている。
然し、アルゴン（Ａｒ）レーザを照射して加熱を行って
も結晶化が不完全であり、ガラス基板を通して顕微鏡観
察を行っても−様な結晶化が行われておらず、従って記
録装置にセットして信号の記録を行っても使用できるよ
うなＣ／ Ｎ （Ｃａｒｒｉｅｒ−１ｅｖｅｌ／Ｎｏ１
ｓｅ−１ｅｖｅｌ）比を得ることができない。
も結晶化が不完全であり、ガラス基板を通して顕微鏡観
察を行っても−様な結晶化が行われておらず、従って記
録装置にセットして信号の記録を行っても使用できるよ
うなＣ／ Ｎ （Ｃａｒｒｉｅｒ−１ｅｖｅｌ／Ｎｏ１
ｓｅ−１ｅｖｅｌ）比を得ることができない。
記録膜を相変化型記録媒体で形成している光ディスクの
初期化は非晶質な記録媒体を結晶化することであり、案
内溝を形成する樹脂層を劣化することなく記録膜を結晶
化させる方法としてレーザ照射が行われている。
初期化は非晶質な記録媒体を結晶化することであり、案
内溝を形成する樹脂層を劣化することなく記録膜を結晶
化させる方法としてレーザ照射が行われている。
然シ、この方法では充分に結晶化しないことが問題で、
これを解決することが課題である。
これを解決することが課題である。
上記の課題は透明樹脂よりなり案内溝を備えた光デイス
ク基板上に、相変化型記録媒体を膜形成した後、レーザ
光を該記録媒体に照射して結晶化を行う際、該レーザ光
の照射を基板に対し垂直より外して行うことにより相変
化型記録媒体の結晶化方法を構成することにより解決す
ることができる。
ク基板上に、相変化型記録媒体を膜形成した後、レーザ
光を該記録媒体に照射して結晶化を行う際、該レーザ光
の照射を基板に対し垂直より外して行うことにより相変
化型記録媒体の結晶化方法を構成することにより解決す
ることができる。
第２図は従来の結晶化方法を示す光デイスク素子の部分
断面図であって、厚さが約１．２ｍｍのディスク状をし
たガラス基板２の上に案内溝を備え、紫外線硬化樹脂か
らなる樹脂層１があってディスク基板３が形成されてお
り、この上にＩｎＳｂを主構成分とする記録膜４を約１
０００人の厚さに膜形成した後、更に二酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ７）などからなり、耐熱性と耐湿性に優れた保護膜５
を約１０００人の厚さに形成している。
断面図であって、厚さが約１．２ｍｍのディスク状をし
たガラス基板２の上に案内溝を備え、紫外線硬化樹脂か
らなる樹脂層１があってディスク基板３が形成されてお
り、この上にＩｎＳｂを主構成分とする記録膜４を約１
０００人の厚さに膜形成した後、更に二酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ７）などからなり、耐熱性と耐湿性に優れた保護膜５
を約１０００人の厚さに形成している。
か＼る光デイスク素子に対し、従来はレーザ光６を記録
膜４に垂直に照射して結晶化が行われていた。
膜４に垂直に照射して結晶化が行われていた。
すなわち、基板加熱して部分的に結晶化が進行している
記録膜４に対してはガラス基板２を通して半導体レーザ
を案内溝に沿って繰り返し走査して結晶化させたり、非
晶質の記録膜４に対し、アルゴン（Ａｒ）レーザなど高
出力のレーザをガラス基板２を通して照射するなどの方
法を行っていたが一様に結晶化を行うことができなかっ
た。
記録膜４に対してはガラス基板２を通して半導体レーザ
を案内溝に沿って繰り返し走査して結晶化させたり、非
晶質の記録膜４に対し、アルゴン（Ａｒ）レーザなど高
出力のレーザをガラス基板２を通して照射するなどの方
法を行っていたが一様に結晶化を行うことができなかっ
た。
発明者等はこの原因を研究した結果、樹脂層１にかなり
の°′うねり”があり、樹脂層１の厚さが均一でないこ
とが結晶化が充分に行われない原因であることを見い出
した。
の°′うねり”があり、樹脂層１の厚さが均一でないこ
とが結晶化が充分に行われない原因であることを見い出
した。
すなわち、樹脂層１の形成ばガラス基板２の上に紫外線
硬化樹脂を垂らし、これにスタンパを当接した状態で紫
外線照射することより、案内溝のついた樹脂層１が形成
されているが、厳密に計測すると樹脂層１の膜厚は等し
くなく、“うねり ”があり、これは樹脂液の垂らし位
置と関係があることが判った。
硬化樹脂を垂らし、これにスタンパを当接した状態で紫
外線照射することより、案内溝のついた樹脂層１が形成
されているが、厳密に計測すると樹脂層１の膜厚は等し
くなく、“うねり ”があり、これは樹脂液の垂らし位
置と関係があることが判った。
この“うねり”のためにレーザの照射位置によっては定
在波が立ち、そのため結晶化度が場所により異なるので
ある。
在波が立ち、そのため結晶化度が場所により異なるので
ある。
そこで、これを解決する方法としてレーザ光６の照射を
垂直を避けて行い、定在波の発生をなくした結果、均一
な結晶化が可能となった。
垂直を避けて行い、定在波の発生をなくした結果、均一
な結晶化が可能となった。
第１図は本発明に係る結晶化方法を説明する断面図であ
って、粘度が１００ｃｐのアクリル酸エステルからなる
紫外線硬化樹脂（品名５Ａ−１００２，三菱油化ファイ
ン■）を５インチのガラス基板２の上に垂らし、従来と
同様な方法でスタンパを当接し、紫外線照射を行って厚
さが３０μｍの樹脂層１を備えたガラス基板３を形成し
た。
って、粘度が１００ｃｐのアクリル酸エステルからなる
紫外線硬化樹脂（品名５Ａ−１００２，三菱油化ファイ
ン■）を５インチのガラス基板２の上に垂らし、従来と
同様な方法でスタンパを当接し、紫外線照射を行って厚
さが３０μｍの樹脂層１を備えたガラス基板３を形成し
た。
この上に組成比がＩｎ＋５Ｓｂ６ｓでＧｅを１重量％含
む記録媒体を６００人の厚さにスパッタして非晶質の記
録膜４を形成した後に、ＳｉＯ□をスパッタ法で１００
０人の厚さに形成して保護膜５を形成した。
む記録媒体を６００人の厚さにスパッタして非晶質の記
録膜４を形成した後に、ＳｉＯ□をスパッタ法で１００
０人の厚さに形成して保護膜５を形成した。
次に、か−るディスク基板３を３ｍ／秒の周速で回転さ
せながら出力がＩＷで波長が５１４．５ｎｍのＡｒレー
ザをビーム径３０μｍに集光し、θが５°の入射角で照
射した結果、顕微鏡観察で均一に結晶化が行われている
のが認められた。
せながら出力がＩＷで波長が５１４．５ｎｍのＡｒレー
ザをビーム径３０μｍに集光し、θが５°の入射角で照
射した結果、顕微鏡観察で均一に結晶化が行われている
のが認められた。
また、この光ディスクを記録再生装置にセットし、１８
ｍＷの半導体レーザ光を１μｍに集光して情報の記録
を行った結果、Ｃ／Ｎとして４５ｄＢと従来の基板加熱
により結晶化した場合と同様な値を得ることができた。
ｍＷの半導体レーザ光を１μｍに集光して情報の記録
を行った結果、Ｃ／Ｎとして４５ｄＢと従来の基板加熱
により結晶化した場合と同様な値を得ることができた。
本発明の実施により結晶化温度の高い相変化型記録媒体
を用いた光ディスクにおいてレーザ照射による記録層の
結晶化が可能となる。
を用いた光ディスクにおいてレーザ照射による記録層の
結晶化が可能となる。
第１図は本発明の結晶化方法を示す部分断面図、第２図
は従来の結晶化方法を示す部分断面図、第３図は光ディ
スクの構成を示す断面図、である。 図において、 １は樹脂層、 ２はガラス基板、３はディ
スク基板、 ４は記録膜、５は保護膜、 である。 ６はレーザ光、
は従来の結晶化方法を示す部分断面図、第３図は光ディ
スクの構成を示す断面図、である。 図において、 １は樹脂層、 ２はガラス基板、３はディ
スク基板、 ４は記録膜、５は保護膜、 である。 ６はレーザ光、
Claims (1)
- 透明な樹脂層よりなり案内溝を備えたディスク基板上
に、相変化型記録媒体を膜形成した後、レーザ光を該記
録膜に照射して結晶化を行う際、該レーザ光の照射を基
板に対し垂直を避けて行うことを特徴とする相変化型記
録媒体の結晶化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10087589A JPH02278538A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 相変化型記録媒体の結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10087589A JPH02278538A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 相変化型記録媒体の結晶化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278538A true JPH02278538A (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=14285496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10087589A Pending JPH02278538A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 相変化型記録媒体の結晶化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278538A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271019A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-28 | Nec Corp | 相変化型光ディスクの初期化装置 |
| WO1999024977A1 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | First Light Technology, Inc. | System and method of forming bonded storage disks with low power light assembly |
| US6352612B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-03-05 | Steag Hamatech, Inc. | System for forming bonded storage disks with low power light assembly |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10087589A patent/JPH02278538A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271019A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-28 | Nec Corp | 相変化型光ディスクの初期化装置 |
| WO1999024977A1 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | First Light Technology, Inc. | System and method of forming bonded storage disks with low power light assembly |
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| US6500297B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-12-31 | Steag Hamatech, Inc. | Method of forming bonded storage disks with low power light assembly |
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