JP2583221B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP2583221B2 JP2583221B2 JP61302937A JP30293786A JP2583221B2 JP 2583221 B2 JP2583221 B2 JP 2583221B2 JP 61302937 A JP61302937 A JP 61302937A JP 30293786 A JP30293786 A JP 30293786A JP 2583221 B2 JP2583221 B2 JP 2583221B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- film
- optical recording
- alloy
- crystallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体に関するものである。詳しくは情
報の記録、再生、消去の可能な光記録媒体に関するもの
である。
報の記録、再生、消去の可能な光記録媒体に関するもの
である。
光記録媒体としては一度のみ記録の可能なライト・ワ
ンス（Write once）型のデイスクが先行して開発されて
いる。
ンス（Write once）型のデイスクが先行して開発されて
いる。
また、記録、再生、消去が可能な光ディスク媒体とし
ては光磁気記録方式及び相変化型記録方式が主に開発さ
れつつある。
ては光磁気記録方式及び相変化型記録方式が主に開発さ
れつつある。
相変化型記録方式においては記録媒体のアモルフアス
状態と結晶状態の２つの状態における光反射率の差を利
用してレーザービームを用いてビツトの形で記録され
る。
状態と結晶状態の２つの状態における光反射率の差を利
用してレーザービームを用いてビツトの形で記録され
る。
この記録においては、記録膜を初期に結晶化させてお
き膜に対しレーザービームを局所的に照射し、融点以上
に加熱した後急冷することにより、レーザービーム照射
部分をアモルフアス状態に転移してビツト情報を記録す
る。消去はレーザー照射部分の温度が結晶化温度以上で
かつ、融点以下になるようにレーザーのパワー及び照射
時間をコントロールしてアモルフアス→結晶転移を起こ
させる事によつて行なわれる。
き膜に対しレーザービームを局所的に照射し、融点以上
に加熱した後急冷することにより、レーザービーム照射
部分をアモルフアス状態に転移してビツト情報を記録す
る。消去はレーザー照射部分の温度が結晶化温度以上で
かつ、融点以下になるようにレーザーのパワー及び照射
時間をコントロールしてアモルフアス→結晶転移を起こ
させる事によつて行なわれる。
従来相変化型の書き換え可能な記録媒体としてはTeOx
をマトリツクスとしてTe、Ge、Snなどの添加物を加えた
材料や、TeSeを中心とした合金材料が使用されてきた。
をマトリツクスとしてTe、Ge、Snなどの添加物を加えた
材料や、TeSeを中心とした合金材料が使用されてきた。
TeOxを用いた材料では酸素濃度のコントロールが難し
いだけでなく、不純物元素の存在に伴ない、再現性の良
い膜組成を得る事が難しい。またSeを混入させた合金で
は、一般に光吸収が減少するため、高パワーの半導体レ
ーザーが必要である。
いだけでなく、不純物元素の存在に伴ない、再現性の良
い膜組成を得る事が難しい。またSeを混入させた合金で
は、一般に光吸収が減少するため、高パワーの半導体レ
ーザーが必要である。
従来のTeを含む合金系では一般に消去過程（アモルフ
アス→結晶）即ち結晶化に時間がかかるため消去のため
のレーザービームを長円化する必要が生ずるなど光ヘッ
ドへの負担が大きい。現状ではTeGeSn合金において最短
の結晶化時間を示している。これはTeOx系材料にも云
え、総じて、結晶化速度の向上が相変化型記録媒体開発
の大きな課題である。
アス→結晶）即ち結晶化に時間がかかるため消去のため
のレーザービームを長円化する必要が生ずるなど光ヘッ
ドへの負担が大きい。現状ではTeGeSn合金において最短
の結晶化時間を示している。これはTeOx系材料にも云
え、総じて、結晶化速度の向上が相変化型記録媒体開発
の大きな課題である。
本発明は従来の相変化型記録媒体における上述の問題
点を改善すべくおこなわれたものであり、くり返し書込
み、再生、消去を可能とする光記録媒体を提供するもの
である。
点を改善すべくおこなわれたものであり、くり返し書込
み、再生、消去を可能とする光記録媒体を提供するもの
である。
一般にTe系合金としてはアモルフアス相の安定性と結
晶化速度を速めるという２つの相反する要求をみたすた
めTeを母体としてアモルフアス安定化添加元素としてGe
やSeを加えている。本発明者らの実験の結果光記録媒体
としてはアモルフアス−結晶間の光反射率の差を大きく
するためGeの添加が最も有効であることがわかつた。従
つて材料開発としてはTeGe合金をもとに結晶化速度を早
めるべく添加元素を選定する事により行なつた。
晶化速度を速めるという２つの相反する要求をみたすた
めTeを母体としてアモルフアス安定化添加元素としてGe
やSeを加えている。本発明者らの実験の結果光記録媒体
としてはアモルフアス−結晶間の光反射率の差を大きく
するためGeの添加が最も有効であることがわかつた。従
つて材料開発としてはTeGe合金をもとに結晶化速度を早
めるべく添加元素を選定する事により行なつた。
本発明者はTeGe合金においてこのような目的に適する
材料について研究した結果、下記の一般式で表わされる
組成を有する合金を記録層として用い、その上面に誘電
体膜を設けることにより目的を達成した。
材料について研究した結果、下記の一般式で表わされる
組成を有する合金を記録層として用い、その上面に誘電
体膜を設けることにより目的を達成した。
Te100-x（Ge1-yαｙ）Ｘ （式中αはTi、Au、Pb、Pt、Pdの少なくとも一種の元
素、ｘは10＜ｘ＜25原子％、ｙは０＜ｙ＜1.0の値を表
わす。） 上記した組成のTe系合金においてアモルフアス安定性
が高く結晶化速度の速いとされていたTeGeSn合金よりも
速い結晶化速度が観測された。
素、ｘは10＜ｘ＜25原子％、ｙは０＜ｙ＜1.0の値を表
わす。） 上記した組成のTe系合金においてアモルフアス安定性
が高く結晶化速度の速いとされていたTeGeSn合金よりも
速い結晶化速度が観測された。
ｘが10以下では結晶化温度が低すぎでアモルフアス状
態の安定性が不良となり、25以上では結晶化温度が高す
ぎて、消去に要するレーザーのパワーを過大にせねばな
らなくなる。
態の安定性が不良となり、25以上では結晶化温度が高す
ぎて、消去に要するレーザーのパワーを過大にせねばな
らなくなる。
本発明による光記録媒体は、上記の組成を有する合金
を真空蒸着や、スパツタリングなど通常の薄膜形成装置
により作製すれば良い。
を真空蒸着や、スパツタリングなど通常の薄膜形成装置
により作製すれば良い。
基板としては通常、PMMA（ポリメチルメタクリレー
ト）やPC（ポリカーボネイト）のような低熱伝導性材料
が該基板への熱の散逸を防ぐ目的からみて望ましいが、
ガラス基板など熱伝導性の良いものを用いることもで
き、その場合は基板上に感光性樹脂等の有機物膜を形成
した熱の散逸を防ぐのが好ましい。通常ガラス基板上に
有機物膜を形成した場合にはレーザー光照射に伴なう該
有機物膜の熱劣化を防止したり、有機物膜の断熱性によ
る記録媒体温度の急上昇溶融を防止するため該有機物膜
上にSiO2などの誘電体膜を形成する。誘電体膜の厚みは
通常10〜500nm程度で良い。
ト）やPC（ポリカーボネイト）のような低熱伝導性材料
が該基板への熱の散逸を防ぐ目的からみて望ましいが、
ガラス基板など熱伝導性の良いものを用いることもで
き、その場合は基板上に感光性樹脂等の有機物膜を形成
した熱の散逸を防ぐのが好ましい。通常ガラス基板上に
有機物膜を形成した場合にはレーザー光照射に伴なう該
有機物膜の熱劣化を防止したり、有機物膜の断熱性によ
る記録媒体温度の急上昇溶融を防止するため該有機物膜
上にSiO2などの誘電体膜を形成する。誘電体膜の厚みは
通常10〜500nm程度で良い。
記録媒体を成膜後にはオーバーコートとして前述の誘
電体膜を記録膜の上面に形成し、これにより記録媒体へ
のダメージ（穴形成）を防いだり、記録媒体温度の急上
昇を防ぐ。通常媒体を保護するため有機物質系膜を更に
オーバーコートするのが良い。
電体膜を記録膜の上面に形成し、これにより記録媒体へ
のダメージ（穴形成）を防いだり、記録媒体温度の急上
昇を防ぐ。通常媒体を保護するため有機物質系膜を更に
オーバーコートするのが良い。
実施例１〜６、比較例１ 基板として、スライドガラスの表面に感光性樹脂を塗
布し、紫外線を照射して硬化させた樹脂膜厚数10μｍの
下引層を有するガラス基板を用いた。
布し、紫外線を照射して硬化させた樹脂膜厚数10μｍの
下引層を有するガラス基板を用いた。
該ガラス基板をRFスパツタリング装置に導入し、ま
ず、SiO2をターゲツトとしてスパツタリングを行いSiO2
3000Åの保護下引層を形成した。
ず、SiO2をターゲツトとしてスパツタリングを行いSiO2
3000Åの保護下引層を形成した。
次いで、Teターゲツト上に合金添加物であるGe及びT
i、Au、Pb、Pt、Pdのいずれかからなる金属片を所定の
比率に配置し、RFスパツタリングにより10Å／秒の速度
で記録膜を製膜した。得られた記録層の組成は表１に示
した。
i、Au、Pb、Pt、Pdのいずれかからなる金属片を所定の
比率に配置し、RFスパツタリングにより10Å／秒の速度
で記録膜を製膜した。得られた記録層の組成は表１に示
した。
更に該記録層上に上面保護層としてSiO2の3000Åの膜
を形成し、光記録媒体とした。
を形成し、光記録媒体とした。
得られた光記録媒体をＸ線回折により分析したところ
ピークが表われず、アモルフアス相であることが確認さ
れた。
ピークが表われず、アモルフアス相であることが確認さ
れた。
得られた光記録媒体のレーザービームによる書込を第
１図に示す装置を用いて行ない書込能力を判定した。
１図に示す装置を用いて行ない書込能力を判定した。
図１に示した装置において半導体レーザー（波長830n
m）からの光はレンズにより記録媒体面に焦点があわさ
れ、パルスジユネレーターにより照射パワー及び照射時
間が制御された矩形波状の光によりアモルフアス→結晶
転移をおこさせる。アモルフアス→結晶転移は照射スポ
ツトの反射率変化して読みとられる。図２に印加された
レーザーパワーの波形、及び該レーザー光パルス照射に
伴なう記録媒体のビツトの反射率変化の代表例を示す。
m）からの光はレンズにより記録媒体面に焦点があわさ
れ、パルスジユネレーターにより照射パワー及び照射時
間が制御された矩形波状の光によりアモルフアス→結晶
転移をおこさせる。アモルフアス→結晶転移は照射スポ
ツトの反射率変化して読みとられる。図２に印加された
レーザーパワーの波形、及び該レーザー光パルス照射に
伴なう記録媒体のビツトの反射率変化の代表例を示す。
第１にTeGe合金に第３元素としてTi、Au、Pb、Pt、Pd
を添加した時の組成及び結晶化に要した時間を示す。こ
の表で結晶化に伴なう反射率の上昇は結晶化終了付近で
はゆるやかになるため結晶化時間の目やすとしてアモル
フアス状態における反射率をRa、結晶状態における反射
率をRcとしたときRc−Raの80％の値を示す時間とした。
これをtx（80％）と表わす。
を添加した時の組成及び結晶化に要した時間を示す。こ
の表で結晶化に伴なう反射率の上昇は結晶化終了付近で
はゆるやかになるため結晶化時間の目やすとしてアモル
フアス状態における反射率をRa、結晶状態における反射
率をRcとしたときRc−Raの80％の値を示す時間とした。
これをtx（80％）と表わす。
表１において、照射レーザーパワーは2mWで一定とし
ている。前述の誘電体保護膜の厚さを薄くしたり、レー
ザーパワーを記録媒体の融点に達しない範囲内で大きく
する事により結晶化時間は更に短くする事が可能である
と思われる。
ている。前述の誘電体保護膜の厚さを薄くしたり、レー
ザーパワーを記録媒体の融点に達しない範囲内で大きく
する事により結晶化時間は更に短くする事が可能である
と思われる。
比較例１としてTeGe合金にSnを添加した場合を示す。
表１にtx（80％）の値を示した。
表１にtx（80％）の値を示した。
〔発明の効果〕 本発明にかかる光記録媒体は、従来の相変化型記録媒
体に比べ消去時間をより短くする事が可能である。
体に比べ消去時間をより短くする事が可能である。
図１は本発明にかかる薄膜のアモルフアス状態を結晶化
させるためのレーザーパルス照射装置の概略図である。
図２は図１に示した装置により消去結晶化させた際の印
加したレーザービームパルス（ａ）及び反射率を電圧出
力に変換した時のレーザービームパルス照射に伴なう反
射率変化の典型的な図を示している。 １はレーザービームを記録媒体膜上へ焦点あわせするた
めのサーボ用DC電源、２はレーザー光を反射させるミラ
ー、３は試料、４は光ビームスプリツター、５はレン
ズ、６は半導体レーザー素子、７はパルスジユネレータ
ー、８はPINタイプの光センサー、９はシンクロスコー
プを表わす。
させるためのレーザーパルス照射装置の概略図である。
図２は図１に示した装置により消去結晶化させた際の印
加したレーザービームパルス（ａ）及び反射率を電圧出
力に変換した時のレーザービームパルス照射に伴なう反
射率変化の典型的な図を示している。 １はレーザービームを記録媒体膜上へ焦点あわせするた
めのサーボ用DC電源、２はレーザー光を反射させるミラ
ー、３は試料、４は光ビームスプリツター、５はレン
ズ、６は半導体レーザー素子、７はパルスジユネレータ
ー、８はPINタイプの光センサー、９はシンクロスコー
プを表わす。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 裕子 横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成 工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−19490（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−209741（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−2593（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−152487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−202345（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−222442（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】Te100-x（Ge1-yαｙ）ｘ （式中αはTi、Au、Pb、Pt、Pdのうち少なくとも１種の
元素、ｘ、ｙは夫々10＜ｘ＜25、０＜ｙ＜1.0の値を表
わす） で表わされる合金膜を記録層として有し、かつ該合金膜
の上面に誘電体膜を設けたことを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項２】該誘電体膜が、厚さ10〜500nmであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302937A JP2583221B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302937A JP2583221B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155442A JPS63155442A (ja) | 1988-06-28 |
| JP2583221B2 true JP2583221B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17914928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61302937A Expired - Lifetime JP2583221B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583221B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116936A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US6660451B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| TW527592B (en) | 2001-03-19 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording media, and the manufacturing method and record regeneration method of the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS612593A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS61152487A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0673991B2 (ja) * | 1985-07-18 | 1994-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録素子 |
| JP2592800B2 (ja) * | 1986-03-11 | 1997-03-19 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録部材 |
| JPS62202345A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS62222442A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61302937A patent/JP2583221B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63155442A (ja) | 1988-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |