JPH0469076B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0469076B2 JPH0469076B2 JP59012431A JP1243184A JPH0469076B2 JP H0469076 B2 JPH0469076 B2 JP H0469076B2 JP 59012431 A JP59012431 A JP 59012431A JP 1243184 A JP1243184 A JP 1243184A JP H0469076 B2 JPH0469076 B2 JP H0469076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous
- crystalline
- recording layer
- recording
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
- G11C13/06—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using magneto-optical elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/165—Thermal imaging composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザー光等の光学的に情報を記録
する記録媒体、特に消去可能な記録媒体に関す
る。
する記録媒体、特に消去可能な記録媒体に関す
る。
背景技術とその問題点
消去可能な光記録材料としては、光磁気材料の
例えばTbFe，CdCo等が知られている。しかし
ながらこのような光磁気材料による情報記録媒体
にあつてはその記録情報、すなわち磁化の向きを
光の偏光を用いて読み出すものであるために光学
系が複雑となる。また、その消去は、外部磁界に
よつてなすものであるために装置が雑複となる。
例えばTbFe，CdCo等が知られている。しかし
ながらこのような光磁気材料による情報記録媒体
にあつてはその記録情報、すなわち磁化の向きを
光の偏光を用いて読み出すものであるために光学
系が複雑となる。また、その消去は、外部磁界に
よつてなすものであるために装置が雑複となる。
これに比し、非晶質から結晶質へ、また結晶質
から非晶質への可逆的相転移を利用して、急熱急
冷による結晶質から非晶質の相転移を行つて例え
ば情報の記録をなし、徐熱によつて非晶質から結
晶質への相転移を行つて例えば消去をなし、非晶
質態と結晶質状態における反射率Ｒ、透過率τの
変化によつて信号の再生を行う方法が提案され
る。この方法による場合、レーザー光量及び照射
時間によつて結晶質非晶質の相転移を行わしめ
て記録及び消去を行うので、光学系が簡素化され
るという利点を有する。また、この相転移による
記録方法は、その再生信号量が前述した光磁気材
料による再生信号量に比して極めて大きいもので
あつてコントラスト比の大きな記録ができるとい
う利点を有している。
から非晶質への可逆的相転移を利用して、急熱急
冷による結晶質から非晶質の相転移を行つて例え
ば情報の記録をなし、徐熱によつて非晶質から結
晶質への相転移を行つて例えば消去をなし、非晶
質態と結晶質状態における反射率Ｒ、透過率τの
変化によつて信号の再生を行う方法が提案され
る。この方法による場合、レーザー光量及び照射
時間によつて結晶質非晶質の相転移を行わしめ
て記録及び消去を行うので、光学系が簡素化され
るという利点を有する。また、この相転移による
記録方法は、その再生信号量が前述した光磁気材
料による再生信号量に比して極めて大きいもので
あつてコントラスト比の大きな記録ができるとい
う利点を有している。
そして、このような相転移による記録材料とし
ては、Se系の材料、或いはTeの低級酸化物等が
知られている。その中で、Se2Se3は、約170℃で
非晶質から結晶質への相転移が生じるので、この
材料の結晶質非晶質の可逆性を利用した情報記
録媒体が注目される。このSe2Se3による記録材料
では、これを非晶質から結晶質に転移させるの
に、レーザー光を局部的に照射し、この部分を
170℃以上に加熱させることによつて行うことが
できるが、この場合、その非晶質から結晶質の転
移は、170℃以上で或る時間以上に保持させる必
要があり、レーザー光でゆつくり熱する徐熱の条
件が必要となる。これに対して、結晶質から非晶
質への転移は、照射レーザー光量を増加して、そ
の溶融温度の約600℃に加熱することによつて行
うが、この場合、急冷されることが非晶質化に必
要となる。すなわち、徐熱徐冷により非晶質から
結晶質への転移を行わしめ、急冷により結晶質か
ら非晶質への転移を行わしめて、情報の消去と記
録を行うものである。
ては、Se系の材料、或いはTeの低級酸化物等が
知られている。その中で、Se2Se3は、約170℃で
非晶質から結晶質への相転移が生じるので、この
材料の結晶質非晶質の可逆性を利用した情報記
録媒体が注目される。このSe2Se3による記録材料
では、これを非晶質から結晶質に転移させるの
に、レーザー光を局部的に照射し、この部分を
170℃以上に加熱させることによつて行うことが
できるが、この場合、その非晶質から結晶質の転
移は、170℃以上で或る時間以上に保持させる必
要があり、レーザー光でゆつくり熱する徐熱の条
件が必要となる。これに対して、結晶質から非晶
質への転移は、照射レーザー光量を増加して、そ
の溶融温度の約600℃に加熱することによつて行
うが、この場合、急冷されることが非晶質化に必
要となる。すなわち、徐熱徐冷により非晶質から
結晶質への転移を行わしめ、急冷により結晶質か
ら非晶質への転移を行わしめて、情報の消去と記
録を行うものである。
ところが実際上は、この種記録材料において、
その結晶質から非晶質への転移が良好に行われな
い場合がある。これは、結晶質状態にある部分を
レーザー光の照射によつて溶融させてもその冷却
過程で再結晶質化してしまうことにある。
その結晶質から非晶質への転移が良好に行われな
い場合がある。これは、結晶質状態にある部分を
レーザー光の照射によつて溶融させてもその冷却
過程で再結晶質化してしまうことにある。
発明の目的
本発明は上述した欠点を解消し、確実にその非
晶質化、結晶質化を行うことができるようにして
レーザー光、例えば半導体レーザー光によつて確
実に情報の記録再生を行うことができるようにし
た情報記録媒体を提供するものである。
晶質化、結晶質化を行うことができるようにして
レーザー光、例えば半導体レーザー光によつて確
実に情報の記録再生を行うことができるようにし
た情報記録媒体を提供するものである。
すなわち、この種SbSe化合物による記録媒体
においては、例えば基体上に被着された非晶質状
態にあるSbSe薄膜記録層を全体的に、或いは例
えば情報の記録トラツク部分を選択的にレーザー
光照射等によつて加熱して一旦結晶化し、その
後、記録情報に応じて変調されたレーザー光、例
えば半導体レーザー光（波長830nm）による局部
的加熱によつて非晶質状態となして光学的情報ピ
ツトを形成する。この情報ピツトの消去は、例え
ばその記録トラツクに沿つてレーザー光を照射し
て非晶質部分を再び結晶化することによつて行
う。この場合、非晶質状態から結晶状態への転移
は、その加熱温度Ｔを、記録層材料の結晶化温度
TXより高く、溶融温度TMより低い温度、すなわ
ち、 TX＜Ｔ＜TM とするものであるが、この場合、この条件下にお
ける温度Ｔに保持される時間をtaとするとこの時
間taは、結晶化に要する時間t0より長い ta＞t0 …(1) なる時間とする必要がある。一方、結晶質状態か
ら非晶質状態への転移は、その溶融温度TMより
大に加熱し、冷却するものであるが、この時の温
度TMから結晶化温度TXまでに冷却するに要する
時間をtbとするとき、この時間tbは結晶化に要す
る時間t0より短く t0＞tb …(2) に選ばれる必要がある。したがつて、このような
非晶質結晶質の両転移を確実に行わしめるに
は、 ta＞t0＞tb …(3) に選ばれることが必要となる。
においては、例えば基体上に被着された非晶質状
態にあるSbSe薄膜記録層を全体的に、或いは例
えば情報の記録トラツク部分を選択的にレーザー
光照射等によつて加熱して一旦結晶化し、その
後、記録情報に応じて変調されたレーザー光、例
えば半導体レーザー光（波長830nm）による局部
的加熱によつて非晶質状態となして光学的情報ピ
ツトを形成する。この情報ピツトの消去は、例え
ばその記録トラツクに沿つてレーザー光を照射し
て非晶質部分を再び結晶化することによつて行
う。この場合、非晶質状態から結晶状態への転移
は、その加熱温度Ｔを、記録層材料の結晶化温度
TXより高く、溶融温度TMより低い温度、すなわ
ち、 TX＜Ｔ＜TM とするものであるが、この場合、この条件下にお
ける温度Ｔに保持される時間をtaとするとこの時
間taは、結晶化に要する時間t0より長い ta＞t0 …(1) なる時間とする必要がある。一方、結晶質状態か
ら非晶質状態への転移は、その溶融温度TMより
大に加熱し、冷却するものであるが、この時の温
度TMから結晶化温度TXまでに冷却するに要する
時間をtbとするとき、この時間tbは結晶化に要す
る時間t0より短く t0＞tb …(2) に選ばれる必要がある。したがつて、このような
非晶質結晶質の両転移を確実に行わしめるに
は、 ta＞t0＞tb …(3) に選ばれることが必要となる。
本発明においては、上記(3)式の条件の設定を容
易確実にし、記録層の結晶質非晶質の転移、す
なわち、情報の記録、消去を確実に行うことがで
きるようにした情報記録媒体を提供するものであ
る。
易確実にし、記録層の結晶質非晶質の転移、す
なわち、情報の記録、消去を確実に行うことがで
きるようにした情報記録媒体を提供するものであ
る。
発明の概要
本発明は、Sbが58〜85原子％のSbSe化合物、
好ましくはSbが68〜77原子％のSbSe化合物より
成る薄膜記録層を有し、この薄膜記録層に光照射
により情報を記録する情報記録媒体を構成する。
好ましくはSbが68〜77原子％のSbSe化合物より
成る薄膜記録層を有し、この薄膜記録層に光照射
により情報を記録する情報記録媒体を構成する。
ここにSbをSbSe化合物において58〜85原子％、
好ましくは68〜77原子％に選定するのは、Sbが
68原子％未満、特に58原子％未満である場合、結
晶化に要する時間t0が長く、前記(1)式の条件を満
たし難く、非晶質状態から結晶質状態への転移を
生じさせにくくなることを認めたことによる。ま
た、Sbが77原子％を超える特に85原子％を越え
る場合、結晶化時間t0が短くなり過ぎ前記(1)式の
条件は満たし易くなるが、前記(2)式の条件を満た
し難く、結晶質状態から非晶質状態に転移を行わ
しめんとしても再結晶化が生じてしまつて、非晶
質状態に戻すことができ難くなることによる。ま
た、Sbの含有量が余り多量になると、薄膜作成
時に一部Sbの結晶の析出が生じ、更に、レーザ
ー光照射による加熱によつて結晶化した結晶粒子
の径が大きくなり、信号再生時のノイズとなる。
好ましくは68〜77原子％に選定するのは、Sbが
68原子％未満、特に58原子％未満である場合、結
晶化に要する時間t0が長く、前記(1)式の条件を満
たし難く、非晶質状態から結晶質状態への転移を
生じさせにくくなることを認めたことによる。ま
た、Sbが77原子％を超える特に85原子％を越え
る場合、結晶化時間t0が短くなり過ぎ前記(1)式の
条件は満たし易くなるが、前記(2)式の条件を満た
し難く、結晶質状態から非晶質状態に転移を行わ
しめんとしても再結晶化が生じてしまつて、非晶
質状態に戻すことができ難くなることによる。ま
た、Sbの含有量が余り多量になると、薄膜作成
時に一部Sbの結晶の析出が生じ、更に、レーザ
ー光照射による加熱によつて結晶化した結晶粒子
の径が大きくなり、信号再生時のノイズとなる。
更に説明すると、第１図は、アクリル基板上に
800〜1100Åの厚さのSbSe化合物薄膜記録層を蒸
着し、更にこれの上にアククリル板を配した構造
をとり、その記録層におけるSb含有量を変化さ
せた各試料に関して、SbSe記録層が非晶質状態
の場合と、これを加熱徐冷して結晶化した状態と
の各反射率Ｒの測定結果を示す。第１図中、曲線
１は非晶質状態、２は結晶質状態の夫々の反射率
Ｒを示し、これら曲線１及び２をみて明らかなよ
うに、Sb含有量を変えても、非晶質状態と結晶
質状態の反射率Ｒの変化量は大きくとれることが
分る。
800〜1100Åの厚さのSbSe化合物薄膜記録層を蒸
着し、更にこれの上にアククリル板を配した構造
をとり、その記録層におけるSb含有量を変化さ
せた各試料に関して、SbSe記録層が非晶質状態
の場合と、これを加熱徐冷して結晶化した状態と
の各反射率Ｒの測定結果を示す。第１図中、曲線
１は非晶質状態、２は結晶質状態の夫々の反射率
Ｒを示し、これら曲線１及び２をみて明らかなよ
うに、Sb含有量を変えても、非晶質状態と結晶
質状態の反射率Ｒの変化量は大きくとれることが
分る。
また、第２図は、非晶質状態の各組成比の
SbSe薄膜記録層を有するデイスクを用意し、こ
れを300rpmの回転速度をもつて回転して、これ
にレーザービームを、そのデイスク面におけるレ
ーザーパワーを変えて照射した後夫々の半導体レ
ーザー光に対する反射率を光検出素子の再生出力
によつて測定した結果を示す。同図中、曲線３は
Sb68Sb32の場合、曲線４はSb71Se29の場合、曲線
５はSb73Se27の場合、曲線６はSb77Se23の場合、
曲線７はSb81Se19の場合である。これによればSb
の含有量が大になるほど、低いパワーで、反射率
の変化が大きく生じる非晶質から結晶質への転移
が得られることがわかる。
SbSe薄膜記録層を有するデイスクを用意し、こ
れを300rpmの回転速度をもつて回転して、これ
にレーザービームを、そのデイスク面におけるレ
ーザーパワーを変えて照射した後夫々の半導体レ
ーザー光に対する反射率を光検出素子の再生出力
によつて測定した結果を示す。同図中、曲線３は
Sb68Sb32の場合、曲線４はSb71Se29の場合、曲線
５はSb73Se27の場合、曲線６はSb77Se23の場合、
曲線７はSb81Se19の場合である。これによればSb
の含有量が大になるほど、低いパワーで、反射率
の変化が大きく生じる非晶質から結晶質への転移
が得られることがわかる。
また、第３図はガラス基板上に各組成比の
SbSe化合物の薄膜記録層を蒸着して後、これを
加熱徐冷して全面的に結晶質化し、このような処
理をなした薄膜記録層を有する各試料、すなわち
デイスクを用意し、これを300rpmの回転速度で
回転させて半導体レーザー光を照射し、そのレー
ザーパワー（デイスク面上でのレーザーパワー）
を変化させて照射した後に、夫々に関し、その照
射部の半導体レーザーに対する反射率を光検出素
子の再生出力によつて測定したものである。第３
図中、曲線８は、薄膜記録層がSb59Se42の場合、
曲線９はSb68Se32の場合である。また曲線１０は
Se81Se19の場合で、この場合は、記録層に変形が
生じてしまつて、光学的特性の変化、すなわち反
射率変化を検出することがきなかつた。すなわ
ち、これによればSbの含有量が少いほど結晶質
から非晶質への転移による反射率変化が大きく生
ずることがわかる。
SbSe化合物の薄膜記録層を蒸着して後、これを
加熱徐冷して全面的に結晶質化し、このような処
理をなした薄膜記録層を有する各試料、すなわち
デイスクを用意し、これを300rpmの回転速度で
回転させて半導体レーザー光を照射し、そのレー
ザーパワー（デイスク面上でのレーザーパワー）
を変化させて照射した後に、夫々に関し、その照
射部の半導体レーザーに対する反射率を光検出素
子の再生出力によつて測定したものである。第３
図中、曲線８は、薄膜記録層がSb59Se42の場合、
曲線９はSb68Se32の場合である。また曲線１０は
Se81Se19の場合で、この場合は、記録層に変形が
生じてしまつて、光学的特性の変化、すなわち反
射率変化を検出することがきなかつた。すなわ
ち、これによればSbの含有量が少いほど結晶質
から非晶質への転移による反射率変化が大きく生
ずることがわかる。
これら第第２図及び第３図から明らかなよう
に、SbSe化合物記録層による場合、Seの成る含
有量範囲で非晶質及び結晶質相互の可逆的変換を
良好に行うことができるものであることがわか
る。これらの測定結果では、デイスクの回転数を
300rpmとしたが、これを例えば1800rpmに上げ
ることにより実質的な冷却時間tbを短くできる。
この理由は、レーザーの移動速度が早くと、蓄熱
効果が少くなり、冷却速度が早くなることによ
る。事実、Sb81Se19のものは300rpmでは結晶質
から非晶質への転移が困難であつたが、1800rpm
では可能であつた。すなわち膜の結晶化時間t0は
同じでも、デイスク回転数を変えることにより前
述の条件式(1)を満足させることができる。
に、SbSe化合物記録層による場合、Seの成る含
有量範囲で非晶質及び結晶質相互の可逆的変換を
良好に行うことができるものであることがわか
る。これらの測定結果では、デイスクの回転数を
300rpmとしたが、これを例えば1800rpmに上げ
ることにより実質的な冷却時間tbを短くできる。
この理由は、レーザーの移動速度が早くと、蓄熱
効果が少くなり、冷却速度が早くなることによ
る。事実、Sb81Se19のものは300rpmでは結晶質
から非晶質への転移が困難であつたが、1800rpm
では可能であつた。すなわち膜の結晶化時間t0は
同じでも、デイスク回転数を変えることにより前
述の条件式(1)を満足させることができる。
逆に非晶質から結晶質へ転移せしめるためにデ
イスクの回転数を遅くするとか、非晶質結晶質
の可逆転移を同一デイスク回転数で行う場合には
非晶質から結晶質へ転移せしめるときだけ、照射
レーザー光のビームスポツトを楕円にすることに
より実質的にtaを長くすることができ前述条件(2)
を満足させることができる。以上のことから前述
した(3)式を満足することのできるSb含有量は、
58〜85原子％であることが確かめられた。
イスクの回転数を遅くするとか、非晶質結晶質
の可逆転移を同一デイスク回転数で行う場合には
非晶質から結晶質へ転移せしめるときだけ、照射
レーザー光のビームスポツトを楕円にすることに
より実質的にtaを長くすることができ前述条件(2)
を満足させることができる。以上のことから前述
した(3)式を満足することのできるSb含有量は、
58〜85原子％であることが確かめられた。
実施例 １
案内溝付き厚さ1.2mmのインジエクシヨン法に
より成型されたアクリツ基板上にSiO2膜を電子
ビーム蒸着法で1500Åの厚さに蒸着し、これの上
にSb70Se30膜による薄膜記録層を形成した。この
SbSe薄膜記録層は、Sb2Se3蒸着源とSb蒸着源と
を用い、それぞれの蒸発の割合を制御して共蒸着
により900Å程度の厚さに形成した。その後、更
にこのSb70Se30薄膜記録層上にSiO2膜を1200Åの
厚さに蒸着し、更にこれの上に紫外線硬化型樹脂
を用いて1.2mmの厚さのアクリル板と密着させ硬
化させた。この場合、薄膜記録層を挟んでSiO2
膜を形成するようにしたのは、薄膜記録層にレー
ザー光を集光照射して局部的に加熱した時にアク
リル基板に熱変形が生じることがないようにし
て、この熱変形による非可逆的反応を回避するた
めのものある。このようにして作製した直径200
mmのデイスクに対し、半導体レーザー光をアクリ
ル基板側から照射して記録消去を行つた。すなわ
ち、先ず、非晶質状態で形成された薄膜記録層の
記録トラツクとなる部分をデイスク回転数
450rpmで結晶化した。このときの半導体レーザ
ーのデイスク面上のパワーは11mWであつた。次
に、このようにして結晶化したトラツクを、デイ
スク回転数1800rpm、レーザーパワー変調周波数
2MHzで結晶質から非晶質化して記録を行つた。
この時のピークパワーはデイスク面で15mWであ
つた。このとき、良好な光学的記録ピツトを形成
できた。さらに同一トラツクを450rpmで再び結
晶化を行い信号が消去できたことを確認した。こ
のときの半導体レーザーのパワーはデイスク面上
11mWで先の条件と同一であつた。
より成型されたアクリツ基板上にSiO2膜を電子
ビーム蒸着法で1500Åの厚さに蒸着し、これの上
にSb70Se30膜による薄膜記録層を形成した。この
SbSe薄膜記録層は、Sb2Se3蒸着源とSb蒸着源と
を用い、それぞれの蒸発の割合を制御して共蒸着
により900Å程度の厚さに形成した。その後、更
にこのSb70Se30薄膜記録層上にSiO2膜を1200Åの
厚さに蒸着し、更にこれの上に紫外線硬化型樹脂
を用いて1.2mmの厚さのアクリル板と密着させ硬
化させた。この場合、薄膜記録層を挟んでSiO2
膜を形成するようにしたのは、薄膜記録層にレー
ザー光を集光照射して局部的に加熱した時にアク
リル基板に熱変形が生じることがないようにし
て、この熱変形による非可逆的反応を回避するた
めのものある。このようにして作製した直径200
mmのデイスクに対し、半導体レーザー光をアクリ
ル基板側から照射して記録消去を行つた。すなわ
ち、先ず、非晶質状態で形成された薄膜記録層の
記録トラツクとなる部分をデイスク回転数
450rpmで結晶化した。このときの半導体レーザ
ーのデイスク面上のパワーは11mWであつた。次
に、このようにして結晶化したトラツクを、デイ
スク回転数1800rpm、レーザーパワー変調周波数
2MHzで結晶質から非晶質化して記録を行つた。
この時のピークパワーはデイスク面で15mWであ
つた。このとき、良好な光学的記録ピツトを形成
できた。さらに同一トラツクを450rpmで再び結
晶化を行い信号が消去できたことを確認した。こ
のときの半導体レーザーのパワーはデイスク面上
11mWで先の条件と同一であつた。
第４図は、ガラス基板上に形成したSb68Se32の
薄膜記録層の膜厚を変化させた場合の、その形成
のままの状態（非晶質状態）の半導体レーザー光
に対する反射率Ｒ（曲線１１）と、これを加熱徐
冷して結晶質状態とした場合の同様の反射率Ｒ
（曲線１２）とを示したもので、これより明らか
なように記録層が単層であつても、その厚さを
850Å以上とすることによつて、膜厚によらずに、
非晶質状態と結晶質状態で大きな反射率の変化が
得られることが分る。尚、この場合、非晶質状態
の複素屈析率n^は、n^＝4.4−i1.5、結晶質状態のn^
は、n^＝4.9−i2.8である。
薄膜記録層の膜厚を変化させた場合の、その形成
のままの状態（非晶質状態）の半導体レーザー光
に対する反射率Ｒ（曲線１１）と、これを加熱徐
冷して結晶質状態とした場合の同様の反射率Ｒ
（曲線１２）とを示したもので、これより明らか
なように記録層が単層であつても、その厚さを
850Å以上とすることによつて、膜厚によらずに、
非晶質状態と結晶質状態で大きな反射率の変化が
得られることが分る。尚、この場合、非晶質状態
の複素屈析率n^は、n^＝4.4−i1.5、結晶質状態のn^
は、n^＝4.9−i2.8である。
尚、上述したところは主として結晶→非晶質に
よつて記録をなし、非晶質→結晶によつて消去を
行つた場合であるが、記録、消去をこれとは逆の
態様とすることもできる。
よつて記録をなし、非晶質→結晶によつて消去を
行つた場合であるが、記録、消去をこれとは逆の
態様とすることもできる。
発明の効果
上述したように、本発明によれば、SbSe化合
物による記録層においてSbを58〜85原子％、好
ましくは68〜77原子％含有せしめたことによつ
て、結晶非晶質の転移を良好に行うことがで
き、単層構造で大きな光学的特性、すなわち反射
率の変化を得ることができるので、簡潔な構造
で、確実な記録及び消去が可能な記録媒体を得る
ことができ、ビデオデイスク、オーデオデイスク
として用いて好適なものである。
物による記録層においてSbを58〜85原子％、好
ましくは68〜77原子％含有せしめたことによつ
て、結晶非晶質の転移を良好に行うことがで
き、単層構造で大きな光学的特性、すなわち反射
率の変化を得ることができるので、簡潔な構造
で、確実な記録及び消去が可能な記録媒体を得る
ことができ、ビデオデイスク、オーデオデイスク
として用いて好適なものである。
第１図はSbSe化合物におけるSb含有量に対す
る非晶質及び結晶質各状態の反射率を示す曲線
図、第２図及び第３図は各組成のSbSe化合物の
照射レザーパワーに対する反射光検出出力の測定
結果を示す曲線図、第４図はSbSe化合物の膜厚
と反射率との関係を示す曲線図である。
る非晶質及び結晶質各状態の反射率を示す曲線
図、第２図及び第３図は各組成のSbSe化合物の
照射レザーパワーに対する反射光検出出力の測定
結果を示す曲線図、第４図はSbSe化合物の膜厚
と反射率との関係を示す曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に形成された薄膜記録層に光照射し、
該薄膜記録層の相変化による反射率変化を利用し
て情報を記録または再生する光学情報記録媒体に
おいて、 Sbが58〜85原子％のSbSe化合物より成る単層
薄膜記録層を有し、該薄膜記録層に光照射により
情報を記録することを特徴とする光学情報記録媒
体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012431A JPS60155495A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光学情報記録媒体 |
| US06/693,037 US4633273A (en) | 1984-01-26 | 1985-01-22 | Information recording medium including antimony-selenium compounds |
| KR1019850000344A KR850005705A (ko) | 1984-01-26 | 1985-01-22 | 정보 기록매체 |
| EP85300471A EP0153807B1 (en) | 1984-01-26 | 1985-01-24 | Optical information recording methods |
| DE8585300471T DE3569308D1 (en) | 1984-01-26 | 1985-01-24 | Optical information recording methods |
| CA000472906A CA1220860A (en) | 1984-01-26 | 1985-01-25 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012431A JPS60155495A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光学情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60155495A JPS60155495A (ja) | 1985-08-15 |
| JPH0469076B2 true JPH0469076B2 (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=11805097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59012431A Granted JPS60155495A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4633273A (ja) |
| EP (1) | EP0153807B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60155495A (ja) |
| KR (1) | KR850005705A (ja) |
| CA (1) | CA1220860A (ja) |
| DE (1) | DE3569308D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6192448A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| DE3675845D1 (de) * | 1985-08-15 | 1991-01-10 | Ibm | Optisches aufzeichnungsverfahren. |
| US4787077A (en) * | 1985-08-15 | 1988-11-22 | International Business Machines Corporation | Process for optically storing information using materials having a single phase in both the crystalline state and the amorphous state |
| CN1010519B (zh) | 1985-09-25 | 1990-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 可逆的光学情报记录介质 |
| US4818666A (en) * | 1986-03-28 | 1989-04-04 | U.S. Philips Corporation | Erasable optical recording element and method of optically recording and erasing information |
| JPH07111788B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録媒体 |
| US4876667A (en) * | 1987-06-22 | 1989-10-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite |
| US4924436A (en) * | 1987-06-22 | 1990-05-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite and method of direct overwrite |
| US5273861A (en) * | 1987-12-04 | 1993-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information |
| US5063097A (en) * | 1988-12-16 | 1991-11-05 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| JP2556183B2 (ja) * | 1990-09-11 | 1996-11-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体 |
| KR100687750B1 (ko) * | 2005-09-07 | 2007-02-27 | 한국전자통신연구원 | 안티몬과 셀레늄 금속합금을 이용한 상변화형 메모리소자및 그 제조방법 |
| KR101566263B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2015-11-05 | 연세대학교 산학협력단 | 초해상막 및 이를 이용한 리소그래피 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL169408C (nl) * | 1972-04-18 | 1982-07-16 | Idn Invention Dev Novelties | Opberginrichting omvattend een gestel met vakken voor het opnemen van schuifladen, in het bijzonder voor het opbergen van geluids- en beeldbandcassettes. |
| US3778785A (en) * | 1972-04-20 | 1973-12-11 | Ibm | Method for writing information at nanosecond speeds and a memory system therefor |
| DE2358859C3 (de) * | 1973-11-26 | 1981-08-06 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Aufzeichungsträger zum optischen Aufzeichnen von Informationen mittels sequentieller Signale |
| JPS56163528A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Recording and erasing method of optical information |
| JPS5738190A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Hitachi Ltd | Recording member |
| JPS57205193A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical information recording medium |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP59012431A patent/JPS60155495A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-22 US US06/693,037 patent/US4633273A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-22 KR KR1019850000344A patent/KR850005705A/ko not_active Application Discontinuation
- 1985-01-24 EP EP85300471A patent/EP0153807B1/en not_active Expired
- 1985-01-24 DE DE8585300471T patent/DE3569308D1/de not_active Expired
- 1985-01-25 CA CA000472906A patent/CA1220860A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR850005705A (ko) | 1985-08-28 |
| JPS60155495A (ja) | 1985-08-15 |
| US4633273A (en) | 1986-12-30 |
| EP0153807B1 (en) | 1989-04-05 |
| DE3569308D1 (en) | 1989-05-11 |
| CA1220860A (en) | 1987-04-21 |
| EP0153807A1 (en) | 1985-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3566743B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| Barton et al. | New phase change material for optical recording with short erase time | |
| JPH0469076B2 (ja) | ||
| JP3136153B2 (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH01116937A (ja) | 光学情報記録再生消去部材 | |
| JPH05159360A (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JP2827545B2 (ja) | 光学情報の記録方法 | |
| JP2556183B2 (ja) | 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体 | |
| JPS613324A (ja) | 光学情報記録方法 | |
| JPH01229426A (ja) | 光学情報の記録方法 | |
| JP4327045B2 (ja) | 情報再生方法及び情報記録媒体 | |
| JP3080844B2 (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JPH0530393B2 (ja) | ||
| JPS63228433A (ja) | 光学情報記録再生消去部材 | |
| JPH03152736A (ja) | 光学情報記録媒体と光学情報記録媒体用保護膜 | |
| JPH0312824A (ja) | 相変化型光記録媒体の記録・消去・再生方法及び構成方法 | |
| JPS62200544A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR100186525B1 (ko) | 상변화형 광디스크 구조 | |
| JP3415099B2 (ja) | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2809818B2 (ja) | 記録媒体 | |
| KR0183833B1 (ko) | 상변화형 광디스크 | |
| JPS60155496A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2798247B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3138514B2 (ja) | 情報光記録媒体とその記録再生方法 | |
| JPH0825338B2 (ja) | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |