JPS62200544A - 光記録媒体 - Google Patents
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はシー１１ビーム等の照ｑ１により記録材料の相
変化を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に係わ
り、特に記録状態を安定した媒体に関するものである。
変化を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に係わ
り、特に記録状態を安定した媒体に関するものである。
情報の記録・再生のみならず、記録された情報の消去を
可能にした光記録媒体としては光磁気型。
可能にした光記録媒体としては光磁気型。
相変化型の媒体が知られている。
この内、相変化型の光記録媒体は記録材料にシー１１ビ
ームを照射し、記録材料が結晶質と非晶質（以下、アモ
ルファスという）との間で可逆的に相転移することを利
用して情報の記録・消去を行っている。すなわち、記録
膜にレーザビームを照射して急速加熱し、これを急速冷
７Ｊｌすることにより、結晶質からアモルファスへ相転
移を行って情報の記録がされる。また、レーデビームを
照射して加熱したのち、徐冷することにＪζす、再び結
晶質へ戻すことで記録情報の消去がされる。情報の再生
は、情報が記録されたアモルファス部分と記録されてい
ない結晶質との反射率、透過率の変化をレーザビームを
照射して読み取ることでなされる。
ームを照射し、記録材料が結晶質と非晶質（以下、アモ
ルファスという）との間で可逆的に相転移することを利
用して情報の記録・消去を行っている。すなわち、記録
膜にレーザビームを照射して急速加熱し、これを急速冷
７Ｊｌすることにより、結晶質からアモルファスへ相転
移を行って情報の記録がされる。また、レーデビームを
照射して加熱したのち、徐冷することにＪζす、再び結
晶質へ戻すことで記録情報の消去がされる。情報の再生
は、情報が記録されたアモルファス部分と記録されてい
ない結晶質との反射率、透過率の変化をレーザビームを
照射して読み取ることでなされる。
ところで、従来より相変化型の光記録媒体としては、純
Ｔｅ （テルル単体）を記録膜に使用したものが知ら
れている（△、Ｅ、３ａｌ１等″消去可能な光ディスク
” ＡＩ）＋１１ − Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３８ 、
ｐＨ９２０−９２１，Ｉ Ｊｕｎｅ １９８１）
。
Ｔｅ （テルル単体）を記録膜に使用したものが知ら
れている（△、Ｅ、３ａｌ１等″消去可能な光ディスク
” ＡＩ）＋１１ − Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３８ 、
ｐＨ９２０−９２１，Ｉ Ｊｕｎｅ １９８１）
。
しかしながら、上記従来の光記録媒体に使用される純Ｔ
ｅは結晶化温度が′！ｙ温付近（約１０℃前後）に存在
するので、記録情報、が含まれるシー１１ビームを照射
し、純Ｔｅ４！Ｉ膜を結晶質からアモルファスへ相変化
させて記録を行って−ｂ、経時変化によりアモルファス
部分が結晶質状態へ戻り、記録が自然消去されるおそれ
がある。
ｅは結晶化温度が′！ｙ温付近（約１０℃前後）に存在
するので、記録情報、が含まれるシー１１ビームを照射
し、純Ｔｅ４！Ｉ膜を結晶質からアモルファスへ相変化
させて記録を行って−ｂ、経時変化によりアモルファス
部分が結晶質状態へ戻り、記録が自然消去されるおそれ
がある。
このように、Ｉｆ！ＴＯを記録膜に使用した上記従来の
光記録媒体にあっては、安定した記録状態を維持できな
いという問題点があった。
光記録媒体にあっては、安定した記録状態を維持できな
いという問題点があった。
本発明は上記事情に基づいてなされたものであり、その
目的は経時変化によっても記録情報が消去するおそれが
なく、衣定した記録状態を維持することかできる光記録
媒体を提供することにある。
目的は経時変化によっても記録情報が消去するおそれが
なく、衣定した記録状態を維持することかできる光記録
媒体を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、光ビームの照射条
件に応じて基体に積層された薄膜、Ｆに情報を記録する
とともに記録された情報の再生、消去を行う相変化型の
光記録媒体において、前記薄膜を共晶反応温度が３００
℃乃至８００℃のテルル共晶合金で形成したことを特徴
とする。
件に応じて基体に積層された薄膜、Ｆに情報を記録する
とともに記録された情報の再生、消去を行う相変化型の
光記録媒体において、前記薄膜を共晶反応温度が３００
℃乃至８００℃のテルル共晶合金で形成したことを特徴
とする。
第１図は本発明に係る光記録媒体の断面を示しており、
図示する光記録媒体１は、基板３．第１の保護膜５．記
録膜７．第２の保護膜９及び紫外線硬化樹脂（ＵＶ）膜
１１をこの順番で積層して円板状に形成したものである
。
図示する光記録媒体１は、基板３．第１の保護膜５．記
録膜７．第２の保護膜９及び紫外線硬化樹脂（ＵＶ）膜
１１をこの順番で積層して円板状に形成したものである
。
基板３は、アクリルやポリカーボネート等の樹脂または
ガラスににり形成された透明基板である。
ガラスににり形成された透明基板である。
第１．第２の保護膜５，９は５ｉ０２をスパッタ法また
は蒸着法で５０Ａ〜５０００Ａの厚さで形成したらので
ある。これら保護膜５．９により、記録膜７の酸化や記
録１時における記録膜７の飛散あるいは穴明けが防止さ
れる。
は蒸着法で５０Ａ〜５０００Ａの厚さで形成したらので
ある。これら保護膜５．９により、記録膜７の酸化や記
録１時における記録膜７の飛散あるいは穴明けが防止さ
れる。
また、上記ＵＶ膜１１は、第２の記録膜９上にＵｖ樹脂
を塗布して紫外線で硬化したもので、このＵＶ成膜１に
より光記録媒体１の使用時における傷やひびｖｌれ等の
機械的損傷が防止される。
を塗布して紫外線で硬化したもので、このＵＶ成膜１に
より光記録媒体１の使用時における傷やひびｖｌれ等の
機械的損傷が防止される。
記録膜７は、共晶組成をイｆするＴａｒｎ、Ｔｃ’Ｓｉ
、ＴｅＡｌ 、 ＴｅＱａ、”ｒｅＢｉの各Ｔｅ共晶
合金から適宜選択されて使用され、スパッタ法まｌζは
蒸着法にて第１の保護膜５上に成膜される。
、ＴｅＡｌ 、 ＴｅＱａ、”ｒｅＢｉの各Ｔｅ共晶
合金から適宜選択されて使用され、スパッタ法まｌζは
蒸着法にて第１の保護膜５上に成膜される。
一般に、共晶組成を有する合金は、容易にアモルファス
化される。特に、Ｔｅｌｎ合金はＴｅ＋ ｏ ｏ −ｘ
Ｉｎｘ （但し、ｘ−１０〜３ｏ原子％）の組成にお
いて、３速加熱後に急冷するとアモルファス状態となり
、このアモルファス状態は室温下でも安定している。
化される。特に、Ｔｅｌｎ合金はＴｅ＋ ｏ ｏ −ｘ
Ｉｎｘ （但し、ｘ−１０〜３ｏ原子％）の組成にお
いて、３速加熱後に急冷するとアモルファス状態となり
、このアモルファス状態は室温下でも安定している。
第２図〜第６図はそれぞれ共晶組成を有するＴｅｌｎ合
金、ＴｅＳｉ合金、ＴｅＡ１合金、 ＴｅＱａ合金及び
ＴｅＢ１合金の各状態図を示している。
金、ＴｅＳｉ合金、ＴｅＡ１合金、 ＴｅＱａ合金及び
ＴｅＢ１合金の各状態図を示している。
各図からもわかるように、Ｔｅリッチ側にそれぞれ共晶
組成を右し、各共晶反応温度はＴｅ Ｉｎ。
組成を右し、各共晶反応温度はＴｅ Ｉｎ。
ＴｅＳｉが約４５０℃、ＴｅＡｌ 、ＴｅＧａ、Ｔｅ５
ｉが約４１０℃て−ある。このように上記各合金は何れ
も約４００℃付近すなわら、３００℃〜８００℃に共晶
反応温度が存在するので、低出力のレーザビームにより
溶融される。
ｉが約４１０℃て−ある。このように上記各合金は何れ
も約４００℃付近すなわら、３００℃〜８００℃に共晶
反応温度が存在するので、低出力のレーザビームにより
溶融される。
本発明の記録膜７は上述のようなＴｅ共晶合金の性質に
着目したものである。
着目したものである。
次に本発明の具体的な実施例について説明する。
実施例１
Ｓｉ０２ターグツ１−を使用してスパッタ法によりガラ
ス基板上に厚さ１０００ΔのＳｉＯ２膜（第１の保護膜
５）を形成した。
ス基板上に厚さ１０００ΔのＳｉＯ２膜（第１の保護膜
５）を形成した。
次に、ＴｅターゲットとＩｎターゲットを使用して２元
同時スパッタ払により各ターグツ１−に投入するパワー
を調節することによって、Ｔｅｏ５ｒｎ１５の記録膜７
／！−厚さ２０００ΔでＳｉＯ２膜上に形成した。
同時スパッタ払により各ターグツ１−に投入するパワー
を調節することによって、Ｔｅｏ５ｒｎ１５の記録膜７
／！−厚さ２０００ΔでＳｉＯ２膜上に形成した。
次いで、記録膜５上に第１の保護膜５と同様の方法で厚
さ１０００Δの８ ！ ０２ ｌＩＳ！を第２の保詭膜
９として形成した。さらに、この第２の保Ｗ １１２９
上にＵｖ樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させてＵ
Ｖ成膜１を形成した。
さ１０００Δの８ ！ ０２ ｌＩＳ！を第２の保詭膜
９として形成した。さらに、この第２の保Ｗ １１２９
上にＵｖ樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させてＵ
Ｖ成膜１を形成した。
上述のように形成された記録膜７は成膜時にはアモルフ
ァスのため、５ｍＷのレーザビームを連続照射し、徐冷
して結晶化した。次いで、記録情報を含む出力９Ｉｌｌ
Ｗ、パルス幅２００ ｎＳのレーザビーム１５を照射し
、急速冷却して記録膜７をアモルファス化し記録ビット
部１３を形成して情報の古き込みをした。
ァスのため、５ｍＷのレーザビームを連続照射し、徐冷
して結晶化した。次いで、記録情報を含む出力９Ｉｌｌ
Ｗ、パルス幅２００ ｎＳのレーザビーム１５を照射し
、急速冷却して記録膜７をアモルファス化し記録ビット
部１３を形成して情報の古き込みをした。
上述のように情報が記録されたＴｅａ５１ｎ＋５で形成
された記録膜７のアモルファス状態の安定性をＸ線回折
により調べたところ、室温下で３力月放置しても安定に
アモルファス状態が存在し、記録は安定して存在してい
ることが判明した。
された記録膜７のアモルファス状態の安定性をＸ線回折
により調べたところ、室温下で３力月放置しても安定に
アモルファス状態が存在し、記録は安定して存在してい
ることが判明した。
なお、情報の再生は、アモルファス（記録ピッ１〜部１
３）と結晶（記録ピッ１〜でない部分）とで表面反射率
が異なることを利用し、出力的０．５ｍ Ｗのレーザビ
ームを連続照射し、記録ビット部１３と記録されていな
い部分からの反射光の光ｍの変化を検出して情″ｔ１１
の再生を行った。
３）と結晶（記録ピッ１〜でない部分）とで表面反射率
が異なることを利用し、出力的０．５ｍ Ｗのレーザビ
ームを連続照射し、記録ビット部１３と記録されていな
い部分からの反射光の光ｍの変化を検出して情″ｔ１１
の再生を行った。
また、情報の消去は、アモルファスの記録ビット部１３
を加熱・徐）りして結晶に戻すことによって可能である
。出力的２ｍ Ｗ、パルス幅２μｓのレーザビームをア
モルファスの記録ビット部に照射し記録膜７の結晶化温
度以上に加熱して徐冷づ゛ることにＪ：り記録ビット部
を結晶に房すことＣ情報の消去をした。
を加熱・徐）りして結晶に戻すことによって可能である
。出力的２ｍ Ｗ、パルス幅２μｓのレーザビームをア
モルファスの記録ビット部に照射し記録膜７の結晶化温
度以上に加熱して徐冷づ゛ることにＪ：り記録ビット部
を結晶に房すことＣ情報の消去をした。
実施例２
前記実施例１と同様にガラス基板上にＳｉＯ２により第
１の保調ｌＩ！５を形成した後、Ｔｅ 、！：Ｇａの２
元同時蒸竹法により厚さ２００ＯＡのＴｅａ５ Ｇａ
ｌ ５の記録膜７を形成した。蒸着法を使用したのはＧ
ａが低融点の元素であることによる。
１の保調ｌＩ！５を形成した後、Ｔｅ 、！：Ｇａの２
元同時蒸竹法により厚さ２００ＯＡのＴｅａ５ Ｇａ
ｌ ５の記録膜７を形成した。蒸着法を使用したのはＧ
ａが低融点の元素であることによる。
次いで、前記実施例と同様に第２の保護膜９、ＵＶ成膜
１を形成して光記録媒体１を形成した。
１を形成して光記録媒体１を形成した。
この光記録媒体１の記録膜７におけるアモルファス状態
もＸ線回折の結果、室温下で３力月放置後でも安定に存
在した。
もＸ線回折の結果、室温下で３力月放置後でも安定に存
在した。
表は、前記各Ｔｅ共晶合金の約４０℃におけるアモルフ
ァスの安定性をＸ線回折で調べた実験結果である。なお
、Ｔｅは通常、スパッタ法ではアモルファスのａ膜が冑
にくいので、基板３を液体窒素で冷却してＴｅをスパッ
タ法でガラス基板上に厚さ２００ＯＡで成膜したちので
ある。
ァスの安定性をＸ線回折で調べた実験結果である。なお
、Ｔｅは通常、スパッタ法ではアモルファスのａ膜が冑
にくいので、基板３を液体窒素で冷却してＴｅをスパッ
タ法でガラス基板上に厚さ２００ＯＡで成膜したちので
ある。
純Ｔｅの結晶化温度は約１０℃付近にあり室温で容易に
結晶化してしまうので、表に示すように、そのアモルフ
ァス状態はアモルファス化から１力月後には最早、安定
に存在しないが、前記各Ｔｅ共共合合金結晶化温度が室
温より高く、アモルファス状態は３力月経過後でも安定
して存在することが判明した。従って、記録された情報
は自然消去することなく、長期間にわたって安定して存
在する。
結晶化してしまうので、表に示すように、そのアモルフ
ァス状態はアモルファス化から１力月後には最早、安定
に存在しないが、前記各Ｔｅ共共合合金結晶化温度が室
温より高く、アモルファス状態は３力月経過後でも安定
して存在することが判明した。従って、記録された情報
は自然消去することなく、長期間にわたって安定して存
在する。
以上説明したように、本発明に係る光記′Ｑ媒体。
によれば、情報が記録される薄膜を共合反応温度が３０
０℃乃至８００℃のテルル共晶合金で形成したので、情
報が記録されたアモルファス部分が杆部変化により結晶
質化することがない。このため、記録情報が自然消去す
るおそれがなく、長期間にわたって安定した記録状態が
紺持される信頼性の高い光記録媒体を提供できる。
０℃乃至８００℃のテルル共晶合金で形成したので、情
報が記録されたアモルファス部分が杆部変化により結晶
質化することがない。このため、記録情報が自然消去す
るおそれがなく、長期間にわたって安定した記録状態が
紺持される信頼性の高い光記録媒体を提供できる。
第１図は本発明に係る光間０媒体の一実施例を示す断面
図、第２図乃至第６図は各種ＴＯ共共合合金状態図であ
る。 １・・・光記録媒体 ３・・・基板（基体） ５・・・第１の保と膜 ７・・・記録膜（薄膜） ９・・・第２の（呆護膜 １１・・・ＵＶ膜 手続ン甫正要）（自発） 昭和６２年５月２に日
図、第２図乃至第６図は各種ＴＯ共共合合金状態図であ
る。 １・・・光記録媒体 ３・・・基板（基体） ５・・・第１の保と膜 ７・・・記録膜（薄膜） ９・・・第２の（呆護膜 １１・・・ＵＶ膜 手続ン甫正要）（自発） 昭和６２年５月２に日
Claims (2)
- （１）光ビームの照射条件に応じて、基体に積層された
薄膜上に情報を記録するとともに記録された情報の再生
、消去を行う相変化型の光記録媒体において、 前記薄膜を共晶反応温度が３００℃乃至８００℃のテル
ル共晶合金で形成したことを特徴とする光記録媒体。 - （２）前記薄膜をテルル・インジウム合金、テルル・シ
リコン合金、テルル・アルミニウム合金、テルル・ガリ
ウム合金およびテルル・ビスマス合金のいずれかのテル
ル共晶合金で形成したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040180A JP2577349B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040180A JP2577349B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200544A true JPS62200544A (ja) | 1987-09-04 |
| JP2577349B2 JP2577349B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=12573580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040180A Expired - Lifetime JP2577349B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577349B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159840A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| EP0371428A2 (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium |
| JP2008082773A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 歪みセンサ |
| JP2012216277A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Cmc Magnetics Corp | 書込み可能な光学記録媒体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885945A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録用部材 |
| JPS58224446A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS6058893A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体 |
| JPS60121549A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体 |
| JPS60125946A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録薄膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61040180A patent/JP2577349B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885945A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録用部材 |
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| JPS60125946A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録薄膜の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH01159840A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
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| US7726198B2 (en) | 2006-09-26 | 2010-06-01 | Fujitsu Limited | Strain sensor |
| JP2012216277A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Cmc Magnetics Corp | 書込み可能な光学記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2577349B2 (ja) | 1997-01-29 |
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