JPS58224446A - 記録用部材 - Google Patents
記録用部材Info
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- JPS58224446A JPS58224446A JP57106947A JP10694782A JPS58224446A JP S58224446 A JPS58224446 A JP S58224446A JP 57106947 A JP57106947 A JP 57106947A JP 10694782 A JP10694782 A JP 10694782A JP S58224446 A JPS58224446 A JP S58224446A
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- recording
- thin film
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- thickness
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光等の記録用ビームによって、所定の基
板上に設けられた記録用薄膜に、たとえば映１１９音声
などのアナログ信号をＦＭ変調したものヤ、たとえば電
子計算機のデータやファクシミリ信号などのディジタル
情報を、リアルタイムで記録することを可能とする記録
用部材に関するものである。
板上に設けられた記録用薄膜に、たとえば映１１９音声
などのアナログ信号をＦＭ変調したものヤ、たとえば電
子計算機のデータやファクシミリ信号などのディジタル
情報を、リアルタイムで記録することを可能とする記録
用部材に関するものである。
従来、Ｔｅおよび１３ｉのうちの少なくとも一考を主成
分とする薄膜は、レーザ光などのエネルギービーム照射
によって記録を行なう記録膜とじて優れた性質を持つこ
とが知られている。これらの薄膜への記録の原理として
は、孔形成、結晶と非晶質との間などの相転移、その他
の原子配列変化、および、たとえばＳｅを主成分とする
薄膜との積層構造における層間の反応や相互拡散など各
種のものが知られている。
分とする薄膜は、レーザ光などのエネルギービーム照射
によって記録を行なう記録膜とじて優れた性質を持つこ
とが知られている。これらの薄膜への記録の原理として
は、孔形成、結晶と非晶質との間などの相転移、その他
の原子配列変化、および、たとえばＳｅを主成分とする
薄膜との積層構造における層間の反応や相互拡散など各
種のものが知られている。
また、従来から、Ｔｅ、Ｂｉなどの低融点金属、半金属
、半導体を主成分とする光デイスク用記録膜の保護膜と
して多種多様なものが知られている。
、半導体を主成分とする光デイスク用記録膜の保護膜と
して多種多様なものが知られている。
これらの保護膜は、そのほとんどが有機物または金属酸
化物より成るものである。しかし、 これらは次のよう
な問題点がある。まず有機物の場合、酸素ｆ水分の透過
を完全に防止するのは極めて困難であり、記録膜の酸化
を完全に防止することはできない。
化物より成るものである。しかし、 これらは次のよう
な問題点がある。まず有機物の場合、酸素ｆ水分の透過
を完全に防止するのは極めて困難であり、記録膜の酸化
を完全に防止することはできない。
一方、金属酸化物の場合は、記録膜よりも融点が高い。
光吸収が少ない、の２つの欠点のうち少なくとも１つを
持っており、記録感度の低下を招く。
持っており、記録感度の低下を招く。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、高
感度で安定性の高い情報の記録用部材を提供することに
ある。
感度で安定性の高い情報の記録用部材を提供することに
ある。
上記の目的を達成するために本発明の情報の記録用部材
においては、ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の少な
くとも一方の界面に、Ｓｂ＋ Ｓ ｉ＋ Ｑｅ、 Ｓｎ
、 Ａ４Ｃｕｔ Ａｇｌ ＡＨ，Ｎｉ、 Ｐｄ、 Ｐｔ
、 Ｃｏ、 Ｒｈ、 Ｃｒ、 ＭＯ，Ｗ。
においては、ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の少な
くとも一方の界面に、Ｓｂ＋ Ｓ ｉ＋ Ｑｅ、 Ｓｎ
、 Ａ４Ｃｕｔ Ａｇｌ ＡＨ，Ｎｉ、 Ｐｄ、 Ｐｔ
、 Ｃｏ、 Ｒｈ、 Ｃｒ、 ＭＯ，Ｗ。
ＮｂおよびＴｉ１よりなる群よシ選ばれた少なくとも一
元素を主成分とする薄膜を設ける。このようにすること
によって、ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の特性を
大きく変化させること無く、安定性を向上させることが
できる。本発明は上記の記録原理のうちのいずれを利用
する場合にも有効である。
元素を主成分とする薄膜を設ける。このようにすること
によって、ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の特性を
大きく変化させること無く、安定性を向上させることが
できる。本発明は上記の記録原理のうちのいずれを利用
する場合にも有効である。
ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜には、Ｓｅおよびｓ
ｂのうちの少なくとも一元素を添加しておけば、更に好
ましい。Ｔｅに対してはＳｅ。
ｂのうちの少なくとも一元素を添加しておけば、更に好
ましい。Ｔｅに対してはＳｅ。
１３ｉに対してはｓｂのふ加が、より好ましい。添加量
は、Ｓｅの場合原子数パーセントで２パ一セント以上３
５パーセント以下、Ｓｂの場合１パ一セント以上４０パ
ーセント以下の範囲が好ましい。
は、Ｓｅの場合原子数パーセントで２パ一セント以上３
５パーセント以下、Ｓｂの場合１パ一セント以上４０パ
ーセント以下の範囲が好ましい。
これらの元素は耐酸化性を更にＩ詞める効果を持つ。
ＴｅおよびＢｉの含有量の和（一方のみを含む＠会もあ
る）は、３０パ一セント以上が好ましく、５０パ一セン
ト以上が特に好ぽしい。
る）は、３０パ一セント以上が好ましく、５０パ一セン
ト以上が特に好ぽしい。
ＴｅとＢｉのうちでは、ＴｅＯ方が記録感度が高いとい
う点で、より好ましい。しかし、膜の毒性の点では、Ｂ
ｉの方が好ましい。
う点で、より好ましい。しかし、膜の毒性の点では、Ｂ
ｉの方が好ましい。
’ｌ’ｅ、Ｂ！、Ｓｅ、Ｓｂ以外の構成元素としては、
酸素、炭素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一考が好ま
しい。
酸素、炭素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一考が好ま
しい。
本発明のＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜と、上記の
ｓｂなどよシなる群より選ばれた元素を主成分とする保
一層とを含めた部分の膜厚（保護層とＴｅまたはＢｉを
主成分とする薄膜との間にＳｎｍ以上の厚さの別の層が
介在する場合は、その保護層の厚さは含めない。）は、
Ｓｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲が好ましく、３ｎｍ以
上８０ｎｍ以下の範囲が特に好ましい。
ｓｂなどよシなる群より選ばれた元素を主成分とする保
一層とを含めた部分の膜厚（保護層とＴｅまたはＢｉを
主成分とする薄膜との間にＳｎｍ以上の厚さの別の層が
介在する場合は、その保護層の厚さは含めない。）は、
Ｓｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲が好ましく、３ｎｍ以
上８０ｎｍ以下の範囲が特に好ましい。
この他、ＴｅまたはＢ１を主成分とする薄膜には、Ｐ、
Ａｓ、Ｓ ｉ、Ｇｅ、 Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ。
Ａｓ、Ｓ ｉ、Ｇｅ、 Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ。
Ｔｔ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ＋ Ａｇ、Ａｕ＋ Ｎｉなどを
少量含んでもよい。
少量含んでもよい。
上記のｓｂなどよりなる群より選ばれた元素を主成分と
する保護層の膜厚は、基板側と、基板とは反対の側のい
ずれにおいても、ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜と
、この保護層とを含めた部分の膜厚（先に述べたように
、保護層とＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜との間に
厚さＳｎｍ以上の別の層が介在する場合は、その保護層
および別の層の厚さは含めない。）の３０％以下の範囲
が好ましく、膜厚の絶対値はＱ、５ｎｍ以上１１００ｎ
以下の範囲が好ましい。０．５ｎｍ以上２４ｎｍ以下が
特に好筐しい。ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜との
間に別の層が介在する場合は、これより厚くても良いが
３００ｎｍ以下が好ましい。
する保護層の膜厚は、基板側と、基板とは反対の側のい
ずれにおいても、ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜と
、この保護層とを含めた部分の膜厚（先に述べたように
、保護層とＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜との間に
厚さＳｎｍ以上の別の層が介在する場合は、その保護層
および別の層の厚さは含めない。）の３０％以下の範囲
が好ましく、膜厚の絶対値はＱ、５ｎｍ以上１１００ｎ
以下の範囲が好ましい。０．５ｎｍ以上２４ｎｍ以下が
特に好筐しい。ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜との
間に別の層が介在する場合は、これより厚くても良いが
３００ｎｍ以下が好ましい。
上記のｓｂなどよりなる群より選ばれた元素を主成分と
する保護ノーは、３０原子数パ一セント以上がこれらの
元素より成るのが好ましく、７０原子数パ一セント以上
がこれらの元素より成るのが特に好ましい。これらの元
素以外の含有元素として好ましいのは、酸素、炭素、硫
黄、窒素およびセレンである。これらの元素を含む場合
、化合物組成では光吸収が少なくなるので、化合物組成
を避けるのが特に好ましい。ｓｂなとの元素のうちで特
に好ましいのはｓｂおよびＳｎであって、これらの元素
では孔形成による記録の場合にもほとんど記録の感度低
下が起こらない。次いで好ましいのはＳｉおよびＧｅＸ
ｔたはこれらを含む低融点ガラス（たとえばＰ ｂ Ｏ
−？Ｂ２Ｏ３を含む低融点ガラス）である。これらの物
質は真空蒸着では膜形成が困難であり、孔形成による記
録の場合、記録感度もやや低下する。次いで好ましいの
はＡｔである。Ｃｕｌ Ａ ｇ ＨおよびＡｕは保護効
果は大きいがＴｅを主成分とする薄膜内へは拡散しやす
いのが欠点である。これら３元素のうちではＡｕが最も
拡散しにくい。Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ。
する保護ノーは、３０原子数パ一セント以上がこれらの
元素より成るのが好ましく、７０原子数パ一セント以上
がこれらの元素より成るのが特に好ましい。これらの元
素以外の含有元素として好ましいのは、酸素、炭素、硫
黄、窒素およびセレンである。これらの元素を含む場合
、化合物組成では光吸収が少なくなるので、化合物組成
を避けるのが特に好ましい。ｓｂなとの元素のうちで特
に好ましいのはｓｂおよびＳｎであって、これらの元素
では孔形成による記録の場合にもほとんど記録の感度低
下が起こらない。次いで好ましいのはＳｉおよびＧｅＸ
ｔたはこれらを含む低融点ガラス（たとえばＰ ｂ Ｏ
−？Ｂ２Ｏ３を含む低融点ガラス）である。これらの物
質は真空蒸着では膜形成が困難であり、孔形成による記
録の場合、記録感度もやや低下する。次いで好ましいの
はＡｔである。Ｃｕｌ Ａ ｇ ＨおよびＡｕは保護効
果は大きいがＴｅを主成分とする薄膜内へは拡散しやす
いのが欠点である。これら３元素のうちではＡｕが最も
拡散しにくい。Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ。
１（、ｈ、Ｃｒ、およびＴＩのうちの一元素では、かな
９の感度低下がある。これらの元素よ構成る保護膜は、
ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の基板側、および表
面側の両方に形成されるのが好ましいが、いずれか一方
に形成されてもよい。一方に形成する場合、基板とは反
対の側に形成するのが、より好ましい。ただし、Ｔｅま
たはＢｉを主成分とする層の表面の酸化による安定化を
利用できる場合などには、基板側のみに形成するのがよ
い。
９の感度低下がある。これらの元素よ構成る保護膜は、
ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の基板側、および表
面側の両方に形成されるのが好ましいが、いずれか一方
に形成されてもよい。一方に形成する場合、基板とは反
対の側に形成するのが、より好ましい。ただし、Ｔｅま
たはＢｉを主成分とする層の表面の酸化による安定化を
利用できる場合などには、基板側のみに形成するのがよ
い。
上記のｓｂなとよりなる群より選ばれた元素を主成分と
する保護層の他に、有機物、酸化物、硫化物、弗化物、
セレン化物よりなる群より選ばれた少なくとも一者を主
成分とする厚い保護層を併用すると、安定性は更に向上
する。これらの保護層のうちでは、有機物と、酸化物、
硫化物、弗化物、セレン化物よりなる群よシ選ばれた少
なくとも一者との積層または複合（混合）ノーが最も好
ましい。次いで、有機物、酸化物、硫化物、弗化物、セ
レン化物のうちのいずれか一者よりなる層が好ましい。
する保護層の他に、有機物、酸化物、硫化物、弗化物、
セレン化物よりなる群より選ばれた少なくとも一者を主
成分とする厚い保護層を併用すると、安定性は更に向上
する。これらの保護層のうちでは、有機物と、酸化物、
硫化物、弗化物、セレン化物よりなる群よシ選ばれた少
なくとも一者との積層または複合（混合）ノーが最も好
ましい。次いで、有機物、酸化物、硫化物、弗化物、セ
レン化物のうちのいずれか一者よりなる層が好ましい。
基板と基板側保護層との間、基板とＴｅまたは１３ｉを
主成分とする薄ｊ換との間、あるいは基板側保ｄＪ−と
ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜との間に、弗素樹脂
、フタロシアニン、コバルトフタロシアニンなどの７タ
ロシアニン化合物、ニトロセルロース、セルロースアセ
テート、ポリαメチルスチレン、ポリビニルアセテート
にポリエステルイエローを混合したもの、およびスクア
リリウム系染料、インジゴイド染料（インジゴ、チオイ
ンジゴ等）、アンスラキノン系顔料、キノリン系顔料な
どの有機物を主成分とする層を形成すれば、記録感度の
向上や読出しコントラストの向上に効 ゛
果カ、ｆ）ル。％Ｋ、ニッケルフタロシアニン、コバル
トフタロシアニン、鉄フタロシアニン、７タロシアニン
グリーン（Ｃ３□Ｃｔ１６Ｎ８Ｃｕ）、亜鉛フタロシア
ニン、チオインジゴのうちの一者が好ましく、銅フタロ
シアニン、バナジルフタロシアニン鉛フタロシアニン、
スズフタロシアニン、モリフテンフタロシアニン、クロ
ムフタロ７アニンモ好ましい。フタロシアニン化合物と
しては、この他、Ｌｉ＋ １３ｅ、Ｎａ、 Ｍｇ、Ａｔ
、に、Ｃａ、Ｔｉ。
主成分とする薄ｊ換との間、あるいは基板側保ｄＪ−と
ＴｅまたはＢｉを主成分とする薄膜との間に、弗素樹脂
、フタロシアニン、コバルトフタロシアニンなどの７タ
ロシアニン化合物、ニトロセルロース、セルロースアセ
テート、ポリαメチルスチレン、ポリビニルアセテート
にポリエステルイエローを混合したもの、およびスクア
リリウム系染料、インジゴイド染料（インジゴ、チオイ
ンジゴ等）、アンスラキノン系顔料、キノリン系顔料な
どの有機物を主成分とする層を形成すれば、記録感度の
向上や読出しコントラストの向上に効 ゛
果カ、ｆ）ル。％Ｋ、ニッケルフタロシアニン、コバル
トフタロシアニン、鉄フタロシアニン、７タロシアニン
グリーン（Ｃ３□Ｃｔ１６Ｎ８Ｃｕ）、亜鉛フタロシア
ニン、チオインジゴのうちの一者が好ましく、銅フタロ
シアニン、バナジルフタロシアニン鉛フタロシアニン、
スズフタロシアニン、モリフテンフタロシアニン、クロ
ムフタロ７アニンモ好ましい。フタロシアニン化合物と
しては、この他、Ｌｉ＋ １３ｅ、Ｎａ、 Ｍｇ、Ａｔ
、に、Ｃａ、Ｔｉ。
Ｖ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｇｅ、ｙ、ＭＯ，ｉ’ｔｈ、ｐｄ、。
Ａｇ、Ｃｄ 、Ｉｎ、ｓｂ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ。
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ”＋ ｍｕ、Ｇｄ、Ｄｙ＋ ’ｒｂ＋Ｅ
ｒ、Ｙｂ、Ｉ（ｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｇ、Ｔｈ、Ｕ。
ｒ、Ｙｂ、Ｉ（ｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｇ、Ｔｈ、Ｕ。
ｋ■ｏ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｚｒ、８ｃ。
ＡＵ、Ｔｔ、Ｂｉ、Ｓ ｉよりなる群に含まれる各元素
のフタロシアニン化合物、たとえばアンチモンフタロシ
アニンの使用が考えられる。フタロシアニン化合物など
の層を用いる場合、これらの層の非晶質−結晶相転移に
よって記録を行なうこともできる。
のフタロシアニン化合物、たとえばアンチモンフタロシ
アニンの使用が考えられる。フタロシアニン化合物など
の層を用いる場合、これらの層の非晶質−結晶相転移に
よって記録を行なうこともできる。
本発明の記録用部材の各層を形成する方法としては、真
空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、プラズ
マ重合、塗布などの方法が採用可能である。
空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、プラズ
マ重合、塗布などの方法が採用可能である。
本発明の記録用部材への記録は、孔形成や相転移、相互
拡散、反応の他、ガス発生による変形（膜内部や界面に
おける気泡形成）によって行なうこともできる。
拡散、反応の他、ガス発生による変形（膜内部や界面に
おける気泡形成）によって行なうこともできる。
実施例
以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。
第１図に断面の一部を示したように、直径３０釧厚さ１
．１ ｍのドーナツ板状化学強化ガラス１の表面にニト
ロセルロース３および紫外線硬化樹脂２によってトラッ
キング用の溝のレプリカを形成した基板上に、まずＳｎ
４を約２ｎｍの膜厚に真（９） 空蒸着した。次いでＴｅとＳｅとの同時蒸着によって、
Ｔｅ９！１ｓｅ５の組成の薄膜５を約１２ｎｍの膜厚と
なるように真空蒸着した。次いでＳｂ６を約３ｎｍの膜
厚に真空蒸着した。更にこの上にシリコーン几ＴＶゴム
ＫＥ４７ＲＴｌ信越シリコーン製）７を塗り、厚さ約１
００μｍの膜とした。
．１ ｍのドーナツ板状化学強化ガラス１の表面にニト
ロセルロース３および紫外線硬化樹脂２によってトラッ
キング用の溝のレプリカを形成した基板上に、まずＳｎ
４を約２ｎｍの膜厚に真（９） 空蒸着した。次いでＴｅとＳｅとの同時蒸着によって、
Ｔｅ９！１ｓｅ５の組成の薄膜５を約１２ｎｍの膜厚と
なるように真空蒸着した。次いでＳｂ６を約３ｎｍの膜
厚に真空蒸着した。更にこの上にシリコーン几ＴＶゴム
ＫＥ４７ＲＴｌ信越シリコーン製）７を塗り、厚さ約１
００μｍの膜とした。
更にこの上に５ｉ０８を真空焦眉し、厚さ約５０ｎｍの
膜を形成した。
膜を形成した。
上記のようにして形成した膜への記録は次のようにして
行なった。基板を２４０−で回転させ、半導体レーザの
光を記録が行なわれないレベルに保って記録ヘッド中の
レンズで集光して保護膜側からディスクに照射し、反射
光を検出することによって、トラッキング用の溝の中心
と光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動
した。
行なった。基板を２４０−で回転させ、半導体レーザの
光を記録が行なわれないレベルに保って記録ヘッド中の
レンズで集光して保護膜側からディスクに照射し、反射
光を検出することによって、トラッキング用の溝の中心
と光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動
した。
このようにトラッキングを行ないながら、さらに記録膜
上に焦点が来るように自動焦点合すせを行ない、レーザ
パワーを情報信号に従って強めたり元のレベルに戻した
シすることによって記録を行なった。記録によってＳｎ
層、Ｔｅ１５８ｅＳ層、お（１０） よびｓｂ層に孔が形成された。記録・再生は基板側から
行なってもよい。
上に焦点が来るように自動焦点合すせを行ない、レーザ
パワーを情報信号に従って強めたり元のレベルに戻した
シすることによって記録を行なった。記録によってＳｎ
層、Ｔｅ１５８ｅＳ層、お（１０） よびｓｂ層に孔が形成された。記録・再生は基板側から
行なってもよい。
本実施例の記録膜は、６０Ｃ相対湿度９５％の環境下で
２週間寿命テストを行なっても、光学的性質にほとんど
変化が無く、記録感度にもほとんど変化が無かった。一
方、膜厚１７ｎｍのＴｅ９５Ｓｅ５膜だけを基板上に蒸
着したものでは、初期感度は保護膜が有る場合よりも高
いが、感度の１１変化があシ、記録装置側で対策するこ
とが必要であった。ＴｅａｓＳｅｓ膜の代わりにＢｊｅ
ｏＳｂｔ。
２週間寿命テストを行なっても、光学的性質にほとんど
変化が無く、記録感度にもほとんど変化が無かった。一
方、膜厚１７ｎｍのＴｅ９５Ｓｅ５膜だけを基板上に蒸
着したものでは、初期感度は保護膜が有る場合よりも高
いが、感度の１１変化があシ、記録装置側で対策するこ
とが必要であった。ＴｅａｓＳｅｓ膜の代わりにＢｊｅ
ｏＳｂｔ。
膜を用い、基板側の保護膜もＳｎ０代わりにｓｂとした
ものでも同様の結果が得られた。
ものでも同様の結果が得られた。
シリコンゴム上の８ｉＯ層は水分の透過を防ぐだめのも
のであるが、細かいクラックが発生しやすいので十分な
防湿効果は期待できない。しかし表面の帯電を防いで塵
埃の付着を防ぐ効果がある。
のであるが、細かいクラックが発生しやすいので十分な
防湿効果は期待できない。しかし表面の帯電を防いで塵
埃の付着を防ぐ効果がある。
８１０層をシリコンゴム層よシも先に形成すると、クラ
ックの発生は起こらないが、記録感度は低下する。
ックの発生は起こらないが、記録感度は低下する。
第２図に示したように、シリコンゴム層と５ＩＯ（１１
） 層を形成しない場合にも、上記と同じ寿命テストによる
光学的性質および記録感度の変化は小さい。
） 層を形成しない場合にも、上記と同じ寿命テストによる
光学的性質および記録感度の変化は小さい。
なお、第２図および第３図において第１図と同じ番号の
部位は同じ部位を示す。しかしｓｂの保護層を形成しな
い場合には、シリコンゴム層およびｓｉｏノーを形成し
た場合の方が安定性が高い。
部位は同じ部位を示す。しかしｓｂの保護層を形成しな
い場合には、シリコンゴム層およびｓｉｏノーを形成し
た場合の方が安定性が高い。
基板側のＳｎ層をｓｂで置換したりｓｂ層をＳｎで置換
した場合、ＳＮ比に少々変化が見られるが、安定性に大
きな差は無い。ｓｂ層にセレン。
した場合、ＳＮ比に少々変化が見られるが、安定性に大
きな差は無い。ｓｂ層にセレン。
酸素、または硫黄を添加してもよい。添加量は原子数パ
ーセントで７０％以下であるが３０％以下が好ましい。
ーセントで７０％以下であるが３０％以下が好ましい。
Ｓｎ、Ｓｂ、 Ａｔ＊ Ａｕｌ ｓ ｉ。
Ｇｅ、 Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ＋ ｃｏ。
Ｒｈ、 Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、およびＴｉよりなる群
より選ばれた少なくとも一元素が安定性向上に使用可能
であるが、ｓｎ、ｓｂ以外ではある程度の記録感度低下
が起こる。ただし、記録レーザパワーを、孔は形成され
ない程度に保って、相転移やガス発生による変形によっ
て記録を行なう場合には、記録感度への影響は小さい。
より選ばれた少なくとも一元素が安定性向上に使用可能
であるが、ｓｎ、ｓｂ以外ではある程度の記録感度低下
が起こる。ただし、記録レーザパワーを、孔は形成され
ない程度に保って、相転移やガス発生による変形によっ
て記録を行なう場合には、記録感度への影響は小さい。
これらの元（１２）
素と共に、酸素、硫黄、炭素、窒素、セレンのうちの少
なくとも一元素を含有してもよい。これらの保護層の効
果を発揮させるためには、膜厚は０．５ｎｍ以上である
必要がある。また、これらの保護層とＴｅまたはＢｉを
主成分とする薄膜の膜厚の和の３０％以下でないと Ｔ
ｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の、高感度であり、
孔形成による記録の場合に孔形状が整うなどの特徴が表
われにくい。
なくとも一元素を含有してもよい。これらの保護層の効
果を発揮させるためには、膜厚は０．５ｎｍ以上である
必要がある。また、これらの保護層とＴｅまたはＢｉを
主成分とする薄膜の膜厚の和の３０％以下でないと Ｔ
ｅまたはＢｉを主成分とする薄膜の、高感度であり、
孔形成による記録の場合に孔形状が整うなどの特徴が表
われにくい。
８１０層の代わシに着けることができるものは、Ｇｅ０
２ｒ Ｓ ｉｃｈ ＋ ５ｎｏ２＋ Ｉｎａ０３＋ Ａ
ｔ２０３ ｒＭｇＦｚ ｌ ＣｅＦｓ ＋ ５ｂ２８３
．Ｇｅｍ、Ｓｎ８゜ｚｎ８．Ｃｄ８．Ｉｎｌ＠ａ ｌ
ｅｄｇｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３゜５ｉｓＮ４． Ｓ ｉ Ｃ
などの、金属、半導体、半金属の酸化物、弗化物、硫化
物、セレン化物、炭化物。
２ｒ Ｓ ｉｃｈ ＋ ５ｎｏ２＋ Ｉｎａ０３＋ Ａ
ｔ２０３ ｒＭｇＦｚ ｌ ＣｅＦｓ ＋ ５ｂ２８３
．Ｇｅｍ、Ｓｎ８゜ｚｎ８．Ｃｄ８．Ｉｎｌ＠ａ ｌ
ｅｄｇｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３゜５ｉｓＮ４． Ｓ ｉ Ｃ
などの、金属、半導体、半金属の酸化物、弗化物、硫化
物、セレン化物、炭化物。
窒化物などを主成分とする物質（化合物組成から外れた
ものも含む）であって、これらの物質を本実施例におい
てＳｎを蒸着する前あるいは後に厚さ１０’Ｏｎｍ程度
に蒸着しておけば、更に安定性向上の効果があるっ第３
図に示したように、５ｎ（１３） を約ｌＱｎｍの厚さに８０層４として蒸着した後（λは
読出し光重たは記録光の波長、ｎはこの層の屈折率、ｍ
はθ′または正の整数）に近くすれば反射防止効果が現
われ、読出しのコントラストや記録感度が高まる。これ
らの物質の層の代わりに、有機物を主成分とする層を用
いても、記録感度向上や反射防止効果は得られる。第３
図において、７ｍ ９が有機物を主成分とする膚である
場合は、８０層４の形成を省略し、Ｔｅ−８ｅ層５上に
ｓｂの保護ノーを形成した構成としてもよい。この場合
も有機物を主成分とするノーの感度向上の効果は得られ
る。上記の有機物を主成分とするｊ−は、ニッケルフタ
ロシアニン、コバルトフタロシアニン、亜鉛フタロシア
ニン、鉄フタロシアニン、フタロシアニングリーン（Ｃ
ｓ５Ｃ１ｌｓＮａＣｕ ） 、 ｆオインジゴのうちの
一者で形成した時良好な特性が得られたが、先に述べた
種々の７タロシアニン化合物やスクアリリウム系染料な
どの他の染料・顔料、透明有機物を用いてもよい。
ものも含む）であって、これらの物質を本実施例におい
てＳｎを蒸着する前あるいは後に厚さ１０’Ｏｎｍ程度
に蒸着しておけば、更に安定性向上の効果があるっ第３
図に示したように、５ｎ（１３） を約ｌＱｎｍの厚さに８０層４として蒸着した後（λは
読出し光重たは記録光の波長、ｎはこの層の屈折率、ｍ
はθ′または正の整数）に近くすれば反射防止効果が現
われ、読出しのコントラストや記録感度が高まる。これ
らの物質の層の代わりに、有機物を主成分とする層を用
いても、記録感度向上や反射防止効果は得られる。第３
図において、７ｍ ９が有機物を主成分とする膚である
場合は、８０層４の形成を省略し、Ｔｅ−８ｅ層５上に
ｓｂの保護ノーを形成した構成としてもよい。この場合
も有機物を主成分とするノーの感度向上の効果は得られ
る。上記の有機物を主成分とするｊ−は、ニッケルフタ
ロシアニン、コバルトフタロシアニン、亜鉛フタロシア
ニン、鉄フタロシアニン、フタロシアニングリーン（Ｃ
ｓ５Ｃ１ｌｓＮａＣｕ ） 、 ｆオインジゴのうちの
一者で形成した時良好な特性が得られたが、先に述べた
種々の７タロシアニン化合物やスクアリリウム系染料な
どの他の染料・顔料、透明有機物を用いてもよい。
（１４）
Ｔｅ−８ｅ層とＴｅ−Ｓｅ層上の５ｂＪＷｉとの間にこ
のような有機物などを主成分とするノーを設ければ、基
板側から記録・再生する場合の反射防止効果が得られる
。また、Ｓｂ層上にこのような有機物を主成分とする層
を設け、この層に孔を形成して記録することもできる。
のような有機物などを主成分とするノーを設ければ、基
板側から記録・再生する場合の反射防止効果が得られる
。また、Ｓｂ層上にこのような有機物を主成分とする層
を設け、この層に孔を形成して記録することもできる。
上記のようにＴｅ−８ｅｌ−とｓｂ、ｓｎなとより成る
保護層との間に別の層を設ける場合は、これらの保護層
の厚さはＴｅ−８ｅ層の厚さより厚くなってもよいこと
は既に述べた通りである。この場合の保護層の膜厚はお
よそ３００ｎｍ以下であればよい。またこの場合には、
上記の別の層と保護ノーは記録の際に変化を受けなくて
もよい。
保護層との間に別の層を設ける場合は、これらの保護層
の厚さはＴｅ−８ｅ層の厚さより厚くなってもよいこと
は既に述べた通りである。この場合の保護層の膜厚はお
よそ３００ｎｍ以下であればよい。またこの場合には、
上記の別の層と保護ノーは記録の際に変化を受けなくて
もよい。
本実施例のＴｅまたはＢ１を主成分とする薄膜を、相聞
相互拡散による記録に用いるには、ＴｅｅｓＳｅｓ層に
隣接してＡＳ＋ｏＳｅｇ、１層を形成し、この積層の両
側にＳｎより成る保護層およびｓｂよ９成る保護層を形
成する。
相互拡散による記録に用いるには、ＴｅｅｓＳｅｓ層に
隣接してＡＳ＋ｏＳｅｇ、１層を形成し、この積層の両
側にＳｎより成る保護層およびｓｂよ９成る保護層を形
成する。
本実施例のＴｅまたはＢ１を主成分とする薄膜の膜厚（
Ｓｂ、Ｓｎなどを主成分とする保護膜が（１５） ＴｅまたけＢ１を主成分とする薄膜に隣接する場合はそ
の膜厚も含む）は、実用的な安定性を得るために３層ｍ
以上、実用的な感度を得るために３００ｎｍ以下の範囲
が好ましい。孔形成または層間の相互拡散によって記録
を行なう場合にはＳｎｍ以上８Ｑｎｍ以下の範囲が特に
好ましい。
Ｓｂ、Ｓｎなどを主成分とする保護膜が（１５） ＴｅまたけＢ１を主成分とする薄膜に隣接する場合はそ
の膜厚も含む）は、実用的な安定性を得るために３層ｍ
以上、実用的な感度を得るために３００ｎｍ以下の範囲
が好ましい。孔形成または層間の相互拡散によって記録
を行なう場合にはＳｎｍ以上８Ｑｎｍ以下の範囲が特に
好ましい。
本実施例の変形例を第１表に示した。
保護層のシリコンゴムの代わりに、弗素樹脂。
ニトロセルロース、ワックス類などの有機物を使用する
こともできる。プラズマ重合によって形成され、透湿率
、酸素透過率の小さい樹脂層が特に好ましい。
こともできる。プラズマ重合によって形成され、透湿率
、酸素透過率の小さい樹脂層が特に好ましい。
（１６）
第 １ 表
第１図、第２図および第３図は各々本発明の一実施例に
おける記録用部材の構造を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・紫外線硬化樹脂層、３・・・有
機樹脂Ｊ＠、４・・・金属或いは半導体層（ｓｂ、Ｓ
ｒ Ｉ Ｇｅ＊ｆ３ｎ等）、５・・・Ｔｅ又はＢｉを主
成分とする層、６．７・・・保護ノー、８・・・無機物
層、９・・・反射防止効（１８）
おける記録用部材の構造を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・紫外線硬化樹脂層、３・・・有
機樹脂Ｊ＠、４・・・金属或いは半導体層（ｓｂ、Ｓ
ｒ Ｉ Ｇｅ＊ｆ３ｎ等）、５・・・Ｔｅ又はＢｉを主
成分とする層、６．７・・・保護ノー、８・・・無機物
層、９・・・反射防止効（１８）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｔｅまたは１３ｉを主成分とする薄膜の少なくとも一方
の界面の近傍に、Ｓｂ、Ｓ １．Ｑｅ、Ｓｎ。 Ａｔ、ＣＩ、Ａｇｌ Ａｕｌ Ｎｉｌ ｐｃｔ、Ｐｔ。 Ｃｏ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＮｂおよびＴｉよりなる
群より選ばれた少なくとも一元累を主成分、とする薄膜
を設けたことを特徴とする記録用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106947A JPS58224446A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 記録用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106947A JPS58224446A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 記録用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224446A true JPS58224446A (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=14446562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57106947A Pending JPS58224446A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 記録用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224446A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615450A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録部材 |
| JPS61219692A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS62200544A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS62202344A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS62241143A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-21 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS62241144A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-21 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPH02310834A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 | Nec Corp | 光記憶体 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142029A (ja) * | 1974-04-04 | 1975-11-15 | ||
| JPS51135649A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Canon Inc | Recording member |
| JPS5282414A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Inst Borupurobodonikofu Akadem | Electromagnetic radiation and particle radiation sensitive material |
| JPS5671834A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-15 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Information recording disc |
| JPS56111134A (en) * | 1980-01-23 | 1981-09-02 | Thomson Csf | Thermal and optical information writing process and information holder therefor |
| JPS57130241A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Toshiba Corp | Information storage medium |
| JPS57198554A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Toshiba Corp | Information recording member |
| JPS58142894A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS58158052A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP57106947A patent/JPS58224446A/ja active Pending
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| JPS615450A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録部材 |
| JPH0572659B2 (ja) * | 1984-06-19 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS61219692A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPH0371035B2 (ja) * | 1985-03-26 | 1991-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS62200544A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS62202344A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS62241143A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-21 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
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| JPH02310834A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 | Nec Corp | 光記憶体 |
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