JPH02310834A

JPH02310834A - 光記憶体

Info

Publication number: JPH02310834A
Application number: JP1132007A
Authority: JP
Inventors: Akinobu Sato; 明伸佐藤; Michio Murahata; 村畑　美智雄
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1989-05-24
Filing date: 1989-05-24
Publication date: 1990-12-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は音響機器または情報機器などに用いられる光記
憶体に関する。

（従来の技術）一般に、読みだし専用光ディスク（以下、光ＲＯＭと略
す）は高密度記録が可能であり、ＣＤ−ＲＯＭとしてコ
ンピュータシステムの読みだし専用外部メモリとして使
用されつつある。また、ＣＤ（コンパクトディスク）と
呼ばれる光記憶体は、低・高音部の再現性やＳＮ比が極
めて良好であることから、現在オーディオ用記録媒体の
主流を占めている。現在市販されている光ＲＯＭの基本
的な構造は、バートコ−１７ボリ力−ボネート樹脂基板
１反射膜ｌ保護樹脂膜である。ポリカーボネート樹脂基
板を用いた光ＲＯＭでは、樹脂基板に特有の吸湿性に起
因する基板の反り変形と反射膜の腐食が避けられず、高
信頼性・高寿命の光ＲＯＭを提供することは困難である
。

これに対して、最近では、ガラスの高い耐食性を利用し
、高信頼性・高寿命を意図した強化ガラスを基板材料に
採用した光ＲＯＭが公知例として報告されている（例え
ば、峠、松山、南：窯業協会誌、第９５巻、１９８７年
、第１８２頁）。強化ガラス基板の優位性は、１）樹脂
基板に匹敵する耐衝撃性を有すること、２）樹脂基板に
比較すると水蒸気の吸収量や拡散は無視でるきはと小さ
く、水分による劣化を防止することが挙げられる。

（発明が解決しようとする課題）強化ガラスには全体で１０〜２０ｗｔ％ものアルカリ金
属やアルカリ土類金属が含まれている。アルカリ金属や
アルカリ土類金属は一般にそのイオン半°径が小さいた
めに、ガラス内の易動度が高く、ガラス中を容易に拡散
することが知られている。また、大気中の酸素、炭酸ガ
ス、水蒸気などと反応性も極めて高く、耐食性の面で信
頼性を損なう添加成分であると考えられる。強化ガラス
基板からのアルカリ金属やアルカリ土類金属の拡散を防
止するためには、拡散防止皮膜層を設ける必要がある。

拡散防止皮膜層は、Ｂａ、　Ｒｂ、　Ｓｎ、　Ｓｉ、　
Ｓｒ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｈｆから選ばれる少なくとも
１種類以上の元素からなる酸化物もしくは複合酸化物で
ある。この拡散防止皮膜層と強化ガラス基板との境界面
から組ずが侵入し、侵入した水は該基板と該拡散防止層
の界面で腐食または剥離を促す。さらに、強化ガラス基
板上の複数の薄膜同士の境界部からも水が侵入し、薄膜
同志の界面で剥離を促す。この剥離によって、光記憶体
エラーを発生させる。したがって、強化ガラス基板を用
いることによって期待した耐食性及び信頼性向上は達成
されていないというのが現状である。

本発明の目的は、強化ガラス基板上に複数の薄膜からな
る多層構造を備えた光記憶体において、基板と該薄膜の
境界部または該薄膜同士の境界部への水の侵入を防止す
ることにより、高信頼性・長寿命の光記憶体を提供する
ことである。

（課題を解決するだの手段）本発明は強化ガラスを基板として用い、この強化ガラス
基板上に複数の薄膜からなる多層構造を備えた光記憶体
においそ該薄膜と強化ガラス基板の境界部および該薄膜
同士の境界部を封止剤としてホットメルト樹脂または紫
外線（ＵＶ）硬化樹脂もしくはゾル−ゲル材料で被覆す
ることにより、強化ガラス基板と該薄膜の界面および該
薄膜同士の界面への水の侵入を抑え、高信頼性・高寿命
の光記憶体を提供するものである。上記ホットメルト樹
脂は、水や溶剤をまったく含まない室温で固体である１
００％不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂であ
り、塗布の原理は樹脂を加熱・溶融し、ノズルから吐出
、冷却させ被覆する。ホットメルト樹脂は、ポリエチレ
ン系、ポリアミド系、ポリエステル系、ブチラール系、
ポリ酢酸ビニル系、セルロース誘導体系、ポリメチルメ
タクリレート系、ポリビニルエーテル系、ポリウレタン
系、ポリカーボネート系樹脂の１種もしくは混合物がら
なっている。例えば、３Ｍ製のホットメルト剤、接着剤
番号３７３８．３７５８．３７６２．３７６４．３７６
５．３７７９．３１９’ｌ、　７３７５゜３７４８　（
商品名）を用いることができる。上記ＵＶ硬化樹脂は、
不飽和ポリエステル系、不飽和アクリル系、ポリエステ
ルアクリレート系、ウレタンアクリレート系、エポキシ
アクリレート系、ポリエン−ポリチオール付加重合系樹
脂の１種もしくは混合物からなっている。例えば、東亜
合成化学製のアロニツクスＵＶ−３０００シリーズの３
１００．３１０２．３１５０゜３５１４、３８１０　（
商品名）を用いることができる。

（作用）強化ガラス基板と薄膜の境界部および薄膜同士の境界部
を封止剤としてホットメルト樹脂または紫外線（ＵＶ）
硬化樹脂もしくはゾル、ゲル材料で被覆することにより
、強化ガラス基板と前記薄膜の界面および前記薄膜同士
の界面への水の侵入を防止することができる。本発明は
この効果を利用することによって、強化ガラス基板上に
複数の薄膜からなる多層構造を備えた光記憶体の基板と
該薄膜の境界部または該薄膜同士の境界部への水の侵入
を防止し、耐候性の向上に寄与するものである。

（実施例）以下、この発明の実施例を詳細に説明する。第１図、第
２図ｊよ本発明の光記憶体の構成を示す部分断面図であ
る。第１図は、多層構造の光記憶体の側面全面を封止材
で被覆した例を示し、第２図は、光記憶体の強化ガラス
基板を除く側面を封止材で被覆した例を示す。１が強化
ガラス基板、２が拡散防止皮膜層、３がハードコート層
、４は案内溝と情報を書込んだビットを設けたグループ
層、５は反射膜、６は保護膜、７は保護樹脂層、８が本
発明の封止層である。以下に、本発明の実施例に基づい
て作製条件などを説明する。

１の強化ガラス基板の化学組成は重量比で、５１０２−
１５Ｎａ２０−５ＣａＯ−ＩＡ１２０３−３．５Ｍｇ０
である。ハードコート層３は傷の発生を防止する樹脂系
ハードコート層（厚さ３ｐｍ）である。ハードコート層
３は拡散防止皮膜層２を強化ガラス基板に処理した後に
成膜した。拡散防止皮膜上に設けたグループ層４には、
反応性スパッタによって成膜したＳｉＯ□膜に直接ドラ
・イエッチング法により溝を作製したドライエツチング
ＳｉＯ２膜を用いた。ドライエツチングＳｉＯ２膜を用
いた。ドライエツチングＳｉＯ２膜の膜厚は２００ｎｍ
である。反射膜はスパッタ法により成膜したＡｌ−Ｃｕ
−８ｉ合金膜（膜厚１５０ｎｍ）を使用した。本発明の
実施例では比較のために耐食性に劣るＡｌ−Ｃｕ−８ｉ
合金膜を用いたが、Ａｕ、　Ｐｔ、　Ｐｄなどの貴金属
膜なども用いることができる。６は反射膜側から腐食を
抑えるための保護膜であり、反応性スパッタ法によって
作製したＳｉ３Ｎ４膜（膜厚３００ｎｍ）である。７は
ハードコート層３と同様の樹脂保護層であり、その厚さ
は２０１１ｍである。８はホットメルト樹脂及びＵＶ硬
化樹脂もしくはゾル−ゲル材料を用いた封止層である。

ホットメルト樹脂を強化ガラス基板の外周部とその側面
及び内周部とその側面を被覆した。ＵＶ硬イビ樹脂はデ
ィスペンサーを用いて塗布し、紫外線を照射、硬化させ
て被覆した。ゾル−ゲル材料は５ｉ（ｏＣ２Ｈ５）４：
Ｃ２Ｈ５０Ｈ：Ｈ２Ｏ（３ｗｔ％ＨＣＩ）＝　１：２０
：４（ｍｏｌ比）の組成の溶液を用い、ディスペンサー
を用いて塗布し、被覆した。比較のために作製した試料
は封止層８を設けない点を除けば、実施例の光ＲＯＭと
まったく同様にして作製した。

実施例に示した第１図、第２図の光記憶体及び比較試料
の光記憶体を温度１２０°Ｃ１相対湿度９０％のプレッ
シャークツカー耐鋏性試験装置内に４８時間保持した後
に、干渉顕微鏡による腐食や剥離の観察とエラーテスタ
ーによりブロックエラーレート測定を行なった。比較試
料は強化ガラス基板外周及び内周の拡散防止皮膜との界
面に剥離部分が発生し剥離部を起点として反射膜の腐食
が進行している。さらに、グループ層と反射膜の界面お
よび反射膜と保護膜の界面にも剥離部分が発生している
。一方、本発明による実施例では干渉顕微鏡で観察でき
るレベルの剥離や腐食の発生はまったく認められなかっ
た。またブロックエラーレート測定ではプレッシャーク
ツカー耐候性試験前は０〜１０個１秒であった。試験後
は、比較試料の外周において１００〜５００個１秒であ
り規格値以上にビットエラー数が増加しているのに対し
、実施例ではピットエラーレートの増加は認められなか
った。なお本発明の封止層は強化ガラス基板を用いた追
加書き込み可能光ディスク（ＤＲＡＷ）または書換え可
能光磁気ディスクおよび相変化型光ディスクにも有効な
ことは明らかである。

（発明の効果）以上のように、本発明に基づく封止層で強化ガラス基板
と該薄膜との境界部及び該薄膜同士の境界部を被覆する
ことによって光ＲＯＭの耐候性を著しく向上させること
ができる。

図面の簡単な説明第１図、第２図は本発明の光記憶体の構成を示す部分断
面図であり、１が強化ガラス基板、２が拡散防止皮膜層
、３がハードコート層、４はグループ層、５は反射膜、
６は保護膜、７は保護樹脂膜、８は封止層である。

Claims

【特許請求の範囲】

強化ガラス基板上に、複数の薄膜からなる多層構造を備
えた光記憶体において、基板と前記薄膜の境界部及び前
記薄膜同士の境界部を封止材で被覆したことを特徴とす
る光記憶体。