JPS58132231A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
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- JPS58132231A JPS58132231A JP57013402A JP1340282A JPS58132231A JP S58132231 A JPS58132231 A JP S58132231A JP 57013402 A JP57013402 A JP 57013402A JP 1340282 A JP1340282 A JP 1340282A JP S58132231 A JPS58132231 A JP S58132231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- layer
- amino
- ethylcarbazole
- information recording
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は情報記録層としてジオキサジン化合物またはそ
の誘導体の薄層を有する光学的情報記録媒体に関する。
の誘導体の薄層を有する光学的情報記録媒体に関する。
従来、光学的情報記録媒体の記録層としては種々のもの
が使用されている。例えば、記録層に非晶質７タロシア
ニン化合物を使用する例（特開昭５６−１３０７４２号
公報）、ま九記録層として有機酸、エステル、有機非硫
黄化合物、窒素あるいは硫黄を有するヘテロ化合物、染
料または顔料などを真空蒸着法で形成する例（特開昭５
４−５４４７号会報）さらに記録層に塩素置換フタロシ
アニン、鉛、アルミニウム、バナジル、錫フタロシアニ
ン化合物を使用する例（％開昭５６−８６７９５号公報
）が知られている。
が使用されている。例えば、記録層に非晶質７タロシア
ニン化合物を使用する例（特開昭５６−１３０７４２号
公報）、ま九記録層として有機酸、エステル、有機非硫
黄化合物、窒素あるいは硫黄を有するヘテロ化合物、染
料または顔料などを真空蒸着法で形成する例（特開昭５
４−５４４７号会報）さらに記録層に塩素置換フタロシ
アニン、鉛、アルミニウム、バナジル、錫フタロシアニ
ン化合物を使用する例（％開昭５６−８６７９５号公報
）が知られている。
しかしながら、有機色素膜の表面における反射率は一般
忙低い九めにレーザ光により記録された部分と未記録部
分との反射率忙関係するコントラストは低くなり記録さ
れ九情報の再生が困難となる欠点がある。この欠点を解
消するためｋ＝層構造のものが提案されている。すなわ
ち、反射率の高い物質たとえばＡｔ、 Ａｇ、Ｐｔ、
Ｃｕ、！＋１１またはＣｒの金属薄膜な記録層と基板の
間かあるいは記録層の上に設けること忙よりコントラス
トの向上をはかつている。しかしながらかかる手段によ
ってコントラストが向上したとしても記録層だけのもの
に比軟して、高反射率層が必要となシ製造工程が増加す
るという欠点をもっとともに製造時点において記録層と
高反射率層との境界面に塵埃などの異物が混入すること
もあシ製造の歩留りが低下するという欠点をもっている
。さらに、高反射率層の空気中における酸化などによる
光学的特性の劣化による信頼性の悪化という欠点がある
。また、基板と高反射率層との間忙記録層がサンドイン
チ状態になっているものはレーザ光による記録層の飛散
による記録が充分行なわれないことがら記録感度を低下
させるという欠点をもっている。
忙低い九めにレーザ光により記録された部分と未記録部
分との反射率忙関係するコントラストは低くなり記録さ
れ九情報の再生が困難となる欠点がある。この欠点を解
消するためｋ＝層構造のものが提案されている。すなわ
ち、反射率の高い物質たとえばＡｔ、 Ａｇ、Ｐｔ、
Ｃｕ、！＋１１またはＣｒの金属薄膜な記録層と基板の
間かあるいは記録層の上に設けること忙よりコントラス
トの向上をはかつている。しかしながらかかる手段によ
ってコントラストが向上したとしても記録層だけのもの
に比軟して、高反射率層が必要となシ製造工程が増加す
るという欠点をもっとともに製造時点において記録層と
高反射率層との境界面に塵埃などの異物が混入すること
もあシ製造の歩留りが低下するという欠点をもっている
。さらに、高反射率層の空気中における酸化などによる
光学的特性の劣化による信頼性の悪化という欠点がある
。また、基板と高反射率層との間忙記録層がサンドイン
チ状態になっているものはレーザ光による記録層の飛散
による記録が充分行なわれないことがら記録感度を低下
させるという欠点をもっている。
本発明は上記従来技術に鑑みてなされたものであって、
情報記録層にジオキサジン化合物およびその誘導体を使
用することによって従来の欠点を解消しようとするもの
である。すなわち、本発明によれば、基板にジオキサジ
ン化合物またはその誘導体を担持せしめたことからなる
高密度エネルギービームによって状態変化を生じさせる
ととｋよシ記鍮再生可能な光学的情報記録媒体が提供さ
れる。
情報記録層にジオキサジン化合物およびその誘導体を使
用することによって従来の欠点を解消しようとするもの
である。すなわち、本発明によれば、基板にジオキサジ
ン化合物またはその誘導体を担持せしめたことからなる
高密度エネルギービームによって状態変化を生じさせる
ととｋよシ記鍮再生可能な光学的情報記録媒体が提供さ
れる。
本発明の光学的情報記録媒体に有用なジオキサジン化合
物およびその誘導体は次の一般式によシ示される。
物およびその誘導体は次の一般式によシ示される。
えだし、人は未置換または置換基を有する芳香族アミン
の残基な示しそしてＸはノ・ロゲン原子を示す。
の残基な示しそしてＸはノ・ロゲン原子を示す。
上記ジオキサジン化合物およびその誘導体は６００〜ｓ
ｏ ｏ ｎｍの波長帯域で吸収を有し且つ蒸着可能で
高感度記録エネルギーを有する材料である。ここでＡの
代表的な例としては以下の残基をあげることができる。
ｏ ｏ ｎｍの波長帯域で吸収を有し且つ蒸着可能で
高感度記録エネルギーを有する材料である。ここでＡの
代表的な例としては以下の残基をあげることができる。
（九だし、Ｒは水素、ニトロ基、アミノ基、メトキシ基
、エトキシ基、へ四ゲン原子まえは芳香環を示しセして
ｎは１〜８の整数である。）上記ジオキサジン化合物お
よびその誘導体は染料特に顔料として知られているもの
であって、（Ａは上記と同じ意味を有する）とフルオレ
ノン、クロラニル、フロマニルオヨヒヨードアニルなど
のハロアニルとをジクロルベンゼン、トリクロルベンゼ
ン、ニトロベンゼンなどの不活性溶媒中で中和剤の存在
下に処理し次いで酸ハｐゲン化物と共に加熱処理すると
と忙よシ合成することができる。上記一般式の芳香族ア
ミンとしては種々の化合物が用いられ、具体的には次の
ものを例示することができる。
、エトキシ基、へ四ゲン原子まえは芳香環を示しセして
ｎは１〜８の整数である。）上記ジオキサジン化合物お
よびその誘導体は染料特に顔料として知られているもの
であって、（Ａは上記と同じ意味を有する）とフルオレ
ノン、クロラニル、フロマニルオヨヒヨードアニルなど
のハロアニルとをジクロルベンゼン、トリクロルベンゼ
ン、ニトロベンゼンなどの不活性溶媒中で中和剤の存在
下に処理し次いで酸ハｐゲン化物と共に加熱処理すると
と忙よシ合成することができる。上記一般式の芳香族ア
ミンとしては種々の化合物が用いられ、具体的には次の
ものを例示することができる。
１−アミノ−９−ニチルカルバゾール、４−ペンゾイル
アミノアエリン、４−インシイルアミノ−３−クロルア
ニリン、４−ベンゾイルアミノ−３−メトキシアニリン
、４−ベンゾイルアミノ−３−エトキシアニリン、４−
ベンジルアミノ−３−クロルアニリン、４−ペンツイル
オキシ−３−クロルアニリン、１−アミノ−（５，６−
ベンゾ）−９−エチルカルバゾール、１−アミノ−（６
，７−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール、１−アミノ
−（７，８−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール、１−
アミノ−９−フルオレノン、アミノ−ピレン、１−アミ
ノ−６−ニトロ−９−エチルカルバゾール、１−アミノ
−アクリジン、１−アンノー７−クロル−９−エチルカ
ルバゾールなどの縮合多環芳香族およびヘテロ化合物誘
導体。
アミノアエリン、４−インシイルアミノ−３−クロルア
ニリン、４−ベンゾイルアミノ−３−メトキシアニリン
、４−ベンゾイルアミノ−３−エトキシアニリン、４−
ベンジルアミノ−３−クロルアニリン、４−ペンツイル
オキシ−３−クロルアニリン、１−アミノ−（５，６−
ベンゾ）−９−エチルカルバゾール、１−アミノ−（６
，７−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール、１−アミノ
−（７，８−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール、１−
アミノ−９−フルオレノン、アミノ−ピレン、１−アミ
ノ−６−ニトロ−９−エチルカルバゾール、１−アミノ
−アクリジン、１−アンノー７−クロル−９−エチルカ
ルバゾールなどの縮合多環芳香族およびヘテロ化合物誘
導体。
以下に本発明の光学的情報記録媒体の構成について添付
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
第１図は基板１と情報記録層２だけからなり保護層のな
い場合そして第２図は保護層３のある場合である。保護
層の存在は必須ではないが望ましい。第３ｗＪは情報記
銀層２とｊ！４［１の間に高い反射率を有する金属４を
サンドイッチ状にした場合である。高い反射率を有する
金属４の存在は必須ではないが望ましい。第４８は第３
図の例に加えて、更に保護層３のある場合であり、かか
る保護層５０存在は必須ではないが望ましい。第５図は
第１図の例に加えて更に高い反射率を有する金属４のあ
る場合であシ、そして第６図は第５図の例に加えて更に
保護層３のある場合である。かかる高い反射率を有する
金属４の存在は必須ではないが望ましい。
い場合そして第２図は保護層３のある場合である。保護
層の存在は必須ではないが望ましい。第３ｗＪは情報記
銀層２とｊ！４［１の間に高い反射率を有する金属４を
サンドイッチ状にした場合である。高い反射率を有する
金属４の存在は必須ではないが望ましい。第４８は第３
図の例に加えて、更に保護層３のある場合であり、かか
る保護層５０存在は必須ではないが望ましい。第５図は
第１図の例に加えて更に高い反射率を有する金属４のあ
る場合であシ、そして第６図は第５図の例に加えて更に
保護層３のある場合である。かかる高い反射率を有する
金属４の存在は必須ではないが望ましい。
本発明において使用される基板材料は当業者には既知の
ものであり、使用レーザ光に対して透明または不透明の
いずれでもよい。基板材料の材質としては、ガラス、セ
ラ電ツク、プラスチックス、板状または箔状の金属など
の一般に使用されている記録材料の支持体でよい。特Ｋ
、プラスチックスが安全性、記録感度向上、平面性、軽
量、加工性などの点から好適である。代表的なプラスチ
ックスとしては塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アク
リル樹脂、メタクリル樹脂、ホリエステル樹脂、ニトロ
セルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂などがあげられる。
ものであり、使用レーザ光に対して透明または不透明の
いずれでもよい。基板材料の材質としては、ガラス、セ
ラ電ツク、プラスチックス、板状または箔状の金属など
の一般に使用されている記録材料の支持体でよい。特Ｋ
、プラスチックスが安全性、記録感度向上、平面性、軽
量、加工性などの点から好適である。代表的なプラスチ
ックスとしては塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アク
リル樹脂、メタクリル樹脂、ホリエステル樹脂、ニトロ
セルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂などがあげられる。
本発明の光学的情報記録媒体における情報記銀層として
ジオキサジン化合物およびその誘導体を使用する際には
、膜厚は１００Ｘ〜５μｍ、好ましくは１０００Ｘ〜３
μｍであり、モして成膜法は真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、
浸漬法など一般に行なわれている薄膜形成法で成膜する
ことができる。また、必要忙応じてバインダーと混合し
て成膜することがでオる。
ジオキサジン化合物およびその誘導体を使用する際には
、膜厚は１００Ｘ〜５μｍ、好ましくは１０００Ｘ〜３
μｍであり、モして成膜法は真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、
浸漬法など一般に行なわれている薄膜形成法で成膜する
ことができる。また、必要忙応じてバインダーと混合し
て成膜することがでオる。
保護層の存在は必須ではないが必要に応じて使用しても
よい。使用する場合は、レーザ光に対して透明であシ、
機械的強度が大で、記録膚と反応しにくく、皮膜性がよ
いものであればどのようなものであってもよい。無機材
料としてはＡｚ２ｏ５．５ｔｏ２．８１０％ＭｇＯ，Ｚ
ｎ０１ＭｇＦ２％ＣｕＦ２などがあげられる。膜厚は５
０〜５０００Ａ好ましくは１００〜２０００Ｘとし成膜
法は真空蒸着法、ス／ぞツタリング法、イオンプレート
法、イオンクラスタ法、グルー放電法などの一般に行な
われている薄膜形成法でよい。有機材料としては特に好
ましいものは成膜性、加工性の点から有機高分子化合物
である。九とえはポリスチレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリキシレン、ポリ塩化ビニル、ポリアク
リロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリル
酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエポキシ、ポ
リアンド、ポリ尿素、ポリスルフォン、フェノール樹脂
などの単独重合体および共重合体などがあげられる。膜
厚はα１〜５μｍ、好ましくはα５〜２＃−とし、成膜
法は真空蒸着法、スパッタリング法、気相成長法、グロ
ー放電法、溶剤塗布法など一般に行なわれている薄膜形
成法でよい。
よい。使用する場合は、レーザ光に対して透明であシ、
機械的強度が大で、記録膚と反応しにくく、皮膜性がよ
いものであればどのようなものであってもよい。無機材
料としてはＡｚ２ｏ５．５ｔｏ２．８１０％ＭｇＯ，Ｚ
ｎ０１ＭｇＦ２％ＣｕＦ２などがあげられる。膜厚は５
０〜５０００Ａ好ましくは１００〜２０００Ｘとし成膜
法は真空蒸着法、ス／ぞツタリング法、イオンプレート
法、イオンクラスタ法、グルー放電法などの一般に行な
われている薄膜形成法でよい。有機材料としては特に好
ましいものは成膜性、加工性の点から有機高分子化合物
である。九とえはポリスチレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリキシレン、ポリ塩化ビニル、ポリアク
リロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリル
酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエポキシ、ポ
リアンド、ポリ尿素、ポリスルフォン、フェノール樹脂
などの単独重合体および共重合体などがあげられる。膜
厚はα１〜５μｍ、好ましくはα５〜２＃−とし、成膜
法は真空蒸着法、スパッタリング法、気相成長法、グロ
ー放電法、溶剤塗布法など一般に行なわれている薄膜形
成法でよい。
本発明で使用される高い反射率を有する金属の代表的な
ものとしてはＡｔ、 Ａｇ、 Ｐｔ、 Ｃｕ、 Ｍｌ、
Ｆ・、Ａｕなどがあげられる。特Ｋ ｋｌが好ましい。
ものとしてはＡｔ、 Ａｇ、 Ｐｔ、 Ｃｕ、 Ｍｌ、
Ｆ・、Ａｕなどがあげられる。特Ｋ ｋｌが好ましい。
本発明の光学的情報記録媒体について使用されるレーザ
光はＮ２、Ｈｅ−Ｃ６，Ａｒ、 Ｈｅ−Ｍｅ、ルビー、
半導体、色素レーザなどがあげられるが、特に軽量性、
散り扱いの容易さ、コンパクト性などの点から、半導体
レーザが好適である。
光はＮ２、Ｈｅ−Ｃ６，Ａｒ、 Ｈｅ−Ｍｅ、ルビー、
半導体、色素レーザなどがあげられるが、特に軽量性、
散り扱いの容易さ、コンパクト性などの点から、半導体
レーザが好適である。
次に本発明をさらに詳細に説明するため忙比較例ととも
に実施例をあげるがと九に限定されるものではない。
に実施例をあげるがと九に限定されるものではない。
比較例
厚さ１ｍのアクリル樹脂板上Ｋ １Ｏ−４Ｔｏｒｒの真
空度で鉛フタロシアニンを蒸着し、厚さ１００久の鉛フ
タロシアニン層を形成した。
空度で鉛フタロシアニンを蒸着し、厚さ１００久の鉛フ
タロシアニン層を形成した。
との記録層に薄膜面および基板面からＨｅ−Ｎｅレーザ
を２．４μｍのビーム径にし、パルス巾３μＦ３ｅＣパ
ルス間隔５ｍ５ｅｃで試料面でのパワーを５ｍＷＫして
、試料を９１０ 鴎ｈｅｃで移動させながら照射した結
果、記録エネルギーはそれぞれ２ ｎＪ／ｂｔｔおよび
３ ｎＪ／’ｂｉｔであった。
を２．４μｍのビーム径にし、パルス巾３μＦ３ｅＣパ
ルス間隔５ｍ５ｅｃで試料面でのパワーを５ｍＷＫして
、試料を９１０ 鴎ｈｅｃで移動させながら照射した結
果、記録エネルギーはそれぞれ２ ｎＪ／ｂｔｔおよび
３ ｎＪ／’ｂｉｔであった。
実施例 １
厚さ１ｍｓのアクリル樹脂板上に、１−アミノ−９−エ
チルカルバゾールとり四うニルとの縮合反応生成物であ
るジオキサジン化合物を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ （ｐ真空度
で蒸着して膜厚を３０００ＸＫした。
チルカルバゾールとり四うニルとの縮合反応生成物であ
るジオキサジン化合物を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ （ｐ真空度
で蒸着して膜厚を３０００ＸＫした。
この記録層に薄膜面および基板面から比較例と同じ条件
でＨｅ−Ｎｏレーザ光を照射し記録エネルギーを測定し
たところそれぞれ１ｎＪ／ｂｉｔおよび１．５ ｎＪ／
ｂｉｔであった。
でＨｅ−Ｎｏレーザ光を照射し記録エネルギーを測定し
たところそれぞれ１ｎＪ／ｂｉｔおよび１．５ ｎＪ／
ｂｉｔであった。
実施例 ２
実施例１におけるジオキサジン化合物のかわりに、１−
アミノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール
とクロラニルとの縮合反応生成物であるジオキサジン化
合物を１０’Ｔｏｒｒの真空度で蒸着して膜厚を３００
０ＸＫした。
アミノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール
とクロラニルとの縮合反応生成物であるジオキサジン化
合物を１０’Ｔｏｒｒの真空度で蒸着して膜厚を３００
０ＸＫした。
この記銀層忙薄裏面および基板面から８２０ｎｍの半導
体レーザ（松下電産製）をパルス巾１μｓｅａ 、試料
面での照射パワー４ ｍＷ Ｖｃして照射した。試料を
９１０ ｆｉｍ／ｓθＣで移動させながら記録を行なっ
た結果、それぞれ０．８ｎＪ／ｂｉｔおよび２ｎＪ／ｂ
ｉｔであった。
体レーザ（松下電産製）をパルス巾１μｓｅａ 、試料
面での照射パワー４ ｍＷ Ｖｃして照射した。試料を
９１０ ｆｉｍ／ｓθＣで移動させながら記録を行なっ
た結果、それぞれ０．８ｎＪ／ｂｉｔおよび２ｎＪ／ｂ
ｉｔであった。
実施例 ３
厚さ１諺のアクリル樹脂板１忙、１−アミノ−９−エチ
ルカルハソールトフロマニルとの縮合反応生成物である
ジオキサジン化合物を１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度で蒸着
して膜厚を１００ＯＸＫした。
ルカルハソールトフロマニルとの縮合反応生成物である
ジオキサジン化合物を１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度で蒸着
して膜厚を１００ＯＸＫした。
この記録層に薄膜面から比較例と同じ条件でＨｅ−Ｎｅ
レーザ光を照射し記録エネルギーを測定したところα９
ｎＪ／ｂｉｔを得た。
レーザ光を照射し記録エネルギーを測定したところα９
ｎＪ／ｂｉｔを得た。
実ｊＩＩＰＩ４
実施例３におけるジオキサジン化合物のかわり釦、１−
アミノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール
とプロマニルとの縮合反応生成物であるジオキサジン化
合物を１０−６Ｔｏｒｒの真空度で蒸着し【膜厚を５ｏ
ｏｏＸＫし九。
アミノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾール
とプロマニルとの縮合反応生成物であるジオキサジン化
合物を１０−６Ｔｏｒｒの真空度で蒸着し【膜厚を５ｏ
ｏｏＸＫし九。
この記録層を実施例２と同一条件で記録を行ない記録エ
ネルギーを測定したところ１ ｎＪ／ｂｉｔを得え。
ネルギーを測定したところ１ ｎＪ／ｂｉｔを得え。
上記各実施例で使用したジオキサジン化合物に代えて１
本発明に有用なその他のジオキサジン化合物ま九はその
誘導体を使用して上記実施例に記載した操作を行なった
ところ同様にすぐれた結果が得られた。
本発明に有用なその他のジオキサジン化合物ま九はその
誘導体を使用して上記実施例に記載した操作を行なった
ところ同様にすぐれた結果が得られた。
添付図面において、第１図ヲ１、本発明の光学的情報記
録媒体の基本的構成を示す断面図でありそして第２図な
いし第６図は本発明の光学的情報記録媒体のそれぞれ別
の例を示す断面図である。各図中、矢印は記録光および
再生光の照射方向を示す。 １・・・基板、２・・・情報記鎌膚、３・・・保膜層、
４・・・高い反射率を有する金属。 特許出願人 株式会社 リ コ −手続補正書 昭和５７年４月２日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １５４０２号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出厳人 住所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 （６７
４）株式会社 リ コ −４、代理人 ５、補正命令の日付（自発） □、・１つ ｌ補正の内容 １）ｌＩ４４１Ｋｍ５行ないし１４６頁下かｂｌｌｌＬ
４行（Ｄ「本発明の・・・・・・誘導体。」を次のとお
シ補正します。 「 本発明の光学的情報記録媒体に有用なジオキサジン
化合物およびその誘導体は２個のオキサジン環ｔＶする
本のであって以下の一般式によって表わすことができる
。 ！ （式中、ムは芳香族単環、縮合多環または縮合複素環を
含む芳香族アミノの残基を示しそしてＸはハロゲン原子
を示す）。 ｔた、上記ジオキサジン化合物およびその誘導体は６０
０〜８００ａｌｌの波長帯域で吸収を有し且つ蒸着可能
なものである。 とζで、上記一般式においてムの代表的な例としては、
芳香族単環を含む芳香族アミン例えば４−ペンゾイルア
ミノアニリν、４−ベンゾイルアミノ−３−クロルアニ
リン、４−ベンシイルアイノ−５−メトキシ“アニリン
、４−ベンシイルア建ノー３−エトキシアニリン、４−
ベンジルアミノ−５−クロルアニリン、４−にンソイル
オキシー３−クロルアニリンなどの残基、縮合多環を含
む芳香族アミン例えば２−アミノ−９−フルオレノン、
３−アきノーピレンなどの残基および縮合複素環を含む
芳香族アミン例えば５−アミノ−９−エチルカルバゾー
ル、５ ＝７ｔ／ −（５，６−ベンゾ）−９−エチル
カルバゾール、５−アミノ−（６，７−ベンゾ）−９−
エチルカルバゾール、３−アミノ−（７，８−ベンゾ）
−９−エチルカルバゾール、５−アミノー６−ニド四−
９−エチルカルバゾールおよび５−ア建ノー７−クロル
ー９−エチルカルバゾールなどの残基および３−アミノ
−アクリジンの残基ならびに５−アミノ−フェノチアジ
ン、３−アミノ−夏−エチルフェノチアジン、２−アミ
ノ−フェノキナジンなどの残基をあげることができる。 ４１に好適な残基ムは上述し大化合物を含めての下記一
般式によって表わされるカルバゾール化合物の残基であ
る。 （式中、Ｒは水素、ニトロ基、アミノ基、低級アルコキ
シ基、ハＥｌ ｙｙｌｌ［子ま九は芳香環を示し、！は
水素ま＊ｒは低級アルキル基を示しそしてｎは１〜８の
整数を示す）。 を九、本発明の光学的情報記録媒体に有用なジオキｔジ
ン化合物およびその誘導体は染料特Ｋ１１ｌＫ科として
知られているものであって、一般に芳香族単環、縮合多
環ｉたは縮合複素環を含む芳香族アミンとフロモアニル
、クロルアニル、フロモアニルまたは画一ドアニルなど
のノ翫ロアニルとの縮合閉環反応生成物である。前記縮
合閉環反応生成物の代表的なものを以下に示す。 （１） ３−ア（ノー′９−エチルカルバゾールとク
ロルアニルとの縮合反応生成物（実施例１）（２Ｊ ５
−アミノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾー
ルとクロルアニルとの縮合反応生成物（実施例２） （５）５−アミノ−９−エチルカル／（ゾールとブロモ
アニルとの縮合反応生成物（実施例３）（４）５−アミ
ノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾールとフ
ロモアニルと０縮合反応生成物（実施ｆ１４） （５）アミノピレンとりＩ２ルアニルとの縮合反応生成
物（実施例５） （６）３−７ミノフエノチアジンとり四ルアニルとの縮
合反応生成物（実施例６） σ） ２−アミノフルオレノｙとブロモアニルとの縮合
反応生成物（実施例７） （８）５−アミノ−冨−エチルフェノチアジンとクロル
アニルとの縮合反応生成物（実施例８）（？）２−アｔ
／−７−二トロフルオレノンとクロルアニルとの縮合反
応生成物（ＩＩ施例９）２）馬１１ｊ［下から第２ない
し末行の「１−アミノ・・・・・・クロラニル」を「５
−アミノ−９−エチルカルパゾールとクロルアニル」と
補正します。 ３）ｊ１１２頁第９〜１０行の「１−アミノ・・・・・
・クロラニル」を「５−アミノ−（５，６−ベンゾ）、
” ９−エチルカルバゾールとクロルアニル」と補正し
ます。 ４） 第１３頁第５〜４行の「１−アミノ・・・・・・
プロマ二ルＪ１ｋｒ、５−アミノ−９−エチルカルバゾ
ールとブロモアニル」と補正します。 ５）ｊ１１Ｅ１３頁下から第６〜５行の「１−アミノ・
・・・・・ブロマニル」を１３−アミノ−（５，６−ベ
ンゾ）−９−エチルカルバゾールとブロモアニル」と補
正します。 ６） 第１４頁纂１行と第２行との間に以下の記載を加
入します。 「実施例 ５ 厚さ１■のアクリル樹脂板上に、アきノピレンとり關ル
アニルとの縮合反応生成物であるジオキサジン化合物を
１０１テｏｒｒの真空度で蒸着して膜厚ｔ１００１にし
九〇 この記録層ｔ１８００ｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し、薄膜面から７９０ｎｍの半導体レーザ（日
立製）を試料面での照射／々ワーを８ｍＷにて照射した
ところ情報によるピットが形成して記録ができ念。 実施例 ６ 厚さ１ｍ１１のアクリル樹脂板上に、５−アミノフェノ
チアジンとクロルアニルとの縮合反応生成物であるジオ
キサジン化合物を１Ｏ−６７ｏｒｒの真空度で蒸着して
膜厚を３０００１にした。 この記録層を１８０Ｏｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し、薄膜面から７９０ｎｍの半導体レーザ（日
立１１）ｔ−試料面での照射パワーｔ５１ＩＷにて照射
し念ところ情報によるピットが形成して記録ができた。 実施例 ７ 厚さ１■のアクリル樹脂板上に、２−アミノフルオレノ
ンとプ四モアニルとの縮合反応生成物であるジオキサジ
ン化合物を１Ｏ−６ＴＯｒｒの真空度で蒸着して膜厚ｔ
２ｏｏｏｉにし念。 この記録層ｔ１８００ｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し薄膜面から■・−頁・レーザを試料面での照
射パワーを５ｍＷにて照射したところ情報によるピット
が形成して記録ができえ。 実施例 ８ 厚さ１１ＩＩＢのアクリル樹脂板上に、５−アミノ−画
一エチルフェノチアジンとりｐルアニルとの縮合反応生
成物であるジオキサジン化合物ｔ１０”’テｏｒｒの真
空度で蒸着して膜厚をＳ ｏ ｏ ｏｌにし九。 との記録層を１８０ Ｏｒｐｍで回転するターンテーブ
ル上に設置し、薄膜面から７９０ ｎｍの半導体レーザ
（日立製）を試料面での照射パワーを４ｍＷにて照射し
たところ情報によるピットが形成して記録ができた。 実施例 ９ ２−ア建ノー７−二トロフルオレノンとクロルアニルと
の縮合反応生成物であるジオキサジン化合物とニド田セ
ルロースの混合物をボールミルで混合粉砕し九のち、ス
ピナー法で厚さ１箇のアクリル樹脂板上にｓ ｏ ｏ
ｏＸの薄膜に形成し九。 この記―層ｔ１８００ｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し、薄膜面から７９ ’Ｏｎｍの半導体レーザ
を試′科面での照射パワーｔ ８ ｍｙにて照射したと
ころ情報によるピットが形成して記録がでｔ！また。 実施例 １０〜１８ １ｉ！施例１〜８のジオキナジン化合物とニドｐセルｐ
−スとの混合物を実施例９と同様邊方法で薄膜の厚さｔ
５ｏｏｏＸｒｃして製造しな。 これらの薄膜層１１８００ｒｐｍで回転するターンテー
ブル上に設置し薄膜面からそれぞれの化合物について実
施例１〜８におけるレーザ光を照射し九とζろそれぞれ
満足する記録ができた。」 以上
録媒体の基本的構成を示す断面図でありそして第２図な
いし第６図は本発明の光学的情報記録媒体のそれぞれ別
の例を示す断面図である。各図中、矢印は記録光および
再生光の照射方向を示す。 １・・・基板、２・・・情報記鎌膚、３・・・保膜層、
４・・・高い反射率を有する金属。 特許出願人 株式会社 リ コ −手続補正書 昭和５７年４月２日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １５４０２号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出厳人 住所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 （６７
４）株式会社 リ コ −４、代理人 ５、補正命令の日付（自発） □、・１つ ｌ補正の内容 １）ｌＩ４４１Ｋｍ５行ないし１４６頁下かｂｌｌｌＬ
４行（Ｄ「本発明の・・・・・・誘導体。」を次のとお
シ補正します。 「 本発明の光学的情報記録媒体に有用なジオキサジン
化合物およびその誘導体は２個のオキサジン環ｔＶする
本のであって以下の一般式によって表わすことができる
。 ！ （式中、ムは芳香族単環、縮合多環または縮合複素環を
含む芳香族アミノの残基を示しそしてＸはハロゲン原子
を示す）。 ｔた、上記ジオキサジン化合物およびその誘導体は６０
０〜８００ａｌｌの波長帯域で吸収を有し且つ蒸着可能
なものである。 とζで、上記一般式においてムの代表的な例としては、
芳香族単環を含む芳香族アミン例えば４−ペンゾイルア
ミノアニリν、４−ベンゾイルアミノ−３−クロルアニ
リン、４−ベンシイルアイノ−５−メトキシ“アニリン
、４−ベンシイルア建ノー３−エトキシアニリン、４−
ベンジルアミノ−５−クロルアニリン、４−にンソイル
オキシー３−クロルアニリンなどの残基、縮合多環を含
む芳香族アミン例えば２−アミノ−９−フルオレノン、
３−アきノーピレンなどの残基および縮合複素環を含む
芳香族アミン例えば５−アミノ−９−エチルカルバゾー
ル、５ ＝７ｔ／ −（５，６−ベンゾ）−９−エチル
カルバゾール、５−アミノ−（６，７−ベンゾ）−９−
エチルカルバゾール、３−アミノ−（７，８−ベンゾ）
−９−エチルカルバゾール、５−アミノー６−ニド四−
９−エチルカルバゾールおよび５−ア建ノー７−クロル
ー９−エチルカルバゾールなどの残基および３−アミノ
−アクリジンの残基ならびに５−アミノ−フェノチアジ
ン、３−アミノ−夏−エチルフェノチアジン、２−アミ
ノ−フェノキナジンなどの残基をあげることができる。 ４１に好適な残基ムは上述し大化合物を含めての下記一
般式によって表わされるカルバゾール化合物の残基であ
る。 （式中、Ｒは水素、ニトロ基、アミノ基、低級アルコキ
シ基、ハＥｌ ｙｙｌｌ［子ま九は芳香環を示し、！は
水素ま＊ｒは低級アルキル基を示しそしてｎは１〜８の
整数を示す）。 を九、本発明の光学的情報記録媒体に有用なジオキｔジ
ン化合物およびその誘導体は染料特Ｋ１１ｌＫ科として
知られているものであって、一般に芳香族単環、縮合多
環ｉたは縮合複素環を含む芳香族アミンとフロモアニル
、クロルアニル、フロモアニルまたは画一ドアニルなど
のノ翫ロアニルとの縮合閉環反応生成物である。前記縮
合閉環反応生成物の代表的なものを以下に示す。 （１） ３−ア（ノー′９−エチルカルバゾールとク
ロルアニルとの縮合反応生成物（実施例１）（２Ｊ ５
−アミノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾー
ルとクロルアニルとの縮合反応生成物（実施例２） （５）５−アミノ−９−エチルカル／（ゾールとブロモ
アニルとの縮合反応生成物（実施例３）（４）５−アミ
ノ−（５，６−ベンゾ）−９−エチルカルバゾールとフ
ロモアニルと０縮合反応生成物（実施ｆ１４） （５）アミノピレンとりＩ２ルアニルとの縮合反応生成
物（実施例５） （６）３−７ミノフエノチアジンとり四ルアニルとの縮
合反応生成物（実施例６） σ） ２−アミノフルオレノｙとブロモアニルとの縮合
反応生成物（実施例７） （８）５−アミノ−冨−エチルフェノチアジンとクロル
アニルとの縮合反応生成物（実施例８）（？）２−アｔ
／−７−二トロフルオレノンとクロルアニルとの縮合反
応生成物（ＩＩ施例９）２）馬１１ｊ［下から第２ない
し末行の「１−アミノ・・・・・・クロラニル」を「５
−アミノ−９−エチルカルパゾールとクロルアニル」と
補正します。 ３）ｊ１１２頁第９〜１０行の「１−アミノ・・・・・
・クロラニル」を「５−アミノ−（５，６−ベンゾ）、
” ９−エチルカルバゾールとクロルアニル」と補正し
ます。 ４） 第１３頁第５〜４行の「１−アミノ・・・・・・
プロマ二ルＪ１ｋｒ、５−アミノ−９−エチルカルバゾ
ールとブロモアニル」と補正します。 ５）ｊ１１Ｅ１３頁下から第６〜５行の「１−アミノ・
・・・・・ブロマニル」を１３−アミノ−（５，６−ベ
ンゾ）−９−エチルカルバゾールとブロモアニル」と補
正します。 ６） 第１４頁纂１行と第２行との間に以下の記載を加
入します。 「実施例 ５ 厚さ１■のアクリル樹脂板上に、アきノピレンとり關ル
アニルとの縮合反応生成物であるジオキサジン化合物を
１０１テｏｒｒの真空度で蒸着して膜厚ｔ１００１にし
九〇 この記録層ｔ１８００ｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し、薄膜面から７９０ｎｍの半導体レーザ（日
立製）を試料面での照射／々ワーを８ｍＷにて照射した
ところ情報によるピットが形成して記録ができ念。 実施例 ６ 厚さ１ｍ１１のアクリル樹脂板上に、５−アミノフェノ
チアジンとクロルアニルとの縮合反応生成物であるジオ
キサジン化合物を１Ｏ−６７ｏｒｒの真空度で蒸着して
膜厚を３０００１にした。 この記録層を１８０Ｏｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し、薄膜面から７９０ｎｍの半導体レーザ（日
立１１）ｔ−試料面での照射パワーｔ５１ＩＷにて照射
し念ところ情報によるピットが形成して記録ができた。 実施例 ７ 厚さ１■のアクリル樹脂板上に、２−アミノフルオレノ
ンとプ四モアニルとの縮合反応生成物であるジオキサジ
ン化合物を１Ｏ−６ＴＯｒｒの真空度で蒸着して膜厚ｔ
２ｏｏｏｉにし念。 この記録層ｔ１８００ｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し薄膜面から■・−頁・レーザを試料面での照
射パワーを５ｍＷにて照射したところ情報によるピット
が形成して記録ができえ。 実施例 ８ 厚さ１１ＩＩＢのアクリル樹脂板上に、５−アミノ−画
一エチルフェノチアジンとりｐルアニルとの縮合反応生
成物であるジオキサジン化合物ｔ１０”’テｏｒｒの真
空度で蒸着して膜厚をＳ ｏ ｏ ｏｌにし九。 との記録層を１８０ Ｏｒｐｍで回転するターンテーブ
ル上に設置し、薄膜面から７９０ ｎｍの半導体レーザ
（日立製）を試料面での照射パワーを４ｍＷにて照射し
たところ情報によるピットが形成して記録ができた。 実施例 ９ ２−ア建ノー７−二トロフルオレノンとクロルアニルと
の縮合反応生成物であるジオキサジン化合物とニド田セ
ルロースの混合物をボールミルで混合粉砕し九のち、ス
ピナー法で厚さ１箇のアクリル樹脂板上にｓ ｏ ｏ
ｏＸの薄膜に形成し九。 この記―層ｔ１８００ｒｐｍで回転するターンテーブル
上に設置し、薄膜面から７９ ’Ｏｎｍの半導体レーザ
を試′科面での照射パワーｔ ８ ｍｙにて照射したと
ころ情報によるピットが形成して記録がでｔ！また。 実施例 １０〜１８ １ｉ！施例１〜８のジオキナジン化合物とニドｐセルｐ
−スとの混合物を実施例９と同様邊方法で薄膜の厚さｔ
５ｏｏｏＸｒｃして製造しな。 これらの薄膜層１１８００ｒｐｍで回転するターンテー
ブル上に設置し薄膜面からそれぞれの化合物について実
施例１〜８におけるレーザ光を照射し九とζろそれぞれ
満足する記録ができた。」 以上
Claims (1)
- 基板にジオキサジン化合物またはその誘導体を担持せし
めたことを特徴とする、ｌｅ鎌再再生可能光学的情報記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013402A JPS58132231A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013402A JPS58132231A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132231A true JPS58132231A (ja) | 1983-08-06 |
Family
ID=11832125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57013402A Pending JPS58132231A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139730A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
| US4939012A (en) * | 1986-03-12 | 1990-07-03 | Basf Aktiengesellschaft | Naphtholactam dyes and optical recording medium containing these dyes |
| CN104892634A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-09-09 | 河南省科学院化学研究所有限公司 | 一种咔唑类二噁嗪化合物 |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP57013402A patent/JPS58132231A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4939012A (en) * | 1986-03-12 | 1990-07-03 | Basf Aktiengesellschaft | Naphtholactam dyes and optical recording medium containing these dyes |
| JPH02139730A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
| CN104892634A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-09-09 | 河南省科学院化学研究所有限公司 | 一种咔唑类二噁嗪化合物 |
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