JPS6089843A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS6089843A JPS6089843A JP58183440A JP18344083A JPS6089843A JP S6089843 A JPS6089843 A JP S6089843A JP 58183440 A JP58183440 A JP 58183440A JP 18344083 A JP18344083 A JP 18344083A JP S6089843 A JPS6089843 A JP S6089843A
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- recording layer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは半導体レーザ
の発振波長の元エネルギーにより物質状態の変化を利用
して記録を行う光学記録媒体に関する。
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは半導体レーザ
の発振波長の元エネルギーにより物質状態の変化を利用
して記録を行う光学記録媒体に関する。
従来、この種の光学記録媒体としてＴｅ合金、Ｔｅ酸化
物、バブル形成媒体及び有機色素等が用いられていた。
物、バブル形成媒体及び有機色素等が用いられていた。
Ｔｅ合金は、Ｔｅと半導体、例えはＡｓ、Ｓｅ等の固溶
合金として用いられている。この媒体は、比較的書き込
み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半導
体レーザにも適合するが、化学的に不安定であり、空気
中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｅ、Ａｓ
、Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
合金として用いられている。この媒体は、比較的書き込
み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半導
体レーザにも適合するが、化学的に不安定であり、空気
中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｅ、Ａｓ
、Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
Ｔｅ酸化物は、Ｔｅ合金より安定であるが、その光学特
性、例えは吸収率、反射率が酸化状態に敏感に依存する
。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳しく
制御しなけれはならないという欠点を有する。
性、例えは吸収率、反射率が酸化状態に敏感に依存する
。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳しく
制御しなけれはならないという欠点を有する。
バブル形成媒滲は、反射ｊ−１透過層、吸収層から成る
３１＠構造であり、繰り返し反射干渉により光の吸収率
を高め高感度化を図っている。したがって、この媒体は
現在量も高感度な媒体の一つであるが、多層構造のため
成膜回数が多いことと、繰り返し反射干渉が各層の厚さ
に大きく依存するため、成膜時の膜厚制御を厳しく行な
わなけれはならないという欠点がある。
３１＠構造であり、繰り返し反射干渉により光の吸収率
を高め高感度化を図っている。したがって、この媒体は
現在量も高感度な媒体の一つであるが、多層構造のため
成膜回数が多いことと、繰り返し反射干渉が各層の厚さ
に大きく依存するため、成膜時の膜厚制御を厳しく行な
わなけれはならないという欠点がある。
有機色素媒体は種々の形態で開発されている。
それらを大別すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に
溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体は
たとえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されている
ように高分子樹脂であるポリビニールアセテートに色素
としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し、回転塗布
法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波長領
域（４００〜５００ｎｍ）に吸収を示すが、半導体レー
ザの波長域（〜８ＵＯｎｍ ）ではほとんど吸収が無く
、半導体レーザを使用する記録装置の媒体としては使用
するこごができない。父、一般に相溶型の媒体は、媒体
形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂を使用する場合
は、樹脂を溶解しない溶剤を選択しなければならないと
いう制約がある。一方、色素単体型の媒体としては、た
とえはスクアＩＪ リウム色素を蒸着法で形成する媒体
が特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この色
素は半導体レーザの発振波長である近赤外波長・領域ｌ
こ比較的大きな吸収があるが、記録感度はＴｅ合金より
も悪い。
溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体は
たとえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されている
ように高分子樹脂であるポリビニールアセテートに色素
としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し、回転塗布
法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波長領
域（４００〜５００ｎｍ）に吸収を示すが、半導体レー
ザの波長域（〜８ＵＯｎｍ ）ではほとんど吸収が無く
、半導体レーザを使用する記録装置の媒体としては使用
するこごができない。父、一般に相溶型の媒体は、媒体
形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂を使用する場合
は、樹脂を溶解しない溶剤を選択しなければならないと
いう制約がある。一方、色素単体型の媒体としては、た
とえはスクアＩＪ リウム色素を蒸着法で形成する媒体
が特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この色
素は半導体レーザの発振波長である近赤外波長・領域ｌ
こ比較的大きな吸収があるが、記録感度はＴｅ合金より
も悪い。
本発明の目的は、前述の従来技術の次点を改良し、半導
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
学記録媒体を提供することである。
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
学記録媒体を提供することである。
すなわち本発明は、基板の片側才たは両側に記録層を設
け、情報をレーザ光線によって記録し、（式中ＲはＯＨ
％ＮＨ，、ＮＨＸ％ＮＸ、を表わし、Ｙ％Ｚはアルキル
基あるいはアルコキシル基を表わす。（ここでＸはアル
キル基を表わす。））で表わされるナフトキノン糸色素
を主成分とする有機薄膜を形成したことを特徴とする・ 上記の一般式で表わされるナフトキノン糸色素は、どれ
も吸収ピーク波長が近赤外領域にあるが、上記一般式中
のＲとしてＮＨ，を付加したものが半導体レーザの発振
波長と最も良く適合し、ざらにＹ、Ｚが炭素数４以下の
アルキル基あるいはアルコキシル基としたものが他の諸
条件に対して最も好ましいものである。
け、情報をレーザ光線によって記録し、（式中ＲはＯＨ
％ＮＨ，、ＮＨＸ％ＮＸ、を表わし、Ｙ％Ｚはアルキル
基あるいはアルコキシル基を表わす。（ここでＸはアル
キル基を表わす。））で表わされるナフトキノン糸色素
を主成分とする有機薄膜を形成したことを特徴とする・ 上記の一般式で表わされるナフトキノン糸色素は、どれ
も吸収ピーク波長が近赤外領域にあるが、上記一般式中
のＲとしてＮＨ，を付加したものが半導体レーザの発振
波長と最も良く適合し、ざらにＹ、Ｚが炭素数４以下の
アルキル基あるいはアルコキシル基としたものが他の諸
条件に対して最も好ましいものである。
で表わされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（３
，５ジメチルアニリノ）−１，４−ナフトキノンの吸収
スペクトルをクロロホルム溶剤中で測定すると、吸収極
太波長λｍａｘとして７６５ｎｍが得られ、半導体レー
ザの発振波長と良く適合することが判る。
，５ジメチルアニリノ）−１，４−ナフトキノンの吸収
スペクトルをクロロホルム溶剤中で測定すると、吸収極
太波長λｍａｘとして７６５ｎｍが得られ、半導体レー
ザの発振波長と良く適合することが判る。
前記化学式で表わされるナフトキノン糸色素の合成例を
次に示す。
次に示す。
才ず公知の２．３−“ジクロロ−１，４−ナフトキノン
を硝酸と硫酸でニトロ化して５−ニトロ−２，３−ジク
Ｏロー１．４−ナフトキノンを得る。欠に青酸ソータで
シアノ化を行ない５−ニトロ−２，３−ジシアノ−１，
４−ジヒドロキシナフタレンを得る。
を硝酸と硫酸でニトロ化して５−ニトロ−２，３−ジク
Ｏロー１．４−ナフトキノンを得る。欠に青酸ソータで
シアノ化を行ない５−ニトロ−２，３−ジシアノ−１，
４−ジヒドロキシナフタレンを得る。
続いて、塩化第１スズと塩酸で遷元処理後、塩化第２鉄
で酸化処理して５−アミノ−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノンＣＩ〕を得る。ＣＩ ） Ｉｇをよく粉
砕し、エタノール４００ｍＡ に分散させ還流しておく
。これに３．５−ジメチルアニリン１．０９ｇ（２モル
比）のエタノール（１０ｍｊ？）Ｍ液を滴下し、還元丁
に１０分かきまぜる。反応後熱時ｉ１過し、ｅ液を氷冷
して生じた沈澱を濾過し、乾燥後クロロホルムから再結
晶すると６００ｍｇ （収率３９％）の精製品（ｍｐ＞
２９０℃）が得られる。
で酸化処理して５−アミノ−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノンＣＩ〕を得る。ＣＩ ） Ｉｇをよく粉
砕し、エタノール４００ｍＡ に分散させ還流しておく
。これに３．５−ジメチルアニリン１．０９ｇ（２モル
比）のエタノール（１０ｍｊ？）Ｍ液を滴下し、還元丁
に１０分かきまぜる。反応後熱時ｉ１過し、ｅ液を氷冷
して生じた沈澱を濾過し、乾燥後クロロホルムから再結
晶すると６００ｍｇ （収率３９％）の精製品（ｍｐ＞
２９０℃）が得られる。
また、該色素の同定データは
λｍａｘ （クロロホルム） ７６５ ｎｍ′Ｒ量分析
（相対強度） ３４２（１００）、３２７（１１）、３２５（９）、２
２５（９７）、２２３（９１）元素分析 計算値 ０ニア０．１７％Ｈ：４．１２％Ｎ：１６．３
７形実験値 ０ニア０．１２％Ｈ： ４．０５％Ｎ：１
６．４２％であり、前記色素７ｉ−確認した。
（相対強度） ３４２（１００）、３２７（１１）、３２５（９）、２
２５（９７）、２２３（９１）元素分析 計算値 ０ニア０．１７％Ｈ：４．１２％Ｎ：１６．３
７形実験値 ０ニア０．１２％Ｈ： ４．０５％Ｎ：１
６．４２％であり、前記色素７ｉ−確認した。
前記ナフトキノ糸色素は、比較的高温、高湿の環境条件
でも安定であり、Ｔｅ合金のような空気中酸化による劣
化は示さない。このことは、保護膜無しで長期間の使用
に１−ることを意味する。又この化合物は、一般の有機
色素と同様に低い熱伝導率を有しており、その値は金属
の４０〜／１００である□したがって、レーザ光記録時
の媒体中での熱の拡散が少なくなり、光照射部の媒体温
度を効率梃く高めることができる。
でも安定であり、Ｔｅ合金のような空気中酸化による劣
化は示さない。このことは、保護膜無しで長期間の使用
に１−ることを意味する。又この化合物は、一般の有機
色素と同様に低い熱伝導率を有しており、その値は金属
の４０〜／１００である□したがって、レーザ光記録時
の媒体中での熱の拡散が少なくなり、光照射部の媒体温
度を効率梃く高めることができる。
記録媒体は、上記ナフトキノン糸色素を蒸着又は溶剤塗
布法により基板の片面又（ま両面に伺着して形成される
。基板材料としてはＦｆｌｌ々のものが１史用できるが
、一般にはガラス、Ａ［、合成樹脂が望丈しい。合成樹
脂としてはポリメチルメタクリル（ＰＭＭＡ）、ボ’）
ビ’＝−ル／）０フイト（ＰＶＣ）、ポリサルホン、ポ
リカーボネート、エポキシ樹脂等がある。基板形状は円
板形状、テープ形状、ソート形状が適用できる。
布法により基板の片面又（ま両面に伺着して形成される
。基板材料としてはＦｆｌｌ々のものが１史用できるが
、一般にはガラス、Ａ［、合成樹脂が望丈しい。合成樹
脂としてはポリメチルメタクリル（ＰＭＭＡ）、ボ’）
ビ’＝−ル／）０フイト（ＰＶＣ）、ポリサルホン、ポ
リカーボネート、エポキシ樹脂等がある。基板形状は円
板形状、テープ形状、ソート形状が適用できる。
基板上に形成されたナフトキノン糸色素形ＩＣこ半専俸
レーザ光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素
膜が除去されて孔が形成される、この孔形成の機構は明
確ではないが、蒸発（ケ４華）をともなう融解凝集に因
ると考えられる。形成される孔の大きさは、レーザ光の
収光径、レーザパワー、照射時間に依存するか、大体０
．２〜３μｍであることか望咳しい。このような孔形Ｊ
ｉに必要なレーザエネルギーは小さなものであり、した
がって、短時間で孔形成が可能である。具悴的には、波
長８３０ｎｍ Ｏ） ＡＡＧａＡｓ半導俸レー半導をし
−ム径１．４μｍ に収光した場合、色素膜面上でのパ
ワーは２〜１（ｌ ｍ Ｗ、 照射時間は５０〜３００
ｎｓｅｃの範囲で孔を形成することができる。当然のこ
とながら、上記パワニあるいは照射時間の上限値以上の
条件でも孔を形成することができるが、上記条件は望才
しい使用条件である。情報の記録は、２進情報を孔の有
無に対応させてることによりなされる。
レーザ光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素
膜が除去されて孔が形成される、この孔形成の機構は明
確ではないが、蒸発（ケ４華）をともなう融解凝集に因
ると考えられる。形成される孔の大きさは、レーザ光の
収光径、レーザパワー、照射時間に依存するか、大体０
．２〜３μｍであることか望咳しい。このような孔形Ｊ
ｉに必要なレーザエネルギーは小さなものであり、した
がって、短時間で孔形成が可能である。具悴的には、波
長８３０ｎｍ Ｏ） ＡＡＧａＡｓ半導俸レー半導をし
−ム径１．４μｍ に収光した場合、色素膜面上でのパ
ワーは２〜１（ｌ ｍ Ｗ、 照射時間は５０〜３００
ｎｓｅｃの範囲で孔を形成することができる。当然のこ
とながら、上記パワニあるいは照射時間の上限値以上の
条件でも孔を形成することができるが、上記条件は望才
しい使用条件である。情報の記録は、２進情報を孔の有
無に対応させてることによりなされる。
通常円板状媒体を“等速回転させて、記録情報に合わせ
て孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場合にお
いて色素膜の膜厚は０．０１〜０．５μｍで、好適には
０．０２〜０．２μｍである。このように記録された情
報（孔）の読み出しは、媒体からの反射光又は透過光の
光ｉｋ質化を検出することによりなされる。一般に反射
光を検出する方法が採用される。
て孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場合にお
いて色素膜の膜厚は０．０１〜０．５μｍで、好適には
０．０２〜０．２μｍである。このように記録された情
報（孔）の読み出しは、媒体からの反射光又は透過光の
光ｉｋ質化を検出することによりなされる。一般に反射
光を検出する方法が採用される。
これは、反射光検出の万が光学系が簡単になるためであ
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の１１５〜１／１
ｏである。
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の１１５〜１／１
ｏである。
記録再生時の光の入射方向として、媒体面側と基板面側
の２通りがある。不例の如き単層媒体では両方向の配置
とも使用可能である。基板面側入射では、媒体面上に付
着した塵埃に＃曽されることなく記録、再生が可能であ
り、より望ましい形態である。なお、媒体が形成されて
いる面の反対側の基板面上に付着した塵埃及びその面の
キズ等の欠陥は、基板厚さが１削以上であれは、その面
でのビーム径が充分大きいので記録、再生に悪影響を与
えることは少ない。
の２通りがある。不例の如き単層媒体では両方向の配置
とも使用可能である。基板面側入射では、媒体面上に付
着した塵埃に＃曽されることなく記録、再生が可能であ
り、より望ましい形態である。なお、媒体が形成されて
いる面の反対側の基板面上に付着した塵埃及びその面の
キズ等の欠陥は、基板厚さが１削以上であれは、その面
でのビーム径が充分大きいので記録、再生に悪影響を与
えることは少ない。
情報は孔列として記録される。孔列は一般に同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実挑する一つの手段として、回
転機構の精度を空気軸受などを使用して高めるという方
法がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となＶ）
、又市価となるので実用的ではない。より望すしいのは
、基板上に光の案内面を設ける方法である１、ビーム径
程度の溝に元が入射すると、光が回折される。
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実挑する一つの手段として、回
転機構の精度を空気軸受などを使用して高めるという方
法がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となＶ）
、又市価となるので実用的ではない。より望すしいのは
、基板上に光の案内面を設ける方法である１、ビーム径
程度の溝に元が入射すると、光が回折される。
ビーム中心が溝からすれるにつれて回折光強度の空間分
布が異なり、これを検出して、ビームを１Ｎの中心に入
射させるようＩこサーボ糸をＰｔｒＪｙ、することがで
きる。通常溝の幅は、０．６〜１．２μｍ１ その深さ
は使用する記録再生波長の１／８〜１／４ の範囲に設
定される。したがって記録層は面付基板面上に形成され
る。
布が異なり、これを検出して、ビームを１Ｎの中心に入
射させるようＩこサーボ糸をＰｔｒＪｙ、することがで
きる。通常溝の幅は、０．６〜１．２μｍ１ その深さ
は使用する記録再生波長の１／８〜１／４ の範囲に設
定される。したがって記録層は面付基板面上に形成され
る。
前記一般式で表わされるナフトキノン色素の薄膜は通常
の抵抗加熱蒸着法により容易に形成することができる。
の抵抗加熱蒸着法により容易に形成することができる。
なお、置換基Ｙ、Ｚがすべて水素原子である場合は、蒸
着か困雌で良好な膜が得られない。室温ζこ保持さむた
基板上に薄膜を形成すると、その結晶性は無定形、即し
非晶質となる。
着か困雌で良好な膜が得られない。室温ζこ保持さむた
基板上に薄膜を形成すると、その結晶性は無定形、即し
非晶質となる。
非晶質膜からの反射光〈は、多結晶膜で見られる粒界ノ
イズが含まれないので非晶質膜を使用した時の再生の／
Ｎは良好である。
イズが含まれないので非晶質膜を使用した時の再生の／
Ｎは良好である。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図Ｇ％実際に蒸着で、基板上に作成した５−アミノ
−２，３−ジシアノ−８−（３，５−ジメチルアニリノ
）−１，４−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スベクトル
を示しＴＣ！１のである。これより、Ａ ｌｌ Ｇ ａ
Ａ ｓ半導俸レーザの発撥波長である〜８ｏ。
−２，３−ジシアノ−８−（３，５−ジメチルアニリノ
）−１，４−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スベクトル
を示しＴＣ！１のである。これより、Ａ ｌｌ Ｇ ａ
Ａ ｓ半導俸レーザの発撥波長である〜８ｏ。
ｎｍ付近に吸収極大があり、木巴素が半専俸レーザを使
用する光学記＠媒体こして好適であることが確認さ１１
た。
用する光学記＠媒体こして好適であることが確認さ１１
た。
次に１゜２闘厚の円板状の）’ＭＭＡ基板上に、５−ア
ミノ−２，３−ジシアノ−８−（３，５−ジメチルアニ
リノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着
肱膜厚９７５ Ｘの膜を得た。抵抗加熱ボート材として
Ｍｏを使用し、蒸着前および蒸着時の真空度はそれぞれ
６ Ｘ １０ ”Ｉ’Ｏｒｒ、 ９ Ｘ ］（＋ ’Ｔ
ｏ ｒｒであったＯ蒸着速度を５ Ａ／ｍ ｉ ｎとし
、成板温度は自然放置温度とした。この月ψの波長８３
０ｎｍでの吸収率は３７Φであり、反射率は２１％であ
った。
ミノ−２，３−ジシアノ−８−（３，５−ジメチルアニ
リノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着
肱膜厚９７５ Ｘの膜を得た。抵抗加熱ボート材として
Ｍｏを使用し、蒸着前および蒸着時の真空度はそれぞれ
６ Ｘ １０ ”Ｉ’Ｏｒｒ、 ９ Ｘ ］（＋ ’Ｔ
ｏ ｒｒであったＯ蒸着速度を５ Ａ／ｍ ｉ ｎとし
、成板温度は自然放置温度とした。この月ψの波長８３
０ｎｍでの吸収率は３７Φであり、反射率は２１％であ
った。
第２図は、このようにして形成された媒体を示している
。ｌ’ＭＭＡ 基板１０上に色素Ｊ１！ｉ！２（ｌが形
成されている。この媒体に矢印３０の方向から波長８３
０ｎｍの半導渾レーザ光を光？糸（図示せず）で収光し
て照射し、記録再生を行なった。媒体の回転数は記録再
生位置での腺速か約４＋ｎ／Ｓｅｔとなるように選択し
た。記録周波数をＩＭＨｚとした場合、記録パワーが５
ｍＷ以上で５０ｄＢ以上の再生へか得られた。このよう
な記録再生特性は、基板１０を介して、即ち矢印５０の
方向から光を入射しても同様に可能であった。
。ｌ’ＭＭＡ 基板１０上に色素Ｊ１！ｉ！２（ｌが形
成されている。この媒体に矢印３０の方向から波長８３
０ｎｍの半導渾レーザ光を光？糸（図示せず）で収光し
て照射し、記録再生を行なった。媒体の回転数は記録再
生位置での腺速か約４＋ｎ／Ｓｅｔとなるように選択し
た。記録周波数をＩＭＨｚとした場合、記録パワーが５
ｍＷ以上で５０ｄＢ以上の再生へか得られた。このよう
な記録再生特性は、基板１０を介して、即ち矢印５０の
方向から光を入射しても同様に可能であった。
実施例２
実施例１と同様に５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−
、（３，４−ジメチルアニリノ）−１，４−ナフトキノ
ン色素をアクリル基板上に蒸着し、１１８５Ａの膜厚の
膜を得た。この膜の波長８３０ｎｍ での吸収率は４０
％であり、反射率は２３％であった。この膜に、アクリ
ル基板側より±導体レーザ光を収光して、線速４ ｍ／
ｌａｒ、記録周波数１ＭＨｚ、記録パワー６ｍＷで記録
を行な−）た後、０．７ｍ Ｗの連続光で再生すると５
０ｄＢ以上の再生／Ｎ（バンド幅３０ＫＨｚｌ）５傅ら
れた。この実施例の色素の合成（ば実施例１の場合とほ
とんど同じであり、３．４−ジメチルアニリン１．０９
ｇのエタノール溶？＆ Ｉこ対して５４０ｍｇ （収
率３５％）の精製品（ｍｐ ２７９℃、分解）が倚ら第
１１、 λｍａｘ （クロロホルム中） ７６８ ｎｍ質量分析
（イｌ対強度） ３４２（１００）、３２９（１４）、３２５（１４）、
３１７（１２）元素分析 計算値 ０ ニア ０．１７熾Ｈ：４．１２％、Ｎ：１
６．３７吻実験値 ０ニア０．２０煮Ｈ：４．１０％、
Ｎ：１６３６％の同定データにより確認した〇 前記実施例と同様に、置換アニリノが、３，５−ジエチ
ルアニリノ、３．４−ジエチルアニリノ、３゜５−ジメ
トキシアニリノ、３，４−ジメトキシアニリノ、２，５
ジメトキシアニリノ、３．５−３／”エトキシアニリノ
等の５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（置換アニリ
ノ）−１，４−ナフトキノン色素でも実施例と等しい有
効性か得られた。
、（３，４−ジメチルアニリノ）−１，４−ナフトキノ
ン色素をアクリル基板上に蒸着し、１１８５Ａの膜厚の
膜を得た。この膜の波長８３０ｎｍ での吸収率は４０
％であり、反射率は２３％であった。この膜に、アクリ
ル基板側より±導体レーザ光を収光して、線速４ ｍ／
ｌａｒ、記録周波数１ＭＨｚ、記録パワー６ｍＷで記録
を行な−）た後、０．７ｍ Ｗの連続光で再生すると５
０ｄＢ以上の再生／Ｎ（バンド幅３０ＫＨｚｌ）５傅ら
れた。この実施例の色素の合成（ば実施例１の場合とほ
とんど同じであり、３．４−ジメチルアニリン１．０９
ｇのエタノール溶？＆ Ｉこ対して５４０ｍｇ （収
率３５％）の精製品（ｍｐ ２７９℃、分解）が倚ら第
１１、 λｍａｘ （クロロホルム中） ７６８ ｎｍ質量分析
（イｌ対強度） ３４２（１００）、３２９（１４）、３２５（１４）、
３１７（１２）元素分析 計算値 ０ ニア ０．１７熾Ｈ：４．１２％、Ｎ：１
６．３７吻実験値 ０ニア０．２０煮Ｈ：４．１０％、
Ｎ：１６３６％の同定データにより確認した〇 前記実施例と同様に、置換アニリノが、３，５−ジエチ
ルアニリノ、３．４−ジエチルアニリノ、３゜５−ジメ
トキシアニリノ、３，４−ジメトキシアニリノ、２，５
ジメトキシアニリノ、３．５−３／”エトキシアニリノ
等の５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（置換アニリ
ノ）−１，４−ナフトキノン色素でも実施例と等しい有
効性か得られた。
また、これらの台底方法も実施例１とほとんど同じであ
って、たとえば５−アミノ−２，３−ジアミノ−８−（
２，５ジメトキシアニリノ）−１，４−ナフトキノン色
素でハ２，５−ジメトキシアニリン１．３７ ｇ ｒの
エタノール溶液に対して１００ｍｇ （収率６珍）のＭ
製品か得られ λｍａｘ （クロロホルム中） ７７５ｎｍ質量分析（
相対値） ３７４（７７）、３５９（１００）、３４９（５５）、
３３４（５５）、 ３３１（２４）元素分析 計算値 ０：６４．１７％Ｈ：３−７７９６Ｎ：１４．
９７％実験値 ０：６４．１５％）ｌ：３．７２ｇ６Ｎ
：１４−９９％の同定データにより確認した。
って、たとえば５−アミノ−２，３−ジアミノ−８−（
２，５ジメトキシアニリノ）−１，４−ナフトキノン色
素でハ２，５−ジメトキシアニリン１．３７ ｇ ｒの
エタノール溶液に対して１００ｍｇ （収率６珍）のＭ
製品か得られ λｍａｘ （クロロホルム中） ７７５ｎｍ質量分析（
相対値） ３７４（７７）、３５９（１００）、３４９（５５）、
３３４（５５）、 ３３１（２４）元素分析 計算値 ０：６４．１７％Ｈ：３−７７９６Ｎ：１４．
９７％実験値 ０：６４．１５％）ｌ：３．７２ｇ６Ｎ
：１４−９９％の同定データにより確認した。
以上述べた種々のナフトキノン色素を適用した記録媒体
の耐候性について加速試験を行なった。
の耐候性について加速試験を行なった。
４０℃〜７０℃のｍＬ度範囲で行ない、膜の反射率変化
によって室温（２５℃）での寿命を推定した。前記ナフ
トキノン色素では１０年以上の寿命を確認した。
によって室温（２５℃）での寿命を推定した。前記ナフ
トキノン色素では１０年以上の寿命を確認した。
−万ナフトキノン糸色素以外の色素では数日〜数土日の
寿命であり、ナフトキノン茶色素の中でもたとえば５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−（アニリノ）−１，４
−ナフトキノンでは数ケ月以内の寿命であった。
寿命であり、ナフトキノン茶色素の中でもたとえば５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−（アニリノ）−１，４
−ナフトキノンでは数ケ月以内の寿命であった。
また以上の例は置換アニリノにおいて同種の基が形成さ
れている場合でありたが、−万がアルキ）ＬＭ、他方が
アルコキシル基の場合でも又は同種の基のうちのそれぞ
れ異なる基の場合でも、実施例とほとんど同じ方法で合
成可能であり、前述と同様の有効性を確認した。
れている場合でありたが、−万がアルキ）ＬＭ、他方が
アルコキシル基の場合でも又は同種の基のうちのそれぞ
れ異なる基の場合でも、実施例とほとんど同じ方法で合
成可能であり、前述と同様の有効性を確認した。
以上の実施例では、前記ナフトキノン糸色素の単体膜を
記録層として用いる場合を示したが、これらの色素と金
属及び有機物との混合膜あるいは分散膜を記録層とする
こともできる。例えは、金属として低一点を有するＧｅ
、 Ａｓ、 Ｓｅ、 Ｃｄ、 Ｉｎ、８ｎ、 Ｓｂ、
Ｔｅ、 ＴＡｉ、 Ｐｂ、 Ｂ ｉ 等の単体金属およ
びこれらの合金を使用することができる。金属との混合
膜を形成する方法としては、共蒸着が望韮しい。有機物
としては、ニトロセルロースおよび熱可塑性樹脂を使用
することができる。熱可塑性樹脂の具体例としては、ポ
リオレフィン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ
アクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリビニルアセテート及びこれらの共重合ポ
リマー等が挙げられる。これら有機物との混合膜を形成
する方法としては、適当な溶剤ｌこ色素と有機物を溶解
し、回転塗布法を用いるのが簡便で望ましい。
記録層として用いる場合を示したが、これらの色素と金
属及び有機物との混合膜あるいは分散膜を記録層とする
こともできる。例えは、金属として低一点を有するＧｅ
、 Ａｓ、 Ｓｅ、 Ｃｄ、 Ｉｎ、８ｎ、 Ｓｂ、
Ｔｅ、 ＴＡｉ、 Ｐｂ、 Ｂ ｉ 等の単体金属およ
びこれらの合金を使用することができる。金属との混合
膜を形成する方法としては、共蒸着が望韮しい。有機物
としては、ニトロセルロースおよび熱可塑性樹脂を使用
することができる。熱可塑性樹脂の具体例としては、ポ
リオレフィン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ
アクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリビニルアセテート及びこれらの共重合ポ
リマー等が挙げられる。これら有機物との混合膜を形成
する方法としては、適当な溶剤ｌこ色素と有機物を溶解
し、回転塗布法を用いるのが簡便で望ましい。
さらに本発明によれは、前記ナフトキノン系色素膜およ
び混合膜の記録層と一層以上の補助層を設けて多層媒体
とすることもできる。例えは、基板と記録層の間に１等
の反射率の高い反射層を設けた２層線体、記録層上に前
記低融点金属膜を積層した２層線体、前記反射層を有す
る２層線体の反射層と記録層の間に光学的に透明なスペ
ーサを挿入した３層謀停等が構地できる。又、本発明の
媒体の最上層に公知の方法により、誘電体、有機物、高
融点金属等の保護層を付与することもできる。
び混合膜の記録層と一層以上の補助層を設けて多層媒体
とすることもできる。例えは、基板と記録層の間に１等
の反射率の高い反射層を設けた２層線体、記録層上に前
記低融点金属膜を積層した２層線体、前記反射層を有す
る２層線体の反射層と記録層の間に光学的に透明なスペ
ーサを挿入した３層謀停等が構地できる。又、本発明の
媒体の最上層に公知の方法により、誘電体、有機物、高
融点金属等の保護層を付与することもできる。
′ｗ、１図は５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（３
゜５−ジメチルアニリノ）−１，４−ナフトキノン色素
蒸着膜の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は、不
発明による光学記録媒体の断面図であｔ）図中１０は基
板、２０Ｇ１色素膜、園、５０は光の入射方向を示す。 第１図 波 長 （ｎｍ） 第２図 手続補正書輸ヨ。 ５９．１２．−３ 昭和 年 月 日 述′、：、。 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和郭年特 許願第１８３４４０号２
、＠明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）明細書第７頁第５行目に「質量分析」とあるのを１
゛質量析」と補正する。 ２）明細書第１３貞第１６行目に［ＫＨｚが得られた。 」とあるのを「ＫＨｚ ）が得られた。」と補正する。 ３）明ａ：ｔｉｌ書第１４頁第１１行目に「２，５ジメ
トキシアニリノ」とあるのを［２，５−ジメトキシアニ
リノ」と補正する。 ４）明細＄ｉ１４頁第１９行目に１１．３７ ｇｒＪ
とあるのを［，３７ｇＪと補正する。 代理人 弁理士 内 原 措
゜５−ジメチルアニリノ）−１，４−ナフトキノン色素
蒸着膜の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は、不
発明による光学記録媒体の断面図であｔ）図中１０は基
板、２０Ｇ１色素膜、園、５０は光の入射方向を示す。 第１図 波 長 （ｎｍ） 第２図 手続補正書輸ヨ。 ５９．１２．−３ 昭和 年 月 日 述′、：、。 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和郭年特 許願第１８３４４０号２
、＠明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）明細書第７頁第５行目に「質量分析」とあるのを１
゛質量析」と補正する。 ２）明細書第１３貞第１６行目に［ＫＨｚが得られた。 」とあるのを「ＫＨｚ ）が得られた。」と補正する。 ３）明ａ：ｔｉｌ書第１４頁第１１行目に「２，５ジメ
トキシアニリノ」とあるのを［２，５−ジメトキシアニ
リノ」と補正する。 ４）明細＄ｉ１４頁第１９行目に１１．３７ ｇｒＪ
とあるのを［，３７ｇＪと補正する。 代理人 弁理士 内 原 措
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の片側または両１ｌｉｌに記録層を設け、情報をレ
ーザ光線によって記録し、かつ読み取る光学記録媒体１
こおいて、前記記録層として （式中几はＯＨ％ＮＨ，、Ｎ）ｉＸ、 ＮＸ、を表わし
、Ｙ。 Ｚはアルキル基あるいはアルコキシル基を表わす。 （ここでＸはアルキル基を表わす。））で表わされるチ
ットキノン糸色素を主賊分とする有機薄膜を形成したこ
とを特徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183440A JPS6089843A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183440A JPS6089843A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089843A true JPS6089843A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16135802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183440A Pending JPS6089843A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089843A (ja) |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183440A patent/JPS6089843A/ja active Pending
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