JPS59131494A - 光記録方式 - Google Patents
光記録方式Info
- Publication number
- JPS59131494A JPS59131494A JP58232329A JP23232983A JPS59131494A JP S59131494 A JPS59131494 A JP S59131494A JP 58232329 A JP58232329 A JP 58232329A JP 23232983 A JP23232983 A JP 23232983A JP S59131494 A JPS59131494 A JP S59131494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- formula
- base plate
- dye
- naphthoquinone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録方式に関し、さらに詳しくは半導体レーザ
の発振波長の光エネルギーにより物質状態の変化を利用
して記録を行う光学記録方式に関する。
きる光学記録方式に関し、さらに詳しくは半導体レーザ
の発振波長の光エネルギーにより物質状態の変化を利用
して記録を行う光学記録方式に関する。
従来、前記記録方式に用いる光学記録媒体としてはＴｅ
合金、Ｔｅ酸化物、バブル形成媒体及び有機色素等が用
いられていた。
合金、Ｔｅ酸化物、バブル形成媒体及び有機色素等が用
いられていた。
Ｔｅ合金は、Ｔｅと半導体、例えばＡｓ、Ｓｅ等の固溶
合金として用いられている。この媒体は、比較的書き込
み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半導
体レーザにも適合するが、化学的に不安定であシ、空気
中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｏ、Ａｓ
、Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
合金として用いられている。この媒体は、比較的書き込
み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半導
体レーザにも適合するが、化学的に不安定であシ、空気
中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｏ、Ａｓ
、Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
Ｔｅ酸化物は、Ｔｅ合金よシ安定であるが、その光学特
性、例えば吸収率、反射率が酸化状態に敏感に依存する
。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳しく
制御しなけれはならないという欠点を有する。
性、例えば吸収率、反射率が酸化状態に敏感に依存する
。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳しく
制御しなけれはならないという欠点を有する。
バブル形成媒体は、反射層、透過層、吸収層か□ ら
成る層構造であシ、繰り返し反射干渉によシ光の吸収率
を高め高感度化を図っている。したがって、この媒体は
現在量も高感度な媒体の一つであるが、多層構造のため
成膜回数が多いことと、繰シ返し反射干渉が各層の厚さ
に大きく依存するため、成膜時の膜厚制御を厳しく行な
わなければならないという欠点がある。
成る層構造であシ、繰り返し反射干渉によシ光の吸収率
を高め高感度化を図っている。したがって、この媒体は
現在量も高感度な媒体の一つであるが、多層構造のため
成膜回数が多いことと、繰シ返し反射干渉が各層の厚さ
に大きく依存するため、成膜時の膜厚制御を厳しく行な
わなければならないという欠点がある。
一方、有機色素媒体は棟々の形態で開発されている。そ
れらを大別すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に溶
剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体はた
とえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されているよ
うに、高分子樹脂であるポリビニールアセテートに色素
としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し、回転塗布
法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波長領
域（４００〜５００ｎｍ ）に吸収を示すが、半導体レ
ーザの波長域（〜８００ｎｍ）ではほとんど吸収が無く
、半導体レーザを使用する記録装置の媒体としては使用
−することができない。又、一般に相溶型の媒体は、媒
体形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂を使用する場
合は、樹脂を溶解しない溶剤を選択しなければならない
という制約がある。一方、色素単体型の媒体としては、
たとえばスクアリリウム色素を蒸着法で形成する媒体が
特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この色素
は半導一体レーザの発振波長である近赤外波長領域に比
較的大きな吸収があるが、記録感度はＴｅ合金よセも悪
い。
れらを大別すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に溶
剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体はた
とえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されているよ
うに、高分子樹脂であるポリビニールアセテートに色素
としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し、回転塗布
法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波長領
域（４００〜５００ｎｍ ）に吸収を示すが、半導体レ
ーザの波長域（〜８００ｎｍ）ではほとんど吸収が無く
、半導体レーザを使用する記録装置の媒体としては使用
−することができない。又、一般に相溶型の媒体は、媒
体形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂を使用する場
合は、樹脂を溶解しない溶剤を選択しなければならない
という制約がある。一方、色素単体型の媒体としては、
たとえばスクアリリウム色素を蒸着法で形成する媒体が
特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この色素
は半導一体レーザの発振波長である近赤外波長領域に比
較的大きな吸収があるが、記録感度はＴｅ合金よセも悪
い。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、半導
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
記録方式を提供することである。
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
記録方式を提供することである。
すなわち本発明は、基板の片側に、
（式中ＲはＯＨ，Ｎｕ、、ＮＨＸ又はＮＸ、を表わし、
（Ｒ’）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは置換数を表
わす。（ここでＸはアルキル基を表わす。））で表わさ
れるナフトキノン色素を主成分とする記録層を設け、レ
ーザ光線による情報の記録再生を基板側から行なうこと
を特徴とする。
（Ｒ’）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは置換数を表
わす。（ここでＸはアルキル基を表わす。））で表わさ
れるナフトキノン色素を主成分とする記録層を設け、レ
ーザ光線による情報の記録再生を基板側から行なうこと
を特徴とする。
上記の一般式で表わされるナフトキノン色素は、２．３
−ジシアノ−１，４−ナフトキノンと総称され、５，８
位の助色団の種類によって吸収ピーク波長が可視領域か
ら近赤外領域に変化する。上記例示した助色団はどれも
近赤外領域に吸収ピーク波長があるが、上記一般式中の
ＲとしてＮＨ，を付加した化合物が半導体レーザの発振
波長と最も良く適合し、さらに（Ｒ’ ）ｎをアルコキ
シル基としたものが他の諸条件に対して最も好ましいも
のでで表わされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−
〔（４−メトキシ）フェニルアミノ）−１，４−す７ト
キノンをアセトン溶剤中で測定した場合、この色素のス
ペクトルの吸収極太波長λｍａｘは７７０ｎｍであシ、
半導体レーザの発振波長とψ良く適合することが判る。
−ジシアノ−１，４−ナフトキノンと総称され、５，８
位の助色団の種類によって吸収ピーク波長が可視領域か
ら近赤外領域に変化する。上記例示した助色団はどれも
近赤外領域に吸収ピーク波長があるが、上記一般式中の
ＲとしてＮＨ，を付加した化合物が半導体レーザの発振
波長と最も良く適合し、さらに（Ｒ’ ）ｎをアルコキ
シル基としたものが他の諸条件に対して最も好ましいも
のでで表わされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−
〔（４−メトキシ）フェニルアミノ）−１，４−す７ト
キノンをアセトン溶剤中で測定した場合、この色素のス
ペクトルの吸収極太波長λｍａｘは７７０ｎｍであシ、
半導体レーザの発振波長とψ良く適合することが判る。
前記ナフトキノン色素化合物は、比較的高温、高湿の環
境条件でもＶ定であシ、Ｔｅ合金のような空気中酸化に
よる劣化は示さない。このことは、保護膜無しで長期間
の使用に耐ることを意味する。又この化合物は、一般の
有機色素と同様に低い熱伝導率を有しており、その値は
金属のＬ−１である。したがって、レーザ１０ １０
０ 光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくなり、光照射部
の媒体温度を効率良く高めることができる。
境条件でもＶ定であシ、Ｔｅ合金のような空気中酸化に
よる劣化は示さない。このことは、保護膜無しで長期間
の使用に耐ることを意味する。又この化合物は、一般の
有機色素と同様に低い熱伝導率を有しており、その値は
金属のＬ−１である。したがって、レーザ１０ １０
０ 光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくなり、光照射部
の媒体温度を効率良く高めることができる。
記録媒体は、上記ナフトキノン色素を蒸着又は溶剤塗布
法によシ基板の片面に付層して形成される。前述のナフ
トキノン色素のうち、ＲがＮＨ，で（Ｒ’）ｎ がア
ルコキシル基の場合は約２００Ｃ〜２４０℃前後で蒸着
が可能でおる。基板材料としては種々のものが使用でき
るが、一般にはガラス。
法によシ基板の片面に付層して形成される。前述のナフ
トキノン色素のうち、ＲがＮＨ，で（Ｒ’）ｎ がア
ルコキシル基の場合は約２００Ｃ〜２４０℃前後で蒸着
が可能でおる。基板材料としては種々のものが使用でき
るが、一般にはガラス。
合成樹脂が望ましい。合成樹脂としてはポリメチルメタ
クリル（ＰＭＭＡ’）、ポリサルホン、ポリカーボ坏−
ト等がある。基板形状は円板形状、テープ形状、シート
形状が適用できる。
クリル（ＰＭＭＡ’）、ポリサルホン、ポリカーボ坏−
ト等がある。基板形状は円板形状、テープ形状、シート
形状が適用できる。
基板上に形成されたナフトキノン色素膜に半導体レーザ
光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素膜が除
去されて孔が形成される。この孔形成の機構は明確では
ないが、蒸発（昇華）をともなう融解凝集に因ると考え
られる。形成される孔の大きさは、レーザ光の収光径、
レーザパワー、照射時間に依存するが、大体０２〜３μ
ｍであることが望ましい。このような孔形成に必要なレ
ーザエネルギーは小さなものであシ、したがって、短時
間で孔形成が可能である。具体的には、波長８３０ｎｍ
のＡ Ｉ’Ｇ ａＡ ｓ半導体レーザ光をビーム径１．
４μｍに収光した場合、色素層面上でのパワーは２〜１
０ｍＷ、照射時間は５０〜３００ ｈ ｓｅｅの範囲で
礼金形成することができる。当然のことながら、上記パ
ワー、あるいは照射時間の上限値以上の条件でも孔を形
成することができるが、上記条件は望オしい使用条件で
ある。情報の記録は、２進情報を孔の有無に対応させる
ことによシなされる。
光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素膜が除
去されて孔が形成される。この孔形成の機構は明確では
ないが、蒸発（昇華）をともなう融解凝集に因ると考え
られる。形成される孔の大きさは、レーザ光の収光径、
レーザパワー、照射時間に依存するが、大体０２〜３μ
ｍであることが望ましい。このような孔形成に必要なレ
ーザエネルギーは小さなものであシ、したがって、短時
間で孔形成が可能である。具体的には、波長８３０ｎｍ
のＡ Ｉ’Ｇ ａＡ ｓ半導体レーザ光をビーム径１．
４μｍに収光した場合、色素層面上でのパワーは２〜１
０ｍＷ、照射時間は５０〜３００ ｈ ｓｅｅの範囲で
礼金形成することができる。当然のことながら、上記パ
ワー、あるいは照射時間の上限値以上の条件でも孔を形
成することができるが、上記条件は望オしい使用条件で
ある。情報の記録は、２進情報を孔の有無に対応させる
ことによシなされる。
通常円板状媒体を等速回転させて１．記録情報に合わせ
て孔を形成して情報音記録する。なお、以上の場合にお
いて色素膜の膜厚は００１〜０５μｍで、好適には０．
０２〜０．２μｍである。
て孔を形成して情報音記録する。なお、以上の場合にお
いて色素膜の膜厚は００１〜０５μｍで、好適には０．
０２〜０．２μｍである。
このように記録された情報（孔）の読み出しは、媒体か
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することによシ
な避れる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することによシ
な避れる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
これは、反射光検出の方が光学系が簡単になるためであ
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光景は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の−〜−であ５
１０ る。
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光景は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の−〜−であ５
１０ る。
記録、再生時の光の入射方向として、媒体面側と基板面
側の２通シがある。基板向側入射では、媒体面上に付着
した塵埃に影響されることなく記録、再生が可能でろシ
、よシ望ましい形態である。
側の２通シがある。基板向側入射では、媒体面上に付着
した塵埃に影響されることなく記録、再生が可能でろシ
、よシ望ましい形態である。
なお、媒体が形成されている面の反対側の基板面上に付
着した塵埃及びその面のキズ等の欠陥は、基板厚さが１
ｍｍ以上であれば、その面でのビーム径が充分大きいの
で記録、再生に悪影響を与えない。
着した塵埃及びその面のキズ等の欠陥は、基板厚さが１
ｍｍ以上であれば、その面でのビーム径が充分大きいの
で記録、再生に悪影響を与えない。
情報は孔列として記録される。孔列は一般に同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の精度を空気軸受などを使用して病めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となυ、又
高価となるので実用的ではない。よシ望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なシ、こ
れを検出して、ビームを溝の中心に入射させるようにサ
ーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、０６〜
１．２μｍ、その深さは使用する記録再生波長の−〜−
の範囲に設定さ４ れる。したがって記録層は溝付基板面上に形成される。
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の精度を空気軸受などを使用して病めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となυ、又
高価となるので実用的ではない。よシ望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なシ、こ
れを検出して、ビームを溝の中心に入射させるようにサ
ーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、０６〜
１．２μｍ、その深さは使用する記録再生波長の−〜−
の範囲に設定さ４ れる。したがって記録層は溝付基板面上に形成される。
２．３−ジシアノ−１，４ナフトキノン色素の薄膜は通
常の抵抗加熱蒸着法によシ容易に形成することができる
。室温に保持された基板上に薄膜を形成すると、その結
晶性は無定形、即ち非晶質となる。非晶質膜からの反射
光には、多結晶膜で見られる粒界ノイズが含まれないの
で非晶質膜を使用した時の再生のジＮは良好である。
常の抵抗加熱蒸着法によシ容易に形成することができる
。室温に保持された基板上に薄膜を形成すると、その結
晶性は無定形、即ち非晶質となる。非晶質膜からの反射
光には、多結晶膜で見られる粒界ノイズが含まれないの
で非晶質膜を使用した時の再生のジＮは良好である。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は実際に蒸着で基板上に作成した５−アミノ−２
，３−ジシアノ−８−Ｃ（４−メトキシ）フェニルアミ
ノ）−１，４−ナフト−Ｐノン色素の薄膜の吸収スペク
トルを示したものである。これよシ、Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓ 半導体レーザの発振波長である〜８００ ｎｍ
付近に吸収極大があシ、本色素が半導体レーザを使用す
る光学記録媒体として好適であることが確認された。な
お、本蒸着膜の複素屈折率は波長８３０ ｎｍで２．４
−ｉｏ、７である。
，３−ジシアノ−８−Ｃ（４−メトキシ）フェニルアミ
ノ）−１，４−ナフト−Ｐノン色素の薄膜の吸収スペク
トルを示したものである。これよシ、Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓ 半導体レーザの発振波長である〜８００ ｎｍ
付近に吸収極大があシ、本色素が半導体レーザを使用す
る光学記録媒体として好適であることが確認された。な
お、本蒸着膜の複素屈折率は波長８３０ ｎｍで２．４
−ｉｏ、７である。
次に１．２ ｍｍ厚の円板上のＰＭＭＡ基板上に、５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−（（４−メトキシ）フ
ェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱
法で蒸着し、膜厚９３５Ｘの膜を得た。抵抗加熱ボート
材はＭｏであシ、蒸着時の真空度はＩＪＸ ｌ Ｏ−’
Ｔｏｒｒ以下とした。基板は室温自然放置とし、蒸着
による基板温度上昇はほとんど認められなかった。ボー
ト温度を徐々に上げて行くと２３３℃で色素が融解し、
この温度に固定して蒸着した。蒸着速度は５Ａ／ｓｅｅ
である。
アミノ−２，３−ジシアノ−８−（（４−メトキシ）フ
ェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱
法で蒸着し、膜厚９３５Ｘの膜を得た。抵抗加熱ボート
材はＭｏであシ、蒸着時の真空度はＩＪＸ ｌ Ｏ−’
Ｔｏｒｒ以下とした。基板は室温自然放置とし、蒸着
による基板温度上昇はほとんど認められなかった。ボー
ト温度を徐々に上げて行くと２３３℃で色素が融解し、
この温度に固定して蒸着した。蒸着速度は５Ａ／ｓｅｅ
である。
なお、本色素の分解温度は２９５℃であシ、蒸着温度よ
シ十分高い。
シ十分高い。
第２図は、このようにして形成された媒体１を示してい
る。ＰＭＭＡ基板１０上に色素膜２０が形成されている
。この媒体１に基板ｌＯを介して矢印５０の方向から波
長８３０ｎｍの半導体し〜ザ光を光学系（図示せず）で
集光して照射した。この場合、レーザ光は媒体面上のパ
ワーで２〜１０ ｍＷ 。
る。ＰＭＭＡ基板１０上に色素膜２０が形成されている
。この媒体１に基板ｌＯを介して矢印５０の方向から波
長８３０ｎｍの半導体し〜ザ光を光学系（図示せず）で
集光して照射した。この場合、レーザ光は媒体面上のパ
ワーで２〜１０ ｍＷ 。
照射時間５０〜３００ｎｓｅｃ、媒射時間５０〜３００
ｎｓｅｃ。
ｎｓｅｃ。
媒体移動線速度１．３ｍ／ ｓｅｅの条件で行なった。
この記録波長での記録感度は約４０ｍＪ／ｄであった。
この記録によシ、色素膜２０中に約１μｍ前後の径の孔
４０が形成された。
４０が形成された。
上記実施例から明らかなように、本発明によシ得られる
光学記録方式は、高感度であシかつ化学的に安定で長期
保存に耐えるという優れた利点を有していることが判る
。なお、本実施例ではアルコキシル基（Ｒ’）ｎとして
メトキシル基ＣＨ，０を用いる例を示したがこの他にエ
トキシル基Ｃ，Ｈ，０−、グロボキシル基Ｃ，Ｈ７０−
等の炭素の多いものでもほぼ実施例と等しい有効性が得
られる。
光学記録方式は、高感度であシかつ化学的に安定で長期
保存に耐えるという優れた利点を有していることが判る
。なお、本実施例ではアルコキシル基（Ｒ’）ｎとして
メトキシル基ＣＨ，０を用いる例を示したがこの他にエ
トキシル基Ｃ，Ｈ，０−、グロボキシル基Ｃ，Ｈ７０−
等の炭素の多いものでもほぼ実施例と等しい有効性が得
られる。
第１図は５−アミノ−２，３ジシアノ−８−〔（４−メ
トキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン色素
蒸着膜の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は、本
発明における一実施例の光学記録媒体の断面図であシス
中ｌＯは基板、２０は色素膜、５０は光の入射方向、４
０は孔を示す。 亭 １ 口 液長 （ｎｍ）
トキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン色素
蒸着膜の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は、本
発明における一実施例の光学記録媒体の断面図であシス
中ｌＯは基板、２０は色素膜、５０は光の入射方向、４
０は孔を示す。 亭 １ 口 液長 （ｎｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の片側に、 一般式 （式中ＲはＯＨ、ＮＨ，、ＮＩ（Ｘ又はＮＸ、を表わし
、（Ｒ’）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは置換数を
表わす（ここでＸはアルキル基を表わす。））で表わさ
れるナフトキノン色素を主成分とする記録層を設け、レ
ーザ光線による情報の記録・再生を基板側から行なうこ
とを特徴とする光記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232329A JPS59131494A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光記録方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232329A JPS59131494A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光記録方式 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157475A Division JPS5948187A (ja) | 1982-06-25 | 1982-09-10 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59131494A true JPS59131494A (ja) | 1984-07-28 |
| JPH0251393B2 JPH0251393B2 (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=16937485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232329A Granted JPS59131494A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59131494A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948187A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-19 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232329A patent/JPS59131494A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948187A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-19 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251393B2 (ja) | 1990-11-07 |
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