JPH0251392B2 - - Google Patents
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- JPH0251392B2 JPH0251392B2 JP58232328A JP23232883A JPH0251392B2 JP H0251392 B2 JPH0251392 B2 JP H0251392B2 JP 58232328 A JP58232328 A JP 58232328A JP 23232883 A JP23232883 A JP 23232883A JP H0251392 B2 JPH0251392 B2 JP H0251392B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光学記録媒体の製造方法に関し、さ
らに詳しくは半導体レーザの発振波長の光エネル
ギーにより物質状態の変化を利用して記録を行う
光学記録媒体の製造方法に関する。
ことのできる光学記録媒体の製造方法に関し、さ
らに詳しくは半導体レーザの発振波長の光エネル
ギーにより物質状態の変化を利用して記録を行う
光学記録媒体の製造方法に関する。
従来、この種の光学記録媒体としてTe合金、
Te酸化物、バブル形成媒体及び有機色素等が用
いられていた。
Te酸化物、バブル形成媒体及び有機色素等が用
いられていた。
Te合金は、Teと半導体、例えばAs、Se等の
固溶合金として用いられている。この媒体は、比
較的書き込み感度が高く、又記録再生の光学系を
小型にし得る半導体レーザにも適合するが、化学
的に不安定であり、空気中放置で容易に劣化する
ことと、構成材料（Te、As、Se等）が毒性を示
すという問題点がある。
固溶合金として用いられている。この媒体は、比
較的書き込み感度が高く、又記録再生の光学系を
小型にし得る半導体レーザにも適合するが、化学
的に不安定であり、空気中放置で容易に劣化する
ことと、構成材料（Te、As、Se等）が毒性を示
すという問題点がある。
Te酸化物は、Te合金より安定であるが、その
光学特性、例えば吸収率、反射率が酸化状態に敏
感に依存する。そのため、この媒体は媒体形成時
に酸化状態を厳しく制御しなければならないとい
う欠点を有する。
光学特性、例えば吸収率、反射率が酸化状態に敏
感に依存する。そのため、この媒体は媒体形成時
に酸化状態を厳しく制御しなければならないとい
う欠点を有する。
バブル形成媒体は、反射層、透過層、吸収層か
ら成る層構造であり、繰り返し反射干渉により光
の吸収率を高め高感度化を図つている。したがつ
て、この媒体は現在最も高感度な媒体の一つであ
るが、多層構造のため成膜回数が多いことと、繰
り返し反射干渉が各層の厚さに大きく依存するた
め、成膜時の膜厚制御を厳しく行なわなければな
らないという欠点がある。
ら成る層構造であり、繰り返し反射干渉により光
の吸収率を高め高感度化を図つている。したがつ
て、この媒体は現在最も高感度な媒体の一つであ
るが、多層構造のため成膜回数が多いことと、繰
り返し反射干渉が各層の厚さに大きく依存するた
め、成膜時の膜厚制御を厳しく行なわなければな
らないという欠点がある。
一方、有機色素媒体は種々の形態で開発されて
いる。それらを大別すると色素単体型と色素を高
分子樹脂中に溶剤で溶解させた相溶型に分けられ
る。相溶型の媒体はたとえば特開昭55−161690号
に開示されているように、高分子樹脂であるポリ
ビニールアセテートに色素としてポリエステルイ
エローを溶剤で相溶し、回転塗布法で基板上に形
成される。この媒体は、比較的短波長領域（400
〜500nｍ）に吸収を示すが、半導体レーザの波
長域（〜800nｍ）ではほとんど吸収が無く、半
導体レーザを使用する記録装置の媒体としては使
用することができない。又、一般に相溶型の媒体
は、媒体形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂
を使用する場合は、樹脂を溶解しない溶剤を選択
しなければならないという制約がある。一方、色
素単体系の媒体としては、たとえばスクアリリウ
ム色素を蒸着法で形成する媒体が特開昭56−
46221号に開示されている。この色素は半導体レ
ーザの発振波長である近赤外波長領域に比較的大
きな吸収があるが、記録感度はTe合金よりも悪
い。
いる。それらを大別すると色素単体型と色素を高
分子樹脂中に溶剤で溶解させた相溶型に分けられ
る。相溶型の媒体はたとえば特開昭55−161690号
に開示されているように、高分子樹脂であるポリ
ビニールアセテートに色素としてポリエステルイ
エローを溶剤で相溶し、回転塗布法で基板上に形
成される。この媒体は、比較的短波長領域（400
〜500nｍ）に吸収を示すが、半導体レーザの波
長域（〜800nｍ）ではほとんど吸収が無く、半
導体レーザを使用する記録装置の媒体としては使
用することができない。又、一般に相溶型の媒体
は、媒体形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂
を使用する場合は、樹脂を溶解しない溶剤を選択
しなければならないという制約がある。一方、色
素単体系の媒体としては、たとえばスクアリリウ
ム色素を蒸着法で形成する媒体が特開昭56−
46221号に開示されている。この色素は半導体レ
ーザの発振波長である近赤外波長領域に比較的大
きな吸収があるが、記録感度はTe合金よりも悪
い。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良
し、半導体レーザの波長領域において高感度で化
学的に安定な光記録媒体の製造方法を提供するこ
とである。
し、半導体レーザの波長領域において高感度で化
学的に安定な光記録媒体の製造方法を提供するこ
とである。
すなわち本発明は、
一般式
（式中ＲはOH、NH2、NHX又はNX2を表わし、
（R′）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは置換数
を表わす（ここでＸはアルキル基を表わす。））で
表わされるナフトキノン色素を蒸発させて、基板
の片側又は両側に前記ナフトキノン色素を主成分
とする記録層を形成することを特徴とする。
（R′）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは置換数
を表わす（ここでＸはアルキル基を表わす。））で
表わされるナフトキノン色素を蒸発させて、基板
の片側又は両側に前記ナフトキノン色素を主成分
とする記録層を形成することを特徴とする。
上記の一般式で表わされるナフトキノン色素
は、２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノンと
総称され、５、８位の助色団の種類によつて吸収
ピーク波長が可視領域から近赤外領域に変化す
る。上記例示した助色団はどれも近赤外領域に吸
収ピーク波長があるが、上記一般式中のＲとして
NH2を付加した化合物が半導体レーザの発振波
長と最も良く適合し、さらに（R′）ｎをアルコ
キシル基としたものが他の諸条件として最も好ま
しいものである。
は、２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノンと
総称され、５、８位の助色団の種類によつて吸収
ピーク波長が可視領域から近赤外領域に変化す
る。上記例示した助色団はどれも近赤外領域に吸
収ピーク波長があるが、上記一般式中のＲとして
NH2を付加した化合物が半導体レーザの発振波
長と最も良く適合し、さらに（R′）ｎをアルコ
キシル基としたものが他の諸条件として最も好ま
しいものである。
たとえば
で表わされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８
−〔（４−メトキシ）フエニルアミノ〕−１，４−
ナフトキノンをアセトン溶剤中で測定した場合、
この色素のスペクトルの吸収極大波長λmaxは
770nｍであり、半導体レーザの発振波長と良く
適合することが判る。前記ナフトキノン色素化合
物は、比較的高温、高湿の環境条件でも安定であ
り、Te合金のような空気中酸化による劣化は示
さない。このことは、保護膜無しで長期間の使用
に耐ることを意味する。又この化合物は、一般の
有機色素と同様に低い熱伝導率を有しており、そ
の値は金属の1/10〜1/100である。したがつて、
レーザ光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくな
り、光照射部の媒体温度を効率良く高めることが
できる。
−〔（４−メトキシ）フエニルアミノ〕−１，４−
ナフトキノンをアセトン溶剤中で測定した場合、
この色素のスペクトルの吸収極大波長λmaxは
770nｍであり、半導体レーザの発振波長と良く
適合することが判る。前記ナフトキノン色素化合
物は、比較的高温、高湿の環境条件でも安定であ
り、Te合金のような空気中酸化による劣化は示
さない。このことは、保護膜無しで長期間の使用
に耐ることを意味する。又この化合物は、一般の
有機色素と同様に低い熱伝導率を有しており、そ
の値は金属の1/10〜1/100である。したがつて、
レーザ光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくな
り、光照射部の媒体温度を効率良く高めることが
できる。
記録媒体は、上記ナフトキノン色素を蒸着によ
り基板の片面又は両面に付着して形成される。前
記のＲがNH2で、アルコキシル基がOCH3、
OC2H5、OCH3H7の場合は約220〜240℃程度で
蒸着が可能となり、OC4H9は約200〜220℃程度
で蒸着が可能となる。またこれらのナフトキノン
色素は約300℃前後で分解するため、蒸着温度は
該分解温度より低く、前記蒸着が可能となる温度
より数十度高い温度まで可能である。基板材料と
しては種々のものが使用できるが一般には、ガラ
ス、Al、合成樹脂が望ましい。合成樹脂として
はポリメチルメタクリル（PMMA）、ポリビニー
ルクロライド（PVC）、ポリサルホン、ポリカー
ボネート等がある。基板形状は円板形状、テープ
形状、シート形状が適用できる。
り基板の片面又は両面に付着して形成される。前
記のＲがNH2で、アルコキシル基がOCH3、
OC2H5、OCH3H7の場合は約220〜240℃程度で
蒸着が可能となり、OC4H9は約200〜220℃程度
で蒸着が可能となる。またこれらのナフトキノン
色素は約300℃前後で分解するため、蒸着温度は
該分解温度より低く、前記蒸着が可能となる温度
より数十度高い温度まで可能である。基板材料と
しては種々のものが使用できるが一般には、ガラ
ス、Al、合成樹脂が望ましい。合成樹脂として
はポリメチルメタクリル（PMMA）、ポリビニー
ルクロライド（PVC）、ポリサルホン、ポリカー
ボネート等がある。基板形状は円板形状、テープ
形状、シート形状が適用できる。
基板上に形成されたナフトキノン色素膜に半導
体レーザ光をレンズで収光して照射すると、照射
部の色素膜が除去されて孔が形成される。この孔
形成の機構は明確ではないが、蒸発（昇華）をと
もなう融解凝集に因ると考えられる。形成される
孔の大きさは、レーザ光の収光径、レーザパワ
ー、照射時間に依存するが、大体0.2〜3μｍであ
ることが望ましい。このような孔形成に必要なレ
ーザエネルギーは小さなものであり、したがつ
て、短時間で孔形成が可能である。具体的には、
波長830nｍのAlGaAs半導体レーザ光をビーム径
1.4μｍに収光した場合、色素膜面上でのパワーは
２〜10ｍＷ、照射時間は50〜300nsecの範囲で孔
を形成することができる。当然のことながら、上
記パワー、あるいは照射時間の上限値以上の条件
でも孔を形成することができるが、上記条件は望
ましい使用条件である。情報の記録は、２進情報
を孔の有無に対応させることによりなされる。通
常円板状媒体を等速回転させて、記録情報に合わ
せて孔を形成して情報を記録する。なお、以上の
場合において色素膜の膜厚は0.01〜0.5μｍで、好
適には0.02〜0.2μｍである。
体レーザ光をレンズで収光して照射すると、照射
部の色素膜が除去されて孔が形成される。この孔
形成の機構は明確ではないが、蒸発（昇華）をと
もなう融解凝集に因ると考えられる。形成される
孔の大きさは、レーザ光の収光径、レーザパワ
ー、照射時間に依存するが、大体0.2〜3μｍであ
ることが望ましい。このような孔形成に必要なレ
ーザエネルギーは小さなものであり、したがつ
て、短時間で孔形成が可能である。具体的には、
波長830nｍのAlGaAs半導体レーザ光をビーム径
1.4μｍに収光した場合、色素膜面上でのパワーは
２〜10ｍＷ、照射時間は50〜300nsecの範囲で孔
を形成することができる。当然のことながら、上
記パワー、あるいは照射時間の上限値以上の条件
でも孔を形成することができるが、上記条件は望
ましい使用条件である。情報の記録は、２進情報
を孔の有無に対応させることによりなされる。通
常円板状媒体を等速回転させて、記録情報に合わ
せて孔を形成して情報を記録する。なお、以上の
場合において色素膜の膜厚は0.01〜0.5μｍで、好
適には0.02〜0.2μｍである。
このように記録された情報（孔）の読み出し
は、媒体からの反射光又は透過光の光量変化を検
出することによりなされる。一般に反射光を検出
する方法が採用される。これは、反射光検出の方
が光学系が簡単になるためである。即ち、一つの
光学系で投光と集光が可能であるためである。読
み出しはレーザ光を連続させて照射する。その時
の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエ
ネルギーに設定され、通常記録時の光量の1/5〜
１／１０である。
は、媒体からの反射光又は透過光の光量変化を検
出することによりなされる。一般に反射光を検出
する方法が採用される。これは、反射光検出の方
が光学系が簡単になるためである。即ち、一つの
光学系で投光と集光が可能であるためである。読
み出しはレーザ光を連続させて照射する。その時
の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエ
ネルギーに設定され、通常記録時の光量の1/5〜
１／１０である。
記録・再生時の光の入射方向として、媒体面側
と基板面側の２通りがある。本例の如き単層媒体
では両方向の配置とも使用可能である。基板面側
入射では、媒体面上に付着した塵埃に影響される
ことなく記録・再生が可能であり、より望ましい
形態である。なお、媒体が形成されている面の反
対側の基板面上に付着した塵埃及びその面のキズ
等の欠陥は、基板厚さが１mm以上であれば、その
面でのビーム径が充分大きいので記録・再生に悪
影響を与えない。
と基板面側の２通りがある。本例の如き単層媒体
では両方向の配置とも使用可能である。基板面側
入射では、媒体面上に付着した塵埃に影響される
ことなく記録・再生が可能であり、より望ましい
形態である。なお、媒体が形成されている面の反
対側の基板面上に付着した塵埃及びその面のキズ
等の欠陥は、基板厚さが１mm以上であれば、その
面でのビーム径が充分大きいので記録・再生に悪
影響を与えない。
情報は孔列として記録される。孔列は一般に同
心円状又はスパイラル状の多数のトラツクを形成
する。再生する場合、光ビームは特定トラツクの
孔列上を精度良く追跡する必要がある。これを実
現する一つの手段として回転機構の精度を空気軸
受などを使用して高めるという方法がある。しか
し、この場合は、回転系が複雑となり、又高価と
なるので実用的ではない。より望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径
程度の溝に光が入射すると、光が回折される。ビ
ーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空
間分布が異なり、これを検出して、ビームの溝の
中心に入射されるようにサーボ系を構成すること
ができる。通常溝の幅は、0.6〜1.2μｍ、その深
さは使用する記録再生波長の1/8〜1/4の範囲に設
定される。したがつて記録層は溝付基板面上に形
成される。
心円状又はスパイラル状の多数のトラツクを形成
する。再生する場合、光ビームは特定トラツクの
孔列上を精度良く追跡する必要がある。これを実
現する一つの手段として回転機構の精度を空気軸
受などを使用して高めるという方法がある。しか
し、この場合は、回転系が複雑となり、又高価と
なるので実用的ではない。より望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径
程度の溝に光が入射すると、光が回折される。ビ
ーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空
間分布が異なり、これを検出して、ビームの溝の
中心に入射されるようにサーボ系を構成すること
ができる。通常溝の幅は、0.6〜1.2μｍ、その深
さは使用する記録再生波長の1/8〜1/4の範囲に設
定される。したがつて記録層は溝付基板面上に形
成される。
２，３−ジシアノ−１，４ナフトキノン色素の
薄膜は通常の抵抗加熱蒸着法により形成すること
ができる。室温に保持された基板上に薄膜を形成
すると、その結晶性は無定形、即ち非晶質とな
る。非晶質膜からの反射光には、多結晶膜で見ら
れる粒界ノイズが含まれないので非晶質膜を使用
した時の再生のＳ／Ｎは良好である。
薄膜は通常の抵抗加熱蒸着法により形成すること
ができる。室温に保持された基板上に薄膜を形成
すると、その結晶性は無定形、即ち非晶質とな
る。非晶質膜からの反射光には、多結晶膜で見ら
れる粒界ノイズが含まれないので非晶質膜を使用
した時の再生のＳ／Ｎは良好である。
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は実際に蒸着で基板上に作成した５−ア
ミノ−２，３−ジシアノ−８−〔（４−メトキシ）
フエニルアミノ〕−１，４−ナフトキノン色素の
薄膜の吸収スペクトルを示したものである。これ
より、AlGaAs半導体レーザの発振波長である〜
800nｍ付近に吸収極大があり、本色素が半導体
レーザを使用する光学記録媒体として好適である
ことが確認された。なお、本蒸着膜の複素屈折率
は波長830nｍで2.4−i0.7である。
ミノ−２，３−ジシアノ−８−〔（４−メトキシ）
フエニルアミノ〕−１，４−ナフトキノン色素の
薄膜の吸収スペクトルを示したものである。これ
より、AlGaAs半導体レーザの発振波長である〜
800nｍ付近に吸収極大があり、本色素が半導体
レーザを使用する光学記録媒体として好適である
ことが確認された。なお、本蒸着膜の複素屈折率
は波長830nｍで2.4−i0.7である。
次に1.2mm厚の円板状のPMMA基板上に、５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−〔（４−メトキ
シ）フエニルアミノ〕−１，４−ナフトキノン色
素を抵抗加熱法で蒸着し、膜厚935Åの膜を得た。
抵抗加熱ポート材はMoであり、蒸着時の真空度
は1.5×10-5Torr以下とした。基板は室温自然放
置とし、蒸着による基板温度上昇はほとんど認め
られなかつた。ボート温度を徐合に上げて行くと
233℃で色素が融解し、この温度に固定して蒸着
した。蒸着速度は５Å／secである。
アミノ−２，３−ジシアノ−８−〔（４−メトキ
シ）フエニルアミノ〕−１，４−ナフトキノン色
素を抵抗加熱法で蒸着し、膜厚935Åの膜を得た。
抵抗加熱ポート材はMoであり、蒸着時の真空度
は1.5×10-5Torr以下とした。基板は室温自然放
置とし、蒸着による基板温度上昇はほとんど認め
られなかつた。ボート温度を徐合に上げて行くと
233℃で色素が融解し、この温度に固定して蒸着
した。蒸着速度は５Å／secである。
なお、本色素の分解温度は295℃であり、蒸着
温度より十分高い。
温度より十分高い。
第２図は、このようにして形成された媒体１を
示している。PMMA基板１０上に色素膜２０が
形成されている。この媒体１に矢印３０の方向か
ら波長830nｍの半導体レーザ光を光学系（図示
せず）で集光して照射した。この場合、レーザ光
は媒体面上のパワーで２〜10ｍＷ、照射時間50〜
300nsec、媒体移動線速度13ｍ／secの条件で行な
つた。この記録波長での記録感度は約40ｍＪ／cm2
であつた。この記録により、色素膜２０中に約
1μｍ前後の径の孔４０が形成された。このよう
な記録は、基板１０を介して、即ち矢印５０の方
向から光を入射しても同様に可能であつた。
示している。PMMA基板１０上に色素膜２０が
形成されている。この媒体１に矢印３０の方向か
ら波長830nｍの半導体レーザ光を光学系（図示
せず）で集光して照射した。この場合、レーザ光
は媒体面上のパワーで２〜10ｍＷ、照射時間50〜
300nsec、媒体移動線速度13ｍ／secの条件で行な
つた。この記録波長での記録感度は約40ｍＪ／cm2
であつた。この記録により、色素膜２０中に約
1μｍ前後の径の孔４０が形成された。このよう
な記録は、基板１０を介して、即ち矢印５０の方
向から光を入射しても同様に可能であつた。
上記実施例から明らかなように、本発明により
得られる光学記録媒体は、高感度でありかつ化学
的に安定で長期保存に耐え、加えて媒体形成が容
易であるという優れた利点を有していることが判
る。なお、本実施例ではアルコキシル基（R′）
ｎとしてメトキシル基CH3O−を用いる例を示し
たがこの他にエトキシル基C2H5O−、プロポキ
シル基C3H7O−等の炭素の多いものでも実施例
とほぼ同様の製造条件で作製でき、等しい有効性
が得られる。
得られる光学記録媒体は、高感度でありかつ化学
的に安定で長期保存に耐え、加えて媒体形成が容
易であるという優れた利点を有していることが判
る。なお、本実施例ではアルコキシル基（R′）
ｎとしてメトキシル基CH3O−を用いる例を示し
たがこの他にエトキシル基C2H5O−、プロポキ
シル基C3H7O−等の炭素の多いものでも実施例
とほぼ同様の製造条件で作製でき、等しい有効性
が得られる。
第１図は５−アミノ−２，３ジシアノ−８−
〔（４−メトキシ）フエニルアミノ〕−１，４−ナ
フトキノン色素蒸着膜の吸収スペクトルを表わす
グラフ、第２図は、本発明による光学記録媒体の
断面図であり図中１０は基板、２０は色素膜、３
０，５０は光の入射方向、４０は孔を示す。
〔（４−メトキシ）フエニルアミノ〕−１，４−ナ
フトキノン色素蒸着膜の吸収スペクトルを表わす
グラフ、第２図は、本発明による光学記録媒体の
断面図であり図中１０は基板、２０は色素膜、３
０，５０は光の入射方向、４０は孔を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中ＲはOH、NH2、NHX又はNX2を表わし、
（R′）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは置換数
を表わす（ここでＸはアルキル基を表わす。））で
表わされるナフトキノン色素を蒸発させて、基板
の片側又は両側に前記ナフトキノン色素を主成分
とする記録層を形成することを特徴とする光学記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232328A JPS59131493A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光学記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232328A JPS59131493A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光学記録媒体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157475A Division JPS5948187A (ja) | 1982-06-25 | 1982-09-10 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59131493A JPS59131493A (ja) | 1984-07-28 |
| JPH0251392B2 true JPH0251392B2 (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=16937470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232328A Granted JPS59131493A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光学記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59131493A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000011061A (ko) * | 1997-03-31 | 2000-02-25 | 모리시타 요이찌 | 광기록 매체 및 그 제조방법 |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232328A patent/JPS59131493A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59131493A (ja) | 1984-07-28 |
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