JPH0567438B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ光を用いて情報を記録・再生
することのできる新規な高感度かつ高密度な光情
報記録媒体に関する。更に詳しくは高密度エネル
ギービームであるレーザ光を照射された部位が溶
融、分解等により変形又は除去されることにより
生じる反射率或いは透過率の変化を利用して情報
を記録・再生するのに適したヒートモードの光情
報記録媒体に関する。 〔従来の技術〕 レーザ光による光記録は書き込みないし読み出
しヘツドが非接触である為、記録材料が摩耗劣化
しないという特徴をもつことから、種々の光記録
材料の研究開発が行われている。特に光デイス
ク、レーザプリンタ、フアクシミリ等の分野にお
いてはレーザ光を用いた数多くの光情報記録材料
が知られている。その代表的なものとしては、
Te，Bi，In，Ge等の金属、合金又は酸化物に見
られる金属系物質を光吸収性物質として記録層に
用いることが知られている。しかしながら、金属
系物質は熱伝導率や融点が高いばかりでなく、表
面反射率も大きい為、レーザ光のエネルギーを有
効に利用することができないという欠点がある。
又、これらの金属系物質は毒性の点で大きな問題
がある。 一方、前記金属系以外の光情報記録材料として
は、フルオレセイン、スーダンブラツクＢ、コン
ゴーレツド、スーダンブルー、ローダミン6G等
の有機染料を光吸収性物質として記録媒層に用い
ることも知られている（例えば特開昭56−55289
号および特公昭57−209191号など）。 一般に有機物の熱伝導率は金属の1/10〜1/100
と小さいことから、光熱変換により発生した熱が
有効に利用できるばかりでなく、水平方向への熱
の散逸が低減されることから、忠実な信号の記
録、即ち高密度記録が可能となる。しかしなが
ら、これら公知の有機物は主に可視光領域に吸収
を示すことから、記録用レーザ光源はAr+レーザ
（488nm）或いはHe−Neレーザ（633nm）等に
限定され、近赤外光領域（〜800nm）に発振波長
を有し、装置全体の小型化、軽量化が計れる半導
体レーザによる記録には適していない。 近赤外光領域に吸収を示す有機化合物としては
シアニン色素等が例えば特開昭58−114989号にて
知られている。しかしながらシアニン色素は水
分、酸素または光等に対する安定性が悪いので記
録状態が安定に保てないという欠点がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上説明したように従来提案されている有機系
の光情報記録材料は十分な光吸収能或いは光反射
能を有しないか、或いは耐久性、保存安定性等に
問題があり光情報記録材料としての必要性能を満
足するものはないのが現状である。 而して、本発明の第１の目的は、低出力のレー
ザ光照射で高いCNR（Carrier to noise ratio）
を得ることができる高感度かつ高密度な有機系の
光情報記録媒体を提供するにある。 本発明の第２の目的は近赤外光領域（〜
800nm）に発振波長を有する半導体レーザを用い
て記録・再生が行なえる光情報記録媒体を提供す
るにある。 又、本発明の他の目的は、耐久性があり、かつ
記録状態が安定に保たれる光情報記録媒体を提供
するにある。 又、更に他の目的は生産性の良い、光情報記録
媒体を提供するにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは広範に亘る研究をした結果、モノ
アゾ化合物の金属錯体群の中に可視光及び近赤外
光領域に於て大きな分子吸光係数を有するものを
見い出した。そして該金属錯体を含む記録層にレ
ーザ光を照射したところ、効率良く光熱変換を起
こし、レーザ光を照射した部位が反射率或は透過
率に大きな変化を生じることを認め、本発明に至
つた。 即ち、本発明の光情報記録媒体は、基本的には
支持体及び記録層からなり、該記録層が、下記の
一般式(1)で表わされるモノアゾ化合物と２価の金
属との錯体を含有することを特徴とするものであ
る。
することのできる新規な高感度かつ高密度な光情
報記録媒体に関する。更に詳しくは高密度エネル
ギービームであるレーザ光を照射された部位が溶
融、分解等により変形又は除去されることにより
生じる反射率或いは透過率の変化を利用して情報
を記録・再生するのに適したヒートモードの光情
報記録媒体に関する。 〔従来の技術〕 レーザ光による光記録は書き込みないし読み出
しヘツドが非接触である為、記録材料が摩耗劣化
しないという特徴をもつことから、種々の光記録
材料の研究開発が行われている。特に光デイス
ク、レーザプリンタ、フアクシミリ等の分野にお
いてはレーザ光を用いた数多くの光情報記録材料
が知られている。その代表的なものとしては、
Te，Bi，In，Ge等の金属、合金又は酸化物に見
られる金属系物質を光吸収性物質として記録層に
用いることが知られている。しかしながら、金属
系物質は熱伝導率や融点が高いばかりでなく、表
面反射率も大きい為、レーザ光のエネルギーを有
効に利用することができないという欠点がある。
又、これらの金属系物質は毒性の点で大きな問題
がある。 一方、前記金属系以外の光情報記録材料として
は、フルオレセイン、スーダンブラツクＢ、コン
ゴーレツド、スーダンブルー、ローダミン6G等
の有機染料を光吸収性物質として記録媒層に用い
ることも知られている（例えば特開昭56−55289
号および特公昭57−209191号など）。 一般に有機物の熱伝導率は金属の1/10〜1/100
と小さいことから、光熱変換により発生した熱が
有効に利用できるばかりでなく、水平方向への熱
の散逸が低減されることから、忠実な信号の記
録、即ち高密度記録が可能となる。しかしなが
ら、これら公知の有機物は主に可視光領域に吸収
を示すことから、記録用レーザ光源はAr+レーザ
（488nm）或いはHe−Neレーザ（633nm）等に
限定され、近赤外光領域（〜800nm）に発振波長
を有し、装置全体の小型化、軽量化が計れる半導
体レーザによる記録には適していない。 近赤外光領域に吸収を示す有機化合物としては
シアニン色素等が例えば特開昭58−114989号にて
知られている。しかしながらシアニン色素は水
分、酸素または光等に対する安定性が悪いので記
録状態が安定に保てないという欠点がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上説明したように従来提案されている有機系
の光情報記録材料は十分な光吸収能或いは光反射
能を有しないか、或いは耐久性、保存安定性等に
問題があり光情報記録材料としての必要性能を満
足するものはないのが現状である。 而して、本発明の第１の目的は、低出力のレー
ザ光照射で高いCNR（Carrier to noise ratio）
を得ることができる高感度かつ高密度な有機系の
光情報記録媒体を提供するにある。 本発明の第２の目的は近赤外光領域（〜
800nm）に発振波長を有する半導体レーザを用い
て記録・再生が行なえる光情報記録媒体を提供す
るにある。 又、本発明の他の目的は、耐久性があり、かつ
記録状態が安定に保たれる光情報記録媒体を提供
するにある。 又、更に他の目的は生産性の良い、光情報記録
媒体を提供するにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは広範に亘る研究をした結果、モノ
アゾ化合物の金属錯体群の中に可視光及び近赤外
光領域に於て大きな分子吸光係数を有するものを
見い出した。そして該金属錯体を含む記録層にレ
ーザ光を照射したところ、効率良く光熱変換を起
こし、レーザ光を照射した部位が反射率或は透過
率に大きな変化を生じることを認め、本発明に至
つた。 即ち、本発明の光情報記録媒体は、基本的には
支持体及び記録層からなり、該記録層が、下記の
一般式(1)で表わされるモノアゾ化合物と２価の金
属との錯体を含有することを特徴とするものであ
る。
【化】
（式中、Ｘはそれが結合している窒素原子及び
炭素原子と一緒になつて、アルキル基、アルコキ
シル基、アミノ基、置換アミノ基及び水酸基から
なる群より選択された少なくとも１つの電子供与
基又はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリ
フツ化メチル基及びカルボキシル基からなる群よ
り選択された少なくとも１つの電子吸引基で置換
されていてもよい、チアゾリン、ベンゾチアゾリ
ン、ピリジン、キノリン、ピリミジン及びテトラ
ヒドロベンゾチアゾリンからなる群より選択され
た複素環を形成する２価の基を表し、Ｙはそれが
結合している二つの炭素原子と一緒になつて、ア
ルキル基、アルコキシル基、アミノ基、置換アミ
ノ基及び水酸基からなる群より選択された少なく
とも１つの電子供与基で置換されていてもよい、
ベンゼン及びナフタレンからなる群より選択され
た芳香環を形成する２価の基を表し、Ｚはヒドロ
キシル基またはカルボキシル基を表す。） 上記の電子供与基としては、モノメチルアミ
ノ、モノエチルアミノ等の炭素数４までの低級モ
ノアルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチル
アミノ、ジｎ−ブチルアミノ等の炭素数４までの
低級ジアルキルアミノ基、メトキシ、エトキシ等
の炭素数４までの低級アルコキシ基、メチル、エ
チル等の炭素数４までの低級アルキル基、アミノ
基又は水酸基等が好ましい。尚上記アルキル部位
は例えばスルホン化されていてもよい。特に好ま
しい電子供与基は、Ｚがヒドロキシル基の場合は
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、水酸基、
メトキシ基またはメチル基であり、Ｚがカルボキ
シル基の場合はジメチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基または水酸基である。 一方、好ましい電子吸引基は塩素、臭素又はニ
トロ基である。 これらの置換基は一種又は二種でも良い。 好ましい複素環はチアゾリン及びベンゾチアゾ
リンである。芳香環としてベンゼンを選択した場
合、前記電子供与基で置換されているのがよい。
該電子供与基は助色効果及び錯体の安定性を増大
させる効果を有する。 本発明に於て錯体を形成するモノアゾ化合物の
代表例としては、Ｚがヒドロキシル基の場合は次
のものが挙げられる。 なお、例示したモノアゾ化合物の略称を括孤内
に示す。 １ チアゾリルアゾ化合物。
炭素原子と一緒になつて、アルキル基、アルコキ
シル基、アミノ基、置換アミノ基及び水酸基から
なる群より選択された少なくとも１つの電子供与
基又はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリ
フツ化メチル基及びカルボキシル基からなる群よ
り選択された少なくとも１つの電子吸引基で置換
されていてもよい、チアゾリン、ベンゾチアゾリ
ン、ピリジン、キノリン、ピリミジン及びテトラ
ヒドロベンゾチアゾリンからなる群より選択され
た複素環を形成する２価の基を表し、Ｙはそれが
結合している二つの炭素原子と一緒になつて、ア
ルキル基、アルコキシル基、アミノ基、置換アミ
ノ基及び水酸基からなる群より選択された少なく
とも１つの電子供与基で置換されていてもよい、
ベンゼン及びナフタレンからなる群より選択され
た芳香環を形成する２価の基を表し、Ｚはヒドロ
キシル基またはカルボキシル基を表す。） 上記の電子供与基としては、モノメチルアミ
ノ、モノエチルアミノ等の炭素数４までの低級モ
ノアルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチル
アミノ、ジｎ−ブチルアミノ等の炭素数４までの
低級ジアルキルアミノ基、メトキシ、エトキシ等
の炭素数４までの低級アルコキシ基、メチル、エ
チル等の炭素数４までの低級アルキル基、アミノ
基又は水酸基等が好ましい。尚上記アルキル部位
は例えばスルホン化されていてもよい。特に好ま
しい電子供与基は、Ｚがヒドロキシル基の場合は
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、水酸基、
メトキシ基またはメチル基であり、Ｚがカルボキ
シル基の場合はジメチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基または水酸基である。 一方、好ましい電子吸引基は塩素、臭素又はニ
トロ基である。 これらの置換基は一種又は二種でも良い。 好ましい複素環はチアゾリン及びベンゾチアゾ
リンである。芳香環としてベンゼンを選択した場
合、前記電子供与基で置換されているのがよい。
該電子供与基は助色効果及び錯体の安定性を増大
させる効果を有する。 本発明に於て錯体を形成するモノアゾ化合物の
代表例としては、Ｚがヒドロキシル基の場合は次
のものが挙げられる。 なお、例示したモノアゾ化合物の略称を括孤内
に示す。 １ チアゾリルアゾ化合物。
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
２ テトラヒドロベンゾチアゾリルアゾ化合物。
【化】
【化】
【化】
３ ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
４ ピリジルアゾ化合物。
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
５ キノリルアゾ化合物。
【化】
６ ピリミジルアゾ化合物。
【化】
またＺがカルボキシル基の場合の代表例は次の
ものが挙げられる。 なお、例示したモノアゾ化合物の略称を括孤内
に示す。 １ チアゾリルアゾ化合物。
ものが挙げられる。 なお、例示したモノアゾ化合物の略称を括孤内
に示す。 １ チアゾリルアゾ化合物。
【化】
【化】
２ ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
【化】
【化】
【化】
３ ピリジルアゾ化合物。
【化】
【化】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明す
る。 尚、実施例中の部とは全て重量部を表わす。ま
た実施例中のモノアゾ化合物は前述の略称で示し
た。 実施例 １ TANのメタノール溶液に1/2当量の硫酸第一
鉄アンモニウム塩（モール塩）水溶液を加え、PH
を調節することにより水に難溶性の鉄錯体を得
た。該錯体は、クロロホルム中で吸収極大波長
（以下λmaxと略すことがある）が786nm、分子
吸光係数（以下εと略すことがある）が1.9×104
・mol-1・cm-1の吸収を示した。 次に1.2mm厚の円板状のポリメタクリル酸メチ
ル（PMMA）支持体上に、該錯体を抵抗加熱法
で真空蒸着し、膜厚115nmの薄膜からなる記録層
を得た。蒸着時の真空度は１×10-5Torr、ボー
ト温度は300℃とした。 第７図は上記記録層に支持体側から光を照射し
た際の照射した光の波長に対する吸収率（図中、
実線Ａで示す）、反射率（図中、破線Ｒで示す）
及び透過率（図中、一点鎖線Ｔで示す）の変化を
示したものである。これより該記録層が800nm付
近に吸収極大を有し、半導体レーザを用いた光記
録材料として好適であることが確認された。 第８図は半導体レーザ光（波長：780nm）を支
持体側から照射した際の記録層の膜厚に対する吸
収率（図中、実線Ａで示す）、反射率（図中、破
線Ｒで示す）及び透過率（図中、一点鎖線Ｔで示
す）の変化を示したものである。なお、上記の半
導体レーザ光を記録層側から照射した場合には、
記録層の膜厚が大きくなるにつれて反射率は高く
なり、吸収率は低くなる。 第１図は、この様にして作製された光情報記録
媒体を模式的に示している。PMMA支持体１０
上に記録層２０を設層した光情報記録媒体を線速
度11m／secで回転させ、矢印１００の方向から
発振波長780nmの半導体レーザ光をビーム径
1.2μmに集光させてパルス状に照射した。 この場合、レーザ光の照射面でのパワーは
6mW、パルス幅は500n sec、デユーテイ比50％
の条件で行なつた。この照射により、記録層には
第９図に示す様なピツト列７０が形成された。図
中では、ピツト底がPMMA支持体に達していな
いが、照射エネルギーが比較的大きい場合には、
支持体が露出することもある。走査型電子顕微鏡
による観察の結果、ピツト周辺のリム８０も小さ
く、ピツトの形状は良好であつた。次に、同条件
で回転する記録ピツト列上に1mWの半導体レー
ザ光を連続光として照射し、反射光強度変化によ
る信号の再生を行なつた所、55dBのCNRが得ら
れた。一方、同様に作製した試料に記録層側から
記録・再生を行なつた所、良好な再生信号が得ら
れた。又、この光情報記録媒体を40℃、95％RH
の環境下に1000時間放置しても記録・再生特性に
変化は認められず安定であつた。 比較のために、該鉄錯体に代え、TANを用
い、レーザ光を上記と同じ条件で照射したとこ
ろ、照射部と未照射部に反射光量の変化は認めら
れなかつた。 尚、半導体レーザに代え、発振波長633nmの
He−Neレーザ光を同条件で使用した際にも、良
好な再生信号が得られた。 実施例 ２ 実施例１におけるTANに代え、TACを用いた
以外は実施例１におけると同様の操作により鉄錯
体を得た。該錯体はクロロホルム中でλmaxが
762nm、εが1.4X104・mol-1cm-1の吸収を示し
た。 次に、蒸着ボートの温度を260℃設定して膜厚
90nmの記録層をPMMA支持体上に作製した。こ
の試料を用いて、レーザ光の照射面でのパワーを
5mWとした他は実施例１におけると同様の条件
で実験を行なつたところ、53dBの良好なCNRが
得られた。 実施例 ３ TAMの１，４−ジオキサン溶液に1/2当量の
硫酸第一鉄アンモニウム塩水溶液を加え、PH調節
した後、クロロホルム抽出することにより、鉄錯
体を得た。該錯体はクロロホルム中でλmaxが
760nm、εが2.7×104・mol-1・cm-1の吸収を
示した。 一方、ニトロセルロース（粘度1/2秒、窒素含
量12％）のジメチルホルムアミド溶液を3μmのメ
ンブランフイルターにて過した後PMMA支持
体上にスピンコートし、乾燥膜厚800nmの下引層
を設けた。次に鉄錯体のクロロホルム溶液を調製
し、0.2μmのメンブランフイルターにて過した
後、上記下引層上にスピンコートして、乾燥膜厚
55nmの記録層を設けた。この試料に実施例１と
同様の実験を行なつた所、53dBの良好なCNRが
得られた。 実施例 ４ 実施例３で得たTAMの鉄錯体とニトロセルロ
ースをジメチルホルムアミドに溶解し、0.2μmメ
ンブランフイルターで過した後、PMMA支持
体上にスピンコートして、乾燥膜厚70nmの記録
層を設けた（鉄錯体含量95％）。この試料を用い
て実施例２と同様の実験を行なつた所、51dBの
良好なCNRが得られた。 実施例 ５ BTAEPの１，４−ジオキサン溶液に1/2当量
の硫酸第一鉄アンモニウム塩水溶液を加え、PH調
節することにより、鉄錯体を得た。該錯体はクロ
ロホルム中でλmaxが780nm、εが2.3×104・
mol-1・cm-1の吸収を示した。次に該錯体とポリ
エチレンオキサイド（分子量400万以上）をクロ
ロホルムに溶解し、0.2μmメンブランフイルター
にて過した後、実施例３におけると同様にして
PMMA支持体上に設けられたニトロセルロース
からなる下引層（膜厚：800nm）上に、得られた
溶液をスピンコートして乾燥膜厚85nmの記録層
を設けた（鉄錯体含量95％）。 この試料を用いて実施例１と同様の実験を行な
つた所、52dBの良好なCNRが得られた。 実施例 ６ ３，５−DiBr−PAMBの１，４−ジオキサン
溶液に1/2当量の塩化ニツケル水溶液を加え、PH
調節することにより、ニツケル錯体を得た。該錯
体はエタノール中でλmaxが646nm、εが1.3×
105・mol-1・cm-1の吸収を示した。 次に該錯体のジメチルホルムアミド溶液を
PMMA支持体上にスピンコートすることにより
乾燥膜厚55nmの記録層を設けた。 この試料に、He−Neレーザ光（633nm）を実
施例１と同様の条件で照射した後、信号の再生を
行なつた所、54dBの良好なCNRが得られた。 比較の為に、該ニツケル錯体に代え、３，５−
DiBr−PAMBを用い、レーザ光を上記と同じ条
件で照射した所、照射部と未照射部に反射光量の
変化は認められなかつた。 実施例 ７〜15 他の金属錯体を用いた場合の記録再生特性を第
１表に示す。記録はパルス幅500n sec、デユーテ
イ比50％、線速度11m／secとし、再生パワーは
全て1mWとした。又、レーザ光は支持体側から
入射した。いずれの場合も良好なCNRが得られ
た。
る。 尚、実施例中の部とは全て重量部を表わす。ま
た実施例中のモノアゾ化合物は前述の略称で示し
た。 実施例 １ TANのメタノール溶液に1/2当量の硫酸第一
鉄アンモニウム塩（モール塩）水溶液を加え、PH
を調節することにより水に難溶性の鉄錯体を得
た。該錯体は、クロロホルム中で吸収極大波長
（以下λmaxと略すことがある）が786nm、分子
吸光係数（以下εと略すことがある）が1.9×104
・mol-1・cm-1の吸収を示した。 次に1.2mm厚の円板状のポリメタクリル酸メチ
ル（PMMA）支持体上に、該錯体を抵抗加熱法
で真空蒸着し、膜厚115nmの薄膜からなる記録層
を得た。蒸着時の真空度は１×10-5Torr、ボー
ト温度は300℃とした。 第７図は上記記録層に支持体側から光を照射し
た際の照射した光の波長に対する吸収率（図中、
実線Ａで示す）、反射率（図中、破線Ｒで示す）
及び透過率（図中、一点鎖線Ｔで示す）の変化を
示したものである。これより該記録層が800nm付
近に吸収極大を有し、半導体レーザを用いた光記
録材料として好適であることが確認された。 第８図は半導体レーザ光（波長：780nm）を支
持体側から照射した際の記録層の膜厚に対する吸
収率（図中、実線Ａで示す）、反射率（図中、破
線Ｒで示す）及び透過率（図中、一点鎖線Ｔで示
す）の変化を示したものである。なお、上記の半
導体レーザ光を記録層側から照射した場合には、
記録層の膜厚が大きくなるにつれて反射率は高く
なり、吸収率は低くなる。 第１図は、この様にして作製された光情報記録
媒体を模式的に示している。PMMA支持体１０
上に記録層２０を設層した光情報記録媒体を線速
度11m／secで回転させ、矢印１００の方向から
発振波長780nmの半導体レーザ光をビーム径
1.2μmに集光させてパルス状に照射した。 この場合、レーザ光の照射面でのパワーは
6mW、パルス幅は500n sec、デユーテイ比50％
の条件で行なつた。この照射により、記録層には
第９図に示す様なピツト列７０が形成された。図
中では、ピツト底がPMMA支持体に達していな
いが、照射エネルギーが比較的大きい場合には、
支持体が露出することもある。走査型電子顕微鏡
による観察の結果、ピツト周辺のリム８０も小さ
く、ピツトの形状は良好であつた。次に、同条件
で回転する記録ピツト列上に1mWの半導体レー
ザ光を連続光として照射し、反射光強度変化によ
る信号の再生を行なつた所、55dBのCNRが得ら
れた。一方、同様に作製した試料に記録層側から
記録・再生を行なつた所、良好な再生信号が得ら
れた。又、この光情報記録媒体を40℃、95％RH
の環境下に1000時間放置しても記録・再生特性に
変化は認められず安定であつた。 比較のために、該鉄錯体に代え、TANを用
い、レーザ光を上記と同じ条件で照射したとこ
ろ、照射部と未照射部に反射光量の変化は認めら
れなかつた。 尚、半導体レーザに代え、発振波長633nmの
He−Neレーザ光を同条件で使用した際にも、良
好な再生信号が得られた。 実施例 ２ 実施例１におけるTANに代え、TACを用いた
以外は実施例１におけると同様の操作により鉄錯
体を得た。該錯体はクロロホルム中でλmaxが
762nm、εが1.4X104・mol-1cm-1の吸収を示し
た。 次に、蒸着ボートの温度を260℃設定して膜厚
90nmの記録層をPMMA支持体上に作製した。こ
の試料を用いて、レーザ光の照射面でのパワーを
5mWとした他は実施例１におけると同様の条件
で実験を行なつたところ、53dBの良好なCNRが
得られた。 実施例 ３ TAMの１，４−ジオキサン溶液に1/2当量の
硫酸第一鉄アンモニウム塩水溶液を加え、PH調節
した後、クロロホルム抽出することにより、鉄錯
体を得た。該錯体はクロロホルム中でλmaxが
760nm、εが2.7×104・mol-1・cm-1の吸収を
示した。 一方、ニトロセルロース（粘度1/2秒、窒素含
量12％）のジメチルホルムアミド溶液を3μmのメ
ンブランフイルターにて過した後PMMA支持
体上にスピンコートし、乾燥膜厚800nmの下引層
を設けた。次に鉄錯体のクロロホルム溶液を調製
し、0.2μmのメンブランフイルターにて過した
後、上記下引層上にスピンコートして、乾燥膜厚
55nmの記録層を設けた。この試料に実施例１と
同様の実験を行なつた所、53dBの良好なCNRが
得られた。 実施例 ４ 実施例３で得たTAMの鉄錯体とニトロセルロ
ースをジメチルホルムアミドに溶解し、0.2μmメ
ンブランフイルターで過した後、PMMA支持
体上にスピンコートして、乾燥膜厚70nmの記録
層を設けた（鉄錯体含量95％）。この試料を用い
て実施例２と同様の実験を行なつた所、51dBの
良好なCNRが得られた。 実施例 ５ BTAEPの１，４−ジオキサン溶液に1/2当量
の硫酸第一鉄アンモニウム塩水溶液を加え、PH調
節することにより、鉄錯体を得た。該錯体はクロ
ロホルム中でλmaxが780nm、εが2.3×104・
mol-1・cm-1の吸収を示した。次に該錯体とポリ
エチレンオキサイド（分子量400万以上）をクロ
ロホルムに溶解し、0.2μmメンブランフイルター
にて過した後、実施例３におけると同様にして
PMMA支持体上に設けられたニトロセルロース
からなる下引層（膜厚：800nm）上に、得られた
溶液をスピンコートして乾燥膜厚85nmの記録層
を設けた（鉄錯体含量95％）。 この試料を用いて実施例１と同様の実験を行な
つた所、52dBの良好なCNRが得られた。 実施例 ６ ３，５−DiBr−PAMBの１，４−ジオキサン
溶液に1/2当量の塩化ニツケル水溶液を加え、PH
調節することにより、ニツケル錯体を得た。該錯
体はエタノール中でλmaxが646nm、εが1.3×
105・mol-1・cm-1の吸収を示した。 次に該錯体のジメチルホルムアミド溶液を
PMMA支持体上にスピンコートすることにより
乾燥膜厚55nmの記録層を設けた。 この試料に、He−Neレーザ光（633nm）を実
施例１と同様の条件で照射した後、信号の再生を
行なつた所、54dBの良好なCNRが得られた。 比較の為に、該ニツケル錯体に代え、３，５−
DiBr−PAMBを用い、レーザ光を上記と同じ条
件で照射した所、照射部と未照射部に反射光量の
変化は認められなかつた。 実施例 ７〜15 他の金属錯体を用いた場合の記録再生特性を第
１表に示す。記録はパルス幅500n sec、デユーテ
イ比50％、線速度11m／secとし、再生パワーは
全て1mWとした。又、レーザ光は支持体側から
入射した。いずれの場合も良好なCNRが得られ
た。
【表】
第１図〜６図は本発明の光情報記録媒体の種々
の実施態様の構造を示す断面図である。第７図は
本発明の実施態様に従う照射波長に対する吸収率
Ａ、反射率Ｒ及び透過率Ｔを示す図である。第８
図は本発明の実施態様によつて提供された支持体
上の記録層の膜厚に付する吸収率Ａ、反射率Ｒ及
び透過率Ｔを示す図である。第９図は本発明の実
施態様の光情報記録媒体において記録された状態
における構造を示す断面図である。 図中１００及び２００は記録又は再生レーザ光
の入射方向を示す。また１０は支持体、２０は記
録層、３０は下引層、４０は保護層、５０は反射
層、そして６０は透明誘電体層を示す。
の実施態様の構造を示す断面図である。第７図は
本発明の実施態様に従う照射波長に対する吸収率
Ａ、反射率Ｒ及び透過率Ｔを示す図である。第８
図は本発明の実施態様によつて提供された支持体
上の記録層の膜厚に付する吸収率Ａ、反射率Ｒ及
び透過率Ｔを示す図である。第９図は本発明の実
施態様の光情報記録媒体において記録された状態
における構造を示す断面図である。 図中１００及び２００は記録又は再生レーザ光
の入射方向を示す。また１０は支持体、２０は記
録層、３０は下引層、４０は保護層、５０は反射
層、そして６０は透明誘電体層を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体及び記録層からなり、該記録層が一般
式 【化】 （式中、Ｘはそれが結合している窒素原子及び
炭素原子と一緒になつてチアゾリン、ベンゾチア
ゾリン、ピリジン、キノリン、ピリミジン及びテ
トラヒドロベンゾチアゾリンからなる群より選択
された複素環を形成する２価の基を表し、Ｙはそ
れが結合している二つの炭素原子と一緒になつて
ベンゼン及びナフタレンからなる群より選択され
た芳香環を形成する２価の基を表し、Ｚはヒドロ
キシル基又はカルボキシル基を表す。） で示されるモノアゾ化合物と２価の金属との錯体
を含有することを特徴とする光情報記録媒体。 ２ 複素環がアルキル基、アルコキシル基、アミ
ノ基、置換アミノ基及び水酸基からなる群より選
択された少なくとも１つの電子供与基若しくはハ
ロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフツ化メ
チル基及びカルボキシル基からなる群より選択さ
れた少なくとも１つの電子吸引基で置換されてい
るか、又は芳香環がアルキル基、アルコキシル
基、アミノ基、置換アミノ基及び水酸基からなる
群より選択された少なくとも１つの電子供与基で
置換されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光情報記録媒体。 ３ 複素環がチアゾリン又はベンゾチアゾリンで
ある特許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒
体。 ４ 置換基Ｚがヒドロキシル基である特許請求の
範囲第１項記載の光情報記録媒体。 ５ 記録層がモノアゾ化合物と２価の金属との錯
体のみから構成される特許請求の範囲第１項記載
の光情報記録媒体。 ６ ２価の金属が鉄属元素である特許請求の範囲
第５項記載の光情報記録媒体。 ７ ２価の金属が鉄である特許請求の範囲第６項
記載の光情報記録媒体。 ８ 記録層がモノアゾ化合物と２価の金属との錯
体及び他の材料との組み合わせからなる特許請求
の範囲第１項記載の光情報記録媒体。 ９ 他の材料が樹脂である特許請求の範囲第８項
記載の光情報記録媒体。 １０ 樹脂が熱可塑性樹脂である特許請求の範囲
第９項記載の光情報記録媒体。 １１ 樹脂がポリメタクリル酸メチル、ポリスチ
レン、ポリエチレン、ポリエチレンオキサイド又
はポリビニルブチラールである特許請求の範囲第
１０項記載の光情報記録媒体。 １２ 樹脂が自己酸化性樹脂である特許請求の範
囲第９項記載の光情報記録媒体。 １３ 自己酸化性樹脂がニトロセルロースである
特許請求の範囲第１２項記載の光情報記録媒体。 １４ ２価の金属が鉄属元素である特許請求の範
囲第８項記載の光情報記録媒体。 １５ ２価の金属が鉄である特許請求の範囲第１
４項記載の光情報記録媒体。 １６ 支持体が無機材料よりなる特許請求の範囲
第１項記載の光情報記録媒体。 １７ 支持体がガラス、セラミツク、アルミニウ
ム又はアルミニウムの合金よりなる特許請求の範
囲第１６項記載の光情報記録媒体。 １８ 支持体が合成樹脂よりなる特許請求の範囲
第１項記載の光情報記録媒体。 １９ 支持体がポリメタクリル酸メチル又はポリ
カーボネイトよりなる特許請求の範囲第１８項記
載の光情報記録媒体。 ２０ 記録層が保護層によつて被覆されている特
許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒体。 ２１ 支持体と記録層との間に反射層を設けた特
許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒体。 ２２ 支持体上の記録層の上に反射層を設けた特
許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒体。 ２３ 反射層と記録層との間に透明誘電体層を設
けた特許請求の範囲第２１項記載の光情報記録媒
体。 ２４ 支持体と記録層との間に下引層を設けた特
許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27638984 | 1984-12-28 | ||
| JP59-276389 | 1984-12-28 | ||
| JP60-61418 | 1985-03-25 | ||
| JP60-69828 | 1985-04-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230090A JPS6230090A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0567438B2 true JPH0567438B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=17568729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60297944A Granted JPS6230090A (ja) | 1984-12-28 | 1985-12-27 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230090A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2734005B2 (ja) * | 1988-10-02 | 1998-03-30 | 太陽誘電株式会社 | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
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| EP0483382B1 (en) * | 1990-05-17 | 1995-08-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Metal chelate compound and optical recording medium prepared therefrom |
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| JPH04117372U (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-21 | 東洋サーモコントロール株式会社 | 冷凍庫の自動換気装置 |
| TW340864B (en) | 1995-07-20 | 1998-09-21 | Mitsui Toatsu Chemicals | Optical recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911385A (ja) * | 1982-07-10 | 1984-01-20 | Hodogaya Chem Co Ltd | 近赤外線吸収剤 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60297944A patent/JPS6230090A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911385A (ja) * | 1982-07-10 | 1984-01-20 | Hodogaya Chem Co Ltd | 近赤外線吸収剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230090A (ja) | 1987-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |