JPS63179793A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な色素を含む記録層を有する光情報記録媒
体に関する。特に、レーザービームを用いて記録及び再
生を行なう光情報記録媒体に関する。
体に関する。特に、レーザービームを用いて記録及び再
生を行なう光情報記録媒体に関する。
従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザービ
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。
しかしこれらは保存性が悪い、分離能が低い、記録密度
が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近年、
比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録層に
用いることが提案され、また実施されてはいるが、一般
に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対する安
定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期にわたっ
て安定して満足すべき記録特性を有する記録層が開発さ
れていないのが現状である。
が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近年、
比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録層に
用いることが提案され、また実施されてはいるが、一般
に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対する安
定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期にわたっ
て安定して満足すべき記録特性を有する記録層が開発さ
れていないのが現状である。
したがって本発明の目的は、十分な記録特性を長期にわ
たって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を有
する光学的情報記録媒体を提供することである。
たって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を有
する光学的情報記録媒体を提供することである。
本発明者は、鋭意研究を行なった結果、下記一般式(I
)で表わされる色素が、安定な記録材料を作る上で有用
であることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本
発明は下記一般式(1)で表わされる色素を基板上に担
持せしめたことを特徴とする光学的情報記録媒体である
。
)で表わされる色素が、安定な記録材料を作る上で有用
であることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本
発明は下記一般式(1)で表わされる色素を基板上に担
持せしめたことを特徴とする光学的情報記録媒体である
。
〔式中、R1は置換もしくは無置換の複素環基を表わし
、R”、R’及びR6は互いに同じでも異なっていても
良く、水素原子もしくはこれを置換可能な基を表わし、
R3及びR4は互いに同じでも異なっていても良く、水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキ
シ基、又は置換もしくは無置換のアルキル基を表わし、
R7及びR11は互いに同じでも異なっていてもよく、
置換もしくは無置換のアリール基、アシル基、スルホニ
ル基、又はR7とR11が互いに連結して5員又は6員
環を形成するのに必要な原子団を表わす。
、R”、R’及びR6は互いに同じでも異なっていても
良く、水素原子もしくはこれを置換可能な基を表わし、
R3及びR4は互いに同じでも異なっていても良く、水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキ
シ基、又は置換もしくは無置換のアルキル基を表わし、
R7及びR11は互いに同じでも異なっていてもよく、
置換もしくは無置換のアリール基、アシル基、スルホニ
ル基、又はR7とR11が互いに連結して5員又は6員
環を形成するのに必要な原子団を表わす。
R3とR8,R4とR6、R5とR7、Rh(!:R”
、R7とR8は互いに連結して環を形成していてもよい
。Zはベンゼン環、5員もしくは6員の複素環を形成す
るのに必要な原子団を表わす。〕R1で表わされる置換
もしくは無置換の複素環は、単環もしくは縮合複素環で
あって好ましくは複素芳香環である。R1で表わされる
複素環を構成するペテロ原子として好ましものは、B、
N。
、R7とR8は互いに連結して環を形成していてもよい
。Zはベンゼン環、5員もしくは6員の複素環を形成す
るのに必要な原子団を表わす。〕R1で表わされる置換
もしくは無置換の複素環は、単環もしくは縮合複素環で
あって好ましくは複素芳香環である。R1で表わされる
複素環を構成するペテロ原子として好ましものは、B、
N。
0、S、P、Se、Teである。R1で表わされる複素
環は好ましくは5員又は6員環であり、好ましくはへテ
ロ原子に隣接する位置に存在する炭素原子上でC0NH
−基と結合し得るものである。
環は好ましくは5員又は6員環であり、好ましくはへテ
ロ原子に隣接する位置に存在する炭素原子上でC0NH
−基と結合し得るものである。
R1で表わされる複素環基のうち特に好ましいものは、
1.3−チアゾール環、1.3.4−)リアゾール環、
ベンゾチアゾール環、テトラゾール環、ベンゾイミダゾ
ール環、ベンゾオキサゾール環、1,3.4−チアジア
ゾール環、1.3゜4−オキサジアゾール環、イミダゾ
ール環、インドール環、ベンゾセレナゾール環、ピリジ
ン環、ピリミジン環、1,3.5−トリアジン環、キノ
リン環である。
1.3−チアゾール環、1.3.4−)リアゾール環、
ベンゾチアゾール環、テトラゾール環、ベンゾイミダゾ
ール環、ベンゾオキサゾール環、1,3.4−チアジア
ゾール環、1.3゜4−オキサジアゾール環、イミダゾ
ール環、インドール環、ベンゾセレナゾール環、ピリジ
ン環、ピリミジン環、1,3.5−トリアジン環、キノ
リン環である。
R1で表わされる複素環基上の置換基としては、置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアル
キルチオ基、置換もしくは無置換の了り−ルオキシ基、
置換もしくは無置換のアリールチオ基、メルカプト基、
水酸基、置換もしくは無置換のアミノ基(置換基として
はアルキル基、了り−ル基、アシル基、アルキルスルホ
ニル基、了り−ルスルホニル基)、スルホン酸基、カル
ボキシル基、アルギルもしくはアリールスルホニル基、
置換もしくは無置換のウレイド基、置換もしくは無置換
のカルバモイル基、スルファモイル基ハロゲン原子(さ
らに好ましくはF、cl)、ニトロ基、又はシアノ基が
好ましい。
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアル
キルチオ基、置換もしくは無置換の了り−ルオキシ基、
置換もしくは無置換のアリールチオ基、メルカプト基、
水酸基、置換もしくは無置換のアミノ基(置換基として
はアルキル基、了り−ル基、アシル基、アルキルスルホ
ニル基、了り−ルスルホニル基)、スルホン酸基、カル
ボキシル基、アルギルもしくはアリールスルホニル基、
置換もしくは無置換のウレイド基、置換もしくは無置換
のカルバモイル基、スルファモイル基ハロゲン原子(さ
らに好ましくはF、cl)、ニトロ基、又はシアノ基が
好ましい。
一般式(I)で表わされる化合物は、R’、Rz、R3
、R4、R5、R6、R7またはRI′のうちのいずれ
かの基を介して2員体を形成していても良い。
、R4、R5、R6、R7またはRI′のうちのいずれ
かの基を介して2員体を形成していても良い。
R7又はR8で表わされるアルキル基は互いに同じでも
異なっていても良く、炭素数1−18のアルキル基(例
えばメチル基、エチル基、プロピル基、i−ブチル基、
n−オ多チル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基
など)が好ましく、置換基(例えばシアノ基、水酸基、
メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フェノキ
シ基などのアリーロキシ基、アセトアミド基、メタンス
ルホンアミド基などのアミド基、塩素原子、フッ素原子
などのハロゲン原子など)を有していても良い。
異なっていても良く、炭素数1−18のアルキル基(例
えばメチル基、エチル基、プロピル基、i−ブチル基、
n−オ多チル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基
など)が好ましく、置換基(例えばシアノ基、水酸基、
メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フェノキ
シ基などのアリーロキシ基、アセトアミド基、メタンス
ルホンアミド基などのアミド基、塩素原子、フッ素原子
などのハロゲン原子など)を有していても良い。
R7又はR8で表わされるアリール基は互いに同じでも
異なっていても良く、置換もしくは無置換のフェニル基
(置換基として例えば水酸基、シアノ基、ハロゲン原子
(例えば塩素原子、フッ素原子など)、炭素数2〜18
のアシル基(例えばアセチル基、プロピオニル基、ステ
アロイル基など)、炭素数1〜18のスルホニル基(例
えばメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、オクタ
ンスルホニル基など)、炭素数1〜18のカルバモイル
基(例えば無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイ
ル基、オクチルカルバモイル基など)、炭素数1〜18
のスルファモイル基(例えば無置換のスルファモイル基
、メチルスルファモイル基、ブチルスルファモイル基な
ど)、炭素数2〜18のアルコキシカルボニル基(例え
ばメトキシカルボニル基、トリクロロエトキシカルボニ
ル基、デシルオキシカルボニル基など)、炭素数1〜1
8のアルコキシ基(例えばメトキシ基、ブトキシ基、ペ
ンタデシルオキシ基など)、アミノ基(例えばジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジエチルアミノ基など)
など)又は置換もしくは無置換のナフチル基(置換基と
してはフェニル基の場合と同じものが好ましい)が好ま
しい。
異なっていても良く、置換もしくは無置換のフェニル基
(置換基として例えば水酸基、シアノ基、ハロゲン原子
(例えば塩素原子、フッ素原子など)、炭素数2〜18
のアシル基(例えばアセチル基、プロピオニル基、ステ
アロイル基など)、炭素数1〜18のスルホニル基(例
えばメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、オクタ
ンスルホニル基など)、炭素数1〜18のカルバモイル
基(例えば無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイ
ル基、オクチルカルバモイル基など)、炭素数1〜18
のスルファモイル基(例えば無置換のスルファモイル基
、メチルスルファモイル基、ブチルスルファモイル基な
ど)、炭素数2〜18のアルコキシカルボニル基(例え
ばメトキシカルボニル基、トリクロロエトキシカルボニ
ル基、デシルオキシカルボニル基など)、炭素数1〜1
8のアルコキシ基(例えばメトキシ基、ブトキシ基、ペ
ンタデシルオキシ基など)、アミノ基(例えばジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジエチルアミノ基など)
など)又は置換もしくは無置換のナフチル基(置換基と
してはフェニル基の場合と同じものが好ましい)が好ま
しい。
R3およびR4で表わされる置換基のうち好ましいもの
は水素原子、塩素原子、フッ素原子;置換もしくは無置
換の炭素原子数1〜18のアルコキシ基(例えばメトキ
シ基、エトキシ基、オクトキシ基など)、置換もしくは
無置換のアルキル基(例えばメチル基、イソプロピル基
、2−メトキシエチル基、ベンジル基など)を表わし、
好ましくはR3及びR4は炭素数1〜5のアルキル基を
表わす。
は水素原子、塩素原子、フッ素原子;置換もしくは無置
換の炭素原子数1〜18のアルコキシ基(例えばメトキ
シ基、エトキシ基、オクトキシ基など)、置換もしくは
無置換のアルキル基(例えばメチル基、イソプロピル基
、2−メトキシエチル基、ベンジル基など)を表わし、
好ましくはR3及びR4は炭素数1〜5のアルキル基を
表わす。
R3とR5、R4とR6とが連結して形成される環とし
て好ましいものは5員又は6員環であり、とくにベンゼ
ン環などの芳香族環あるいはピリジン環、イミダゾール
環、チアゾール環、ピリミジン環などの複素芳香族環が
好ましい。
て好ましいものは5員又は6員環であり、とくにベンゼ
ン環などの芳香族環あるいはピリジン環、イミダゾール
環、チアゾール環、ピリミジン環などの複素芳香族環が
好ましい。
Rs(!:R7、R6とR8とが連結して形成される環
として好ましいものは5員又は6員環である。
として好ましいものは5員又は6員環である。
R7とR11とが連結して形成される環として好ましい
ものは5員又は6員環であり、とくにピロリジン環、ピ
ペリジン環、またはモルフォリン環が好ましい。
ものは5員又は6員環であり、とくにピロリジン環、ピ
ペリジン環、またはモルフォリン環が好ましい。
R2、Rs及びR6で表わされる水素原子を置換可能な
基は、ハロゲン原子(例えばフン素原子、塩素原子、臭
素原子など)、水酸基、シアノ基又は直接もしくは2価
の連結基を介してベンゼン環に結合した置換もしくは無
置換の炭素数1〜18のアルキル基(例えばメチル基、
エチル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ステアリ
ル基など)、又は炭素原子数6〜24の置換もしくは無
置換のフェニル基もしくはナフチル基(例えばフェニル
基、ナフチル基、3−スルファモイルフェニル基、5−
メタンスルホンアミド−1−ナフチル基などを表わし、
2価の連結基は例えば−〇−2−NlIC0−1−NH
30□〜、−N)ICOO−1−NHCONI(−1−
COO−1−CO−1−SO2−1−NR−(Rは水素
原子または置換もしくは無置換の炭素数1〜18のアル
キル基を表わす。)などを表わす。
基は、ハロゲン原子(例えばフン素原子、塩素原子、臭
素原子など)、水酸基、シアノ基又は直接もしくは2価
の連結基を介してベンゼン環に結合した置換もしくは無
置換の炭素数1〜18のアルキル基(例えばメチル基、
エチル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ステアリ
ル基など)、又は炭素原子数6〜24の置換もしくは無
置換のフェニル基もしくはナフチル基(例えばフェニル
基、ナフチル基、3−スルファモイルフェニル基、5−
メタンスルホンアミド−1−ナフチル基などを表わし、
2価の連結基は例えば−〇−2−NlIC0−1−NH
30□〜、−N)ICOO−1−NHCONI(−1−
COO−1−CO−1−SO2−1−NR−(Rは水素
原子または置換もしくは無置換の炭素数1〜18のアル
キル基を表わす。)などを表わす。
R2で表わされる基のうち特に好ましいものは、アルキ
ルもしくはアリールスルホンアミド裁、アシルアミノ基
、アルキルもしくはアリール置換ウレイド基、アルコキ
シもしくは了り−ルオキシカルボニルアミノ基、フッ素
原子、塩素原子であり、好ましい置換位置は5位である
。
ルもしくはアリールスルホンアミド裁、アシルアミノ基
、アルキルもしくはアリール置換ウレイド基、アルコキ
シもしくは了り−ルオキシカルボニルアミノ基、フッ素
原子、塩素原子であり、好ましい置換位置は5位である
。
Zで完成される環はベンゼン環、5員または6員の複素
環であり、好ましい複素原子としては窒素、酸素、硫黄
またはセレンがあげられる。特に好ましいものはベンゼ
ン環およびピリジン環であり、ベンゼン環が最も好まし
い。ピリジン環以外の好ましい複素環としては、ピリミ
ジン、トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、セレ
ナゾール、オキサゾール、などがあげられる。
環であり、好ましい複素原子としては窒素、酸素、硫黄
またはセレンがあげられる。特に好ましいものはベンゼ
ン環およびピリジン環であり、ベンゼン環が最も好まし
い。ピリジン環以外の好ましい複素環としては、ピリミ
ジン、トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、セレ
ナゾール、オキサゾール、などがあげられる。
本発明に用いられる前記一般式(1)で表わされる化合
物の具体例を以下に示すが、本発明の範囲はこれらに限
定されるものではない。
物の具体例を以下に示すが、本発明の範囲はこれらに限
定されるものではない。
N(CJ5)z
N(C2H4) z
CJsNC)IzCIlzSOzCHzN (CJs)
z N(CJs)z N(Cztls)z N(C2H4)2 N(CzHs)z N(CJs)z N(CJs)z N(CJsh N(C!Hs)z CJs−N−CIhCIlzNH5(hcIhCZll
S−N−CII□CII□Nll5O□C11゜本発明
の一般式(1)で表わされる化合物は、ジアルキルアニ
リン類と4−ニトロソナフトール類を濃硫酸中で縮合さ
せる方法、α−ナフトール類とp−フェニレンジアミン
類とを塩基と酸化剤の共存下で縮合させる方法、4−ア
ミノ−1−ナフトール類とジアルキルアニリン類とを次
亜塩素酸ソーダ溶液中で酸化縮合する方法、p−エトロ
ッジアルキルアニリン類とα−ナフトール類を縮合させ
る方法などによって合成することができ、例えば特開昭
50−100116号、特開昭60−32851号ある
いはジャーナル・オブ・オルガニー/り・ケミストリー
誌(Journal of OrganicChea+
1stry)第48巻、177〜183ページ(198
3年発行)にフジタによって記載された方法に準じて合
成することができる。
z N(CJs)z N(Cztls)z N(C2H4)2 N(CzHs)z N(CJs)z N(CJs)z N(CJsh N(C!Hs)z CJs−N−CIhCIlzNH5(hcIhCZll
S−N−CII□CII□Nll5O□C11゜本発明
の一般式(1)で表わされる化合物は、ジアルキルアニ
リン類と4−ニトロソナフトール類を濃硫酸中で縮合さ
せる方法、α−ナフトール類とp−フェニレンジアミン
類とを塩基と酸化剤の共存下で縮合させる方法、4−ア
ミノ−1−ナフトール類とジアルキルアニリン類とを次
亜塩素酸ソーダ溶液中で酸化縮合する方法、p−エトロ
ッジアルキルアニリン類とα−ナフトール類を縮合させ
る方法などによって合成することができ、例えば特開昭
50−100116号、特開昭60−32851号ある
いはジャーナル・オブ・オルガニー/り・ケミストリー
誌(Journal of OrganicChea+
1stry)第48巻、177〜183ページ(198
3年発行)にフジタによって記載された方法に準じて合
成することができる。
以下に合成例を挙げて合成法を説明する。
合成例1〈化合物31の合成〉
1−ヒドロキシ−2−ナフタレンカルボン酸フェニルエ
ステルと2−アミノ−5−メチル−1゜3.4−チアジ
アゾールとを減圧下に加熱して得た2−(1−ヒドロキ
シ−2−ナフタレンカルボンアミド)−5−メチル−1
,3,4−チアジアゾール4.3gにエタノール40m
1、酢酸エチル80mJ、炭酸ナトリウムl1gと11
OLlllの水から調製した水溶液、及び4−ジエチル
アミン−2,6−シメチルアニリン3.5gを加えて攪
拌しつつ、過硫酸アンモニウム8.2gを70mjl!
の水に溶かして調製した溶液を30分間にわたって滴下
した。
ステルと2−アミノ−5−メチル−1゜3.4−チアジ
アゾールとを減圧下に加熱して得た2−(1−ヒドロキ
シ−2−ナフタレンカルボンアミド)−5−メチル−1
,3,4−チアジアゾール4.3gにエタノール40m
1、酢酸エチル80mJ、炭酸ナトリウムl1gと11
OLlllの水から調製した水溶液、及び4−ジエチル
アミン−2,6−シメチルアニリン3.5gを加えて攪
拌しつつ、過硫酸アンモニウム8.2gを70mjl!
の水に溶かして調製した溶液を30分間にわたって滴下
した。
次いで2時間攪拌した後、酢酸エチル層を取り出して水
洗し、酢酸エチルを留去した。残渣をクロロホルムに溶
かした後、冷却して化合物31の結晶を得た。
洗し、酢酸エチルを留去した。残渣をクロロホルムに溶
かした後、冷却して化合物31の結晶を得た。
収量1.2g、融点181〜182℃
α−ナフトール類とp−フェニレンジアミン類の構造を
変えた以外は上記合成例と同様にして表1に示す化合物
を得た。
変えた以外は上記合成例と同様にして表1に示す化合物
を得た。
本発明の光記録媒体において用いられるインドアニリン
系色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、あ
るいは本発明のインドアニリン系色素以外の色素と併用
して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため種々の
酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用することも
有効である。
系色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、あ
るいは本発明のインドアニリン系色素以外の色素と併用
して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため種々の
酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用することも
有効である。
また、種々の樹脂を併用してもよい。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。これは
とくに一般式(I)におけるZがピリジン環などの含窒
素複素環を形成するに必要な原子団を表わす場合に著し
い効果がある。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。これは
とくに一般式(I)におけるZがピリジン環などの含窒
素複素環を形成するに必要な原子団を表わす場合に著し
い効果がある。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、N15CO% CL1% Pd
s Ptなどである。
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、N15CO% CL1% Pd
s Ptなどである。
新規なりエンチャーの例としては次の一般式(II)ま
たは(III)で示されるものがあげられる。
たは(III)で示されるものがあげられる。
(式中、(Ca t + 1および(Catx)は錯体
を中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、お
よびM、はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは
白金を示ず。nは1または2を示ず、)前記一般式(I
I)または(10)で表わされる化合物において、(C
at+)または(Catz)で表わされる陽イオンのう
ち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、L
l、Nil、になど)、アルカリ土類金属(Mg、Ca
、 Baなど)もしくはNil、’をあげることができ
る。
を中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、お
よびM、はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは
白金を示ず。nは1または2を示ず、)前記一般式(I
I)または(10)で表わされる化合物において、(C
at+)または(Catz)で表わされる陽イオンのう
ち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、L
l、Nil、になど)、アルカリ土類金属(Mg、Ca
、 Baなど)もしくはNil、’をあげることができ
る。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
上記の陽イオン(Cat+)および(CaLz)の中で
好ましいのは下記の一般式(rV−a)、(IV−b)
、(rV−c)、(IV−d)もしくは(IV−e)で
表わされるものである。
好ましいのは下記の一般式(rV−a)、(IV−b)
、(rV−c)、(IV−d)もしくは(IV−e)で
表わされるものである。
式中、R目、RI!、R11、R14、R1’l、RI
h、R1ff、R11,RlqSRZOlRZIおよび
R22はそれぞれ炭素数1ないし20の置換もしくは無
置換のアルキル基、または炭素数6ないし14の置換も
しくは無置換の了り−ル基を表わし、ZlおよびZ2は
各式中の窒素またはリン原子と結合して5員または6員
環を形成する非金属原子群を表わす。
h、R1ff、R11,RlqSRZOlRZIおよび
R22はそれぞれ炭素数1ないし20の置換もしくは無
置換のアルキル基、または炭素数6ないし14の置換も
しくは無置換の了り−ル基を表わし、ZlおよびZ2は
各式中の窒素またはリン原子と結合して5員または6員
環を形成する非金属原子群を表わす。
この炭素数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキ
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1so−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
のアリール基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1so−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
のアリール基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
これらのアルキル基またはアリール基はシアノ基、水酸
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)
、了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキ
シ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジル基、フ
ェネチル基またはフェニル基など)、アルコキシカルボ
ニル基(たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、アリー
ロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル
基、トリロキシカルボニル基など)、アシル基(たとえ
ば、アセチル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基
(たとえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基な
ど)、カルバモイル基(たとえば、N−エチルカルバモ
イルL N−フェニルカルバモイル基など)、アルキル
スルホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミ
ノ基、フェニルスルホニルアミノ基など)、スルファモ
イル基(たとえば、N−エチルスルファモイル基、N−
フェニルスルファモイル基など)、スルホニル基(たと
えば、メシル基、トシル基など)などで置換されていて
もよい。
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)
、了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキ
シ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジル基、フ
ェネチル基またはフェニル基など)、アルコキシカルボ
ニル基(たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、アリー
ロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル
基、トリロキシカルボニル基など)、アシル基(たとえ
ば、アセチル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基
(たとえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基な
ど)、カルバモイル基(たとえば、N−エチルカルバモ
イルL N−フェニルカルバモイル基など)、アルキル
スルホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミ
ノ基、フェニルスルホニルアミノ基など)、スルファモ
イル基(たとえば、N−エチルスルファモイル基、N−
フェニルスルファモイル基など)、スルホニル基(たと
えば、メシル基、トシル基など)などで置換されていて
もよい。
またZlおよびZ2は前記のように5員環または6員環
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。一般式(IV−b)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。一般式(IV−b)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。
一般式(IV−c)で表わされるカチオンとしては、た
とえば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム
基、N−エチル−N−ドデシルピラゾリジニウム基など
をあげることができる。
とえば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム
基、N−エチル−N−ドデシルピラゾリジニウム基など
をあげることができる。
上記の一般式(IV−a)、(IV−b)、(IV−C
)、(Il/−d)および(IV−e)で表わされる陽
イオンの中で、本発明に特に好ましく用いられるものは
、製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、(■−a
)、(1’l/−b)、(IV−d)および(IV−e
)である。
)、(Il/−d)および(IV−e)で表わされる陽
イオンの中で、本発明に特に好ましく用いられるものは
、製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、(■−a
)、(1’l/−b)、(IV−d)および(IV−e
)である。
この陽イオン(Cat、)および(Catz)の種類は
、前記一般式(n)または(III)で表わされる化合
物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
、前記一般式(n)または(III)で表わされる化合
物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
−Sに、第四級へテロ原子に結合する置換基がアルキル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
前記一般式(n)または([1)で表わされる化合物に
おいてM、またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル
、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
おいてM、またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル
、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式〔■〕または(III)の金属錯体は平面四配位
の立体構造を有する。なお一般式(III)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
(I[I)のように表わす。
の立体構造を有する。なお一般式(III)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
(I[I)のように表わす。
前記一般式(n)または(III)で表わされる化合物
は次のようにして合成することができる。
は次のようにして合成することができる。
一般式(n)(n=2)の化合物は二硫化炭素とナトリ
ウムを反応させて得られるジソディウムー1,3−ジチ
オール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
ウムを反応させて得られるジソディウムー1,3−ジチ
オール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
又、一般式(III (n=1)の化合物は、上で得
られた錯体(n−2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
られた錯体(n−2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
一般式(I[[)(n=2)の化合物は、先ず、二硫化
炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー
1.3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレー
トを、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2−ジ
チオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化
させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを
反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカ
リで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー
1.3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレー
トを、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2−ジ
チオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化
させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを
反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカ
リで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式(I[I) (n=1)は上で得られた錯
体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式(If)または(III)の化合物を得るための
中間体である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5
−ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られる。
中間体である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5
−ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られる。
前記一般式(n)で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
−へ ■ 寸
悶 悶
# …一般式(IT)で
表わされる化合物の合成例を以下に示す。
悶 悶
# …一般式(IT)で
表わされる化合物の合成例を以下に示す。
合成例8〈例示化合物(II −4)の合成〉(1−1
)ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(1,3−
ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオラト)亜鉛錯
体の合成。
)ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(1,3−
ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオラト)亜鉛錯
体の合成。
反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行った。
ナトリウム23gを小片に切り、二硫化炭素180m1
中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルムアミ
ド200m1をゆっくり滴下した。この時激しく発熱し
ないように注意する。ジメチルホルムアミドを滴下終了
後、注意しながら、おだやかに加熱して24時間還流し
た。反応終了後未反応のナトリウムをろ別した。次いで
ろ液にエタノール50II11を加え、室温で2時間攪
拌した。この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去する
。次いで水300mj!をゆっくり滴下して加えた後得
られた溶液をろ過した。
中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルムアミ
ド200m1をゆっくり滴下した。この時激しく発熱し
ないように注意する。ジメチルホルムアミドを滴下終了
後、注意しながら、おだやかに加熱して24時間還流し
た。反応終了後未反応のナトリウムをろ別した。次いで
ろ液にエタノール50II11を加え、室温で2時間攪
拌した。この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去する
。次いで水300mj!をゆっくり滴下して加えた後得
られた溶液をろ過した。
次いで、あらかじめ塩化亜鉛20gをメタノール500
m1に溶かし、これに濃アンモニウム水500mJを加
えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液に加え
(室温)5分間攪拌した後、テトラエチルアンモニウム
プロミド53g’c水250m1に溶かした水溶液を加
えると、直ちに赤色の沈殿が析出してくる。これをろ過
し、風乾して亜鉛錯体を得た。
m1に溶かし、これに濃アンモニウム水500mJを加
えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液に加え
(室温)5分間攪拌した後、テトラエチルアンモニウム
プロミド53g’c水250m1に溶かした水溶液を加
えると、直ちに赤色の沈殿が析出してくる。これをろ過
し、風乾して亜鉛錯体を得た。
(1−2)4.5−ビス(ベンゾイルチオ)−1,3−
ジチオール−2−チオンの合成。
ジチオール−2−チオンの合成。
(1−1)で得た亜鉛錯体22gをアセトン500mJ
に溶かしろ過する。ろ液を攪拌しつつ、これに塩化ベン
ゾイル1501I11を加える。直ちに黄色の沈殿が析
出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物16gを得た
。
に溶かしろ過する。ろ液を攪拌しつつ、これに塩化ベン
ゾイル1501I11を加える。直ちに黄色の沈殿が析
出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物16gを得た
。
(1−3)例示化合物(II −4)の合成(1−2)
で得たビス(ベンゾイルチオ)体9.2gをメタノール
50II11に溶かす。これにナトリウムメトキサイド
の289/lIメタノール溶液6.3gを加えて、10
分間攪拌する。この溶液に塩化ニッケル(六水和物)2
.4gをメタノール50mj!に溶かした溶液を加え、
室温で30分間攪拌する。この溶液にテトラブチルホス
ホニウムプロミド8.5gをメタノール100mfに溶
かした溶液を加えると、直ちに黒色の沈殿が析出する。
で得たビス(ベンゾイルチオ)体9.2gをメタノール
50II11に溶かす。これにナトリウムメトキサイド
の289/lIメタノール溶液6.3gを加えて、10
分間攪拌する。この溶液に塩化ニッケル(六水和物)2
.4gをメタノール50mj!に溶かした溶液を加え、
室温で30分間攪拌する。この溶液にテトラブチルホス
ホニウムプロミド8.5gをメタノール100mfに溶
かした溶液を加えると、直ちに黒色の沈殿が析出する。
さらに20分間攪拌してろ過し、アセトンで洗って風乾
し、アセトン−イソプロピルアルコールから再結晶させ
て標記化合物を得た。収it3.8g合成例9く例示化
合物(n −2)の合成〉(1−3)で得られたニッケ
ル錯体1gをアセトン6011に溶かし、これに酢酸3
0mj!を加え、3時間攪拌し溶媒を留去したところ黒
色の結晶が析出した。これをアセトン−メタノールから
再結晶させて、目的の例示化合物(n −2)を得た。
し、アセトン−イソプロピルアルコールから再結晶させ
て標記化合物を得た。収it3.8g合成例9く例示化
合物(n −2)の合成〉(1−3)で得られたニッケ
ル錯体1gをアセトン6011に溶かし、これに酢酸3
0mj!を加え、3時間攪拌し溶媒を留去したところ黒
色の結晶が析出した。これをアセトン−メタノールから
再結晶させて、目的の例示化合物(n −2)を得た。
収量0.4g、s、p、185℃ λ−−− : 1
125nm、ε□、 : 2.51 X 10’
(CHzC1z中)また既知のクエンチャ−としては、
特開昭59−178295号に記載されている。次の化
合物が挙げられる。
125nm、ε□、 : 2.51 X 10’
(CHzC1z中)また既知のクエンチャ−としては、
特開昭59−178295号に記載されている。次の化
合物が挙げられる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系
R1−R4はアルキル基またはアリール基を表わし、M
は2価の遷移金属原子を表わす。
は2価の遷移金属原子を表わす。
(ii)ビスフェニルジチオール系
Rs 、Rhはアルキル基またはハロゲン原子を表わし
、Mは2価の遷移金属子を表わす。
、Mは2価の遷移金属子を表わす。
(iii )アセチルアセトナートキレート系(iv)
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi )チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii)チオ
ビスフェルレートキレート系(ix )亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他人式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRQ−002、I RQ−003、IRG−0
22、IRQ−033が挙げられる。
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi )チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii)チオ
ビスフェルレートキレート系(ix )亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他人式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRQ−002、I RQ−003、IRG−0
22、IRQ−033が挙げられる。
R2
(式中Rはアルキル基又はアリール基を表わす。)本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたり、一般に0.05
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、−C式(1)
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2,2.3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、アセトンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバイン
ダー(例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホル
マール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無
水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばス
ピンコード)することによって行なえるし、又は色素と
クエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(1)で表
わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗布
することによって行なえる。バインダーを使用する場合
には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍が
好ましい。また一般式(1)の色素をいわゆるラングミ
ュア−プロジェット法により薄膜として用いることもで
きる。
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2,2.3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、アセトンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバイン
ダー(例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホル
マール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無
水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばス
ピンコード)することによって行なえるし、又は色素と
クエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(1)で表
わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗布
することによって行なえる。バインダーを使用する場合
には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍が
好ましい。また一般式(1)の色素をいわゆるラングミ
ュア−プロジェット法により薄膜として用いることもで
きる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好ましく
は0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のAの
奇数倍である。
は0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のAの
奇数倍である。
半導体レーザまたはHe −Neレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、・
記録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0、1μm
でありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当
である。
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、・
記録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0、1μm
でありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当
である。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンポ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンポ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にビット
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にビット
(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の闇値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピントが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピントが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
表2に示す色素、クエンチャ−1及び成る場合にはバイ
ンダをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエタ
ンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化し
たグループ付(1,6μピンチ、深さ750人)ポリカ
ーボネート基十反に厚さ0.1μmとなるようにスピン
ナーで塗布し、乾燥した。なお色素とクエンチャ−との
重量比は3:11バインダを用いる場合には、バインダ
の重量は色素の175とした。
ンダをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエタ
ンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化し
たグループ付(1,6μピンチ、深さ750人)ポリカ
ーボネート基十反に厚さ0.1μmとなるようにスピン
ナーで塗布し、乾燥した。なお色素とクエンチャ−との
重量比は3:11バインダを用いる場合には、バインダ
の重量は色素の175とした。
評価条件は下記のとおりであった。
(記録及び再生)
レーザ :半導体レーザ(GaA I As)
レーザの波長 ニア80n11 レーザのビーム径:1.6μm 線速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5MH2 記録デューティm:50% 再生パワー :0.4mW (再生劣化の評価) 再生パワー :1.OmW 再生回数 :105回 (保存時劣化の評価) 保存温湿度 二60℃ 9o%RH保存時間
=30日間 表2においてA、Bで示される比較色素は下記の構造式
を有するものである。
レーザの波長 ニア80n11 レーザのビーム径:1.6μm 線速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5MH2 記録デューティm:50% 再生パワー :0.4mW (再生劣化の評価) 再生パワー :1.OmW 再生回数 :105回 (保存時劣化の評価) 保存温湿度 二60℃ 9o%RH保存時間
=30日間 表2においてA、Bで示される比較色素は下記の構造式
を有するものである。
A。
表2の結果から、本発明の光学的情報記録媒体はC/N
の高い十分な記録特性を有し、長期の保存あるいは長時
間の読み取りに対して高い安定性を有することが明らか
である。
の高い十分な記録特性を有し、長期の保存あるいは長時
間の読み取りに対して高い安定性を有することが明らか
である。
Claims (2)
- (1)レーザー光線によって記録、再生、消去を行なう
ための光学的情報記録媒体であって、基板上に下記一般
式( I )で表わされる色素を担持せしめたことを特徴
とする光学的情報記録媒体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1は置換もしくは無置換の複素環基を表わ
し、R^2、R^5及びR^6は互いに同じでも異なっ
ていても良く、水素原子もしくはこれを置換可能な基を
表わし、R^3及びR^4は互いに同じでも異なってい
ても良く、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置
換のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアルキル
基を表わし、R^7及びR^8は互いに同じでも異なっ
ていてもよく、置換もしくは無置換のアリール基、アシ
ル基、スルホニル基、又はR^7とR^8が互いに連結
して5員又は6員環を形成するのに必要な原子団を表わ
す。R^3とR^5、R^4とR^6、R^5とR^7
、R^6とR^8、R^7とR^8は互いに連結して環
を形成していてもよい。Zはベンゼン環、5員もしくは
6員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わす。〕 - (2)基板上に、一般式( I )で表わされる色素と一
重項酸素クエンチャーとを担持せしめたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012777A JPH0780355B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012777A JPH0780355B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63179793A true JPS63179793A (ja) | 1988-07-23 |
JPH0780355B2 JPH0780355B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=11814837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62012777A Expired - Fee Related JPH0780355B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0780355B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312926A (en) * | 1990-03-30 | 1994-05-17 | Basf Aktiengesellschaft | Indonaphthol dyes and thermal transfer thereof |
JP2012067199A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Japan Carlit Co Ltd:The | 近赤外線吸収色素及び近赤外線遮断フィルター |
AU2015255714B2 (en) * | 2014-05-09 | 2019-12-12 | Kineta, Inc. | Anti-viral compounds, pharmaceutical compositions, and methods of use thereof |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP62012777A patent/JPH0780355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312926A (en) * | 1990-03-30 | 1994-05-17 | Basf Aktiengesellschaft | Indonaphthol dyes and thermal transfer thereof |
JP2012067199A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Japan Carlit Co Ltd:The | 近赤外線吸収色素及び近赤外線遮断フィルター |
AU2015255714B2 (en) * | 2014-05-09 | 2019-12-12 | Kineta, Inc. | Anti-viral compounds, pharmaceutical compositions, and methods of use thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0780355B2 (ja) | 1995-08-30 |
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