JPS63179794A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な色素を含む記録層を有する光情報記録媒
体に関する。特に、レーザビームを用いて記録及び再生
を行なう光情報記録媒体に関する。
体に関する。特に、レーザビームを用いて記録及び再生
を行なう光情報記録媒体に関する。
従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザビー
ムを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒体
が知られている。このような記録媒体の記録層としては
低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものなど
が提案されている。
ムを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒体
が知られている。このような記録媒体の記録層としては
低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものなど
が提案されている。
しかしこれらは保存性が悪い、分解能が低い、記録密度
が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近年、
比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録層に
用いることが提案され、また実施されてはいるが、−a
に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対する安
定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期にわたっ
て安定して満足すべき記録特性を存する記録層が開発さ
れていないのが現状である。
が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近年、
比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録層に
用いることが提案され、また実施されてはいるが、−a
に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対する安
定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期にわたっ
て安定して満足すべき記録特性を存する記録層が開発さ
れていないのが現状である。
したがって本発明の目的は、十分な記録特性を長期にわ
たって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を有
する光学的情報記録媒体を提供することである。
たって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を有
する光学的情報記録媒体を提供することである。
本発明者は、鋭意研究を行なった結果、2位にスルファ
モイル基が置換したインドアニリン系色素が、安定な記
録材料を作る上で有用であることを見出し、本発明を完
成した。すなわち、本発明は2位にスルファモイル基が
置換したインドアニリン系色素を基板上に担持せしめた
ことを特徴とする光学的情報記録媒体である。
モイル基が置換したインドアニリン系色素が、安定な記
録材料を作る上で有用であることを見出し、本発明を完
成した。すなわち、本発明は2位にスルファモイル基が
置換したインドアニリン系色素を基板上に担持せしめた
ことを特徴とする光学的情報記録媒体である。
本発明において用いられる2位にスルファモイル基が置
換したインドアニリン系色素のうち好ましいものは下記
一般式(1)で表わされる化合物である。
換したインドアニリン系色素のうち好ましいものは下記
一般式(1)で表わされる化合物である。
一般式(I)
/N\
RI RB
〔式中、R1は置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置
換の複素環基を表わし、Roは水素原子もしくはR1と
同義の基を表わし、R2、RS及びR6は互いに同じで
も異なっていても良く、水素原子もしくは、これを置換
可能な基を表わし、R3及びR4は互いに同じでも異な
っていても良く、水素原子、ハロゲン原子、置換もしく
は無置換のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換のア
ルキル基、又は置換もしくは無置換のアリ−ル基、を表
わし、R7及びR8は互いに同じでも異なっていてもよ
く、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換の了り−ル基、アシル基、又はスルホニル基を表わ
し、ROとR1、R3とRS 、R4とR6、R5とR
7、R−とR日、R7とR8は互いに連結して環を形成
していてもよい。Zはベンゼン環、5員もしくは6員の
複素環を形成するのに必要な原子団を表わす。〕一般式
(1)で表わされる化合物は、R1、R2、R3、R4
、R5、Rh 、R7またはR8のうちのいずれかの基
を介して2員体を形成していても良い。Roで表わされ
る基は好ましくは水素原子又は以下に述べる好ましいR
1と同義の基から選ばれる。
もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置
換の複素環基を表わし、Roは水素原子もしくはR1と
同義の基を表わし、R2、RS及びR6は互いに同じで
も異なっていても良く、水素原子もしくは、これを置換
可能な基を表わし、R3及びR4は互いに同じでも異な
っていても良く、水素原子、ハロゲン原子、置換もしく
は無置換のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換のア
ルキル基、又は置換もしくは無置換のアリ−ル基、を表
わし、R7及びR8は互いに同じでも異なっていてもよ
く、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換の了り−ル基、アシル基、又はスルホニル基を表わ
し、ROとR1、R3とRS 、R4とR6、R5とR
7、R−とR日、R7とR8は互いに連結して環を形成
していてもよい。Zはベンゼン環、5員もしくは6員の
複素環を形成するのに必要な原子団を表わす。〕一般式
(1)で表わされる化合物は、R1、R2、R3、R4
、R5、Rh 、R7またはR8のうちのいずれかの基
を介して2員体を形成していても良い。Roで表わされ
る基は好ましくは水素原子又は以下に述べる好ましいR
1と同義の基から選ばれる。
R1、R7又はR8で表わされるアルキル基は互いに同
じでも異なっていても良く、炭素数1〜18のアルキル
基(例えばメチル基、エチル基、プロピル基、i−ブチ
ル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基など)が好ましく、置換基(例えばシアノ基、水
酸基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フ
ェノキシ基などのアリーロキシ基、アセトアミド基、メ
タンスルホンアミド基などのアミド基、塩素原子、フッ
素原子などのハロゲン原子など)を有していても良い。
じでも異なっていても良く、炭素数1〜18のアルキル
基(例えばメチル基、エチル基、プロピル基、i−ブチ
ル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基など)が好ましく、置換基(例えばシアノ基、水
酸基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フ
ェノキシ基などのアリーロキシ基、アセトアミド基、メ
タンスルホンアミド基などのアミド基、塩素原子、フッ
素原子などのハロゲン原子など)を有していても良い。
R1、R?又はR8で表わされるアリール基は互いに同
じでも異なっていても良く、置換もしくは無置換のフェ
ニル基(置換基として例えば水酸基、シアノ基、ハロゲ
ン原子(例えば塩素原子、フッ素原子など)、炭素数2
〜18のアシル基(例えばアセチル基、プロピオニル基
、ステアロイル基など)、炭素数1〜18のスルホニル
基(例エバメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、
オクタンスルホニル基など)、炭素数1〜18のカルバ
モイル基(例えば無置換のカルバモイル基、メチルカル
バモイル基、オクチルカルバモイル基など)、炭素数1
〜18のスルファモイル基(例えば無置換のスルファモ
イル基、メチルスルファモイル基、ブチルスルファモイ
ル基など)、炭素数2〜18のアルコキシカルボニル基
(例えばメトキシカルボニル基、トリクロロエトキシカ
ルボニル基、デシルオキシカルボニル基など)、炭素数
1〜18のアルコキシ基(例えばメトキシ基、ブトキシ
基、ペンタデシルオキシ基など)、アミノ基(例えばジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジエチルアミノ基
など)など)又は置換もしくは無置換のナフチル基(置
換基としてはフェニル基の場合と同じものが好ましい)
が好ましい。
じでも異なっていても良く、置換もしくは無置換のフェ
ニル基(置換基として例えば水酸基、シアノ基、ハロゲ
ン原子(例えば塩素原子、フッ素原子など)、炭素数2
〜18のアシル基(例えばアセチル基、プロピオニル基
、ステアロイル基など)、炭素数1〜18のスルホニル
基(例エバメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、
オクタンスルホニル基など)、炭素数1〜18のカルバ
モイル基(例えば無置換のカルバモイル基、メチルカル
バモイル基、オクチルカルバモイル基など)、炭素数1
〜18のスルファモイル基(例えば無置換のスルファモ
イル基、メチルスルファモイル基、ブチルスルファモイ
ル基など)、炭素数2〜18のアルコキシカルボニル基
(例えばメトキシカルボニル基、トリクロロエトキシカ
ルボニル基、デシルオキシカルボニル基など)、炭素数
1〜18のアルコキシ基(例えばメトキシ基、ブトキシ
基、ペンタデシルオキシ基など)、アミノ基(例えばジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジエチルアミノ基
など)など)又は置換もしくは無置換のナフチル基(置
換基としてはフェニル基の場合と同じものが好ましい)
が好ましい。
R1で表わされる置換もしくは無置換の複素ニスは単環
の複素環又は縮合複素環を表わし、例えば1.3−チア
ゾール環、1,3.4−)リアゾール環、ベンゾチアゾ
ール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環
、1,3.4−チアジアゾール環など(置換基としては
例えばメチル基、エチル基、オクチル基などのアルキル
基、メトキシ、エトキシ基、デシルオキシ基などのアル
コキシ基、水酸基など)が好ましい。
の複素環又は縮合複素環を表わし、例えば1.3−チア
ゾール環、1,3.4−)リアゾール環、ベンゾチアゾ
ール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環
、1,3.4−チアジアゾール環など(置換基としては
例えばメチル基、エチル基、オクチル基などのアルキル
基、メトキシ、エトキシ基、デシルオキシ基などのアル
コキシ基、水酸基など)が好ましい。
R3およびR4で表わされる置換基のうち好ましいもの
は水素原子、塩素原子、フッ素原子;置換もしくは無置
換の炭素原子数1〜18のアルコキシ基(例えばメトキ
シ基、エトキシ基、オクトキシ基など)、置換もしくは
無置換のアルキル基(例えばメチル基、イソプロピル基
、2−メトキシエチル基、ベンジル基など)を表わし、
好ましくはR3及びR4は炭素原子数1〜5のアルキル
基を表わす。
は水素原子、塩素原子、フッ素原子;置換もしくは無置
換の炭素原子数1〜18のアルコキシ基(例えばメトキ
シ基、エトキシ基、オクトキシ基など)、置換もしくは
無置換のアルキル基(例えばメチル基、イソプロピル基
、2−メトキシエチル基、ベンジル基など)を表わし、
好ましくはR3及びR4は炭素原子数1〜5のアルキル
基を表わす。
R3とR5またはR4とR6とが連結して形成される環
として好ましいものは5員又は6員環であり、とくにベ
ンゼン環などの芳香族環あるいはピリジン環、イミダゾ
ール環、チアゾール環、ピリミジン環などの複素芳香族
環が好ましい。
として好ましいものは5員又は6員環であり、とくにベ
ンゼン環などの芳香族環あるいはピリジン環、イミダゾ
ール環、チアゾール環、ピリミジン環などの複素芳香族
環が好ましい。
R8とR’I、RhとR8とが連結して形成される環と
して好ましいものは5員又は6員環である。
して好ましいものは5員又は6員環である。
R7とR1)とが連結して形成される環として好ましい
ものは5員又は6員環であり、とくにピロリジン環、ピ
ペリジン環、またはモルフォリン環が好ましい。
ものは5員又は6員環であり、とくにピロリジン環、ピ
ペリジン環、またはモルフォリン環が好ましい。
R1、R5及びR6で表わされる水素原子を置換可能な
基は、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭
素原子など)、水酸基、シアノ基、直接もしくは2価の
連結基を介してベンゼン環に結合した置換もしくは無置
換の炭素数1〜18のアルキル基(例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ステアリル
基など)、又は炭素原子数6〜24の置換もしくは無置
換のフェニル基もしくはナフチル基(例えばフェニル基
、ナフチル基、3−スルファモイルフェニル基、5−メ
タンスルホンアミド−1−ナフチル基など)を表わし、
2価の連結基は例えば−0−1−NllC0−1−NH
3Oz−1−NHCOO−1−NlIC0NH−1−C
OO−1−CO−1−SO,−1−NR−(Rは水素原
子または置換もしくは無置換の炭素数1〜18のアルキ
ル基を表わす。)などを表わす。
基は、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭
素原子など)、水酸基、シアノ基、直接もしくは2価の
連結基を介してベンゼン環に結合した置換もしくは無置
換の炭素数1〜18のアルキル基(例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ステアリル
基など)、又は炭素原子数6〜24の置換もしくは無置
換のフェニル基もしくはナフチル基(例えばフェニル基
、ナフチル基、3−スルファモイルフェニル基、5−メ
タンスルホンアミド−1−ナフチル基など)を表わし、
2価の連結基は例えば−0−1−NllC0−1−NH
3Oz−1−NHCOO−1−NlIC0NH−1−C
OO−1−CO−1−SO,−1−NR−(Rは水素原
子または置換もしくは無置換の炭素数1〜18のアルキ
ル基を表わす。)などを表わす。
更に好ましくは、R1は複素環基を表わすか又はハメッ
トの置換基定数δ、もしくはδ2の値が0.23より大
きい一価の基で置換されたフェニル基を表わす。ハメッ
トの置換基定数″61もしくはδ2の値が0.23より
大きい一価の基としては、ハロゲン原子(フッ素原子、
塩素原子、臭素原子など)、シアノ基、ホルミル基、カ
ルボキシ基、カルバモイル基(無置換のカルバモイル基
、メチルカルバモイル基など)、アルコキシカルボニル
基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基など
)、アシル基(アセチル基、ベンゾイル基など)、ニト
ロ基、スルファモイル基(無置換のスルファモイル基、
メチルスルファモイル基など)、スルホニル基(メタン
スルホニル基、ベンゼンスルホニル基など)等が好まし
く挙げられる。前記ハメットのδ、もしくはδ、値は「
薬物の構造活性相関」 (南江堂)第96頁(1979
年)に記載されており、この表に基づいて置換基を選ぶ
ことができる。
トの置換基定数δ、もしくはδ2の値が0.23より大
きい一価の基で置換されたフェニル基を表わす。ハメッ
トの置換基定数″61もしくはδ2の値が0.23より
大きい一価の基としては、ハロゲン原子(フッ素原子、
塩素原子、臭素原子など)、シアノ基、ホルミル基、カ
ルボキシ基、カルバモイル基(無置換のカルバモイル基
、メチルカルバモイル基など)、アルコキシカルボニル
基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基など
)、アシル基(アセチル基、ベンゾイル基など)、ニト
ロ基、スルファモイル基(無置換のスルファモイル基、
メチルスルファモイル基など)、スルホニル基(メタン
スルホニル基、ベンゼンスルホニル基など)等が好まし
く挙げられる。前記ハメットのδ、もしくはδ、値は「
薬物の構造活性相関」 (南江堂)第96頁(1979
年)に記載されており、この表に基づいて置換基を選ぶ
ことができる。
Roで表わされる基のうち特に好ましいものは水素原子
である。
である。
R2で表わされる基のうち特に好ましいものは、アルキ
ルもしくは了り−ルスルホンアミド基、アシルアミノ基
、アルキルもしくはアリール置換ウレイド基、アルコキ
シもしくは了り−ルオキシ力ルポニルアミノ基、フッ素
原子、塩素原子であり、好ましい置換位置は5位である
。
ルもしくは了り−ルスルホンアミド基、アシルアミノ基
、アルキルもしくはアリール置換ウレイド基、アルコキ
シもしくは了り−ルオキシ力ルポニルアミノ基、フッ素
原子、塩素原子であり、好ましい置換位置は5位である
。
Zで完成される環はベンゼン環、5員または6員の複素
環であり、好ましい複素原子としては窒素、酸素、硫黄
またはセレンがあげられる。特に好ましいものはベンゼ
ン環およびピリジン環であり、ベンゼン環が最も好まし
い。ピリジン環以外の好ましい複素環としては、ピリミ
ジン、トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、セレ
ナゾール、オキサゾール、などがあげられる。
環であり、好ましい複素原子としては窒素、酸素、硫黄
またはセレンがあげられる。特に好ましいものはベンゼ
ン環およびピリジン環であり、ベンゼン環が最も好まし
い。ピリジン環以外の好ましい複素環としては、ピリミ
ジン、トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、セレ
ナゾール、オキサゾール、などがあげられる。
本発明に用いられる前記一般式(1)で表わされる化合
物の具体例を以下に示すが、本発明の範囲はこれらに限
定されるものではない。
物の具体例を以下に示すが、本発明の範囲はこれらに限
定されるものではない。
N(Cztls)z
N(CJs)2
N(Czlls)z
N(CJs)z
N(CJs)z
N(C2H5)2
N(C1l+5)2
N(C)lx)z
N(CJCtlzOCIh)z
N(CJs)z
N(CtHs>t
N(C2H5)2
1)(C21),L
本発明の一般式(1)で表わされる化合物は、ジアルキ
ルアニリン類と4−二トロソナフトール頚を濃硫酸中で
縮合させる方法、α−ナフトール類とp−フェニレンジ
アミン類とを塩基と酸化剤の共存下で縮合させる方法、
4−アミノ−1−ナフトール類とジアルキルアニリン類
とを次亜塩素酸ソーダ溶液中で酸化縮合する方法、p−
ニトロソジアルキルアニリン類とα−ナフトール類を縮
合させる方法などによって合成することができ、例えば
特開昭50−1001)6号や特開昭60−32851
号やジャーナル・オブ・オルガニック・ケミストリー誌
(Journal of OrganicChemis
try)第48巻、177〜183ページ(1983年
発行)にフジタによって記載された方法に準じて合成す
ることができる。
ルアニリン類と4−二トロソナフトール頚を濃硫酸中で
縮合させる方法、α−ナフトール類とp−フェニレンジ
アミン類とを塩基と酸化剤の共存下で縮合させる方法、
4−アミノ−1−ナフトール類とジアルキルアニリン類
とを次亜塩素酸ソーダ溶液中で酸化縮合する方法、p−
ニトロソジアルキルアニリン類とα−ナフトール類を縮
合させる方法などによって合成することができ、例えば
特開昭50−1001)6号や特開昭60−32851
号やジャーナル・オブ・オルガニック・ケミストリー誌
(Journal of OrganicChemis
try)第48巻、177〜183ページ(1983年
発行)にフジタによって記載された方法に準じて合成す
ることができる。
以下に合成例を挙げて合成法を説明する。
合成例1く化合物23の合成〉
3.7gの5−メタンスルホンアミド−2−(1−ピロ
リジルスルホニル)−1−ナフトールにN。
リジルスルホニル)−1−ナフトールにN。
N−ジメチルフォルムアミド、メタノール、及びエタノ
ールを加え、次いで3−メチル−4−ニトロソ−N、N
−ジエチルアニリン1.9gを加え、室温にて攪拌して
溶解した。これに無水酢酸6I1)1を加え1時間攪拌
した。生じた沈澱を濾取し、エタノール、次いでメタノ
ールで洗浄した。この結晶をクロロホルムに溶解し、エ
タノールとメタノールを加えた後、減圧下に濃縮して化
合物23の結晶を得た。収量4.5g(収率82.6%
)、吸収極大波長:λ□X (CHC13溶液)ニア0
0nm (分子吸光係数:3.48X10’)。
ールを加え、次いで3−メチル−4−ニトロソ−N、N
−ジエチルアニリン1.9gを加え、室温にて攪拌して
溶解した。これに無水酢酸6I1)1を加え1時間攪拌
した。生じた沈澱を濾取し、エタノール、次いでメタノ
ールで洗浄した。この結晶をクロロホルムに溶解し、エ
タノールとメタノールを加えた後、減圧下に濃縮して化
合物23の結晶を得た。収量4.5g(収率82.6%
)、吸収極大波長:λ□X (CHC13溶液)ニア0
0nm (分子吸光係数:3.48X10’)。
本発明の光学記録媒体において用いられるインドアニリ
ン系色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、
あるいは本発明のインドアニリン系色素以外の色素と併
用して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため種々
の酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用すること
も有効である。
ン系色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、
あるいは本発明のインドアニリン系色素以外の色素と併
用して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため種々
の酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用すること
も有効である。
また、種々の樹脂を併用してもよい。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。これは
とくに一般式(1)におけるZがピリジン環などの含窒
素複素環を形成するに必要な原子団を表わす場合に著し
い効果がある。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。これは
とくに一般式(1)におけるZがピリジン環などの含窒
素複素環を形成するに必要な原子団を表わす場合に著し
い効果がある。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Nis Co、 Cu、、 P
d、 Ptなどである。
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Nis Co、 Cu、、 P
d、 Ptなどである。
新規なりエンチャーの例としては次の一般式(III)
または(III)で示されるものが挙げられる。
または(III)で示されるものが挙げられる。
(式中、(Ca t + 〕および(Cat*)は錯体
を中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、お
よびM!はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは
白金を示す、nは1または2を示ず。)前記一般式CI
+)または(III)で表わされる化合物において、(
Cat+)または(Catt)で表わされる陽イオンの
うち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、
1.i、 Na、 Kなど)、アルカリ土類金属(Mg
、 Ca、 Baなど)もしくはNi+、’をあげるこ
とができる。
を中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、M、お
よびM!はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは
白金を示す、nは1または2を示ず。)前記一般式CI
+)または(III)で表わされる化合物において、(
Cat+)または(Catt)で表わされる陽イオンの
うち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、
1.i、 Na、 Kなど)、アルカリ土類金属(Mg
、 Ca、 Baなど)もしくはNi+、’をあげるこ
とができる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
上記の陽イオン(Cat+)および(Catz)の中で
好ましいのは下記の一般式(IV−a)、(IV−b)
、(rV−c)、(IV−d)もしくは(IV−e)で
表わされるものである。
好ましいのは下記の一般式(IV−a)、(IV−b)
、(rV−c)、(IV−d)もしくは(IV−e)で
表わされるものである。
式中、R目、R1!、R13、RI4、Rls、 RI
6、R1’?、RIll、 R19、R20,R21お
よびR”はl’Lぞれ炭素数1ないし20の置換もしく
は無置換のアルキル基、または炭素数6ないし14の置
換もしくは無置換のアリール基を表わし、ZlおよびZ
2は各式中の窒素またはリン原子と結合して5員または
6員環を形成する非金属原子群を表わす。
6、R1’?、RIll、 R19、R20,R21お
よびR”はl’Lぞれ炭素数1ないし20の置換もしく
は無置換のアルキル基、または炭素数6ないし14の置
換もしくは無置換のアリール基を表わし、ZlおよびZ
2は各式中の窒素またはリン原子と結合して5員または
6員環を形成する非金属原子群を表わす。
この炭素数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキ
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1so−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
の了り−ル基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1so−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
の了り−ル基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
これらのアルキル基またはアリール基はシアノ基、水酸
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、q−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)
、了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキ
シ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジル基、フ
ェネチル基またはアニシル基など)、アルコキシカルボ
ニル基(たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、アリー
ロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル
基、トリロキシカルボニル基など)、アシル基(たとえ
ば、アセチル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基
(たとえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基な
ど)、カルバモイル基(たとえば、N−エチルカルバモ
イル基、N−フェニルカルバモイル基など)、アルキル
スルホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミ
ノ基、フェニルスルホニルアミノ基など)、スルファモ
イル基(たとえば、N−エチルスルファモイル基、N−
フェニルスルファモイル基など)、スルホニル基(たと
えば、メシル基、トシル基など)などで置換されていて
もよい。
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、q−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)
、了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキ
シ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジル基、フ
ェネチル基またはアニシル基など)、アルコキシカルボ
ニル基(たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、アリー
ロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル
基、トリロキシカルボニル基など)、アシル基(たとえ
ば、アセチル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基
(たとえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基な
ど)、カルバモイル基(たとえば、N−エチルカルバモ
イル基、N−フェニルカルバモイル基など)、アルキル
スルホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミ
ノ基、フェニルスルホニルアミノ基など)、スルファモ
イル基(たとえば、N−エチルスルファモイル基、N−
フェニルスルファモイル基など)、スルホニル基(たと
えば、メシル基、トシル基など)などで置換されていて
もよい。
またzlおよび22は前記のように5員環または6員環
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。一般式(IV−b)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。一般式(IV−b)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。
一般式(IV−c)で表わされるカチオンとしては、た
とえば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム
基、N−エチル−N−ドデシルビラプリジニウム基など
をあげることができる。
とえば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム
基、N−エチル−N−ドデシルビラプリジニウム基など
をあげることができる。
上記の一般式(IV−a)、(IV−b)、(lV−C
)、(IV−d)および(IV−e)で表わされる陽イ
オンの中で、本発明に特に好ましく用いられるものは、
製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、(rV −
a)、(IV−b)、([1−d)および(IV−e)
である。
)、(IV−d)および(IV−e)で表わされる陽イ
オンの中で、本発明に特に好ましく用いられるものは、
製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、(rV −
a)、(IV−b)、([1−d)および(IV−e)
である。
この陽イオン(Cat、)および(Cat2)の種類は
、前記一般式〔■〕または(III)で表わされる化合
物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
、前記一般式〔■〕または(III)で表わされる化合
物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
一般に、第四級へテロ原子に結合する置換基がアルキル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
前記一般式〔■〕またはCI[I]で表わされる化合物
においてMIまたはM2を好ましい順に挙げるとニッケ
ル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
においてMIまたはM2を好ましい順に挙げるとニッケ
ル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
・一般式(II)または(1)の金属錯体は平面四配位
の立体構造を有する。なお一般式(III)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
[1)1)のように表わす。
の立体構造を有する。なお一般式(III)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
[1)1)のように表わす。
前記一般式〔■〕または(I[[)で表わされる化合物
は次のようにして合成することができる。
は次のようにして合成することができる。
一般式(II) (n=2)の化合物は二硫化炭素と
ナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1.3
.−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。
ナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー1.3
.−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式(II) <n=1)の化合物は、上で得
られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
一般式(III) (n=2)の化合物は、先ず、二
硫化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウ
ムー1.3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオ
レートを、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2
−ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異
性化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイ
ルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをア
ルカリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
硫化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウ
ムー1.3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオ
レートを、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2
−ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異
性化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイ
ルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをア
ルカリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式(III) (n=1)は上で得られた錯
体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔■〕または(I[r)の化合物を得るための中
間体である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−
ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法
の他に電気化学的な還元によっても得られる。
間体である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−
ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法
の他に電気化学的な還元によっても得られる。
前記一般式(n)で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
−−u u u ul
1 (1ミ
# E
臣一般式(n)で表わされる化
合物の合成例を以下に示す。
1 (1ミ
# E
臣一般式(n)で表わされる化
合物の合成例を以下に示す。
合成例2〈例示化合物(II −4)の合成〉(1−1
)ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(1,3−
ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオラト)亜鉛錯
体の合成。
)ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(1,3−
ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオラト)亜鉛錯
体の合成。
反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行った。
ナトリウム23gを小片に切り、二硫化炭素180mJ
中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルムアミ
ド200mj!をゆっ(り滴下した。この時激しく発熱
しないように注意する。ジメチルホルムアミドを滴下終
了後、注意しながら、おだやかに加熱して24時間還流
した。反応終了後未反応のナトリウムをろ別した。次い
でろ液にエタノール50m1を加え、室温で2時間攪拌
した。この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去する。
中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルムアミ
ド200mj!をゆっ(り滴下した。この時激しく発熱
しないように注意する。ジメチルホルムアミドを滴下終
了後、注意しながら、おだやかに加熱して24時間還流
した。反応終了後未反応のナトリウムをろ別した。次い
でろ液にエタノール50m1を加え、室温で2時間攪拌
した。この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去する。
次いで水300m/をゆっくり滴下して加えた後得られ
た溶液をろ過した。
た溶液をろ過した。
次いで、あらかじめ塩化亜鉛20gをメタノール500
mji!に溶かし、これに濃アンモニウム水500n/
!を加えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液
に加え(室温)5分間攪拌した後、テトラエチルアンモ
ニウムプロミド53gを水250+slに溶かした水溶
液を加えると、直ちに赤色の沈殿が析出してくる。これ
をろ過し、風乾して亜鉛錯体を得た。
mji!に溶かし、これに濃アンモニウム水500n/
!を加えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液
に加え(室温)5分間攪拌した後、テトラエチルアンモ
ニウムプロミド53gを水250+slに溶かした水溶
液を加えると、直ちに赤色の沈殿が析出してくる。これ
をろ過し、風乾して亜鉛錯体を得た。
(1−2)4.5−ビス(ベンゾイルチオ)−1,3−
ジチオール−2−チオンの合成。
ジチオール−2−チオンの合成。
(1−1)で得た亜鉛錯体22gをアセトン500n/
!に溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベ
ンゾイル150+mj!を加える。直ちに黄色の沈殿が
析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物16gを得
た。
!に溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベ
ンゾイル150+mj!を加える。直ちに黄色の沈殿が
析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物16gを得
た。
(1−3)例示化合物(If−4)の合成(1−2)で
得たビス(ベンゾイルチオ)体9.2gをメタノール5
0II1)に溶かす。これにナトリウムメトキサイドの
28%メタノール溶液6.3gを加えて、10分間攪拌
する。この溶液に塩化ニッケル(六水和物)2.4gを
メタノール50II+1に溶かした溶液を加え、室温で
30分間攪拌する。この溶液にテトラブチルホスホニウ
ムプロミド8.5gをメタノール100nj!に溶かし
た溶液を加えると、直ちに黒色の沈殿が析出する。
得たビス(ベンゾイルチオ)体9.2gをメタノール5
0II1)に溶かす。これにナトリウムメトキサイドの
28%メタノール溶液6.3gを加えて、10分間攪拌
する。この溶液に塩化ニッケル(六水和物)2.4gを
メタノール50II+1に溶かした溶液を加え、室温で
30分間攪拌する。この溶液にテトラブチルホスホニウ
ムプロミド8.5gをメタノール100nj!に溶かし
た溶液を加えると、直ちに黒色の沈殿が析出する。
さらに20分間攪拌してろ過し、アセトンで洗って風乾
し、アセトン−イソプロピルアルコールから再結晶させ
て標記化合物を得た。収量3.8g合成例3〈例示化合
物(n−2)の合成〉(1−3)で得られたニッケル錯
体1gをアセトン60I1)1に溶かし、これに酢酸3
0mAを加え、3時間撹拌し溶媒を留去したところ黒色
の結晶が析出した。これをアセトン−メタノールから再
結晶させて、目的の例示化合物(n −2)を得た。収
量0.4 g、 m、p、 1 B 5℃ λ−X:
1)25nm。
し、アセトン−イソプロピルアルコールから再結晶させ
て標記化合物を得た。収量3.8g合成例3〈例示化合
物(n−2)の合成〉(1−3)で得られたニッケル錯
体1gをアセトン60I1)1に溶かし、これに酢酸3
0mAを加え、3時間撹拌し溶媒を留去したところ黒色
の結晶が析出した。これをアセトン−メタノールから再
結晶させて、目的の例示化合物(n −2)を得た。収
量0.4 g、 m、p、 1 B 5℃ λ−X:
1)25nm。
tmm、x : 2.51 x 10’ (c++
、cx、中)また既知のクエンチャ−としては、特開昭
59−178295号に記載されている。次の化合物が
挙げられる。
、cx、中)また既知のクエンチャ−としては、特開昭
59−178295号に記載されている。次の化合物が
挙げられる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系
Rl 、、 R4はアルキル基またはアリール基を表わ
し、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
し、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
(ii)ビスフェニルジチオール系
R5、R&はアルキル基またはハロゲン原子を表わし、
Mは2価の遷移金属子を表わす。
Mは2価の遷移金属子を表わす。
(iii )アセチルアセトナートキレート系(iv
)ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチ
オール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii )チ
オビスフェルレートキレート系(ix)亜ホスホン酸キ
レ−1・系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他次式で表わされるアルミニウム系もしくはジイモ
ニウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株
式会社製TRG−002、IRG−〇〇3、IRG−0
22、IRG−033が挙げ られる。
)ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチ
オール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vi)サリチルアルデヒドオキシム系(vii )チ
オビスフェルレートキレート系(ix)亜ホスホン酸キ
レ−1・系 (x)ベンゾエート系 (xi) ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他次式で表わされるアルミニウム系もしくはジイモ
ニウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株
式会社製TRG−002、IRG−〇〇3、IRG−0
22、IRG−033が挙げ られる。
NR。
(式中Rはアルキル基又は了り−ル基を表わす。)本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたり、一般に0.05
〜12モル、好ましくはO01〜1.2モル使用される
。
〜12モル、好ましくはO01〜1.2モル使用される
。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオし/フィン、
エポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形
状はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム
状など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオし/フィン、
エポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形
状はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム
状など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、−S式(1)
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセトン、2,2,
3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフッ素化ア
ルコール類、など)に溶解し、必要に応じて適当なバイ
ンダー(例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール
、ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホ
ルマール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えば
スピンコード)することによって行なえるし、又は色素
とクエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(r)で
表わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍
が好ましい。また一般式(1)の色素をいわゆるラング
ミュア−プロジェット法により薄膜として用いることも
できる。
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセトン、2,2,
3.3−テトラフルオロプロパツールなどのフッ素化ア
ルコール類、など)に溶解し、必要に応じて適当なバイ
ンダー(例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール
、ポリカーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホ
ルマール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体、キシレン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えば
スピンコード)することによって行なえるし、又は色素
とクエンチャ−を共蒸着するかあるいは一般式(r)で
表わされる色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素重量の0.01〜2倍
が好ましい。また一般式(1)の色素をいわゆるラング
ミュア−プロジェット法により薄膜として用いることも
できる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好ましく
は0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のAの
奇数倍である。
は0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のAの
奇数倍である。
半導体レーザまたはHe −Neレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反耐層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反耐層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなと)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜lO好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
1〜lO好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピント
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピント
(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の闇値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ビット部とビー/ )が形
成されていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化
を検出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ビット部とビー/ )が形
成されていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化
を検出することにより行われる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
表1に示す色素、クエンチャ−1及び成る場合にはバイ
ンダをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエタ
ンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化し
たグループ付(1,6μピ・7チ、深さ750人)ポリ
カーボネート基板に厚さ0.1μmとなるようにスピン
ナーで塗布し、乾燥した。なお色素とクエンチャ−との
重量比は3:1、バインダを用いる場合には、バインダ
の重量は色素の175とした。
ンダをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエタ
ンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化し
たグループ付(1,6μピ・7チ、深さ750人)ポリ
カーボネート基板に厚さ0.1μmとなるようにスピン
ナーで塗布し、乾燥した。なお色素とクエンチャ−との
重量比は3:1、バインダを用いる場合には、バインダ
の重量は色素の175とした。
評価条件は下記のとおりであった。
(記録及び再生)
レーザ :半導体レーザ(GaA I As
)レーザの波長 ニア80nm レーザのビーム径=1.6μm 線速 :5m/s 記録パワー 二81 記録周波数 : 2.5 Mllz記録デューティ
ー二50% 再生パワー :0.4mW (再生劣化の評価) 再生パワー :1.OmW 再生回数 :10’回 (保存時劣化の評価) 保存温湿度 二60℃ 9o%RH保存時間
:30日間 表1において用いた比較色素は下記の構造式を有するも
のである。
)レーザの波長 ニア80nm レーザのビーム径=1.6μm 線速 :5m/s 記録パワー 二81 記録周波数 : 2.5 Mllz記録デューティ
ー二50% 再生パワー :0.4mW (再生劣化の評価) 再生パワー :1.OmW 再生回数 :10’回 (保存時劣化の評価) 保存温湿度 二60℃ 9o%RH保存時間
:30日間 表1において用いた比較色素は下記の構造式を有するも
のである。
A。
表1の結果から、本発明の光学的情報記録媒体はC/N
の高い十分な記録特性を有し、長期の保存あるいは長時
間の読み取りに対して高い安定性を有することが明らか
である。
の高い十分な記録特性を有し、長期の保存あるいは長時
間の読み取りに対して高い安定性を有することが明らか
である。
Claims (3)
- (1)レーザ光線によって記録、再生、消去を行なうた
めの光学的情報記録媒体であって、基板上に、2位にス
ルファモイル基が置換したインドアニリン系色素を担持
せしめたことを特徴とする光学的情報記録媒体。 - (2)インドアニリン系色素が下記一般式( I )で表
わされる色素であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の光学的情報記録媒体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1は置換もしくは無置換のアルキル基、置
換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無
置換の複素環基を表わし、R^0は水素原子もしくはR
^1と同義の基を表わし、R^2、R^5及びR^6は
互いに同じでも異なっていても良く、水素原子もしくは
、これを置換可能な基を表わし、R^3及びR^4は互
いに同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン
原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、又は置換も
しくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換の
アリール基、を表わし、R^7及びR^8は互いに同じ
でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアリール基、アシル基、又
はスルホニル基を表わし、R^0とR^1、R^3とR
^5、R^4とR^6、R^5とR^7、R^6とR^
8、R^7とR^8は互いに連結して環を形成していて
もよい。Zはベンゼン環、5員もしくは6員の複素環を
形成するのに必要な原子団を表わす。〕 - (3)基板上に、2位にスルファモイル基が置換したイ
ンドアニリン系色素と一重項酸素クエンチャーとを担持
せしめたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012778A JPS63179794A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012778A JPS63179794A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63179794A true JPS63179794A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11814865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62012778A Pending JPS63179794A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63179794A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02129268A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | インドアニリン染料の製造法 |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP62012778A patent/JPS63179794A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02129268A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | インドアニリン染料の製造法 |
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