JPS6341190A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な色素を含む記録層を有する光情報記録媒
体に関する。特に、レーザービームを用いて記録及び再
生を行なう光情報記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザービ
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。

しかしとれらは保存性が悪い、分解能が低い、記録密度
が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近年、
比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録層に
用いることが提案され、また実施されてはいるが、一般
に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対する安
定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期にわたっ
て安定して満足すべき記録特性を有する記録層が開発さ
れていないのが現状である。

〔発明の目的〕

したがって本発明の目的は、十分な記録特性を長期にわ
たって維持し得るような安定性に浸れた色素記録層を有
する光学的情報記録媒体を提供することである。

〔発明の構成〕

本発明者は、鋭意研究を行なった結果、下記一般式（１
）で表わされる新規な色素が、安定な記録材料を作る上
で有用であることを見出し、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は下記一般式（Ｉ）で表わされる色素を含む
光学的情報記録媒体である。

一般式（Ｉ） 〔式中　Ｒｌ　％　Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｓ　、および
Ｒ６は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機残基を
表わし；Δは２型詰合によって結合した２価の有機残基
を表わし；Ｘｏは陰イオン残基を表わす。ただしＸＯは
陽電荷を中和するに必要な数だけ存在し、Ｒ＋　ＳＲ’
２　、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｓ、Ｒ６、又はＡ上に結合して分
子内塩を形成していてもよい。又Ｒ２とＲ３、Ｒ，とＲ
１、Ｒ４とＲ５Ｒ３とＲ６の組合わせのうち、少なくと
も１つの組合せで置換又は無置換の芳香族炭素環又は芳
香族炭素環を形成してもよい。〕 一般式（ｒ）で表わされる化合物において、Ｒ＋　、Ｒ
２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｓ　、およびＲ６、として好ましい
ものは、水素原子、ハロゲン原子（Ｆ、（１、Ｂｒ、Ｉ
）ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、スルホン酸
基、メルカプト基又は以下に述べる炭素原子数１ないし
３０の１価の有機基である。すなわち、置換もしくは無
置換のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｎ−フロ
ビル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ア
ミル、ｔ−アミノ状ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−
オクチル、２−エチルヘキシル、シクロヘキシル、２−
メトキシエチル、２−フェノキシエチル、ｎ−ヘキサデ
シルなど）、置換もしくは無置換のアリール基（例えば
フェニル、トリル、キシリル、エチルフェニル、メトキ
シフェニル、１　）−１−ジフェニル、クロロフェニル
、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェニル、α−ナフ
チル、β−ナフチル、ｎ−ドデシルフェニルなど）、置
換もしくは無置換の複素環基（例えばピリジル、キノリ
ル、カルバゾリル、フリノペチェニル、ビラゾリル、ベ
ンゾトリアゾリル、インダゾリノベベンズオキサゾリル
、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、５−フェニ
ルベンゾチアゾリルなど）、置換もしくは無置換のアラ
ルキル基（例えばベンジノペ２−フェニルエチル、２−
フェニル−１−メチルエチノヘフロモベンジル、２−’
ロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシベンシ
ノヘニトロペンシノヘ　シアノベンジル、４−ドデシル
ベンジルなど）、アシル基（例えば、アセチノペプロピ
オニル、プチリノペバレリノペピバロイル、ペンゾイノ
ペ　トルオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイル、
トリフルオロアセチル、２−エチルヘキサノイル、２−
（２，４−ジーｔｅｒｔ−アミルフェノキシ）プチリノ
ペステアロイルなど）、置換もしくは無置換のアミン基
（例えば、メチルアミン、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイル
アミノ、ステアロイルアミノ、ジ（２−ヒドロキシエチ
ル）アミン、エチル−２−メタンスルホンアミドエチル
アミノ、モルホリノ、ピロリジノ、ピペリジノ、メチル
スルホニルアミノ、ｐ−ドデシルベンゼンスルホニルア
ミノなど）、置換もしくは無置換のスチリル基（例えば
スチｉＪ　／ペジメチルアミノスチリノペジエチルアミ
ノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチ
リル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、置換
もしくは無置換のアルコキシ基（アルキル基部分は上記
のアルキル基と同義）、置換もしくは無置換のアルキル
チオ基（アルキル基部分は上記のアルキル基と同義）、
置換又は無置換のアルキルチオ基（アリール基部分は上
記のアリール基と同義）、置換もしくは無置換の複素環
チオ基（例えば、２−ピリジルチオ、２−キノリルチオ
、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリル
チオ、１．３−ジエチルベンゾイミダゾール−２−ｆｔ
イ／ぺ５−フェニルベンゾチアゾール−２−チオイル、
１−フェニルテトラゾール−２−チオイル、１−フェニ
ルイミダゾール−２−チオイル、など）、置換もしくは
無置換のカルバモイル基（例えばカルバモイル基、メチ
ルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニル
カルバモイル基、ヘキサデシルカルバモイル基、２−（
３−フェニルウレイド）エチルカルバモイルなど）、置
換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基（例えばエ
トキシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシカルボニル
基、ヘキサデシルオキシカルボニル基、２−ドデシルオ
キシエトキシカルボニル基など）、置換もしくは無置換
のアリールオキシカルボニル基（例えばフェノキシカル
ボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基、ニトロフ
ェノキシカルボニル基、２，４−ジーｔｅｒｔ−アミル
フェノキシカルボニル基、ｐ−、ドデシルフェノキシカ
ルボニル基など）、置換もしくは無置換のアリールアゾ
基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルア
ゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ
、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリル
アゾ、スルファモイルフェニルアゾ、ヘキサデシルフェ
ニルアゾ、ドデシルオキシカルボニルフェニルアゾなど
）である。

ＲＩで表わされる基のうち特に好ましいものとして、水
素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子（Ｆ、　Ｃ１，Ｂ
ｒ　、　Ｉ　）、炭素原子数１ないし２０の置換もしく
は無置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、インプロピノベローブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミノペ　ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、
ｔ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロヘキシノペ
　２−メトキシエチノペ２−フェノキシエチル、ｎ−ヘ
キサデシルなど）、炭素数１ないし１０の置換もしくは
無置換のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基
、プロポキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基等）
、炭素原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェ
ニル基（例えば、フエニノペトリル、キシリル、エチル
フエニノペメトキシフェニル、エトキシフェニル、クロ
ロフエニ／に、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェニ
ル、ｔ−アミルフェニル、ドテシルフェニルナト）、Ｏ
ＣＯＲ７（Ｒ７は、置換もしくは無置換のアルキル基、
置換もしくは無置換のアリール基、又は’＋１換もしく
は無置換のアラルキル基を表わしこれらの炭素原子数は
２０以下のものである。）、１もしくは２置換あるいは
無置換のアミン基〔置換基としては、炭素原子数１ない
し２０の置換もしくは無置換のアルキル基、（たとえば
、メチル基、エチル基、イソブチル基、５ｅｃ−ブチル
基、２−メトキシエチル基、２−メタンスルホンアミド
エチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、
ヘキサデシル基など）、炭素原子数１ないし２０の置換
もしくは無置換のアシル基（たとえば、ホルミル基、ア
セチル基、ベンゾイル基、フェニルアセチル基、トリフ
ルオロアセチル基、２−エチルヘキサノイル基、２−（
２，４−ジ−ｔ−アミルフェノキシ）ブチロイル基、ス
テアロイル基など）、炭素原子数６ないし２０の置換も
しくは無置換のフェニル基（例えばフェニル基、トルイ
ル基、ドデシルフェニル基、ｔ−オクチルフェニル基、
メトキシフェニル基、クロロフェニル基など）、炭素原
子数１ないし２０の置換もしくは無置換のアルキルもし
くは了り−ルスルホニルｌ　（例えばメタンスルホニル
基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基
、ドデシルスルホニル基、オクタンスルホニル基など）
が挙げられ、これらの置換基は互いに連結して環を形成
してもよい（例えばピロリジン環、ピペリジン環、モル
ホリン環など）。〕を挙げることができる。

Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲｓは特に好ましくは、
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ１，
Ｂｒ　Ｓ　Ｉ）、炭素原子数１ないし２０の置換もしく
は無置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、プロピ
ル、イソブチル、ｓｅｃ　−ブチル、ｔ−アミル、２−
メトキシエチル、２−メタンスルホンアミドエチル、シ
クロヘキシノペｔ−オクチル、ｎ−オクチル、２−エチ
ルヘキシル、２−メトキシエチルペ　２−フェノキシエ
チノベｎ−ヘキサデシルなど）、又は炭素原子数６ない
し２０の置換もしくは無置換のフェニル基（例えばフェ
ニル、トリル、キシリル、エチルフェニル、メトキシフ
ェニル、エトキシフェニル、クロロフエニノペニトロフ
ェニル、ジメチルアミノフェニル、ｔ−アミルフェニル
、ドデシルフェニルなど）である。

Ｘ○で表わされる陰イオン残基の例としては、バークロ
レート、フルオロボレート、スルフォアセテート、アイ
オダイド、クロライド、ブロマイド、ｐ−トルエンスル
ホネート、アルキルスルホネート（例えばメタンスルホ
ネート）、アルキルスルフェート（例えばエチルスルフ
ェート）、アルキルジスルホネート（例えばエタンジス
ルホネート）、ベンゼンジスルホネート（例えば１．３
−ベンゼンジスルホネート）、ハロスルホネート（例え
ばクロロスルホネート）、ピクラート、テトラシアノエ
チレンアニオン、テトラシアノキノジメタンアニオン、
ベンゾトリアゾール−５−スルホネート、４−（２−メ
チルチオテトラゾール−１−イル）ベンゼンスルホナー
ト、アセテート、ベンゾエート、硫酸イオン、オキサレ
ート、フマレート、ホルメートなどが挙げられ、これら
は、Δ＋　、Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｓ　、Ｒｓ
又はＲ７で表わされる基土に置換することが可能な場合
には、分子内塩を形成してもよい。

Ａで表わされる有機基として好ましいものは、下記一般
式（１）ないしく１２）で表わされるものである。

一般式（１） （式中Ｒ＋−Ｒｓは一般式（Ｉ）における定義と同義の
基を表わす。） 一般式（２） Ｒ１ （式中Ｒ１〜Ｒ６は一般式（１）における定義と同義の
基を表わす。） 一般式（３） （式中、Ｒ，ないしＲ６は一般式（１）における定義と
同段の基を表わし、Ｒ８は水素原子、ニトロ基、シアノ
基、炭素原子数１ないし２０のアルキル基（例えばメチ
ル、エチル、プロピル、ブチルなど）、炭素原子数６な
いし２０のアリール基、（例えばフェニノペ　トリル、
キシリル、ドデシルフェニルなど）、又は炭素原子数７
ないし２０のアラルキル基（例エバベンジル、フェニル
エチル、メトキシベンジル、ｔ−アミルベンジルなど）
を表わし、ｎは０．１、又は２を表わす。）一般式（４
） （式中Ｒ，ないしＲ６、およびＸＯは一般式（１）にお
ける定義と同義の基を表わす。） 一般式（５） （式中Ｒ１〜Ｒ６およびＸＯは一般式（１）における定
長と同役の基を表わし、Ｒ，／はＲ１と同義の基を表わ
し、Ｒ，／〜Ｒ６／はＲ２−Ｒ６で表わされる基と同義
の基を表わす。） 一般式（６） （式中２１は５もしくは６員の複素環を形成するのに必
要な非金属原子団を表わし、Ｒ３は置換又は無置換のア
ルキル基、置換又は無置換のアＩＪ−ル基、又は置換又
は無置換のアラルキル基、アリル基を表わし、ｍは０又
は１を表わす。）ＺＩによって形成される複素環のうち
好ましいものは、ピリジン、チアゾール、ベンゾチアゾ
ール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキ
サゾール、ナフトチアゾール、イミダゾール、ベンズイ
ミダゾール、ナフトイミダゾール、２−キノリン、４−
キノリン、イソキノリン、インドール、インドレニンな
どの含窒素複素環であり、これらの複素環は、ハロゲン
原子（Ｆ、Ｃβ、Ｂｒ、■）、置換又は無置換のアルキ
ル基（メチル基、エチル基、スルホエチル基、スルホプ
ロピル基、スルホブチル基、ヒドロキシエチル基、プロ
ピニル基、イソプロピル基、オクチル基、ヘキサデシル
基、メトキシエチル基、ｔ−アミル基など）、置換又は
無置換のアリール基（フェニル基、トリル基、キシリル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基など）、置
換又は無置換のアラルキル基（ベンジル基、２−フェニ
ルエチル基、３−フェニルプロピル基、α−ナフチルメ
チル基、メチルベンジル基、クロロベンジル基、メトキ
シベンジル基など）、置換又は無置換のアルコキシ基（
例えば、メトキシ基、エトキシ基、４−スルホブトキシ
基、３−スルホプロピル基、など）、ニトロ基、ヒドロ
キシ基、又はカルボキシル基で置換されていてもよい。

これらの複素環のうち特に好ましいものは、Ｎ−アルキ
ルもしくはＮ−置換アルキルのベンゾチアゾール環、同
じくベンゾイミダゾール環、２−もしくは４−キノリン
環、インドール環である。

一般式（７） ％式％ （式中ＲＩＯは置換又は無置換のアリール基を表わす。

）ＲＩＯで表わされる基のうち特に好ましいものは、炭
素原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル
基、又は炭素原子数１０ないし３０の置換もしくは無置
換のナフチル基である。

その具体例としては、フェニル、トリノペキシリル、ビ
フェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、メト千シフエ
ニノペシメトキシフエニノベ　トリメトキシフェニル、
エトキシフェニル、ジェトキシフェニル、クロロフェニ
ル、トリクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフ
ェニル、トリブロモフェニル、エチルフエニ／に、ジエ
チルフェニル、ニトロフェニル、アミンフェニノペジメ
チルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル、ジプ
ロピルアミノフェニノペモルホリノフェニル、ピペリジ
ニルフェニル、ピペラジニルフェニル、ジフェニルアミ
ノフェニル、アセチルアミンフェニル、ベンゾイルアミ
ノフェニル、アセチルフエニノペベンゾイルフエニノペ
シアノフェニルメタンスルホンアミドフェニル、ジ（２
−ヒドロキシエチル〉アミノフェニル、Ｎ−エチル−Ｎ
−（２−メタンスルホンアミドエチル）アミノフェニル
、４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニルなどを挙げ
ることができる。

一般式（８） ％式％ （式中Ｒ１は５又は６員の複素環から誘導される１価の
基を表わす。） Ｒ１１で表わされる複素環基のうち好ましいものは、ピ
リジン、チアゾール、ベンゾチアシーツへオキサゾール
、ペンゾオキサゾーノペナフトチアゾール、ナフトオキ
サゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフト
イミダゾール、２−キノリン、４−キノリン、インキノ
リン、インドール、インドレニン、フラン、チオフェン
、ベンゾフラン、チオナフテン、ジベンゾフラン、カル
バゾール、フェノチアジン、フェノキサジン、１゜３．
４−チアジアゾール、１．３．４−）リアゾーノペ　１
．３．４−オキサジアゾール、ピラゾール、およびこれ
らの置換体である。

これらの複素環基のうち特に好ましいものは、無置換又
は以下の置換基で置換された炭素原子数３０以下の複素
環基である。置換基の例としては、ヒドロキシ基、ハロ
ゲン原子（ＦＳＣｌ、Ｂｒ　。

■）、ニトロ基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素
原子数１ないし２０の置換又は無置換の、アルキル基（
置換基の種類としては、Ｆ、ＣＩ２、Ｂｒ、Ｉ、ンアノ
基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、スルホ基、アルコ
キシ基、置換又は無置換のフェノキシ基、など）、炭素
原子数６ないし２０の置換又は無置換のフェニル基（置
換基としてはＦ、ＣＩ、　Ｂｒ、Ｉ、シアノ基、ニトロ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、アルコ
キシ基、スルホンアミド基、カルボンアミド基、スルフ
ァモイル基、カルバモイル基など）、カルボンアミド基
、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル
基、カルボン酸エステル基、ウレイド基などが挙げられ
る。

一般式（９） ％式％ （式中ＲＩ２は水素原子、アルキル基、又はアＩＪ　−
ル基を表わし、Ｒ３゜は既に定義したものと同義の基を
表わす。） ＲＩＯの好ましいものは既に説明したものと同義である
。ＲＩ２で表わされる基のうち好ましいものは、水素原
子、臭素原子数１ないし２０のアルキル基（例えばメチ
ル、エチル、プロピノペプチルなど）、炭素原子数６な
いし２０の買換もしくは無置換のアリール基（例えばフ
ェニル、トリノベキシリノペビフェニル、エチルフェニ
ル、クロロフェニル、ニトロフエニノペアミノフェニル
、シメチルアミノフエニノベα−ナフチル、ｐ−ナフチ
ル、アントリル、ピレニルなど）である。

Ｒ１２で表わされる基のうち特に好ましいものは水素原
子、炭素原子数１ないし１７のアルキル基、または炭素
原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル基
である。

一役式（１０） ％式％ （式中、Ｒ１Ｇは既に定義したものと固設の基を表わす
。） 一般式（ｌｌ） １１Ｌ４ （式中、×２は置換されていてもよいピラン、チアピラ
ン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチアピラン、
ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフトチアピラン
又はナフトセレナピラン、テルラピラン、ペンゾテルラ
ピラン、ナフトテルラピラン環を完成するのに必要な原
子団を表わす。βは０又はｌを表わす。Ｒ１３およびＲ
１４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、スチリルＬ　４−フェニル−１，３−ブタジェニ
ル基、複素環基を表わし、これらの基は置換基を有して
いてもよい。Ｙは、０、Ｓｌ又はＳｅを表わす。） 一般式（１１）で表わされる基のうち好ましいものは、
ｘ２がピラン、チアピラン、ベンゾピラン、ベンゾチア
ピラン環を形成するのに必要な原子団を表わし、βは１
又は２を表わし、Ｙは、０又はＳを表わし、ＲＩ３およ
びＲ８は互いに独立に、水素原子、炭素原子数１ないし
２０の直鎖、分岐、もしくは環状のアルキル基、炭素原
子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル基（
置換基としては、Ｆ、Ｃ！、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基、ア
ルコキシ基、カルボンアミド基、カルバモイル基、スル
ホンアミド基、スルファモイル基、ウレイド基、カルボ
ン酸エステル基など）、炭素原子数８ないし２０の置換
もしくは無置換のスチリル基（例えばスチリル、ｐ−メ
チルスチリル、０−クロロスチリル、ｐ−メトキシスチ
リルなど）、又は置換もしくは無置換の５又は６員の複
素環基（キノリノペビリジル、フリル、カルバゾリル、
イミダゾリル、チアゾリル、オキサシリル、ペンゾイミ
ダゾリノヘベンゾチアゾリル、ベンゾオキサシリル、ｌ
、３．４−チアジアゾリル、■、３゜４−オキサジアゾ
ＩＪ　）へ又は１．３．４−）リアゾリル）である。

一般式（１２） （式中、ＲＩ　Ｓ　”　Ｒ２１は一般式（Ｉ）における
Ｒ＋〜Ｒ６と同義の基を表わす。ｍは０．１、または２
から選ばれる整数を表わす。） 以下に本発明で用いるアザアズレニウム塩化合物の具体
例を示すが、本発明の範囲はこれらのみに限定されるも
のではない。

１°１［１記−鮨式（１）で表わされろ化合物の例前記
一般式（２）で４１．：わされる化合物の例前記一般式
（３）　で表わされる化合物の例２Ｃｊ２０．０ ２Ｃ１０，○ 前記一般式（６）で表わされる化合物の例ＣＨ３ Ｉ Ｃ１１゜ 前記一般式（８）で表わされる化合物の例２１１ｓ Ｉｌ Ｃ１１゜ 前記一般式（９）で表わされる化合物の例Ｃβ −管式（１）で表わされる化合物のうち、一般式ＣＩ）
および（２）で表わされるＡを有する化合物は、八ｎｇ
ｅｗａｎｄｔｅ　　Ｃｈｅｍｉｅ　　、　　７　３　巻
、　ＮＯ，２０、ｐ、　　９　３　７（１９６６年）に
記載されていると同様にして、アザアズレン化合物とス
クワリック酸又はクロコン酸を適当な溶媒中で反応させ
ることによって得ることができる。アザアズレン化合物
は、野副、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｇ　ａｎｄ　Ｉｎｄｕｓｔ
ｒｙ、　　ｐ　１３５７〜ｐ１３５８（１９５４）に記
載の方法で合成することができる。一般式（３）で表わ
されるＡを有する化合物においてｎ＝０の化合物はＪｏ
ｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｑｃｉ
ｅｔｙ、　ｐ　５０１　（１９６０年）に記載されてい
る１−フォルミルアズレン化合物とアズレン化合物のか
わりにそれぞれ対応するアザアズレン化合物を用い、強
酸存在下、適当な溶媒中で反応させることによるか、ま
たは、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌＳｏｃｉｅｔｙ、　ｐ、　　１７２４〜９．１７３０
　（１９６１年）記載の様に１−エトキシメチレンアズ
レニウム塩とアズレン化合物の代りに対応するアザアズ
レン化合物を用い、これらを適当な溶媒中で反応させる
ことによるか、あるいはＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ
　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、　ｐ、　　３５９
　（１９６１年）記載の様に２−ヒドロキシメチレンシ
クロヘキサノンとアザアズレン化合物とを強酸存在下、
適当な溶媒中で加熱することによって得られる。

一般式（３）においてｎ−１及びｎ＝２の化合物はＪｏ
ｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃ
ｉｅｔｙ　　ｐ、３５９〜ｐ、３５９２（１９６１年）
の記載を参考にして、アザアズレン化合物とマロンジア
ルデヒド類又はグルタコンジアルデヒド類とを強酸存在
下適当な溶媒中で反応させることによって得られる。一
般式（４）で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕｒ
ｎａｌｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔ
ｙ　　ｐ、　　３５８８　（１９６１年）の記載を参考
にして、強酸存在下にアザアズレン化合物とグリオキサ
ールとを適当な溶媒中で加熱することによって容易に得
られる。

一般式（５）で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ　　ｐ、５　Ｑ　１（１９６０年）の記載を参考
にして、強酸存在下１．３−シフオルミルアズレン化合
物とアザアズレン化合物とを適当な溶媒中で加熱するこ
とにより得られる。

一役式（６）で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ　　ｐ、　　ｌ　６３〜ｐ、１６７（１９６１年
）の記載を参考にして、３−ホルミルアザアズレン化合
物と活性メチル基を有する複累環４級アンモニウム塩化
合物とを適当な溶媒中で加熱することにより得られる。

一般式（７）、（８）、（９）およびα■で表わされる
Ａを有する化合物は、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙｐ、１１１０〜ｐ、
１１１７（１９５８年）、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈ
ｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　、　ｐ、　４
９４〜ｐ、５０１（ｉ９６０年）、及びＪｏｕｒｎａｌ
　ｏｆ　ｔｈｅＣｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　、
　ｐ、　３５７９〜ｐ、　３５９３（１９６１年）の記
載を参考にしてアザアズレン化合物と、対応するアルデ
ヒド化合物とを強酸の存在下、適当な溶媒中で反応させ
ることにより得られる。

一般式０υで表わされるＡを有する化合物は、３−フォ
ルミルアザアズレン化合物と−Ａ２　式Ｑ：］）で表わ
される化合物とを溶媒中で反応させることにより得られ
る。

一般式（１３） ％式％ Ｃ式中ｚｚ　、ｙ、Ｒ，３、Ｒ１４、Ｘ○及びβは前記
で定義したものと同一の定義を有する。）これらの合成
反応に用いられる反応溶媒としては、エタノール、ブタ
ノール、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセ
トニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、酢酸な
どの有機カルボン酸類、無水酢酸などの酸無水物、ジオ
キサン、テトラシトロフランなどの脂環式エーテル類、
などがあげられる。また、ブタノール、ベンジルアルコ
ールナトにベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素を
混合して用いることもできる。反応中の温度は室温〜沸
点の範囲から選択できる。

一般弐〇２＋で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｔ＋ｅｍｉｃａｌ　５ｏｃ
ｉｅｔｙ　Ｓｐ　５０１（１９６０年）に記載の様に１
−ホルミルアズレン化合物とアザアズレン化合物を、強
酸存在下適当な溶媒中で反応させることにより得られる
。

合成例１（前述の例示化合物（３４）の合成）４−Ｎ、
Ｎ−ジメチルベンズアルデヒド４ｇ１シクロへブタ〔ｂ
〕ピロール−２（ＩＨ）−オン（以下１−アザアズレン
と称す。）４．１ｇ及びヨウ化ナトリウム４．１４　ｇ
をメタノール１００ｍ１に溶解した。この溶液にｐ−）
ルエンスルホン酸・１水和物５．３ｇを加え１時間加熱
攪拌した。室温まで冷却した後生成物を濾取し、メタノ
ール１００ｍ１及びアセトン１００ｍ１で洗浄し、乾燥
した。４．４ｇのアザアズレニウム塩を得た。収率３７
％。融点２８０℃以上 可視吸収スペクトル（アセトニトリル中）吸収極大波長
：６１８ｎｍ 元素分析値 Ｃｌ８ＨＩ７Ｎ２ＩＯとして 計算値　Ｃ，５３，４８％　Ｈ，４，２４％　Ｎ、　６
．９３％　Ｉ、３１．３９％実測値　Ｃ，５３，６４％
　Ｈ，４，０９％　Ｎ、　６．９０％　［、３Ｌ　２１
％合成例２（前述の例示化合物（４４）の合成）４−Ｎ
、Ｎ−ジメチルシンナムアルデヒド８．７５ｇ及び１−
アザアズレン７．２５　ｇをエタノール２００ｒｒ＋ｊ
！に溶解した。この溶液に５７％ヨウ化水累酸２２．５
　ｇを滴下し、室温で１時間攪拌した後、４時間加熱還
流した。室温まで冷却した後、生成物を濾取し、メタノ
ール１００ｍｌ及びアセトン１００ｍ１で洗浄し乾燥し
た。９．３５　ｇのアザアズレニウム塩を得た。収率４
３％。融点２８０℃以上。

可視吸収スペクトル（アセトニ）　ＩＪシル中吸収極大
波長ニア２１ｎｍ 元素分析値 Ｃ２０Ｈ１９Ｎ２　Ｉ　Ｏとして 計算値　Ｃ，５５，８３％　Ｈ，４，４５％　Ｎ、　６
．５１％　Ｉ、　２９．４９％実測値　Ｃ，５５，９６
％　Ｈ，４，４９％　Ｎ、　６．２８％　Ｉ、　２９．
２０％光学的情報記録媒体は、基本的には基板と記録層
とから構成されるものであるが、さらに目的に応じて基
板上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けることが
できる。

基板としては使用レーザに対して透明であれば既知のも
のを任意に使用することができる。その代表的な例には
ガラスまたはプラスチックがあり、プラスチックとして
はアクリノペボリカーボネート、ポリスルホン、ポリイ
ミド、ポリエステルなどが用いられる。その形状はディ
スク状、カード状、シート状、ロールフィルム状など種
々のものが可能である。

ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイイ
ダー（たとえば塩素化ポリスチレン）または無機酸化物
、無機硫化物などの下引き層を設けてもよい。基板より
も熱伝導率の低い下引き層が好ましい。

記録層は、一般式（Ｉ）の化合物単独またはそれと他の
材料との組合せそれ自体により構成されるもの、あるい
は反射層と一般式（１）の化合物を含有する光吸収層に
よって構成されるものに分けられる。この一般式（Ｉ）
の化合物単独またはそれと他の材料との組合せによって
構成される記録層は一般式（Ｉ）の化合物を溶媒に溶解
させ、塗布する方式や基板に蒸着する方式、樹脂溶液と
混合して塗布する方式、池の色素との混合溶液を塗布す
る方式、他の色素とともに樹脂溶液に溶解させて塗布す
る方式などによって形成される。

樹脂としては、ＰＶＡ５ＰＶＰ、ポリビニルブチラール
、ポリカーボネート、ニトロセルロース、ホリビニルホ
ルマール、メチルビニルエーテル、無水マレイン酸共重
合体、スチレン−ブタジェン共重合体等既知のものが用
いられ、記録層中における樹脂に対する前記一般式〔Ｉ
〕で表わされる化合物の重量比は０．０１以上であるこ
とが望ましい。他の色素、例えばトリアリールメタン系
色素、メロシアニン色素、シアニン色素、アゾ色素、ア
ントラキノン色素など半導体レーザの波長域以外に吸収
をもつものを用いてもよい。

この記録層は１層又は２層以上設ける。

記録層の膜厚は、通常０，０１μｍ〜１μｍ１好ましく
は０．０８〜０．３μｍの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長の１／
４の奇数倍である。

半導体レーザまたはＨｅ　−Ｎ　ｅレーザなどの反射層
を設ける場合は、基板に反射層を設は次の二の反射層の
上に前述したような方式によって記録層を設けることに
よるか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に
反射層を設けるかのいずれかの方法がある。

反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他の次のような方法によっても１乍ること
ができる。

例えば水溶性樹脂（ＰＶＰＳＰＶＡなど）に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、５０℃〜１５０℃好ましくは６０℃〜
１００℃で加熱乾燥させることによって形成される。

樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で０．
１〜１０好ましくは０．５〜１．５である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が０．０１〜０．１μｍで
ありそして光吸収層が０．０１〜１μｍの範囲が適当で
ある。

金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
１モルに対し０．２〜１０モル好ましくは０．５〜４モ
ルの範囲で使用できる。

光学的情報記録媒体において、情報の記録はレーザなど
のスポット状の高エネルギービームを基板を通しである
いは基板と反対側より記録層に照射することにより行わ
れ、記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピ
ット（穴）が形成される。

また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量の変化により検出する。

（実施例） 以下に実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明はこれらのみに限定されるものではない。

実施例１ 例示化合物（４４）　　　　　　　　　　０．１ｇニト
ロセルロース　　　　　　　　　０．６ｇジクロルメタ
ン　　　　　　　　　７’ｍ！上記組成の溶液をガラス
板に回転塗布し、４０℃で乾燥し、厚さ０．４０μｍの
記録層を得た。波長７８０ｎｍにおける反射率および吸
収率はそれぞれ１４％および２５％であった。

こうして得られた記録媒体に波長７８０ｎｍ、照射面で
４ｍＷ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザでＩ　Ｍ　
Ｈｚで信号を記録したところ、０．４μ秒の照射（１，
５ｎ　Ｊ　／ｐｉｔ　）で直径１．０　μｍのピットが
形成された。この記録媒体を温度６０℃、室内光中、湿
度９０％で１ケ月保存したが、記録および読み出しの特
性の変化はなかった。

実施例２ 例示化合物（４４）　　　　　　　　　　　０．１ｇポ
リカーボネート樹脂　　　　　　　１．ＯｇＣ，Ｉ、ア
シッドブルー８３（Ｃ１１，４２６３０＞　　　１．２
ｇ１．２−ジクロルエタン　　　　　　　　　１２ｍ！
上記組成の溶液を表面硬化したアクリル板に回転塗布し
、６０℃で乾燥し厚さ０．４μｍの記録層を得た。波長
８００１ｍにおける反射率および吸収率はそれぞれ１５
％および１９％であった。また波長６３０ｎｍにおける
反射率および吸収率はそれぞれ１３％および６０％であ
った。この記録媒体を照射面で（ｉｍＷ、ビーム径１．
６μｍの波長８００ｎｍの半導体レーザビームで０．４
　Ｍ　ＨＺで信号を記録したところ１．０μ秒の照射（
６，０ｎ　Ｊ　／ｐｉｔ　）で直径１．０μｍのピット
が形成された。またこの記録媒体にＨｅ−Ｎｅレーザを
用いてビーム径１．６μｍ記録面でのエネルギー５ｒｎ
Ｗで、４ＭＨ２の信号を記録したところ０．４μ秒の照
射（１，６ｎＪ／ｐｉｔ　）で１．０　Ａｔ　ｍのピッ
トが形成された。

実施例１と同様にして保存テストを行ったが特性の変化
はなかった。

実施例３ 例示化合物（４４）　　　　　　　　　　　　０．１ｇ
ニトロセルロース　　　　　　　　　　０．７ｇアセト
ニトリル　　　　　　　　　　　１０ｍＡエタノール　
　　　　　　　　　　　　１０　ｍｌ上記組成の塗布液
をガラス板に回転塗布し、４０℃で乾煙し、厚さ０．４
０μｍの記録層を得た。

波長８３０ｎ＋ｎにおける反射率および吸収率はそれぞ
れ１５％および６５％であった。

こうして得られた記録媒体に波長８３０ｎｍ、照射面で
４ｍＷ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザでＬＭＨｚ
で信号を記録したところ、０．３μ秒の照射（１，２ｎ
　Ｊ　／ｐｉｔ　）で直径１．０μｍのピットが形成さ
れた。この記録媒体を温度６０℃、室内光中、湿度、９
０％で１ケ月保存したが、記録および読み出しの特性の
変化はなかった。

実施例４ 例示化合物（３２）　　　　　　　　　　　０．１　ｇ
ポリカーボネート樹脂　　　　　　　０．７ｇＣ，１，
アシッドブルー８３（Ｃ，１，４２６３０）　　　１．
２ｇ１．２−ジクロルエタン　　　　　　　　　１２　
ｍβ上記組成の溶液を表面硬化したアクリル板に回転塗
布し、６０℃で乾燥し厚さ０．４μｍの記録層を得た。

波長８３０ｎｍにおける反射率および吸収率はそれぞれ
１６％および５６％であった。また波長６３０ｎｍにお
ける反射率および吸収率はそれぞれ１３％および６８％
であった。この記録媒体を照射面で６ｍＷ、ビーム径１
．６μｍ（７）波長８３０ｎｍの半導体レーザビームで
０．４　Ｍ　Ｈｚで信号を記録したところ０．３μ秒の
照射（１，’８　ｎ　Ｊ　／ｐｉｔ　）で直径１．０μ
ｍのピットが形成された。またこの記録媒体にＨｅ−Ｎ
ｅレーザを用いてビーム径１、６　μｍ記録面でのエネ
ルギー５ｍＷで、４ＭＨｚの信号を記録したところ０．
４μ秒の照射（１，６ｎＪ／ｐｉｔ　）で１．０μｍの
ピットが形成された。

実施例３と同様にして保存テストを行ったが特性の変化
はなかった。

実施例５ 次の組成の液をポリカーボネート円板に回転塗布して、
厚さ０．１μｍの乾燥膜厚の下引層を得た。

セルロースアセテートブチレー）　　　　０．８ｇアセ
トン　　　　　　　　　　　　　　　３２ｒｒ＋ｊ！こ
れに例示化合物（３２）を含む次の組成の液例示化合物
（３２）　　　　　　　　　　　　　１　ｇポリビニル
ホルマール　　　　　　　　０．７ｇジクロルメタン　
　　　　　　　　　　１０　ｇを回転塗布して厚さ０．
４μの乾燥膜厚の記録層を得た。さらにこの上に銀を厚
さ０．１μに真空蒸着し、記録媒体をつくり、銀の面を
向い合せにして、スペーサーを円板の中心部と周囲に入
れて二つの円板状の記録媒体をサンドイッチにして接合
した記録媒体を得た。

これに、ポリカーボネート板側より波長８３０ｎｍのビ
ーム径１．６μｍの半導体レーザビームを照射面で６ｍ
Ｗで照射し０．７μ秒の照射（４，２ｎＪ／ｓｅｃ　）
で直径０．９μｍのピットが形成された。

この記録媒体を室内光中８０℃、９０％で２ケ月保存し
たが記録および読み出しの特性の劣化は殆どなかった。

実施例６ 例示化合物（４４）　　　　　　　　　　　　０．１　
ｇポリビニルホルマール　　　　　　　　０．７ｇアセ
トン　　　　　　　　　　　　　　６ｍβイソプロピル
アルコール　　　　　　　６ｍｌ上記組成の溶液をアル
ミニウムを０，０８μｍの厚さに蒸着したポリカーボネ
ート樹脂板に回転塗布し、厚さ０，６μｍの光吸収層を
得た。波長３３０ｎｍにおける反射率および吸収率は１
６％および６４％であった。この記録媒体に波長８３０
ｎｍの半導体レーザを用い照射面エネルギー５ｍ１ｌ、
ビーム径１．６μｍで基板側より２　Ｍ　Ｈｚの信号を
記録したところ０．５　μｓｅｃの照射時間で（３，Ｏ
ｎＪ／ｐｉｔ）直径０．８μｍのピットが形成された。

この記録媒体を６０℃、湿度９０％で１ケ月保存したが
、保存後も記録特性および記録されたピットの再生特性
は劣化しなかった。

実施例７ ニトロセルロース　　　　　　　　　　　０．４ｇジク
ロルメタン　　　　　　　　　　　１０ｍｆ上記組成の
液をアクリル板に回転塗布し下引き層をつくり、これに
例示化合物（４４）を真空蒸着して、厚さ０．２μｍの
層を得た。これにゼラチン０．５ｇを水１０ｍ１に溶か
した液を回転塗布して厚さ０．５μｍの保護層をつけた
。基板側より８３０ｎｍの波長のレーザビームを実施例
３と同様に照射し、０．５μ秒の照射（２，０ｎ　Ｊ　
／ｐｉｔ　）で直径０．９μｍのピットが形成された。

この記録材料を室内光中で、温度６０℃、湿度９０％で
１ケ月保存したが特性には変化がなかった。

実施例８ 表１に示した化合物を所定の溶媒に溶解しく０．５％）
、この溶液を回転塗布機によってＰＭＭＡ基板（厚さ１
ｍｍ）上に塗布し乾燥した。

こうして得られた記録媒体を波長８３０ｎｍの半導体レ
ーザを用い、照射面エネルギー５ｍＷ、ビーム径１．５
μ線速１．２　ｍ　／ｓｅｃでＩ　Ｍ　Ｈｚの信号を記
録した。この記録部に０．２　ｍ　Ｗのレーザ光を照射
し信号を再生した。

この記録媒体を９０℃、９０％ＲＨの条件下で１０日間
保存し、ｇ３ｏｎｍの光による透過率の変化から退色の
速度を調べた。すなわち、透過率の経時変化を測定する
ことにより半減期を求め、その逆数を相対速度としたく
比較化合物ａの渣を１とした）。

また、タングステンランプ照射下にＤＨした場合の光退
色速度を調べた。これらの結果を表１に示す。これから
、本発明の記録媒体は十分な反射率を有し、高いＣ／Ｎ
比を示すとともに、熱および光に対する安定性に秀れて
いることがわかる。

５発明の効果〕 表１の結果から本発明の光記録媒体は従来の光記録媒体
に比べ感度が高く、著しく安定性が高いことすなわち、
耐熱性、耐湿性および耐光性にすぐれて°７）ることが
明らかである。

手続補正帯 特許庁長官　　黒　１）明　雄　　殿 １、事件の表示　　　昭和６１年特許願第１８４５００
号２、発明の名称　　　　光学的情報記録媒体３、補正
をする者 事件との関係　　出願人 名　称　　　（５２０）富士写真フィルム株式会社４、
代理人 ５゜補正命令の日付　　自　　　発 ６、補正の対象　　　　明細書の発明の詳細な説明の欄
（１）　　明細書第５６頁下から１行目の“基板上に下
引き層をまた記録層上に保護層”を「下引き層、保護層
、または反射層」と補正する。

（２）同書第５８頁２行目の“使用レーザに対して透明
であれば“を削除する。

（３）　　同書第５８頁下から１行目の“０．０１μｍ
〜１μｍ”をｒｏ、ｏｔμｍ〜２μｍ」と補正する。

（４）同書第５８頁１行目の“ｏ、ｏａ〜ｏ、８μｍ”
をｒＯ，０２〜０．８μｍ」とン甫正する。

（５）同書第６０頁１行目の“０．０１〜１μｍ″をｒ
ｏ、ｏｔ〜２μｍ」と補正する。

（６）同署第６０頁下から１行目の“反射光量”の後に
「もしくは透過光量」を挿入する。

（７）同書同頁１１行目と１２行目の間に「記録層又は
これに隣接する層内には色素の劣化防止のため、酸化防
止剤もしくは褪色防止剤を存在させてもよい。」を挿入
する。

−）゛・−グ″ 手続補正帯 ６２．１０．１５ 昭和　　年　　月　　日 １、事件の表示　　　昭和６１年特許願第１８４５００
号２、発明の名称　　　　光学的情報記録媒体３、補正
をする者 事件との関係　　出願人 名　称　　（５２０）富士写真フィルム株式会社４、代
理人 ５、補正命令の日付　　自　　　発 ６、補正の対象　　　　明細書の発明の詳細な説明の欄
７、補正の内容 （１）　　明細書第５２頁第２行目のｐ、３５９”を７
ｐ、３５７９〜３５９３：と補正する。

（２）同書同頁第７〜第８行目の“’　ｐ、　３５９〜
ｐ。

３５９２″′をｒｐ、３５７９〜３５９３ｊとｔ重工す
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（ I ）で表わされる化合物を含有すること
   を特徴とする光学的情報記録媒体。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、およ
   びＲ＿６は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機残
   基を表わし；Ａは２重結合によって結合した２価の有機
   残基を表わし；Ｘ＾■は陰イオン残基を表わす。ただし
   Ｘ＾■は陽電荷を中和するに必要な数だけ存在し、Ｒ＿
   １、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、又はＡ
   上に結合して分子内塩を形成していてもよい。又Ｒ＿２
   とＲ＿３、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５Ｒ＿５とＲ
   ＿６の組合せのうち、少なくとも１つの組合せで置換又
   は無置換の芳香族炭素環又は芳香族複素環を形成しても
   よい。〕