JP2594443B2 - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、有機色素薄膜を有し、高密度エネルギービ
ームによって状態変化を生ぜしめることにより記録再生
を行なうヒートモードの光学的情報記録媒体に関する。
ームによって状態変化を生ぜしめることにより記録再生
を行なうヒートモードの光学的情報記録媒体に関する。
（従来の技術） 従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザー
ビームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録
媒体が知られている。このような記録媒体の記録層とし
ては低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されて
いる。しかしこれらは保存性が悪い、分離能が低い、記
録密度が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。
近年、比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記
録層に用いることが提案され、また、実施されてはいる
が、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に
対する安定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期
にわたって安定して満足すべき記録特性を有する記録層
が開発されていないのが現状である。従来記録層用とし
て開示されている色素のうち最も良好な記録特性と安定
性とを併せ持った色素として例えば特開昭59−202892号
に開示されたインドレニン系ヘプタメチンシアニン色素
が知られている。しかしながらシアニン色素からなる記
録層の安定性は対陰イオンの構造により大差があること
が知られており（例えば特開昭59−202892号の比較例１
と比較例４の比較）、従来開示された対陰イオンのうち
過塩素酸イオンを用いた場合が最も安定であった。とこ
ろが過塩素酸塩は一般に爆発性のものが多く、しかもDS
C測定の結果シアニン色素の過塩素酸塩は非常に大きな
発熱を伴って分解することが判明し、製造等の取扱いに
際し爆発の危険性が高いことが示唆された。したがって
シアニン色素の過塩素酸塩並以上の記録性能と記録層の
安定性を有し、しかも爆発の危険性のないシアニン色素
を用いた光情報記録媒体が望まれていた。
ビームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録
媒体が知られている。このような記録媒体の記録層とし
ては低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されて
いる。しかしこれらは保存性が悪い、分離能が低い、記
録密度が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。
近年、比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記
録層に用いることが提案され、また、実施されてはいる
が、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に
対する安定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期
にわたって安定して満足すべき記録特性を有する記録層
が開発されていないのが現状である。従来記録層用とし
て開示されている色素のうち最も良好な記録特性と安定
性とを併せ持った色素として例えば特開昭59−202892号
に開示されたインドレニン系ヘプタメチンシアニン色素
が知られている。しかしながらシアニン色素からなる記
録層の安定性は対陰イオンの構造により大差があること
が知られており（例えば特開昭59−202892号の比較例１
と比較例４の比較）、従来開示された対陰イオンのうち
過塩素酸イオンを用いた場合が最も安定であった。とこ
ろが過塩素酸塩は一般に爆発性のものが多く、しかもDS
C測定の結果シアニン色素の過塩素酸塩は非常に大きな
発熱を伴って分解することが判明し、製造等の取扱いに
際し爆発の危険性が高いことが示唆された。したがって
シアニン色素の過塩素酸塩並以上の記録性能と記録層の
安定性を有し、しかも爆発の危険性のないシアニン色素
を用いた光情報記録媒体が望まれていた。
（発明が解決しようとする問題点） したがって本発明の目的は、十分な記録特性を長期に
わたって維持し得るような安定性に優れた光学的情報記
録媒体の記録層を形成することができ、しかも爆発の危
険がなく、有機溶剤に対する溶解性が良好であるシアニ
ン色素を含む光学的情報記録媒体を提供することであ
る。
わたって維持し得るような安定性に優れた光学的情報記
録媒体の記録層を形成することができ、しかも爆発の危
険がなく、有機溶剤に対する溶解性が良好であるシアニ
ン色素を含む光学的情報記録媒体を提供することであ
る。
（問題点を解決するための手段） 上記の目的は、下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物
の少なくとも１種を含有する光学的情報記録媒体により
達成された。
の少なくとも１種を含有する光学的情報記録媒体により
達成された。
一般式（Ｉ）： 〔式中R1、R2は独立にアルキル基もしくはアリール基を
表わし、Ｚは芳香環を形成するための原子群を表わし、
Ｌはカルボシアニンを形成するための連結基を表わ
す。〕 一般式（Ｉ）においてR1、R2、およびＺはさらに置換
基を有していてもよい。これらの基の置換基のうち好ま
しいものはC.Hanschらによって提唱されている疎水性パ
ラメータ、π、が−0.5ないし15の範囲の値のものであ
る。なお、疎水性パラメータは次の文献に従って算出す
ることができる。
表わし、Ｚは芳香環を形成するための原子群を表わし、
Ｌはカルボシアニンを形成するための連結基を表わ
す。〕 一般式（Ｉ）においてR1、R2、およびＺはさらに置換
基を有していてもよい。これらの基の置換基のうち好ま
しいものはC.Hanschらによって提唱されている疎水性パ
ラメータ、π、が−0.5ないし15の範囲の値のものであ
る。なお、疎水性パラメータは次の文献に従って算出す
ることができる。
１） C.Hanshら、J.Med.Chem.、第16巻、1207頁（1973
年刊）、 ２） C.Hanshら、同誌、第20巻、304頁（1977年刊） R1またはR2で表わされる基として好ましいものは、置
換もしくは無置換の低級アルキル基（炭素原子数１ない
し８）であり、さらに上述のC.Hanschらによって提唱さ
れている疎水性パラメータ、π、が−0.5ないし15の範
囲の値の置換基を有していてもよい。R1もしくはR2が置
換基を有する場合において特に好ましい置換基は、ハロ
ゲン原子（Ｆ、Cl、Br、Ｉ）、置換もしくは無置換のフ
ェニル基（例えばフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、
ｐ−メチルフェニル基など）、アルキルチオ基（例えば
メチルチオ基、ブチルチオ基など）、置換もしくは無置
換のフェニルチオ基（例えばフェニルチオ基、ｐ−クロ
ロフェニルチオ基、ｍ−メチルフェニルチオ基など）で
ある。
年刊）、 ２） C.Hanshら、同誌、第20巻、304頁（1977年刊） R1またはR2で表わされる基として好ましいものは、置
換もしくは無置換の低級アルキル基（炭素原子数１ない
し８）であり、さらに上述のC.Hanschらによって提唱さ
れている疎水性パラメータ、π、が−0.5ないし15の範
囲の値の置換基を有していてもよい。R1もしくはR2が置
換基を有する場合において特に好ましい置換基は、ハロ
ゲン原子（Ｆ、Cl、Br、Ｉ）、置換もしくは無置換のフ
ェニル基（例えばフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、
ｐ−メチルフェニル基など）、アルキルチオ基（例えば
メチルチオ基、ブチルチオ基など）、置換もしくは無置
換のフェニルチオ基（例えばフェニルチオ基、ｐ−クロ
ロフェニルチオ基、ｍ−メチルフェニルチオ基など）で
ある。
R1またはR2で表わされる基のうち特に好ましいもの
は、炭素原子数１ないし４の無置換アルキル基であり、
その中でもメチル基が最も好ましい。
は、炭素原子数１ないし４の無置換アルキル基であり、
その中でもメチル基が最も好ましい。
Ｚで表わされる原子群の例としては、ベンゼン環、ナ
フタレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が
挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を
完成するための原子群であり、さらに上述の置換基を有
していてもよい。Ｚが置換基を有する場合において、特
に好ましい置換基は、ハロゲン原子（Ｆ、Cl、Br、
Ｉ）、置換もしくは無置換のフェニル基（例えばフェニ
ル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−メチルフェニル基な
ど）、アルキルチオ基（例えばメチルチオ基、ブチルチ
オ基など）、置換もしくは無置換のフェニルチオ基（例
えばフェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−
メチルフェニルチオ基など）、置換もしくは無置換のア
ルキル基（例えばメチル基、トリフルオロメチル基、te
rt−アミル基など）シアノ基、アルコキシカルボニル基
（例えばプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル
基、ベンジルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボ
ニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基な
ど）、アルキルもしくはアリールスルホニル基（例えば
ブタンスルホニル基、フェニルスルホニル基、オクタン
スルホニル基など）である。
フタレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が
挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を
完成するための原子群であり、さらに上述の置換基を有
していてもよい。Ｚが置換基を有する場合において、特
に好ましい置換基は、ハロゲン原子（Ｆ、Cl、Br、
Ｉ）、置換もしくは無置換のフェニル基（例えばフェニ
ル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−メチルフェニル基な
ど）、アルキルチオ基（例えばメチルチオ基、ブチルチ
オ基など）、置換もしくは無置換のフェニルチオ基（例
えばフェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−
メチルフェニルチオ基など）、置換もしくは無置換のア
ルキル基（例えばメチル基、トリフルオロメチル基、te
rt−アミル基など）シアノ基、アルコキシカルボニル基
（例えばプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル
基、ベンジルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボ
ニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基な
ど）、アルキルもしくはアリールスルホニル基（例えば
ブタンスルホニル基、フェニルスルホニル基、オクタン
スルホニル基など）である。
Ｚで表わされる原子群のうち特に好ましいものは、ハ
メットのシグマ定数が−0.2ないし＋0.7であるような比
較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を形成
するための原子群であり、その中でもＦ、Cl、Br、Ｉな
どのハロゲン原子で置換されたベンゼン環を形成するた
めの原子群が好ましい。
メットのシグマ定数が−0.2ないし＋0.7であるような比
較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を形成
するための原子群であり、その中でもＦ、Cl、Br、Ｉな
どのハロゲン原子で置換されたベンゼン環を形成するた
めの原子群が好ましい。
Ｌで表わされる連結基はモノ、ジ、トリ、もしくはテ
トラカルボシアニン色素を形成するのに必要な連結基を
表わすが、特に一般式（ａ）ないし（ｉ）で表わされる
ものが好ましい。
トラカルボシアニン色素を形成するのに必要な連結基を
表わすが、特に一般式（ａ）ないし（ｉ）で表わされる
ものが好ましい。
一般式（ａ） 一般式（ｂ） 一般式（ｃ） 一般式（ｄ） 一般式（ｅ） 一般式（ｆ） 一般式（ｇ） 一般式（ｈ） 一般式（ｉ） 一般式（ａ）ないし（ｉ）においてＹは水素原子また
は１価の基を表わす。この場合、１価の基としては、メ
チル基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェ
ニル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基な
どの低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、
イミダゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基な
どのジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカル
ボニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、
シアノ基、ニトロ基、F,Cl,Brなどのハロゲン原子であ
ることが好ましい。
は１価の基を表わす。この場合、１価の基としては、メ
チル基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェ
ニル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基な
どの低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、
イミダゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基な
どのジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカル
ボニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、
シアノ基、ニトロ基、F,Cl,Brなどのハロゲン原子であ
ることが好ましい。
なおＬで表わされる連結基のうち特に好ましいものは
ジもしくはトリカルボシアニン色素を形成するのに必要
な連結基であって、より具体的には一般式（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）
で表わされるものである。
ジもしくはトリカルボシアニン色素を形成するのに必要
な連結基であって、より具体的には一般式（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）
で表わされるものである。
以下に本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具
体例を示すが、本発明の範囲はこれらのみに限定される
ものではない。
体例を示すが、本発明の範囲はこれらのみに限定される
ものではない。
本発明の化合物は公知の方法を利用して合成できる。
最も簡便には、シアニン色素塩を適当な溶媒に溶かした
後、HPF6の水溶液を添加してシアニン色素のPF6 塩を
沈澱させるか、あるいはFPF6、ベンジルトリメチルアン
モニウムヘキサフルオロホスフェイトなどのPF6 塩と
シアニン色素塩とを適当な溶媒中で反応させてシアニン
色素のPF6 塩を沈澱させることによって合成すること
ができる。
最も簡便には、シアニン色素塩を適当な溶媒に溶かした
後、HPF6の水溶液を添加してシアニン色素のPF6 塩を
沈澱させるか、あるいはFPF6、ベンジルトリメチルアン
モニウムヘキサフルオロホスフェイトなどのPF6 塩と
シアニン色素塩とを適当な溶媒中で反応させてシアニン
色素のPF6 塩を沈澱させることによって合成すること
ができる。
以下に合成例を挙げて合成法を説明する。
合成例1.化合物１の合成（塩交換による方法） １−メチル−２−〔７−（１−メチル−3,3−ジメチ
ル−５−クロロ−２−インドニリデン）−1,3,5−ヘプ
タトリエニル〕−3,3−ジメチル−５−クロロインドリ
ウムクロライド、5.1gとメタノール50mlより調製した溶
液を38℃に加熱しつつ、これにベンジルトリメチルアン
モニウムヘキサフルオロホスフェイト3.5gとメタノール
100mlから調製した溶液を38℃に加熱して加えた。反応
液を38℃で15分撹拌した後、生じた沈澱を濾取し、38℃
のメタノール50mlにて洗浄後風乾した。収量5.5g（収率
89％）、融点213−214℃ 合成例2.化合物１の合成（HPF6を用いる方法） １−メチル−２〔７−（１−メチル−3,3−ジメチル
−５−クロロ−２−インドニリデン）−1,3,5−ヘプタ
トリエニル〕−3,3−ジメチル−５−クロロインドリウ
ムクロライド2.5gにメタノール75mlを加えて溶解した後
HPF6（60％水溶液）1.5mlを加え15分間撹拌した。生じ
た沈澱を濾取し、メタノールで洗浄し、風乾した。収量
2.5g 本発明の光記録媒体において用いられる色素は単独で
用いても、２種以上併用してもよく、あるいは本発明の
色素以外の色素と併用して用いてもよい。また読取り耐
久性向上のため種々の酸化防止剤や一重項酸素クエンチ
ャーを併用することも有効である。また、種々の樹脂を
併用してもよい。
ル−５−クロロ−２−インドニリデン）−1,3,5−ヘプ
タトリエニル〕−3,3−ジメチル−５−クロロインドリ
ウムクロライド、5.1gとメタノール50mlより調製した溶
液を38℃に加熱しつつ、これにベンジルトリメチルアン
モニウムヘキサフルオロホスフェイト3.5gとメタノール
100mlから調製した溶液を38℃に加熱して加えた。反応
液を38℃で15分撹拌した後、生じた沈澱を濾取し、38℃
のメタノール50mlにて洗浄後風乾した。収量5.5g（収率
89％）、融点213−214℃ 合成例2.化合物１の合成（HPF6を用いる方法） １−メチル−２〔７−（１−メチル−3,3−ジメチル
−５−クロロ−２−インドニリデン）−1,3,5−ヘプタ
トリエニル〕−3,3−ジメチル−５−クロロインドリウ
ムクロライド2.5gにメタノール75mlを加えて溶解した後
HPF6（60％水溶液）1.5mlを加え15分間撹拌した。生じ
た沈澱を濾取し、メタノールで洗浄し、風乾した。収量
2.5g 本発明の光記録媒体において用いられる色素は単独で
用いても、２種以上併用してもよく、あるいは本発明の
色素以外の色素と併用して用いてもよい。また読取り耐
久性向上のため種々の酸化防止剤や一重項酸素クエンチ
ャーを併用することも有効である。また、種々の樹脂を
併用してもよい。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成さ
せて用いることにより耐久性を増すこともできる。
せて用いることにより耐久性を増すこともできる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャーとして
は、種々のものを用いることができる。このようなクエ
ンチャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶
性が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金
属として好ましいものは、Ni、Co、Cu、Pd、Ptなどであ
る。
は、種々のものを用いることができる。このようなクエ
ンチャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶
性が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金
属として好ましいものは、Ni、Co、Cu、Pd、Ptなどであ
る。
新規なクエンチャーの例としては次の一般式（II）ま
たは（III）で示されるものがあげられる。
たは（III）で示されるものがあげられる。
（式中、〔Cat1〕および〔Cat2〕は錯体を中性ならしめ
るために必要な陽イオンを示し、M1およびM2はニッケ
ル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示す。ｎは
１または２を示す。） 前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物
において、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わされる陽イオ
ンのうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属（たとえ
ば、Li、Na、Ｋなど）、アルカリ土類金属（Mg、Ca、Ba
など）もしくはNH4 +をあげることができる。
るために必要な陽イオンを示し、M1およびM2はニッケ
ル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示す。ｎは
１または２を示す。） 前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物
において、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わされる陽イオ
ンのうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属（たとえ
ば、Li、Na、Ｋなど）、アルカリ土類金属（Mg、Ca、Ba
など）もしくはNH4 +をあげることができる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオ
ンまたは第四級ホスホニウムイオンをあげることができ
る。
ンまたは第四級ホスホニウムイオンをあげることができ
る。
上記の陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の中で好まし
いのは下記の一般式（IV−ａ）、（IV−ｂ）、（IV−
ｃ）、（IV−ｄ）もしくは（IV−ｅ）で表わされるもの
である。
いのは下記の一般式（IV−ａ）、（IV−ｂ）、（IV−
ｃ）、（IV−ｄ）もしくは（IV−ｅ）で表わされるもの
である。
式中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R
19、R20、R21および22はそれぞれ炭素数１ないし20の置
換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６ないし
14の置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z1およ
びZ2は各式中の窒素またはリン原子として結合して５員
または６員環を形成する非金属原子群を表わす。
19、R20、R21および22はそれぞれ炭素数１ないし20の置
換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６ないし
14の置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z1およ
びZ2は各式中の窒素またはリン原子として結合して５員
または６員環を形成する非金属原子群を表わす。
この炭素数１ないし20の置換もしくは無置換のアルキ
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−ブチル
基、iso−アミル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基などをあげることができる。炭素数６ないし14のア
リール基としては、たとえばフエニル基、トリル基、α
−ナフチル基などをあげることができる。
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−ブチル
基、iso−アミル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基などをあげることができる。炭素数６ないし14のア
リール基としては、たとえばフエニル基、トリル基、α
−ナフチル基などをあげることができる。
これらのアルキル基またはアリール基はシアノ基、水
酸基、炭素数１ないし20のアルキル基（たとえばメチル
基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基など）、
炭素数６ないし14のアリール基（たとえば、フエニル
基、トリル基、α−ナフチル基など）、炭素数２ないし
20のアシルオキシ基（たとえばアセトキシ基、ベンゾイ
ルオキシ基またはｐ−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど）、炭素数１ないし６のアルコキシ基（たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基な
ど）、アリーロキシ基（たとえば、フエノキシ基、トリ
ロキシ基など）、アラルキル基（たとえば、ベンジル
基、フエネチル基など）、アルコキシカルボニル基（た
とえば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基など）、アリーロキシカ
ルボニル基（たとえば、フエノキシカルボニル基、トリ
ロキシカルボニル基など）、アシル基（たとえば、アセ
チル基、ベンゾイル基など）、アシルアミノ基（たとえ
ば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など）、カ
ルバモイル基（たとえば、Ｎ−エチルカルバモイル基、
Ｎ−フエニルカルバモイル基など）、アルキルスルホニ
ルアミノ基（たとえば、メチルスルホニルアミノ基、フ
エニルスルホニルアミノ基など）、スルフアモイル基
（たとえば、Ｎ−エチルスルフアモイル基、Ｎ−フエニ
ルスルフアモイル基など）、スルホニル基（たとえば、
メシル基、トシル基など）などで置換されていてもよ
い。
酸基、炭素数１ないし20のアルキル基（たとえばメチル
基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基など）、
炭素数６ないし14のアリール基（たとえば、フエニル
基、トリル基、α−ナフチル基など）、炭素数２ないし
20のアシルオキシ基（たとえばアセトキシ基、ベンゾイ
ルオキシ基またはｐ−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど）、炭素数１ないし６のアルコキシ基（たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基な
ど）、アリーロキシ基（たとえば、フエノキシ基、トリ
ロキシ基など）、アラルキル基（たとえば、ベンジル
基、フエネチル基など）、アルコキシカルボニル基（た
とえば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基など）、アリーロキシカ
ルボニル基（たとえば、フエノキシカルボニル基、トリ
ロキシカルボニル基など）、アシル基（たとえば、アセ
チル基、ベンゾイル基など）、アシルアミノ基（たとえ
ば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など）、カ
ルバモイル基（たとえば、Ｎ−エチルカルバモイル基、
Ｎ−フエニルカルバモイル基など）、アルキルスルホニ
ルアミノ基（たとえば、メチルスルホニルアミノ基、フ
エニルスルホニルアミノ基など）、スルフアモイル基
（たとえば、Ｎ−エチルスルフアモイル基、Ｎ−フエニ
ルスルフアモイル基など）、スルホニル基（たとえば、
メシル基、トシル基など）などで置換されていてもよ
い。
またZ1およびZ2は前記のように５員環または６員環を
形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの５
員環もしくは６員環としては、ピリジン環、イミダゾー
ル環、ピロール環、２−ピロリン環、ピロリジン環、ピ
ペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダゾリ
ン環などをあげることができる。一般式（IV−ｂ）で表
わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリジニ
ウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイミダ
ゾリウム基などをあげることができる。一般式（IV−
ｃ）で表わされるカチオンとしては、たとえば、Ｎ−エ
チル−Ｎ−ヘキサデシルピペリジニウム基、Ｎ−エチル
−Ｎ−ドデシルピラゾリジニウム基などをあげることが
できる。
形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの５
員環もしくは６員環としては、ピリジン環、イミダゾー
ル環、ピロール環、２−ピロリン環、ピロリジン環、ピ
ペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダゾリ
ン環などをあげることができる。一般式（IV−ｂ）で表
わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリジニ
ウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイミダ
ゾリウム基などをあげることができる。一般式（IV−
ｃ）で表わされるカチオンとしては、たとえば、Ｎ−エ
チル−Ｎ−ヘキサデシルピペリジニウム基、Ｎ−エチル
−Ｎ−ドデシルピラゾリジニウム基などをあげることが
できる。
上記の一般式（IV−ａ）、（IV−ｂ）、（IV−ｃ）、
（IV−ｄ）および（IV−ｅ）で表わされる陽イオンの中
で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造原料
の入手し易さ、製造コストの点で、（IV−ａ）、（IV−
ｂ）、（IV−ｄ）および（IV−ｅ）である。
（IV−ｄ）および（IV−ｅ）で表わされる陽イオンの中
で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造原料
の入手し易さ、製造コストの点で、（IV−ａ）、（IV−
ｂ）、（IV−ｄ）および（IV−ｅ）である。
この陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の種類は、前記
一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物の有機
溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物の有機
溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
一般に、第四級ヘテロ原子に結合する置換基がアルキ
ル基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くな
り、特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホス
ホニウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオ
ンの場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホ
スホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が４以上のカ
チオンが高い溶解性を与える。
ル基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くな
り、特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホス
ホニウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオ
ンの場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホ
スホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が４以上のカ
チオンが高い溶解性を与える。
前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物
においてM1またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル、
コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
においてM1またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル、
コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式〔II〕または〔III〕の金属錯体は平面四配位
の立体構造を有する。なお一般式〔III〕の化合物では
チオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にある
かは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
〔III〕のように表わす。
の立体構造を有する。なお一般式〔III〕の化合物では
チオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にある
かは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
〔III〕のように表わす。
前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物
は次のようにして合成することができる。
は次のようにして合成することができる。
一般式〔II〕（ｎ＝２）の化合物は二硫化炭素とナト
リウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3−ジチ
オール−２−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜鉛
錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベン
ゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、金
属塩を反応させて得られる。
リウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3−ジチ
オール−２−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜鉛
錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベン
ゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、金
属塩を反応させて得られる。
又、一般式〔II〕（ｎ＝１）の化合物は、上で得られ
た錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
た錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔III〕（ｎ＝２）の化合物は、先ず、二硫化
炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−
1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオレートを、
約130℃に加熱してジソデイウム−1,2−ジチオール−３
−チオン−4,5−ジチオレートに異性化させる。これを
亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビス
ベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した
後、金属塩を反応させて得られる。
炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−
1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオレートを、
約130℃に加熱してジソデイウム−1,2−ジチオール−３
−チオン−4,5−ジチオレートに異性化させる。これを
亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビス
ベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した
後、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式〔III〕（ｎ＝１）は上で得られた錯体
（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔II〕または〔III〕の化合物を得るための中
間体である1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオ
レートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の他に電
気化学的な還元によっても得られる。
間体である1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオ
レートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の他に電
気化学的な還元によっても得られる。
前記一般式〔II〕で表わされる化合物のうち好ましい
ものを例示すれば次の通りである。
ものを例示すれば次の通りである。
一般式（II）で表わされる化合物の合成例を以下に示
す。
す。
合成例３＜例示化合物（II−４）の合成＞ （１−１）ビス（テトラエチルアンモニウム）−ビス
（1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオラト）亜
鉛錯体の合成。
（1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオラト）亜
鉛錯体の合成。
反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行った。ナトリ
ウム23gを小片に切り、二硫化炭素180ml中に分散した
後、これに撹拌しつつジメチルホルムアミド200mlをゆ
っくり滴下した。この時激しく発熱しないように注意す
る。ジメチルホルムアミド滴下終了後、注意しながら、
おだやかに加熱して24時間還流した。反応終了後未反応
のナトリウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50ml
を加え、室温で２時間撹拌した。この溶液から二硫化炭
素を室温で減圧留去する。次いで水300mlをゆっくり滴
下して加えた後得られた溶液をろ過した。
ウム23gを小片に切り、二硫化炭素180ml中に分散した
後、これに撹拌しつつジメチルホルムアミド200mlをゆ
っくり滴下した。この時激しく発熱しないように注意す
る。ジメチルホルムアミド滴下終了後、注意しながら、
おだやかに加熱して24時間還流した。反応終了後未反応
のナトリウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50ml
を加え、室温で２時間撹拌した。この溶液から二硫化炭
素を室温で減圧留去する。次いで水300mlをゆっくり滴
下して加えた後得られた溶液をろ過した。
次いで、あらかじめ塩化亜鉛20gをメタノール500mlに
溶かし、これに濃アンモニウム水500mlを加えた溶液を
調製しておき、これを上記の反応溶液に加え（室温）５
分間撹拌した後、テトラエチルアンモニウムブロミド53
gを水250mlに溶かした水溶液を加えると、直ちに赤色の
沈殿が析出してくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体
を得た。
溶かし、これに濃アンモニウム水500mlを加えた溶液を
調製しておき、これを上記の反応溶液に加え（室温）５
分間撹拌した後、テトラエチルアンモニウムブロミド53
gを水250mlに溶かした水溶液を加えると、直ちに赤色の
沈殿が析出してくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体
を得た。
（１−２）4,5−ビス（ベンゾイルチオ）−1,3−ジチオ
ール−２−チオンの合成。
ール−２−チオンの合成。
（１−１）で得た亜鉛錯体22gをアセトン500mlに溶か
しろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベンゾイル
150mlを加える。直ちに黄色の沈殿が析出する。ろ過、
水洗後風乾して標記化合物16gを得た。
しろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベンゾイル
150mlを加える。直ちに黄色の沈殿が析出する。ろ過、
水洗後風乾して標記化合物16gを得た。
（１−３）例示化合物（II−４）の合成 （１−２）で得たビス（ベンゾイルチオ）体9.2gをメ
タノール50mlに溶かす。これにナトリウムメトキサイド
の28％メタノール溶液6.3gを加えて、10分間撹拌する。
この溶液に塩化ニッケル（六水和物）2.4gをメタノール
50mlに溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌する。こ
の溶液にテトラブチルホスホニウムブロミド8.5gをメタ
ノール100mlに溶かした溶液を加えると、直ちに黒色の
沈殿が析出する。さらに20分間撹拌してろ過し、アセト
ンで洗って風乾し、アセトン−イソプロピルアルコール
から再結晶させて標記化合物を得た。収量3.8g 合成例４＜例示化合物（II−２）の合成＞ （１−３）で得られたニッケル錯体1gをアセトン60ml
に溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時間撹拌し溶媒を
留去したところ黒色の結晶が析出した。これをアセトン
−メタノールから再結晶させて、目的の例示化合物（II
−２）を得た。収量0.4g、m.p.185℃ λmax:1125nm、
εmax:2.51×104（CH2Cl2中） また既知のクエンチャーとしては、特開昭59−178295
号に記載されている。次の化合物が挙げられる。
タノール50mlに溶かす。これにナトリウムメトキサイド
の28％メタノール溶液6.3gを加えて、10分間撹拌する。
この溶液に塩化ニッケル（六水和物）2.4gをメタノール
50mlに溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌する。こ
の溶液にテトラブチルホスホニウムブロミド8.5gをメタ
ノール100mlに溶かした溶液を加えると、直ちに黒色の
沈殿が析出する。さらに20分間撹拌してろ過し、アセト
ンで洗って風乾し、アセトン−イソプロピルアルコール
から再結晶させて標記化合物を得た。収量3.8g 合成例４＜例示化合物（II−２）の合成＞ （１−３）で得られたニッケル錯体1gをアセトン60ml
に溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時間撹拌し溶媒を
留去したところ黒色の結晶が析出した。これをアセトン
−メタノールから再結晶させて、目的の例示化合物（II
−２）を得た。収量0.4g、m.p.185℃ λmax:1125nm、
εmax:2.51×104（CH2Cl2中） また既知のクエンチャーとしては、特開昭59−178295
号に記載されている。次の化合物が挙げられる。
（ｉ）ビスジチオ−α−ジケトン系 R1〜R4はアルキル基またはアリール基を表わし、Ｍは
２価の遷移金属原子を表わす。
２価の遷移金属原子を表わす。
（ii）ビスフェニルジチオール系 R5、R6はアルキル基またはハロゲン原子を表わし、Ｍ
は２価の遷移金属子を表わす。
は２価の遷移金属子を表わす。
（iii）アセチルアセトナートキレート系 （iv）ジチオカルバミン酸キレート系 （ｖ）ビスフェニルチオール系 （vi）チオカテコールキレート系 （vii）サリチルアルデヒドオキシム系 （viii）チオビスフェノレートキレート系 （ix）亜スルホン酸キレート系 （ｘ）ベンゾエート系 （xi）ヒンダードアミン系 （xii）遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモ
ニウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株
式会社製IRG−002、IRG−003、IRG−022、IRG−033が挙
げられる。
ニウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株
式会社製IRG−002、IRG−003、IRG−022、IRG−033が挙
げられる。
（式中Ｒはアルキル基又はアリール基を表わす。） 本発明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ
ーのアニオンとの結合体を使用することもできる。
ーのアニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャーは前記色素１モルあたり、一般に0.05〜
12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。
12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。
クエンチャーは色素薄膜記録層に含有させることが好
ましいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発
明の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引
き層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは
記録層上に反射層を設けることができる。
ましいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発
明の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引
き層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは
記録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意を使用することができ
る。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあ
り、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィ
ン、エポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。そ
の形状はディスク状、カード状、シート状、ロールフィ
ルム状など種々のものが可能である。
る。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあ
り、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィ
ン、エポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。そ
の形状はディスク状、カード状、シート状、ロールフィ
ルム状など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキ
ングを容易にするために案内溝を形成させてもよい。ま
たガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイ
ンダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を
設けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好
ましい。また記録層同士を内側にして２枚の記録媒体を
対向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすること
も可能である。
ングを容易にするために案内溝を形成させてもよい。ま
たガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイ
ンダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を
設けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好
ましい。また記録層同士を内側にして２枚の記録媒体を
対向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすること
も可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、一般式
（Ｉ）で表わされる色素およびクエンチャーを有機溶剤
（例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタ
ン、アセトンなど）に溶解し、必要に応じて適当なバイ
ンダー（例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール、ポリ
カーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホルマー
ル、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無水マ
レイン酸共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、キ
シレン系樹脂）を加え、この溶液を塗布（例えばスピン
コート）することによって行なえるし、又は色素とクエ
ンチャーを共蒸着するかあるいは一般式（Ｉ）で表わさ
れる色素を真空蒸着したのち、クエンチャーを塗布する
ことによって行なえる。バインダーを使用する場合に
は、バインダーの重量は色素重量の0.01〜２倍が好まし
い。また一般式（Ｉ）の色素をいわゆるラングミュアー
ブロジェット法により薄膜として用いることもできる。
（Ｉ）で表わされる色素およびクエンチャーを有機溶剤
（例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールなどのフ
ッ素化アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタ
ン、アセトンなど）に溶解し、必要に応じて適当なバイ
ンダー（例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール、ポリ
カーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホルマー
ル、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無水マ
レイン酸共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、キ
シレン系樹脂）を加え、この溶液を塗布（例えばスピン
コート）することによって行なえるし、又は色素とクエ
ンチャーを共蒸着するかあるいは一般式（Ｉ）で表わさ
れる色素を真空蒸着したのち、クエンチャーを塗布する
ことによって行なえる。バインダーを使用する場合に
は、バインダーの重量は色素重量の0.01〜２倍が好まし
い。また一般式（Ｉ）の色素をいわゆるラングミュアー
ブロジェット法により薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層は１層又は２層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を
防ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させて
もよい。
防ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させて
もよい。
記録層の膜厚は、通常0.01μｍ〜２μｍ、好ましくは
0.02〜0.8μｍの範囲である。反射読出しの場合は特に
好ましくは読出しに使用するレーザ波長の1/4の奇数倍
である。
0.02〜0.8μｍの範囲である。反射読出しの場合は特に
好ましくは読出しに使用するレーザ波長の1/4の奇数倍
である。
半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射層を設け
る場合は、基板に反射層を設け次にこの反射層の上に前
述したような方式によって記録層を設けることによる
か、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反射
層を設けるかのいずれかの方法がある。
る場合は、基板に反射層を設け次にこの反射層の上に前
述したような方式によって記録層を設けることによる
か、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反射
層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法などの他、次のような方法によって作ることが
できる。
ィング法などの他、次のような方法によって作ることが
できる。
例えば水溶性樹脂（PVP、PVAなど）に金属塩または、
金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液を基
板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜100℃で加熱
乾燥させることによって形成される。
金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液を基
板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜100℃で加熱
乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記録層の膜
厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μｍでありそして光吸
収層が0.01〜１μｍの範囲が適当である。
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記録層の膜
厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μｍでありそして光吸
収層が0.01〜１μｍの範囲が適当である。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀
カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シ
アン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。
還元剤としてはホルマリン、洒石酸、洒石酸塩、還元
剤、次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミ
ンボランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属
錯塩１モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜４モルの
範囲で使用できる。
カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シ
アン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。
還元剤としてはホルマリン、洒石酸、洒石酸塩、還元
剤、次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミ
ンボランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属
錯塩１モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜４モルの
範囲で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ
（例えば半導体レーザ、He−Neレーザなど）などのスポ
ット状の高エネルギービームを基板を通してあるいは基
板と反対側より記録層に照射することにより行われ、記
録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット
（穴）が形成される。
（例えば半導体レーザ、He−Neレーザなど）などのスポ
ット状の高エネルギービームを基板を通してあるいは基
板と反対側より記録層に照射することにより行われ、記
録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット
（穴）が形成される。
また情報の読み出しはレーザビーム記録の閾値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
以下、実施例を挙げて本発明の効果を説明するが、本
発明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
発明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
実施例１ 表１に示す色素、クエンチャー、及び或る場合にはバ
インダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロ
エタン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールからな
る適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化した溝付
（1.6μピッチ、深さ750Å）ポリカーボネート基板に厚
さ0.1μｍとなるようにスピンナーで塗布し、乾燥し
た。なお、色素とクエンチャーとの重量比は3:1、バイ
ンダを用いる場合には、バインダの重量は色素の1/5と
した。
インダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロ
エタン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールからな
る適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化した溝付
（1.6μピッチ、深さ750Å）ポリカーボネート基板に厚
さ0.1μｍとなるようにスピンナーで塗布し、乾燥し
た。なお、色素とクエンチャーとの重量比は3:1、バイ
ンダを用いる場合には、バインダの重量は色素の1/5と
した。
こうして得られた記録媒体に半導体レーザを用い、照
射面で6mW、ビーム径1.6μｍ、の条件で、0.4MHzの信号
を記録したところ、0.3μ秒の照射（1.8nJ/pit）で直径
1.0μｍのピットが形成された。この記録部に微弱なレ
ーザ光をあて、信号を再生したところ表１に示すC/N比
が得られた。
射面で6mW、ビーム径1.6μｍ、の条件で、0.4MHzの信号
を記録したところ、0.3μ秒の照射（1.8nJ/pit）で直径
1.0μｍのピットが形成された。この記録部に微弱なレ
ーザ光をあて、信号を再生したところ表１に示すC/N比
が得られた。
評価条件は下記のとおりであった。
（記録及び再生） レーザ：半導体レーザ（GaAlAs） レーザの波長:780nm レーザのビーム径:1.6μｍ 線速:5m/s 記録パワー:8mW 記録周波数:2.5MHz 記録デューティー:50％ 再生パワー:0.4mW （再生劣化の評価） 再生パワー:1.0mW 再生回数:105回 （保存時劣化の評価） 保存温湿度:60℃ 90％RH 保存時間:30日間 比較化合物Ａ 比較化合物Ｂ 表１の結果から本発明の情報記録媒体は比較例と同等
以上の記録性能及び安定性を有することがわかる。
以上の記録性能及び安定性を有することがわかる。
参考例 表２に示す色素につきDSC（differencial scanning c
alorimetry）により融点付近における発熱量を測定し
た。過塩素酸塩は非常に大きな発熱量を示し爆発性が懸
念されたが、本発明の化合物であるPF6 塩はわずかな
発熱しか示さず爆発の心配はないことが明らかである。
alorimetry）により融点付近における発熱量を測定し
た。過塩素酸塩は非常に大きな発熱量を示し爆発性が懸
念されたが、本発明の化合物であるPF6 塩はわずかな
発熱しか示さず爆発の心配はないことが明らかである。
（発明の効果） 本発明の光学的情報記録媒体は、すぐれた記録性能と
安定性を有し、また使用する色素は爆発性がないので安
全・容易に製造することができる。
安定性を有し、また使用する色素は爆発性がないので安
全・容易に製造することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザービームによって記録、再生、また
は消去を行なうための光学的情報記録媒体であって、下
記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を基板上に担持せし
めたことを特徴とする光学的情報記録媒体。 一般式（Ｉ）： 〔式中R1、R2は独立にアルキル基もしくはアリール基を
表わし、Ｚは芳香環を形成するための原子群を表わし、
Ｌはカルボシアニンを形成するための連結基を表わ
す。〕
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62207175A JP2594443B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 光学的情報記録媒体 |
| US07/233,132 US4999281A (en) | 1987-08-20 | 1988-08-17 | Optical information recording medium |
| DE8888113420T DE3876717T2 (de) | 1987-08-20 | 1988-08-18 | Optischer informationsaufzeichnungstraeger. |
| EP88113420A EP0304050B1 (en) | 1987-08-20 | 1988-08-18 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62207175A JP2594443B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 光学的情報記録媒体 |
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|---|---|---|---|
| JP7142984A Division JP2655397B2 (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | シアニン化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6449682A JPS6449682A (en) | 1989-02-27 |
| JP2594443B2 true JP2594443B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=16535477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62207175A Expired - Fee Related JP2594443B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4999281A (ja) |
| EP (1) | EP0304050B1 (ja) |
| JP (1) | JP2594443B2 (ja) |
| DE (1) | DE3876717T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5182186A (en) * | 1987-09-29 | 1993-01-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| KR0171182B1 (ko) * | 1988-07-18 | 1999-04-15 | 와따나베 히로시 | 정보기록메체 및 그 제조방법 |
| JP2893184B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1999-05-17 | 旭電化工業株式会社 | 光学記録材料 |
| JPH0827983B2 (ja) * | 1989-05-02 | 1996-03-21 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
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| JPH04259593A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-16 | Pioneer Electron Corp | 光記録媒体 |
| JPH052771A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Pioneer Electron Corp | 光記録媒体 |
| JPH05579A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Pioneer Electron Corp | 光記録媒体 |
| EP0528512A1 (en) * | 1991-08-20 | 1993-02-24 | Pioneer Electronic Corporation | Recording medium |
| JP3315157B2 (ja) * | 1992-08-27 | 2002-08-19 | パイオニア株式会社 | 情報記録媒体 |
| US5817388A (en) * | 1996-11-08 | 1998-10-06 | Carl M. Rodia & Associates | Multi-component dye compositions for optical recording media |
| US5952073A (en) * | 1996-11-08 | 1999-09-14 | Media Chemical Corp. | Dye composition for optical recording media having selected anions |
| TW354785B (en) * | 1996-12-12 | 1999-03-21 | Ind Tech Res Inst | Preparation of novel cyanine dyes for optical disk |
| EP0860821B1 (en) * | 1997-02-24 | 2002-11-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US6077584A (en) * | 1998-07-24 | 2000-06-20 | Media Chemical Corp. | Stabilized dye compositions for optical recording media |
| KR20010026838A (ko) * | 1999-09-09 | 2001-04-06 | 장용균 | 카보시아닌계 색소를 포함하는 칼라 표시장치용 광선택 흡수성 코팅 조성물 및 동 조성물이 적용된 필터 |
| TW572969B (en) * | 2000-02-10 | 2004-01-21 | Hayashibara Biochem Lab | Trimethine cyanine dye, light absorbent, light-resistant improver and optical recording medium containing same, and process for producing same |
| JP4265721B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2009-05-20 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 光学記録材料 |
| WO2007135924A1 (ja) * | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Adeka Corporation | 光学記録材料及びシアニン化合物 |
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| US4547444A (en) * | 1983-12-23 | 1985-10-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Recording element for optical data storage |
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| JPS60230891A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| US4767571A (en) * | 1984-06-27 | 1988-08-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Infrared absorbent |
| US4791023A (en) * | 1984-07-07 | 1988-12-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Infrared absorbent and optical material using the same |
| US4763966A (en) * | 1984-07-16 | 1988-08-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Infrared absorbent |
| JPH07121613B2 (ja) * | 1984-11-02 | 1995-12-25 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
| JPS61170737A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Sony Corp | 光記録媒体 |
| US4735839A (en) * | 1985-07-10 | 1988-04-05 | Ricoh Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JPS6239682A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 赤外線吸収性組成物 |
| EP0218263B1 (en) * | 1985-10-11 | 1992-05-27 | Sony Corporation | Laser information recording medium having an improved recording layer |
| US4732783A (en) * | 1985-11-13 | 1988-03-22 | Hoechst Celanese Corporation | Organic nonlinear optical media |
| US4659177A (en) * | 1985-11-13 | 1987-04-21 | Celanese Corporation | Organic nonlinear optical media |
| EP0230024B1 (en) * | 1985-12-20 | 1991-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium having a stabilized recording layer |
| JPS62174741A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機基体物質を光に対して安定化する方法 |
| US4851322A (en) * | 1986-08-06 | 1989-07-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical recording medium |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP62207175A patent/JP2594443B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-08-17 US US07/233,132 patent/US4999281A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-18 DE DE8888113420T patent/DE3876717T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-18 EP EP88113420A patent/EP0304050B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3876717T2 (de) | 1993-04-22 |
| EP0304050B1 (en) | 1992-12-16 |
| JPS6449682A (en) | 1989-02-27 |
| US4999281A (en) | 1991-03-12 |
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| DE3876717D1 (de) | 1993-01-28 |
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