KR20030087659A - 광학 기록 매질 및 그 제조 방법 - Google Patents

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슬라프초 라코프스키
야나 바카르트이에바-에네바
라체짜르 프라호프
리리야나 아쎄노바
프랑코 마란디노
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Abstract

630 내지 680nm 의 파장을 갖는 레이저 빔을 가지고 기록 및 판독가능한 DVD-R 타입의 광학 데이타 저장 수단용 기록 매질은 상기 레이저 에너지의 흡수를 위해 서브프탈로시아닌(sPcY)를 포함한다. 상기 sPcY 는 상기 기록 매질 내에서 부분적으로 비스- 또는 트리스페놀레이트 또는 비스- 또는 트리스티오페놀레이트(bPh 또는 tPh)를 갖는 이온 컴플렉스로서 존재하고 그리고 부분적으로 음이온성 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스(MC)를 갖는 이온 컴플렉스로서 존재한다. 상기 이온 컴플렉스는 다음 구조를 갖는다:
여기서, sPcY-, sPcY'-, sPcY''- 그리고 sPcY'''- 는 균등하거나 또는 상이하다. 상기 기록 매질은 매우 높은 안정성을 나타내며 매우 높은 기록 스피드로 기록가능하다.

Description

광학 기록 매질 및 그 제조 방법{OPTICAL RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF}
공지된 광학 데이타 저장 수단은 투과성 플라스틱으로된 디스크형 기판과, 상기 기판상에 침착된 기록층과 상기 기록층 상에 침착된 반사층을 포함한다. 상기 기판은 상기 기록층이 침착되는 일측면에 나선형 기록 그루브를 포함한다. 데이타는 기록빔으로 작용하는 레이저빔으로 상기 그루브를 따라 기록함에 의해 저장되고, 여기서 상기 기록층은 국부적으로 변화하며 구멍과 같은 버블이 상기 기록층과 기판 사이에 형성된다. 판독빔으로 작용하는 추가적인 레이저빔은 상기 기록된 트랙을 스캔하고, 여기서 상기 반사층상의 판독빔의 반사가 판독신호로서 기록된다.
DVD-R(digital versatile disc recordable) 유형의 광학 데이타 저장 수단은, 상기 기록 그루브가 서로 근접하게 놓여있으며, 상기 디스크들은 보통 2개의 기판 반부들을 포함하고, 그 사이에 상기 기록층 및 반사층이 배열된다는 점에서 CD-R(compact disc recordable) 유형의 광학 데이타 저장 수단과 구별된다. DVD-R들의 기록 및 판독을 위해, 630 내지 680 nm 의 파장을 갖는 레이저빔이 사용된다(CD-R: 780nm). 적합한 기록층은 상기 레이저 에너지를 흡수하기 위해 예를 들면 다음과 같은 일반식을 갖는 서브프탈로시아닌-보론 화합물을 포함하는 기록 매질로 구성된다:
여기서 A1 내지 A12는 서로 독립적으로 -H, -할로겐, -알킬, -아릴, -알킬-아릴, -옥시-알킬, -옥시-아릴, -옥시-알킬-아릴, -티오-알킬, -티오-아릴 또는 -티오-알킬-아릴 이고, 여기서 상기 알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 가지며 상기 아릴기는 페닐 또는 나프틸기 또는 그것들의 할로겐 유도체이며, Y 는 보론이다.
X 는, 미국 특허공보 US-5776656 호에 기술된 실시예로서, 할로겐, -OH, -OC2H5또는 -O-tert.-부틸 이다. 동일한 공보에서 X 는 바람직하게는 치환되지 않은페닐 또는 페녹시기인 것으로 제안된다.
상기 기록층은, 예를 들면, 금속 컴플렉스의 형태(예를 들면 금속-티올렌 컴플렉스)인 공지된 방식의 퀀처(quencher)와, 예를 들면 아민과 같은 적절한 안정제를 추가적으로 포함한다.
본 발명은 광학 데이타 저장 수단 분야에 관한 것으로 제 1 독립청구항의 전제부에 따른 광학 기록 매질 및 상응하는 독립청구항의 전제부에 따른 상기 광학 기록 매질을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 630 내지 680 nm 사이의 파장을 갖는 레이저로 판독 및 기록가능한 광학 데이타 저장 수단(예를 들면, DVD-R)을 위한 기록 매질을 제공하는 것으로, 상기 기록 매질은 서브프탈로시아닌을 기초로하고 광선 및 기후적인 영향에 대한 특히 높은 안정성 그리고 본 발명에 따른 기록 매질의 기록층은 매우 높은 속도로 기록될 수 있다는 점(특히 낮은 최적 기록 에너지)에 의해 공지된 이러한 기록 매질과 구별된다. 또한, 본 발명의 목적은 상기 기록 매질의 제조 방법을 창안하는데 있다.
이러한 목적들은 청구항에 한정된 기록 매질 및 그것의 제조 방법에 의해 달성될 수 있다.
본 발명에 따른 상기 기록 매질은 레이저 에너지 흡수 화합물로서, 보론 또는 알루미늄을 중심원자로 갖는 서브프탈로시아닌을 포함한다. 본 발명에 따른 상기 기록 매질내 이러한 서브프탈로시아닌은 이온 컴플렉스 형태로 존재하고 특히 부분적으로 2 또는 3개의 서브프탈로시아닌 유닛(sPcY-) 및 비스- 또는 트리페놀레이트 또는 비스- 또는 트리스티오페놀레이트(-bPh- 또는 >tPh-)이온으로 구성되는 이온컴플렉스로서 존재하고, 그리고 부분적으로 서브프탈로시아닌 유닛(sPcY-) 및 음이온성 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스(MC)로 구성되는 이온컴플렉스로서 존재한다. 본 발명에 따른 상기 기록 매질은 따라서 다음 이온 컴플렉스를 포함한다:
여기서, sPcY, sPcY', sPcY'' 그리고 sPcY''' 는 균등하거나 또는 상이한 서브프탈로시아닌이고 다음 일반구조를 갖는다:
여기서 A1 내지 A12 는 서로 독립적으로 -H, -할로겐, -알킬, -아릴, -알킬-아릴, -옥시-알킬, -옥시-아릴, -옥시-알킬-아릴, -티오-알킬, -티오-아릴 또는 -티오-알킬-아릴 이고, 여기서 상기 알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 가지며 상기 아릴기는 페닐 또는 나프틸기 또는 그것들의 할로겐 유도체이며, Y 는 보론 또는 알루미늄이다;
여기서 bPh 및 tPh 는 다음 일반구조를 갖는다:
여기서 Z 위치에는 아무것도 없거나, -CH2-, -C2H4-, -S-, -O- 또는 -NH- 가 존재하고, 그리고 Z' 위치에는 n=1, 2 또는 3 인 -(CnH(2n-1))< 또는 -N< 이 존재하고, 여기서 각각의 벤젠 고리는 -O-또는 -S-기 외에 2개까지의 추가적인 치환체 R1 내지 R6를 가지며, 여기서 R1 내지 R6 는 서로 독립적으로 -할로겐, -CN, -NO, -알킬, -아릴, -알킬-아릴, -옥시-알킬, -옥시-아릴, -옥시-알킬-아릴, -티오-알킬, -티오-아릴, -티오-알킬-아릴, -SO3H, -SO2H, -SO3N(알킬)2, -NH2, -NH(알킬),-NH(아릴), -N(알킬)2, -N(아릴)2이고, 여기서 상기 알킬기는 1 내지 8 개의 탄소원자를 포함하고 상기 아릴기는 -페닐 또는 -나프틸 또는 그것들의 치환유도체를 포함한다;
여기서 MC 는 다음 일반구조를 갖는 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조컴플렉스이다:
여기서 M = Ni,Co, Fe, Cu, Sn, Zn, Al, Ti, TiO, Cr, V, VO, Pt, Pd, Ge 또는 Si 이고 각각의 벤젠 고리는 2개까지의 치환체 R'1 내지 R'8 을 가지며, 여기서 R'1 내지 R'8 은 서로 독립적으로 -할로겐, -NO2, -NH2,-NH(알킬), -NH(아릴), -N(알킬)2, -N(아릴)2,-CN, -옥시-알킬, -옥시-아릴, -티오-알킬, -티오-아릴이고, 여기서 상기 알킬기는 1 내지 8 개의 탄소원자를 포함하고 상기 아릴기는 -페닐 또는 -나프틸 또는 그것들의 치환유도체를 포함한다.
본 발명에 따른 상기 기록 매질내에 존재하는 상기 서브프탈로시아닌 유닛들은 모두 균등하게 치환되고 동일한 중심원자 Y(보론 또는 알루미늄)를 갖거나 또는 이것들은 상이하게 치환될 수도 있고 상이한 중심원자 Y 를 갖을 수도 있다. 바람직하게는 모든 서브프탈로시아닌 유닛에서 상기 치환체 A1 내지 A4 는 상기 치환체 A5 내지 A8 그리고 치환체 A9 내지 A12 와 균등이다.
서브프탈로시아닌의 바람직한 실시예는 다음 치환체들을 갖는다:
A1 내지 A12 = -H(치환되지 않은 sPcY);
A1,A4,A5,A8,A9,A12 = -옥틸 그리고 A2,A3,A6,A7,A10,A11 = -H;
A2,A3,A6,A7,A10,A11 = -옥틸 그리고 A1,A4,A5,A8,A9,A12 = -H;
A2 또는 A3,A6 또는 A7,A10 또는 A11 = -S-옥틸 그리고 다른 모든것 = -H
A2,A6,A10 = -페녹시 그리고 다른 모든것 = -H;
A1,A5,A9 = -티오페녹시 그리고 다른 모든것 = -H
A1,A5,A9 = -옥시-헥실, A3,A7,A11 = -Cl
본 발명에 따른 상기 기록 매질내에는 비스- 또는 트리스페놀레이트 또는 비스- 또는 트리스티오페놀레이트들 중 1개가 제공될 수 있고 또는 다양한 이러한 페놀레이트들 혼합물이 제공될 수 있다. 동시에 각각의 상기 페놀레이트에서 상기 치환체 R1/R2 는 치환체 R3/R4 그리고 R5/R6 와 동일하다.
비스- 및 트리스페놀레이트 또는 -티오페놀레이드들의 바람직한 실시예는 다음 페놀들의 음이온들이다:
2,2'-메틸렌-비스(6-tert.-부틸-4-메틸페놀),
2,2'-메틸렌-비스(6-tert.-부틸-4-에틸페놀),
2,2'-메틸렌-비스(4,6-디메틸페놀),
2,2'-이소부틸리덴-비스(4,6-디메틸페놀),
2,2'-메틸렌-비스(4-메틸-6-α-시클로헥실페놀),
4,4-메틸렌-비스(2,6-디-tert.-부틸페놀),
4,4-부틸리덴-비스(6-tert.-부틸-3-메틸페놀),
2,2'-티오-비스(6-ter.-부틸-4-메틸페놀),
2,2'-티오-비스(4-메틸-6-α-메틸벤질페놀),
2,2'-티오-비스(4,6-디-sek.-아밀페놀),
4,4'-티오-비스(6-tert.-부틸-2-메틸페놀),
비스-(4-하이드록시-3,5-디-tert.-부틸벤질)-설파이드,
2,2'-비스(5-디에틸아미노-페놀),
4,4'-디에틸-6,6'-ditert.-부틸-2,2'-비스페놀,
4,4'-디에틸-6,6'-디-tert-부틸-2,2-비스-티오페놀,
1,1,3-트리스(5'-tert.-부틸-4'-하이드록시-2'-메틸페닐)-부탄.
바람직한 음이온성 금속 티올렌 컴플렉스 및 금속 디아조 컴플렉스는 다음과같다:
상기 이온 컴플렉스 (sPcY)2-bPh 또는 (sPcY)3-tPh(서브프탈로시아닌과 비스- 또는 트리스-페놀레이트 또는 -티오페놀레이트의 이온 컴플렉스)와, 이온 컴플렉스 sPcY-MC(서브프탈로시아닌과 음이온성 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스의 이온 컴플렉스) 사이의 몰비는 1:99 내지 99:1 사이이다.
상기 기록 매질은, 상기 프탈로시아닌 이온 컴플렉스 이외에 추가적인 레이저 에너지 흡수 화합물로서 시아닌, 스티릴, 포르마잔, 디아조 및/또는 금속화(metalised) 디아조 염료를 포함할 수 있다. 또한, 메탈로신(예. 페로신), 아세틸 아세토네이트 금속 컴플렉스, N,N'-테트라-알킬-(또는 -아릴)-치환된 파라디아미노 벤젠 및/또는 에너지 흡수 화합물 또는 화합물들의 100 부분에 대해 10 부분까지의 중량분율을 갖는 퀴놀린을 포함할 수 있다.
중심원자로서 보론 또는 알루미늄을 갖는 서브프탈로시아닌은 적합하게 치환된 1,2-디시아노-벤젠(프탈로니트릴)이 보론 또는 알루미늄 할로겐화물(바람직하게는 보론 또는 알루미늄 클로라이드)와 반응함에 의해 제조된다. 1,8-디아자바이씨클로 [5.4.0]-7-운데센(DBU)가 촉매로서 사용된다(바람직하게는 0.1:2 내지 1:2 의 프탈로니트릴에 대한 몰비로). 이러한 반응은 서브프탈로시아닌 할로겐화물을 형성한다.
상기 서브프탈로시아닌 할로겐화물은, 그 다음, 적합한 유기 용매 또는 용매 혼합물 내에서, 한편으로는 독립적으로 과량의 비스- 또는 트리스페놀레이트와 용해되고, 다른 한편으로는 과량의 음이온성 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스(바람직하게는 대략 5배 정도의 과량)와 용해되며, 증가된 온도에서 더 긴시간 동안(예를 들면, 60 내지 100℃에서 5 내지 50 시간 동안) 교반된다..
그 다음, 상기 수용성 염들은 물로 세척되고 상기 유기 이온 컴플렉스들은 분리되고, 세척되고, 재결정 또는 다른 적합한 방법으로 정제되며, 그리고 건조된다.
상기 기록층을 형성하기 위해, 상기 기록 매질의 독립적으로 제조된 서브프탈로시아닌 이온 컴플렉스는 유기 용매내에서 다른 화합물들과 함께 적절한 요구되는 비율로 용해된다. 상기 기록 매질의 용액은 예를 들면 스핀 코팅에 의해 폴리카보네이트 기판상에 침착되고, 그 다음 건조된다. 이러한 방법으로 형성된 상기 기록 매질 상에는, 은, 금 또는 알루미늄 또는 이러한 금속들의 합금으로된 반사층이 예를 들면 스퍼터링에 의해 침착된다. 이것은, 적절하게, 보호 광택층으로 덮여지고 이러한 방식으로 형성된 상기 디스크는 접착층에 의해 또한 보호 광택층을 갖는 제 2 기판에 고정된다.
실시예 1 : 치환되지 않은 서브프탈로시아닌-보론 화합물의 합성
건조된 1,2-디시아노벤젠(0.5g, 0.04mol)이 깨끗하게 증류된 클로로벤젠(12ml) 내에서 DBU(0.02 moles)와 함께 질소하에서 현탁되었다. 상기 현탁액은 -3℃로 냉각되었고 주사기로부터 n-헥산내 보론 클로라이드(BCl3) 1몰 용액 20.5 ml 가 천천히 첨가되었다. 상기 황녹색 고체 몸체는 천천히 그리고 강하게 교반되면서 60℃로 가열되었고, 여기서 상기 용액은 검은색으로 변화되었다. 상기 헥산은 완전히 증류되었다. 그 다음 추가적으로 10분동안 100℃에서 계속 교반되었다. 상기 색깔은 보라색으로 변했다. 상기 액체상은 제거되었고 고체 몸체는 우선 페트롤 에테르로 추출되었고(80°내지 100℃) 그 다음 2시간동안 톨루올로 추출되었다. 남은 갈색 고체 몸체는 에탄올로부터 재결정되었고, 페트롤 에테르로 세척되었고 350℃에서 승화되었다. 결과물은 3.57g(64%)의 갈색, 퍼우더형 산물이었다: UV(DMF) λmax: 562, 302 nm; IR(KBr): 1692, 1611, 1452, 1384, 1280, 1195, 1130, 950, 878, 753, 695, 629 cm-1;1H NMR(360 MHz)(DMSO-d6): δ8.85(6H,dd), 7.90(6H dd); MS(EI 70eV, 260℃): m/z 464(M++ Cl-H, 4), 431(M+, 20), 430, (55), 429(18), 396(70), 267(10), 256(8), 215(5), 197.5(35), 139(15).
실시예 2: 트리티오오시틀 치환된 서브프탈로시아닌 알루미늄 화합물(레지오-이성질체의 혼합물)
건조된 4-티오-프탈로니트릴(460g, 1.79mmol) 및 DBU(1mmol)가 아르곤 하에서 0.5 ml 클로로-벤젠에서 현탁되었다. 카뉼라를 통하여, 0.15 ml(1,79) 몰의 알루미늄 클로라이드(-78°에서 미리 응축된)가 약간의 아르곤 과잉 압력을 이용하여 첨가되었다. 상기 혼합물은 그 다음 실온에서 10분간 교반되었고, 그 다음 15분간 80℃에서 교반되었다. 냉각후, 상기 침전된 검은 고체 몸체는 헥산으로 세척되었고, 여과되고 Al2O3에서 헥산/메틸렌 클로라이드(1:1)로 크로마토그래피되었다. 그 결과 201g(44%)의 점착성 보라색 화합물이 생성되었다.
실시예 3: 서브프탈로시아닌과 바이페놀레이트의 이온 컴플렉스의 제조
n-부탄올내 0.01 몰의 1,4,5,8,9,12-헥사-옥틸-sPc-보론 브로마이드 5% 용액에, 몰질량에 대해 5배 과량의 4,4'-디에틸-6,6'-ditert.-부틸-2,2'-비스페놀의 소듐염이 첨가되었다. 얻어진 용액은 80℃에서 12시간동안 교반되었고, 냉각되었으며 그리고 그 다음 찬물에 주입되었고 여기서 유기 성분들이 침전되고 수용성 무기염들은 용해되었다. 침전된 고체 몸체들은 여과되었고, 물로 세척되고, 에탄올로부터 재결정되어 진공에서 건조되었다.
실시예 4: 서브프탈로시아닌과 비스티오페놀레이트의 이온 컴플렉스의 제조
클로로-벤젠내 0.01몰의 2,6,10-트리페녹시-sPc-보론 브로마이드 5% 용액에, 상기 서브프탈로시아닌에 대해 5배 과량의 4,4'-디에틸-6,6'-디-tert-부틸-2,2'-비스-티오페놀의 소듐염이 첨가되었다. 얻어진 용액은 80℃에서 10시간동안 교반되었다. 그후 상기 용매는 완전히 증류되었고 그 다음 생성물은 에탄올로부터 재결정되고 진공에서 건조되었다.
실시예 5: 서브프탈로시아닌과 금속 디아조 컴플렉스의 이온 컴플렉스의 제조
디메틸포름아미드/H20(95:5)내 0.01몰 1,5,9-트리-티오페녹시-sPc-보론(Ⅲ)-브로마이드 5% 용액에, 비스-(2-하이드록시-5-니트로-4'-디에틸아미노-디아조-페놀)-TiO(Ⅱ)-테트라-부틸 암모늄 브로마이드가 첨가되었다. 얻어진 용액은 70℃에서 12시간동안 교반되었고, 냉각되고 찬물에 주입되었다. 그다음 절차는 실시예 3에 기술된바와 동일하다.
실시예 6: 서브프탈로시아닌과 금속 디티올렌 컴플렉스의 이온 컴플렉스의 제조
디메틸포름아미드/H20(95:5)내 0.01몰 1,5,9-트리헥실-옥시-3,7,11-트리클로로-sPc-보론(Ⅲ)-브로마이드 5% 용액에, 비스-1,2(4-메톡시벤졸-1,2-디티올렌)-Ni(Ⅱ)-테트라-부틸 암모늄 브로마이드가 첨가되었다. 얻어진 용액은 70℃에서 15시간동안 교반되었고, 냉각되고 찬물에 주입되었다. 그다음 절차는 실시예 3에 기술된바와 동일하다.
실시예 7: 광학 데이타 저장 수단의 제조 및 시험
상기 실시예 3 내지 6 에서 얻어진 서브프탈로시아닌을 포함하는 이온 컴플렉스들이 DVD-R 데이타 저장 수단의 제조에 사용되었다.
독립적으로 제조되고, 정제되고 건조된 서브프탈로시아닌을 포함하는 이온 컴플렉스들 그리고, 적합하게는, 추가적인 화합물이 바람직한 양적 비율로서 유기 용매 또는 용매 혼합물(예를 들면, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올, 2-에톡시에탄올, 디아제톤 알콜/부탄올(10:1), 디아제톤 알콜/이소프로판올(10:1) 또는 에틸셀로솔브)에서 교반하에서 용해되었다. 상기 용액의 농도는 0.5 내지 5%(중량)의 범위에서 변화되었다.
필요한 폴리카보네이트 기판 디스크는 사출성형에 의해 제조되었다(직경 120 mm, 두께 0.6 mm). 상기 디스크는 일 표면에 0.74 ㎛ 의 피치를 갖는 나선형 그루브를 포함하였다. 사용된 기록 매질에 따라, 100 내지 200 nm 영역의 상기 그루브의 깊이 및 180 내지 400 nm 영역의 그루브 너비가 선택되었다. 상기 기록층은 스핀 코팅에 의해 침착되었다. 상기 기록 매질내 레이저 에너지 흡수 화합물의 광학 파라미터에 따라, 상기 그루브내 기록층의 두께는 90 내지 140 nm 범위에서 변화되었고 랜드(lands)에서의 두께는 10 내지 30 nm 범위에서 변화되었다.
상기 코팅된 폴리카보네이트 기판은 그 다음 70 내지 80℃ 에서 건조되었다. 스퍼터링에 의해, 70 내지 120 nm 의 층 두께를 갖는 반사 골드층 이 침착되었다. 그 다음 보호 광택층(두께 약 4㎛)이 침착되었고 UV 광선 하에서 경화되었다. 염료 또는 금속층을 갖지 않는 폴리카보네이트 디스크에도 마찬가지로 보로 광택층이 제공되었다. 각각의 경우 기록층, 금속층 및 보호 광택층을 갖는 1개의 디스크와 단지 보호 광택층만을 갖는 1개의 디스크는 적절한 접착제를 이용하여 서로 접착결합되었다.
표준 데이타 저장 수단으로서, Fuji Foto Film Co.Ltd 사의 트림티에시아닌 염료로된 기록층을 갖는 디스크가 동일한 방법으로 제조되었고, 상기 염료는 다음 구조를 갖는다:
상기 표준 디스크의 기록층은, 예를 들면, Nippon Kayako Co. Ltd. 의 IRG 22 와 같은 퀀처(Q)를 추가적으로 포함한다.
상술한 바와 같은 방법으로 제조된 디스크는 기록되고, 레이저 빔(파장 635nm; 선형 기록 속도: 3.49 m/s)을 갖는 e-focus 사의 시험 기구를 이용하여 시험되었다. 그 다음 이것들은 빛과 환경 안정성(공냉 제논 램프를 이용하여 ISO-105-BO2 표준에 따라, 그리고 JEC68-2-2Ba 및 JEC68-2-30Dd에 따라)에 대해 시험되었다.
본 발명에 따른 기록 매질의 기록층을 포함하는 모든 데이타 저장 수단은 상기 빛과 기후에 대한 테스트 후에도 또한 상기 표준들을 충족하였다.
아래 표에는, 상기 종래기술(US-6168843, TDK Corporation 그리고 메틴 염료를 기초로하는 기록 매질을 갖는 표준 디스크에 따른 최적값)과 비교한 평균값으로서 상기 시험 결과과 요약된다.
본 발명에 따른 기록 매질로된 기록층을 포함하는 광학 데이타 저장 수단은 650 nm의 파장을 갖는 레이저 빔을 가지고 성공적으로 기록 및 판독할 수 있으며, 여기서 또한 상기 표준 파라미터들이 달성된다. 컴퓨터 시뮬레이션은, 본 발명에 따른 기록 매질로된 기록층을 갖는 광학 데이타 메모리가 4×보다 더 빠른 기록속도를 가지고 또한 기록될 수 있다는 것을 보여준다.
상술한 바와 같은 본 발명은, 레이저로 판독 및 기록가능한 광학 데이타 저장 수단(예를 들면, DVD-R)을 위한 기록 매질에 이용가능하다.

Claims (19)

  1. 630 내지 680 nm 의 파장을 갖는 레이저 빔을 가지고 기록 및 판독가능한 광학 데이타 저장 수단용 기록매질로서, 상기 레이저 에너지의 흡수를 위한 기록 매질은 부분적으로 비스- 또는 트리스페놀레이트 또는 비스- 또는 트리스티오페놀레이트(bPh 또는 tPh)를 갖는 이온 컴플렉스로서 존재하고 그리고 부분적으로 음이온성 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스(MC)를 갖는 이온 컴플렉스로서 존재하는 서브프탈로시아닌(sPcY)를 포함하며, 상기 이온 컴플렉스는 다음 구조를 갖는 기록 매질:
    여기서, sPcY-, sPcY'-, sPcY''- 그리고 sPcY'''- 는 균등하거나 또는 상이하고, 다음 일반구조를 가지며:
    여기서 A1 내지 A12 는 서로 독립적으로 -H, -할로겐, -알킬, -아릴, -알킬-아릴, -옥시-알킬, -옥시-아릴, -옥시-알킬-아릴, -티오-알킬, -티오-아릴 또는 -티오-알킬-아릴 이고, 여기서 상기 알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 가지며 상기 아릴기는 -페닐 또는 -나프틸기 또는 그것들의 할로겐 유도체이며, Y 는 보론 또는 알루미늄이며;
    여기서 bPh 및 tPh 는 다음 일반구조를 가지며:
    여기서 Z 위치에는 아무것도 없거나, -CH2-, -C2H4-, -S-, -O- 또는 -NH- 가 존재하고, 그리고 Z' 위치에는 n=1, 2 또는 3 인 -(CnH(2n-1))< 또는 -N< 이 존재하고, 여기서 각각의 벤젠 고리는 -O-또는 -S-기 외에 2개까지의 추가적인 치환체 R1 내지 R6를 가지며, 여기서 R1 내지 R6 는 서로 독립적으로 -할로겐, -CN, -NO2, -알킬, -아릴, -알킬-아릴, -옥시-알킬, -옥시-아릴, -옥시-알킬-아릴, -티오-알킬, -티오-아릴, -티오-알킬-아릴, -SO3H, -SO2H, -SO3N(알킬)2, -NH2, -NH(알킬), -NH(아릴), -N(알킬)2, -N(아릴)2이고, 여기서 상기 알킬기는 1 내지 8 개의 탄소원자를 포함하고 상기 아릴기는 -페닐 또는 -나프틸 또는 그것들의 치환유도체를 포함하고;
    여기서 MC 는 다음 일반구조를 갖는 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조컴플렉스이며:
    여기서 M = Ni,Co, Fe, Cu, Sn, Zn, Al, Ti, TiO, Cr, V, VO, Pt, Pd, Ge 또는 Si 이고 각각의 벤젠 고리는 2개까지의 치환체 R'1 내지 R'8 을 가지며, 여기서 R'1 내지 R'8 은 서로 독립적으로 -할로겐, -NO2, -NH2,-NH(알킬), -NH(아릴), -N(알킬)2, -N(아릴)2,-CN, -옥시-알킬, -옥시-아릴, -티오-알킬, -티오-아릴이고, 여기서 상기 알킬기는 1 내지 8 개의 탄소원자를 포함하고 상기 아릴기는 -페닐 또는 -나프틸 또는 그것들의 치환유도체를 포함한다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    비스- 또는 트리스-페놀레이트 또는 -티오페놀레이트를 포함하는 이온 컴플렉스와 음이온성 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스를 포함하는 이온 컴플렉스의 몰비는 1:99 내지 99:1 사이에 있는 것을 특징으로 하는 기록 매질.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 서브프탈로시아닌은 적어도 부분적으로 균등 치환체 A1,A4, A5, A8, A9 및 A12 및 균등한 A2, A3, A6, A7, A10 및 A11 을 갖는 것을 특징으로 하는 기록 매질.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 비스- 또는 트리스-페놀레이트 또는 -티오페놀레이트 내에서 상기 치환체 R1 및 R2 는 상기 치환체 R3 및 R4 와 동일하고 상기 치환체 R5 및 R6 와 동일한 것을 특징으로 하는 기록 매질.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스 내에서 상기 치환체R1, R3, R5 및 R7 은 모두 동일하고 상기 치환체 R2, R4, R6 및 R8 은 모두 동일한 것을 특징으로 하는 기록 매질.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 금속 티올렌 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스 내에서, 상기 치환체들 중에서는 다음과 같은 방식으로 동일한 것을 특징으로 하는 기록 매질: R1/R2 = R7/R8 및 R3/R4 = R5/R6.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기록 매질은 상기 서브프탈로시아닌 이외에 적어도 하나의 추가적인 레이저 에너지 흡수 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기록 매질.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 추가적인 레이저 에너지 흡수 화합물은 시아닌 염료, 스티릴 염료, 포름아잔 염료, 디아조 염료 또는 금속화 디아조 염료인 것을 특징으로 하는 기록 매질.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기록 매질은 메탈로신, 아세틸 아세토네이트 금속 컴플렉스, N,N'-테트라-치환된 파라디아미노페놀 및/또는 퀴놀린을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기록 매질.
  10. 투과성 플라스틱 기판과, 반사층과 상기 기판 및 반사층 사이에 배열되는 기록층을 구비하는 DVD-R 타입 데이타 저장 수단에 있어서,
    상기 기록층은 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 항에 따른 기록 매질로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이타 저장 수단.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기록층으로부터 먼쪽을 향하는 상기 반사층의 일측면에는, 투과성 플라스틱의 제 2 층이 제공되는 것을 특징으로 하는 데이타 저장 수단.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 반사층 및 제 2 플라스틱층은 각각 보호 광택층을 구비하며, 상기 보호 광택층은 접착제로 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 데이타 저장 수단.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 반사층은 금, 은, 알루미늄, 또느 금, 은 또는 알루미늄 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이타 저장 수단.
  14. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 따른 기록 매질을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 기록 매질의 이온 컴플렉스는 개별적으로 합성, 정제 및 건조되고 이것들은 그 다음 유기용매내에서 바람직한 양적 비율로 용해되는 것을 특징으로 하는 기록 매질의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 이온 컴플렉스는 상기 서브프탈로시아닌 할로겐화물을 과량의 상기 비스- 또는 트리스-페놀레이트 또는 -티오페놀레이트, 또는 상기 금속 티올린 컴플렉스 또는 금속 디아조 컴플렉스와 반응시킴에 의해 합성되는 것을 특징으로 하는 기록 매질의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 과량은 5배의 몰 초과량인 것을 특징으로 하는 기록 매질의 제조방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 이온 컴플렉스는 반응 혼합물을 60 내지 100℃ 온도에서 5 내지 50 시간동안 교반함에 의해 합성되는 것을 특징으로 하는 기록 매질의 제조방법.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 서브프탈로시아닌 할로겐화물은 프탈로니트릴을 1,8디아자바이시클로[5.4.0]-7-운데센(DBU) 존재하에서 보론 할로겐화물 또는 알루미늄 할로겐화물과 반응시킴에 의해 합성되는 것을 특징으로 하는 기록 매질의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 DBU 는 0.1:2 내지 1:2 의 상기 프탈로니트릴에 대한 몰비로 가해지는 것을 특징으로 하는 기록 매질의 제조방법.
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