JPH01208191A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/382—Contact thermal transfer or sublimation processes
- B41M5/385—Contact thermal transfer or sublimation processes characterised by the transferable dyes or pigments
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機色素薄膜を有し、高密度エネルギービー
ムによって状態変化を生せしめることにより記録再生を
行なうヒートモードの光学的情報記録媒体に関する。
ムによって状態変化を生せしめることにより記録再生を
行なうヒートモードの光学的情報記録媒体に関する。
従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザービ
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されてい
る。しかしこれらは保存性が悪い、分離能が低い、記録
密度が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近
年、比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録
層に用いることが提案され、また、実施されてはいるが
、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対
する安定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期に
わたって安定して満足すべき記録特性を有する記録層が
開発されていないのが現状である。
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されてい
る。しかしこれらは保存性が悪い、分離能が低い、記録
密度が低い、製造コストが高いなどの欠点があった。近
年、比較的長波長の光で物性変化し得る色素薄膜を記録
層に用いることが提案され、また、実施されてはいるが
、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱および光に対
する安定性が低いなどの問題点があり、必ずしも長期に
わたって安定して満足すべき記録特性を有する記録層が
開発されていないのが現状である。
したがって本発明の目的は、十分な記録特性を有し、し
かもその特性を長期にわたって維持し得るような安定性
の優れた色素記録層を有する光学的情報記録媒体を提供
することである。
かもその特性を長期にわたって維持し得るような安定性
の優れた色素記録層を有する光学的情報記録媒体を提供
することである。
本発明の目的は、レーザー光線によって記録、再生、あ
るいは消去を行うための光学的情報記録媒体であって、
基板上に下記−最大(1)で表わされる色素を担持せし
めたことを特徴とする光学的情報記録媒体により達成さ
れた。
るいは消去を行うための光学的情報記録媒体であって、
基板上に下記−最大(1)で表わされる色素を担持せし
めたことを特徴とする光学的情報記録媒体により達成さ
れた。
−最大([)
%式%
〔式中、R1及びRZはアルキル基、アルケニル基又は
アリール基を表わし、Lはメチン基又は3,5゜もしく
は7個のメチン基が共役二重結合により連結されて生じ
る連結基を表わし、Zは芳香族環を完成するための原子
群を表わし、X−は陰イオンを表わす、〕 一般式(1)においてR1,RzおよびZはさらに置換
基を有していてもよい、これらの基の置換基のうち好ま
しいものはC,Hanschらによって提唱されている
疎水性パラメータ、π、が−0,5ないし15さらに好
ましくは、−〇、1ないし11の範囲の値のものである
。なお、疎水性パラメータは次の文献に従って算出する
ことができる。
アリール基を表わし、Lはメチン基又は3,5゜もしく
は7個のメチン基が共役二重結合により連結されて生じ
る連結基を表わし、Zは芳香族環を完成するための原子
群を表わし、X−は陰イオンを表わす、〕 一般式(1)においてR1,RzおよびZはさらに置換
基を有していてもよい、これらの基の置換基のうち好ま
しいものはC,Hanschらによって提唱されている
疎水性パラメータ、π、が−0,5ないし15さらに好
ましくは、−〇、1ないし11の範囲の値のものである
。なお、疎水性パラメータは次の文献に従って算出する
ことができる。
1 ) C0Hanschら、J、Med、Chen
+、 、第16巻、1207頁(1973年刊)、 2 ) C0Hansch ら、同誌、第20S、3
04頁(1977年刊) R1またはR2で表わされる基として好ましいものは、
置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換
の低級アルキル基(炭素原子数1ないし8)または置換
もしくは無置換の低級アルケニル基(炭素原子数2ない
し8)であり、さらに上述のC,1lansch らに
よって提唱されている疎水性パラメータ、π、が−0,
5ないし15さらに好ましくは−0,1ないし11の範
囲の値の置換基を有していてもよい IIもしくはRt
が置換基を有する場合において特に好ましいW換基は、
ハロゲン原子(F、 C1,Br、 I) 、置換
もしくは無置換のフェニル基(例えばフェニル、m−ク
ロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、アルキルチ
オ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)、置換もし
くは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p
−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)
である。
+、 、第16巻、1207頁(1973年刊)、 2 ) C0Hansch ら、同誌、第20S、3
04頁(1977年刊) R1またはR2で表わされる基として好ましいものは、
置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換
の低級アルキル基(炭素原子数1ないし8)または置換
もしくは無置換の低級アルケニル基(炭素原子数2ない
し8)であり、さらに上述のC,1lansch らに
よって提唱されている疎水性パラメータ、π、が−0,
5ないし15さらに好ましくは−0,1ないし11の範
囲の値の置換基を有していてもよい IIもしくはRt
が置換基を有する場合において特に好ましいW換基は、
ハロゲン原子(F、 C1,Br、 I) 、置換
もしくは無置換のフェニル基(例えばフェニル、m−ク
ロロフェニル、p−メチルフェニルなど)、アルキルチ
オ基(例えばメチルチオ、ブチルチオなど)、置換もし
くは無置換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p
−クロロフェニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)
である。
litまたはR2で表わされる基のうち特に好ましいも
のは、炭素原子数2ないし8の無置換アルキル基または
炭素原子数2ないし8の無置換アルケニル基であり、そ
の中でもR1とR2が同一のものが最も好ましい。
のは、炭素原子数2ないし8の無置換アルキル基または
炭素原子数2ないし8の無置換アルケニル基であり、そ
の中でもR1とR2が同一のものが最も好ましい。
Zで表わされる原子群の例としては、ベンゼン環、ナフ
タレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、さらにR1、R2上の置換
基として述べた置換基を有していてもよい。2が置換基
を有する場合において、特に好ましい置換基は、ハロゲ
ン原子(F。
タレン環、アンスラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、さらにR1、R2上の置換
基として述べた置換基を有していてもよい。2が置換基
を有する場合において、特に好ましい置換基は、ハロゲ
ン原子(F。
Cj+、Br、I)、置換もしくは無置換のフェニル基
(例えばフェニル、m−クロロフェニル、p−メチルフ
ェニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブ
チルチオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチオ基
(例えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m
−メチルフェニルチオなど)、置換もしくは無置換のア
ルキル基(例えばメチル、トリフルオロメチル、ter
t−アミルなど)シアノ基、アルコキシカルボニル基(
例えばプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベ
ンジルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、2
−エチルへキシルオキシカルボニルなど)、アルキルも
しくは了り−ルスルホニル基(例えばブタンスルホニル
、フェニルスルホニル、オクタンスルホニルなど)であ
る。
(例えばフェニル、m−クロロフェニル、p−メチルフ
ェニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブ
チルチオなど)、置換もしくは無置換のフェニルチオ基
(例えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m
−メチルフェニルチオなど)、置換もしくは無置換のア
ルキル基(例えばメチル、トリフルオロメチル、ter
t−アミルなど)シアノ基、アルコキシカルボニル基(
例えばプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベ
ンジルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、2
−エチルへキシルオキシカルボニルなど)、アルキルも
しくは了り−ルスルホニル基(例えばブタンスルホニル
、フェニルスルホニル、オクタンスルホニルなど)であ
る。
Zで表わされる原子群のうち特に好ましいものは、ハメ
ットのシグマ定数が−0,3ないし+0.75さらに好
ましくは、−〇、2ないし+0.6であるような比較的
電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を形成する
ための原子群であり、その中でもF+ CL Br、1
などのハロゲン原子で置換されたベンゼン環を形成する
ための原子群が好ましい、なお、多くの置換基のシグマ
定数が次の文献に記されており、その他の置換基のシグ
マ定数もこれらの値から推定するか、その定数に従って
測定することができる。
ットのシグマ定数が−0,3ないし+0.75さらに好
ましくは、−〇、2ないし+0.6であるような比較的
電子供与性が弱い置換基を有するベンゼン環を形成する
ための原子群であり、その中でもF+ CL Br、1
などのハロゲン原子で置換されたベンゼン環を形成する
ための原子群が好ましい、なお、多くの置換基のシグマ
定数が次の文献に記されており、その他の置換基のシグ
マ定数もこれらの値から推定するか、その定数に従って
測定することができる。
1) C,HanchらJ、Med、chem。
第in、1207頁(1973年刊)
2 ) C,Hanchら、同誌、
第20巻、304真(1977年刊)
Lで表わされる連結基は置換もしくは無置換のメチン基
、または3.5.もしくは7個の置換もしくは無置換の
メチン基が共役二重結合により連結されて生じる連結基
を表わすが、特に−最大(a)ないしくi)で表わされ
るものが好ましい。
、または3.5.もしくは7個の置換もしくは無置換の
メチン基が共役二重結合により連結されて生じる連結基
を表わすが、特に−最大(a)ないしくi)で表わされ
るものが好ましい。
−最大(a)
−C#=
一般式(b)
−CH=CH−C=CH−CH=セ
】
一般式(d)
一般式(e)
一般式(f)
一般式(g)
−CH=C−CH=CH−CHモ
一般式(h)
−CH=CH−CH=C−CH=CH−CH=一般式(
i) −CH=C−CH= 一般式(a)ないしく+)においてYは水素原子または
1価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メチ
ル基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェニ
ル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基など
の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イ
ミダゾリジノ基、エトキシカルポニルビベラジノ基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボ
ニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シ
アノ基、ニトロ基、F、C1,Br などのハロゲン
原子などであることが好ましい。
i) −CH=C−CH= 一般式(a)ないしく+)においてYは水素原子または
1価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メチ
ル基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェニ
ル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基など
の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イ
ミダゾリジノ基、エトキシカルポニルビベラジノ基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボ
ニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シ
アノ基、ニトロ基、F、C1,Br などのハロゲン
原子などであることが好ましい。
なおして表わされる連結基のうち特に好ましいものはジ
もしくはトリカルボシアニン色素を形成するのに必要な
連結基であって、より具体的には一般式(b)、 (
c)、 (d)、 (e)、 (f)。
もしくはトリカルボシアニン色素を形成するのに必要な
連結基であって、より具体的には一般式(b)、 (
c)、 (d)、 (e)、 (f)。
(g)および(h)で表わされるものである。
X−で表わされる陰イオンは、陽イオン部分の電荷を中
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、1価もしくは2価のイオンである。
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、1価もしくは2価のイオンである。
X−で表わされる陰イオンの例としては、C1−1Br
−、I−などのハロゲンイオン、SO#”−、1(SO
,−。
−、I−などのハロゲンイオン、SO#”−、1(SO
,−。
CH,O20,−などのアルキル硫酸イオン、パラトル
エンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホ
ン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメ
タンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオンなど
のスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロロ安息香酸
イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シェラ酸イオン、コ
ハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PFb−、BF
4−、 ClO4−、[04−タングステン酸イオン、
タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオン、t
lzPOa−、N01−、ピクリン酸イオンなどのフェ
ノラートイオンなどが挙げられる。
エンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホ
ン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメ
タンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオンなど
のスルホン酸イオン、酢酸イオン、p−クロロ安息香酸
イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シェラ酸イオン、コ
ハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PFb−、BF
4−、 ClO4−、[04−タングステン酸イオン、
タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオン、t
lzPOa−、N01−、ピクリン酸イオンなどのフェ
ノラートイオンなどが挙げられる。
X−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、C1
−、Br−、ド、 CI(!0303−. CJsO5
Os−、パラトルエンスルホン酸イオン、p−クロロベ
ンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ブ
タンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホ
ン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンなど
のパーフルオロスルホン酸イオン、PFb−1BF4−
、 Cl 04−などであり、特に好ましいものは、ト
リフルオロメタンスルホン酸イオン、PFb−。
−、Br−、ド、 CI(!0303−. CJsO5
Os−、パラトルエンスルホン酸イオン、p−クロロベ
ンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ブ
タンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジスルホ
ン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンなど
のパーフルオロスルホン酸イオン、PFb−1BF4−
、 Cl 04−などであり、特に好ましいものは、ト
リフルオロメタンスルホン酸イオン、PFb−。
clap−であり、この中でも、爆発の心配が無い点で
トリフルオロメタンスルホン酸イオンとPF6−とが最
も好ましい。
トリフルオロメタンスルホン酸イオンとPF6−とが最
も好ましい。
以下に本発明において用いられる一般式(1)で表わさ
れる化合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲はこれら
のみに限定されるものではない。
れる化合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲はこれら
のみに限定されるものではない。
9 、 CHhCIIt
OCHs CHzCToOCHi27゜ C1lls ド Cdls本発明の一
般式(1)で表わされる化合物は、例えば、米国特許3
,326,688号に記載されているように、−最大(
A)で表わされるイミダゾキノリン誘導体をオルトギ酸
エステルなどのメチン源、テトラメトキシプロパンなど
のトリメチン源、グルタコンアルデヒドアセクール類や
1.7−ジフェニル−1,7−ジアザ−1,3,5−ヘ
プタトリエンなどのペンタメチン源と反応させて合成す
ることができる。
OCHs CHzCToOCHi27゜ C1lls ド Cdls本発明の一
般式(1)で表わされる化合物は、例えば、米国特許3
,326,688号に記載されているように、−最大(
A)で表わされるイミダゾキノリン誘導体をオルトギ酸
エステルなどのメチン源、テトラメトキシプロパンなど
のトリメチン源、グルタコンアルデヒドアセクール類や
1.7−ジフェニル−1,7−ジアザ−1,3,5−ヘ
プタトリエンなどのペンタメチン源と反応させて合成す
ることができる。
一般式(A)
R本
運
R,Y−
(式中、R’、R”、Zは一般式N)におけると同義の
基を表わし、Yは陰イオンを表わす。〕このとき通常は
溶媒としてメタノール、エタノ−るなどのアルコール類
、N、N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類、テト
ラヒドロフラン等のエーテル類、ピリジン、ピコリンな
どの複素芳香族化合物などを用いる。また反応に際し、
酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどの塩基、および
無水酢酸などを添加すると反応が促進されることがある
。
基を表わし、Yは陰イオンを表わす。〕このとき通常は
溶媒としてメタノール、エタノ−るなどのアルコール類
、N、N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類、テト
ラヒドロフラン等のエーテル類、ピリジン、ピコリンな
どの複素芳香族化合物などを用いる。また反応に際し、
酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどの塩基、および
無水酢酸などを添加すると反応が促進されることがある
。
次に一般式(1)で表わされる化合物の合成法につき、
合成例を挙げて説明する。
合成例を挙げて説明する。
合成例1.化合物26の合成
1.3−ジエチル−2−メチル−IH−イミダゾ(4,
5−6)モノリニウムヨウ化物(1,5g)と1−アニ
リノ−5−フェニルイミノ−1,3−ペンタジェン塩酸
塩とを熱した無水酢酸に溶かした。トリエチルアミン0
.4gを加え、反応液を10分間加熱還流した。
5−6)モノリニウムヨウ化物(1,5g)と1−アニ
リノ−5−フェニルイミノ−1,3−ペンタジェン塩酸
塩とを熱した無水酢酸に溶かした。トリエチルアミン0
.4gを加え、反応液を10分間加熱還流した。
反応液を冷却し、ジエチルエーテルを加えて粗生成物を
沈澱させた。さらに冷却した後、母液をデカンテーショ
ンして除き、残渣に1.5gの1゜3−ジエチル−2−
メチル−IH−イミダゾ〔4゜5−6〕キノリニウムヨ
ウ化物と1.5gのトリエチルアミンを加えた。これに
エタノール20m1を加え、20分間加熱還流した0反
応混合物を冷却し、粗生成物を濾取し、メタノールで洗
浄して乾燥した。クレゾールとメタノールの混合溶媒よ
り再結晶し、0.1gの化合物を得た。
沈澱させた。さらに冷却した後、母液をデカンテーショ
ンして除き、残渣に1.5gの1゜3−ジエチル−2−
メチル−IH−イミダゾ〔4゜5−6〕キノリニウムヨ
ウ化物と1.5gのトリエチルアミンを加えた。これに
エタノール20m1を加え、20分間加熱還流した0反
応混合物を冷却し、粗生成物を濾取し、メタノールで洗
浄して乾燥した。クレゾールとメタノールの混合溶媒よ
り再結晶し、0.1gの化合物を得た。
融点262−264℃。
合成例2.化合物30の合成
3−エチル−2−メチル−1−フェニル−IH−イミダ
ゾ(4,5−6)キノリニウムヨウ化物2.1gとトリ
メトキシプロペン0.65gを15 m Itのピリジ
ンに溶解し、30分間加熱還流した。反応混合物を冷却
した後、150mj!の水を添加して色素を沈澱させた
。この色素サスペンションを一晩冷却した後、粗生成物
を濾取し水洗し、乾燥した。メタノールから1回再結晶
して0.1gの化合物30を得た。
ゾ(4,5−6)キノリニウムヨウ化物2.1gとトリ
メトキシプロペン0.65gを15 m Itのピリジ
ンに溶解し、30分間加熱還流した。反応混合物を冷却
した後、150mj!の水を添加して色素を沈澱させた
。この色素サスペンションを一晩冷却した後、粗生成物
を濾取し水洗し、乾燥した。メタノールから1回再結晶
して0.1gの化合物30を得た。
融点263−264.5℃。
合成例3.化合物31の合成
1.3−ジエチル−2−メチル−IHイミダゾ(4,5
−6)キノリニウムヨウ化物1.5gとジェトキシメチ
ルアセテート1.3gとをピリジンl Omjl!に溶
かし10分間加熱還流した。
−6)キノリニウムヨウ化物1.5gとジェトキシメチ
ルアセテート1.3gとをピリジンl Omjl!に溶
かし10分間加熱還流した。
反応液を冷却後、150mj!の水を加えて色素を沈澱
させた。この色素サスペンションを一晩冷却し、粗生成
物を濾取し、メタノールから1回再結晶して0.Igの
化合物31を得た。
させた。この色素サスペンションを一晩冷却し、粗生成
物を濾取し、メタノールから1回再結晶して0.Igの
化合物31を得た。
融点300°C以上。
本発明の光記録媒体に使用される一重項酸素クエンチャ
ーとしては、種々のものを用いることができる。このよ
うな−重項酸素クエンチャーとしては、再生劣化を低下
させ、色素との粗溶性が良好な遷移金属錯体が好ましい
。この場合、中心金属として好ましいものは、Ni、
Co、Cu、 Pb、 Ptなどである。
ーとしては、種々のものを用いることができる。このよ
うな−重項酸素クエンチャーとしては、再生劣化を低下
させ、色素との粗溶性が良好な遷移金属錯体が好ましい
。この場合、中心金属として好ましいものは、Ni、
Co、Cu、 Pb、 Ptなどである。
新規な一重項酸素クエンチャーの例としては次の一般式
(II)または(I[[)で示されるものがあげられる
。
(II)または(I[[)で示されるものがあげられる
。
〔式中、(Cat、)および(Catz)は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、帽およびMt
はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示
す、nは1または2を示す。〕前記一般式(n)または
(l[[)で表わされる化合物において、(Cat+)
または(Catz)で表わされる陽イオンのうち無機陽
イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、N1% N
a−Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca、 B
aなど)もしくはNH4,−をあげることができる。
ならしめるために必要な陽イオンを示し、帽およびMt
はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示
す、nは1または2を示す。〕前記一般式(n)または
(l[[)で表わされる化合物において、(Cat+)
または(Catz)で表わされる陽イオンのうち無機陽
イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、N1% N
a−Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca、 B
aなど)もしくはNH4,−をあげることができる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
上記の陽イオン(Cat+)および(Catz)の中で
好ましいのは下記の一般式(TV−a)、(IV−b)
、(IV−c)、(IV−d)、もしくは(IV−e)
、で表わされるものである。
好ましいのは下記の一般式(TV−a)、(IV−b)
、(IV−c)、(IV−d)、もしくは(IV−e)
、で表わされるものである。
式中、R11、RIS、R11、R目、RIS、RIS
、RIS、RIB、RIS、R211、RZIおよびR
1はそれぞれ炭素数1ないし20の置換もしくは無置換
のアルキル基、または炭素素6ないし14の置換もしく
は無置換のアリール基を表わし、ZlおよびZ2は各式
中の窒素原子と結合して5員または6員環を形成する非
金属原子群を表わす。
、RIS、RIB、RIS、R211、RZIおよびR
1はそれぞれ炭素数1ないし20の置換もしくは無置換
のアルキル基、または炭素素6ないし14の置換もしく
は無置換のアリール基を表わし、ZlおよびZ2は各式
中の窒素原子と結合して5員または6員環を形成する非
金属原子群を表わす。
この炭素数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキ
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1so−アミル暴、n−ドデシル基・n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
の了り−ル基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1so−アミル暴、n−ドデシル基・n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
の了り−ル基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
これらのアルキル基または了り−ル基はシアノ基、水酸
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)
、了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキ
シ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジン基また
は、フェネチル基など)、アルコキシカルボニル基(た
とえば、メトキシカルボニル苓、エトキシカルボニル基
、n−ブトキシカルボニル基など)、了り−ロキシカル
ボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル基、トリロ
キシカルボニル基など)、アシル基(たとえば、アセチ
ル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基(たとえば
、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など)、カル
バモイル基(たとえば、N−エチルカルバモイル基、N
−フェニルカルバモイル基など)、アルキルスルホニル
アミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミノ基、フェ
ニルスルホニルアミノ基など)、スルファモイル基(た
とえば、N−エチルスルファモイル基、N−フェニルス
ルファモイル基など)、スルホニル基(たとえば、メシ
ル基、トシル基など)などで置換されていてもよい。
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)
、了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキ
シ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジン基また
は、フェネチル基など)、アルコキシカルボニル基(た
とえば、メトキシカルボニル苓、エトキシカルボニル基
、n−ブトキシカルボニル基など)、了り−ロキシカル
ボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル基、トリロ
キシカルボニル基など)、アシル基(たとえば、アセチ
ル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基(たとえば
、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など)、カル
バモイル基(たとえば、N−エチルカルバモイル基、N
−フェニルカルバモイル基など)、アルキルスルホニル
アミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミノ基、フェ
ニルスルホニルアミノ基など)、スルファモイル基(た
とえば、N−エチルスルファモイル基、N−フェニルス
ルファモイル基など)、スルホニル基(たとえば、メシ
ル基、トシル基など)などで置換されていてもよい。
またZlおよびZ2は前記のように5員環または6員環
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす、これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。−最大(IV−b)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。−最大(I
V−c)で表わされるカチオンとしては、たとえば、N
−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム基、N−エ
チル−N−ドデシルピラゾリジニウム基などをあげるこ
とができる。
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす、これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。−最大(IV−b)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。−最大(I
V−c)で表わされるカチオンとしては、たとえば、N
−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム基、N−エ
チル−N−ドデシルピラゾリジニウム基などをあげるこ
とができる。
上記の一般式(IV −a >、(IV−b) 、(I
V −C)、(IV−d)および(IV−8)で表わさ
れる陽イオンの中で、本発明に特に好ましく用いられる
ものは、製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、(
IV−a)、(IV−b)、(IV−d)および(IV
−e)である。
V −C)、(IV−d)および(IV−8)で表わさ
れる陽イオンの中で、本発明に特に好ましく用いられる
ものは、製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、(
IV−a)、(IV−b)、(IV−d)および(IV
−e)である。
この陽イオン(Cat+)および(Catt)の種類は
、前記一般式(n)または(Ill)で表わされる化合
物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
、前記一般式(n)または(Ill)で表わされる化合
物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
一般に、第四級へテロ原子に結合する置換基がアルキル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
前記−最大(II)または(Ill)て表わされる化合
物においてMlまたはM!を好ましい順に挙げるとニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
物においてMlまたはM!を好ましい順に挙げるとニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式(■)または(I[l)の金属錯体は平面四配位
の立体構造を有する。なお−最大(Iff)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
(III)のように表わす。
の立体構造を有する。なお−最大(Iff)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
(III)のように表わす。
前記−最大(n)または(I[[)で表わされる化合物
は次のようにして合成することができる。
は次のようにして合成することができる。
−最大(■)(n=2)の化合物は二硫化炭素とナトリ
ウムを反応させて得られるジソディウムー1,3−ジチ
オール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
ウムを反応させて得られるジソディウムー1,3−ジチ
オール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
又、−最大(II) (n−1>の化合物は、上で得
られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。
一般式(III) (n=2)の化合物は、先ず、二
硫化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウ
ムー1.3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオ
レートを、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2
−ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異
性化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイ
ルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをア
ルカリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
硫化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウ
ムー1.3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオ
レートを、約130℃に加熱してジソデイウムー1.2
−ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異
性化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイ
ルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをア
ルカリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、−S式(III) (n=1)は上で得られた錯
体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
−最大(II)または(III)の化合物を得るための
中間体である1、3−ジチオール−2−千オン=4.5
−ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られ。
中間体である1、3−ジチオール−2−千オン=4.5
−ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られ。
前記−最大(■)で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
7−λ r−ム f−一−−−Aご
ご 二
ご三 S 呂 三
# 悶 ミ
臣また既知の一重項酸素クエン
チャーとしては、特開昭59−178295号に記載さ
れている。
ご 二
ご三 S 呂 三
# 悶 ミ
臣また既知の一重項酸素クエン
チャーとしては、特開昭59−178295号に記載さ
れている。
次の化合物が挙げられる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系
Rl 、 R4はアルキル基またはアリール基を表わし
、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
(ii)ビスフエニルジチオール系
R5、R6はアルキル基またはハロゲン原子を表わし、
Mは2価の遷移金属子を表わす。
Mは2価の遷移金属子を表わす。
(iii )アセチルアセトナートキレート系(1v)
ジチオカルバミン酸キレート系(V)ビスフェニルチオ
ール系 (vi )チオカテコールキレート系 hi)サリチルアルデヒドオキシム系 (vn+)チオビスフェルレートキレート系(ix)亜
ホスホン酸キレート系 (x)ベンゾエート系 (xi)ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRQ−002、I RG−003、IRG−0
22、IRQ−033が挙げられる。
ジチオカルバミン酸キレート系(V)ビスフェニルチオ
ール系 (vi )チオカテコールキレート系 hi)サリチルアルデヒドオキシム系 (vn+)チオビスフェルレートキレート系(ix)亜
ホスホン酸キレート系 (x)ベンゾエート系 (xi)ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRQ−002、I RG−003、IRG−0
22、IRQ−033が挙げられる。
+
(式中、Rはアルキル基又はアリール基を表わす、)本
発明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−の
アニオンとの結合体を使用することもできる。
発明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−の
アニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたり、一般に0.05
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい0本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい0本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい、また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい、また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、−1層式(1
)で表わされる色素およびクエンチャ−くクエンチャ−
を併用する場合)を有機溶剤(例えばメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、2,2,3.3−テ
トラフルオロプロパツールなどのフッ素化アルコール類
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど)に
溶解し、必要に応じて適当なバインダー(例えばポリビ
ニルアルコール(PVA)、ポリビニルピロリドン(P
VP)、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニ
トロセルロース、ポリビニルホルマール、メチルビニル
エーテル、塩素化ハラフィン、無水マレイン酸共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂)を
加え、この溶液を塗布(例えばスピンコード)すること
によって行なえるし、又は色素クエンチャ−を共蒸着す
るかあるいは一般式(1)で表わされる色素を真空蒸着
したのち、クエンチャ−を塗布することによって行なえ
る。バインダーを使用する場合には、バインダーの重量
は色素重量の0.01〜2倍が好ましい、また−最大(
I)の色素をいわゆるラングミエアープロジェット法に
より薄膜として用いることもできる。
)で表わされる色素およびクエンチャ−くクエンチャ−
を併用する場合)を有機溶剤(例えばメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、2,2,3.3−テ
トラフルオロプロパツールなどのフッ素化アルコール類
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど)に
溶解し、必要に応じて適当なバインダー(例えばポリビ
ニルアルコール(PVA)、ポリビニルピロリドン(P
VP)、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニ
トロセルロース、ポリビニルホルマール、メチルビニル
エーテル、塩素化ハラフィン、無水マレイン酸共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂)を
加え、この溶液を塗布(例えばスピンコード)すること
によって行なえるし、又は色素クエンチャ−を共蒸着す
るかあるいは一般式(1)で表わされる色素を真空蒸着
したのち、クエンチャ−を塗布することによって行なえ
る。バインダーを使用する場合には、バインダーの重量
は色素重量の0.01〜2倍が好ましい、また−最大(
I)の色素をいわゆるラングミエアープロジェット法に
より薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の薄膜は、通常0.01 μm−2μm、好まし
くは0.02〜0.8μlの範囲である。反射読出しの
場合は特に好ましくは読出しに使用するレーザー波長の
2の奇数倍である。
くは0.02〜0.8μlの範囲である。反射読出しの
場合は特に好ましくは読出しに使用するレーザー波長の
2の奇数倍である。
半導体レーザまたはHe −Neレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層のIIU厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1
μ慣でありそして光吸収層が0.01〜1μ鶴の範囲が
適当である。
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層のIIU厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1
μ慣でありそして光吸収層が0.01〜1μ鶴の範囲が
適当である。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で“使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で“使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反射側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にビット
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反射側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にビット
(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の闇値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ビット部とビットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光景の変化を検
出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ビット部とビットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光景の変化を検
出することにより行われる。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
実施例1
表1に示す色素、クエンチャ−1及び成る場合にはバイ
ンダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエ
タン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパツールか
らなる適当な比率の混合溶媒に熔解し、表面硬化した溝
付(1,6μピンチ、深さ750A)ポリカーボネート
基板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで塗布し
、乾燥した。
ンダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエ
タン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパツールか
らなる適当な比率の混合溶媒に熔解し、表面硬化した溝
付(1,6μピンチ、深さ750A)ポリカーボネート
基板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで塗布し
、乾燥した。
なお、色素とクエンチャ−との重量比は3:l、バイン
ダを用いる場合には、バインダの重量は色素の115と
した。
ダを用いる場合には、バインダの重量は色素の115と
した。
こうして得られた記録媒体に半導体レーザを用い、信号
を記録し、この記録部に微弱なレーザ光をあて、信号を
再生したところ表1に示すC/N比が得られた。
を記録し、この記録部に微弱なレーザ光をあて、信号を
再生したところ表1に示すC/N比が得られた。
評価条件は下記のとおりであった。
(記録及び再生)
レーザ :半導体レーザ(GaA I As)
レーザの波長 ニア80nm レーザのビーム径:1.6μm 線 速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 : 2.5 MHz記録デユーティ
−850% 再生パワー : 0.4 mW (再生劣化の評価) 再生パワー :1.0mW 再生回数 :10S回 (保存時劣化の評価) 保存温湿度 :60℃ 90%RH保存時間
:30日間 几惠J31弧N Clls CI Oa−C1h 表1 〔発明の結果〕 表1の結果から本発明の情報記録媒体は比較例より優れ
た記録性能および安定性を有することがわかる。
レーザの波長 ニア80nm レーザのビーム径:1.6μm 線 速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 : 2.5 MHz記録デユーティ
−850% 再生パワー : 0.4 mW (再生劣化の評価) 再生パワー :1.0mW 再生回数 :10S回 (保存時劣化の評価) 保存温湿度 :60℃ 90%RH保存時間
:30日間 几惠J31弧N Clls CI Oa−C1h 表1 〔発明の結果〕 表1の結果から本発明の情報記録媒体は比較例より優れ
た記録性能および安定性を有することがわかる。
特許出願人 富士写真フィルム株式会社昭和t3年参月
に日
に日
Claims (2)
- (1)レーザー光線によって記録、再生、あるいは消去
を行なうための光学的情報記録媒体であって、基板上に
、下記一般式( I )で表わされる色素を担持せしめた
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1及びR^2はアルキル基、アルケニル基
又はアリール基を表わし、Lはメチン基又は3、5もし
くは7個のメチン基が共役二重結合により連結されて生
じる連結基を表わし、Zは芳香族環を完成するための原
子群を表わし、X^−は陰イオンを表わす。〕 - (2)特許請求範囲第1項の光学的情報記録媒体におい
て、更に下記一般式(II)または(III)で示される化
合物を担持することを特徴とする光学的情報記録媒体。 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、〔Cat_1〕および〔Cat_2〕は錯体を
中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、M_1お
よびM_2はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまた
は白金を示す。nは1または2を示す。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63033761A JPH01208191A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63033761A JPH01208191A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01208191A true JPH01208191A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12395415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63033761A Pending JPH01208191A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01208191A (ja) |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63033761A patent/JPH01208191A/ja active Pending
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