JPH0262280A - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JPH0262280A
JPH0262280A JP63215707A JP21570788A JPH0262280A JP H0262280 A JPH0262280 A JP H0262280A JP 63215707 A JP63215707 A JP 63215707A JP 21570788 A JP21570788 A JP 21570788A JP H0262280 A JPH0262280 A JP H0262280A
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JP
Japan
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group
dyestuff
general formula
groups
formula
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Application number
JP63215707A
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English (en)
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Yoshio Inagaki
由夫 稲垣
Keiichi Adachi
慶一 安達
Masao Yabe
矢部　雅夫
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication of JPH0262280A publication Critical patent/JPH0262280A/ja
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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    • G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機色素薄膜を存し、レーザー光線によって
状態変化を生ぜしめることにより、記録、再生、あるい
は消去を行なうヒートモードの光学的情報記録媒体に関
する。
〔従来の技術〕
レーザー光線の照射を受けて変質する物質を基板上に担
持して記録層とし、該記録層の変質の様子を記録層の反
射率の変化として読み取る方式の記録媒体が知られてい
る。近年この様な記録層として有機色素を用いることが
行なわれているが、読み取りに必要な高反射率と記録に
必要な高吸収率とを同一波長において実現することは容
易なことではなかったため、これらの媒体の反射率は２
０〜３０％程度にとどまっていた。その理由の一つは、
単一の色素からなる色素膜の反射率は、一般に、該色素
膜の吸収極大波長より長波長側に現れるため、記録及び
読み取りに用いるレーザー光の波長を色素膜の反射率の
極大波長と一致させると、その波長における吸収率が低
くなり、逆にレーザー光の波長を色素膜の吸収極大波長
に合わせると、その波長における色素膜の反射率が低く
なるからである。他の理由は、ある特定の波長において
高反射率を有する色素と、その波長において高吸収率を
有する色素とを混合して用いると、多くの場合反射率の
低下が起こってしまうからである。したがって情報の記
録及び読み取りに用いるレーザー光線の波長において反
射率と吸収率とをともに高い値に設定し得る光情報記録
媒体が求められていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
したがって本発明の目的は、情報の読み取り及び記録に
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有する新規な構成の光情報
記録媒体を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者は種々検討の結果、驚くべきことに、一般式（
Ｉ）で表わされる色素は他の色素と混合しても十分高い
反射率を示す色素薄膜を与えることを見出し本発明を完
成した。
すなわち、本発明の目的は、少なくとも１種の下記一般
式（Ｉ）で表わされる色素と、少なくとも１種の下記−
形成（ＩＩ）で表わされる色素とを同一基板上に担持せ
しめたことを特徴とする、レーザー光線を用いて記録、
再生、あるいは消去を行なうための光情報記録媒体によ
って達成された。
−形成（１） 〔ただし、Ｚｌおよび２１は、アルキル基、了り−ル基
またはアルケニル基を表わし、これらは互いに同一でも
異なっていても、あるいはＺｌ　と２２とが互いに連結
して環を形成しても良く、Ｑは、ＮまたはＣ−Ｒ’　　
（Ｒ”は水素原子、アルキル基またはアリール基）を表
わし、 Ｒ’　、Ｒ”およびＲ３は、アルキル基、アリール基ま
たはアルケニル基を表わし、互いに同一でも異なってい
ても、あるいはこれらの少なくとも一つの基がＬと連結
して環を形成しても良く、Ｘ−は陰イオンを表わし、 ＧはＮ−Ｒ３と連結して５または６員環を形成するため
の基を表わし、そして Ｌは１．３．５又は７個のメチン基または置換メチン基
が共役二重結合を形成するように連結されて形成される
三価の基を表わす〕 −形成（ｎ） 式中Ｒ７は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子またはピリジン環に縮合したベン
ゼン環を表わし、Ｒ８はアルキル基または了り−ル基を
表わし、Ｒ９は水素原子、アルキル基またはアリール基
を表わし、Ｚ３は共役の末端に窒素原子、あるいは酸素
原子をもちピロコリン核との共役鎖を完成する原子団を
表わす。
上記−形成（１）において、ＺｌおよびＺ２は、互いに
連結して形成されたゼンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Ｑは、ＮまたはＣ−Ｈであり、ＧがＮ−Ｒ’と
連結して形成される５または６員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。
上記−形成（Ｉ）で表わされる化合物のうち好ましいも
のは下記−形成（Ｉ　ａ）で表わされる化合物である。
一般式（Ｉａ）： 〔式中、Ｒ４、Ｒ４′、ＲｓおよびＲＳ　Ｌはアルキル
基、アルケニル基又はアリール基を表わし、これらは互
いに同一でも異なっていても良く、Ｌｌ　は１．３．５
もしくは７個の置換されていても良いメチン基が共役二
重結合により連結されて生じる三価の基を表わし、ｚ、
ｚ’は芳香族環を完成するための原子群を表わし、Ｘ−
は陰イオンを表わす。〕 上記−形成（Ｉ　ａ）においてｚ、ｚ’、Ｌ’ｓＲ４、
Ｒ５、Ｒ４Ｌ　、Ｒ５／はそれぞれさらに置換基を有し
ていてもよい。
これらの基の置換基のうち好ましいものはＣ０Ｈａｎｓ
ｃｈらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−０，５ないし１５の範囲の値のものである。なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。
１　）　　Ｃ，Ｈａｎｓｃｈら、Ｊ、Ｍｅｄ、Ｃｈｅｍ
、　、第１６巻、１２０７頁（１９７３年刊）、 ２　）　　Ｃ，Ｈａｎｓｃｈら、同誌、第２０巻、３０
４頁（１９７７年刊） Ｒ４、Ｒ４’　、Ｒ５またはＲ％　／で表わされる基と
して好ましいものは、置換もしくは無置換のフェニル基
、置換もしくは無置換の低級アルキル基（炭素原子数１
ないし８）または置換もしくは無置換の低級アルケニル
基（炭素原子数２ないし８）であり、さらに上述のＣ，
１ｌａｎｓｃｈらによって提唱されている疎水性パラメ
ータ、π、が−０，５ないし１５の範囲の値の置換基を
有していてもよい。
Ｒ’　、Ｒ”、Ｒ５もしくはＲＳ　ｌが置換基を有する
場合において特に好ましい置換基は、ハロゲン原子（Ｆ
、　Ｃ１，Ｂｒ、　　Ｉ）、置換もしくは無置換のフェ
ニル基（例えばフェニル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−メ
チルフェニルなど）、アルキルチオ基（例えばメチルチ
オ、ブチルチオなど）、置換もしくは無置換のフェニル
チオ基（例えばフェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ
、ｍ−メチルフェニルチオなど）である。
Ｒ４、Ｒ４′、Ｒ５またはＲＳ　ｌで表わされる基のう
ち特に好ましいものは、炭素原子数２ないし８の無置換
アルキル基または炭素原子数２ないし８の無置換アルケ
ニル基であり、その中でもＲ４Ｒ４′、Ｒ５及びＲＳ　
Ｊが同一のものが最も好ましい。
ｚ、ｚ’で表わされる原子群の例としては、ベンゼン環
、ナフタレン環、アンスラセン環を完成するための原子
群が挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン
環を完成するための原子群テアリ、ざらにＲ４、Ｒ４′
、Ｒ５及びＲｓ′上の置換基として述べた置換基を有し
ていてもよい。
ｚ、ｚ’が置換基を有する場合において、特に好ましい
置換基は、ハロゲン原子（Ｆ、　Ｃｊ！、　Ｂｒ。
■）、置換もしくは無置換のフェニル基（例えばフェニ
ル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−メチルフヱニルなど）、
アルキルチオ基（例えばメチルチオ、ブチルチオなど）
、置換もしくは無置換のフェニルチオ基（例えばフェニ
ルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メチルフェニル
チオなど）、置換もしくは無置換のアルキル基（例えば
メチル、トリフルオロメチル、ｔｅｒ　ｔ−アミルなど
）、シアノ基、アルコキシカルボニル基（例えばプロポ
キシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキシ
カルボニル、デシルオキシカルボニル、２−エチルへキ
シルオキシカルボニルなど）　アルキルもしくは了り−
ルスルホニル基（例えばブタンスルホニル、フェニルス
ルホニル、オクタンスルホニルなど）である。
ｚ、ｚ’で表わされる原子群のうち特に好ましいものは
、ハメットのシグマ定数が−０，２ないし＋０．７であ
るような比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼ
ン環を形成するための原子群であり、その中でもＦ　＋
　Ｃ１ｌＢｒ＋　Ｉなどのハロゲン原子で置換されたベ
ンゼン環を形成するための原子群が好ましい。
Ｌ′で表わされる三価の基は置換もしくは無置換のメチ
ン基、または３，５．もしくは７個の置換もしくは無置
換のメチン基が共役二重結合により連結されて生じる連
結基を表わすが、特に−形成（ａ）ないしくｉ）で表わ
されるものが好ましい。
一般式（ａ） −Ｃ＝ 蒙 一般式（ｂ） ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ＝ 誓 一般式（ｅ） 一般式（ｆ） 一般式（ｄ） 一般式（ｇ） −ＣＨ千〇　−ＣＢ　＝　ＣＨ−ＣＨ＝−形成（ｈ） −Ｃ）ｌ＝ｃＨ−ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝一般式
（ｉ） −ＣＨ＝　Ｃ−ＣＨ＝ 一般式＜ａ）ないしく＋）においてＹは水素原子または
１価の基を表わす。この場合、１価の基としては、メチ
ル基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェニ
ル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基など
の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イ
ミダゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカルボ
ニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シ
アノ基、ニトロ基、Ｆ、Ｃ１，Ｂｒなどのハロゲン原子
などであることが好ましい。
なおし′で表わされる連結基のうち特に好ましいものは
（ａ）、（ｂ）、（ｈ）、（ｉ）で表わされるものであ
る。
Ｘ−で表わされる陰イオンは、陽イオン部分の電荷を中
和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのものであ
って、１価もしくは２価のイオンである。
Ｘ−で表わされる陰イオンの例としては、Ｃβ−Ｂｒ−
、Ｉ−などのハロゲンイオン、ＳＯ４２−、）ｌｓＯ４
−。
ＣＨ，０５（ｈ−などのアルキル硫酸イオン、パラトル
エンスルホン酸イオン、ナフタレン−１，５−ジスルホ
ン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメ
タンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオンなど
のスルホン酸イオン、酢酸イオン、ｐ−クロロ安息香酸
イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオン、コ
ハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、ＰＦｂ−１ＢＦ
４−、　ＣＲＯａ−、１０４−、タングステン酸イオン
、タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオン、
Ｈ２ＰＯ４−、Ｎ０ｉ−、ピクリン酸イオンなどのフェ
ノラートイオンなどが挙げられる。
Ｘ−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、Ｃｌ
　−、Ｂｒ−、Ｉ　−、ＣＨ＊０３（ｈ−＋　Ｃｄ（５
０Ｓｏ！−、パラトルエンスルホン酸イオン、ｐ−クロ
ロベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン
、ブタンスルホン酸イオン、ナフタレン−１，５−ジス
ルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン
などのパーフルオロスルホン酸イオン、ＰＦａ−、ＢＦ
４−、　Ｃ４２０４−などであり、特に好ましいものは
、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ＰＦａ−、（
ＪＱ４−であり、この中でも、爆発の心配が無い点でト
リフルオロメタンスルホン酸イオンとＰＦ、−とが最も
好ましい。
次に本発明の一般式（１）で表わされる色素の具体例を
挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
■ ！−９ ！−７ ■−１０ ■−１１ ■−１２ ■−１３ ■ −ＣａＨｗ しＥＵＩ４ １−Ｌ；４ｔｌ＊ ■−１７ ■−１８ ■−１５ ■−１６ ■−１９ ■−２０ ＣＩ！Ｏｐ υ ｒ−２１ ｒ−２２ ■−詔 ■−２６ ■−２７ ｉ−ＣａＨ＊ しｔｎｓ ＨＰ。
ｉ−に、■。
■ ■−２８ ■−２９ ＳＯｌ− ■−３０ ■−３１ ■−３５ ■ あ −ＣａＨｗ Ｆａ− ｊ−Ｃ４Ｈ＊ Ｉ−羽 ■−３３ ■−３４ ■−３７ ■−３８ ｉ−ＣＪ＊ Ｖｈ ｉに４ｔｌ＊ ■−３９ ■ ■−４４ に１ｈｃＨｚＯｃｌｂ Ｃｆｆ　Ｏ＆− ＣＴｏＣＨｔＯＣＲ３ ｉ−ＣａＨ＊ ■−４１ ■−４２ ■ ■−４６ Ｃ，Ｈ。
Ｃｌ１Ｏａ’ １−ＣａＩＩ雫 ■−４７ Ｃ，ＨＳ ＣＡＯ，” ｚＨｓ 本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物はたとえば大
有機化学（朝食書店）含窒素化合物Ｉ４３２ページなど
の底置に記載された方法を参考にして合成することがで
きる。すなわち−形成（Ａ） Ｒ′ （式中、Ｚ’　、Ｚ’　、Ｑ、Ｒ’　、Ｒ’は一般式（
Ｉ）における定穣と同じ基を表わし、Ｘ′−は陰イオン
を表わす。） で表わされる四級塩を１．Ｃ３，３−テトラメトキシプ
ロパンあるいはグルタコンアルデヒドなどのジアルデヒ
ドや、１，７−ジアザ−１，７−ジフェニル−１，３，
５−へブタトルエンなどのポリメチン源と縮合させるこ
とによって、合成することができる。とくにイミダゾＣ
４，５−ｂｌキノキサリン骨格を有する色素の合成法は
米国特許第３，４３１，１１１号に記載されている方法
を参考にして合成することができる。
本発明に用いられる一般式（ｎ）で表わされるピロコリ
ン核をもつ色素（以下ピロコリン色素と称する）の好ま
しいものは下記−形成（ａ）、（′ｂ）または（Ｃ１に
よって表わされる。
式中、Ｒ７、Ｒ１１，１７９は一般式（ＩＩ）で定義し
たのと同じ意味をもち、ｔ、Ｉ　、　Ｌ！　、ｔ、ｆｆ
は置換されていてもよいメチン基を表わし、ｍは１．２
または３を表わす。Ｑはへテロ環を形成するのに必要な
原子団を表わす。
式中Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９は−形成（ＩＩ）で定義したのと
同じ意味をもち、Ｌ’、Ｌ”は置換されていてもよいメ
チン基を表わし、ｎは１．２または３を表わす。Ｐはへ
テロ環を形成するのに必要な原子団を表わす。
Ｘ。
式中、 Ｒ７、 Ｒ”％ Ｒ９は一般式 で定義したの と同じ意味をもち、Ｌｌ、Ｌ！、Ｌ３は置換されていて
もよいメチン鎖を表わし、ｌは１または２を表わす。Ｒ
ＩＧ　、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、了り−ル基を
表わし、Ｘ、−はアニオンを表わす。
一般弐（ａｌ、（ｂ）、（Ｃ１で表わされる化合物のう
ち好ましいものにおいては、Ｒ７は水素原子、炭素数１
〜２０のアルキル基（例えばメチル、エチル、メチル、
ドデシル、オクタデシル、ベンジル）、炭素数６〜１８
のアリール基（例えばフェニル、トリル、ｐ−メトキシ
フェニル）、炭素数１〜１８のアルコキシ基（例えば、
メトキシ、エトキシ、ブトキシ、ドデシルオキシ、ベン
ジルオキシ）、ハロゲン原子（例えばフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素）、ピリジン環に縮合したフェニル基（例え
ば５．６−ベンゾ、６，７−ベンゾ、７．８−ベンゾ縮
金環）、を表わす。Ｒ１１，Ｒ９は各々水素原子（但し
Ｒ８が水素原子を表わすことはない）、炭素数１〜２０
のアルキル基（例えばメチル、エチル、イソプロピル、
ブチル、ドデシル、ベンジル）、炭素数６〜２０のアリ
ール基（例えばフェニル基、ｐ−トリル、ｐ−メトキシ
フェニル、ｐ−アセトアミドフェニル、ｐ−ミリストイ
ルアミノフェニル）を表わす。ＲＩＯ，Ｒ１＋は各々水
素原子、炭素数１〜１６のアルキル基（例えば、メチル
、エチル、ヘキシル、エトキシカルボニルメチル、２−
シアノエチル、２−メトキシエチル、２−クロロエチル
、２−ヒドロキシエチル、２−ミリストイルオキシエチ
ル、ベンジル、４−クロロベンジル、４−イソプロピル
ベンジル）、炭素数６〜１０のアリール基（例えばフェ
ニル、ナフチル、４−トリル）　、Ｌ’　、Ｌ”　、Ｌ
３は置換されていてもよいメチン基を表わし、置換基と
しては低級アルキル基（例えばメチル、エチル）、アリ
ール基（例えばフェニル基）、ハロゲン原子（例えば塩
素原子）を表わす。また置換基によって５〜６員環を形
成してもよい。Ｐは塩基性の複素環（例えば、インドレ
ニン、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、イミダゾー
ル、ベンゾイミダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾー
ル、セレナゾール、ベンゾセレナゾール、ナフトオキサ
ゾール、ナフトチアゾール、ナフトイミダゾール、ナフ
トインドレニン、）を形成するのに必要な原子団を表わ
し、Ｑは酸性核となりうる複素環（例えば、インダンジ
オン、イソオキサシロン、ピラゾロン、バルビッール酸
、チオバルビッール酸、ヒドロキシピリドン）あるいは
塩基性核となりうる複素環（例えば、ビロール、インド
ール、ピロコリン）を形成するのに必要な原子団を表わ
す。Ｘ、−はアニオンを表わし、クロライド、ブロマイ
ド、アイオダイド、パークロレイト、ナイトレイト、ア
セテート、メチルサルフェート、ｐ−ｔ−ルエンスルホ
ネート、ＢＦ、−ＰＦ６−などが好ましい。
以下に本発明に用いられる一般式（ｎ）で表わされるピ
ロコリン色素の具体例を挙げるが、本発明の範囲はこれ
らのみに限定されるものではない。
ｎ−４ ■−７ ■−８ し＋１３ しｉ２ ■−１０ しｔｈ ■ ■−１２ ■−１５ ■−１６ ■ ■−１４ ■−１７ Ｉ ■−１９ ■−２０ ■−２３ ■−２１ ■−２７ ■−２８ ■−３２ ■−２９ ■−３０ ■−３３ ■−３４ 本発明において用いられるピロコリン色素は獣り、Ｍｏ
５ｂｙ著”　Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ　Ｓｙｓｔｅｍ
ｓ　ｗｉｔｈ　ＢＲＩＤＧ−ＥＨＥＡＤ　ＮｌＴＲ０Ｇ
ＥＮ　ＡＴＯＭＳ　Ｐａｒｔ　ｏｎｅ　”　Ｉｎｔｅｒ
ｓｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓｈｅｒｅ　１９６１あるい
は米国特許第３，２６０，６０１号に記載された方法で
合成できる。
次に本発明に用いられるピロコリン色素の代表的な合成
例を示す。
合成例１　（化合物ｌｌ−１５） １−メチル−２−フェニルピロコリン２．５ｇ；１．７
−ジアザ−１，３，５−へブタトリエン１．７ｇをメタ
ノール３０１１Ｉｌ中に加え攪拌しながら５０℃に加熱
する０次に無水酢酸１＋Ｉ１１を加えて５０〜６０℃で
２時間加熱する。室温まで冷却してから過塩素酸の６０
％水溶液を３　ｍ１滴下し析出した結晶を濾取し、エタ
ノールで洗浄する。
乾燥すると化合物ｎ−１５が２．３ｇ得られた。
合成例２（化合物ｌｌ−１１） １．２−−ジフェニルピロコリン２．７ｇ、β−メトキ
シアクロレインア仁タール１．５ｏ＋１をエタノール５
０ｍ６中に加え、更に濃塩酸１．５ｍｌを加え、４０〜
５０℃で約３０分間加熱する。冷却してから析出した結
晶を濾取しエタノールで洗浄後、乾燥させると化合物■
−１１が１．７ｇ得られた。
本発明の光記録媒体において、−形成（Ｉ）で表わされ
る色素と一般式（ｎ）で表わされる色素の使用割合は、
好ましくは、モル比で１００：１〜１：１０、さらに好
ましくは２０：工〜１：５、最も好ましくは１０：１〜
２：ｌである。それぞれの色素は単独で用いても、２種
以上併用してもよく、あるいは本発明の色素以外の色素
と併用して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため
種々の酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用する
ことも有効である。また、種々の樹脂を併用でもよい。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としでは
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ｎｉ、　Ｃｏ、　Ｃｕ、　Ｐｄ
、　Ｐｔなどである。
新規なりエンチャーの例としては特開昭６２−１７４７
４１号公報記載の次の一般式（Ｉ［Ｉ）または（ＩＶ）
で示されるものがあげられる。
（式中、〔ＣａｔＩ〕および（Ｃａｔｚ）は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、ＭｌおよびＭ
２はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す。ｎは１または２を示す。゛）前記−形成（ＩＩ［
）または（ＩＶ）で表わされる化合物において、（Ｃａ
ｔ、）または（Ｃａｔｚ）で表わされる陽イオンのうち
無機陽イオンとしては、アルカリ金属（たとえば、Ｌｉ
、　Ｎａ、　Ｋなど）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、　Ｃ
ａ、　Ｂａなど）もしくはＮＨａ”をあげることができ
る。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。
前記−形成（Ｉ［Ｉ）または（ＩＶ）で表わされる化合
物においてＭ、またはＭ２を好ましい順に挙げるとニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式（Ｉ［［］または（ＩＶ）の金属錯体は平面四配
位の立体構造を存する。なお−形成（ＩＶ）の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
（ＩＶ）のように表わす。
前記−形成（ＩＩＩ）または（ｒＶ）で表わされる化合
物は次のようにして合成することができる。
一般弐（ＩＩＩ）　　（ｎ＝２）の化合物は二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジンデイラム−１，
３−ジチオール−２−チオン−４，５−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。
又、−形成（ＩＩＩ）　　（ｎ＝１）の化合物は、上で
得られた錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得ら
れる。
一般式（ＩＶ）　　（ｎ＝２）の化合物は、先ず、二硫
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム
ー１，３−ジチオール−２−チオン−４゜５−ジチオレ
ートを、約１３０℃に加熱してジソデイウムー１．２−
ジチオール−３−チオン−４゜５−ジチオレートに異性
化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイル
を反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアル
カリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、−形成（■）（ｎ＝１）は上で得られた錯体（ｎ＝
２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
−形成（ＩＩ［）または（ｒＶ）の化合物を得るための
中間体である１、３−ジチオール−２−チオン−４，５
−ジチオレートアニオンは、上記の如くＮａによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られる。
前記−形成（ＩＩＩ）で表わされる化合物のうち好まし
いものを例示すれば次の通りである。
その他のクエンチャ−としては特開昭５９−１７８２９
５号に記載されている以下の化合物などが挙げられる。
（ｉ）ビスジチオ−α−ジケトン系 Ｒ２１〜Ｒ１４はアルキル基、アリール基アルキルチオ
基、了り−ルチオ基またはシアノ基を表わし、Ｍは２価
の遷移金属原子を表わす。
（ｉｉ）ビスフエニルジチオール系 Ｒ２Ｓ、ＲＺｂはアルキル基、シアノ基またはハロゲン
原子を表わし、Ｍは２価の遷移金属子を表わす。
（ｉｉｉ　）アセチルアセトナートキレート系（ｉｖ　
）ジチオカルバミン酸キレート系（ｖ）ビスフェニルチ
オール系 （ｖｉ）チオカテコールキレート系 （ｖｉ　）サリチルアルデヒドオキシム系（ｖｉｉ）チ
オビスフェルレートキレート系（ｉｘ　）亜ホスホン酸
キレート系 （ｘ）ベンゾエート系 （ｘｉ）　　ヒンダードアミン系 （ｘｉｉ）遷移金属塩 この他人式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製ＩＲＧ−００２、Ｉ　ＲＧ−００３、ＩＲＧ−０
２２、ＩＲＣ；−０２３が挙げられる。
（式中Ｒはアルキル基又は了り−ル基を表わす、）本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素１モルあたり、一般に０．０５
〜１２モル、好ましくは０．１〜１．２モル使用される
。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい０本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい、基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして２枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、色素およびク
エンチャ−を有機溶剤（例えばメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、２゜２．３．３−テトラフ
ルオロプロパツールなどのフッ素化アルコール類、ジク
ロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど）に溶解し
、必要に応じて適当なバインダー（例えばＰＶＡ、ＰＶ
Ｐ、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロ
セルロース、ポリビニルホルマール、メチルビニルエー
テル、塩素化パラフィン、無水マレイン酸共重合体、ス
チレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂）を加え
、この溶液を塗布（例えばスピンコード）することによ
って行なえるし、又は色素とクエンチャ−を共蒸着する
かあるいは色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素ｉｉ量の０．０１〜２
倍が好ましい。また色素をいわゆるラングミュア−プロ
ジェット法により薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層は１層又は２Ｎ以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜厚は、通常０．０１μｍ〜２μｍ、好ましく
は０．０２〜０．８μｍの範囲である。
半導体レーザまたはＨｅ　−Ｎｅレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂（ＰＶＰ、ＰＶＡなど）に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、５０℃〜１５０℃好ましくは６０℃〜
１００℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で０．
１〜１０好ましくは０．５〜１．５である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が０．０１〜０．１μｍで
ありそして光吸収層が０．０１〜１μｍの範囲が適当で
ある。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、恨アンミン錯体、恨シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、次亜燐酸
塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなど
を使用できる。
還元剤は金属塩または金属錯塩１モルに対し０．２〜１
０モル好ましくは０．５〜４モルの範囲で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ（例
えば半導体レーザ、Ｈｅ　−Ｎｅレーザなど）などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピント
（穴）が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の闇値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピント部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
実施例１ 表１に示す化合物の１％２，２，３．３−テトラフルオ
ロプロパツール溶液を射出成形した溝付ポリカーボネー
ト板（１，６μピツチ、深さ７５０人）にスピンコード
して乾燥した。こうして作成した記録媒体に下記の条件
で記録、再生を行った。
結果を表１に示した。この表から本発明の記録媒体（試
料番号１０〜２３）は高反射率を示すと同時に高いＣ／
Ｎを与えることがわかる。なお一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物と併用する色素（一般式（ＩＩ）で表わされる
色素など）と−形成（Ｉ）で表わされる色素との混合比
は１：４であった。
記録及び再生条件 レーザー レーザーの波長 ビーム径 線速 記録パワー 記録周波数 記録デユーティ− 再生パワー 半導体レーザ（ＧａＡＩ！八Ｓ） へ０ｎｍ １．６μｍ ５　ｍ　／　ｓ ２〜ｌＱｍＷ ２．５　ＭＨｚ ５０％ ３．４ｍＷ 表 ■ 記録媒体の性能 ＊ジイモニウム系−重項酸素クエンチャーである日本化
薬製のＩＲＧ−０２３を一般式（１）の化合物に対して
２重量％添加した。
此５」ｚ贋１Ｎ 〔発明の効果〕 本発明の光情報記録媒体は、情報の読み取り及び記録に
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有するため高いＣ／Ｎを示
す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 少なくとも１種の下記一般式（ I ）で表わされる色素
    と少なくとも１種の下記一般式（II）で表わされる色素
    とを同一基板上に担持せしめたことを特徴とする、レー
    ザー光線を用いて記録、再生、あるいは消去を行なうた
    めの光情報記録媒体。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし、Ｚ＾１およびＺ＾２は、アルキル基、アリー
    ル基またはアルケニル基を表わし、これらは互いに同一
    でも異なっていても、あるいはＺ＾１とＺ＾２とが互い
    に連結して環を形成しても良く、Ｑは、ＮまたはＣ−Ｒ
    ＾６（Ｒ＾６は水素原子、アルキル基またはアリール基
    ）を表わし、 Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は、アルキル基、アリール
    基またはアルケニル基を表わし、互いに同一でも異なっ
    ていても、あるいはこれらの少なくとも一つの基がＬと
    連結して環を形成しても良く、Ｘ＾−は陰イオンを表わ
    し、 ＧはＮ−Ｒ＾３と連結して５または６員環を形成するた
    めの基を表わし、そして Ｌは１、３、５又は７個のメチン基または置換メチン基
    が共役二重結合を形成するように連結されて形成される
    三価の基を表わす〕 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＾７は水素原子、アルキル基、アリール基、ア
    ルコキシ基、ハロゲン原子またはピリジン環に縮合した
    ベンゼン環を表わし、Ｒ＾８はアルキル基またはアリー
    ル基を表わし、Ｒ＾９は水素原子、アルキル基またはア
    リール基を表わし、Ｚ＾３は共役の末端に窒素原子、あ
    るいは酸素原子をもちピロコリン核との共役鎖を完成す
    る原子団を表わす。〕
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5723617A (en) * 1995-12-21 1998-03-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pyrrolo 2,1-a!isoquinoline dyes
KR100760589B1 (ko) * 2001-06-12 2007-09-20 한라공조주식회사 열교환 플레이트 및 이 열교환 플레이트를 이용한 열교환기

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5723617A (en) * 1995-12-21 1998-03-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pyrrolo 2,1-a!isoquinoline dyes
KR100760589B1 (ko) * 2001-06-12 2007-09-20 한라공조주식회사 열교환 플레이트 및 이 열교환 플레이트를 이용한 열교환기

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