JPH0262282A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機色素薄膜を有し、レーザー光線によって
状態変化を生せしめることにより、記録、再生あるいは
消去を行なうヒートモードの光学的情部記録媒体に関す
る。

〔従来の技術〕

レーザー光線の照射を受けて変質する物質を基板上に担
持して記録層とし、該記録層の変質の様子を記録層の反
射率の変化として読み取る方式の記録媒体が知られてい
る。近年この様な記録層として有機色素を用いることが
行なわれているが、読み取りに必要な高反射率と記録に
必要な高吸収率とを同一波長において実現することは容
易なことではなかったため、これらの媒体の反射率は２
０〜３０％程度にとどまっていた。その理由の一つは、
単一の色素からなる色素膜の反射率は、一般に、該色素
膜の吸収極大波長より長波長側に現れるため、記録及び
読み取りに用いるレーザー光の波長を色素膜の反射率の
極大波長と一致させると、その波長における吸収率が低
くなり、逆にレーザー光の波長を色素膜の吸収極大波長
に合わせるとその波長における色素膜の反射率が低くな
るからである。他の理由は、ある特定の波長において高
反射率を有する色素と、その波長において高吸収率を有
する色素とを混合して用いると、多くの場合反射率の低
下が起こってしまうからである。したがって情報の記録
及び読み取りに用いるレーザー光線の波長において反射
率と吸収率とをともに高い値に設定し得る光情報記録媒
体が求められていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

したがって本発明の目的は、情報の読み取り及び記録に
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有する新規な構成の光情報
記録媒体を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者は種々検討の結果、驚くべきことに、一般式（
Ｉ）で表わされる色素は他の色素と混合しても十分高い
反射率を示す色素薄膜を与えることを見出し本発明を完
成した。

すなわち、本発明の目的は、少なくとも１種の下記−形
成（Ｉ）で表わされる色素と、少なくとも１種の下記一
般式（ＩＩ）で表わされる色素とを同一基板上に担持せ
しめたことを特徴とする、レーザー光線を用いて記録、
再生、あるいは消去を行なうための光情報記録媒体によ
って達成された。

−形成ＣＩ） 〔ただし、ＺｌおよびＺ２は、アルキル基、了り−ル基
またはアルケニル基を表わし、これらは互いに同一でも
異なっていても、あるいはＺｌ　と２２とが互いに連結
して環を形成しても良く、Ｑは、ＮまたはＣ−Ｒ”　　
（Ｒ’は水素原子、アルキル基または了り−ル基）を表
わし、ＲＩ、ＲＺおよびＲ３は、アルキル基、アリール
基またはアルケニル基を表わし、互いに同一でも異なっ
ていても、あるいはこれらの少なくとも一つの基がＬと
連結して環を形成しても良く、Ｘｌ−は陰イオンを表わ
し、 ＧはＮ−Ｒ’と連結して５または６員環を形成するため
の基を表わし、そして Ｌは１．３．５又は７個のメチン基または置換メチン基
が共役二重結合を形成するように連結されて形成される
三価の基を表わす〕 −形成（ｎ） 〔式中　Ｒ７、Ｒ１１、、Ｒ９、ＲＩＯｌＲｌ、および
ＲＩ２は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機残基
を表わし；Ａは２重結合によって結合した２価の有機残
基を表わし；Ｘ２−は陰イオン残基を表わす。ただしＸ
２−は陽電荷を中和するのに必要な数だけ存在し、Ｒ？
　、Ｒ１１、Ｒ９、Ｒ１゜Ｒ１、Ｒ”、又はＡ上に結合
して分子内塩を形成していてもよい。又Ｒ１とＲ’１Ｓ
Ｒ９とＲＩＯｌＲ”とＲ１’ｌ、ＲＩとＲ１２の組合わ
せのうち、少なぐとも１つの組合せで芳香族炭素環又は
芳香族複素環を形成してもよい。〕 上記−形成（１）において、ＺｌおよびＺ２は、互いに
連結して形成されたベンゼン環、ナフタレン環、置換基
を有するベンゼン環または置換基を有するナフタレン環
であり、Ｑは、ＮまたはＣ−Ｈであり、ＧがＮ−Ｒ’と
連結して形成される５または６員環がイミダゾキノキサ
リン環、キノリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環またはイミダゾキノリン環であることが好ま
しい。

上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物のうち好ましいも
のは下記−形成（Ｉａ）で表わされる化合物である。

一般式（Ｉａ）： 〔式中Ｒ’　、Ｒ４′、Ｒ５およびＲＳ　ｌはアルキル
基、アルケニル基又はアリール基を表わし、これらは互
いに同一でも異なっていても良く、Ｌｌは１，３．５も
しくは７個の置換されていても良いメチン基が共役二重
結合により連結されて生じる三価の基を表わし、ｚ、ｚ
’は芳香族環を完成するための原子群を表わし、Ｘ、−
は陰イオンを表わす〕 上記−形成（Ｉ　ａ）においてｚＳｚ’、Ｌ’％Ｒ４、
Ｒ８、Ｒ４’、Ｒ５／はそれぞれさらに置換基を有して
いてもよい。

これらの基の置換基のうち好ましいものはＣ，Ｈａｎｓ
ｃｈらによって提唱されている疎水性パラメータ、π、
が−０，５ないし１５の範囲の値のものである。なお、
疎水性パラメータは次の文献に従って算出することがで
きる。

１）　　Ｃ，Ｈａｎｓｃｈら、Ｊ、Ｍｅｄ、Ｃｈｅｍ、
　、第１６巻、１２０７頁（１９７３年刊） ２）　　Ｃ，Ｈａｎｓｃｈら、同誌、第２０巻、３０４
頁（１９７７年刊） Ｒ４、Ｒ４’　、Ｒ５またはＲ５Ｊで表わされる基とし
て好ましいものは、置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換の低級アルキル基（炭素原子数１な
いし８）または置換もしくは無置換の低級アルケニル基
（炭素原子数２ないし８）であり、さらに上述のＣ，Ｈ
ａｎｓｃｈらによって提唱されている疎水性パラメータ
、π、が−０，５ないし１５の範囲の値の置換基を有し
ていてもよい。

Ｒ’　、Ｒ”、Ｒ５もしくはＲ％　／が置換基を有する
場合において特に好ましい置換基は、ハロゲン原子（Ｆ
　ｓ　　ｃ１％　Ｂｒｓ　ｘ　）　、置換もしくは無置
換のフェニル基（例えばフェニル、ｍ−クロロフェニル
、ｐ−メチルフェニルなど）、アルキルチオ基（例えば
メチルチオ、ブチルチオなど）、置換もしくは無置換の
フェニルチオ基（例えばフェニルチオ、ｐ−クロロフェ
ニルチオ、ｍ−メチルフェニルなど）である。

Ｒ’　、Ｒ４′、Ｒ’またはＲ５′で表わされる基のう
ち特に好ましいものは、炭素原子数２ないし８の無置換
アルキル基または炭素原子数２ないし８の無置換アルケ
ニル基であり、その中でもＲ２Ｈ”、Ｒ’及びＲ％　／
が同一のものが最も好ましい。

ｚ、ｚ’で表わされる原子群の例としては、ベンゼン環
、ナフタレン環、アンスラセン環を完成するための原子
群が挙げられ、好ましいものはベンゼン環、ナフタレン
環を完成するための原子群であり、さらにＲ’　％　Ｒ
”、ＲＳ及びＲＳ　ｌ上の置換基として述べた置換基を
有していてもよい。

ｚ、ｚ’が置換基を存する場合において、特に好ましい
置換基は、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ１，Ｂｒ。

■）、置換もしくは無置換のフェニル基（例えばフェニ
ル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−メチルフェニルなど）、
アルキルチオ基（例えばメチルチオ、ブチルチオなど）
、置換もしくは無置換のフェニルチオ基（例えばフェニ
ルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メチルフェニル
チオなど）、置換もしくは無置換のアルキル基（例えば
メチル、トリフルオロメチル、ｔｅｒ　ｔ−アミルなど
）、シアノ基、アルコキシカルボニル基（例えばプロポ
キシカルボニル、ブトキシカルボニル、ベンジルオキシ
カルボニル、デシルオキシカルボニル、２−エチルへキ
シルオキシカルボニルなど）、アルキルもしくはアリー
ルスルホニル基（例えばブタンスルホニル、フェニルス
ルホニル、オクタンスルホニルなど）である。

ｚ、ｚ’で表わされる原子群のうち特に好ましいものは
、パノットのシグマ定数が−０，２ないし＋０．７であ
るような比較的電子供与性が弱い置換基を有するベンゼ
ン環を形成するための原子群であり、その中でもＦＳ　
Ｃ２，Ｂｒ、１などのハロゲン原子で置換されたベンゼ
ン環を形成するための原子群が好ましい。

Ｌｌで表わされる三価の基は置換もしくは無置換のメチ
ン基、または３．５、もしくは７個の置換もしくは無置
換のメチン基が共役二重結合により連結されて生じる連
結基を表わすが、特に−形成（ａｌないしくｉｌで表わ
されるものが好ましい。

−形成（ａｌ −Ｃ＝ 一般式（ｂｌ −ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ＝ 一般式（Ｃ１ 一般式（ｄ） 一般式（ｅ） −形成（ｆ） 一般式（沿 −ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ 一般式（ｈｌ −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝一般式（
ｉｌ −ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ＝ −ＪＧ式（ａ）ないしく１１においてＹは水素原子また
は１価の基を表わす。この場合、１価の基としては、メ
チル基などの低級アルキル基、置換もしくは無置換フェ
ニル基、ベンジル基などのアラルキル基、メトキシ基な
どの低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、
イミダゾリジノ基、エトキシカルボニルピペラジノ基な
どのジ置換アミノ基、アセトキシ基などのアルキルカル
ボニルオキシ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、
シアノ基、ニトロ基、ＦＳ　Ｃ１１Ｂｒなどのハロゲン
原子などであることが好ましい。

なおＬ′で表わされる連結基のうち特に好ましいものは
（ａｌ、（ｂｌ、（ｈ）、（ｉ）で表わされるものであ
る。

Ｘｌ−で表わされる陰イオンは、陽イオン部分の電荷を
中和するのに必要な数の陰電荷を供給するためのもので
あって、１価もしくは２価のイオンである。

Ｘｌ−で表わされる陰イオンの例としては、０１Ｂｒ−
ｒ−などのハロゲンイオン、Ｓ０４ト、Ｈ３Ｏ４−１Ｃ
Ｈｘ　ＯＳ　Ｏ３−などのアルキル硫酸イオン、パラト
ルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−１，５−ジスル
ホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロ
メタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオンな
どのスルホン酸イオン、酢酸イオン、ｐ−クロロ安息香
酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオン、
コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、ＰＦ、−１Ｂ
Ｆ、−１Ｃ１０４−ｒ　ｏ４−　、タングステン酸イオ
ン、タングストリン酸イオンなどのへテロポリ酸イオン
、Ｈ，ＰＯ，−、ＮＯ，−、ピクリン酸イオンなどのフ
ェノラートイオンなどが挙げられる。

Ｘ、−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、Ｃ
ｊ２−　、Ｂｒ−Ｉ　−、ＣＨ３ＯＳ　Ｏ！−ＣｚＨｓ
Ｏ３Ｏｚ−、パラトルエンスルホン酸イオン、ｐ−クロ
ロベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン
、ブタンスルホン酸イオン、ナフタレン−１，５−ジス
ルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン
などのパーフルオロスルホン酸イオン、Ｐ　Ｆ＆−、Ｂ
　Ｆ、”、（ＪＯ４−などであり、特に好ましいものは
、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ＰＦ６−１Ｃ
１０４〜であり、この中でも、爆発の心配が無い点でト
リフルオロメタンスルホン酸イオンとＰＦ、−とが最も
好ましい。

次に本発明の一般式（１）で表わされる色素の具体例を
挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。

本発明の一般式（１）で表わされる化合物はたとえば大
有機化学（朝食書店）含窒素化合物１４３２ページなど
の放置に記載された方法を参考にして合成することがで
きる。すなわち−形成（Ａ） （式中、Ｚ’、Ｚ”、Ｑ、　　Ｒ’、Ｒ”は−形成（Ｉ
）における定義と同じ基を表わし、Ｘ′−は陰イオンを
表わす。）で表される四級塩を１．１゜３．３−テトラ
メトキシプロパンあるいはグルタコンアルデヒドなどの
ジアルデヒドや、１，７−ジアザ−１，７−ジフェニル
−１，３，５−へブタトルエンなどのポリメチン源と縮
合させることによって、合成することができる。とくに
イミダゾ（４，５−ｂ）キノキサリン骨格を有する色素
の合成法は米国特許３，４３１，１１１号に記載されて
いる方法を参考にして合成することができる。

一般弐（ｎ）で表わされる化合物において、Ｒ’　％　
Ｒ”　％　Ｒ”　、Ｒ１０％　Ｒ目、およびＲ１！、と
して好ましいものは、水素原子、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ
１，Ｂｒ、Ｉ）ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基
、スルホン酸基、メルカプト基又は以下に述べる炭素原
子数１ないし３０の１価の有機基である。すなわち、置
換もしくは無置換のアルキル基（例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブ
チル、ｎ−アミル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オ
クチル、ｔ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロヘ
キシル、２−メトキシエチル、２−フェノキシエチル、
ｎ−ヘキサデシルなど）、置換もしくは無置換のアリー
ル基（例えばフェニル、トリル、キシリル、エチルフェ
ニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、クロロフ
ェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェニル、α
−ナフチル、β−ナフチル、ｎ−ドデシルフェニルなど
）、置換もしくは無置換の複素環基（例えばピリジル、
キノリル、カルバゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリ
ル、ベンゾトリアゾリル、イミダゾリル、ベンズオキサ
シリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、５−
フェニルベンゾチアゾリルなど）、置換もしくは無置換
のアラルキル基（例えばベンジル、２−フェニルチオ、
２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル、２
−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシベ
ンジル、ニトロベンジル、シアノベンジル、４−ドデシ
ルベンジルなど）、アシル基（例えば、アセチル、プロ
ピオニル、ブチリル、バレリル、ピバロイル、ベンゾイ
ル、トルオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイル、
トリフルオロアセチル、２−エチルヘキサノイル、２−
Ｃ２，４−ジーｔｅｒ　ｔ−アミルフェノキシ）ブチリ
ル、ステアロイルなど）、置換もしくは無置換のアミノ
基（例えば、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチル
アミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイ
ルアミノ、ステアロイルアミノ、ジ（２−ヒドロキシエ
チル）アミノ、エチル−２−メタンスルホンアミドエチ
ルアミノ、ホルモリノ、ピロリジノ、ピペリジノ、メチ
ルスルホニルアミノ、ｐ−ドデシルベンゼンスルホニル
アミノなど）、置換もしくは無置換のスチリル基（例え
ばスチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノ
スチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリ
ル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、置換も
しくは無置換のアルコキシ基（アルキル基部分は上記の
アルキル基と同義）、置換もしくは無置換のアルキルチ
オ基（アルキル基部分は上記のアルキル基と同義）、置
換又は無置換のアリールチオ基（アリール基部分は上記
のアリール基と同義）、置換もしくは無置換の複素環チ
オ基（例えば、２−ピリジルチオ、２−キノリルチオ、
２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチ
オ、１．３−ジエチルベンゾイミダゾール−２−チオイ
ル、５−フェニルベンゾチアゾール−２−チオイル、１
−フェニルテトラゾール−２−チオイル、１−フェニル
イミダゾール−２−チオイル、など）、置換もしくは無
置換のカルバモイル基（例えばカルバモイル基、メチル
カルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカ
ルバモイル基、ヘキサデシルカルバモイル５．２−（３
−フェニルウレイド）エチルカルバモイルなど）、置換
もしくは無置換のアルコキシカルボニル基（例えばエト
キシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシカルボニル基
、ヘキサデシルオキシカルボニル基、２−ドデシルオキ
シエトキシカルボニル基など）、置換もしくは無置換の
アリールオキシカルボニル基（例えばフェノキシカルボ
ニル基、メトキシフェノキシカルボニル基、ニトロフェ
ノキシカルボニル基、２，４−ジーｔｅｒ　ｔ−アミル
フェノキシカルボニル基、ｐ−ドデシルフェノキシカル
ボニル基など）、置換もしくは無置換のアリールアゾ基
（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ
、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、
ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルア
ゾ、スルファモイルフェニルアゾ、ヘキサデシルフェニ
ルアゾ、ドデシルオキシカルボニルフェニルアゾなど）
である。

Ｒ７で表わされる基のうち特に好ましいものとして、水
素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ１、Ｂｒ
、Ｉ）　、炭素原子数１ないし２０の置換もしくは無置
換のアルキル基（例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル
、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−アミル
、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オク
チル、２−エチルヘキシル、シクロヘキシル、２−メト
キシエチル、２−フェノキシエチル、ｎ−ヘキサデシル
など）、炭素数１ないし１０の置換もしくは無置換のア
ルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基等）、炭素原子
数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル基（例
えば、フェニル、トリル、キシリル、エチルフェニル、
メトキシフェニル、エトキシフェニル、クロロフェニル
、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェニル、ｔ−アミ
ルフェニル、ドデシルフェニルなど）、−〇ＣＯＲ″′
（ＲＩｆｆは、置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基、又は置換もしくは無置換
のアラルキル基を表わしこれらの炭素原子数は２０以下
のものである。）、１もしくは２置換あるいは無置換の
アミノ基〔置換基としては、炭素原子数１ないし２０の
置換もしくは無置換のアルキル基、（たとえば、メチル
基、エチル基、イソブチル基、５ｅｃ−ブチル基、２−
メトキシエチル基、２−メタンスルホンアミドエチル基
、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ヘキサデ
シル基など）、炭素原子数１ないし２０のｚｆｆＡもし
くは無置換のアシル基（たとえば、ホルミル基、アセチ
ル基、ベンゾイル基、フェニルアセチル基、トリフルオ
ロアセチル基、２−エチルヘキサノイル基、２−　（２
，４−ジ−ｔ−アミルフェノキシ）ブチロイル基、ステ
アロイル基など）、炭素原子数６ないし２０の置換もし
くは無置換のフェニル基（例えばフェニル基、トルイル
基、ドデシルフェニル基、ｔ−オクチルフェニル基、メ
トキシフェニル基、クロロフェニル基など）、炭素原子
数１ないし２０の置換もしくは無置換のアルキルもしく
は了り−ルスルホニル基（例えばメタンスルホニル基、
ベンゼンスルホニルＬｐ−トルエンスルホニル基、ドデ
シルスルホニル基、オクタンスルホニル基など）が挙げ
られ、これらの置換基は互いに連結して環を形成しても
よい（例えばピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン
環など）。〕を挙げることができる。

Ｒ８、Ｒ９、ＲＩＧ、　Ｒ１１およびＲ′２は特に好ま
しくは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子（Ｆ
、Ｃ２、Ｂｒ、■）、炭素原子数１ないし２０の置換も
しくは無置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソブチル、５ｅｃ−ブチル、ｔ−アミル、２
−メトキシエチル、２−メタンスルホンアミドエチル、
シクロヘキシル、１−オクチル、ｎ−オクチル、２−エ
チルヘキシル、２−メトキシエチル、２−フェノキシエ
チル、ｎヘキサデシルなど）、又は炭素原子数６ないし
２０の置換もしくは無置換のフェニル基（例えばフェニ
ル、トリル、キシリル、エチルフェニル、メトキシフェ
ニル、エトキシフェニル、クロロフェニル、ニトロフェ
ニル、ジメチルアミノフェニル、ｔ−アミルフェニル、
ドデシルフェニルなど）である。

Ｘｚ−で表わされる陰イオン残基の例としては、バーク
ロレート、フルオロボレート、スルフォアセテート、ア
イオダイド、クロライド、ブロマイド、ｐ−トルエンス
ルホネート、アルキルスルホネート（例えばメタンスル
ホネート）、アルキルスルフェート（例えばエチルスル
フェート）、アルキルジスルホネート（例えばエタンジ
スルホネート）、ベンゼンジスルホネート（例えば１，
３−ベンゼンジスルホネート）、ハロスルホネート（例
えばクロロスルホネート）、ビクラート、テトラシアノ
エチレンアニオン、テトラシアノキノジメタンアニオン
、ベンゾトリアゾール−５−スルホネート、４−（２−
メチルチオテトラゾール−１−イル）ベンゼンスルホナ
ート、アセテート、ベンゾエート、硫酸イオン、オキサ
レート、フマレート、ホルメートなどが挙げられ、これ
らは、ｐ、、　Ｒ？　、Ｒｅ　、Ｒ９、Ｒ１０，ＲＩＩ
、Ｒｅ２又はＲｌ　３で表わされる基土に置換すること
が可能な場合には、分子内塩を形成してもよい。

Ａで表わされる有機基として好ましいものは、下記−形
成（１）ないしく１２）で表わされるものである。

一般式（１） （式中Ｒ７〜ＲＩ２は一般式（ＩＩ）における定義と同
義の基を表わす。） 一般式（３） （式中Ｒ７〜ＲＩ２は一般式（ＩＩ）における定義と同
義の基を表わす。） 一般式（２） （式中、Ｒ７ないしＲ”は−形成（ＩＩ）における定義
と同義の基を表わし、Ｒ１４は水素原子、ニトロ基、シ
アノ基、炭素原子数１ないし２０のアルキル基（例えば
メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）、炭素原子数
６ないし２０のアリール基、（例えばフェニル、トリル
、キシリル、ドデシルフェニルなど）、又は炭素原子数
７ないし２０のアラルキル基（例えばベンジル、フヱニ
ルエチル、メトキシベンジル、ｔ−アミルベンジルなど
）を表わし、ｎは０．１、又は２を表わす。）−形成（
４） （式中Ｒ７〜Ｒ”、およびＸｔ−は−形成（ＩＩ）にお
ける定義と同義の基を表わし、Ｒ７／はＲ７と同義（７
）基を表ｔ）Ｌ、Ｒ”’　〜Ｒ′！’　はＲ”　〜Ｒ”
”ｉ？表わされる基と同義の基を表わす。） −形成（６） （式中Ｒ７ないしＲｅ２、およびＸ２−は−形成（ｎ）
における定義と同義の基を表わす。）−形成（５） ％式％ （式中２３は５もしくは６員の複素環を形成するのに必
要な非金属原子団を表わし、ＲＩＳは置換又は無置換の
アルキル基、置換又は無置換の了り−ル基、又は置換又
は無置換のアラルキル基、アリール基を表わし、ｍは０
又は１を表わす。）Ｚ３によって形成される複素環のう
ち好ましいものは、ピリジン、チアゾール、ベンゾチア
ゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオ
キサゾール、ナフトチアゾール、イミダゾール、ベンズ
イミダゾール、ナフトイミダゾール、２−キノリン、４
−キノリン、イソキノリン、インドール、インドレニン
などの含窒素複素環であり、これらの複素環は、ハロゲ
ン原子（Ｆ、Ｃ１，Ｂｒ。

■）、置換又は無置換のアルキル基（メチル基、エチル
基、スルホエチル基、スルホプロピル基、スルホブチル
基、ヒドロキシエチル基、プロピニル基、イソプロピル
基、オクチル基、ヘキサデシル基、メトキシエチル基、
ｔ−アミル基など）、置換又は無置換の了り−ル基（フ
ェニル基、トリル基、キシリル基、クロロフェニル基、
メトキシフェニル基など）、置換又は無置換のアラルキ
ル基（ヘンシル基、２−フェニルエチル基、３−フェニ
ルプロピル基、α−ナフチルメチル基、メチルベンジル
基、クロロベンジル基、メトキシベンジル基など）、置
換又は無置換のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エ
トキシ基、４−スルホブトキシ基、３−スルホプロピル
基、など）、ニトロ基、ヒドロキシ基、又はカルボキシ
ル基で置換されていてもよい。

これらの複素環のうち特に好ましいものは、Ｎ−アルキ
ルもしくはＮ−置換アルキルのベンゾチアゾール環、同
じくベンゾイミダゾール環、２−もしくは４−キノリン
環、インドール環である。

−形成（７） ％式％ （式中Ｒ”は置換又は無置換の了り−ル基を表わす。）
。

Ｒ′ｂで表わされる基のうち特に好ましいものは、炭素
原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル基
、又は炭素原子数１０ないし３０の置換もしくは無置換
のナフチル基である。その具体例としては、フェニル、
トリル、キシリル、ビフェニル、α−ナフチル、β−ナ
フチル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、トリ
メトキシフェニル、エトキシフェニル、ジェトキシフェ
ニル、クロロフェニル、トリクロロフェニル、ブロモフ
ェニル、ジブロモフェニル、トリブロモフェニル、メチ
ルフェニル、ジエチルフェニル、ニトロフェニル、アミ
ノフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジベンジルアミ
ノフェニル、ジプロピルアミノフェニル、モルホリノフ
ェニル、ピペリジニルフェニル、ピペラジニルフェニル
、ジフェニルアミノフェニル、アセチルアミノフェニル
、ベンゾイルアミノフェニル、アセチルフェニル、ベン
ゾイルフェニル、シアノフェニルメタンスルホンアミド
フェニル、ジ（２−ヒドロキシエチル）アミノフェニル
、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−メタンスルホンアミドエチル
）アミノフェニル、４−ジメチルアミノ−２−メチルフ
ェニルなどを挙げることができる。

一般式（８） ％式％ （式中Ｒ１１は５又は６員の複素環から誘導される１価
の基を表わす。） Ｒ”で表わされる複素環基のうち好ましいものは、ピリ
ジン、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾール、
ベンゾオキサゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサ
ゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイ
ミダゾール、２−キノリン、４−キノリン、イソキノリ
ン、インドール、インドレニン、フラン、チオフェン、
ベンゾフラン、チオナフテン、ジベンゾフラン、カルバ
ゾール、フェノチアジン、フェノキサジン、１゜３．４
−チアジアゾール、Ｌ　　３．４−）リアゾール、１．
３．４−オキサジアゾール、ピラゾール、およびこれら
の置換体である。

これらの複素環基のうち特に好ましいものは、無置換又
は以下の置換基で置換された炭素原子数３０以下の複素
環基である。置換基の例としては、ヒドロキシ基、ハロ
ゲン原子（ＦｌＣｌ、Ｂｒｓ　Ｉ）、ニトロ基、カルボ
キシル基、スルホン酸基、炭素原子数１ないし２０の置
換又は無置換の、アルキル基（置換基の種類としては、
Ｆ、Ｃ７！、Ｂｒ、、１１シアノ基、カルボキシル基、
ヒドロキシ基、スルホ基、アルコキシ基、置換又は無置
換のフェノキシ基、など）、炭素原子数６ないし２０の
置換又は無置換のフェニル基（置換基としては、Ｆ、Ｃ
ｊｌ！、Ｂｒ、Ｉ、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基
、カルボキシル基、スルホ基、アルコキシ基、スルホン
アミド基、カルボンアミド基、スルファモイル基、カル
バモイル基など）、カルボンアミド基、スルホンアミド
基、カルバモイル基、スルファモイル基、カルボン酸エ
ステル基、ウレイド基などが挙げられる。

一般式（９） ％式％ （式中Ｒ１１＋は水素原子、アルキル基、又はアリール
基を表わし、Ｒ１“は既に定義したものと同義の基を表
わす。） Ｒ１＆の好ましいものは既に説明したものと同義である
。ＲＩａで表わされる基のうち好ましいものは、水素原
子、炭素原子数１ないし２０のアルキル基（例えばメチ
ル、エチル、プロピル、ブチルなど）、炭素原子数６な
いし２０の置換もしくは無置換のアリール基（例えばフ
ェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、エチルフェニ
ル、クロロフェニル、ニトロフェニル、アミノフェニル
、ジメチルアミ゛ノフェニル、α−ナフチル、β−ナフ
チル、アントリル、ピレニルなど）である。

ＲＩａで表わされる基のうち特に好ましいものは水素原
子、炭素原子数１ないし１７のアルキル基、または炭素
原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル基
である。

一般式（１０） ％式％ （式中、Ｒ１＆は既に定義したものと同義の基を表わす
。） 一般式（１１） （式中、Ｚ４は置換されていてもよいビラン、チアピラ
ン、セレナビラン、ベンゾビラン、ベンゾチアピラン、
ベンゾセレナビラン、ナフトピラン、ナフトチアピラン
又はナフトセレナビラン、テルラビラン、ペンゾテルラ
ピラン、ナフトテルラビラン環を完成するのに必要な原
子団を表わす。２はＯ又は１を表わす。Ｒ１９およびＲ
２０は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、スチリル基、４−フェニル−１，３−ブタジェニ
ル基、複素環基を表わし、これらの基は置換基を有して
いてもよい。Ｙｌは、０、Ｓ、又はＳｅを表わす。） −Ｓ式（１１）で表わされる基のうち好ましいものは、
Ｚ４がビラン、チアピラン、ベンゾビラン、ベンゾチア
ピラン環を形成するのに必要な原子団を表わし、ｌが１
又は２を表わし、Ｙｌが、０又はＳを表わし、ＲＩ９お
よびＲ２６が互いに独立に、水素原子、炭素原子数１な
いし２０の直鎖、分岐、もしくは環状のアルキル基、炭
素原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル
基（置換基としては、Ｆ、　　Ｃｊ！、Ｂｒ、　　Ｉ、
アルキル基、アルコキシ基、カルボンアミド基、カルバ
モイル基、スルホンアミド基、スルファモイル基、ウレ
イド基、カルボン酸エステル基など）、炭素原子数８な
いし２０の置換もしくは無置換のスチリル基（例えばス
チリル、ｐ−メチルスチリル、０−クロロスチリル、ｐ
−メトキシスチリルなど）、又は置換もしくは無置換の
５又は６員の複素環基（キノリル、ピリジル、フリル、
カルバゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、オキサシリ
ル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオ
キサシリル、１，３．４−チアジアゾリル、１，３゜４
−オキサジアゾリル、又は１，３．４−トリアゾリル）
であるものである。

一般式（１２） （式中、Ｒ２１〜Ｒ２’ｒは一般式（ＩＩ）におけるＲ
７〜Ｒ”と同義の基を表わす。ｍはＯｌｌ、または２か
ら選ばれる整数を表わす。） 以下に本発明で用いる一般式（Ｉｆ）で表わされるアザ
アズレニウム塩化合物の具体例を示すが、本発明の範囲
はこれらのみに限定されるものではない。

一記一般式（１）で　わされる他人　のＩＩ−１ Ｈ３ Ｈ３ ■−５ ■−１α ■ で わ れる の ２ＣＮ　Ｏ，− ＯＣＨ。

υし１１！ ■−２６ ２Ｃ１）４．− で わされる の ＣＨ３ で わ れる の ｔＨｓ Ｈ３ 記− 式（９） わされる他人 の （１１）で わされる の （１０）で わ れる の （１２）で　わされる　人　の Ｂｒ 一般式（ＩＦ）で表わされる化合物のうち、−形式（１
）および（２）で表わされるＡを有する化合物は、Ａｎ
ｇｅｗａｎｄｔｅ　Ｃｈｅｍｉｅ　、　７８巻、１ｌｈ
２Ｑ、ｐ、９３７（１９６６年）に記載されている方法
と同様にして、アザアズレン化合物とスクワリック酸又
はクロコン酸を適当な溶媒中で反応させることによって
得ることができる。アザアズレン化合物は、野副、Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｉｎｄｕｓｔｒｙ、　　ｐ１
３５７〜ｐ１３５８（１９５４）に記載の方法で合成す
ることができる。−形式（３）で表わされるＡを有する
化合物においてｎ＝ｏの化合物はＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ
　ｔｈｅ　ＣｈｅＩＩＩｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、ｐ５
０１　（１９６０年）に記載されている１−フォルミル
アズレン化合物とアズレン化合物のかわりにそれぞれ対
応するアザアズレン化合物を用い１５強酸存在下、適当
な溶媒中で反応させることによるか、または、Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔ
ｙ、ｐ、１７２４〜ｐ、ｌ　７３０　（１９６１年）記
載の様に１−エトキシメチレンアズレニウム塩とアズレ
ン化合物の代りに対応するアザアズレン化合物を用い、
これらを適当な溶媒中で反応させることによるか、ある
いはＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅＣｈｅｍｉｃａｌ　
５ｏｃｉｅｔｙ、　ｐ、　３５７９〜３５９３　（１９
６１年）記載の様に２−ヒドロキシメチレンシクロヘキ
サノンとアザアズレン化合物とを強酸存在下、適当な溶
媒中で加熱することによって得られる。

−形式（３）においてｎ＝１及びｎ＝２の化合物はＪｏ
ｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃ
ｉｅｔｙ＋　　ｐ、　３５７９〜ｐ、３５９２（１９６
１年）の記載を参考にして、アザアズレン化合物とマロ
ンジアルデヒド類又はグルタコンジアルデヒド類とを強
酸存在下適当な溶媒中で反応させることによって得られ
る。−形式（４）で表わされるＡを有する化合物は、Ｊ
ｏｕｒｎａｌｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃ
ｉｅｔｙ＋ｐ、　３５８８　（１９６１年）の記載を参
考にして、強酸存在下にアザアズレン化合物とグリオキ
サールとを適当な溶媒中で加熱することによって容易に
得られる。

−形式（５）で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ、　ｐ、　　５０１（１９６０年）の記載を参考
にして、強酸存在下１．３−シフオルミルアズレン化合
物とアザアズレン化合物とを適当な溶媒中で加熱するこ
とにより得られる。

一般式（６）で表わされるＡを存する化合物は、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ　ｐ＋１６３〜ｐ、１６７（１９６１年）の記載
を参考にして、３−ホルミルアザアズレン化合物と活性
メチル基を有する複素環４級アンモニウム塩化合物とを
適当な溶媒中で加熱することにより得られる。

−形式（７）、（８）、（９）および０〔で表わされる
Ａを有する化合物は、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙｐ、１１１０−ｐ、
１１１７（１９５８年）　、Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　ｔｈ
ｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　％　１１．４
９４〜ｐ、　５０１（１９６０年）、及びＪｏｕｒｎａ
ｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ５ｏｃｉｅｔｙ１
ｐ、３５７９〜ｐ、３５９３　（１９６１年）の記載を
参考にしてアザアズレン化合物と、対応するアルデヒド
化合物とを強酸の存在下、適当な溶媒中で反応させるこ
とにより得られる。

−形式αυで表わされるＡを有する化合物は、３−フォ
ルミルアザアズレン化合物と一形成〇３で表わされる化
合物とを溶媒中で反応させることにより得られる。

一般式（１３） （式中Ｚ’　、Ｙ、　、Ｒ”、Ｒ”５Ｘ２−及び２は前
記定義したものと同一の定義を有する。）これらの合成
反応に用いられる反応溶媒としては、エタノール、ブタ
ノール、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセ
トニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、酢酸な
どの有機カルボン酸類、無水酢酸などの酸無水物、ジオ
キサン、テトラヒドロフランなどの脂環式エーテル類、
などがあげられる。また、ブタノール、ベンジルアルコ
ールなどにベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素を
混合して用いることもできる。反応中の温度は室温〜沸
点の範囲から選択できる。

−形成側で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕｒｎ
ａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔ
ｙ　％　＋３．５０１（１９６０年）に記載の様に１−
ホルミルアズレン化合物とアザアズレン化合物を、強酸
存在下適当な溶媒中で反応させることにより得られる。

合成例１　（化合物■−３４の合成） ４−Ｎ、Ｎ−ジメチルベンズアルデヒド４ｇ、シクロへ
ブタ（ｂ）ピロール−２（ＬＨ）−オン（以下１−アザ
アズレンと称す。）４．１ｇ及び・ヨウ化ナトリウム４
゜１４ｇをメタノール１００ｍｊ！に溶解した。この溶
液にｐ−）ルエンスルホン酸・１水和物５．３ｇを加え
１時間加熱攪拌した。室温まで冷却した後生成物を濾取
し、メタノール１００ｍ７！及びアセトン１００ｎ＋ｊ
’で洗浄し、乾燥した。４．４ｇのアザアズレニウム塩
ｎ−３４を得た。収率３７％。融点２８０°Ｃ以上可′
ｆ１１収スペクトル（アセトニトリル中）吸収極大波長
：６１８ｎｍ 天１立捉位 Ｃ＋ａＨ＋ｔＮｚｌＯとして 計算値　Ｃ，５３，４８Ｚ　　Ｈ，４，２ｔＸ　　Ｎ、
６．９３＄　　１．３１．３９％実測値　Ｃ，５３，６
４χ　Ｈ，４，０９？４　　Ｎ、６．９０χ　Ｉ、３１
．２１χ合成例２　（化合物■−４４の合成） ４−Ｎ、Ｎ−ジメチルシンナムアルデヒド８．７５ｇ及
び１−アザアズレン７．２５　ｇをエタノール２００ｎ
＋ｊ！に溶解した。この溶液に５７％ヨウ化水素酸２２
．５　ｇを滴下し、室温で１時間撹拌した後、４時間加
熱還流した。室温まで冷却した後、生成物を濾取し、メ
タノール１００ｍｊ２及びアセトン１００ＩＩ１１で洗
浄し乾燥した。９．３５ｇのアザアズレニウム塩を得た
。収率４３％。融点２８０℃以上。

可ｉ収スペクトル（アセトニトリル中）吸収極大波長ニ
ア２１ｎｍ デ」υ目１１ Ｃ２０ＨＩ９Ｎ２１０として 計算値　Ｃ，５５，８３χ　Ｈ，４，４５χ　Ｎ、６．
５１％　　Ｉ、２９．４９％実測値　Ｃ，５５，９６χ
　Ｈ，４，４９χ　Ｎ、６．２８χ　１，２９．２０χ
本発明の光記録媒体において、−形式（Ｉ）で表わされ
る色素と一般式（Ｉ［）で表わされる色素の使用割合は
、好ましくは、モル比で１００？１〜１：１０、さらに
好ましくは２０：１〜１：５、最も好ましくは１０：１
〜２：１である。それぞれ色素は単独で用いても、２種
以上併用してもよく、あるいは本発明の色素以外の色素
と併用して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため
種々の酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用する
ことも有効である。また、種々の樹脂を併用してもよい
。

あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。

本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ｎ１％　ＣＯ，Ｃｕｓ　ｐａ、
　ｐｔなどである。

新規なりエンチャーの例としては特開昭６２−１７４７
４１号公報記載の次の一般式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）
で示されるものがあげられる。

（式中、（Ｃａ　ｔ　＋　）および［Ｃａｔｚ）は錯体
を中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、Ｍｌお
よびＭ２はニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは
白金を示す。ｎは１または２を示す。）前記−形式（Ｉ
ＩＩ）または（ＩＶ）で表わされる化合物において、（
Ｃａｔ＋）または（Ｃａｔ、）で表わされる陽イオンの
うち無機陽イオンとしては、アルカリ金属（たとえば、
Ｌｒ、Ｎａｘ　Ｋなど）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、　
Ｃａ５Ｂａなど）もしくはＮＨ，°をあげることができ
る。

また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。

前記一般式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表わされる化合
物においてＭ、またはＭ２を好ましい順に挙げるとニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。

一般式（ＩＩ［）または（ＩＶ）の金属錯体は平面四配
位の立体構造を有する。なお−形式（ＩＶ）の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
（ＥＶ）のように表わす。

前記−形式（Ｉ［［）または（ＩＶ）で表わされる化合
物は次のようにして合成することができる。

−形式（ＩＩ［）　　（ｎ＝２）の化合物は二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウムー１．
３−ジチオール−２−チオン−４，５−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。

又、−形式（ＤＩ）　　（ｎ＝１）の化合物は、上で得
られた錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られ
る。

一般式（ＴＶ）　　（ｎ＝２）の化合物は、先ず、二硫
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム
ー１．３−ジチオール−２−チオン−４゜５−ジチオレ
ートを、約１３０℃に加熱してジソデイウムー１，２−
ジチオール−３−チオン−４゜５−ジチオレートに異性
化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイル
を反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアル
カリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。

又、−形式（ＩＶ）　　（ｎ＝１）は上で得られた錯体
（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。

−形式（ＩＩＩ）または（ｒＶ）の化合物を得るための
中間体である１、３−ジチオール−２−チオン−４，５
−ジチオレートアニオンは、上記の如くＮａによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られる。

前記−形式（ＩＩ［）で表わされる化合物のうち好まし
いものを例示すれば次の通りである。

その他のクエンチャ−としては特開昭５９−１７８２９
５号に記載されている以下の化合物などが挙げられる。

（ｉ）ビスジチオ−α−ジケトン系 Ｒ３１〜Ｒ３４はアルキル基、アリール基、アルキルチ
オ基、了り−ルチオ基またはシアノ基を表わし、Ｍは２
価の遷移金属原子を表わす。

（ｉｉ）ビスフエニルジチオール糸 目 目 口 目 Ｒ３Ｓ、Ｒ”はアルキル基、シアノ基またはハロゲン原
子を表わし、Ｍは２価の遷移金属原子を表わす。

（ｉｉｉ　）アセチルアセトナートキレート系（１ｖ）
ジチオカルバミン酸キレート系（Ｖ）ビスフェニルチオ
ール系 （ｖｌ）チオカテコールキレート系 （ｖｉｉ　）サリチルアルデヒドオキシム系（ｖｉｉｉ
　）チオビスフェルレートキレート系（１ｘ）亜ホスホ
ン酸キレート系 （Ｘ）ヘンシェード系 （ｘｉ）　ヒンダードアミン系 （ｘｉｉ）遷移金属塩 この他人式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製ＩＲＧ−００２、ＩＲＧ００３、ＩＲＧ−０２２
、ＩＲＧ−０２３が挙げられる。

Ｎｌ？２ （式中Ｒはアルキル基又は了り−ル基を表わす。）本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。

クエンチャ−は前記色素１モルあたり、−Ｃに０．０５
〜１２モル、好ましくは０．１〜１．２モル使用される
。

クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。

基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。その形状
はディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状
など種々のものが可能である。

ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記！３層同士を内側にして２枚の記録媒体を
対向させたいわゆるエアーサンドインチ構造にすること
も可能である。

本発明における記録層の形成は、例えば、色素およびク
エンチャ−を有機溶剤（例えばメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、２゜２．３．３−テトラフ
ルオロプロパツールなどのフッ素化アルコール類、ジク
ロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど）に溶解し
、必要に応じて適当なバインダー（例えばＰＶＡ、ＰＶ
Ｐ、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロ
セルロース、ポリビニルホルマール、メチルビニルエー
テル、塩素化パラフィン、無水マレイン酸共重合体、ス
チレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂）を加え
、この溶液を塗布（例えばスピンコード）することによ
って行なえるし、又は色素とクエンチャ−を共蒸着する
かあるいは色素を真空蒸着したのち、クエンチャ−を塗
布することによって行なえる。バインダーを使用する場
合には、バインダーの重量は色素重量の０．０１〜２倍
が好ましい。また色素をいわゆるラングミュア−プロジ
ェット法により薄膜として用いることもできる。

本発明における記録層は１層又は２Ｎ以上設ける。

記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。

記録層の膜厚は、通常０．０１μｍ〜２μｍ、好ましく
は０．０２〜０．８μｍの範囲である。

半導体レーザまたはＨｅ　−Ｎｅレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。

反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。

例えば水溶性樹脂（ＰＶＰ、ＰＶＡなど）に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、５０　”Ｃ〜１５０°Ｃ好ましくは６
０°Ｃ〜１００℃で加熱乾燥させることによって形成さ
れる。

樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で０．
１〜１０好ましくは０．５〜１．５である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が０．０１〜０．１μｍで
ありそして光吸収層が０．０１〜１μｍの範囲が適当で
ある。

金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、恨シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、次亜燐酸
塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンポランなど
を使用できる。

還元剤は金属塩または金属錯塩１モルに対し０．２〜１
０モル好ましくは０．５〜４モルの範囲で使用できる。

本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ（例
えば半導体レーザ、Ｈｅ　−Ｎｅレーザなど）などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピント
（穴）が形成される。

また情報の読み出しはレーザビームを記録の闇値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。

以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。

実施例１ 表１に示す化合物の１％２，２．３．３−テトラフルオ
ロプロパツール溶液を射出成形した溝付ポリカーボネー
ト板（１，６μピンチ、深さ７５０人）にスピンコード
して乾燥した。こうして作成した記録媒体に下記の条件
で記録、再生を行った。

結果を表１に示した。この表から本発明の記録媒体（試
料番号１０〜２３）は高反射率を示すと同時に高いＣ／
Ｎを与えることがわかる。なお−形式（１）で表わされ
る化合物と併用する色素（−形式（Ｉｆ）で表わされる
色素など）と−形式（１）で表わされる色素との混合比
は１：４であった。

記録及び再生条件 レーザー　　　　：半導体レーザ（ＧａＡ　７！Ａｓ）
レーザーの波長　：８３０ｎ＋＋＋ ビーム径　　　　＝１．６μｍ 線　　　速　　　　　　：　　５　ｍ　／　ｓ記録パワ
ー　　　：２〜１０ｍＷ 記録周波数　　　：２．５ＭＨｚ 記録デユーティ−＝５０％ 再生パワー　　　：０．４ｍＷ 比較化合物Ａ 〔発明の効果〕 本発明の光情報記録媒体は、情報の読み取り及び記録に
用いるレーザー光線に対して、反射率が高く、しかも記
録に充分なほど高い吸収率を有す゛るため高いＣ／Ｎを
示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも１種の下記一般式（ I ）で表わされる色素
   と少なくとも１種の下記一般式（II）で表わされる色素
   とを同一基板上に担持せしめたことを特徴とする、レー
   ザー光線を用いて記録、再生、あるいは消去を行なうた
   めの光情報記録媒体。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし、Ｚ＾１およびＺ＾２は、アルキル基、アリー
   ル基、またはアルケニル基を表わし、これらは互いに同
   一でも異なっていても、あるいはＺ＾１とＺ＾２とが互
   いに連結して環を形成しても良く、Ｑは、ＮまたはＣ−
   Ｒ＾６（Ｒ＾６は水素原子、アルキル基またはアリール
   基）を表わし、 Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は、アルキル基、アリール
   基またはアルケニル基を表わし、互いに同一でも異なっ
   ていても、あるいはこれらの少なくとも一つの基がＬと
   連結して環を形成しても良く、Ｘ＿１＾−は陰イオンを
   表わし、 ＧはＮ−Ｒ＾３と連結して５または６員環を形成するた
   めの基を表わし、そして Ｌは１、３、５又は７個のメチン基または置換メチン基
   が共役二重結合を形成するように連結されて形成される
   三価の基を表わす〕 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中　Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１
   ＾１、およびＲ＾１＾２は水素原子、ハロゲン原子、又
   は１価の有機残基を表わし；Ａは２重結合によって結合
   した２価の有機残基を表わし；Ｘ＿２＾−は陰イオン残
   基を表わす、ただしＸ＿２＾−は陽電荷を中和するのに
   必要な数だけ存在し、Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１
   ＾０、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、又はＡ上に結合して分
   子内塩を形成していてもよい。Ｒ＾８とＲ＾９、Ｒ＾９
   とＲ＾１＾０、Ｒ＾１＾０とＲ＾１＾１、Ｒ＾１＾１と
   Ｒ＾１＾２の組合わせのうち、少なくとも１つの組合せ
   で芳香族炭素環又は芳香族複素環を形成してもよい。〕