JPS63102990A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ヒートモードの光記録媒体に関し、更に詳細
には、新規色素とクエンチャ−を含む光記録媒体に関す
る。

〔従来の技術〕

ヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利用す
るものであり、たとえばレーザ°−等の記録光で媒体の
一部を融解、除去等してビットを形成することにより情
報を記録し、このピットを読み出し光で検出して記録の
読み出しを行うピット形成タイプのものがよく知られて
いる。

このような光記録媒体の記録層には各種の色素、あるい
は色素と樹脂を組み合わせたものが使用されている。し
かしこのような光記録媒体はくりかえしの消去や、読み
出し光のくりかえし照射によって、あるいはまた長期保
存によって、感度やＣＺＮ比が低下するという欠点があ
る。そこで、色素の光安定性を向上させ、特に読み出し
光による脱色（再生劣化）を防止するために、色素とク
エンチャ−を併用することが提案されている（たとえば
特開昭６０−１６２６９１．６０−２０１９８８．６０
−２０３４８８．６Ｏ−２５７２９０）。

しかしこれらのクエンチャ−を併用してもなお、光記録
媒体の読み出し光に対する耐久性、あるいは長期保存安
定性は、実用上十分満足すべきものとはいえなかった。

（発明が解決しようとする問題点） したがって本発明の目的は、読み出し光のくりかえし照
射に対して耐久性があり、しかも保存安定性に優れた光
記録媒体を提供することである。

（問題点を解決するための手段） 本発明の目的は、基板上に、下記一般式（Ｉ＞で表わさ
れる色素と、クエンチャ−を担持せしめてなる光記録媒
体により達成された。

一般式（Ｉ） 〔式中　Ｒｌ　、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｓ　、およびＲ
６は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機残基を表
わし；Ａは２重結合によって結合した２価の有機残基を
表わし；Ｘｏは陰イオン残基を表わす。ただしＸＯは陽
電荷を中和するのに必要な数だけ存在し、ＲＩ　ＳＲ２
、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５ｓＲ６、又はＡ上に結合して分子内
塩を形成していてもよい。又Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、
Ｒ１とＲ６、Ｒ５とＲ６の組合わせのうち、少なくとも
１つの組合せで置換又は無置換の芳香族炭素環又は芳香
族複素環を形成してもよい。〕 一般式（Ｉ）で表わされる化合物にふいて、Ｒｌ　、Ｒ
２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６、として好ましいも
のは、水素原子、ハロゲン原子（ＦＳＣ６、ＢｒＳ　Ｉ
）ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、スルホン酸
基、メルカプト基又は以下に述べる炭素原子数１ないし
３０の１価の有機基である。すなわち、置換もしくは無
置換のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチノヘｎ−ア
ミル、ｔ−アミノベｎ−ヘキシノペｎ−オクチル、ｔ−
オクチル、２−エチルヘキシル、シクロヘキシル、２−
メトキシエチル、２−フェノキシエチル、ｎ−ヘキサデ
シルなど）、置換もしくは無置換のアリール基（例えば
フェニル、トリル、キシリノペエチルフェニル、メトキ
シフェニル、エトキシフェニル、クロロフェニル、ニト
ロフェニル、ジメチルアミノフェニル、α−ナフチル、
β−ナフチル、ｎ−ドデシルフェニルなど）、置換もし
くは無置換の複素環基（例えばピリジル、キノリル、カ
ルバシリ／ｌｚ、フリル、チェニル、ピラゾリル１、ベ
ンゾトリアゾリル、インダゾリル、ベンズオキサシリル
、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾＩＪ）ぺ５−フェ
ニルベンゾチアゾリルなど）、置換もしくは無置換のア
ラルキル基（例えばベンジル、２−フェニルエチル、２
−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル、２−
ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシベン
ジノペニトロペンジノペシアノベンジル、４−ドデシル
ベンジルなど）、アシル基（例えば、アセチル、プロピ
オニル、ブチリル、バレＩＪ　）ペピバロイル、ペンゾ
イノベ　トルオイル、ナフトイノベフタロイル、フロイ
ル、トリフルオロアセチル、２−エチルヘキサノイル、
２−（２，４−ジーｔｅｒｔ−アミルフェノキシ）ブチ
リル、ステアロイルなど）、置換もしくは無置換のアミ
ノ基（例えば、メチルアミ八ジメチルアミン、ジエチル
アミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイ
ルアミノ、ステアロイルアミノ、ジ（２−ヒドロキシエ
チル）アミン、エチル−２−メタンスルホラアミドエチ
ルアミノ、モルホリノ、ピロリジノ、ピペリジノ、メチ
ルスルホニルアミノ、ｐ−ドデシルベンゼンスルホニル
アミノなど）、置換もしくは無置換のスチリル基（例え
ばスチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノ
スチリノペジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリ
ル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、置換も
しくは無置換のアルコキシ基（アルキル基部分は上記の
アルキル基と同義）、置換もしくは無置換のアルキルチ
オ基（アルキル基部分は上記のアルキル基と同義）、置
換又は無置換のアリールチオ基（アリール基部分は上記
のアリール基と同義）、置換もしくは無置換の複素環チ
オ基（例えば、２−ピリジルチオ、２−キノリルチオ、
２−ペンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチ
オ、１．３−ジエチルベンゾイミダゾール−２−チオイ
ル、５−フェニルベンゾチアゾール−２−チオイル、１
−フェニルテトラゾール−２−チオイル、１−フェニル
イミダゾール−２−チオイル、など）、置換もしくは無
置換のカルバモイル基（例えばカルバモイル基、メチル
カルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカ
ルバモイル基、ヘキサデシルカルバモイル基、２−（３
−フェニルウレイド）エチルカルバモイルなど）、置換
もしくは無置換のアルコキシカルボニル基（例えばエト
キシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシカルボニル基
、ヘキサデシルオキシカルボニル基、２−ドデシルオキ
シエト本ジカルボニル基など）、置換もしくは無置換の
アリールオキシカルボニル基（例えばフェノキシカルボ
ニル基、メトキシフェノキシカルボニル基、ニトロフェ
ノキシカルボニル基、２，４−ジーｔｅｒｔ−アミルフ
ェノキシカルボニル基、ｐ−ドデシルフェノキシカルボ
ニル基など）、置換もしくは無置換のアリールアゾ基（
フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、
ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアソ、ニ
トロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾ
、スルファモイルフェニルアゾ、ヘキサデシルフェニル
アゾ、ドデシルオキシカルボニルフェニルアゾなど）で
ある。

Ｒ１で表わされる基のうち特に好ましいものとして、水
素原子、ヒドロキシ基、／’％ロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ５
Ｂｒ　Ｓ　＋）、炭素原子数１ないし２０の置換もしく
は無置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシ／Ｌｚ、ｎ−オクチル
、ｔ−オクチル、２−エチルヘキシノペシクロヘキシノ
ペ２−メトキシスチリ、２−フェノキシエチル、ｎ−ヘ
キサデシルなど）、炭素数１ないし１０の置換もしくは
無置換のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基
、プロポキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基等）
、炭素原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェ
ニル基（例えば、フェニル、トリル、キシリル、エチル
フェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、クロ
ロフェニル、ニトロフエ、ニノペジメチルアミノフエニ
ノペ　ｔ−アミルフェニル、ドデシルフェニルなど）、
−〇Ｃ０Ｒ１（Ｒ？は、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアリール基、又は置換もしく
は無置換のアラルキル基を表わしこれらの炭素原子数は
２０以下のものである。）、ｌもしくは２置換あるいは
無置換のアミ７基〔置換基としては、炭素原子数１ない
し２０の置換もしくは無置換のアルキル基、（たとえば
、メチル基、エチル基、イソブチル基、５ｅｃ−ブチル
基、２−メトキシエチル基、２−メタンスルホンアミド
エチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、
ヘキサデシル基など）、炭素原子数１ないし２０の置換
もしくは無置換のアシル基（たとえば、ホルミル基、ア
セチル基、ベンゾイル基、フェニルアセチル基、トリフ
ルオロアセチル基、２−エチルヘキサノイル基、２−（
２，４−ジ−ｔ−アミルフェノキシ）ブチロイル基、ス
テアロイル基など）、炭素原子数６ないし２０の置換も
しくは無置換のフェニル基（例えばフェニル基、トルイ
ル基、ドデシルフェニル基、ｔ−オクチルフェニル基、
メトキシフェニル基、クロロフェニル基など）、炭素原
子数１ないし２０の置換もしくは無置換のアルキルもし
くはアリールスルホニル基（例えばメタンスルホニル基
、ベンゼンスルホニルＬｐ−）ルエンスルホニル基、ド
デシルスルホニル基、オクタンスルホニル基など）が挙
げられ、これらの置換基は互いに連結して環を形成して
もよい（例えばピロリジン環、ピペリジン環、モルホリ
ン環など）。〕を挙げることができる。

Ｒ２、Ｒ３、Ｒ−、ＲｓおよびＲ６は特に好ましくは、
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃβ、
Ｂ「、■）、炭素原子数１ないし２０の置換もしくは無
置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、プロピル、
イソブチル、ｓｅｃ　−ブチル、ｔ−アミル、２−メト
キシエチル、２−メタンスルホンアミドエチル、シクロ
ヘキシル、ｔ−オクチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘ
キシノペ２−メトキシエチル、２−フエノキシエチノペ
ｎ−ヘキサデシルなど）、又は炭素原子数６ないし２０
の置換もしくは無置換のフェニル基（例えばフェニル、
トリル、キシリル、エチルフエニノペメトキシフェニル
、エトキシフェニノベクロロフェニル、ニトロフェニル
、ジメチルアミノフェニル、ｔ−アミルフェニル、ドデ
シルフェニルなど）である。

Ｘ○で表わされる陰イオン残基の例としては、バークロ
レート、フルオロボレート、スルフォアセテート、アイ
オダイド、クロライド、ブロマイド、ｐ−トルエンスル
ホネート、アルキルジルホネート（例えばメタンスルホ
ネート）、アルキルスルフェート（例エバエチルスルフ
ェート）、アルキルジスルホネート（例えばエタンジス
ルホネート）、ベンゼンジスルホネート（例えば１．３
−ベンゼンジスルホネート）、ハロスルホネート（例え
ばクロロスルホネート）、ビクラート、テトラシアノエ
チレンアニオン、テトラシアノキノジメタンアニオン、
ベンゾトリアゾール−５−スルホネート、４−（２−メ
チルチオテトラゾール−１−イル）ベンゼンスルホナー
ト、アセテート、ベンゾエート、硫酸イオン、オキサレ
ート、フマレート、ホルメートなどが挙げられ、これら
は、Ａ＋　、Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒｚ　、Ｒ４、Ｒｓ　、Ｒ
ｅ又はＲ７で表わされる基土に置換することが可能な場
合には、分子内塩を形成してもよい。

Ａで表わされる有機基として好ましいものは、下記一般
式（Ｉ）ないしく１２）で表わされるものである。

一般式（Ｉ） （式中Ｒ１〜Ｒ６は一般式（Ｉ）における定義と同義の
基を表わす。） 一般式（２） Ｒ１ （式中Ｒ１〜Ｒ６は一般式（Ｉ）における定義と同義の
基を表わす。） 一般式（３） （式中、Ｒ＋　ないしＲ６は一般式（Ｉ）における定義
と同義の基を表わし、Ｒ８は水素原子、ニトロ基、シア
ン基、炭素原子数１ないし２０のアルキル基（例えばメ
チル、エチノベブロピル、ブチルなど）、炭素原子数６
ないし２０のアリール基、（例えばフェニル、トリル、
キシリル、ドデシルフェニルなど）、又は炭素原子数７
ないし２０のアラルキルＭ（例えばベンジル、フェニル
エチル、メトキシベンジル、ｔ−アミルベンジルなど）
を表わし、ｎは０．１１又は２を表わす。）一般式（４
） （式中Ｒ５ないしＲＢ、およびＸＯは一般式（Ｉ）にお
ける定義と同義の基を表わす。） 一般式（５） （式中Ｒ１〜Ｒ６およびＸＯは一般式（Ｉ）における定
義と同義の基を表わし、Ｒ，／はＲ１と同義の基を表わ
し、Ｒ２′〜Ｒ６′はＲ２−Ｒ６で表わされる基と同義
の基を表わす。） 一般式（６） （式中２１は５もしくは６員の複素環を形成するのに必
要な非金属原子団を表わし、Ｒ９は置換又は無置換のア
ルキル基、置換又は無置換のアリール基、又は置換又は
無置換のアラルキル基、アリル基を表わし、ｍは０又は
１を表わす。）Ｚｌによって形成される複素環のうち好
ましいものは、ピリジン、チアゾール、ベンゾチアゾー
ル、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサ
ゾール、ナフトチアゾーノペイミダゾーノペベンズイミ
ダゾール、ナフトイミダゾール、２−キノリン、４−キ
ノリン、インキノリン、インドール、インドレニンなど
の含窒素複素環であり、これらの複素環は、ハロゲン原
子（ＦＳＣｊ２、Ｂｒ％Ｉ）、置換又は無置換のアルキ
ル基（メチル基、エチル基、スルホエチル基、スルホプ
ロピル基、スルホブチル基、ヒドロキシエチル基、プロ
ピニル基、イソプロピル基、オクチル基、ヘキサデシル
基、メトキシエチル基、ｔ−アミル基など）、置換又は
無置換のアリール基（フェニル基、トリル基、キシリル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基など）、置
換又は無置換のアラルキル基（ベンジル基、２−フェニ
ルエチルＬ　３−フェニルプロピル基、α−ナフチルメ
チル基、メチルベンジル基、クロロベンジル基、メトキ
シベンジル基など）、置換又は無置換のアルコキシ基（
例えば、メトキシ基、エトキシ基、４−スルホブトキシ
基、３−スルホプロピル基、など）、ニトロ基、ヒドロ
キシ基、又はカルボキシル基で置換されていてもよい。

これらの複素環のうち特に好ましいものは、Ｎ−アルキ
ルもしくはＮ−置換アルキルのベンゾチアゾール環、同
じくベンゾイミダゾール環、２−もしくは４−キノリン
環、インドール環である。

一般式（７） ％式％ （式中ＲＩＯは置換又は無置換のアリール基を表わす。

）Ｒ４゜で表わされる基のうち時に好ましいものは、炭
素原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル
基、又は炭素原子数１０ないし３０の置換もしくは無置
換のナフチル基である。

その具体例としては、フェニル、トリル、キシリル、ビ
フェニル、α−ナフチノペβ−ナフチル、メトキシフェ
ニル、ジメトキシフェニノペ　トリメトキシフェニル、
エトキシフェニノペジエトキシフェニル、クロロフェニ
ル、トリクロロフエニノベブロモフエニノベシフロモフ
ェニル、トリブロモフェニル、エチルフェニル、シエチ
ルフエニノペニトロフェニノペアミノフエニノペジメチ
ルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル、シフロ
ピルアミノフェニル、モルホリノフェニル、ピペリジニ
ルフェニル、ピペラジニルフェニル、ジフェニルアミノ
フェニル、アセチルアミノフェニル、ペンゾイルアミノ
フェニノペアセチルフェニル、ベンゾイルフェニル、シ
アノフェニルメタンスルホンアミドフェニル、ジ（２−
ヒドロキシエチル）アミノフェニル、Ｎ−エチル−Ｎ−
（２−メタンスルホンアミドエチル）アミノフェニル、
４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニルなどを挙げる
ことができる。

一般式（８） ％式％ （式中Ｒ１＋は５又は６員の複素環から誘導される１価
の基を表わす。） Ｒ１＋で表わされる複素環基のうち好ましいものは、ピ
リジン、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾール
、ペンゾオキサゾーノペナフトチアゾーノペナフトオキ
サゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフト
イミダゾール、２−キノリン、４−キノリン、インキノ
リン、インドール、インドレニン、フラン、チオフェン
、ベンゾフラン、チオナフテン、ジベンゾフラン、カル
バゾール、フェノチアジン、フェノキサジン、１゜３．
４−チアジアゾール、１，３．４−）リアシー）ぺ　ｌ
、３．４−オキサジアゾーノペビラゾール、およびこれ
らの置換体である。

これらの複素環基のうち特に好ましいものは、無置換又
は以下の置換基で置換された炭素原子数３０以下の複素
環基である。置換基の例としては、ヒドロキシ基、ハロ
ゲン原子（ＦＳＣｊ！、Ｂｒ、■）、ニトロ基、カルボ
キシル基、スルホン酸基、炭素原子数１ないし２０の置
換又は無置換の、アルキル基（置換基の種類としては、
ＦＳＣｊ７、Ｂｒ、Ｉ、シアノ基、カルボキシル基、ヒ
ドロキシ基、スルホ基、アルコキシ基、置換又は無置換
のフェノキシ基、など〉、炭素原子数６ないし２０の置
換又は無置換のフェニル基（置換基としてはＦ、ＣＩ、
　Ｂｒ、Ｉ、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カル
ボキシル基、スルホ基、アルコキシ基、スルホンアミド
基、カルボンアミド基、スルファモイル基、カルバモイ
ル基ナト）、カルボンアミド基、スルホンアミド基、カ
ルバモイル基、スルファモイル基、カルボン酸エステル
基、ウレイド基などが挙げられる。

一般式（９） ％式％ （式中Ｒ１２は水素原子、アルキル基、又はアリール基
を表わし、ＲＩＯは既に定義したものと同義の基を表わ
す。） ＲＩＯの好ましいものは既に説明したものと同義は、水
素原子、炭素原子数１ないし２０のアルキル基（例えば
メチノペエチル、プロピル、ブチルなど）、炭素原子数
６ないし２０の置換もしくは無置換のアリール基（例え
ばフェニノペ　トリル、キシリル、ビフェニル、エチル
フェニル、クロロフェニノペニトロフェニル、アミノフ
エニノペジメチルアミノフェニル、α−ナフチル、ｐ−
ナフチ／ヘアントリ／Ｕ、ピレニルなど）である。

Ｒ１□で表わされる基のうち特に好ましいものは水素原
子、炭素原子数１ないし１７のアルキル基、または炭素
原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル基
である。

一般式（Ｉ０） ％式％ （式中、Ｒ１０は既に定義したものと同義の基を表わす
。） 一般式（Ｉ１） （式中、Ｘ２は置換されていてもよいピラン、チアピラ
ン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチアピラン、
ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフトチアピラン
又はナフトセレナピラン、テルラビラン、ペンゾテルラ
ピラン、ナフトテルラピラン環を完成するのに必要な原
子団を表わす。βは０又は１を表わす。Ｒ１３およびＲ
Ｉ４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、了り−
ル基、スチリル基、４−フェニル−１，３−ブタジェニ
ル基、複素環基を表わし、これらの基は置換基を有して
いてもよい。Ｙは、０、Ｓｌ又はＳｅを表わす。） 一般式（Ｉ１）で表わされる基のうち好ましいものは、
Ｘ２がピラン、チアピラン、ベンゾピラン、ベンゾチア
ピラン環を形成するのに必要な原子団を表わし、ｌは１
又は２を表わし、Ｙは、０又はＳを表わし、Ｒ１３およ
びＲ１４は互いに独立に、水素原子、炭素原子数１ない
し２０の直鎮、分岐、もしくは環状のアルキル基、炭素
原子数６ないし２０の置換もしくは無置換のフェニル基
（置換基としでは、Ｆ、Ｃｌ３、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基
、アルコキシ基、カルボンアミド基、カルバモイル基、
スルホンアミド基、スルファモイル基、ウレイド基、カ
ルボン酸エステル基など）、炭素原子数８ないし２０の
置換もしくは無置換のスチリル基（例えばスチリノペｐ
−メチルスチリル、０−クロロスチリノペｐ−メトキシ
スチリルなど）、又は置換もしくは無置換の５又は６員
の複素環基（キノリル、ピリジル、フリル、カルバゾリ
ル、イミダゾリル、チアゾＴ））ペオキサゾＩＪ）ペベ
ンゾイミダゾ＋Ｊ　）ベンゾチアピラン、ベンゾオキサ
シリル、１，３．４−チアジアゾリル、１，３゜４−オ
キサジアゾリノベ又は１．３．４−）リアゾリル）であ
る。

一般式（Ｉ２） （式中、ＲＩＳ〜Ｒ２＋は一般式（Ｉ）におけるＲ１−
Ｒ６と同義の基を表わす。ｍは０．１、または２から選
ばれる整数を表わす。） 以下に本発明で用いるアザアズレニウム塩化合物の具体
例を示すが、本発明の範囲はこれらのみに限定されるも
のではない。

前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の例Ｂｒ　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　Ｂｒ前記一般式（２）
で表わされる化合物の例前記一般式（３）で表わされる
化合物の例ＯＣＨ，ＯＣＨ。

２Ｃ１口、○ ２Ｃｊ！０．Ｏ ＣＩ−１３ Ｃ１ｌ。

皿辷］茎與」遣亙村」鬼酊１哩 Ｃ２Ｈ。

ｌ ＣＨ。

前記一般式（９）で表わされる化合物の例Ｉｌ 前記一般式（Ｉ１）で表わされる化合物の例前記一般式
（Ｉ２）で表わされる化合物の例一般式（Ｉ）で表わさ
れる化合物のうち、一般式（Ｉ）および（２）で表わさ
れるＡを有する化合物は、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ　Ｃｈ
ｅｍｉｅ　、　７８巻、Ｎｏ、２０、ｐ、　９３７（Ｉ
９６６年）に記載されていると同様にして、アザアズレ
ン化合物とスクワリック酸又はクロコン酸を適当な溶媒
中で反応させることによって得ることができる。アザア
ズレン化合物は、野副、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｇ　ａｎｄ　
Ｉｎｄｕｓｔｒｙ、　　ｐｉ　３５７〜ｐ１３５８（Ｉ
９５４）に記載の方法で合成することができる。一般式
（３〕で表わされるＡを有する化合物においてｎ＝Ｑの
化合物はＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌＳｏｃｉｅｔｙ、　ｐ　５０１　（Ｉ９６０年）に
記載されている１−フォルミルアズレン化合物とアズレ
ン化合物のかわりにそれぞれ対応するアザアズレン化合
物を用い、強酸存在下、適当な溶媒中で反応させること
によるか、または、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、　ｐ、　　１７２４〜
ｐ、１７３０（Ｉ９６１年）記載の様に１−エトキシメ
チレンアズレニウム塩とアズレン化合物の代りに対応す
るアザアズレン化合物を用い、これらを適当な溶媒中で
反応させることによるか、あるいはＪｏｕｒｎａｌ　ｏ
ｆ　ｔｈｅ　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、　ｐ、
　　３５９　（Ｉ９６１年）記載の様に２−ヒドロキシ
メチレンシクロヘキサノンとアザアズレン化合物とを強
酸存在下、適当な溶媒中で加熱することによって得られ
る。

一般式（３）においてｎ＝１及びｎ＝２の化合物はＪｏ
ｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃ
ｉｅｔｙ　　ｐ、　　３５９〜ｐ、３３９２（Ｉ９６１
年）の記載を参考にして、アザアズレン化合物とマロン
ジアルデヒド類又はグルタコンジアルデヒド類とを強酸
存在下適当な溶媒中で反応させることによって得られる
。一般式（４）で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏ
ｕｒｎａｌｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ　　ｐ、　　３５８８　（Ｉ９６１年）の記載を
参考にして、強酸存在下にアザアズレン化合物とグリオ
キサールとを適当な溶媒中で加熱することによって容易
に得られる。

一般式〔５）で表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ　　ｐ、　　５０１（Ｉ９６０年）の記載を参考
にして、強酸存在下１．３−シフオルミルアズレン化合
物とアザアズレン化合物とを適当な溶媒中で加熱するこ
とにより得られる。

一般式（６）で表わされるΔを有する化合物は、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ　　ｐ、ｌ　５３〜ｐ、１６７（Ｉ９６１年）の
記載を参考にして、３−ホルミルアザアズレン化合物と
活性メチル基を有する複素環４級アンモニウム塩化合物
とを適当な溶媒中で加熱することにより得られる。

一般式（７）、（８）、（９）およびαｑで表わされる
Ａを有する化合物は、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙｐ、１１１０〜ｐ、
１１１７（Ｉ９５８年）、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈ
ｅ　Ｃｈｅ＋ｎ１ｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　％　ｐ、　
４９４〜ｐ、５０１（Ｉ９６０年）、及びＪｏｕｒｎａ
ｌ　ｏｆ　ｔｈｅＣｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　
、　ｐ、　３５７９〜ｐ、　３５９３（Ｉ９６１年）の
記載を参考にしてアザアズレン化合物と、対応するアル
デヒド化合物とを強酸の存在下、適当な溶媒中で反応さ
せることにより得られる。

一般式αＤで表わされるＡを有する化合物は、３−ホル
ミルアザアズレン化合物と一般式面で表わされる化合物
とを溶媒中で反応させることにより得られる。

一般式（Ｉ３） （式中Ｚ２、Ｙ、Ｒ，３、Ｒ１４、Ｘ○及びｌｔ前記で
定義したものと同一の定義を有する。）これらの合成反
応に用いられる反応溶媒としては、エタノール、ブタノ
ール、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセト
ニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、酢酸など
の有機カルボン酸類、無水酢酸などの酸無水物、ジオキ
サン、テトラシトロフランなどの脂環式エーテル類、な
どがあげられる。また、ブタノーノペベンジルアルコー
ルなどにベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素を混
合して用いることもできる。反応中の温度は室温〜沸点
の範囲から選択できる。

一般膠αりで表わされるＡを有する化合物は、Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅ
ｔｙ　Ｓｐ　５０　Ｌ（Ｉ９６０年）に記載の様に１−
ホルミルアズレン化合物とアザアズレン化合物を、強酸
存在下適当な溶媒中で反応させることにより得られる。

合成例１（前述の例示化合物（３４）の合成）４−Ｎ、
Ｎ−ジメチルベンズアルデヒド４ｇ１シクロへブタ〔ｂ
〕ピロール−２（ＬＨ）−オン（以下ｌ−アヂアズレン
と称す。）　４．１　ｇ及びヨウ化ナトリウム４．１４
　ｇをメタノール１００ｍ１に溶解した。この溶液にｐ
−）ルエンスルホン酸・１水和物５．３ｇを加え１時間
加熱攪拌した。室温まで冷却した後生成物を濾取し、メ
タノール１００ｍ１及びアセトン１００ｍｌで洗浄し、
乾燥した。４゜４ｇのアザアズレニウム塩を（尋だ。収
率３７％。融点２８０℃以上 可視吸収スペクトル（アセトニトリル中）吸収極大波長
：６１８ｎｍ 元素分析値 Ｃ＋ｅＨ＋ｆｆＮ２ＩＯとして 計算値　Ｃ１５３゜４８％　Ｈ，４，２４％　Ｎ、　６
．９３％　Ｉ、　３１．３９％実測値　Ｃ，５３，６４
％　Ｈ，４，０９％　Ｎ、６．９０％　ｒ、　３１．２
１％合成例２（前述の例示化合物（４４）の合成）４−
Ｎ、Ｎ−ジメチルシンナムアルデヒド８，７５ｇ及び１
−アザアズラノン７．２５　ｇをエタノール２００ｍ１
に溶解した。この溶液に５７％ヨウ化水素酸２２．５　
ｇを滴下し、室温で１時間攪拌した後、４時間加熱還流
した。室温まで冷却した後、生成物を濾取し、メタノー
ル１００ｍＡ及びアセトン１００ｍβで洗浄し乾燥した
。９．３５　ｇのアザアズレニウム塩を得た。収率４３
％。融点２８０℃以上。

可視吸収スペクトル（アセトニ）　ＩＪシル中吸収極大
波長ニア２１ｎｍ 元素分析値 Ｃ２０Ｈ１９Ｎ２　Ｉ　Ｏとして 計算値　ｃ、　５５．８３％　Ｈ，４，４５％　Ｎ、６
．５１％　Ｉ、　２９．４９％実測値　Ｃ，５５，９６
％　Ｈ，４，４９％　Ｎ、　６．２８％　Ｉ、　２９．
２０％本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−と
しては、種々のものを用いることができる。このような
りエンチャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との
相溶性が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中
心金属として好ましいものは、Ｎｉ　、Ｃｏ　、Ｃｕ　
、ｐｄ、ｐｔなどである。

新規なりエンチャーの例としては次の一般式（］ＩＩ）
または（ＩＶ）で示されるものが挙げられる。

（式中、［Ｃａｔ＋）および（Ｃａｔ２）は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、ＭｌおよびＭ
ｌはニッケル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す。ｎは１または２を示す。）前記一般式〔■〕また
は〔■〕で表わされる化合物において、（Ｃａｔ、）ま
たは［Ｃａｔ２］で表わされる陽イオンのうち無機陽イ
オンとしては、アルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、　Ｎａ
、　Ｋなど）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｂ
ａなど）もしくはＮＨ４＋をあげることができる。

また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができる
。

上記の陽イオン［Ｃａｔ、）および（Ｃａｔ２：ｌの中
で好ましいのは下記の一般式（Ｖ−ａ）、（Ｖ−ｂ）、
（Ｖ−ｃ）、（Ｖ−ｄ）もしくは（Ｖ−ｅ）で表わされ
るものである。

式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ
８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ”およびＲＩ２はそれぞれ炭素数
１ないし２０の置換もしくは無置換のアルキル基、また
は炭素数６ないし１４の置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｚｌ　およびＺ２は各式中の窒素またはリ
ン原子と結合して５員または６員環を形成する非金属原
子群を表わす。

この炭素数１ないし２０の置換もしくは無置換のアルキ
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−ブチル
基、１ＳＯ−アミル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数６ないし１４
のアリール基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。

これらのアルキル基または了り−ル基はシアノ基、水酸
基、炭素数１ないし２０のアルキル基（たとえばメチル
基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基など）、
炭素数６ないし１４のアリール基（たとえば、フェニル
基、トリル基、α−ナフチル基など）、炭素数２ないし
２０のアシルオキシ基（たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはｐ−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど）炭素数１ないし６のアルコキシ基（たとえばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など）、
了り一ロキシ基（たとえば、フェノキシ基、トリロキシ
基など）アラルキル基（たとえば、ベンジル基、フェネ
チル基またはアニシル基など）、アルコキシカルボニル
基（たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基など）、アリーロキ
シカルボニル基（たとえば、フェノキシカルボニル基、
トリロキシカルボニル基など）、アシル基（たとえば、
アセチル基、ベンゾイル基など）、アシルアミノ基（た
とえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など）
、カルバモイル基（たとえば、Ｎ−エチルカルバモイル
基、Ｎ−フェニルカルバモイル基など）、アルキルスル
ホニルアミノ基、（たとえば、メチルスルホニルアミノ
基、フェニルスルホニルアミノ基など）スルファモイル
基（たとえば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−フェ
ニルスルファモイル基など）、スルホニル基（たとえば
、メシル基、トシル基など）などで置換されていてもよ
い。

またＺｌおよびＺ２は前記のように５員環または６員環
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの
５員環もしくは６員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ビロール環、２−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。一般式（Ｖ−ｂ）で
表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリジ
ニウム夢、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイミ
ダゾリウム基などをあげることができる。

一般式（Ｖ−ｃ）で表わされるカチオンとしては、たと
えば、Ｎ−エチル−Ｎ−ヘキサデシルピペリジニウム基
、Ｎ−エチル−Ｎ−ドデシルピラゾリジニウム基などを
あげることができる。

上記の一般式（Ｖ−ａ）、（Ｖ−ｂ）、（Ｖ−Ｃ）、（
Ｖ−ｄ）および（Ｖ〜ｅ）で表わされる陽イオンの中で
、本願発明に特に好ましく用いられるものは、製造原料
の手入し易さ、製造コストの点で、（Ｖ−ａ）、（Ｖ−
ｂ）、（Ｖ−ｄ）および（Ｖ−ｅ）である。

この陽イオン（Ｃａｔ、）および［Ｃａｔ２］の種類は
、前記一般式〔■〕またはＣＩ’Ｖ”ｌで表わされる化
合物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。

一般に、第四級へテロ原子に結合する置換基がアルキル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が１７以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数合計が４以上のカチオ
ンが高い溶解性を与える。

前記一般式［ＩＩＤまたは（ＩＶ）で表わされる化合物
においてＭｌまたはＭ２を好ましい順に挙げるとニッケ
ル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。

一般式〔■〕または（ＩＶ：］の金属錯体は平面四配位
の立体構造を有する。なお一般式［：ＩＶ：］の化合物
ではチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称に
あるかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般
式（ＩＶ）のように表わす。

前記一般式［ＩＩＩ）または〔ＩＶ）で表わされる化合
物は次のようにして合成することができる。

一般式（ＩＩＤ　　（ｎ＝２）の化合物は二硫化炭素と
ナトリウムを反応させて得られるジンデイウム＝１．３
−ジチオール−２−チオン−４，５−ジチオレートを先
ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、
ビスベンゾイルチオ体トスる。これをアルカリで分解し
た後、金属塩を反応させて得られる。

又、一般式［：ｌ１１）　　（ｎ＝１）の化合物は、上
で得られた錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得
られる。

一般式［１’Ｖ）　　（ｎ＝２＞の化合物は、先ず、二
硫化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウ
ムー１，３−ジチオール−２−チオン−４゜５−ジチオ
レートを、約１３０℃に加熱してジンディラム−１，２
−ジチオール−３−チオン−４゜５−ジチオレートに異
性化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイ
ルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをア
ルカリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。

又、一般式ＣＩＶ）　　（ｎ＝１）は上で（辱られた錯
体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。

一般式［ｌ１１）または（ＩＶ）の化合物を得るための
中間体である１、３−ジチオール−２−チオン−４，５
−ジチオレートアニオンは、上記の如くＮａによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られる。

前記一般式〔■〕で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。

し−一一一−Ｊ　　　　し−−−−−Ｊ　　　　　　し
−一−−−Ｊ　　　　し−一一一−Ｊ曾　　　　　　　
８　　　　　　　　　　’Ｅ’５　　　　　　　　９ヨ
　　　　　　　　目　　　　　　　　　ヨ　　　　　　
　　ロ一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物の合成例を
以下に示す。

合成例３く例示化合物（Ｉ−４）の合成〉（Ｉ−１＞ビ
ス（テトラエチルアンモニウム）−ビス（Ｉ，３−ジチ
オール−２−チオン−４゜５−ジチオラト）亜鉛錯体の
合成。

反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行った。

ナトリウム２３ｇを小片に切り、二硫化炭素１８０ｍβ
中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルムアミ
ド２００ｍ１をゆっくり滴下した。“この時激しく発熱
しないように注意する。ジメチルホルムアミドを滴下終
了後、注意しながら、おだやかに加熱して２４時間還流
した。反応終了後未反応のナトリウムをろ別した。次い
でろ液にエタノール５０ｍＡ’を加え、室温で２時間攪
拌した。この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去する
。次いで水３００ｍ１をゆっくり滴下して加えた後得ら
れた溶液をろ過した。

次いで、あらかじめ塩化亜鉛２０ｇをメタノール５００
ｍ１に溶かし、これに濃アンモニウム水５００＋＋＋β
を加えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液に
加え（室温）５分間攪拌した後、テトラエチルアンモニ
ウムプロミド５３ｇを水２５０ｍ１に溶かした水溶液を
加えると、直ちに赤色の沈殿が析出してくる。これをろ
過し、風乾して亜鉛錯体を得た。

（Ｉ−２）４．５−ビス（ベンゾイルチオ）−１，３−
ジチオール−２−チオンの合成。

（Ｉ−１＞で得た亜鉛錯体２２ｇをアセトン５００ｍｊ
７に溶かしろ過する。ろ液を攪拌しつつ、これに塩化ベ
ンゾイル１５０ｍ１を加える。直ちに黄色の沈殿が析出
する。ろ過、水洗機風乾して標記化合物１６ｇを得た。

（Ｉ−３）例示化合物（ＩＩ［−４）の合成（Ｉ−２）
で得たビス（ベンゾイルチオ）体９．２ｇをメタノール
５０ｍ１に溶かす。これにナトリウムメトキサイドの２
８％メタノール溶液６．３ｇを加えて、１０分間攪拌す
る。この溶液に塩化ニッケル（六水和物）　２．４　ｇ
をメタノール５０＋ｎｊ！に溶かした溶液を加え、室温
で３０分間攪拌する。この溶液にテトラブチルホスホニ
ウムプロミド８．５ｇをメタノール１００ｍβに溶かし
た溶液を加えると、直ちに黒色の沈殿が析出するさらに
２０分間攪拌してろ過し、アセトンで洗って風乾し、ア
セトン−イソプロピルアルコールから再結晶させて標記
化合物を得た。収量３．８ｇ合成例４く例示化合物（Ｉ
［−２）の合成〉（Ｉ−３＞で得られたニッケル錯体１
ｇをアセトン６０ｍ１に溶かし、これに酢酸３０ｍ１を
加え、３時間攪拌し溶媒を留去したところ黒色の結晶が
析出した。これをアセトン−メタノールから再結晶させ
て、目的の例示化合物（ＩＩ［−２）を得た。収量０．
４　ｇ、　ｍ、ｐ、　１８５℃　λ、、に：１１２５ｎ
ｍ、　　ε１ｌａＸ　　：２．５１ｘｌＯ’　　（ＣＬ
Ｃｊ’２中）また既知のクエンチャ−としては、特開昭
５９−１７８２９５に記載されている、次の化合物が挙
げられる。

（Ｉ）ビスジチオ−α−ジケトン系 Ｒ’　−Ｒ’　はアルキル基またはアリール基を表わし
、Ｍは２価の遷移金属原子を表わす。

（ｉｉ　）ビスフェニルジチオール系 Ｒ５、Ｒ１！　はアルキル基またはノ飄ロゲン原子を表
わし、Ｍは２価の遷移金属原子を表わす。

（ｉｉｉ　）　　アセチルアセトナートキレート系（ｉ
ｖ）　　ジチオカルバミン酸キレート系（Ｖ）　　ビス
フェニルチオール系 （ｖｉ）　　チオカテコールキレート系（ｖｉｉ）サリ
チルアルデヒドオキシム系（ｖｉｉｉ　）　　チオビス
フェルレートキレート系（ｉｘ）亜ホスホン酸キレート
系 （ｘ）ベンゾエート系 （×ｉ）ヒンダードアミン系 この他、次式で表わされるアミニウム素もしくはジイモ
ニウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株
式会社製ＩＲＧ−００２、ＩＲＱ−００３，１，ＲＧ−
〇２２、ＩＲＧ、０３３などが挙げられる。

○ （式中Ｒは、アルキル基又はアリール基を表わす。）本
発明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−の
アニオンとの結合体を使用することもできる。

クエンチャ−は前記色素１モルあたり、一般に０．０５
〜１２モル、好ましくは０．１〜１．２モル使用される
。

クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層、反射層を設けることがで
きる。

基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステルなどが用いら
れる。その形状はディスク状、カード状、シート状、ロ
ールフィルム状など種々のものが可能である。

ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして２枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。

本発明における記録層の形成は、例えば、一般式（Ｉ）
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤（例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど）に溶
解し、必要に応じて適当なバインダー（例えばＰＶＡ５
ＰＶＰ、ポリビニルブチラーノペポリカーボネート、ニ
トロセルロース、ポリビニルホルマール、メチルビニル
エーテル、塩素化パラフィン、無水マレイン酸共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂）を
加え、この溶液を塗布（例えばスピンコード）すること
によって行なえるし、又は色素とゲニンチャーを共蒸着
するか、あるいは一般式（Ｉ）で表わされる色素を真空
蒸着したのち、クエンチャ−を塗布することによっても
行なえる。バインダーを使用する場合には、バインダー
の重量は色素重量の０．０１〜２倍が好ましい。また一
般式（Ｉ）・の色素をいわゆるラングミュア−プロジェ
ット法により薄膜として用いることもできる。

本発明における記録層は１層又は２層以上設ける。

記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褐色防止剤を存在させても
よい。

記録層の膜厚は、通常０．０１μｍ〜２μｍ１好ましく
は０．０２〜０．８μｍの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長の１／
４の奇数倍である。

半導体レーザまたはＨｅ−Ｎｅレーザなどの反射層を設
ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上に
前述したような方式によって記録層を設けることによる
か、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反射
層を設けるかのいずれかの方法がある。

反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他の次のような方法によっても作ることが
できる。

例えば水溶性樹脂（ＰＶＰ、ＰＶＡなど）に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、５０℃〜１５０℃好ましくは６０℃〜
１００℃で加熱乾燥させることによって形成される。

樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で０．
１〜１０好ましくは０．５〜１．５である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層が０．０１〜０．１μｍで
ありそして光吸収層が０．０１〜１μｍの範囲が適当で
ある。

金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
１モルに対し０．２〜１０モル好ましくは０．５〜４モ
ルの範囲で使用できる。

本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ（例
えば半導体レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザなど）などのスポ
ット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは基
板と反対側より記録層に照射することにより行われ、記
録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にビット（
穴）が形成される。

また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ビット部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化によ
り検出する。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。

実施例１ 表１に示す色素（Ｉ）、クエンチャ−（ＩＩ）、及び成
る場合にはバインダをメタノール−メチルエチルケトン
−ジクロロエタンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解
し、表面硬化したアクリル板に厚さ０．１μｍとなるよ
うに塗布し、乾燥した。

なお色素とクエンチャ−との重量比は３：１バインダを
用いる場合には、バインダの重量は色素の１１５とした
。

こうして得た記録媒体に波長７８０ｎｍの半導体レーザ
を用い、照射面で５ｍＷ、ビーム径１．６μｍ１という
条件で３．４Ｍｔｌｚの信号を記録したところ、０．３
μ秒の照射で直径１．０μｍのピットが形成された。こ
の記録部に微弱なレーザ光をあてて、信号を再生しＣ／
Ｎ比を求めた。

次いで１ｍＷのレーザ光（７８０ｎｍ）をｌ　、ｕｓｅ
ｃ巾３　ＫＨｚのパルスとして１０分間照射した後、Ｃ
／Ｎ比を求めレーザ光照射前のＣ／Ｎ比に比較しての低
下率を求め、再生劣化の尺度とした。また６０℃９０％
ＲＨにて３０日間放置した後のＣ／Ｎ比を保存前のＣ／
Ｎ比と比較して保存安定性の尺度とした。

色素例 タエンチャー １さ も ト １１１１１１１　　　自　　１１１１１１シ モ ０℃Ｃ）　Ｌｌ−ｌ：ｌ０ｃｄ　、０ρＣ℃■−−Φロ
ト０−−ロトドＣ’−００、−１、−１？−　　〇　　
づ　　ω　　−関　　閃　　−〇　　℃　　ω　　−閣
　　閲（発明の効果） 表１の結果から、本発明の光記録媒体は従来の光記録媒
体に比べ再生劣化が小さく、すなわち読み出し耐久性に
優れ、かつ保存安定性に優れていることがわかる。

手続補正書 ６２．１０．１５ 昭和　　年　　月　　日 １、事件の表示　　　昭和６１年特許願第２４８９７７
号２、発明の名称　　　　　光記録媒体 ３、補正をする者 事件どの関係　　出願人 名　称　　（５２０）富士写真フィルム株式会社４、代
理人 ５、補正命令の日付　　自　　　発 （Ｉ）　　明細書第５２頁第２行目の”ｐ、３５９”を
ｒｐ、３５７９〜３５９３Ｊと補正する。

（２）同書同頁第７〜第８行目の“ｐ、　３５９〜ｐ。

３５９２”をｒｐ、３５７９〜３５９３Ｊと補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に、下記一般式（ I ）で表わされる色素と、ク
   エンチャーを担持せしめたことを特徴とする光記録媒体
   。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、およ
   びＲ＿６は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機残
   基を表わし；Ａは２重結合によって結合した２価の有機
   残基を表わし；Ｘ■は陰イオン残基を表わす。ただしＸ
   ■は陽電荷を中和するのに必要な数だけ存在し、Ｒ＿１
   、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、又はＡ上
   に結合して分子内塩を形成していてもよい。又Ｒ＿２と
   Ｒ＿３、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ
   ＿６の組合せのうち、少なくとも１つの組合せで置換又
   は無置換の芳香族炭素環又は芳香族複素環を形成しても
   よい。〕