JPS63102989A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ヒートモードの光記録媒体に関し、更に詳細
には、新規色素とクエンチャ−を含む光記録媒体に関す
る。
には、新規色素とクエンチャ−を含む光記録媒体に関す
る。
(従来の技術)
ヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利用す
るものであり、たとえばレーザー等の記録光で媒体の一
部を融解、除去等してピットを形成することにより情報
を記録し、このピットを読み出し光で検出して記録の読
み出しを行うピット形成タイプのものがよく知られてい
る。
るものであり、たとえばレーザー等の記録光で媒体の一
部を融解、除去等してピットを形成することにより情報
を記録し、このピットを読み出し光で検出して記録の読
み出しを行うピット形成タイプのものがよく知られてい
る。
このような光記録媒体の記録層には各種の色素、あるい
は色素と樹脂を組み合わせたものが使用されている。し
かしこのような光記録媒体はくりかえしの消去や、読み
出し光のくりかえし照射によって、あるいはまた長期保
存によって、感度やC/ N比が低下するという欠点が
ある。そこで、色素の光安定性を向上させ、特に読み出
し光による脱色(再生劣化)を防止するために、色素と
クエンチャ−を併用することが提案されている(たとえ
ば特開昭60−162691号、60−201988号
、60−203488号、60−257290号)。
は色素と樹脂を組み合わせたものが使用されている。し
かしこのような光記録媒体はくりかえしの消去や、読み
出し光のくりかえし照射によって、あるいはまた長期保
存によって、感度やC/ N比が低下するという欠点が
ある。そこで、色素の光安定性を向上させ、特に読み出
し光による脱色(再生劣化)を防止するために、色素と
クエンチャ−を併用することが提案されている(たとえ
ば特開昭60−162691号、60−201988号
、60−203488号、60−257290号)。
しかしこれらのクエンチャ−を併用してもなお、光記録
媒体の読み出し光に対する耐久性、あるいは長期保存安
定性は、実用上十分満足すべきものとはいえなかった。
媒体の読み出し光に対する耐久性、あるいは長期保存安
定性は、実用上十分満足すべきものとはいえなかった。
(発明が解決しようとする問題点)
したがって本発明の目的は、読み出し光のくりかえし照
射に対して耐久性があり、しかも保存安定性に優れた光
記録媒体を提供することである。
射に対して耐久性があり、しかも保存安定性に優れた光
記録媒体を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
本発明の目的は、基板上に、下記一般式(I)で表わさ
れる色素と、クエンチャ−を担持せしめてなる光記録媒
体により達成された。
れる色素と、クエンチャ−を担持せしめてなる光記録媒
体により達成された。
一般式(I)
A1およびA2は独立に水素原子または置換基を表わし
、 Zは5員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わし
、 R3−R4は独立に水素原子または置換基を表“わし、 R5は置換基を表わすか、またはZと共に6員複素環を
形成してもよく、 nは0,1または2を表わし、 X は陰イオンを表わす。
、 Zは5員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わし
、 R3−R4は独立に水素原子または置換基を表“わし、 R5は置換基を表わすか、またはZと共に6員複素環を
形成してもよく、 nは0,1または2を表わし、 X は陰イオンを表わす。
本発明において特に好ましい化合物は下記一般式(n)
で表わされる。
で表わされる。
一般式(n)
式中、A+およびA2はそれぞれ独立に水素原子、ハロ
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換も
しくは無置換のアリールオキシ基、シアン基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、又は置換もしくは無置換のアラルキル基を表わし
;Yは、N R5(R8は置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアリール基、又は置換もし
くは無置換のアラルキル基を表わす。)、0.5SSe
。
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換も
しくは無置換のアリールオキシ基、シアン基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、又は置換もしくは無置換のアラルキル基を表わし
;Yは、N R5(R8は置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアリール基、又は置換もし
くは無置換のアラルキル基を表わす。)、0.5SSe
。
又はTeを表わし;Z′は5員の複素環を形成するのに
必要な原子団を表わし; R+ 、R2、R3およびト
4は置換もしく(、!無置換。ア2.や7.基、置換も
しくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアラ
ルキル基または水素原子を表わし;R6は置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基
、置換もしくは無置換のアラルキル基、又はZ′と結合
して6員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わし
;nは0.1又は2を表わし;Xは陰イオンを表わす。
必要な原子団を表わし; R+ 、R2、R3およびト
4は置換もしく(、!無置換。ア2.や7.基、置換も
しくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアラ
ルキル基または水素原子を表わし;R6は置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基
、置換もしくは無置換のアラルキル基、又はZ′と結合
して6員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わし
;nは0.1又は2を表わし;Xは陰イオンを表わす。
ただしXはR+ SR2、R3、R4、Rs 、Rs
、Z ’、A1又はA2上に結合して分子内塩を形成し
ていてもよい。
、Z ’、A1又はA2上に結合して分子内塩を形成し
ていてもよい。
一般式CI[)で表わされる化合物につき、さらに詳し
く説明する。
く説明する。
AI 、A2で表わされる基のうち好ましいものは、水
素原子、塩素原子、炭素原子数1ないし20の、置換も
しくは無置換のアルキル基、炭素原子数6ないし20の
置換もしくは無置換のフェニル基、炭素原子数7ないし
20の置換もしくは無置換のベンジル基、炭素原子数1
ないし20の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素
原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェノキシ
基、又は炭素原子数7ないし20の置換もしくは無置換
のベンジルオキシ基であり、これらの置換基として好ま
しいものは、ハロゲン原子(FXCl。
素原子、塩素原子、炭素原子数1ないし20の、置換も
しくは無置換のアルキル基、炭素原子数6ないし20の
置換もしくは無置換のフェニル基、炭素原子数7ないし
20の置換もしくは無置換のベンジル基、炭素原子数1
ないし20の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素
原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェノキシ
基、又は炭素原子数7ないし20の置換もしくは無置換
のベンジルオキシ基であり、これらの置換基として好ま
しいものは、ハロゲン原子(FXCl。
Sr、I)、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、エステル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基
、カルバモイル基、スルファモイル基、ウレイド基、ス
ルホニル基、ヒドロキシ基、スルホ基、またはカルボキ
シル基であり、これらはさらに置換されていてもよい。
基、エステル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基
、カルバモイル基、スルファモイル基、ウレイド基、ス
ルホニル基、ヒドロキシ基、スルホ基、またはカルボキ
シル基であり、これらはさらに置換されていてもよい。
AI 、A2で表わされる基のうち特に好ましいものは
、水素原子、塩素原子、炭素原子数1ないし6のアルキ
ル基、フェニル基、ベンジル基、炭素原子数1ないし6
のアルコキシ基又はフェノキシ基である。
、水素原子、塩素原子、炭素原子数1ないし6のアルキ
ル基、フェニル基、ベンジル基、炭素原子数1ないし6
のアルコキシ基又はフェノキシ基である。
Yで表わされる基のうち好ましいものは、olS、 S
e、 Te、および炭素原子数1ないし20のNR6で
あり、R6は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
くしは無置換のフェニル基、又は置換もしくは無置換の
ベンジル基を表わし、置換基として好ましいものはAI
、A2で表わされる基の置換基として好ましいものとし
て上述した基と同じである。
e、 Te、および炭素原子数1ないし20のNR6で
あり、R6は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
くしは無置換のフェニル基、又は置換もしくは無置換の
ベンジル基を表わし、置換基として好ましいものはAI
、A2で表わされる基の置換基として好ましいものとし
て上述した基と同じである。
Yで表わされる基のうち特に好ましいものは、0、S
5SeSTe、およびR6が炭素原子数1ないし6のア
ルキル基、フェニル、ベンジル基であるNR6である。
5SeSTe、およびR6が炭素原子数1ないし6のア
ルキル基、フェニル、ベンジル基であるNR6である。
Z′で表わされる原子団のうち好ましいものは、ベンゾ
もしくはナフトアゾール環を形成するのに必要な原子団
又は十CH=CH十「であり、これはAI、A2で表わ
される基の置換基として好ましいものとして上述した基
で置換されていてもよい。Z′で表わされる原子団のう
ち特に好ましいものは十CH=CH″rT−およびこれ
にハロゲン原子(F、 C1、Or、 I ) 、炭素
原子数1ないし6のアルキル基、フェニル基、炭素原子
数6ないし12の置換フェニル基、炭素原子数1ないし
6のアルコキシ基、炭素原子数6ないし20の置換もし
くは無置換のフェノキシ基、炭素原子数1ないし20の
カルボンアミド基、炭素原子数1ないし20のスルホン
アミド基、炭素原子数1ないし20のウレイド基が置換
した基、又はR5と結合して綜合ピリミジン環を形成し
得る原子団である。
もしくはナフトアゾール環を形成するのに必要な原子団
又は十CH=CH十「であり、これはAI、A2で表わ
される基の置換基として好ましいものとして上述した基
で置換されていてもよい。Z′で表わされる原子団のう
ち特に好ましいものは十CH=CH″rT−およびこれ
にハロゲン原子(F、 C1、Or、 I ) 、炭素
原子数1ないし6のアルキル基、フェニル基、炭素原子
数6ないし12の置換フェニル基、炭素原子数1ないし
6のアルコキシ基、炭素原子数6ないし20の置換もし
くは無置換のフェノキシ基、炭素原子数1ないし20の
カルボンアミド基、炭素原子数1ないし20のスルホン
アミド基、炭素原子数1ないし20のウレイド基が置換
した基、又はR5と結合して綜合ピリミジン環を形成し
得る原子団である。
R1、R2、R3およびR1で表わされる基のうち好ま
しいものは炭素原子数1ないし20の置換もしくは無置
換のアルキル基、炭素原子数6ないし20の置換もしく
は無置換のフェニル基、炭素原子数7ないし20の置換
もしくは無置換のベンジル基、又は水素原子であり、置
換基としては、AI 、A2で表わされている基の置換
基として好ましいものとして上述した基があげられる。
しいものは炭素原子数1ないし20の置換もしくは無置
換のアルキル基、炭素原子数6ないし20の置換もしく
は無置換のフェニル基、炭素原子数7ないし20の置換
もしくは無置換のベンジル基、又は水素原子であり、置
換基としては、AI 、A2で表わされている基の置換
基として好ましいものとして上述した基があげられる。
R1およびR5で表わされる基として特に好ましいもの
は炭素原子数1ないし12の置換又は無置換のアルキル
基、又は炭素原子数6ないし12の置換又は無置換のフ
ェニル基である。R2として特に好ましいものは水素原
子、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数
6ないし20の置換もしくは無置換のフェニル基であり
、R4として特に好ましいものはフェニル基又は炭素原
子数6ないし20の置換フェニル基である。
は炭素原子数1ないし12の置換又は無置換のアルキル
基、又は炭素原子数6ないし12の置換又は無置換のフ
ェニル基である。R2として特に好ましいものは水素原
子、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数
6ないし20の置換もしくは無置換のフェニル基であり
、R4として特に好ましいものはフェニル基又は炭素原
子数6ないし20の置換フェニル基である。
Rネで表わされる置換基のうち好ましいものは、炭素原
子数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキル基、
炭素原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェニ
ル基、又は炭素原子数7ないし20の置換もしくは無置
換のアラルキル基、又はZ′と連結して縮合ピリミジン
環を形成するのに必要な原子団である。置換基として好
ましいものは、Al5A2で表わされる基の置換基とし
て好ましいものと同じである。
子数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキル基、
炭素原子数6ないし20の置換もしくは無置換のフェニ
ル基、又は炭素原子数7ないし20の置換もしくは無置
換のアラルキル基、又はZ′と連結して縮合ピリミジン
環を形成するのに必要な原子団である。置換基として好
ましいものは、Al5A2で表わされる基の置換基とし
て好ましいものと同じである。
R5で表わされる置換基のうち特に好ましいものは、炭
素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数2ない
し4のスルホアルキル基、フェニル基、スルホフェニル
基、ベンジル基、スルホベンジル基、フェネチル基、ス
ルホフェネチル基又はZ′と連結して縮合ピリミジン環
を形成するのに必要な原子団(CRs = CR2CR
r = N )である。
素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数2ない
し4のスルホアルキル基、フェニル基、スルホフェニル
基、ベンジル基、スルホベンジル基、フェネチル基、ス
ルホフェネチル基又はZ′と連結して縮合ピリミジン環
を形成するのに必要な原子団(CRs = CR2CR
r = N )である。
nの好ましい値は情報記録又は読取りに用いる光の波長
に応じて決まり、例えば700〜900nmの光を用い
る場合にはnは2.600〜850nm、特に660〜
800nmの光を用いる場合にはn−1,500〜65
0nm、特に540〜560nmの光を用いる場合には
n=Qであることが好ましい。
に応じて決まり、例えば700〜900nmの光を用い
る場合にはnは2.600〜850nm、特に660〜
800nmの光を用いる場合にはn−1,500〜65
0nm、特に540〜560nmの光を用いる場合には
n=Qであることが好ましい。
Xで表わされる陰イオンとして好ましいものは、ハロゲ
ン化物イオン、硫酸イオン、モノアルキル硫酸イオン、
過塩素酸イオン、スルホン酸イオン、炭酸イオン、硝酸
イオン、アセテートイオン、ベンゾエートイオン、オキ
ザレートイオン、リン酸イオン、テトラフェニルホウ酸
イオン、テトラフルオロリン酸イオンが挙げられる。
ン化物イオン、硫酸イオン、モノアルキル硫酸イオン、
過塩素酸イオン、スルホン酸イオン、炭酸イオン、硝酸
イオン、アセテートイオン、ベンゾエートイオン、オキ
ザレートイオン、リン酸イオン、テトラフェニルホウ酸
イオン、テトラフルオロリン酸イオンが挙げられる。
Xで表わされる陰イオンとして特に好ましいものは、臭
素イオン、沃素イオン、硫酸イオン、モノアルキル硫酸
イオン、過塩素酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、
アリールスルホン酸イオンである。
素イオン、沃素イオン、硫酸イオン、モノアルキル硫酸
イオン、過塩素酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、
アリールスルホン酸イオンである。
以下に一般式(I)で表わされる化合物の具体例を挙げ
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
28゜
一般式(I)で表わされる化合物の合成は、例えば、G
、G、 Dyadyusha らの報文(染料と顔料(
Dyes and Pigments)誌、第4巻、1
79頁〜194頁、1983年発行)に記載されており
、種々の誘導体もこの方法に従って合成することができ
る。以下に合成例を示す。
、G、 Dyadyusha らの報文(染料と顔料(
Dyes and Pigments)誌、第4巻、1
79頁〜194頁、1983年発行)に記載されており
、種々の誘導体もこの方法に従って合成することができ
る。以下に合成例を示す。
合成例1 具体例8の合成
3−エチル−2−(4−アセトアニリド−1゜3−ブタ
ジェニル)ベンゾチアゾリウムバークロレート0.43
gを5mlのエタノールに溶解し、これに0.35
gの4.6−シメチルー2.8−ジフェニルチアゾロ[
3,4−al ピリミジニウムバークロレートを3mj
l!のアセトニトリルに溶かして加えた。この溶液を加
熱還流しつつ0.1gのトリエチルアミンを加えた。生
じた色素の沈殿を濾取しアセトニトリルより再結晶した
。収!0.21g。
ジェニル)ベンゾチアゾリウムバークロレート0.43
gを5mlのエタノールに溶解し、これに0.35
gの4.6−シメチルー2.8−ジフェニルチアゾロ[
3,4−al ピリミジニウムバークロレートを3mj
l!のアセトニトリルに溶かして加えた。この溶液を加
熱還流しつつ0.1gのトリエチルアミンを加えた。生
じた色素の沈殿を濾取しアセトニトリルより再結晶した
。収!0.21g。
融点200−201℃、アセトニトリル溶液の吸収スペ
クトル:λl、1aN= 79 QnmS βOgI:
ff1a8=4.91゜ 合成例2 具体例10の合成 2.4.6−ドリメチルー8−フェニルチアゾロ[:3
.4−a〕ピリミジニウムバークロレート0.35g、
ジフェニルホルムアミジン0.25g。
クトル:λl、1aN= 79 QnmS βOgI:
ff1a8=4.91゜ 合成例2 具体例10の合成 2.4.6−ドリメチルー8−フェニルチアゾロ[:3
.4−a〕ピリミジニウムバークロレート0.35g、
ジフェニルホルムアミジン0.25g。
および無水酢酸3+dよりなる混合物を110℃で1時
間加熱した。エーテルを加えて生成物を沈殿させ、エタ
ノールを加えて洗浄した後濾取した。
間加熱した。エーテルを加えて生成物を沈殿させ、エタ
ノールを加えて洗浄した後濾取した。
この沈殿に2.4.6−)サメチル−8−フェニルチア
ゾロ(3,4−a〕ビリミジニウムパークロレー)0.
35gと2mlの無水酢酸を加え沸点まで加熱した後0
.1gのトリエチルアミンを加え、生じた色素の沈殿を
濾取した。収量0.11g、融点243−244℃、ア
セトニトリル中の吸収スペクトル:λmax =80
5nms i’ogεlllaM =4.76゜ 合成例3 具体例11の合成 2.4.6−)サメチル−8−フェニルチアゾロC3,
4−a〕 ピリミジニウムバークロレート0.75g、
(3−アニリノ−2−プロベニリデン)フェニルアンモ
ニウムクロライド0.26g、及び5mlの無水酢酸よ
りなる混合物をその沸点まで加熱し、0.1gのトリエ
チルアミンを加えた。生じた色素の結晶を濾取した。
ゾロ(3,4−a〕ビリミジニウムパークロレー)0.
35gと2mlの無水酢酸を加え沸点まで加熱した後0
.1gのトリエチルアミンを加え、生じた色素の沈殿を
濾取した。収量0.11g、融点243−244℃、ア
セトニトリル中の吸収スペクトル:λmax =80
5nms i’ogεlllaM =4.76゜ 合成例3 具体例11の合成 2.4.6−)サメチル−8−フェニルチアゾロC3,
4−a〕 ピリミジニウムバークロレート0.75g、
(3−アニリノ−2−プロベニリデン)フェニルアンモ
ニウムクロライド0.26g、及び5mlの無水酢酸よ
りなる混合物をその沸点まで加熱し、0.1gのトリエ
チルアミンを加えた。生じた色素の結晶を濾取した。
収量0.14 g、融点269−297℃、アセト=
1−リル中の吸収スペクトル:λmax = 895n
m。
1−リル中の吸収スペクトル:λmax = 895n
m。
βOgε□、=4.92゜
一般式(1)で表わされる色素は吸収極大波長が同程度
の従来のシアニン色素に比べ耐熱性、耐湿性および耐光
性が特にすぐれていることが見出された。その原因は明
らかではないが、一般にシアニン色素のメチン鎖長が長
くなるほど保存安定性が低下する傾向があることから考
えると、一般式(I)で表わされる色素は、従来のシア
ニン色素と同等の吸収極大波長を得るのに、より短かい
メチン鎖長で済むため、安定性が高くなったものと考え
られる。
の従来のシアニン色素に比べ耐熱性、耐湿性および耐光
性が特にすぐれていることが見出された。その原因は明
らかではないが、一般にシアニン色素のメチン鎖長が長
くなるほど保存安定性が低下する傾向があることから考
えると、一般式(I)で表わされる色素は、従来のシア
ニン色素と同等の吸収極大波長を得るのに、より短かい
メチン鎖長で済むため、安定性が高くなったものと考え
られる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 Co、 Cu、 Pd
5Ptなどである。
、種々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金属
として好ましいものは、Ni、 Co、 Cu、 Pd
5Ptなどである。
新規なりエンチャーの例としては次の一般式(II[)
または(IV)で示されるものが挙げられる。
または(IV)で示されるものが挙げられる。
(式中、(Cat、)および〔Cat2)は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、MlおよびM
2はニッケノペ銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す。nは1または2を示す。)前記一般式[III)
またはCI’V)で表わされる化合物において、(Ca
t、)または(Cat2)で表わされる陽イオンのうち
無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Li
、 Na5Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca
、 Baなど)もしくはNH,+をあげることができる
。
ならしめるために必要な陽イオンを示し、MlおよびM
2はニッケノペ銅、コバルト、パラジウムまたは白金を
示す。nは1または2を示す。)前記一般式[III)
またはCI’V)で表わされる化合物において、(Ca
t、)または(Cat2)で表わされる陽イオンのうち
無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえば、Li
、 Na5Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、 Ca
、 Baなど)もしくはNH,+をあげることができる
。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることかできる
。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることかできる
。
上記の陽イオン[Cat、]および(Cat、)の中で
好ましいのは下記の一般式(V−a)、(V−b)、(
V−c)、(V−d)もしくは(V−e)で表わされる
ものである。
好ましいのは下記の一般式(V−a)、(V−b)、(
V−c)、(V−d)もしくは(V−e)で表わされる
ものである。
式中、R・’ 、R” 、R’ 、R’ 、R5、R’
、R’ 、R” 、 R9、RIo、RI 1およびR
”i−!ツレぞれ炭素数1ないし20の置換もしくは無
置換のアルキル基、または炭素数6ないし14の置換も
しくは無置換のアリール基を表わし、ZlおよびZ2は
各式中の窒素またはリン原子と結合して5員または6員
環を形成する非金属原子群を表わす。
、R’ 、R” 、 R9、RIo、RI 1およびR
”i−!ツレぞれ炭素数1ないし20の置換もしくは無
置換のアルキル基、または炭素数6ないし14の置換も
しくは無置換のアリール基を表わし、ZlおよびZ2は
各式中の窒素またはリン原子と結合して5員または6員
環を形成する非金属原子群を表わす。
この炭素数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキ
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1SO−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
のアリール基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
ル基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、1SO−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデ
シル基などをあげることができる。炭素数6ないし14
のアリール基としては、たとえばフェニル基、トリル基
、α−ナフチル基などをあげることができる。
これらのアルキル基またはアリール基はシアノ基、水酸
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)、
了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキシ
基など)アラルキル基(たとえば、ベンジル基、フェネ
チル基またはアニシル基など)、アルコキシカルボニル
基(たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、アリーロキ
シカルボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル基壕
トリロキシカルボニル基など)、アシル基(たとえば、
アセチル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基(た
とえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など)
、カルバモイル基(たとえば、N−エチルカルバモイル
基、N−フェニルカルバモイル基ナト)、アルキルスル
ホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミノ基
、フェニルスルホニルアミノ基など)スルファモイル基
(りとえば、N−エチルスルファモイル基、N−フェニ
ルスルファモイル基など)、スルホニル基(たとえば、
メシル基、トシル基など)などで置換されていてもよい
。
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フェニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾ
イルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など)、
了り一ロキシ基(たとえば、フェノキシ基、トリロキシ
基など)アラルキル基(たとえば、ベンジル基、フェネ
チル基またはアニシル基など)、アルコキシカルボニル
基(たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、アリーロキ
シカルボニル基(たとえば、フェノキシカルボニル基壕
トリロキシカルボニル基など)、アシル基(たとえば、
アセチル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ基(た
とえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など)
、カルバモイル基(たとえば、N−エチルカルバモイル
基、N−フェニルカルバモイル基ナト)、アルキルスル
ホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホニルアミノ基
、フェニルスルホニルアミノ基など)スルファモイル基
(りとえば、N−エチルスルファモイル基、N−フェニ
ルスルファモイル基など)、スルホニル基(たとえば、
メシル基、トシル基など)などで置換されていてもよい
。
またZlおよびZ2は前記のように5員環または6員環
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。一般式(V−b’)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの
5員環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾ
ール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダシ
リン環などをあげることができる。一般式(V−b’)
で表わされるカチオンとしては、たとえばドデシルピリ
ジニウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイ
ミダゾリウム基などをあげることができる。
一般式(V−c)で表わされるカチオンとしては、たと
えば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム基
、N−エチル−N−ドデシルピラゾリジニウム基などを
あげることができる。
えば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム基
、N−エチル−N−ドデシルピラゾリジニウム基などを
あげることができる。
上記の一般式(V−a )、(V−b)、(V−C)、
(V−d)および(V−e)で表わされる陽イオンの中
で、本願発明に特に好ましく用いられるものは、製造原
料の入手し易さ、製造コストの点で、(V−a)、(V
−b)、(V−d)および(V−e)である。
(V−d)および(V−e)で表わされる陽イオンの中
で、本願発明に特に好ましく用いられるものは、製造原
料の入手し易さ、製造コストの点で、(V−a)、(V
−b)、(V−d)および(V−e)である。
この陽イオン〔Cat、]および[Cat2]の種類は
、前記一般式〔■〕または〔■〕で表わされる化合物の
有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
、前記一般式〔■〕または〔■〕で表わされる化合物の
有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
一般に、第四級へテロ原子に結合する置換基がアルキル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
前記一般式(III)または〔■〕で表わされる化合物
においてM、またはM2を好ましい順に挙げるとニッケ
ル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
においてM、またはM2を好ましい順に挙げるとニッケ
ル、コバルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式[III)またはCIV)の金属錯体は平面四配
位の立体構造を有する。なお一般式(TV)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
(1’V]のように表わす。
位の立体構造を有する。なお一般式(TV)の化合物で
はチオケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあ
るかは一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式
(1’V]のように表わす。
前記一般式〔I[]または〔■〕で表わされる化合物は
次のようにして合成することができる。
次のようにして合成することができる。
一般式〔III] (n=2)の化合物は二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジンディラム−1,
3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。
とナトリウムを反応させて得られるジンディラム−1,
3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを
先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ
、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解
した後、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式[:III) (n=1)の化合物は、上
で得られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得
られる。
で得られた錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得
られる。
一般式(IVI (n=2)の化合物は、先ず、二硫
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジンディラム
−1,3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレ
ートを、約130℃に加熱してジンディラム−1,2−
ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性
化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイル
を反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアル
カリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジンディラム
−1,3−ジチオール−2−チオン−4゜5−ジチオレ
ートを、約130℃に加熱してジンディラム−1,2−
ジチオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性
化させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイル
を反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これをアル
カリで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式[:I’V] (n=1)は上で得られた
錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔■〕または〔■〕の化合物を得るための中間体
である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチ
オレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の池
に電気化学的な還元によっても得られる。
である1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチ
オレートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の池
に電気化学的な還元によっても得られる。
前記−〜式ClIDで表わされる化合物のうち好ましい
ものを例示すれば次の通りである。
ものを例示すれば次の通りである。
/+l r−m
m−一 −J
I+1
−4Q ’63 芭
8目 目 目
目一般式(1)で表わされる化合物の
合成例を以下に示す。
m−一 −J
I+1
−4Q ’63 芭
8目 目 目
目一般式(1)で表わされる化合物の
合成例を以下に示す。
合成例4く例示化合物(、l−4)の合成〉(1−1)
ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(1,3−ジ
チオール−2−チオン−4゜5−ジチオラト)亜鉛錯体
の合成。
ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(1,3−ジ
チオール−2−チオン−4゜5−ジチオラト)亜鉛錯体
の合成。
反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行った。
ナトリウム23gを小片に切り、二硫化炭素180mj
!中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルムア
ミド200rdをゆ゛っくり滴下した。
!中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルムア
ミド200rdをゆ゛っくり滴下した。
この時激しく発熱しないように注意する。ジメチルホル
ムアミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加熱
して24時間還流した。反応終了後未反応のナトリウム
をろ別した。次いでろ液にエタノール50dを加え、室
温で2時間攪拌した。
ムアミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加熱
して24時間還流した。反応終了後未反応のナトリウム
をろ別した。次いでろ液にエタノール50dを加え、室
温で2時間攪拌した。
この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去する。
次いで水300mj!をゆっくり滴下して加えた後(尋
られた溶液をろ過した。
られた溶液をろ過した。
次いで、あらかじめ塩化亜鉛20gをメタノール500
−に溶かし、これに濃アンモニウム水500−を加えた
溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液に加え(室
温)5分間攪拌した後、テトラエチルアンモニウムプロ
ミド53gを水250−に溶かした水溶液を加えると、
直ちに赤色の沈殿が析出してくる。これをろ過し、風乾
して亜鉛錯体を得た。
−に溶かし、これに濃アンモニウム水500−を加えた
溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液に加え(室
温)5分間攪拌した後、テトラエチルアンモニウムプロ
ミド53gを水250−に溶かした水溶液を加えると、
直ちに赤色の沈殿が析出してくる。これをろ過し、風乾
して亜鉛錯体を得た。
(1−2)4.5−ビス(ベンゾイルチオ)−1,3−
ジチオール−2−チオンの合成。
ジチオール−2−チオンの合成。
(1−1)で得た亜鉛錯体22gをアセトン500m1
l!に溶かしろ過する。ろ液を攪拌しつつ、これに塩化
ベンゾイル150rd!を加える。直ちに黄色の沈殿が
析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物16gを得
た。
l!に溶かしろ過する。ろ液を攪拌しつつ、これに塩化
ベンゾイル150rd!を加える。直ちに黄色の沈殿が
析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物16gを得
た。
(1−3)例示化合物(I[[−4)の合成(1−2)
で得たビス(ベンゾイルチオ)体9.2gをメタノール
50mjl!に溶かす。これにナトリウムメトキサイド
の28%メタノール溶液6.3gを加えて、10分間攪
拌する。この溶液に塩化ニッケル(六水和物)2.4g
をメタノール50m12に声かした溶液を加え、室温で
30分間攪拌する。
で得たビス(ベンゾイルチオ)体9.2gをメタノール
50mjl!に溶かす。これにナトリウムメトキサイド
の28%メタノール溶液6.3gを加えて、10分間攪
拌する。この溶液に塩化ニッケル(六水和物)2.4g
をメタノール50m12に声かした溶液を加え、室温で
30分間攪拌する。
この溶液にテトラブチルホスホニウムプロミド8.5g
をメタノールloOmf!に溶かした溶液を加えると、
直ちに黒色の沈殿が析出する。さらに20分間攪拌して
ろ過し、アセトンで洗って風乾し、アセトン−イソプロ
ピルアルコールから再結晶させて標記化合物を得た。収
量3,8g合成例5く例示化合物(In−2>の合成〉
(1−3)で得られたニッケル錯体1gをアセトン60
艷に溶かし、これに酢酸30rd!を加え、3時間攪拌
し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出した。これを
アセトン−メタノールから再結晶させて、目的の例示化
合物(III−2)を得た。
をメタノールloOmf!に溶かした溶液を加えると、
直ちに黒色の沈殿が析出する。さらに20分間攪拌して
ろ過し、アセトンで洗って風乾し、アセトン−イソプロ
ピルアルコールから再結晶させて標記化合物を得た。収
量3,8g合成例5く例示化合物(In−2>の合成〉
(1−3)で得られたニッケル錯体1gをアセトン60
艷に溶かし、これに酢酸30rd!を加え、3時間攪拌
し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出した。これを
アセトン−メタノールから再結晶させて、目的の例示化
合物(III−2)を得た。
収量0.4 g、 m、p、 185℃ λ□−:11
25nm。
25nm。
ε□、 + 2.51x 10’ (cH2C72
中)また既知のクエンチャ−としては、特開昭59−1
78295号に記載されている。次の化合物が挙げられ
る。
中)また既知のクエンチャ−としては、特開昭59−1
78295号に記載されている。次の化合物が挙げられ
る。
(1)ビスジチオ−α−ジケトン系
R1〜R4はアルキル基またはアリール基を表わし、M
は2価の遷移金属原子を表わす。
は2価の遷移金属原子を表わす。
(ii )ビスフェニルジチオール系
R8、R6はアルキル基またはハロゲン原子を表わし、
Mは2価の遷移金属子を表わす。
Mは2価の遷移金属子を表わす。
(iii )アセチルアセトナートキレート系(iv>
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vii)サリチルアルデヒドオキシム系(vji)チ
オビスフェルレートキレート系(ix)亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xl)ヒンダードアミン系 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、IRG−003、IRG−02
2、IRG−033が挙げられる。
ジチオカルバミン酸キレート系(v)ビスフェニルチオ
ール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vii)サリチルアルデヒドオキシム系(vji)チ
オビスフェルレートキレート系(ix)亜ホスホン酸キ
レート系 (x)ベンゾエート系 (xl)ヒンダードアミン系 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、IRG−003、IRG−02
2、IRG−033が挙げられる。
の
R2
(式中Rはアルキル基又はアリール基を表わす。)本発
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−のア
ニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたり、一般に0.05
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
〜12モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される
。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上る下引き
層を、また記録層上に保護層、反射層を設けることがで
きる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上る下引き
層を、また記録層上に保護層、反射層を設けることがで
きる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステルなどが用いら
れる。その形状はディスク状、カード状、シート状、ロ
ールフィルム状など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステルなどが用いら
れる。その形状はディスク状、カード状、シート状、ロ
ールフィルム状など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化角などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化角などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、一般式(1)
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど)に溶
解し、必要に応じて適当なバインダー(例えばPVA、
PVP、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニ
トロセルロース、ポリビニルホルマーノベメチルビニル
エーテル、塩素化パラフィン、無水マレイン酸共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂)を
加え、この溶液を塗布(例えばスピンコード)すること
によって行なえるし、又は色素とクエンチャ−を共蒸着
するかあ゛るいは一般式(I)で表わされる色素を真空
蒸着したのち、クエンチャ−を塗布することによって行
なえる。バインダーを使用する場合には、バインダーの
重量は色票重量の0.01〜2倍が好ましい。また一般
式(I)の色素をいわゆるラングミュア−プロジェット
法により薄膜として用いることもできる。
で表わされる色素およびクエンチャ−を有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど)に溶
解し、必要に応じて適当なバインダー(例えばPVA、
PVP、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニ
トロセルロース、ポリビニルホルマーノベメチルビニル
エーテル、塩素化パラフィン、無水マレイン酸共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体、キシレン系樹脂)を
加え、この溶液を塗布(例えばスピンコード)すること
によって行なえるし、又は色素とクエンチャ−を共蒸着
するかあ゛るいは一般式(I)で表わされる色素を真空
蒸着したのち、クエンチャ−を塗布することによって行
なえる。バインダーを使用する場合には、バインダーの
重量は色票重量の0.01〜2倍が好ましい。また一般
式(I)の色素をいわゆるラングミュア−プロジェット
法により薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好ましく
は0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のスの
奇数倍である。
は0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のスの
奇数倍である。
半導体レーザまたはHe −Neレーザなどの反射層を
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブ・レーテ
ィング法などの他の次のような方法によって作ることが
できる。
ィング法などの他の次のような方法によって作ることが
できる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層がo、oi〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の膜厚は金属粒子反射層がo、oi〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で1吏用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モ
ルの範囲で1吏用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対側より記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット
(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とビットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化によ
り検出する。
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とビットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化によ
り検出する。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
表1に示す色素(I)、クエンチャ−(n)、及び成る
場合にはバインダをメタノール−メチルエチルケトン−
ジクロロエタンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し
、表面硬化したアクリル板に厚さ0.1μmとなるよう
に塗布し、乾燥した。
場合にはバインダをメタノール−メチルエチルケトン−
ジクロロエタンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し
、表面硬化したアクリル板に厚さ0.1μmとなるよう
に塗布し、乾燥した。
なお色素とクエンチャ−との重量比は3:1、バイrダ
を用いる場合には、バインダの重量は色素の115 と
した。
を用いる場合には、バインダの重量は色素の115 と
した。
こうして得た光記録媒体に波長8’30nm(色素4を
用いた場合は780nm)の半導体レーザを用い、照射
面で5+nW、ビーム径1.6μm1という条件で0.
4MHzの信号を記録したところ、0.3μ秒の照射で
直径1.0μmのピットが形成された。この記録部に微
弱なレーザ光をあてて、信号を再生しC/N比を求めた
。次いで1mWのレーザ光(830nm、色素4を用い
た場合には780r++n)を1μsec巾3 KHz
のパルスどして10分間照射した後、C/N比を求めレ
ーザ光照射前のC/N比に比較しての低下率を求め、再
生劣化の尺度とした。また60℃90%RHにて30日
間放置した後のC/N比を保存前のC/N比と比較して
保存安定性の尺度とした。
用いた場合は780nm)の半導体レーザを用い、照射
面で5+nW、ビーム径1.6μm1という条件で0.
4MHzの信号を記録したところ、0.3μ秒の照射で
直径1.0μmのピットが形成された。この記録部に微
弱なレーザ光をあてて、信号を再生しC/N比を求めた
。次いで1mWのレーザ光(830nm、色素4を用い
た場合には780r++n)を1μsec巾3 KHz
のパルスどして10分間照射した後、C/N比を求めレ
ーザ光照射前のC/N比に比較しての低下率を求め、再
生劣化の尺度とした。また60℃90%RHにて30日
間放置した後のC/N比を保存前のC/N比と比較して
保存安定性の尺度とした。
u ト
入 閃 −く
べ cl:CI: Q づ
■L−鴎 (発明の効果) 表1の結果から、本発明の光記録媒体は従来の光記録媒
体に比べ再生劣化が小さく、すなわち読み出し耐久性に
優れ、かつ保存安定性に優れていることがわかる。
べ cl:CI: Q づ
■L−鴎 (発明の効果) 表1の結果から、本発明の光記録媒体は従来の光記録媒
体に比べ再生劣化が小さく、すなわち読み出し耐久性に
優れ、かつ保存安定性に優れていることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、下記一般式( I )で表わされる色素と、ク
エンチャーを担持せしめたことを特徴とする光記録媒体
。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ A_1およびA_2は独立に水素原子または置換基を表
わし、 Zは5員の複素環を形成するのに必要な原子団を表わし
、 R_1〜R_4は独立に水素原子または置換基を表わし
、 R_5は置換基を表わすか、またはZと共に6員複素環
を形成してもよく、 nは0、1または2を表わし、 X■は陰イオンを表わす。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61248976A JPS63102989A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 光記録媒体 |
US07/078,844 US4885228A (en) | 1986-07-29 | 1987-07-28 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61248976A JPS63102989A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63102989A true JPS63102989A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17186183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61248976A Pending JPS63102989A (ja) | 1986-07-29 | 1986-10-20 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63102989A (ja) |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61248976A patent/JPS63102989A/ja active Pending
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