KR20090047386A - 가교형 시아닌화합물 및 상기 화합물을 사용한 광학기록재료 - Google Patents

가교형 시아닌화합물 및 상기 화합물을 사용한 광학기록재료 Download PDF

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Abstract

하기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
Figure 112008067536043-PCT00031
(식 중 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅱ') 또는 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R1과 R2는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R3과 R4는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되며, N-R3은 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. X는 산소원자, 유황원자, 셀렌원자, -CR5R6-, -NH- 또는 -NYj-를 나타내고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅱ') 또는 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R5와 R6 은 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, Yj는 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타낸다. Z0은 탄소원자수 1~10인 유기기이며, n은 1 또는 2이고, r은 2~8이며, Anq -는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2이며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.)
가교형, 시아닌화합물, 광학기록재료, 광학기록매체

Description

가교형 시아닌화합물 및 상기 화합물을 사용한 광학기록재료{BRIDGED CYANINE COMPOUNDS AND OPTICAL RECORDING MATERIALS CONTAINING THE SAME}
본 발명은 주로 광학기록재료 등에 사용되는 가교형 시아닌화합물 및 그 금속착체에 관한 것으로서, 상세하게는 주로 정보를 레이저 등에 의한 정보패턴으로서 부여함으로써 기록하는 광학기록매체에 사용되는 광학기록재료에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 자외 및 가시영역의 파장을 가지면서 저에너지의 레이저 등에 의한 고밀도의 광학기록 및 재생이 가능한 광학기록매체에 사용되는 광학기록재료에 관한 것이다.
광학기록매체는 일반적으로 기록 용량이 크고, 기록 또는 재생이 비접촉으로 행해지는 것 등의 뛰어난 특징을 가지는 것에서 널리 보급되어 있다. WORM, CD-R, DVD±R 등의 추가기록형의 광디스크에서는, 기록층의 미세 면적에 레이저를 집광시켜 광학기록층의 성상을 바꿔 기록하여, 기록부분과 미기록부분의 반사광량의 차이에 의해 재생을 행하고 있다.
현재, 상기의 광디스크에 있어서는, 기록 및 재생에 사용하는 반도체 레이저의 파장은, CD-R은 750~830㎚이며, DVD-R은 620㎚~690㎚인데, 한층 더 용량의 증가를 실현하기 위해 단파장 레이저를 사용하는 광디스크가 검토되고 있으며, 예를 들 면 기록광으로서 380~420㎚의 광을 사용하는 것이 검토되고 있다.
단파장 기록광용의 광학기록매체에 있어서, 광학기록층의 형성에는 각종 화합물이 사용되고 있다. 예를 들면 특허문헌 1~3에는 특정의 구조를 가지는 시아닌화합물을 함유하는 광학기록재료가 보고되어 있다. 그러나 이 화합물들은 광학기록층의 형성에 사용되는 광학기록재료로서는, 그 흡수파장특성 및 내구성이 반드시 적합한 것은 아니었다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허 2001-301333호 공보
[특허문헌 2] 일본국 공개특허 2004-339460호 공보
[특허문헌 3] 일본국 공개특허 평11-58961호 공보
따라서, 본 발명의 목적은 흡수파장특성 및 내광성이 뛰어나고, 레이저광에 의한 광학기록재료에 사용되는 광학 요소에 적합한 화합물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 검토를 거듭한 결과, N-측쇄로 가교된 특정의 구조를 가지는 시아닌화합물이 흡수파장특성 및 내광성이 뛰어난 것을 지견하고, 이것을 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 지견하였다.
본 발명은 상기 지견에 근거하여 이루어진 것으로, 하기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물을 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
Figure 112008067536043-PCT00001
(식 중 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 하기 일반식(Ⅱ), 하기 일반식(Ⅱ') 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R1과 R2는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R3과 R4는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되며, N-R3은 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. X는 산소원자, 유황원자, 셀렌원자, -CR5R6-, -NH- 또는 -NYj-를 나타내고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 하기 일반식(Ⅱ), 하기 일반식(Ⅱ') 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R5와 R6은 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, Yj는 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나 타낸다. Z0은 탄소원자수 1~10인 유기기이며, n은 1 또는 2이고, r은 2~8이며, Anq -는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2이며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.)
Figure 112008067536043-PCT00002
(상기 일반식(Ⅱ)에 있어서, W와 T 사이의 결합은 이중결합, 공역 이중결합 또는 삼중결합이며, W는 탄소원자를 나타내고, T는 탄소원자, 또는 질소원자를 나타내며, x, y, z는 0 또는 1을 나타내고, a는 0~4의 수를 나타내며, R7은 수소원자, 할로겐원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알콕시기를 나타내고, 상기 알킬기 또는 알콕시기 중의 메틸렌기는 -O- 또는 -CO-로 치환되어 있어도 되며, R8, R9, R1O은 수소원자, 할로겐원자 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기는 -O- 또는 -CO-로 치환되어 있어도 되며, R8 과 R1O은 결합하여 환 구조를 형성해도 된다. 상기 일반식(Ⅱ')에 있어서, W'와 T' 사이의 결합은 이중결합 또는 공역 이중결합이며, W'는 탄소원자를 나타내고, T'는 탄소원자, 또는 질소원자를 나타내며, a'는 0~4의 수를 나타내고, W', T'를 포함하는 환은 헤테로원자를 포함해도 되는 5원환, 헤테로원자를 포함해도 되는 6원환, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 안트라센환 또는 안트라퀴논환을 나타내며, 이들 W', T'를 포함하는 환은 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기, 알콕시기로 치환되어 있어도 된다.)
Figure 112008067536043-PCT00003
(식 중 Ra~Ri는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기는 -O- 또는 -CO-로 치환되어 있어도 되며, Z2는 직접결합 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄 소원자수 1~10인 알킬렌기를 나타내고, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되며, M은 Fe, Co, Ni, Ti, Cu, Zn, Zr, Cr, Mo, Os, Mn, Ru, Sn, Pd, Rh, Pt 또는 Ir을 나타낸다.)
또한 본 발명은 하기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물을 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
Figure 112008067536043-PCT00004
(식 중 R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R11과 R12는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R19는 수소원자 또는 탄소원자수 1~30인 유기기를 나타내며, R13과 R14는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되고, N-R13은 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. Z00은 탄소원자수 1~10인 유기기이며, m은 0 또는 1이고, s는 2~8이며, Anq -, q, p는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)
또한 본 발명은 하기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물을 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
Figure 112008067536043-PCT00005
(식 중 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R1과 R2는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R3과 R4는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되며, N-R3은 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. X는 산소원자, 유황원자, 셀렌원자, -CR5R6-, -NH- 또는 -NYj-를 나타내고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R5와 R6은 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, Yj는 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타낸다. Z1은 직접결합, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기 또는 p-디알킬렌벤젠이며, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되고, n은 1 또는 2이며, Anq -는 q가의 음이온을 나타내고, An'q' -는 q'가의 음이온을 나타내며, q 및 q'는 각각 독립적으로 1 또는 2이고, p 및 p'는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.)
또한 본 발명은 하기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물을 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
Figure 112008067536043-PCT00006
(식 중 R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R11과 R12는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R19는 수소원자 또는 탄소원자수 1~30인 유기기를 나타내며, R13과 R14는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되고, N-R13은 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. Z3은 직접결합, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기 또는 p-디알킬렌벤젠이며, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되고, m은 0 또는 1이며, Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 같다.)
또한 본 발명은 상기 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광학기록재료를 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
또한 본 발명은 기체상에 상기 광학기록재료로 형성된 광학기록층을 가지는 것을 특징으로 하는 광학기록매체를 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
이하, 본 발명의 시아닌화합물, 및 상기 화합물을 함유하여 이루어지는 광학기록재료에 대하여 바람직한 실시형태에 근거하여 상세하게 설명한다.
우선, 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물에 대하여 설명한다.
상기 일반식(Ⅰ)에서의 R1 및 R2로 표시되는 할로겐원자로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있고, 상기 일반식(Ⅰ)에서의 R1, R2, R3, R4, 및 X 중의 기인 R5, R6 및 Yj로 표시되는 탄소원자수 1~30인 유기기로서는 특별히 제한을 받지 않으며, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 제3아밀, 헥실, 시클로헥실, 시클로헥실메틸, 2-시클로헥실에틸, 헵틸, 이소헵틸, 제3헵틸, n-옥틸, 이소옥틸, 제3옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 이소노닐, 데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 펩타데실, 옥타데실 등의 알킬기; 비닐, 1-메틸에테닐, 2-메틸에테닐, 프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 데세닐, 펜타데세닐, 1-페닐프로펜-3-일 등의 알케닐기; 페닐, 나프틸, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 4-비닐페닐, 3-이소프로필페닐, 4-이소프로필페닐, 4-부틸페닐, 4-이소부틸페닐, 4-제3부틸페닐, 4-헥실페닐, 4-시클로헥실페닐, 4-옥틸페닐, 4-(2-에틸헥실)페닐, 4-스테아릴페닐, 2,3-디메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,5-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 3,4-디메틸페닐, 3,5-디메틸페닐, 2,4-디제3부틸페닐, 시클로헥실페닐 등의 알킬아릴기; 벤질, 페네틸, 2-페닐프로판-2-일, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀 등의 아릴알킬기 및 이 탄화수소기들이 에테르결합, 티오에테르결합으로 중단된 것, 예를 들면 2-메톡시에틸, 3-메톡시프로필, 4-메톡시부틸, 2-부톡시에틸, 메톡시에톡시에틸, 메톡시에톡시에톡시에틸, 3-메톡시부틸, 2-페녹시에틸, 2-메틸티오에틸, 2-페닐티오에틸을 들 수 있고, 또한 이 기들은 알콕시기, 알케닐기, 니트로기, 시아노기, 할로겐원자 등으로 치환되어 있어도 된다.
상기 일반식(Ⅰ)에서의 R1과 R2가 연결하여 형성하는 환 구조로서는 시클로프로판환, 시클로부탄환, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 피페리딘환, 피페라진환, 피롤리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 트리아진환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 이미다졸환, 옥사졸환, 이미다졸리딘환, 피라졸리딘환, 이소옥사졸리딘환, 이소티 아졸리딘환 등을 들 수 있고, 상기 일반식(Ⅰ)에서의 X 중의 기인 R5와 R6이 연결하여 형성하는 환 구조로서는 피페리딘환, 피페라진환, 피롤리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 트리아진환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 이미다졸환, 옥사졸환, 이미다졸리딘환, 피라졸리딘환, 이소옥사졸리딘환, 이소티아졸리딘환 등을 들 수 있고, 이 환들은 다른 환과 축합되어 있거나, 치환되어 있어도 된다.
상기 일반식(Ⅰ)에서의 R3과 R4 및 상기 일반식(Ⅰ)에서의 N-R3이 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 형성하는 복소환으로서는 피페리딘환, 피페라진환, 피롤리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 트리아진환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 이미다졸환, 옥사졸환, 이미다졸리딘환, 피라졸리딘환, 이소옥사졸리딘환, 이소티아졸리딘환 등을 들 수 있고, 이 환들은 다른 환과 축합되어 있거나, 치환되어 있어도 된다.
상기 일반식(Ⅰ)에서의 Z0으로 표시되는 탄소원자수 1~10인 유기기로서는, 예를 들면 2~8가의 알코올 또는 페놀의 잔기를 들 수 있다.
2~8가의 알코올 또는 페놀로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥사메틸렌글리콜, 소르바이트 등의 2가 알코올; 카테콜, 레조르신, 히드로퀴논 등의 2가 페놀: 글리세린, 트리옥시이소부탄, 1,2,3-부탄트리올, 1,2,3-펜탄트리올, 2-메틸-1,2,3-프로판트리올, 2-메틸-2,3,4-부탄트리올, 2-에틸-1,2,3-부탄트리올, 2,3,4-펜탄트리올, 2,3,4-헥산트리 올, 4-프로필-3,4,5-헵탄트리올, 2,4-디메틸-2,3,4-펜탄트리올, 펜타메틸글리세린, 펜타글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 1,2,4-펜탄트리올, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판 등의 3가 알코올; 펜타에리스리톨, 1,2,3,4-펜탄테트롤, 2,3,4,5-헥산테트롤, 1,2,4,5-펜탄테트롤, 1,3,4,5-헥산테트롤, 디글리세린, 소르비탄 등의 4가 알코올; 아도니톨, 아라비톨, 자일리톨, 트리글리세린 등의 5가 알코올; 디펜타에리스리톨, 소르비톨, 만니톨, 이디톨, 이노시톨, 덜시톨, 탈로스, 알로스 등의 6가 알코올; 자당(蔗糖;sucrose) 등의 8가 알코올 등을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅰ)에 있어서, Anq -로 표시되는 음이온으로서는, 예를 들면 1가의 것으로서, 염소 음이온, 브롬 음이온, 요오드 음이온, 불소 음이온 등의 할로겐 음이온; 과염소산 음이온, 염소산 음이온, 티오시안산 음이온, 6불화인 음이온, 6불화안티몬 음이온, 4불화붕소 음이온 등의 무기계 음이온; 벤젠술폰산 음이온, 톨루엔술폰산 음이온, 트리플루오로메탄술폰산 음이온, 디페닐아민-4-술폰산 음이온, 2-아미노-4-메틸-5-클로로벤젠술폰산 음이온, 2-아미노-5-니트로벤젠술폰산 음이온 등의 유기 술폰산 음이온; 옥틸인산 음이온, 도데실인산 음이온, 옥타데실인산 음이온, 페닐인산 음이온, 노닐페닐인산 음이온, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디제3부틸페닐)포스폰산 음이온 등의 유기 인산계 음이온, 비스트리플루오로메틸술포닐이미드 음이온, 비스퍼플루오로부탄술포닐이미드 음이온, 퍼플루오로-4-에틸시클로헥산술포네이트 음이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산 음이온, 트리스(플루오로알킬술포닐)카르보 음이온 등을 들 수 있고, 2가의 것으로서는, 예를 들면 벤젠디술폰 산 음이온, 나프탈렌디술폰산 음이온 등을 들 수 있다. 또한 여기상태에 있는 활성분자를 탈여기시키는(켄칭(quenching)시키는) 기능을 가지는 켄처(quencher) 음이온이나 시클로펜타디에닐환에 카르복실기나 포스폰산기, 술폰산기 등의 음이온성 기를 가지는 페로센, 루테오센 등의 메탈로센화합물 음이온 등도 필요에 따라 사용할 수 있다.
또한 p 및 p'는 분자 전체에서 전하가 중성이 되도록 선택된다.
상기의 켄처 음이온으로서는, 예를 들면 하기 일반식(A), (B) 또는 하기 식(C)로 표현되는 것, 일본국 공개특허 소60-234892호 공보, 일본국 공개특허 평5-43814호 공보, 일본국 공개특허 평5-305770호 공보, 일본국 공개특허 평6-239028호 공보, 일본국 공개특허 평9-309886호 공보, 일본국 공개특허 평9-323478호 공보, 일본국 공개특허 평10-45767호 공보, 일본국 공개특허 평11-208118호 공보, 일본국 공개특허 2000-168237호 공보, 일본국 공개특허 2002-201373호 공보, 일본국 공개특허 2002-206061호 공보, 일본국 공개특허 2005-297407호 공보, 일본국 공고특허 평7-96334호 공보, 국제공개 98/29257호 공보 등에 기재된 바와 같은 음이온을 들 수 있다.
Figure 112008067536043-PCT00007
(식 중 M은 Fe, Co, Ni, Ti, Cu, Zn, Zr, Cr, Mo, Os, Mn, Ru, Sn, Pd, Rh, Pt 또는 Ir을 나타내고, Rj 및 Rk는 할로겐원자, 탄소원자수 1~8인 알킬기, 탄소원자수 6~30인 아릴기 또는 -SO2-G기를 나타내며, G는 알킬기, 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 아릴기, 디알킬아미노기, 디아릴아미노기, 피페리디노기 또는 모르폴리노기를 나타내고, a 및 b는 각각 독립적으로 0~4의 수를 나타낸다. 또한 Rl, Rm, Rn 및 Ro는 각각 독립적으로 알킬기, 알킬페닐기, 알콕시페닐기 또는 할로겐화페닐기를 나타낸다.)
Figure 112008067536043-PCT00008
상기 일반식(Ⅱ)에서의 R7, R8, R9 및 R1O으로 표시되는 탄소원자수 1~4인 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸 등을 들 수 있고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기가 -O-로 치환된 기로서는 메톡시, 에톡시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 2-메톡시에틸 등을 들 수 있으며, 상기 알킬기 중의 메틸렌기가 -CO-로 치환된 기로서는 아세틸, 1-카르보닐에틸, 아세틸메틸, 1-카르보닐프로필, 2-옥소부틸, 2-아세틸에틸, 1-카르보닐이소프로필 등을 들 수 있다. 상기 일반식(Ⅱ)에서의 R7로 표시되는 탄소원자수 1~4인 알콕시기로서는 상기 탄소원자수 1~4인 알킬기로서 예시한 것에 에테르기를 첨가한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅱ)에서의 R7, R8, R9 및 R1O으로 표시되는 할로겐원자로서는, 상기 일반식(Ⅰ)의 R1 및 R2로 표시되는 할로겐원자로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅱ)에서의 R8과 R1O이 연결하여 형성하는 환 구조로서는, 상기 일반식(Ⅰ)의 X 중의 기인 R5와 R6이 연결하여 형성하는 환 구조로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅱ')에 있어서, 헤테로원자를 포함해도 되는 5원환으로서는, 예를 들면 시클로펜텐환, 시클로펜타디엔환, 이미다졸환, 티아졸환, 피라졸환, 옥사졸환, 이속사졸환, 티오펜환, 푸란환, 피롤환 등을 들 수 있고, 헤테로원자를 포함해도 되는 6원환으로서는, 예를 들면 벤젠환, 피리딘환, 피페라진환, 피페리딘환, 모르폴린환, 피라진환, 피론(pyrone)환, 피롤리딘환 등을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅲ)에서의 Ra~Ri로 표시되는 탄소원자수 1~4인 알킬기로서는 상기 일반식(Ⅱ)에서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅲ)에서의 Z2로 표시되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기로서는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 메틸에틸렌, 부틸렌, 1-메틸프로필렌, 2-메틸프로필렌, 1,2-디메틸프로필렌, 1,3-디메틸프로필렌, 1-메틸부틸렌, 2-메틸부틸렌, 3-메틸부틸렌, 4-메틸부틸렌, 2,4-디메틸부틸렌, 1,3-디메틸부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 에탄-1,1-디일, 프로판-2,2-디일 등을 들 수 있고, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기가 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환된 기로서는 메틸렌옥시, 에틸렌옥시, 옥시메틸렌, 티오메틸렌, 카르보닐메틸렌, 카르보닐옥시메틸렌, 메틸렌카르보닐옥시, 술포닐메틸 렌, 아미노메틸렌, 아세틸아미노, 에틸렌카르복시아미드, 에탄이미드일, 에테닐렌, 프로페닐렌 등을 들 수 있다.
다음으로, 상기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물에 대하여 설명한다.
상기 일반식(Ⅳ)에서의 R11 및 R12로 표시되는 할로겐원자로서는, 상기 일반식(Ⅰ)의 R1 및 R2로 표시되는 할로겐원자로서 예시한 것을 들 수 있다. 상기 일반식(Ⅳ)에서의 R11, R12, R13, R14 및 R19로 표시되는 탄소원자수 1~30인 유기기로서는, 상기 일반식(Ⅰ)의 R1, R2, R3 및 R4로 표시되는 탄소원자수 1~30인 유기기로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅳ)에서의 R11과 R12가 연결하여 형성하는 환 구조로서는, 상기 일반식(Ⅰ)의 R1과 R2가 연결하여 형성하는 환 구조로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅳ)에서의 R13과 R14 및 상기 일반식(Ⅳ)에서의 N-R13이 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 형성하는 복소환으로서는, 상기 일반식(Ⅰ)의 R3과 R4 및 상기 일반식(Ⅰ)에서의 N-R3이 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 형성하는 복소환으로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅳ)에서의 Z00으로 표시되는 탄소원자수 1~10인 유기기로서는, 상기 일반식(Ⅰ)의 Z0으로 표시되는 탄소원자수 1~10인 유기기로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물로서는, 식 중의 r이 2인 경우에 해당하는 상기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물을 들 수 있다.
마찬가지로 상기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물로서는, 식 중의 s가 2인 경우에 해당하는 상기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물을 들 수 있다.
이 화합물들의 제조방법에 대해서는, 후술의 상기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물 및 상기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물의 제조방법을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물이며, 식 중의 r이 3~8인 경우에 해당하는 시아닌화합물 및 상기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물이며, 식 중의 s가 3~8인 경우에 해당하는 시아닌화합물로서는 하기 화합물 A 및 화합물 B를 들 수 있다.
Figure 112008067536043-PCT00009
또한 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물로서, 식 중의 r이 3~8인 경우에 해당하는 시아닌화합물 및 상기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물이며, 식 중의 s가 3~8인 경우에 해당하는 시아닌화합물의 제조방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 3~8가의 알코올 또는 페놀의 수산기를 할로겐원자로 치환하고, 후술의 상기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물 및 상기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물의 제조방법에 준하여 제조하는 방법을 들 수 있다.
다음으로, 상기 일반식(Ⅴ) 및 (Ⅵ)으로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물에 대하여 설명한다.
상기 일반식(Ⅴ)에서의 Z1로 표시되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기, 및 Z1로 표시되는 p-디알킬렌벤젠 중의 기인 탄소원자수 1~10인 알킬렌기로서는 상기 일반식(Ⅲ)의 설명에서 예시한 것을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(Ⅴ)에서의 An'q' -로 표시되는 음이온으로서는, 상기 일반식(Ⅰ)에 있어서, Anq -로 표시되는 음이온으로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅵ)에서의 Z3으로 표시되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기, 및 Z3으로 표시되는 p-디알킬렌벤젠 중의 기인 탄소원자수 1~10인 알킬렌기로서는 상기 일반식(Ⅲ)의 설명에서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물 중에서도 하기 일반식(Ⅶ)로 표현되는 화합물이 제조비용이 작으면서 흡수파장특성이 380~420㎚인 단파장용 레이저용의 광학기록매체의 광학기록층의 형성에 특히 적합하므로 바람직하다.
또한 상기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물 중에서도 하기 일반식(Ⅷ)로 표현되는 화합물이 상기와 동일한 이유로 바람직하다.
Figure 112008067536043-PCT00010
(식 중 R15는 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기, 니트로기, 아미노기, 할로겐원자, 시아노기 또는 탄소원자수 2~20인 복소환기를 나타내고, t는 1~4의 수이며, Z1, R3, R4, X, n, Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 같다.)
Figure 112008067536043-PCT00011
(식 중 R16은 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기, 니트로기, 아미노기, 할로겐원자, 시아노기 또는 탄소원자수 2~20인 복소환기를 나타내고, u는 1~5의 수이며, Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 동일하고, Z3, R13, R14, R19 및 m은 상기 일반식(Ⅵ)과 같다.)
상기 일반식(Ⅶ)에서의 R15로 표시되는 아미노기로서는 아미노, 에틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 부틸아미노, 시클로펜틸아미노, 2-에틸헥실아미노, 도데실아미노, 아닐리노, 클로로페닐아미노, 톨루이디노, 아니시디노, N-메틸-아닐리노, 디페닐아미노, 나프틸아미노, 2-피리딜아미노, 메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 아세틸아미노, 벤조일아미노, 포르밀아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 카르바모일아미노, N,N-디메틸아미노카르보닐아미노, N,N-디에틸아미노카르보닐아미노, 모르폴리노카르보닐아미노, 메톡시카르보닐아미노, 에톡시카르보닐아미노, t-부톡시카르보닐아미노, n-옥타데실옥시카르보닐아미노, N-메틸-메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 술파모일아미노, N,N-디메틸아미노술포닐아미노, 메틸술포닐아미노, 부틸술포닐아미노, 페닐술포닐아미노, 트리메틸암모니오, 트리에틸암모니오 등을 들 수 있고, 상기 일반식(Ⅶ)에서의 R15로 표시되는 탄소원자수 2~20인 복소환기로서는 피리딜, 피리미딜, 피리다질, 피페라질, 피페리딜, 피라닐, 피라졸릴, 트리아질, 피롤리딜, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 이미다졸릴, 벤조이미다졸릴, 트리아졸릴, 푸릴, 푸라닐, 벤조푸라닐, 티에닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 티아디아졸릴, 티아졸릴, 벤조티아졸릴, 옥사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소티아졸릴, 이소옥사졸릴, 인돌릴, 유롤리딜, 모르폴리닐, 티오모르폴리닐, 2-피롤리디논-1-일, 2-피페리돈-1-일, 2,4-디옥시이미다졸리딘-3-일, 2,4-디옥시옥사졸리딘-3-일 등을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅷ)에서의 R16으로 표시되는 아미노기로서는, 상기 일반식(Ⅶ)에서의 R15로 표시되는 아미노기로서 예시한 것을 들 수 있고, 상기 일반식(Ⅷ)에서 의 R16으로 표시되는 탄소원자수 2~20인 복소환기로서는, 상기 일반식(Ⅶ)의 R15로 표시되는 탄소원자수 2~20인 복소환기로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅴ)에서의 R1, R2, R3 및 R4, 상기 일반식(Ⅵ)에서의 R11, R12, R13 및 R14, 상기 일반식(Ⅶ)에서의 R15, 상기 일반식(Ⅷ)에서의 R16 및 X 중의 기인 R5, R6 및 Yj로 표시되는 탄소원자수 1~30인 유기기, 상기 일반식(Ⅴ)에서의 R1과 R2, 상기 일반식(Ⅱ)에서의 R8과 R1O 및 X 중의 기인 R5와 R6 및 상기 일반식(Ⅵ)에서의 R11과 R12가 연결하여 형성하는 환 구조, 상기 일반식(Ⅴ)에서의 R3과 R4 및 상기 일반식(Ⅵ)에서의 R13과 R14, 및 상기 일반식(Ⅴ)에서의 N-R3 및 상기 일반식(Ⅵ)에서의 N-R13이 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 형성하는 복소환, 상기 일반식(Ⅴ) 및 (Ⅶ)에서의 Z1, 상기 일반식(Ⅲ)에서의 Z2, 상기 일반식(Ⅵ) 및 (Ⅷ)에서의 Z3, 및 상기 일반식(Ⅴ) 및 (Ⅶ)에서의 Z1 중의 기 및 상기 일반식(Ⅵ) 및 (Ⅷ)에서의 Z3 중의 기인 p-디알킬렌벤젠으로 표시되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기, 상기 일반식(Ⅶ)에서의 R15 및 상기 일반식(Ⅷ)에서의 R16으로 표시되는 아미노기, 상기 일반식(Ⅱ)에서의 R7, R8, R9, R1O 및 상기 일반식(Ⅲ)에서의 Ra~Ri로 표시되는 탄소원자수 1~4인 알킬기 및 상기 일반식(Ⅱ)에서의 R7, R8, R9, R1O 및 상기 일반식(Ⅲ)에서의 Ra~Ri로 표시되는 탄소원자수 1~4인 알콕시기는 모두 치환기를 가지고 있어도 된다. 상기 치환기로서는 이하의 것을 들 수 있다. 또한 R1~R16, Yj 및 Z1~Z3이 상기의 탄소원자수 1~30인 유기기 등의 탄소원자를 함유하는 기이면서, 그 기들이 이하의 치환기 중에서도 탄소원자를 함유하는 치환기를 가지는 경우는, 상기 치환기를 포함한 R1~R16 등의 전체의 탄소원자수가 규정된 범위를 만족하는 것으로 한다.
상기 치환기로서는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 시클로프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 제3아밀, 시클로펜틸, 헥실, 2-헥실, 3-헥실, 시클로헥실, 비시클로헥실, 1-메틸시클로헥실, 헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 이소헵틸, 제3헵틸, n-옥틸, 이소옥틸, 제3옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 이소노닐, 데실 등의 알킬기; 메틸옥시, 에틸옥시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 제2부틸옥시, 제3부틸옥시, 이소부틸옥시, 아밀옥시, 이소아밀옥시, 제3아밀옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 이소헵틸옥시, 제3헵틸옥시, n-옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 제3옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 노닐옥시, 데실옥시 등의 알콕시기; 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, 부틸티오, 제2부틸티오, 제3부틸티오, 이소부틸티오, 아밀티오, 이소아밀티오, 제3아밀티오, 헥실티오, 시클로헥실티오, 헵틸티오, 이소헵틸티오, 제3헵틸티오, n-옥틸티오, 이소옥틸티오, 제3옥틸티오, 2-에틸헥실티오 등의 알킬티오기; 비닐, 1-메틸에테닐, 2-메틸에테닐, 2-프로페닐, 1-메틸-3-프로페닐, 3-부테닐, 1-메틸-3-부테닐, 이소부테닐, 3-펜테닐, 4-헥세닐, 시클로헥세닐, 비시클로헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 데세닐, 펜타데세닐, 에이코세닐, 트리코세닐 등의 알케닐기; 벤질, 페네틸, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀 등의 아릴알킬기; 페닐, 나프틸 등의 아릴기; 페녹시, 나프틸옥시 등의 아릴옥시기; 페닐티오, 나프틸티오 등의 아릴티오기; 피리딜, 피리미딜, 피리다질, 피페리딜, 피라닐, 피라졸릴, 트리아질, 피롤릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 이미다졸릴, 벤조이미다졸릴, 트리아졸릴, 푸릴, 푸라닐, 벤조푸라닐, 티에닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 티아디아졸릴, 티아졸릴, 벤조티아졸릴, 옥사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소티아졸릴, 이소옥사졸릴, 인돌릴, 2-피롤리디논-1-일, 2-피페리돈-1-일, 2,4-디옥시이미다졸리딘-3-일, 2,4-디옥시옥사졸리딘-3-일 등의 복소환기; 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐원자; 아세틸, 2-클로로아세틸, 프로피오닐, 옥타노일, 아크릴로일, 메타크릴로일, 페닐카르보닐(벤조일), 프탈로일, 4-트리플루오로메틸벤조일, 피발로일, 살리실로일, 옥살로일, 스테아로일, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, t-부톡시카르보닐, n-옥타데실옥시카르보닐, 카르바모일 등의 아실기; 아세틸옥시, 벤조일옥시 등의 아실옥시기; 아미노, 에틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 부틸아미노, 시클로펜틸아미노, 2-에틸헥실아미노, 도데실아미노, 아닐리노, 클로로페닐아미노, 톨루이디노, 아니시디노, N-메틸-아닐리노, 디페닐아미노, 나프틸아미노, 2-피리딜아미노, 메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 아세틸아미노, 벤조일아미노, 포르밀아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 카르바모일아미노, N,N-디메틸아미노카르보닐아미노, N,N-디에틸아미노카르 보닐아미노, 모르폴리노카르보닐아미노, 메톡시카르보닐아미노, 에톡시카르보닐아미노, t-부톡시카르보닐아미노, n-옥타데실옥시카르보닐아미노, N-메틸-메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 술파모일아미노, N,N-디메틸아미노술포닐아미노, 메틸술포닐아미노, 부틸술포닐아미노, 페닐술포닐아미노 등의 치환아미노기; 술폰아미드기, 술포닐기, 카르복실기, 시아노기, 술포기, 수산기, 니트로기, 메르캅토기, 이미드기, 카르바모일기, 술폰아미드기 등을 들 수 있고, 이 기들은 더 치환되어 있어도 된다. 또한 카르복실기 및 술포기는 염을 형성하고 있어도 된다.
본 발명의 상기 일반식(Ⅴ), (Ⅵ), (Ⅶ) 및 (Ⅷ)로 표현되는 시아닌화합물의 구체예로서는 하기 화합물 No.1~15를 들 수 있다. 또한 이하의 예시에서는, 음이온을 생략한 양이온으로 나타내고 있다. 본 발명의 화합물에 있어서, 이중결합은 공명구조를 취하고 있어도 된다.
Figure 112008067536043-PCT00012
Figure 112008067536043-PCT00013
상기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물은 그 제조방법에 의해 특별히 한정되지 않으며, 주지 일반의 반응을 이용한 방법으로 얻을 수 있다. 상기 화합물은, 예를 들면 n=1로 표시되는 화합물은 하기 [화학식 14]에 나타내는 반응식과 같이, 알킬디할라이드와 이등량의 인돌레닌화합물을 반응시키고, 이어서 Vilsmeier 반응에 의해 합성할 수 있다. 또한 n=2로 표시되는 화합물도 하기 [화학식 14]에 나타난 루트에 준하여 합성할 수 있다.
Figure 112008067536043-PCT00014
(식 중 R1, R2, R3, R4, X, n, Z1, Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 같고, X*는 할로겐원자이다.)
상기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물은 그 제조방법에 의해 특별히 한정되지 않으며, 주지 일반의 반응을 이용한 방법으로 얻을 수 있다. 상기 화합물은, 예를 들면 m=0으로 표시되는 화합물은 하기 [화학식 15]에 나타내는 반응식과 같이, 알킬디할라이드와 이등량의 인돌화합물을 반응시키고, 이어서 Vilsmeier 반응에 의해 합성할 수 있다. 또한 m=1로 표시되는 화합물도 하기 [화학식 15]에 나타난 루트에 준하여 합성할 수 있다.
Figure 112008067536043-PCT00015
(식 중 Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 같고, R11, R12, R13, R14, R19, m, Z3은 상기 일반식(Ⅵ)과 같으며, X*는 상기 [화학식 14]와 같다.)
상술한 본 발명의 시아닌화합물은 450㎚~1100㎚의 범위의 광에 대한 광학 요소, 특히 480~620㎚의 범위의 광에 대한 광학 요소로서 적합하다. 상기 광학 요소란, 특정의 광을 흡수함으로써 기능을 발휘하는 요소이며, 구체적으로는 광흡수제, 광학기록제, 광증감제 등을 들 수 있다. 예를 들면 광학기록제는 DVD±R 등의 광학기록매체에서의 광학기록층에 사용되고, 광흡수제는 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 일렉트로 루미네센스 디스플레이(ELD), 음극관 표시장치(CRT), 형광 표시관, 전계 방사형 디스플레이 등의 화상표시장치용, 혹은 분석장치용, 반도체장치 제조용, 천문관측용, 광통신용 등의 광학필터에 사용된다.
다음으로, 기체상에 광학기록층이 형성된 광학기록매체의 상기 광학기록층에 사용되는, 본 발명의 시아닌화합물을 함유하여 이루어지는 본 발명의 광학기록재료 에 대하여 이하에 설명한다. 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)~(Ⅷ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물은, 정보를 레이저 등에 의한 열적 정보패턴으로서 부여함으로써 기록하는 광학기록매체에서의 광학기록층에 사용되는 광학기록재료에도 유용하고, 특히 DVD-R, DVD+R, 청색 레이저용 광학기록매체 등의 광학기록층에 사용되는 광학기록재료에 적합하다. 또한 본 발명의 광학기록재료는 광학기록층을 형성하기 위해 사용되는 재료이며, 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)~(Ⅷ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물 및 후술하는 유기 용매나 각종 화합물과의 혼합물이다.
상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)~(Ⅷ)로 표현되는 시아닌화합물을 함유하는 본 발명의 광학기록재료를 사용하여 광학기록매체의 광학기록층을 형성하는 방법에 대해서는 특별히 제한을 받지 않는다. 일반적으로는 메탄올, 에탄올 등의 저급 알코올류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 부틸디글리콜 등의 에테르알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 에스테르류; 아크릴산에틸, 아크릴산부틸 등의 아크릴산에스테르류, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 등의 불화알코올류; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소류; 메틸렌디클로라이드, 디클로로에탄, 클로로포름 등의 염소화탄화수소류 등의 유기 용매에, 본 발명의 시아닌화합물 및 필요에 따라 후술의 각종 화합물을 용해하여 용액상의 광학기록재료를 제작해, 상기 광학기록재료를 기체상에 스핀코팅, 스프레이, 딥핑 등으로 도포하는 습식 도포법이 사용되고, 증착법, 스퍼터링(sputtering)법 등도 사용된다. 상기 유기 용매를 사용하는 경우, 그 사용량은 본 발명의 광학기록재료 중에서의 상 기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)~(Ⅷ)로 표현되는 시아닌화합물의 함유량이 0.1~10질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하다.
상기 광학기록층은 박막으로서 형성되고, 그 두께는 통상 0.001~10㎛가 적합하며, 바람직하게는 0.01~5㎛의 범위이다.
또한 본 발명의 광학기록재료 중에 있어서, 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)~(Ⅷ)로 표현되는 시아닌화합물의 함유량은 본 발명의 광학기록재료에 포함되는 고형분 중 10~100질량%가 바람직하다. 상기 광학기록층은 광학기록층 중에 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)~(Ⅷ)로 표현되는 시아닌화합물을 50~100질량% 함유하도록 형성되는 것이 바람직하고, 이러한 화합물 함유량의 광학기록층을 형성하기 위해, 본 발명의 광학기록재료는 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)~(Ⅷ)로 표현되는 시아닌화합물을 본 발명의 광학기록재료에 포함되는 고형분 기준으로 50~100질량% 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 광학기록재료에 포함되는 상기 고형분은 상기 광학기록재료로부터 유기 용매 등의 고형분 이외의 성분을 제외한 성분이며, 상기 고형분의 함유량은 상기 광학기록재료 중 0.01~100질량%가 바람직하고, 0.1~10질량%가 보다 바람직하다.
본 발명의 광학기록재료는 본 발명의 시아닌화합물 이외에, 필요에 따라, 아조계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 옥소놀계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 인돌화합물, 스티릴계 화합물, 포르핀계 화합물, 아줄레늄계 화합물, 크로코닉메틴계 화합물, 피릴륨계 화합물, 티오피릴륨계 화합물, 트리아릴메탄계 화합물, 디페닐메 탄계 화합물, 테트라히드로콜린계 화합물, 인도페놀계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 나프토퀴논계 화합물, 크산텐계 화합물, 티아진계 화합물, 아크리딘계 화합물, 옥사진계 화합물, 스피로피란계 화합물, 플루오렌계 화합물, 로다민계 화합물 등의 통상 광학기록층에 사용되는 화합물; 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 등의 수지류; 계면활성제; 대전방지제; 활제; 난연제; 힌더드아민 등의 라디칼 포착제; 페로센 유도체 등의 피트 형성 촉진제; 분산제; 산화방지제; 가교제; 내광성 부여제 등을 함유하고 있어도 된다. 또한 본 발명의 광학기록재료는 일중항 산소 등의 켄처로서 방향족 니트로소화합물, 아미늄화합물, 이미늄화합물, 비스이미늄화합물, 천이금속 킬레이트화합물 등을 함유하고 있어도 된다. 본 발명의 광학기록재료에 있어서, 이 각종 화합물들은 본 발명의 광학기록재료에 포함되는 고형분 중 0~50질량%의 범위가 되는 양으로 사용된다.
이러한 광학기록층을 형성하는 상기 기체의 재질은 기입(기록)광 및 판독(재생)광에 대하여 실질적으로 투명한 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트 등의 수지, 유리 등이 사용된다. 또한 그 형상은 용도에 따라, 테이프, 드럼, 벨트, 디스크 등의 임의의 형상의 것을 사용할 수 있다.
또한 상기 광학기록층상에는 금, 은, 알루미늄, 구리 등을 사용하여 증착법 혹은 스퍼터링법에 의해 반사막을 형성할 수도 있고, 아크릴수지, 자외선 경화성 수지 등에 의해 보호층을 형성할 수도 있다.
<실시예>
이하, 실시예 및 평가예로 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하의 실시예 등에 의해 하등 제한을 받는 것은 아니다.
하기 실시예 1~3은 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물의 제조를 나타내고, 하기 실시예 4 및 5는 상기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물의 제조를 나타내며, 하기 실시예 6~10은 실시예 1~5에서 얻어진 본 발명의 시아닌화합물을 사용한 본 발명의 광학기록재료 및 광학기록매체의 실시예를 나타내고, 비교예 1 및 2는 본 발명의 시아닌화합물과는 다른 구조의 화합물을 사용한 광학기록재료 및 광학기록매체의 예를 나타낸다. 또한 하기 평가예 1에서는, 실시예 1 및 2에서 얻어진 본 발명의 시아닌화합물 및 비교 화합물 1에 대하여 내광성의 평가를 행하고, 하기 평가예 2에서는, 실시예 6 및 7에서 얻어진 광학기록매체 및 비교예 1에서 얻어진 비교 광학기록매체에 대하여 열 안정성의 평가를 행하였다. 하기 평가예 3에서는, 실시예 6 및 7에서 얻어진 광학기록매체 및 비교예 1 및 2에서 얻어진 비교 광학기록매체에 대하여 단파장 레이저에 의한 기록 및 재생의 적부(適否)의 평가를 행하였다.
[실시예 1~3] 화합물 No.1 및 No.2의 켄처 음이온염 및 화합물 No.2의 PF6염의 합성
<스텝 1> 중간체 1~3의 합성
인돌레닌화합물 20mmol, 디요오드펜탄 20mmol 및 디메틸포름아미드 30㎖를 혼합하여 120℃에서 4시간 교반하였다. 실온으로 냉각하여 여과, 건조를 거쳐 중간 체 1~3을 각각 얻었다.
<스텝 2> 화합물 No.1 및 화합물 No.2의 PF6염의 합성
알데히드 유도체 7㎖ 및 클로로포름 44㎖를 혼합하고 빙냉하에서 옥시염화인 30mmol을 적하하여 빙냉하에서 1시간 교반하였다. 이어서, 빙냉하에서 스텝 1에서 얻어진 중간체 10mmol을 각각 첨가하여 가열환류하 3시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후 KPF6의 179mmol 및 물 650㎖를 첨가하고 1시간 교반하여 석출물을 여과 분별하였다.
메탄올로 세정 후 건조시켜 목적물인 화합물 No.1 및 No.2의 PF6염을 얻었다.
<스텝 3> 화합물 No.1 및 No.2의 켄처 음이온염의 합성
스텝 2에서 얻어진 화합물 3.0mmol을 각각 아세톤 12㎖에 용해하고, 화학식 [C]로 표현되는 음이온의 트리에틸아민염 6.0mmol을 아세톤 120㎖에 용해한 것을 적하하여, 또한 아세톤 28㎖를 첨가해 3시간 가열환류하였다. 실온까지 냉각 후 반응액을 물 1800㎖에 적하하여 실온에서 6시간 교반하였다. 석출한 고체를 여과 분별하여 메탄올에 의해 세정하고, 건조시켜 목적물인 화합물 No.1 및 No.2의 켄처 음이온염을 각각 얻었다.
[실시예 4 및 5] 화합물 No.10 및 No.11의 PF6염의 합성
<스텝 1> 중간체 4 및 5의 합성
인돌화합물 20mmol, 디요오드펜탄 20mmol 및 디메틸포름아미드 30㎖를 혼합 하여 120℃에서 4시간 교반하였다. 실온으로 냉각하여 여과, 건조를 거쳐 중간체 4 및 5를 각각 얻었다.
<스텝 2> 화합물 No.11의 PF6염의 합성
알데히드 유도체 12㎖ 및 클로로포름 74㎖를 혼합하고 빙냉하에서 옥시염화인 37mmol을 적하하여 빙냉하에서 1시간 교반하였다. 이어서, 빙냉하에서 스텝 1에서 얻어진 중간체 5의 12mmol을 각각 첨가하여 가열환류하 3시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후 KPF6의 163mmol 및 물 500㎖를 첨가하고 1시간 교반하여 석출물을 여과 분별하였다. 메탄올로 세정 후 건조시켜 목적물인 화합물 No.11의 PF6염을 얻었다.
<스텝 3> 화합물 No.10의 PF6염의 합성
스텝 1에서 얻어진 중간체 4의 4.8mmol, N-알킬티아졸린 9.6mmol 및 피리딘 20㎖를 혼합하여 100℃에서 3.5시간 교반하였다. 실온까지 냉각하여 용매를 증류 제거하고 아세톤으로부터 재결정을 행하여 여과, 건조를 거쳐 목적물인 화합물 No.10의 PF6염을 얻었다.
실시예 1~5에서 얻어진 화합물에 대한 수율 및 분석 결과를 표 1~3에 나타낸다. 또한 표 1에 있어서, 분해점은 10℃/분의 승온속도에서의 시차열분석의 질량감소 개시온도이다.
Figure 112008067536043-PCT00016
Figure 112008067536043-PCT00017
Figure 112008067536043-PCT00018
[실시예 6~10] 광학기록재료 및 광학기록매체의 제조
상기의 실시예 1~5에서 얻은 화합물 각각을 화합물의 농도가 농도 1.0질량%가 되도록 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액에 용해하여 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액으로서 실시예 6~10의 광학기록재료를 각각 얻었다. 티탄킬레이트화합물(T-50: 닛폰소다사 제품)을 도포, 가수분해하여 하지층(下地層)(0.01㎛)을 마련한 직경 12㎝의 폴리카보네이트 디스크 기판상에, 상기의 광학기록재료를 스핀코팅법으로 도포해 두께 100㎚의 광학기록층을 형성하여, 실시예 6~10의 광학기록매체 No.1~No.5를 각각 얻었다.
[비교예 1 및 2]
실시예 1~5에서 얻은 화합물을 대신하여 하기 비교 화합물 No.1 또는 No.2를 사용한 것 이외에는 상기 실시예 6~10과 동일하게 하여 비교예 1 및 2의 광학기록재료를 제작하고, 상기 광학기록재료를 사용하여 비교예 1 및 2의 비교 광학기록매체 No.6 및 No.7을 얻었다.
Figure 112008067536043-PCT00019
[평가예 1-1, 1-2 및 비교 평가예 1-1] 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물의 내광성 평가
실시예 1 및 2에서 얻어진 화합물 No.1 및 No.2의 켄처 음이온염, 및 비교 화합물 1에 대하여 내광성 평가를 행하였다.
우선, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올에 본 발명의 화합물을 1질량%가 되도록 용해하여 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액을 조제하고, 얻어진 용액을 20×20㎜의 폴리카보네이트판상에 2000rpm, 60초로 스핀코팅법에 의해 도포하여 시험편을 작성하였다. 평가는 상기 시험편에 55000럭스의 광을 조사하고, 각각 24시간, 300시간 조사한 후 조사 전의 UV 흡수 스펙트럼인 λmax에서의 흡광도 잔존율을 측정함으로써 행하였다. 결과를 [표 4]에 나타낸다.
Figure 112008067536043-PCT00020
[표 4]로부터 명백하듯이, 본 발명의 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)로 표현되는 화합물은 조사 300시간 후에 있어서도 흡광도 잔존율이 높았다. 한편, 비교 화합물은 조사 24시간 후에 있어서 흡광도 잔존율의 저하가 나타나고, 또한 조사 300시간 후에 있어서 현저한 흡광도 잔존율의 저하가 나타나, 내광성은 양호하지 않았다.
[평가예 2-1 및 2-2] 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물의 내열성 평가
실시예 1 및 2에서 얻어진 화합물 No.1 및 No.2의 켄처 음이온염에 대하여 내열성 평가를 행하였다.
평가는 상기 내광성 시험에서 사용한 것과 같은 시험편을 100℃로 각각 100시간, 400시간 유지한 후 조사 전의 UV 흡수 스펙트럼인 λmax에서의 흡광도 잔존율을 측정함으로써 행하였다. 결과를 [표 5]에 나타낸다.
Figure 112008067536043-PCT00021
[표 5]에 있어서, 본 발명의 상기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물은 유지 400시간 후에 있어서도 흡광도 잔존율이 높았다.
[평가예 3-1, 3-2 및 비교 평가예 3-1, 3-2]
실시예 6 및 7에서 얻어진 광학기록매체 No.1 및 No.2에 대하여 UV 스펙트럼 흡수를 측정하였다. 결과를 [표 6]에 나타낸다.
Figure 112008067536043-PCT00022
[표 6]으로부터 명백하듯이, 본 발명의 광학기록재료에 의해 형성된 광학기록층을 가지는 광학기록재매체는, UV 스펙트럼 흡수에 있어서 380~550㎚ 부근에 λmax를 나타내고, 어느 광학기록매체도 380~420㎚의 레이저광에 의해 기록이 가능한 것을 확인할 수 있었다.
본 발명에 의하면, 광학 요소로서 적합한 흡수파장특성 및 내광성이 뛰어난 신규의 시아닌화합물을 제공할 수 있다. 또한 상기 화합물을 함유하여 이루어지는 광학기록재료는 광학기록매체의 광학기록층의 형성에 적합하게 사용된다.

Claims (8)

  1. 하기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 1]
    Figure 112008067536043-PCT00023
    (식 중 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 하기 일반식(Ⅱ), 하기 일반식(Ⅱ') 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R1과 R2는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R3과 R4는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되며, N-R3은 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. X는 산소원자, 유황원자, 셀렌원자, -CR5R6-, -NH- 또는 -NYj-를 나타내고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 하기 일반식(Ⅱ), 하기 일반식(Ⅱ') 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R5와 R6은 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, Yj는 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타낸다. Z0은 탄소원자수 1~10인 유기기이며, n은 1 또는 2이고, r은 2~8이며, Anq -는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2이며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.)
    [화학식 2]
    Figure 112008067536043-PCT00024
    (식 중 W와 T 사이의 결합은 이중결합, 공역 이중결합 또는 삼중결합이며, W는 탄소원자를 나타내고, T는 탄소원자 또는 질소원자를 나타내며, x, y, z는 0 또는 1을 나타내고, a는 0~4의 수를 나타내며, R7은 수소원자, 할로겐원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알콕시기를 나타내고, 상기 알킬기 또는 알콕시기 중의 메틸렌기는 -O- 또는 -CO-로 치환되어 있어도 되며, R8, R9, R1O은 수소원자, 할로겐원자 또 는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기는 -O- 또는 -CO-로 치환되어 있어도 되며, R8과 R1O은 결합하여 환 구조를 형성해도 된다. 상기 일반식(Ⅱ')에 있어서, W'와 T' 사이의 결합은 이중결합 또는 공역 이중결합이며, W'는 탄소원자를 나타내고, T'는 탄소원자 또는 질소원자를 나타내며, a'는 0~4의 수를 나타내고, W', T'를 포함하는 환은 헤테로원자를 포함해도 되는 5원환, 헤테로원자를 포함해도 되는 6원환, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 안트라센환 또는 안트라퀴논환을 나타내며, 이들 W', T'를 포함하는 환은 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기, 알콕시기로 치환되어 있어도 된다.)
    [화학식 3]
    Figure 112008067536043-PCT00025
    (식 중 Ra~Rj는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환기를 가지고 있어도 되 는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기는 -O- 또는 -CO-로 치환되어 있어도 되며, Z2는 직접결합 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기를 나타내고, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되며, M은 Fe, Co, Ni, Ti, Cu, Zn, Zr, Cr, Mo, Os, Mn, Ru, Sn, Pd, Rh, Pt 또는 Ir을 나타낸다.)
  2. 하기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 4]
    Figure 112008067536043-PCT00026
    (식 중 R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R11과 R12는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R19는 수소원 자 또는 탄소원자수 1~30인 유기기를 나타내며, R13과 R14는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되고, N-R13은 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. Z00은 탄소원자수 1~10인 유기기이며, m은 0 또는 1이고, s는 2~8이며, Anq -, q, p는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)
  3. 하기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 5]
    Figure 112008067536043-PCT00027
    (식 중 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R1과 R2는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R3과 R4는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되며, N-R3은 인접한 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. X는 산소원자, 유황원자, 셀렌원자, -CR5R6-, -NH- 또는 -NYj-를 나타내고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R5와 R6은 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, Yj는 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타낸다. Z1은 직접결합, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기 또는 p-디알킬렌벤젠이며, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되고, n은 1 또는 2이며, Anq -는 q가의 음이온을 나타내고, An'q' -는 q'가의 음이온을 나타내며, q 및 q'는 각각 독립적으로 1 또는 2이고, p 및 p'는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.)
  4. 하기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 6]
    Figure 112008067536043-PCT00028
    (식 중 R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 탄소원자수 1~30인 유기기 혹은 상기 일반식(Ⅱ), 상기 일반식(Ⅱ') 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 기를 나타내고, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기 또는 상기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기를 나타내며, R11과 R12는 서로 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, R19는 수소원자 또는 탄소원자수 1~30인 유기기를 나타내며, R13과 R14는 서로 연결하여 복소환을 형성해도 되고, N-R13은 폴리메틴쇄 중의 메틸렌기와 서로 연결하여 복소환을 형성하고 있어도 된다. Z3은 직접결합, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬렌기 또는 p-디알킬렌벤젠이며, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되고, m은 0 또는 1이며, Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 같다.)
  5. 하기 일반식(Ⅶ)로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 7]
    Figure 112008067536043-PCT00029
    (식 중 R15는 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기, 니트로기, 아미노기, 할로겐원자, 시아노기 또는 탄소원자수 2~20인 복소환기를 나타내고, t는 1~4의 수이며, Z1, R3, R4, X, n, Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 같다.)
  6. 하기 일반식(Ⅷ)로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 8]
    Figure 112008067536043-PCT00030
    (식 중 R16은 수소원자, 탄소원자수 1~30인 유기기, 니트로기, 아미노기, 할로겐원자, 시아노기 또는 탄소원자수 2~20인 복소환기를 나타내고, u는 1~5의 수이며, Anq -, q, p, An'q' -, q' 및 p'는 상기 일반식(Ⅴ)와 같고, Z3, R13, R14, R19 및 m은 상기 일반식(Ⅵ)과 같다.)
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광학기록재료.
  8. 기체상에 제7항에 기재된 광학기록재료로 형성된 광학기록층을 가지는 것을 특징으로 하는 광학기록매체.
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