JPH05305770A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 耐光性の向上した光情報記録媒体を提供す
る。 【構成】 透光性を有する基板上に少なくとも光吸収
層、反射層が順次形成された光情報記録媒体において、
前記光吸収層が、一般式（Ｉ）の化合物を含む有機色素
材料層であることを特徴とする光情報記録媒体。 （式中、Ｘ₁およびＸ₂：硫黄原子等を示す。Ｚ₁：式
（Ｚ₁−１）と一緒に置換されてもよいピリリウム等を
完成するに必要な基を示す。） （Ｚ₂：式（Ｚ₂−１）と一緒に置換されてもよいピラン
等を完成するに必要な基を示す。） Ｒ₁〜Ｒ₇は水素原子等を、Ａ^-は陰イオンを示す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、追記型の光情報記録媒
体に関する。

【０００２】

【従来技術】近年、追記型ＣＤ（コンパクトディスク）
の開発が活発化してきている。これは従来のＣＤと異な
りユーザが情報を記録することが可能で、かつ記録後の
信号は従来のＣＤの規格を満足するための市販のＣＤプ
レーヤで再生可能であるという特徴をもつ。このような
メディアは基板上に光吸収層を設け、その上に金属反射
層を設け、更にその上に保護層を設けた媒体構成をとる
ことが多い。ところで、光吸収層の材料としては従来、
特開平２−１４７２８６にも示されているように、シア
ニン色素、特にインドジカーボシアニンを用いるのが一
般的であった。この色素は、記録再生用レーザ光を吸収
する色素ではあるがレーザ光の波長に吸収極大をもつよ
うな色素ではない。もしレーザ光の波長に吸収極大をも
つような色素を用いると、レーザ光の吸収が大きすぎて
裏面の金属反射層からの反射光はほとんど利用できなく
なるため、ＣＤ規格である７０％以上の反射率を実現で
きないからである。従って上記のインドジカーボシアニ
ンのように吸収極大がレーザ光の波長からはずれた色素
を用い、色素層の表裏両面での多量反射干渉効果を利用
して高反射率を得ている。このように吸収極大波長がレ
ーザ光の波長からはずれているとはいえ、ある程度は吸
収することから、再生光による劣化が生ずる。また、シ
アニン色素は、耐光性に劣るため再生劣化を生じやすい
という問題がある。前述の光吸収層の機能は、レーザ光
を吸収し熱に変換すること、及びその熱により溶融、蒸
発、昇華または変形することにより記録ピットを形成す
ることの２つに分けられる。本発明者は先において上記
２つの機能を分離し、２種類の色素のそれぞれに別々に
前記の機能をもたせることを提案した。即ち、レーザ光
を吸収する色素に第１の機能を、レーザ光に対し実質的
に透明な色素に第２の機能を担当させ、これらを混合し
て用いることにより光吸収層としての機能が発現され
る。レーザ光を吸収する色素を色素Ａ、レーザ光に対し
実質的に透明な色素を色素Ｂとすると、色素Ｂは再生劣
化がほとんど起こらない。レーザ光を吸収しないためレ
ーザ光により励起されて反応活性状態にならないからで
ある。従って色素Ａが耐光性に優れたものであれば光吸
収層全体としても再生劣化の生じにくいものとすること
ができる。本発明者の先の提案の中では、色素Ａにトリ
カーボシアニン、色素Ｂにジカーボシアニンを用いる例
を示し、これにより従来より再生劣化を軽減し得ること
を示した。しかしながら、シアニン色素どうしの組合せ
であるため、耐光性が充分とは言えず、なお改良の余地
があった。

【０００３】

【目的】本発明は、耐光性の向上した光情報記録媒体の
提供を目的とする。

【０００４】

【構成】本発明者らは、前記のような従来技術の課題を
解決するために、レーザ光を吸収し熱に変換することが
でき、かつより耐光性の優れたものを見出すべく検討し
た結果、下記一般式（Ｉ）のピリリウム系色素がより耐
光性にすぐれ、効果的であることを見出し本発明に至っ
た。本発明は、透光性を有する基板上に少なくとも光吸
収層、反射層が順次形成された光情報記録媒体におい
て、前記光吸収層が、下記一般式（Ｉ）の化合物を含む
有機色素材料層であることを特徴とする光情報記録媒体
に関する。

【化５】 （式中、Ｘ₁およびＸ₂：硫黄原子、酸素原子又はセレン
原子を示す。 Ｚ₁：下記式（Ｚ₁−１）と一緒に置換されてもよいピリ
リウム、チオピリリウム、セレナピリリウム、ベンゾピ
リリウム、ベンゾチオピリリウム、ベンゾセレナピリリ
ウム、ナフトピリリウム、ナフトチオピリリウム又はナ
フトセレナピリリウムを完成するに必要な基を示す。

【化６】 Ｚ₂：下記式（Ｚ₂−１）と一緒に置換されてもよいピラ
ン、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾ
チオピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフ
トチオピラン又はナフトセレナピランを完成するに必要
な基を示す。

【化７】 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄：水素原子、置換もしくは未置
換のアルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を
示す。） Ｒ₅、Ｒ₆およびＲ₇：水素原子、ハロゲン原子、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリ
ール基又は置換もしくは未置換のアラルキル基を示す。 ｍおよびｌ；１又は２を示す。 ｎ；０、１又は２を示す。但し、ｎが２の時、Ｒ₃はそ
れぞれ同一であってもよく又異なっていてもよい。また
Ｒ₄はそれぞれ同一であってもよく、又異なっていても
よい。 Ａ^-；陰イオンを示す。 一般式（Ｉ）の化合物は、耐光性にすぐれ、レーザ光を
吸収し熱に変換することができるので単独で用いること
も可能であるが、前述のように色素Ｂの役割をするもの
と混合して用い機能分離を行なうのがより効果的であ
る。この場合、色素Ｂとしてはレーザ光に対して実質的
に透明なものであればよいが、特に下記式（II）で表わ
されるインドジカーボシアニンを用いるのが効果的であ
る。

【化８】 （式中、Ｒ₇、Ｒ₈はアルキル基又はアルコキシ基を表わ
し、Ｒ₉、Ｒ₁₀は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、又はアルコキシ基を表わし、Ｙ₂は水素原子、ハロ
ゲン原子、又はアルキル基を示し、Ｘ^-は陰イオンを示
す。）この化合物はレーザ光波長での屈折率が大きいた
め多重反射干渉効果により高い反射率を得るのに有利で
あり、又、化学的安定性に優れているため、メディアの
保存信頼性の観点からも有利である。

【０００５】前記一般式（Ｉ）のピリリウム系色素の例
としては、 （以下余白）

【化９】

【化１０】 があげられる。また、前記一般式（II）のインドジカー
ボシアニン系色素の例としては、

【化１１】 があげられる。

【０００６】本発明の光吸収層は、前記一般式（Ｉ）の
化合物あるいは該化合物と前記式（II）の化合物で示さ
れる有機色素の他に、他の有機色素を加えてもよく、ま
た、各種バインダー樹脂、安定剤、酸化防止剤等も加え
ることができる。特に光吸収層に加える添加剤として
は、色素より長波長域に吸収能を有するアミニウム、イ
モニウム、ジイモニウム系化合物等の有機化合物、また
は金属錯化合物があり、耐光性向上に有効である。前記
化合物としては、例えば、以下の式（Ａ）、（Ｂ）また
は（Ｃ）の化合物、あるいは金属錯体（Ｄ）があげられ
る。

【化１２】 （式中、Ａはフェニル、シクロヘキシルアミノ、ジベン
ジルアミノまたはＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を有するジアルキ
ルアミノを表わし、ＢはＡと同じであるかあるいは水素
原子を表わし、Ｘは酸アニオンを表わしそして上記式中
に存在するすべての芳香核は低級アルキル、低級アルコ
キシ、低級アルキルチオ、ハロゲンまたは水酸基によっ
て置換されていてもよい）で表わされる化合物。 （以下余白）

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

【化１７】 （以下余白）

【０００７】

【化１８】 〔式中、Ｚは置換もしくは未置換の炭素環ケトンを完成
するのに必要な原子群を表わし、この炭素環には芳香族
環が縮合していてもよく、Ｒ₁およびＲ₂は同じかまたは
異なっていてもよくそしてそれぞれは置換もしくは未置
換アルキル基あるいは置換もしくは未置換アリール基を
表わし、Ｘは錯体アニオンを表わし、ｍは１または２を
表わし、そしてＡは

【化１９】 （ｎは１または２を示す）または

【化２０】 （ｍ＝２の場合）を表わし、該フェニル基はアルキル
基、アルコキシ基、、ハロゲンまたは水酸基で置換され
ていてもよい。〕 （以下余白）

【化２１】

【化２２】

【０００８】

【化２３】 〔式中、Ｒは水素または低級アルキル基を表わし、Ｘは
酸アニオンを表わし、ｍは０、１または２であり、Ａは

【化２４】 （ｎは１または２である）または

【化２５】 （ただしｍが２の場合）を表わし、そして存在するすべ
ての芳香核は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
ゲンまたは水酸基によって置換されていてもよい。〕 （以下余白）

【化２６】

【化２７】

【０００９】金属錯体（Ｄ） アセチルアセトナートキレート系（Ｄ−１） （１）Ｎｉ(II)アクリルアセトナート （２）Ｃｕ(II)アセチルアセトナート （３）Ｍｎ(III)アセチルアセトナート （４）Ｃｏ(II)アセチルアセトナート ビスジチオ−α−ジケトン系（Ｄ−２） （５）ビス（ジチオベンジル）ニッケル （６）ビス（ジチオビアセチル）ニッケル （７）ビス（４−ジエチルアミノベンジルジチオ）ニッ
ケル （８）ビス（４−ジメチルアミノベンジルジチオ）ニッ
ケル ビスフェニルジチオール系（Ｄ−３） （９）ビス（１，２−ジチオフェニル）ニッケル （１０）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジメチルフェ
ニル）ニッケル （１１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケル （１２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケル （１３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６−テト
ラメチルフェニル）ニッケル （１４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６−テト
ラクロロフェニル）ニッケル （１５）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジクロロフェ
ニル）ニッケル （１６）ビス（１，２−ジチオ−〔ｄ〕−ベンゾフェニ
ル）ニッケル （１７）ビス（１，２−ジチオ−３，６−メチル−
〔ｄ〕−ベンゾフェニル）ニッケル （１８）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケル （１９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケル （２０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケル （２１）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバルト （２２）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金 （２３）ビス（１，２−ジチオ−５−クロロフェニル）
ニッケル （２４）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケル また、これらの金属錯体はカチオンと塩を形成してもよ
く、たとえば下記の第４級アンモニウム塩をあげること
ができる。 （２５）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケルテトラブチルアンモニウム （２６）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケルテトラブチルアンモニウム （２７）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （２８）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （２９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３５）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバルトテト
ラプロピルアンモニウム （３６）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金ジプロピ
ルジブチルアンモニウム （３７）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３８）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム サリチルアルデヒドオキシム系（Ｄ−４）

【化２８】 ここに、Ｒ₁およびＲ₂は、アルキル基を表わし、ＭはＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の遷移金属原子を表わ
す。 （３９）Ｎｉ(II)Ｏ−（Ｎ−イソプロピルホルムイミド
イル）フェノール （４０）Ｎｉ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４１）Ｃｏ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４２）Ｃｕ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４３）Ｎｉ(II)２，２′−〔エチレンビス（ニトリロ
メチリジン）〕ジフェノール （４４）Ｃｏ(II)２，２′−〔エチレンビス（ニトリロ
メチリジン）〕ジフェノール （４５）Ｎｉ(II)２，２′−〔１，３−ナフチレンビス
（ニトリロメチリジン）〕ジフェノール （４６）Ｎｉ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４７）Ｃｏ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４８）Ｃｕ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４９）Ｎｉ(II)サリチルアルデヒドフェニルヒドラゾ
ン （５０）Ｎｉ(II)サリチルアルデヒドオキシム チオビスフェノレートキレート系（Ｄ−５）

【化２９】 ここに、Ｍは前記と同じであり、Ｒ₃およびＲ₄は、アル
キル基を表わす。また、Ｍは−電荷をもち、カチオンと
塩とを形成していてもよい。 （５１）Ｎｉ(II)ｎ−ブチルアミノ〔２，２′−チオビ
ス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕〔Ｃｙａｓｏ
ｒｂ−ＵＶ−１０８４（アメリカンシアナミド カンパ
ニーリミテッド）〕 （５２）Ｃｏ(II)ｎ−ブチルアミノ〔２，２′−チオビ
ス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕 （５３）Ｎｉ(II)−２，２′−チオビス（４−ｔ−オク
チル）フェノレート ヒドラジン−ｓ−メチルジチオカルボキシレート類（Ｄ
−６）

【化３０】 （５４）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｎｉ （５５）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５６）Ｒ＝４−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５７）Ｒ＝２−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５８）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｃｏ （５９）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｃｏ （６０）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｐｔ （６１）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｐｄ （Ｄ−７）

【化３１】 Ａ Ｘ Ｙ （６２） Ｎ Ｈ Ｈ （６３） Ｎ Ｃｌ Ｈ （６４） Ｎ ＣＨ₃ Ｈ （６５） Ｎ ＣＨ₃ ＣＨ₃ （６６） Ｎ ＣＨ₃ Ｃｌ （６７） Ｃ（ＣＮ） Ｈ Ｈ （６８） Ｃ（ＣＮ） Ｈ Ｃ₂Ｈ₅ （６９） Ｃ（ＣＮ） Ｂｒ Ｈ 一般式

【化３２】 Ｍ Ｒ₁ Ｒ₂ Ｒ₃ （７０）Ｎｉ ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₉ ＣＨ₃ （７１）Ｎｉ ＣＨ₂Ｃｌ Ｃ₄Ｈ₉ Ｃ₂Ｈ₅ （７２）Ｃｏ Ｃ₄Ｈ₉ ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₉ （７３）Ｐｔ ４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₉ ４−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ （７４）Ｎｉ ３−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₉ ３−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ （７５）Ｃｕ Ｃ₆Ｈ₅ ＣＨ₂＝ＣＨ− Ｃ₆Ｈ₅

【００１０】該光吸収層は、その複素屈折率の実数部ｎ
（ｘ）（ｘ=ａｂｓ）と膜厚ｄ（ｘ）（ｘ=ａｂｓ）と再
生光の波長とで与えられるρ＝ｎ（ｘ）・ｄ（ｘ）／λ
が、０．６＜ρ＜１．６の条件を満足しており、その背
後に下記金属膜からなる光反射層を有する光情報記録媒
体によると、７０％以上の高い反射率を有し、かつデー
タの再生に際し、ＣＤフォーマットに準拠する変調度の
出力信号が得られる書き込みが可能な光情報記録媒体が
得られる。例えば、図１は、再生光として波長λ＝７８
０ｎｍの半導体レーザを用いた場合に、上記光ディスク
の光吸収層の複素屈折率の実数部ｎ（ｘ）、膜厚ｄ
（ｘ）及び再生光の波長λで与えられるρ＝ｎ（ｘ）・
ｄ（ｘ）／λと、基板側から入射させた光の反射率との
関係を示すグラフである。このグラフは、指数関数と周
期関数の組み合わされた関数として表わされるものであ
り、ρが大きくなるに従って周期関数の振幅が大きくな
る。このグラフから分かるように、ピーク点では、反射
率が７０％を越えることが可能である。この周期関数の
振幅は、光情報記録媒体を構成する層の複素屈折率、膜
厚、それらの均質性等をパラメーターとして変化する。
例えば、光吸収層より光が入射する側にある層の屈折率
が小さいと、反射率は、グラフ全体として反射率が高く
なる方向にシフトする等である。また、このグラフは、
ｋ（ｘ）・ｄ（ｘ）（ｘ=ａｂｓ）をパラメーターとす
る指数関数で表わされ、光吸収層の複素屈折率の虚部ｋ
（ｘ）が大きくなるほどグラフ全体の反射率の減衰が大
きくなるということがわかっている。光吸収層が均質で
あり、その複素屈折率の実部ｎ（ｘ）、膜厚ｄ（ｘ）に
不均一な分布が無い限り、上記グラフのピークを示す点
の周期には変化が無いことが本件発明者らのシュミレー
ションにより分かっている。なお、条件により上記グラ
フのボトム点の反射率についても、上記パラメーター条
件を制御することによりこれを高くすることが可能であ
るが、ρをボトム点付近に設定した場合には、変調度を
大きくとることが困難であり、ある場合には、記録前よ
りも反射率が上昇してしまう場合も生じる。従って、ρ
はピーク点付近に設定することが望ましい。本件発明者
らのシュミレーション結果より、０．６＜ρ＜１．６の
範囲において、ピーク点は２点あり、常に０．６＜ρ＜
１．１０の範囲と、１．１０＜ρ＜１．６の範囲とにあ
り、それらにおいて高い反射率を得ることができること
が分かっている。なお、０．６≧ρのときには、周期関
数の振幅が小さいために記録による変調度は、本発明の
範囲より小さくなる。また、１．６≧ρのときには、膜
厚が厚くなるため、膜厚の制御が困難になり製造上問題
がある。図２は、反射層のＡｕ膜を用いた光ディスクに
おいて、光吸収層の透光性を変え、その複素屈折率の実
数部をｎ（ｘ）＝３．２及びｎ（ｘ）＝４．７と一定に
しながら、その虚部ｋ（ｘ）を０に近い値から１．０ま
で変化させたときの各々の反射率が示されている。な
お、ｄ（ｘ）は０．６＜ρ＜１．１０の中で最適条件に
設定した。このグラフから分かるように、７０％以上の
ｋ（ｘ）が０．２より大きいと、高い反射率を得ること
が困難である。さらに、光吸収層は、ｎ（ｘ）・ｋ
（ｘ）の数値設定が容易であるため、光吸収層に隣接す
る層、例えば基板等の表面に明確な光学的変性部分を形
成できる。そしてこのビットからは、変調度が高い再生
信号が得られ、ＣＤ規格に準拠した記録可能型光情報記
録媒体が容易に得られるため望ましい。基板としては、
使用レーザー光に対して透明であれば、その種類は制限
されないが、基板材料としては、アクリル樹脂、塩化ビ
ニル共重合体樹脂、ポリカーボネートなどのプラスチッ
ク又はガラスなどを用いることができる。なお、基板の
表面にはアドレス信号などのプレフォーマットや案内溝
のプレグルーブが形成されていてもよい。本発明の光記
録媒体としては、上記のような基板上に記録層および光
反射層を設けたものが最も基本的なものであるが、必要
に応じ、基板と記録層の間に下引き層、あるいは保護層
を設けたり、記録層の上に保護層を設けたり、さらには
光反射層の上に保護層を設けたもの等であってもよい。
下引き層は記録層との接着性の向上、水又はガスなどの
バリヤー、記録層の保存安定性の向上及び溶剤からの基
板の保護、プレグルーブの形成などを目的として使用さ
れる。前記光吸収層の上に形成される反射層の材料とし
ては、反射率の高い金属、半金属を用いることができ、
例えば、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等
を挙げることができる。特にＡｕ、Ａｌが好ましい。反
射層の上には更に保護層を設けることができ、その材料
としては、ポリアミド樹脂、ビニル樹脂、シリコーン、
液状ゴム等の各種高分子材料、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、ＴｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄等の無機化合物、紫外線硬化樹
脂等を単独又は積層して用いることができる。

【００１１】

【実施例】

実施例１ 表面に溝巾０．５μｍ、溝深さ１６００Å、トラックピ
ッチ１．６μｍのプレグルーブが設けられたポリカーボ
ネート射出成形ディスク基板１を用意し、その上に下記
色素Ａ、Ｂ（混合重量比２：８）を２，２，３，３−テ
トラフロロプロパノール溶液としてスピンコートし、厚
さ約１３００Åの光吸収層２を形成した。

【化３３】

【化３４】 更にその上にスパッタリングにより約８００Åの厚さに
Ａｕ反射層３を設けた後、紫外線硬化型樹脂コート層４
を約５μｍの厚さに設け記録媒体とした。 実施例２ 下記色素Ｃ、Ｄ（混合重量比３：７）を使用し、実施例
１と同様にして光情報記録媒体を作成した。

【化３５】 実施例３ 実施例１において、色素Ａ、Ｂにさらに下記色素Ｅをク
エンチヤとして、１０重量％（色素Ａ、Ｂに対する外
添）を加え、実施例１と同様にして光情報記録媒体を作
成した。

【化３６】 比較例 下記色素Ｆのみを使用し、実施例３で使用した色素Ｅを
クエンチヤとして色素Ａに対し１０重量％（外添）加
え、実施例１と同様にして光情報記録媒体を作成した。

【化３７】 以上のようにして作成した媒体に線速１．３ｍ／ｓｅ
ｃ、記録パワー６ｍＷ（波長７８０ｎｍ）でＣＤフォー
マット信号を記録した。再生波形の観測の結果いずれも
ＣＤ規格を満足する信号レベルが得られ、反射率（Ｒｔ
ｏｐ）も０．６５以上有していた。次に、再生パワー
０．７ｍＷで同一トラックを何度も再生する再生劣化テ
ストを行なった。結果を次表１を示す。表１の結果か
ら、従来のシアニン色素系に比較して耐光性の面で著し
く向上したことが理解される。

【表１】

【００１２】

【効果】再生劣化を軽減し、再生回数が大幅に向上した
光情報記録媒体が提供された。

【図面の簡単な説明】

【図１】再生光として波長λ＝７８０ｎｍの半導体レー
ザを用いた場合のρ＝ｎ（Ｘ）・ｄ（Ｘ）／λと光の反
射率（％）との関係を示す図である。

【図２】記録層の複屈折率の虚部Ｋ（Ｘ）と光の反射率
（％）との関係を示す図である。

【図３】本発明の実施例１の光情報記録媒体の断面をモ
デル的に示す図である。

【符号の説明】

１ ポリカーボネイト基板 ２ 光吸収層 ３ Ａｕ反射層 ４ 紫外線硬化樹脂コート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹 登 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性を有する基板上に少なくとも光吸
   収層、反射層が順次形成された光情報記録媒体におい
   て、前記光吸収層が、下記一般式（Ｉ）の化合物を含む
   有機色素材料層であることを特徴とする光情報記録媒
   体。 【化１】 （式中、Ｘ₁およびＸ₂：硫黄原子、酸素原子又はセレン
   原子を示す。 Ｚ₁：下記式（Ｚ₁−１）と一緒に置換されてもよいピリ
   リウム、チオピリリウム、セレナピリリウム、ベンゾピ
   リリウム、ベンゾチオピリリウム、ベンゾセレナピリリ
   ウム、ナフトピリリウム、ナフトチオピリリウム又はナ
   フトセレナピリリウムを完成するに必要な基を示す。 【化２】 Ｚ₂：下記式（Ｚ₂−１）と一緒に置換されてもよいピラ
   ン、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾ
   チオピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフ
   トチオピラン又はナフトセレナピランを完成するに必要
   な基を示す。 【化３】 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄：水素原子、置換もしくは未置
   換のアルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を
   示す。） Ｒ₅、Ｒ₆およびＲ₇：水素原子、ハロゲン原子、置換も
   しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリ
   ール基又は置換もしくは未置換のアラルキル基を示す。 ｍおよびｌ；１又は２を示す。 ｎ；０、１又は２を示す。但し、ｎが２の時、Ｒ₃はそ
   れぞれ同一であってもよく又異なっていてもよい。また
   Ｒ₄はそれぞれ同一であってもよく、又異なっていても
   よい。 Ａ^-；陰イオンを示す。
2. 【請求項２】 前記光吸収層が、少なくとも１種類以上
   の前記一般式（Ｉ）の化合物を含む２種類以上の有機色
   素材料を含有することを特徴とする請求項１記載の光情
   報記録媒体。
3. 【請求項３】 前記有機色素材料が、レーザ光を吸収
   し、熱に変換する前記一般式（Ｉ）の化合物とレーザ光
   に対して実質的に透明であって、前記の熱により溶融、
   蒸発または変形することにより記録ピットを形成する有
   機色素材料を含有するものであることを特徴とする請求
   項２記載の光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 レーザ光に対して実質的に透明な有機色
   素材料が、下記式（II）の化合物であることを特徴とす
   る請求項３記載の光情報記録媒体。 【化４】 （式中、Ｒ₇、Ｒ₈はアルキル基又はアルコキシ基を表わ
   し、Ｒ₉、Ｒ₁₀は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
   基、又はアルコキシ基を表わし、Ｙ₂は水素原子、ハロ
   ゲン原子、又はアルキル基を示し、Ｘ^-は陰イオンを示
   す。）
5. 【請求項５】 請求項１記載の光記録媒体において、そ
   の光吸収層の複素屈折率の実数部ｎ（ｘ）（ｘ＝ａｂ
   ｓ）と膜厚ｄ（ｘ）（ｘ＝ａｂｓ）と再生光の波長λと
   で与えられるρ＝ｎ（ｘ）・ｄ（ｘ）／λが、０．６＜
   ρ＜１．６であり、虚部ｋ（ｘ）（ｘ＝ａｂｓ）が０．
   ２以下であることを特徴とする光情報記録媒体。