JPH0776169A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度記録が可能な６３０〜７００ｎｍのレ
ーザーを用いた光ピックアップに適応できる光情報記録
媒体、及び７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を有し、保
存寿命が長く再生による劣化の少ない追記型ＣＤ用の光
情報記録媒体を提供すること。 【構成】 基板上に有機薄膜層を設け、必要に応じてそ
の上に保護層を設けてなる記録媒体、または基板上に有
機薄膜層を設け、その上に金属反射層及び保護層を順次
積層して基板側からの反射率が６５％以上ある記録媒体
において、有機薄膜層中に特定された構造のチアゾール
誘導体化合物を含有させる。この際、アルミニウム塩な
どの光安定性の高い化合物を有機薄膜層中に混合させる
ことが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピューターメモリ
ー、画像及び音声ファイル用メモリー、光カードなどに
利用される光情報記録媒体（以後記録媒体と略す）に関
し、特に耐久性や保存安定性に優れた追記型ＣＤ用など
の光情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】これまで提案されている記録媒体には次
のようなタイプのものがある。 （ａ）低融点金属薄膜を記録層に用いたもの。 （ｂ）反射層と有機光吸収層の２層構造記録層としたも
の。 （ｃ）高反射率の有機色素膜を用いたもの。 （ｄ）有機色素膜に金属反射層を積層したもの（特開昭
６３−２２０４５号、特開平２−４２６５２号各公
報）。

【０００３】上記（ａ）タイプの記録媒体は、低融点金
属のＴｅなどを主成分とした薄膜により記録層を構成し
たもので、穴あけ型と結晶〜非結晶間の相転移に伴う反
射率変化を利用した相変化型とがある。この（ａ）タイ
プの記録媒体は一般に保存安定性が悪く、さらに穴あけ
型のものは分解能が低く記録密度が上がらず、また相変
化型のものは製造条件が難かしくコストが高くなるとい
う欠点がある。

【０００４】上記（ａ）タイプの記録媒体は金属の反射
膜上に有機光吸収層をコーティングにより設け、該有機
光吸収層にレーザー光を照射して窪みを作り情報の記録
を行うものである。この（ｂ）タイプの記録媒体は、記
録層が金属反射膜上に有機吸収層を積層した２層構造と
なっているため製造が面倒であり、また光や熱によって
変形または変質しない金属の反射層をもつため、基板側
からの記録・再生が難しいという欠点がある。

【０００５】上記（ｃ）のタイプの記録媒体は基板に反
射率の高い有機色素薄膜を記録層として設けたものであ
る。有機色素薄膜は融点、分解温度が高く、熱伝導率も
低いので、高感度、高Ｃ／Ｎ化、高信頼性が期待でき、
また膜形成がコーティングにより可能なため生産性がよ
く、低コスト化ができるなどの利点がある。しかし、現
在、従来の光ディスクで使用されてきた波長域より短波
長に発振波長（〜６８０ｎｍ）を有する半導体レーザー
が実用化され始められているにも拘らず、これまでの色
素では７００ｎｍ以下の波長域に光吸収能及び光反射能
をもたず、高密度記録性に限界があった。

【０００６】上記（ｄ）のタイプの記録媒体は基板上に
有機色素、金属反射層、必要に応じ保護層を順次積層し
てなり、市販のＣＤプレーヤーで再生可能な追記型ＣＤ
（ＣＤ−ＷＯ）に利用されるもので、高い反射率と高い
安定性が両立し得る有機色素の開発が必要である。その
ため再生波長域（７７０〜８３０ｎｍ）に高い屈折率を
有し、かつ、安定性の高い有機色素の開発が望まれる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、集光ビーム
をより細く絞り込み高密度記録が可能な、６３０〜７０
０ｎｍのレーザーを用いた光ピックアップに適応できる
記録媒体を提供することを目的とする。また本発明は、
熱安定性及び光安定性に優れ、かつ、７７０〜８３０ｎ
ｍに高い屈折率を有する有機色素による記録層を提供
し、保存寿命が長く、再生による劣化が少なく、かつ、
高反射率のＣＤ−ＷＯ記録媒体を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、基板上に直接または下引き層を介
して有機薄膜層を設け、必要に応じて、さらにその上に
保護層を設けてなる記録媒体において、前記有機薄膜層
中に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有させた記
録媒体が提供される。

【化１】 また、本発明によれば、上記構成において、前記有機薄
膜層と保護層との間に金属反射層を設けてなり、かつ基
板側からの反射率が６５％以上ある記録媒体が提供され
る。また、本発明によれば、上記構成において、前記有
機薄膜層中に、前記一般式（Ｉ）の化合物よりも長波長
領域の光に対して吸収能を有し、かつ、前記一般式
（Ｉ）の化合物より光安定性の高い化合物を混合させた
記録媒体が提供される。さらに、本発明によれば、上記
構成において、前記一般式（Ｉ）の化合物よりも光安定
性の高い化合物が、アミニウム塩、ジイモニウム塩及び
金属錯体のうちの少なくとも一種である記録媒体が提供
される。

【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。まず、記
録媒体の構成について述べる。図１は、本発明の記録媒
体に適用し得る層構成例を示す図で、基板１の上に、必
要に応じて下引き層３を介して、有機薄膜層２を設け、
さらに必要に応じ保護層４が設けられる。

【００１０】図２は、本発明の記録媒体に適用し得る別
のタイプの層構成例を示す図で、図１の構成の有機薄膜
層２の上に金属反射層５が設けられている。

【００１１】本発明の記録媒体は、図１及び図２に示し
た構成の有機薄膜層（記録層）を内側にして、他の基板
と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にして
もよく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にして
もよい。

【００１２】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行う場
合には使用レーザー光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行う場合は透明である必要
はない。基板材料としては、例えばポリエステル、アク
リル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイ
ミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるいは
金属などを用いることができる。なお、基板の表面にト
ラッキング用の案内溝や案内ピット、さらにアドレス信
号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。

【００１３】２）下引き層 下引き層は、（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガス
などに対するバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向
上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保
護、案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形成など
を目的として使用される。（ａ）の目的に対しては高分
子、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹
脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなど
の種々の高分子物質及びシランカップリング剤などを用
いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対しては、
上記高分子材料以外に無機化合物、例えばＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ₂、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、Ｓ
ｉＮ、及びＺｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ａｌなどの金属または半金属などを用いることがで
きる。また（ｂ）の目的に対しては金属、例えばＡｌ、
Ａｇなどや、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン
染料、キサンテン系染料などを用いることができ、
（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
下引き層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．
０５〜１０μｍが適当である。

【００１４】３）記録層（光吸収層） 本発明による記録層はレーザー光の照射により何らかの
光学的変化を生じさせその変化により情報を記録できる
有機薄膜層であって、この記録層中には前記一般式
（Ｉ）の化合物が含有されている必要がある。また、記
録層の形成にあたっては本発明の化合物を１種または２
種以上組み合わせて用いてもよい。さらに、本発明の化
合物は他の染料、例えばフタロシアニン系染料、テトラ
ヒドロコリン系染料、ジオキサジン系染料、トリフェニ
ルメタン系染料、フェナンスレン系染料、シアニン（メ
ロシアニン）系染料、ナフトキノン系染料、アントラキ
ノン（インダンスレン）系染料、キサンテン系染料、ト
リフェニルメタン系染料、クロコニウム系染料、ピリリ
ウム系染料、アズレン系染料などと組み合わせてもよ
い。

【００１５】また、本発明の化合物は金属、金属化合
物、例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｓｅ、Ｔｅ
Ｏ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどを分散混合あるいは積層
の形態で用いることもできる。さらに、本発明の化合物
中に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド
系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状
ゴムなどの種々の材料もしくはシランカップリング剤な
どを分散混合して用いてもよく、あるいは特性改良の目
的で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒
に用いることができる。

【００１６】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ、または溶剤塗布などの通常の手段によって行うこ
とができる。塗布法を用いる場合には上記化合物などを
有機溶剤に溶解してスプレー、ローラー塗布、ディッピ
ングまたはスピナー塗布などの慣用の塗布方法で行う。
有機溶剤としては一般にメタノール、エタノール、イソ
プロパノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドな
どのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエ
ーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、
クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化
炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素、あるいはベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類などを用いること
ができる。記録層の膜厚は、１００Å〜１０μｍ、好ま
しくは２００Å〜１０００Åが適当である。

【００１７】４）保護層 保護層は記録層を傷、埃、汚れなどから保護する、記録
層の保存安定性の向上、反射率の向上などを目的として
使用される。これらの目的に対しては、前記の下引き層
に示した材料を用いることができる。無機材料としてＳ
ｉＯ、ＳｉＯ₂なども用いることもでき、有機材料とし
てアクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロー
ス、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴ
ム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワ
ックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの熱軟化
性、熱溶融性樹脂も用いることができる。本発明におい
て、前記の下引き層及び保護層には記録層の場合と同時
に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面
活性剤、可塑剤などを含有させることができる。

【００１８】５）金属反射層 金属反射層は単体で高反射率の得られる金属、半金属な
どが使用できる。具体的材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどが挙げられ、好ましく
はＡｕ、Ａｌがよい。これらの金属、半金属は単独で使
用してもよく、２種以上の合金としてもよい。膜形成法
としては蒸着、スパッタリングなどが挙げられ、膜厚と
しては５０〜３０００Å、好ましくは１００〜１０００
Åである。

【００１９】本発明の一般式（Ｉ）で示される化合物の
具体例を表１に示す。

【表１】

【００２０】本発明で用いられるアミニウム塩もしくは
ジイモニウム塩化合物は、次式の（ＩＩ）〜（Ｘ）で構
造式が示されるものが使用される。以下、各式について
詳述し、２、３の具体例を述べる。なお、それぞれの具
体例の詳細は特公昭４３−２５３３５号公報に記述され
ているので参照することができる。

【化２】アミニウム塩もしくはジイモニウム塩化合物
例；式（II）の化合物 （式中、Ａはフェニール、シクロヘキシルイミノ、ジベ
ンジルアミノまたはＣ₁〜Ｃ₄のアルキルを有するジアル
キルアミノを表わし、ＢはＡと同じかあるいは水素原子
を表わし、Ｘは酸アニオンを表わし、そして上記式中に
存在する芳香核は低級アルキル、低級アルコキシ、低級
アルキルチオ、ハロゲンまたは水酸基によって置換され
ていてもよい。）

【００２１】具体的には、以下表２に示す化合物などが
ある。

【表２】

【００２２】

【化３】アミニウム塩もしくはジイモニウム塩化合物
例；式(III)の化合物 （式中、Ｚは置換もしくは未置換の炭素環ケトンを完成
するのに必要な原子群を表わし、この炭素環には芳香族
環が縮合していてもよく、Ｒ₁及びＲ₂は同じかまたは異
なっていてもよく、そしてそれぞれは置換もしくは未置
換アルキル基あるいは置換もしくは未置換アリール基を
表わし、Ｘは金属錯体アニオンを表わし、ｍは１または
２を表わし、Ａは下記の芳香環（ａ）または（ｂ）を表
わし、それぞれのフェニール基はアルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲンまたは水酸基で置換されていてもよ
い。）

【表３】

【００２３】具体的には次の表４に示されるものがあ
る。

【表４】

【００２４】アミニウム塩もしくはジイモニウム塩化合
物例；式（IV）の化合物

【化４】 （式中、Ｚは置換もしくは未置換の炭素環ケトンを完成
するのに必要な原子群を表わし、この炭素環には芳香族
環が縮合していてもよく、Ｒ₁及びＲ₂は同じかまたは異
なっていてもよく、そしてそれぞれは置換もしくは未置
換アルキル基あるいは置換もしくは未置換アリール基を
表わし、Ｘは金属錯体アニオンを表わし、ｍは１または
２を表わし、Ａは下記の芳香環（ａ）または（ｂ）を表
わし、それぞれのフェニール基はアルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲンまたは水酸基で置換されていてもよ
い。）

【表５】

【００２５】具体的には表６で示されるものなどが挙げ
られる。

【表６】

【００２６】次に本発明で用いられる金属錯体について
詳述し、２、３の具体例を述べる。なお、それぞれの具
体例の詳細は特公昭４３−２５３３５号公報に記述され
ているので参照することができる。

【００２７】金属錯体例；アセチルアセトナート系化合
物 Ｎｉ（ＩＩ）アクリルアセトナート、Ｃｕ（ＩＩ）アセ
チルアセトナート、Ｍｎ（ＩＩＩ）アセチルアセトナー
トなど。

【００２８】金属錯体例；ビスジチオ−α−ジケトン系
化合物 ビス（ジチオベンジル）ニッケル、ビス（ジチオビアセ
チル）ニッケル、ビス（４−ジエチルアミノベンジルジ
チオ）ニッケルなど。

【００２９】金属錯体例；ビスフェニルジチオール系化
合物 ビス（１，２−ジチオフェニル）ニッケル、ビス（１，
２−ジチオ−３，６−ジメチルフェニル）ニッケル、ビ
ス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチルフェニ
ル）ニッケルなど。また、これらの金属錯体はカチオン
と塩を形成してもよく、例えば下記の第４級アンモニウ
ム塩を挙げることができる。ビス（１，２−ジチオ−５
−メチルフェニル）ニッケルテトラブチルアンモニウ
ム、ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）ニッ
ケルテトラブチルアンモニウム、ビス（１，２−ジチオ
−５−メチルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチルア
ンモニウムなど。

【００３０】金属錯体例；サリチルアルデヒドオキシム
系化合物 下記式（Ｖ）で示されるもので、具体的には下記のよう
なものがある。

【化５】

【００３１】Ｎｉ（ＩＩ）ｏ−（Ｎ−イソプロピルホル
ムイミドイル）フェノール、Ｎｉ（ＩＩ）ｏ−（Ｎ−ド
デシルホルムイミドイル）フェノール、Ｃｕ（ＩＩ）ｏ
−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイル）フェノールなど。

【００３２】金属錯体例；チオビスフェノレートキレー
ト系化合物 下記式（ＶＩ）で示されるもので、具体的には下記のよ
うなものがある。

【化６】

【００３３】Ｎｉ（II）ｎ−ブチルアミノ〔２，２−チ
オビス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕（Cyasor
b-UV-1064、アメリカン シアナミド社 ）、Ｃｏ（I
I）ｎ−ブチルアミノ〔２，２−チオビス（４−ｔ−オ
クチル）−フェノレート〕、Ｎｉ（II）−２，２−チオ
ビス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕など。

【００３４】金属錯体例；ビドラジン−Ｓ−メチルジチ
オカルボキシレート系化合物 下記式（ＶＩＩ）で示されるもので、具体的には下記の
ようなものがある。

【化７】

【００３５】金属錯体例；下記式（ＶＩＩＩ）で示され
る化合物

【化８】

【００３６】金属錯体例；下記式（ＩＸ）で示される化
合物

【化９】

【００３７】金属錯体例；下記表７のインドアニリン系
化合物

【表７】

【００３８】また、一般式（Ｉ）の化合物と長波長吸収
色素との混合比は、一般式（Ｉ）の化合物に対して長波
長吸収色素す０．１〜３０ｗｔ％、好ましくは５〜２０
ｗｔ％であって、上記の層はガラスなどの基板の上にス
ピナー塗布法などによって厚さ１００Å〜１０μｍ、好
ましくは２００Å〜２０００Å程度となるように塗布さ
れて、本発明の光情報記録媒体となる。

【００３９】

【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。

【００４０】実施例１ 厚さ１．２μｍのポリメチルメタアクリレート板上に、
フォトポリマー５０μｍにて、深さ９８０Å、半値幅
０．３μｍ、トラックピッチ１．３μｍの案内溝を形成
した基板上に、表１の化合物Ｎｏ．５の１，２−ジクロ
ルエタン溶液をスピナー塗布し、厚さ７５０Åの記録層
を設けて記録媒体とした。

【００４１】実施例２，３ 実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．５の代わりに、
同表の化合物Ｎｏ．９及び化合物Ｎｏ．１２を用いた以
外は実施例１と同様にして実施例２及び実施例３の記録
媒体を得た。

【００４２】実施例４ 実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．５と下記のアミ
ニウム塩の１０／１．２（重量比）の１，２−ジクロル
エタン溶液を用いた以外は実施例１と同様にして実施例
４の記録媒体を得た。

【化１０】

【００４３】実施例５ 実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．５と下記のジイ
モニウム塩の１０／１．２（重量比）の１，２−ジクロ
ルエタン溶液を用いた以外は実施例１と同様にして実施
例５の記録媒体を得た。

【化１１】

【００４４】実施例６ 実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．５に代わる同表
の化合物Ｎｏ．９と金属錯体ビス（１，２−ジチオ−
３，４，６−トリクロロフェニル）ニッケルの１０／
１．５（重量比）の１，２−ジクロールエタン溶液を用
いた以外は実施例１と同様にして実施例６の記録媒体を
得た。

【００４５】実施例７ 実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．５と下記のアミ
ニウム塩の１０／１．５（重量比）の１，２−ジクロル
エタン溶液を用いた以外は実施例１と同様にして実施例
７の記録媒体を得た。

【化１２】

【００４６】実施例８ 深さ９００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ１．
６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形ポリ
カーボネート基板上に、表１の化合物Ｎｏ．４の１，
１，２−トリフルオロエタノール溶液をスピナー塗布
し、厚さ１６００Åの記録層を設け、その上に１０^{- 5}
Ｔｏｒｒ下でＡｕを１２００Å真空蒸着して反射層と
し、その上にアクリル系フォトポリマーにて厚さ３μｍ
の保護層を形成し、記録媒体とした。

【００４７】実施例９，１０ 実施例８において、表１の化合物Ｎｏ．５の代わりに、
同表の化合物Ｎｏ．７及び化合物Ｎｏ．１０を用いた以
外は実施例８と同様にして実施例９及び実施例１０の記
録媒体を得た。

【００４８】実施例１１ 実施例８において、表１の化合物Ｎｏ．４と下記のアミ
ニウム塩の１０／１．５（重量比）の１，１，２−トリ
フルオロエタノール溶液を用いた以外は実施例８と同様
にして実施例１１の記録媒体を得た。

【化１３】

【００４９】実施例１２ 実施例８において、表１の化合物Ｎｏ．４と下記のジイ
モニウムの１０／１．５（重量比）の１，１，２−トリ
フルオロエタノール溶液を用いた以外は実施例８と同様
にして実施例１２の記録媒体を得た。

【化１４】

【００５０】前記の実施例１〜実施例７の記録媒体を用
い、下の記録条件で基板を介して記録し、その後記録箇
所をパワー０．２５ｍＷの連続レーザー光で再生し、下
の条件でＣ／Ｎを測定し、表８の結果を得た。 記録条件： レーザー波長 ７９０ｎｍ 線速 ２．１ｍ／ｓｅｃ 記録周波数 １．２ＭＨｚ ピックアップレンズ Ｎ．Ａ．０．５

【００５１】

【表８】

【００５２】前記の実施例８〜実施例１２の記録媒体を
用い波長７８０ｎｍ、記録パワー７ｍＷのレーザー光
で、線速１．３ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を記録し、パワ
ー０．５ｍＷのレーザー光で再生波形を観察したとこ
ろ、いずれも記録したＥＦＭ信号を再生し、反射率６５
％以上を有していた。次に、同一トラックを連続的に再
生する再生劣化テストを行なったところ、実施例８〜実
施例１０は徐々に信号の低下が見られたが、実施例１１
及び実施例１２は１００万回再生後も殆ど変化は認めら
れなかった。

【００５３】

【発明の効果】

１）波長６３０〜７００ｎｍに高い光吸収と光反射性を
有しているため、高密度記録が可能な６３０〜７００ｎ
ｍのレーザーを用いたピックアップに適応できる記録媒
体で、現状の８００ｎｍにおける記録密度より１．６〜
１．８倍の高密度化が達成可能となった。 ２）波長６３０〜７００ｎｍに高い屈折率を有し、か
つ、高い安定性を有するために、高反射率で保存安定性
及び再生安定性に優れたＣＤ・ＷＯ用記録媒体が提供可
能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す
図である。

【図２】本発明の記録媒体に適用し得る他のタイプの層
構成例を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 有機色素層 ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ 金属反射層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に直接または下引き層を介して有
   機薄膜層を設け、必要に応じて、その上に保護層を設け
   てなる記録媒体において、前記有機薄膜層中に下記一般
   式（Ｉ）で示される化合物を含有させたことを特徴とす
   る光情報記録媒体。 【化１】
2. 【請求項２】 前記有機薄膜層と保護層との間に金属反
   射層を設けてなり、かつ基板側からの反射率が６５％以
   上あることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒
   体。
3. 【請求項３】 前記有機薄膜層中に、前記一般式（Ｉ）
   の化合物よりも長波長領域の光に対する吸収能を有し、
   かつ、前記一般式（Ｉ）の化合物より光安定性の高い化
   合物を混合させたことを特徴とする請求項１または２に
   記載の光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 前記一般式（Ｉ）の化合物よりも光安定
   性の高い化合物が、アミニウム塩、ジイモニウム塩及び
   金属錯体のうちの少なくとも一種であることを特徴とす
   る請求項３に記載の光情報記録媒体。