JP3624989B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3624989B2 JP3624989B2 JP08458296A JP8458296A JP3624989B2 JP 3624989 B2 JP3624989 B2 JP 3624989B2 JP 08458296 A JP08458296 A JP 08458296A JP 8458296 A JP8458296 A JP 8458296A JP 3624989 B2 JP3624989 B2 JP 3624989B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- unsubstituted
- recording medium
- dye
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体に関するものであって、特に光ビームを照射することにより、記録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在の追記光型ディスクシステム(WORM、CD−R)では、使用レーザの発振波長が770nm〜790nmにあり、記録媒体は上記波長で記録、再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化することも必然的に起ってくることが容易に予想される。
たゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素やフタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提案がなされている(例えば、シアニン色素を記録材料として用いたものには、特開昭57−82093号、特開昭58−56892号、特開昭58−112790号、特開昭58−114989号、特開昭59−85791号、特開昭60−83236号、特開昭60−89842号、特開昭61−25886号各公報等が、また、フタロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特開昭61−150243号、特開昭61−177287号、特開昭61−154888号、特開昭61−246091号、特開昭62−39286号、特開昭63−37791号、特開昭63−39888号各公報等がある)が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ700nm以下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
【0003】
現在のCD−Rディスクシステムも、使用レーザの発振波長である770nm〜790nmで、記録、再生が可能なように構成されている。このシステムも上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は必須である。この点、現在のCD及びCD−ROMは、基板自体の凹凸上にAlがコーティングしてあり、Alの反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長が短波長化されても再生は可能である。
しかしながら、CD−Rは記録層に680nm〜750nmに最大吸収波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成から770nm〜790nmに高い反射率が得られる様設定してあるため、700nm以下の波長域では反射率は極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在のCD−Rシステムで記録、再生している情報が、将来のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでCD−Rとして、シアニン色素/金属反射層、フタロシアニン色素/金属反射層又はアゾ金属キレート色素/金属反射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされている(例えば、シアニン色素/金属反射層を記録材料として用いたものには、特開平1−159842号、特開平2−42652号、特開平2−13656号、特開平2−168446号各公報等が、フタロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特開平1−176585号、特開平3−215466号、特開平4−113886号、特開平4−226390号、特開平5−1272号、特開平5−171052号、特開平5−116456号、特開平5−69860号、特開平5−139044号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録材料として用いたものには、特開平4−46186号、特開平4−141489号、特開平4−361088号、特開平5−279580号各公報等がある)が、このような点に解決を与えるものは未だ見出されていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は上記のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可能なCD−R媒体用の記録材料を提供すること目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記録層を設けることにより、発振波長700nm以下の半導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能なことを見出し、更には本色素を現在CD−R用記録材料として用いられている有機色素と混合して用いることにより、700nm以下の波長域にも高い反射率を得ることが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0006】
即ち、本発明によれば、第一に、少なくとも基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設けてなる光記録媒体において、前記記録層中に下記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物の少なくとも1種を含有してなることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【化1】
【化2】
【化3】
〔式中、R1〜R7、1、m、n、Z、X、及びQは、それぞれ以下のものを表す。
R1〜R3:各々独立にアミノ基、炭素数1〜6の置換されていてもよいジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のカルボン酸エステル基、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは未置換のアリールオキシ基、又は置換若しくは未置換のアリールチオ基、
R4〜R6:各々独立にハロゲン原子、水素原子、フェニル基、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のジアルキルアミノ基、O-、COO-、又はSO3 -、
l、m、n:各々独立に1〜4の整数、
R7:ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、O-、COO-、又はSO3 -、
Z:複素環残基、
X:ハロゲンイオン、酸アニオン又は金属錯体アニオン、
Q:0又は1であるが、R4若しくはR7がO-、COO-、SO3 -のいずれかになった場合のみQは0となり、それ以外はすべて1である。〕
第二に、前記記録層が前記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物の少なくとも1種と680nm〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを含有してなることを特徴とする上記第一に記載した光記録媒体が提供される。第三に、前記680nm〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なくとも1種である上記第二に記載した光記録媒体が提供される。第四に、前記記録層が波長630〜720nmのレーザ光によって記録されるものである上記第一〜第三のいずれかに記載した光記録媒体が提供される。本発明の光記録媒体においては、必要に応じて、前記記録層上にアルミニウム又は金からなる反射層、紫外線硬化型樹脂からなる保護層を設けることができる。
【0007】
本発明の光記録媒体は、前記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物の少なくとも1種を含有する記録層を設けたことから、700nm以下の波長域のレーザ光で記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存安定性に優れたものとなり、また別の態様では、前記一般式(I)、(II)又は(III)で示される少なくとも1種の化合物と、680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素との混合物からなる記録層を設けたことから、現状システムでのCD−R媒体として使用でき、しかも次世代の高密度光ディスクシステムとなっても、記載された情報を再生することが可能なものとなる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、記録層中に下記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物の少なくとも1種を含有してなることを特徴とする。
【化1】
【化2】
【化3】
【0009】
まず、本発明で使用する上記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物について説明すると、上記一般式(I)〜(III)において、R1、R2、R3は、各々独立にアミノ基、炭素数1〜6の置換されていてもよいジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のカルボン酸エステル基、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは未置換のアリールオキシ基、又は置換若しくは未置換のアリールチオ基を表し、R4、R5、R6は各々独立にハロゲン原子、水素原子、フェニル基、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のジアルキルアミノ基、O-、COO-、又はSO3 -を表す。l、m、nは、各々独立に1〜4の整数を表す。R7は、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、O-、COO-、又はSO3 -を表し、Zは複素環残基を表す。また、Xはハロゲンイオン、酸アニオン、又は金属錯体アニオンを表し、Qは0又は1を表す。
【0010】
Xは、ハロゲンイオン、過ハロゲン酸イオン、アルキル硫酸アニオン、PF6アニオン、BF4アニオン、SbF6アニオン等の酸アニオンを表し、R1、R2、R3における置換基がジアルキルアミノ基のアルキル炭素数が6以上になると、安定性(耐光性、保存安定性)が極端に低下する。
【0011】
一般式(I)〜(III)中のR1〜R7のアルキル基(アルコキシ基、アルキルアルコキシ基、カルボン酸エステル基中のアルキル部分を含め)の具体例としては、 メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、2−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2−エチルペンチル基、3−エチルペンチル基、n−オクチル基、2−メチルヘプチル基、3−メチルヘプチル基、4−メチルヘプチル基、5−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ドデシル基等の一級アルキル基;イソプロピル基、sec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メチルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エチルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロピル−2−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルブチル基、1−プロピル−2−メチルプロピル基、1−メチルヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピルペンチル基、1−イソプロピルぺンチル基、1−イソプロピル−2−メチルブチル基、1−イソプロピル−3−メチルブチル基、1−メチルオクチル基、1−エチルヘプチル基、1−プロピルヘキシル基、1−イソブチル−3−メチルブチル基等の二級アルキル基;tert−ブチル基、tert−ヘキシル基、tert−アミル基、tert−オクチル基等の三級アルキル基;シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−エチルシクロヘキシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル基、4−(2−エチルヘキシル)シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、アダマンタン基等のシクロアルキル基等が挙げられ、これらのアルキル基はハロゲン原子等の置換基で置換されていても良い。
【0012】
また、置換若しくは未置換のアリール基(置換若しくは未置換のアリールオキシ基のアリール部分を含め)の具体例としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、tert−ブチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニルフェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、メチルピリジル基等が挙げられる。また、これらのアリール基はハロゲン原子等の置換基で置換されていても良い。
【0013】
Zは複素環残基を表すが、その具体例としては、置換若しくは未置換のピリジン残基、ピリダジン残基、ピリミジン残基、ピラジン残基、チオフェン残基等が挙げられる。
【0014】
また、Qについては0又は1であるが、R4若しくはR7がO−、COO−、SO3 −のいずれかになった場合のみQは0となり、それ以外はすべて1である。
【0015】
また、Xにおける金属錯体アニオンの具体例としては、以下に示すものが挙げられる。
【化4】
式中、R11、R12は、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、又は複素環残基を表す。また、MはNi、Pd、Pt、Cu又はCoを表す。
【化5】
式中、R11、R12、R13、R14は、水素原子、ハロゲン原子、直接若しくは2価の連結基を介して間接的に結合するアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、又は複素環残基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【化6】
式中、XはS又はCR11R12を表す。R11、R12は、CN、COR13、COOR14、CONR15R16若しくはSOR17、5員環、6員環を形成するのに必要な原子群を表し、R13〜R17は置換若しくは無置換のアルキル基、又はアリール基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【0016】
【化7】
式中、R11、R12、R13、R14は、水素原子、ハロゲン原子、直接若しくは2価の連結基を介して間接的に結合するアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、又は複素環残基を表す。R15は、水素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、カルボキシル基、又はスルホニル基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【化8】
式中、R11、R12、R13、R14は、水素原子、ハロゲン原子、直接若しくは2価の連結基を介して間接的に結合するアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、又は複素環残基を表す。R15、R16は、水素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、カルボキシル基、又はスルホニル基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【化9】
式中、R11、R12は、水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。R13、R14、R15、R16は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、又はアリール基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【0017】
【化10】
式中、X1はO又はSを表す。R11、R12、R13は、直接オキシ基、チオ基、アミノ基を介して結合する置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基、又はシクロアルキル基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【化11】
式中、R11、R12、R13は、直接若しくはオキシ基、チオ基、アミノ基を介して結合する置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基、又はシクロアルキル基を表す。X1はO又はSを表す。R14はアルキル基、又はアリール基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【化12】
式中、R11、R12は、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、又は複素環残基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【0018】
【化13】
式中、R11、R12、R13、R14は、水素原子、ハロゲン原子、直接若しくは2価の連結基を介して間接的に結合するアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、又は複素環残基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【化14】
式中、R11、R12、R13、R14は、水素原子、ハロゲン原子、直接若しくは2価の連結基を介して間接的に結合するアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、又は複素環残基を表す。R15、R16は、水素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、カルボキシル基、又はスルホニル基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【化15】
式中、R11はアルキル基又はアリール基を表す。R12、R13、R14、R15は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、又はアリール基を表す。なお、Mは前記と同じである。
【0019】
金属錯体アニオンの化合物例を表1に示す。
【0020】
【表1−(1)】
【0021】
【表1−(2)】
【0022】
前記一般式(I)〜(III)で表わされる化合物の具体例としては、例えば表2−(1)〜表2−(3)に示されるものが挙げられる。
【0023】
【表2−(1)】
【0024】
【表2−(2)】
【0025】
【表2−(3)】
【0026】
また、記録層においては、前記したように、前記一般式(I)で示される少なくとも1種の化合物と、680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素との混合物を主成分とすることにより、現状システムで記録再生が可能であるとともに、次世代システムにおいても再生のみは可能なCD−R記録媒体となる。この場合の680〜750nmに最大吸収波長を有する色素としては、ペンタメチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素が好ましい。
【0027】
ペンタメチンのシアニン色素の好ましい例としては、下記一般式(IV)で示されるものが挙げられる。
【化16】
式中、R21、R22は炭素数1〜3のアルキル基、R23、R24は炭素数1〜6の置換又は未置換のアルキル基、Xは酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族環と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていてもよい。
【0028】
フタロシアニン色素の好ましい例としては、下記一般式(V−1)若しくは(V−2)で示されるものが挙げられる。
【化17】
式中、M1はNi、Pd、Cu、Zn、Co、Mn、Fe、TiO又はVOを、X5〜X8はそれぞれ独立に置換位置α位の−OR又は−SRを、Rは置換されていてもよい炭素数3〜12の直鎖、分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表わす。X5〜X8以外のベンゼン環の置換基は水素原子又はハロゲン原子である。
【0029】
【化18】
式中、M2は、Si、Ge、In、又はSnを、X9〜X12はそれぞれ独立に置換位置α位の−OR又は−SRを、Rは置換されていてもよい炭素数3〜12の直鎖、分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を、Y5、Y6は−OSiR25R26R27、−OCOR25R26R27、又は−OPOR25R26R27を表わし、R25〜R27はそれぞれ独立に炭素数1〜10のアルキル基又はアリール基を表わす。X9〜X12以外のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子である。
【0030】
また、アゾ金属キレート色素の好ましい例としては、下記一般式(VI)で示されるアゾ系化合物と金属とのアゾ金属キレート化合物の1種又は2種以上が挙げられ、、金属の好ましい例としては、Ni、Pt、Pd、Co、Cu、Znなどが挙げられる。
【化19】
式中、Aはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Bはそれが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環又は複素環を形成する残基を表わし、またX2は活性水素を有する基を表わす。
【0031】
本発明の前記一般式(I)〜(III)で示される少なくとも1種の色素と前記一般式(IV)〜(VI)で示される少なくとも1種の色素とを併用する場合の重量組成比は、本発明色素/〔(IV)〜(VI)の色素〕=10/100〜90/100、好ましくは40/100〜20/100である。また、両色素を併用した場合の記録層の膜厚は500Å〜5μm、好ましくは1000Å〜5000Åである。
【0032】
次に、本発明の記録媒体の構成について述べる。
図1は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板1の上に、必要に応じて下引き層3を介して、記録層2を設け、更に必要に応じ保護層4が設けられている。また、必要に応じて基板1の下にハードコート層を設けることができる。
図2は、本発明の記録媒体に適用し得る別のタイプの層構成例を示す図で、これはCD−Rメディアの例である。図1の構成の記録層2の上に反射層6が設けられている。
なお、本発明の記録媒体は、図1及び図2に示した構成の記録層(有機薄膜層)を内側にして、他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にしてもよく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にしてもよい。
【0033】
次に、構成各層の必要特性及びその構成材料について述べる。
1)基板
基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう場合には使用レーザ光に対して透明でなければならないが、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるいは金属などを用いることができる。なお、基板の表面にトラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
【0034】
2)記録層
記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生じさせその変化により情報を記録できるものであって、この記録層中には前記一般式(I)〜(III)で示される化合物の少なくとも1種、場合により更に前記一般式(IV)〜(VI)で示される色素の少なくとも1種が含有されている必要がある。更に、これらの色素は光学特性、記録感度、信号特性の向上のため、他の有機色素及び金属、金属化合物と混合又は積層化して用いることも、もちろん可能である。この場合の他の有機色素としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン(インダンスレン)系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属錯体化合物などが挙げられる。また金属、金属化合物例としては、In、Te、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、Al、Be、TeO2、SnO、As、Cdなどが挙げられ、それぞれを分散混合あるいは積層の形態で用いることができる。更に、上記染料中に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料若しくはシランカップリング剤などを分散混合しても良いし、特性改良の目的で、安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用いることができる。
【0035】
記録層の形成は、蒸着、スパッタリング、CVD又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうことができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコーティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。
記録層の膜厚は、100Å〜10μm、好ましくは200Å〜2000Åが適当である。
【0036】
3)下引き層
下引き層は、▲1▼接着性の向上、▲2▼水又はガスなどに対するバリヤー、▲3▼記録層の保存安定性の向上、▲4▼反射率の向上、▲5▼溶剤からの基板の保護、▲6▼案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形成などを目的として使用される。▲1▼の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物及びシランカップリング剤などを用いることができ、▲2▼及び▲3▼の目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化合物、例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、ZnO、TiN、SiNなどがあり、更に金属又は半金属、例えばZn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、Au、Ag、Alなどを用いることができる。また、▲4▼の目的に対しては、金属、例えばAl、Au、Agなどや、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キサンテン系染料などを用いることができ、▲5▼及び▲6▼の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は0.01〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当である。
【0038】
4)基板面ハードコート層
基板面ハードコート層は、(i)記録層(反射吸収層)を傷、埃、汚れなどから保護する、(ii)記録層(反射吸収層)の保存安定性の向上、(iii)
反射率の向上などを目的として使用される。これらの目的に対しては、前記の下引き層に示した材料を用いることができる。また、無機材料としてSiO、SiO2なども用いることもでき、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。基板面ハードコート層の膜厚は0.01〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当である。
【0039】
本発明において、前記の下引き層及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などを含有させることができる。
【0040】
【実施例】
以下実施例について本発明を説明するが、本発明これらに限定されるものではない。
【0041】
実施例1
実施例1
厚さ1.2μmのポリメチルメタクリレート基板上にフォトポリマーにて、深さ1200Å、半値幅0.35μm、トラックピッチ1.0μmの案内溝を形成した基板上に、化合物具体例No.1の1,2−ジクロロエタン溶液をスピンナー塗布し、厚さ900Åの記録層を設けて記録媒体を得た。
【0042】
実施例2〜8
実施例1において、化合物具体例No.1の代わりに、化合物具体例No.2、No.6、No.11、No.30、No.41、No.42、No.45を用いたこと以外は、実施例1と同様にして実施例2〜8の記録媒体を得た。
【0043】
比較例1
実施例1において、化合物具体例No.1の代わりに下記式(VII)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例1と同様にして比較例1の記録媒体を得た。
【化20】
【0044】
前記の実施例1〜8及び比較例1の記録媒体を用い、下記の記録条件で基板から光を入射して記録し、その後記録位置を再生光によりC/N及び反射率を測定した。その結果を表3に示す。
記録条件:
レーザ発振波長 650nm
記録周波数 1.25MHz
記録線速 1.2m/sec
再生条件:
レーザ発振波長 650nm
再生パワー 0.25〜0.3mWの連続光
スキャニングバンド巾 30KHz
耐光テスト条件:
耐光テスト 4万Lux、Xe光、20時間連続照射
保存テスト 85℃、85%、720時間放置
【0045】
【表3】
【0046】
実施例9
深さ1000Å、半値幅0.35μm、トラックピッチ1.0μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上に、化合物具体例No.16をメチルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液をスピンナー塗布し、厚さ1800Åの記録層を形成し、次いでその上にスパッタ法により金2000Åの反射層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて5μmの保護層を設け、記録媒体を得た。
【0047】
実施例10〜16
実施例9において、化合物具体例No.16の代わりにそれぞれ化合物具体例No.5、No.10、No.15、No.17、No.25、No.34、No.48を用いたこと以外は、実施例9と同様にして実施例10〜16の記録媒体を得た。
【0048】
比較例2
実施例9において、化合物具体例No.16の代わりに比較例1で用いた前記式(VII)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例9と同様にして比較例2の記録媒体を得た。
【0049】
実施例9〜16及び比較例2の記録媒体に発振波長635nm、ビーム径1.0μmの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながらEFM信号を記録し(線速1.4m/sec)、同じレーザの連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を表4に示す。
【0050】
【表4】
【0051】
実施例17
深さ1000Å、半値幅0.40μm、トラックピッチ1.1μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上に、下記の式(VIII)で示される化合物と化合物具体例No.3とを、重量比(1/1)のメチルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ1700Åの記録層を形成し、次いで、スパッタ法により金2000Åの反射層を形成し、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて5μmの保護層を設け、記録媒体を得た。
【0052】
【化21】
【0053】
実施例18及び19
実施例17において、化合物具体例No.3の代わりにそれぞれ化合物具体例No.10、No.16を用いたこと以外は、実施例17と同様にして実施例18及び19の記録媒体を得た。
【0054】
実施例20及び21
実施例17において、化合物具体例No.3の代わりにそれぞれ化合物具体例No.33、No.38を用い、且つ前記式(VIII)で示される化合物の代わりに下記式(IX)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例17と同様にして実施例20及び21の記録媒体を得た。
【0055】
【化22】
【0056】
実施例22及び23
実施例17において、化合物具体例No.3の代わりにそれぞれ化合物具体例No.20、No.35を用い、且つ前記式(VIII)で示される化合物の代わりに下記式(X)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例17と同様にして実施例22及び23の記録媒体を得た。
【0057】
【化23】
【0058】
比較例3〜5
実施例17において、記録層をそれぞれ前記一般式(VIII)で示される化合物のみ、前記一般式(IX)で示される化合物のみ、前記一般式(X)で示される化合物のみとしたこと以外は、実施例17と同様にして比較例3〜5の記録媒体を得た。
【0059】
実施例17〜23及び比較例3〜5の記録媒体に発振波長780nm、ビーム径1.6μmの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながらEFM信号を記録し(線速1.4m/sec)、前記レーザ及び発振波長635nm、ビーム径1.1μmの半導体レーザの連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を表5に示す。
【0060】
【表5】
【0061】
【発明の効果】
請求項1の光記録媒体は、前記一般式(I)、(II)又は(IIで示される化合物の少なくとも1種を記録層中に含有してなるものとしたことから、波長700nm以下に高い光吸収能と光反射性を有しているため、高密度記録が可能な700nm以下の波長域のレーザ光で記録、再生が可能であり、しかも耐光性、保存安定性に優れている。
【0062】
請求項2の光記録媒体は、前記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物の少なくとも1種と680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを記録層中に含有してなるものとしたことから、現状システムで記録、再生が可能で、しかも次世代の高密度光ディスクシステムでも、記録された情報を再生することが可能になる。
【0063】
請求項3の光記録媒体は、680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素として、ペンタメチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なくとも一種を選択したことから、高品位の信号特性が記録可能となる。
【0064】
請求項4の光記録媒体は、記録層が波長630〜720nmのレーザ光によって記録されるものであるため、770〜830nm対応の光記録媒体に比べ1.6〜1.8倍の高密度化追記型光記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の記録媒体に適用し得る通常の追記型光記録媒体としての層構成例を示す図である。
【図2】本発明の記録媒体に適用し得るCD−R用としての層構成例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板
2 記録層(有機色素層)
3 下引き層
4 保護層
5 ハードコート層
6 反射層
Claims (4)
- 少なくとも基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設けてなる光記録媒体において、前記記録層中に下記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物の少なくとも1種を含有してなることを特徴とする光記録媒体。
R1〜R3:各々独立にアミノ基、炭素数1〜6の置換されていてもよいジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のカルボン酸エステル基、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは未置換のアリールオキシ基、又は置換若しくは未置換のアリールチオ基、
R4〜R6:各々独立にハロゲン原子、水素原子、フェニル基、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のジアルキルアミノ基、O-、COO-、又はSO3 -、
l、m、n:各々独立に1〜4の整数、
R7:ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、O-、COO-、又はSO3 -、
Z:複素環残基、
X:ハロゲンイオン、酸アニオン又は金属錯体アニオン、
Q:0又は1であるが、R4若しくはR7がO-、COO-、SO3 -のいずれかになった場合のみQは0となり、それ以外はすべて1である。〕 - 前記記録層が前記一般式(I)、(II)又は(III)で示される化合物の少なくとも1種と680nm〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを含有してなることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。
- 前記680nm〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なくとも1種である請求項2に記載の光記録媒体。
- 前記記録層が波長630〜720nmのレーザ光によって記録されるものである請求項1〜3のいずれかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08458296A JP3624989B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08458296A JP3624989B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09240149A JPH09240149A (ja) | 1997-09-16 |
JP3624989B2 true JP3624989B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=13834681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08458296A Expired - Fee Related JP3624989B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3624989B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5153326B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2013-02-27 | 三井化学株式会社 | フルオレン誘導体、遷移金属化合物、オレフィン重合用触媒およびオレフィン系重合体の製造方法 |
WO2017110387A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 着色組成物、インクジェット用インク、捺染方法、及び化合物 |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP08458296A patent/JP3624989B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09240149A (ja) | 1997-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3685368B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3659548B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH10181206A (ja) | 光記録媒体 | |
JP3624989B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3776201B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH106651A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH1086519A (ja) | 光記録媒体 | |
JP3681030B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2000043420A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2005319728A (ja) | 光記録媒体、並びにこれを用いる記録再生方法及び光記録装置 | |
JP3716961B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3776209B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3633602B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3897214B2 (ja) | 光記録媒体及び光記録方法 | |
JP3866493B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2002264521A (ja) | 光記録媒体 | |
JP3623039B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP4373023B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3682759B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP4373022B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3742492B2 (ja) | 光記録媒体及び該光記録媒体を用いた光記録再生方法 | |
JP4059362B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH10860A (ja) | 光記録媒体 | |
JP3632095B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3412077B2 (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |