JPH10860A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH10860A JPH10860A JP8177545A JP17754596A JPH10860A JP H10860 A JPH10860 A JP H10860A JP 8177545 A JP8177545 A JP 8177545A JP 17754596 A JP17754596 A JP 17754596A JP H10860 A JPH10860 A JP H10860A
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- Japan
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の波長域より短波長に発振波長を有する
半導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用
可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体を提供す
ること、及び現状システムで記録、再生が可能で且つ次
世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生のみは
可能なCD−R媒体用の記録媒体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式(I)等で示される化合物の
少なくとも1種あるいは該化合物と680〜750nm
に最大吸収波長を有する有機色素とを記録層に含有させ
る。 【化1】
半導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用
可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体を提供す
ること、及び現状システムで記録、再生が可能で且つ次
世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生のみは
可能なCD−R媒体用の記録媒体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式(I)等で示される化合物の
少なくとも1種あるいは該化合物と680〜750nm
に最大吸収波長を有する有機色素とを記録層に含有させ
る。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に関する
ものであって、特に光ビームを照射することにより、記
録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒
体に関するものである。
ものであって、特に光ビームを照射することにより、記
録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒
体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在の追記光型ディスクシステム(WO
RM、CD−R)では、使用レーザの発振波長が770
nm〜790nmにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提
案がなされている(例えば、シアニン色素を記録材料と
して用いたものには、特開昭57−82093号、特開
昭58−56892号、特開昭58−112790号、
特開昭58−114989号、特開昭59−85791
号、特開昭60−83236号、特開昭60−8984
2号、特開昭61−25886号各公報等が、また、フ
タロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特
開昭61−150243号、特開昭61−177287
号、特開昭61−154888号、特開昭61−246
091号、特開昭62−39286号、特開昭63−3
7791号、特開昭63−39888号各公報等があ
る)が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ700nm以
下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能
な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
RM、CD−R)では、使用レーザの発振波長が770
nm〜790nmにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提
案がなされている(例えば、シアニン色素を記録材料と
して用いたものには、特開昭57−82093号、特開
昭58−56892号、特開昭58−112790号、
特開昭58−114989号、特開昭59−85791
号、特開昭60−83236号、特開昭60−8984
2号、特開昭61−25886号各公報等が、また、フ
タロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特
開昭61−150243号、特開昭61−177287
号、特開昭61−154888号、特開昭61−246
091号、特開昭62−39286号、特開昭63−3
7791号、特開昭63−39888号各公報等があ
る)が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ700nm以
下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能
な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
【0003】現在のCD−Rディスクシステムも、使用
レーザの発振波長である770nm〜790nmで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は
必須である。この点、現在のCD及びCD−ROMは、
基板自体の凹凸上にAlがコーティングしてあり、Al
の反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長
が短波長化されても再生は可能である。しかしながら、
CD−Rは記録層に680nm〜750nmに最大吸収
波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成か
ら770nm〜790nmに高い反射率が得られる様設
定してあるため、700nm以下の波長域では反射率は
極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在
のCD−Rシステムで記録、再生している情報が、将来
のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでCD
−Rとして、シアニン色素/金属反射層、フタロシアニ
ン色素/金属反射層又はアゾ金属キレート色素/金属反
射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされ
ている(例えば、シアニン色素/金属反射層を記録材料
として用いたものには、特開平1−159842号、特
開平2−42652号、特開平2−13656号、特開
平2−168446号各公報等が、フタロシアニン色素
を記録材料として用いたものには、特開平1−1765
85号、特開平3−215466号、特開平4−113
886号、特開平4−226390号、特開平5−12
72号、特開平5−171052号、特開平5−116
456号、特開平5−69860号、特開平5−139
044号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録
材料として用いたものには、特開平4−46186号、
特開平4−141489号、特開平4−361088
号、特開平5−279580号各公報等がある)が、こ
のような点に解決を与えるものは未だ見出されていな
い。
レーザの発振波長である770nm〜790nmで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は
必須である。この点、現在のCD及びCD−ROMは、
基板自体の凹凸上にAlがコーティングしてあり、Al
の反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長
が短波長化されても再生は可能である。しかしながら、
CD−Rは記録層に680nm〜750nmに最大吸収
波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成か
ら770nm〜790nmに高い反射率が得られる様設
定してあるため、700nm以下の波長域では反射率は
極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在
のCD−Rシステムで記録、再生している情報が、将来
のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでCD
−Rとして、シアニン色素/金属反射層、フタロシアニ
ン色素/金属反射層又はアゾ金属キレート色素/金属反
射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされ
ている(例えば、シアニン色素/金属反射層を記録材料
として用いたものには、特開平1−159842号、特
開平2−42652号、特開平2−13656号、特開
平2−168446号各公報等が、フタロシアニン色素
を記録材料として用いたものには、特開平1−1765
85号、特開平3−215466号、特開平4−113
886号、特開平4−226390号、特開平5−12
72号、特開平5−171052号、特開平5−116
456号、特開平5−69860号、特開平5−139
044号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録
材料として用いたものには、特開平4−46186号、
特開平4−141489号、特開平4−361088
号、特開平5−279580号各公報等がある)が、こ
のような点に解決を与えるものは未だ見出されていな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なCD−R媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なCD−R媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長700nm以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、更には本色素を現在CD−R用記録
材料として用いられている有機色素と混合して用いるこ
とにより、700nm以下の波長域にも高い反射率を得
ることが可能であることを見出し、本発明を完成するに
至った。
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長700nm以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、更には本色素を現在CD−R用記録
材料として用いられている有機色素と混合して用いるこ
とにより、700nm以下の波長域にも高い反射率を得
ることが可能であることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【0006】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式(I)又は(II)
で示される化合物の少なくとも1種を含有してなること
を特徴とする光記録媒体が提供される。
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式(I)又は(II)
で示される化合物の少なくとも1種を含有してなること
を特徴とする光記録媒体が提供される。
【化1】
【化2】 〔式中、M、X1〜X8、l、m、n、o、p、q、r及
びsは、それぞれ以下のものを表わす。 M:2個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
子を有してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、
又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、−(OPR1R2)t
基、(−OPOR3R4)t基、−(OSiR5R6R7)t
基、−(OCOR8)t基、−(OR9)t基、−(OCO
COOR10)t基、−(OCOCOR11)t基若しくは−
(OCONR12R13)t基を有してもよい金属原子、 R1〜R13:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
置換の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
の1価の芳香族炭化水素基、 t:0〜2の整数、 X1〜X8:それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置
換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐のアルキル基、ア
ルキルアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルコキシ
基、カルボン酸エステル基、置換若しくは未置換のアリ
ール基、置換若しくは未置換のアリールオキシ基、置換
若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換
のアリールチオ基、置換若しくは未置換のベンジル基、
置換若しくは未置換のベンジルオキシ基、又は置換若し
くは未置換のベンジルチオ基、 l、m、n、o:それぞれ独立に0〜2の整数、 p、q、r、s:それぞれ独立に0〜4の整数、 但し、X1〜X8が水素原子でない場合、l〜sの全てが
0になることはない。〕 第二に、前記一般式(I)又は(II)おいて、l=m=
n=o=1、p=q=r=s=1又は3である化合物の
少なくとも1種を含有してなることを特徴とする上記第
一に記載した光記録媒体が提供される。第三に、前記一
般式(I)又は(II)おいて、l=m=n=o=2、p
=q=r=s=2又は4(但し、p、q、r、sは同じ
位置への2置換ではないものとする)である化合物の少
なくとも1種を含有してなることを特徴とする上記第一
に記載した光記録媒体が提供される。第四に、前記記録
層が前記一般式(I)又は(II)で示される化合物の少
なくとも1種と680nm〜750nmに最大吸収波長
を有する有機色素とを含有してなることを特徴とする上
記第一〜第三のいずれかに記載した光記録媒体が提供さ
れる。第五に、前記680nm〜750nmに最大吸収
波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、
フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なく
とも1種である上記第四に記載した光記録媒体が提供さ
れる。第六に、前記記録層が波長630〜720nmの
レーザ光によって記録されるものである上記第一〜五の
いずれかに記載の光記録媒体が提供される。第七に、前
記反射層がアルミニウム又は金からなる上記第一〜第六
のいずれかに記載した光記録媒体が提供される。第八
に、前記保護層が紫外線硬化型樹脂からなる上記第一〜
第七のいずれかに記載した光記録媒体が提供される。
びsは、それぞれ以下のものを表わす。 M:2個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
子を有してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、
又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、−(OPR1R2)t
基、(−OPOR3R4)t基、−(OSiR5R6R7)t
基、−(OCOR8)t基、−(OR9)t基、−(OCO
COOR10)t基、−(OCOCOR11)t基若しくは−
(OCONR12R13)t基を有してもよい金属原子、 R1〜R13:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
置換の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
の1価の芳香族炭化水素基、 t:0〜2の整数、 X1〜X8:それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置
換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐のアルキル基、ア
ルキルアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルコキシ
基、カルボン酸エステル基、置換若しくは未置換のアリ
ール基、置換若しくは未置換のアリールオキシ基、置換
若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換
のアリールチオ基、置換若しくは未置換のベンジル基、
置換若しくは未置換のベンジルオキシ基、又は置換若し
くは未置換のベンジルチオ基、 l、m、n、o:それぞれ独立に0〜2の整数、 p、q、r、s:それぞれ独立に0〜4の整数、 但し、X1〜X8が水素原子でない場合、l〜sの全てが
0になることはない。〕 第二に、前記一般式(I)又は(II)おいて、l=m=
n=o=1、p=q=r=s=1又は3である化合物の
少なくとも1種を含有してなることを特徴とする上記第
一に記載した光記録媒体が提供される。第三に、前記一
般式(I)又は(II)おいて、l=m=n=o=2、p
=q=r=s=2又は4(但し、p、q、r、sは同じ
位置への2置換ではないものとする)である化合物の少
なくとも1種を含有してなることを特徴とする上記第一
に記載した光記録媒体が提供される。第四に、前記記録
層が前記一般式(I)又は(II)で示される化合物の少
なくとも1種と680nm〜750nmに最大吸収波長
を有する有機色素とを含有してなることを特徴とする上
記第一〜第三のいずれかに記載した光記録媒体が提供さ
れる。第五に、前記680nm〜750nmに最大吸収
波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、
フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なく
とも1種である上記第四に記載した光記録媒体が提供さ
れる。第六に、前記記録層が波長630〜720nmの
レーザ光によって記録されるものである上記第一〜五の
いずれかに記載の光記録媒体が提供される。第七に、前
記反射層がアルミニウム又は金からなる上記第一〜第六
のいずれかに記載した光記録媒体が提供される。第八
に、前記保護層が紫外線硬化型樹脂からなる上記第一〜
第七のいずれかに記載した光記録媒体が提供される。
【0007】本発明の光記録媒体は、前記一般式(I)
又は(II)で示される化合物の少なくとも1種を含有す
る記録層を設けたことから、700nm以下の波長域の
レーザ光で記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存
安定性に優れたものとなり、また別の態様では、前記一
般式(I)又は(II)で示される少なくとも1種の化合
物と、680〜750nmに最大吸収波長を有する有機
色素との混合物からなる記録層を設けたことから、現状
システムでのCD−R媒体として使用でき、しかも次世
代の高密度光ディスクシステムとなっても、記載された
情報を再生することが可能なものとなる。
又は(II)で示される化合物の少なくとも1種を含有す
る記録層を設けたことから、700nm以下の波長域の
レーザ光で記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存
安定性に優れたものとなり、また別の態様では、前記一
般式(I)又は(II)で示される少なくとも1種の化合
物と、680〜750nmに最大吸収波長を有する有機
色素との混合物からなる記録層を設けたことから、現状
システムでのCD−R媒体として使用でき、しかも次世
代の高密度光ディスクシステムとなっても、記載された
情報を再生することが可能なものとなる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、記録層中に下記一般式(I)又
は(II)で示される化合物の少なくとも1種を含有して
なることを特徴とする。
本発明の光記録媒体は、記録層中に下記一般式(I)又
は(II)で示される化合物の少なくとも1種を含有して
なることを特徴とする。
【化1】
【化2】
【0009】まず、本発明で使用する前記一般式(I)
又は(II)で示される化合物について説明する。前記一
般式(I)において、Mは2個の水素原子、又は酸素原
子若しくはハロゲン原子を有してもよい2価、3価若し
くは4価の金属原子、又は置換若しくは未置換のアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
−(OPR1R2)t基、(−OPOR3R4)t基、−(O
SiR5R6R7)t基、−(OCOR8)t基、−(O
R9)t基、−(OCOCOOR10)t基、−(OCOC
OR11)t基若しくは−(OCONR12R13)t基を有し
てもよい金属原子を表わす。R1〜R13はそれぞれ独立
に水素原子、置換若しくは未置換の1価の脂肪族炭化水
素基又は置換若しくは未置換の1価の芳香族炭化水素基
を表わし、tは0〜2の整数を表わす。X1〜X8はそれ
ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置
換の直鎖若しくは分岐のアルキル基、アルキルアルコキ
シ基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、カルボン酸
エステル基、置換若しくは未置換のアリール基、置換若
しくは未置換のアリールオキシ基、置換若しくは未置換
のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のアリールチオ
基、置換若しくは未置換のベンジル基、置換若しくは未
置換のベンジルオキシ基、又は置換若しくは未置換のベ
ンジルチオ基を表わす。l、m、n、oはそれぞれ独立
に0〜2の整数を表わしp、q、r、sはそれぞれ独立
に0〜4の整数を表す。但し、X1〜X8が水素原子でな
い場合、l〜sの全てが0になることはない。
又は(II)で示される化合物について説明する。前記一
般式(I)において、Mは2個の水素原子、又は酸素原
子若しくはハロゲン原子を有してもよい2価、3価若し
くは4価の金属原子、又は置換若しくは未置換のアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
−(OPR1R2)t基、(−OPOR3R4)t基、−(O
SiR5R6R7)t基、−(OCOR8)t基、−(O
R9)t基、−(OCOCOOR10)t基、−(OCOC
OR11)t基若しくは−(OCONR12R13)t基を有し
てもよい金属原子を表わす。R1〜R13はそれぞれ独立
に水素原子、置換若しくは未置換の1価の脂肪族炭化水
素基又は置換若しくは未置換の1価の芳香族炭化水素基
を表わし、tは0〜2の整数を表わす。X1〜X8はそれ
ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置
換の直鎖若しくは分岐のアルキル基、アルキルアルコキ
シ基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、カルボン酸
エステル基、置換若しくは未置換のアリール基、置換若
しくは未置換のアリールオキシ基、置換若しくは未置換
のアルキルチオ基、置換若しくは未置換のアリールチオ
基、置換若しくは未置換のベンジル基、置換若しくは未
置換のベンジルオキシ基、又は置換若しくは未置換のベ
ンジルチオ基を表わす。l、m、n、oはそれぞれ独立
に0〜2の整数を表わしp、q、r、sはそれぞれ独立
に0〜4の整数を表す。但し、X1〜X8が水素原子でな
い場合、l〜sの全てが0になることはない。
【0010】一般式(I)及び(II)中、特にl=m=
n=o=1、p=q=r=s=1又は3である化合物の
場合は、以下に示す(A)〜(D)又は(E)〜(H)
のそれぞれ4つの異性体が存在し、これらの混合物であ
る場合、吸収波長等の特性を微調整する際有利で、且つ
薄膜化した時の記録パワーマージンなどの拡大が計れ
る。
n=o=1、p=q=r=s=1又は3である化合物の
場合は、以下に示す(A)〜(D)又は(E)〜(H)
のそれぞれ4つの異性体が存在し、これらの混合物であ
る場合、吸収波長等の特性を微調整する際有利で、且つ
薄膜化した時の記録パワーマージンなどの拡大が計れ
る。
【0011】
【化3】
【化4】
【0012】
【化5】
【化6】
【0013】
【化7】
【化8】
【0014】
【化9】
【化10】
【0015】また、一般式(I)及び(II)中、特にl
=m=n=o=2、p=q=r=s=2又は4である化
合物を含有してなる本発明の場合、異性体の存在がなく
合成上高収率で得られ、しかも高純度であることから、
高感度化、低ノイズ化、低ジッタ化が計れる。
=m=n=o=2、p=q=r=s=2又は4である化
合物を含有してなる本発明の場合、異性体の存在がなく
合成上高収率で得られ、しかも高純度であることから、
高感度化、低ノイズ化、低ジッタ化が計れる。
【0016】一般式(I)、(II)中、X1〜X8のアル
キル基(アルコキシ基、アルキルアルコキシ基中のアル
キル部分を含む)の具体例としては、例えば、次のもの
が挙げられる。なお、これらのアルキル基は、ハロゲン
原子等の置換基で置換されていてもよい。メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、
2−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−メチルペン
チル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル
基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、2−メチル
ヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシ
ル基、5−メチルヘキシル基、2−エチルペンチル基、
3−エチルペンチル基、n−オクチル基、2−メチルヘ
プチル基、3−メチルヘプチル基、4−メチルヘプチル
基、5−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、3
−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基、n
−ドデシル基等の一級アルキル基;イソプロピル基、s
ec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メチルブ
チル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチルヘプ
チル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチルブチル
基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−2−メチ
ルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エチルヘプ
チル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロピル−2
−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルブチル
基、1−プロピル−2−メチルプロピル基、1−メチル
ヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピルペン
チル基、1−イソプロピルぺンチル基、1−イソプロピ
ル−2−メチルブチル基、1−イソプロピル−3−メチ
ルブチル基、1−メチルオクチル基、1−エチルヘプチ
ル基、1−プロピルヘキシル基、1−イソブチル−3−
メチルブチル基等の二級アルキル基;tert−ブチル
基、tert−ヘキシル基、tert−アミル基、te
rt−オクチル基等の三級アルキル基;シクロヘキシル
基、4−メチルシクロヘキシル基、4−エチルシクロヘ
キシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル基、4
−(2−エチルヘキシル)シクロヘキシル基、ボルニル
基、イソボルニル基、アダマンタン基等のシクロアルキ
ル基等。
キル基(アルコキシ基、アルキルアルコキシ基中のアル
キル部分を含む)の具体例としては、例えば、次のもの
が挙げられる。なお、これらのアルキル基は、ハロゲン
原子等の置換基で置換されていてもよい。メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、
2−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−メチルペン
チル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル
基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、2−メチル
ヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシ
ル基、5−メチルヘキシル基、2−エチルペンチル基、
3−エチルペンチル基、n−オクチル基、2−メチルヘ
プチル基、3−メチルヘプチル基、4−メチルヘプチル
基、5−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、3
−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基、n
−ドデシル基等の一級アルキル基;イソプロピル基、s
ec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メチルブ
チル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチルヘプ
チル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチルブチル
基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−2−メチ
ルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エチルヘプ
チル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロピル−2
−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルブチル
基、1−プロピル−2−メチルプロピル基、1−メチル
ヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピルペン
チル基、1−イソプロピルぺンチル基、1−イソプロピ
ル−2−メチルブチル基、1−イソプロピル−3−メチ
ルブチル基、1−メチルオクチル基、1−エチルヘプチ
ル基、1−プロピルヘキシル基、1−イソブチル−3−
メチルブチル基等の二級アルキル基;tert−ブチル
基、tert−ヘキシル基、tert−アミル基、te
rt−オクチル基等の三級アルキル基;シクロヘキシル
基、4−メチルシクロヘキシル基、4−エチルシクロヘ
キシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル基、4
−(2−エチルヘキシル)シクロヘキシル基、ボルニル
基、イソボルニル基、アダマンタン基等のシクロアルキ
ル基等。
【0017】また、置換若しくは未置換のアリール基
(アリールオキシ基のアリール部分を含む)の具体例と
しては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェ
ニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、t
ert−ブチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニル
フェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル
基、ブトキシフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、メ
チルピリジル基等が挙げられる。なお、これらのアリー
ル基は、ハロゲン原子等の置換基で置換されていてもよ
い。
(アリールオキシ基のアリール部分を含む)の具体例と
しては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェ
ニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、t
ert−ブチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニル
フェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル
基、ブトキシフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、メ
チルピリジル基等が挙げられる。なお、これらのアリー
ル基は、ハロゲン原子等の置換基で置換されていてもよ
い。
【0018】一般式(I)、(II)中、Mの具体例とし
ては、水素原子;Ca、Mg、Zu、Cu、Ni、P
d、Fe、Pb、Co、Pt、Cd、Ruなどの二価の
金属;Al、In、Fe、Ga、Tl、Mnなどの三価
金属のハロゲン化物、ヒドロキシル化物、アルコキシ化
物、トリアルキルシロキシ化物など;及びSi、Ti、
Sn、Cr、Ga、Sn、Mn、Zr、Vなどの四価金
属のハロゲン化物、ヒドロキシル化物、アルコキシ化
物、トリアルキルシロキシ化物、酸化物などが挙げられ
る。また、前記R1〜R13の定義中、1価の脂肪族炭化
水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチ
ル基、tert−ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オ
クチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基等の
アルキル基や、ビニル基、アリル基、イソプロペニル
基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、2−ペンテニル
基等のアルケニル基などが挙げられる。1価の芳香族炭
化水素基としては、フェニル基、ベンジル基などが挙げ
られる。また、それらの置換基としては、フッ素、塩
素、臭素などのハロゲン原子、三フッ化炭素基、シアノ
基、エステル基などが挙げられる。
ては、水素原子;Ca、Mg、Zu、Cu、Ni、P
d、Fe、Pb、Co、Pt、Cd、Ruなどの二価の
金属;Al、In、Fe、Ga、Tl、Mnなどの三価
金属のハロゲン化物、ヒドロキシル化物、アルコキシ化
物、トリアルキルシロキシ化物など;及びSi、Ti、
Sn、Cr、Ga、Sn、Mn、Zr、Vなどの四価金
属のハロゲン化物、ヒドロキシル化物、アルコキシ化
物、トリアルキルシロキシ化物、酸化物などが挙げられ
る。また、前記R1〜R13の定義中、1価の脂肪族炭化
水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチ
ル基、tert−ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オ
クチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基等の
アルキル基や、ビニル基、アリル基、イソプロペニル
基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、2−ペンテニル
基等のアルケニル基などが挙げられる。1価の芳香族炭
化水素基としては、フェニル基、ベンジル基などが挙げ
られる。また、それらの置換基としては、フッ素、塩
素、臭素などのハロゲン原子、三フッ化炭素基、シアノ
基、エステル基などが挙げられる。
【0019】前記一般式(I)及び(II)で表わされる
化合物の具体例としては、例えばそれぞれ表1−(1)
〜1−(2)及び表2に示されるものが挙げられる。な
お、表1〜表2において、異性体については記述されて
いないが、化合物No.1〜No.10、No.22〜
27は、実際には前述したような4つの異性体が存在す
る。
化合物の具体例としては、例えばそれぞれ表1−(1)
〜1−(2)及び表2に示されるものが挙げられる。な
お、表1〜表2において、異性体については記述されて
いないが、化合物No.1〜No.10、No.22〜
27は、実際には前述したような4つの異性体が存在す
る。
【0020】
【表1−(1)】
【0021】
【表1−(2)】
【0022】
【表2】
【0023】また、記録層においては、前記したよう
に、前記一般式(I)又は(II)で示される少なくとも
1種の化合物と、680〜750nmに最大吸収波長を
有する有機色素との混合物を主成分とすることにより、
現状システムで記録再生が可能であるとともに、次世代
システムにおいても再生のみは可能なCD−R記録媒体
となる。この場合の680〜750nmに最大吸収波長
を有する色素としては、ペンタメチンのシアニン色素、
フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素が好まし
い。
に、前記一般式(I)又は(II)で示される少なくとも
1種の化合物と、680〜750nmに最大吸収波長を
有する有機色素との混合物を主成分とすることにより、
現状システムで記録再生が可能であるとともに、次世代
システムにおいても再生のみは可能なCD−R記録媒体
となる。この場合の680〜750nmに最大吸収波長
を有する色素としては、ペンタメチンのシアニン色素、
フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素が好まし
い。
【0024】ペンタメチンのシアニン色素の好ましい例
としては、下記一般式(III)で示されるものが挙げら
れる。
としては、下記一般式(III)で示されるものが挙げら
れる。
【化11】 式中、R21、R22は炭素数1〜3のアルキル基、R23、
R24は炭素数1〜6の置換又は未置換のアルキル基、X
は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていてもよ
い。
R24は炭素数1〜6の置換又は未置換のアルキル基、X
は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていてもよ
い。
【0025】フタロシアニン色素の好ましい例として
は、下記一般式(IV−1)若しくは(IV−2)で示され
るものが挙げられる。
は、下記一般式(IV−1)若しくは(IV−2)で示され
るものが挙げられる。
【化12】 式中、M1はNi、Pd、Cu、Zn、Co、Mn、F
e、TiO又はVOを、X11〜X14はそれぞれ独立に置
換位置α位の−OR又は−SRを、Rは置換されていて
もよい炭素数3〜12の直鎖、分岐若しくは脂環式アル
キル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表
わす。X11〜X14以外のベンゼン環の置換基は水素原子
又はハロゲン原子である。
e、TiO又はVOを、X11〜X14はそれぞれ独立に置
換位置α位の−OR又は−SRを、Rは置換されていて
もよい炭素数3〜12の直鎖、分岐若しくは脂環式アル
キル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表
わす。X11〜X14以外のベンゼン環の置換基は水素原子
又はハロゲン原子である。
【0026】
【化13】 式中、M2は、Si、Ge、In、又はSnを、X15〜
X18はそれぞれ独立に置換位置α位の−OR又は−SR
を、Rは置換されていてもよい炭素数3〜12の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Y1、Y2は−OSiR25R26R
27、−OCOR25R26R27、又は−OPOR25R26R27
を表わし、R25〜R27はそれぞれ独立に炭素数1〜10
のアルキル基又はアリール基を表わす。X9〜X12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
X18はそれぞれ独立に置換位置α位の−OR又は−SR
を、Rは置換されていてもよい炭素数3〜12の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Y1、Y2は−OSiR25R26R
27、−OCOR25R26R27、又は−OPOR25R26R27
を表わし、R25〜R27はそれぞれ独立に炭素数1〜10
のアルキル基又はアリール基を表わす。X9〜X12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
【0027】また、アゾ金属キレート色素の好ましい例
としては、下記一般式(V)で示されるアゾ系化合物と
金属とのアゾ金属キレート化合物の1種又は2種以上が
挙げられ、、金属の好ましい例としては、Ni、Pt、
Pd、Co、Cu、Znなどが挙げられる。
としては、下記一般式(V)で示されるアゾ系化合物と
金属とのアゾ金属キレート化合物の1種又は2種以上が
挙げられ、、金属の好ましい例としては、Ni、Pt、
Pd、Co、Cu、Znなどが挙げられる。
【化14】 式中、Aはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Bはそれ
が結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環又
は複素環を形成する残基を表わし、またXは活性水素を
有する基を表わす。
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Bはそれ
が結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環又
は複素環を形成する残基を表わし、またXは活性水素を
有する基を表わす。
【0028】本発明の前記一般式(I)又は(II)で示
される少なくとも1種の色素と前記一般式(III)〜
(V)で示される少なくとも1種の色素とを併用する場
合の重量組成比は、本発明色素/〔(III)〜(V)の
色素〕=10/100〜90/100、好ましくは40
/100〜20/100である。また、両色素を併用し
た場合の記録層の膜厚は500Å〜5μm、好ましくは
1000Å〜5000Åである。
される少なくとも1種の色素と前記一般式(III)〜
(V)で示される少なくとも1種の色素とを併用する場
合の重量組成比は、本発明色素/〔(III)〜(V)の
色素〕=10/100〜90/100、好ましくは40
/100〜20/100である。また、両色素を併用し
た場合の記録層の膜厚は500Å〜5μm、好ましくは
1000Å〜5000Åである。
【0029】次に、本発明の記録媒体の構成について述
べる。図1は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
1の上に、必要に応じて下引き層3を介して、記録層2
を設け、更に必要に応じ保護層4が設けられている。ま
た、必要に応じて基板1の下にハードコート層を設ける
ことができる。図2は、本発明の記録媒体に適用し得る
別のタイプの層構成例を示す図で、これはCD−Rメデ
ィアの例である。図1の構成の記録層2の上に反射層6
が設けられている。なお、本発明の記録媒体は、図1及
び図2に示した構成の記録層(有機薄膜層)を内側にし
て、他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッ
チ構造にしてもよく、また保護層を介して接着した貼合
せ構造にしてもよい。
べる。図1は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
1の上に、必要に応じて下引き層3を介して、記録層2
を設け、更に必要に応じ保護層4が設けられている。ま
た、必要に応じて基板1の下にハードコート層を設ける
ことができる。図2は、本発明の記録媒体に適用し得る
別のタイプの層構成例を示す図で、これはCD−Rメデ
ィアの例である。図1の構成の記録層2の上に反射層6
が設けられている。なお、本発明の記録媒体は、図1及
び図2に示した構成の記録層(有機薄膜層)を内側にし
て、他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッ
チ構造にしてもよく、また保護層を介して接着した貼合
せ構造にしてもよい。
【0030】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 1)基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザ光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必
要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
イミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属などを用いることができる。なお、基板の表面に
トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信
号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
料について述べる。 1)基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザ光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必
要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
イミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属などを用いることができる。なお、基板の表面に
トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信
号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
【0031】2)記録層 記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生
じさせその変化により情報を記録できるものであって、
この記録層中には前記一般式(I)〜(III)で示される
化合物の少なくとも1種、場合により更に前記一般式
(IV)〜(VI)で示される色素の少なくとも1種が含有
されている必要がある。更に、これらの色素は光学特
性、記録感度、信号特性の向上のため、他の有機色素及
び金属、金属化合物と混合又は積層化して用いること
も、もちろん可能である。この場合の他の有機色素とし
ては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシ
アニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリ
ウム系、ナフトキノン系、アントラキノン(インダンス
レン)系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズ
レン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、ト
リフェノチアジン系染料、及び金属錯体化合物などが挙
げられる。また金属、金属化合物例としては、In、T
e、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、Al、Be、Te
O2、SnO、As、Cdなどが挙げられ、それぞれを
分散混合あるいは積層の形態で用いることができる。更
に、上記染料中に高分子材料、例えばアイオノマー樹
脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリ
コーン、液状ゴムなどの種々の材料若しくはシランカッ
プリング剤などを分散混合しても良いし、特性改良の目
的で、安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒
に用いることができる。
じさせその変化により情報を記録できるものであって、
この記録層中には前記一般式(I)〜(III)で示される
化合物の少なくとも1種、場合により更に前記一般式
(IV)〜(VI)で示される色素の少なくとも1種が含有
されている必要がある。更に、これらの色素は光学特
性、記録感度、信号特性の向上のため、他の有機色素及
び金属、金属化合物と混合又は積層化して用いること
も、もちろん可能である。この場合の他の有機色素とし
ては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシ
アニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリ
ウム系、ナフトキノン系、アントラキノン(インダンス
レン)系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズ
レン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、ト
リフェノチアジン系染料、及び金属錯体化合物などが挙
げられる。また金属、金属化合物例としては、In、T
e、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、Al、Be、Te
O2、SnO、As、Cdなどが挙げられ、それぞれを
分散混合あるいは積層の形態で用いることができる。更
に、上記染料中に高分子材料、例えばアイオノマー樹
脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリ
コーン、液状ゴムなどの種々の材料若しくはシランカッ
プリング剤などを分散混合しても良いし、特性改良の目
的で、安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒
に用いることができる。
【0032】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、C
VD又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有
機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、
ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコー
ティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤
としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、
エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの
炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は、100
Å〜10μm、好ましくは200Å〜2000Åが適当
である。
VD又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有
機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、
ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコー
ティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤
としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、
エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの
炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は、100
Å〜10μm、好ましくは200Å〜2000Åが適当
である。
【0033】3)下引き層 下引き層は、接着性の向上、水又はガスなどに対す
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、Z
nO、TiN、SiNなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばZn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、A
u、Ag、Alなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばAl、Au、Agなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は0.
01〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当
である。
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、Z
nO、TiN、SiNなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばZn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、A
u、Ag、Alなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばAl、Au、Agなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は0.
01〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当
である。
【0034】4)反射層 反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい金
属、半金属などが使用できる。材料例としては、Au、
Ag、Al、Cr、Ni、Fe、Snなどが挙げられ、
反射率、生産性の点からAu、Alが最も好ましい。こ
れらの金属、半金属は単独で使用してもよく、2種以上
の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、スパッタ
リングなどが挙げられ、膜厚としては50〜5000
Å、好ましくは100〜3000Åである。
属、半金属などが使用できる。材料例としては、Au、
Ag、Al、Cr、Ni、Fe、Snなどが挙げられ、
反射率、生産性の点からAu、Alが最も好ましい。こ
れらの金属、半金属は単独で使用してもよく、2種以上
の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、スパッタ
リングなどが挙げられ、膜厚としては50〜5000
Å、好ましくは100〜3000Åである。
【0035】5)保護層、基板面ハードコート層 保護層又は基板面ハードコート層は、記録層(反射吸
収層)を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層(反
射吸収層)の保存安定性の向上、反射率の向上などを
目的として使用される。これらの目的に対しては、前記
の下引き層に示した材料を用いることができる。また、
無機材料としてSiO、SiO2なども用いることもで
き、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカー
ボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル
樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの
熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材
料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外線硬
化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層の膜厚
は0.01〜30μm、好ましくは0.05〜10μm
が適当である。
収層)を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層(反
射吸収層)の保存安定性の向上、反射率の向上などを
目的として使用される。これらの目的に対しては、前記
の下引き層に示した材料を用いることができる。また、
無機材料としてSiO、SiO2なども用いることもで
き、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカー
ボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル
樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの
熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材
料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外線硬
化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層の膜厚
は0.01〜30μm、好ましくは0.05〜10μm
が適当である。
【0036】本発明において、前記の下引き層、保護層
及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などを含有させることができる。
及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などを含有させることができる。
【0037】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。
発明これらに限定されるものではない。
【0038】実施例1 厚さ1.2μmのポリメチルメタクリレート基板上にフ
ォトポリマーにて、深さ1200Å、半値幅0.4μ
m、トラックピッチ1.4μmの案内溝を形成した基板
上に、化合物具体例No.7の1,2−ジクロロエタン
溶液をスピンナー塗布し、厚さ800Åの記録層を設け
て記録媒体を得た。
ォトポリマーにて、深さ1200Å、半値幅0.4μ
m、トラックピッチ1.4μmの案内溝を形成した基板
上に、化合物具体例No.7の1,2−ジクロロエタン
溶液をスピンナー塗布し、厚さ800Åの記録層を設け
て記録媒体を得た。
【0039】実施例2〜8 実施例1において、化合物具体例No.7の代わりに、
化合物具体例No.8、No.9、No.10、No.
25、No.11、No.1、No.4を用いたこと以
外は、実施例1と同様にして実施例2〜8の記録媒体を
得た。
化合物具体例No.8、No.9、No.10、No.
25、No.11、No.1、No.4を用いたこと以
外は、実施例1と同様にして実施例2〜8の記録媒体を
得た。
【0040】比較例1 実施例1において、化合物具体例No.7の代わりに下
記式(VI)で示される化合物を用いたこと以外は、実施
例1と同様にして比較例1の記録媒体を得た。
記式(VI)で示される化合物を用いたこと以外は、実施
例1と同様にして比較例1の記録媒体を得た。
【化15】
【0041】前記の実施例1〜8及び比較例1の記録媒
体を用い、下記の記録条件で基板から光を入射して記録
し、その後記録位置を再生光によりC/N及び反射率を
測定した。その結果を表3に示す。 記録条件: レーザ発振波長 680nm(実施例1〜5、比較例1) 635nm(実施例6〜8) 記録周波数 1.25MHz 記録線速 1.2m/sec 再生条件: レーザ発振波長 680nm(実施例1〜5、比較例1) 635nm(実施例6〜8) 再生パワー 0.25〜0.3mWの連続光 スキャニングバンド巾 30KHz 耐光テスト条件: 耐光テスト 4万Lux、Xe光、20時間連続照射 保存テスト 85℃、85%、720時間放置
体を用い、下記の記録条件で基板から光を入射して記録
し、その後記録位置を再生光によりC/N及び反射率を
測定した。その結果を表3に示す。 記録条件: レーザ発振波長 680nm(実施例1〜5、比較例1) 635nm(実施例6〜8) 記録周波数 1.25MHz 記録線速 1.2m/sec 再生条件: レーザ発振波長 680nm(実施例1〜5、比較例1) 635nm(実施例6〜8) 再生パワー 0.25〜0.3mWの連続光 スキャニングバンド巾 30KHz 耐光テスト条件: 耐光テスト 4万Lux、Xe光、20時間連続照射 保存テスト 85℃、85%、720時間放置
【0042】
【表3】
【0043】実施例9 深さ1000Å、半値幅0.4μm、トラックピッチ
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物具体例No.26を
メチルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解
した液をスピンナー塗布し、厚さ1800Åの記録層を
形成し、次いでその上にスパッタ法によりAu2000
Åの反射層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリ
マーにて5μmの保護層を設け、記録媒体を得た。
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物具体例No.26を
メチルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解
した液をスピンナー塗布し、厚さ1800Åの記録層を
形成し、次いでその上にスパッタ法によりAu2000
Åの反射層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリ
マーにて5μmの保護層を設け、記録媒体を得た。
【0044】実施例10〜16 実施例9において、化合物具体例No.26の代わりに
それぞれ化合物具体例No.27、No.12、No.
13、No.17、No.20、No.2、No.3を
用いたこと以外は、実施例9と同様にして実施例10〜
16の記録媒体を得た。
それぞれ化合物具体例No.27、No.12、No.
13、No.17、No.20、No.2、No.3を
用いたこと以外は、実施例9と同様にして実施例10〜
16の記録媒体を得た。
【0045】比較例2 実施例9において、化合物具体例No.26の代わりに
比較例1で用いた前記式(VI)で示される化合物を用い
たこと以外は、実施例9と同様にして比較例2の記録媒
体を得た。
比較例1で用いた前記式(VI)で示される化合物を用い
たこと以外は、実施例9と同様にして比較例2の記録媒
体を得た。
【0046】実施例9〜16及び比較例2の記録媒体に
発振波長680nm、ビーム径1.4μmの半導体レー
ザ光を用い、トラッキングしながらEFM信号を記録し
(線速1.4m/sec)、同じレーザ(但し、実施例
15及び16は発振波長635nmで再生)の連続光で
再生し、再生波形を観察した。その結果を表4に示す。
発振波長680nm、ビーム径1.4μmの半導体レー
ザ光を用い、トラッキングしながらEFM信号を記録し
(線速1.4m/sec)、同じレーザ(但し、実施例
15及び16は発振波長635nmで再生)の連続光で
再生し、再生波形を観察した。その結果を表4に示す。
【0047】
【表4】
【0048】実施例17 深さ1000Å、半値幅0.45μm、トラックピッチ
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、下記の式(VII)で示され
る化合物と化合物具体例No.19とを、重量比(1/
1)のメチルシクロヘキサン、2−メトキシエタノー
ル、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒
に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ1700Åの記録
層を形成し、次いで、スパッタ法によりAu2000Å
の反射層を形成して、更にその上にアクリル系フォトポ
リマーにて5μmの保護層を設け、記録媒体を得た。
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、下記の式(VII)で示され
る化合物と化合物具体例No.19とを、重量比(1/
1)のメチルシクロヘキサン、2−メトキシエタノー
ル、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒
に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ1700Åの記録
層を形成し、次いで、スパッタ法によりAu2000Å
の反射層を形成して、更にその上にアクリル系フォトポ
リマーにて5μmの保護層を設け、記録媒体を得た。
【0049】
【化16】
【0050】実施例18及び19 実施例17において、化合物具体例No.19の代わり
にそれぞれ化合物具体例No.20、No.21を用い
たこと以外は、実施例17と同様にして実施例18及び
19の記録媒体を得た。
にそれぞれ化合物具体例No.20、No.21を用い
たこと以外は、実施例17と同様にして実施例18及び
19の記録媒体を得た。
【0051】実施例20及び21 実施例17において、化合物具体例No.19の代わり
にそれぞれ化合物具体例No.26、No.28を用
い、且つ前記式(VII)で示される化合物の代わりに下
記式(VIII)で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例17と同様にして実施例20及び21の記録媒体を
得た。
にそれぞれ化合物具体例No.26、No.28を用
い、且つ前記式(VII)で示される化合物の代わりに下
記式(VIII)で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例17と同様にして実施例20及び21の記録媒体を
得た。
【0052】
【化17】
【0053】実施例22及び23 実施例17において、化合物具体例No.19の代わり
にそれぞれ化合物具体例No.24、No.4を用い、
且つ前記式(VII)で示される化合物の代わりに下記式
(IX)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例1
7と同様にして実施例22及び23の記録媒体を得た。
にそれぞれ化合物具体例No.24、No.4を用い、
且つ前記式(VII)で示される化合物の代わりに下記式
(IX)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例1
7と同様にして実施例22及び23の記録媒体を得た。
【0054】
【化18】
【0055】比較例3〜5 実施例17において、記録層をそれぞれ前記一般式(VI
I)で示される化合物のみ、前記一般式(VIII)で示さ
れる化合物のみ、前記一般式(IX)で示される化合物の
みとしたこと以外は、実施例17と同様にして比較例3
〜5の記録媒体を得た。
I)で示される化合物のみ、前記一般式(VIII)で示さ
れる化合物のみ、前記一般式(IX)で示される化合物の
みとしたこと以外は、実施例17と同様にして比較例3
〜5の記録媒体を得た。
【0056】実施例17〜23及び比較例3〜5の記録
媒体に発振波長780nm、ビーム径1.6μmの半導
体レーザ光を用い、トラッキングしながらEFM信号を
記録し(線速1.4m/sec)、前記レーザ及び発振
波長680nm(但し、実施例23のみ再生発振波長6
35nmにて実施)、ビーム径1.4μmの半導体レー
ザの連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を
表5に示す。
媒体に発振波長780nm、ビーム径1.6μmの半導
体レーザ光を用い、トラッキングしながらEFM信号を
記録し(線速1.4m/sec)、前記レーザ及び発振
波長680nm(但し、実施例23のみ再生発振波長6
35nmにて実施)、ビーム径1.4μmの半導体レー
ザの連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を
表5に示す。
【0057】
【表5】
【0058】
【発明の効果】請求項1の光記録媒体は、前記一般式
(I)又は(II)で示される化合物の少なくとも1種を
記録層中に含有してなるものとしたことから、波長70
0nm以下に高い光吸収能と光反射性を有しているた
め、高密度記録が可能な700nm以下の波長域のレー
ザ光で記録、再生が可能であり、しかも耐光性、保存安
定性に優れている。
(I)又は(II)で示される化合物の少なくとも1種を
記録層中に含有してなるものとしたことから、波長70
0nm以下に高い光吸収能と光反射性を有しているた
め、高密度記録が可能な700nm以下の波長域のレー
ザ光で記録、再生が可能であり、しかも耐光性、保存安
定性に優れている。
【0059】請求項2の光記録体は、前記一般式(I)
又は(II)において、l=m=n=o=1、p=q=r
=s=1又は3である化合物(即ち、理論的に4つの異
性体が存在する化合物)の少なくとも1種を含有してな
るものとしたことから、4つの異性体の混合比を変化さ
せることで特性の微調整を計ることができるという効果
が加わる。
又は(II)において、l=m=n=o=1、p=q=r
=s=1又は3である化合物(即ち、理論的に4つの異
性体が存在する化合物)の少なくとも1種を含有してな
るものとしたことから、4つの異性体の混合比を変化さ
せることで特性の微調整を計ることができるという効果
が加わる。
【0060】請求項3の光記録体は、前記一般式(I)
又は(II)において、l=m=n=o=2、p=q=r
=s=2又は4である化合物の少なくとも1種を含有し
てなるものとしたことから、置換基の張り出しを増や
し、分子間会合を防止して、膜の吸収(屈折率)を向上
させ、記録体の反射率を高くすることが可能となるとい
う効果が加わる。しかも、前記のような異性体が存在し
ない化合物であるため、合成時の収率が良く、高純度品
が得られるという利点も有する。
又は(II)において、l=m=n=o=2、p=q=r
=s=2又は4である化合物の少なくとも1種を含有し
てなるものとしたことから、置換基の張り出しを増や
し、分子間会合を防止して、膜の吸収(屈折率)を向上
させ、記録体の反射率を高くすることが可能となるとい
う効果が加わる。しかも、前記のような異性体が存在し
ない化合物であるため、合成時の収率が良く、高純度品
が得られるという利点も有する。
【0061】請求項4の光記録媒体は、前記一般式
(I)又は(II)で示される化合物の少なくとも1種と
680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素と
を記録層中に含有してなるものとしたことから、現状シ
ステムでのCD−Rとして使用でき、しかも次世代の高
密度光ディスクシステムとなっても、記録された情報を
再生することが可能になる。
(I)又は(II)で示される化合物の少なくとも1種と
680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素と
を記録層中に含有してなるものとしたことから、現状シ
ステムでのCD−Rとして使用でき、しかも次世代の高
密度光ディスクシステムとなっても、記録された情報を
再生することが可能になる。
【0062】請求項5の光記録媒体は、680〜750
nmに最大吸収波長を有する有機色素として、ペンタメ
チンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属
キレート色素の少なくとも一種を選択したことから、高
品位の信号特性が記録可能となる。
nmに最大吸収波長を有する有機色素として、ペンタメ
チンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属
キレート色素の少なくとも一種を選択したことから、高
品位の信号特性が記録可能となる。
【0063】請求項6の光記録媒体は、記録層が波長6
30〜720nmのレーザ光によって記録されるもので
あるため、770〜830nm対応の光記録媒体に比べ
1.6〜1.8倍の高密度化追記型光記録媒体が得られ
る。
30〜720nmのレーザ光によって記録されるもので
あるため、770〜830nm対応の光記録媒体に比べ
1.6〜1.8倍の高密度化追記型光記録媒体が得られ
る。
【0064】請求項7の光記録媒体は、前記反射層がア
ルミニウム又は金からなるものとしたことから、生産性
の良い高反射率化、CD−Rメディア化が可能となる。
ルミニウム又は金からなるものとしたことから、生産性
の良い高反射率化、CD−Rメディア化が可能となる。
【0065】請求項8の光情報記録媒体は、前記保護層
が紫外線硬化型樹脂からなるものとしたことから、生産
性の高い保護層化したメディア化が可能となる。
が紫外線硬化型樹脂からなるものとしたことから、生産
性の高い保護層化したメディア化が可能となる。
【図1】本発明の記録媒体に適用し得る通常の追記型光
記録媒体としての層構成例を示す図である。
記録媒体としての層構成例を示す図である。
【図2】本発明の記録媒体に適用し得るCD−R用とし
ての層構成例を示す図である。
ての層構成例を示す図である。
1 基板 2 記録層(有機色素層) 3 下引き層 4 保護層 5 ハードコート層 6 反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植野 泰伸 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
層を設け、更に必要に応じて、その上に反射層、保護層
を設けてなる光記録媒体において、前記記録層中に下記
一般式(I)又は(II)で示される化合物の少なくとも
1種を含有してなることを特徴とする光記録媒体。 【化1】 【化2】 〔式中、M、X1〜X8、l、m、n、o、p、q、r及
びsは、それぞれ以下のものを表わす。 M:2個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
子を有してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、
又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、−(OPR1R2)t
基、(−OPOR3R4)t基、−(OSiR5R6R7)t
基、−(OCOR8)t基、−(OR9)t基、−(OCO
COOR10)t基、−(OCOCOR11)t基若しくは−
(OCONR12R13)t基を有してもよい金属原子、 R1〜R13:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
置換の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
の1価の芳香族炭化水素基、 t:0〜2の整数、 X1〜X8:それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置
換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐のアルキル基、ア
ルキルアルコキシ基、置換若しくは未置換のアルコキシ
基、カルボン酸エステル基、置換若しくは未置換のアリ
ール基、置換若しくは未置換のアリールオキシ基、置換
若しくは未置換のアルキルチオ基、置換若しくは未置換
のアリールチオ基、置換若しくは未置換のベンジル基、
置換若しくは未置換のベンジルオキシ基、又は置換若し
くは未置換のベンジルチオ基、 l、m、n、o:それぞれ独立に0〜2の整数、 p、q、r、s:それぞれ独立に0〜4の整数、 但し、X1〜X8が水素原子でない場合、l〜sの全てが
0になることはない。〕 - 【請求項2】 前記一般式(I)又は(II)おいて、l
=m=n=o=1、p=q=r=s=1又は3である化
合物の少なくとも1種を含有してなることを特徴とする
請求項1に記載の光記録媒体。 - 【請求項3】 前記一般式(I)又は(II)おいて、l
=m=n=o=2、p=q=r=s=2又は4(但し、
p、q、r、sは同じ位置への2置換ではないものとす
る)である化合物の少なくとも1種を含有してなること
を特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。 - 【請求項4】 前記記録層が前記一般式(I)又は(I
I)で示される化合物の少なくとも1種と680nm〜
750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを含有し
てなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載
の光記録媒体。 - 【請求項5】 前記680nm〜750nmに最大吸収
波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、
フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なく
とも1種である請求項4に記載の光記録媒体。 - 【請求項6】 前記記録層が波長630〜720nmの
レーザ光によって記録されるものである請求項1〜5の
いずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項7】 前記反射層がアルミニウム又は金からな
る請求項1〜6のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項8】 前記保護層が紫外線硬化型樹脂からなる
請求項1〜7のいずれかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8177545A JPH10860A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 光記録媒体 |
ES97101379T ES2200088T3 (es) | 1996-01-29 | 1997-01-29 | Medio de registro optico de informacion. |
US08/790,433 US5998093A (en) | 1996-01-29 | 1997-01-29 | Optical information recording medium |
DE69722474T DE69722474T2 (de) | 1996-01-29 | 1997-01-29 | Medium für optische Datenspeicherung |
EP97101379A EP0786768B1 (en) | 1996-01-29 | 1997-01-29 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8177545A JPH10860A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 光記録媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003011575A Division JP3633602B2 (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10860A true JPH10860A (ja) | 1998-01-06 |
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ID=16032831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8177545A Pending JPH10860A (ja) | 1996-01-29 | 1996-06-18 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JPH10860A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100892377B1 (ko) | 2007-08-29 | 2009-04-10 | 손세모 | Pdp 광학필터용 네온-컷 색소 및 그를 이용한 pdp광학필터의 제조방법 |
WO2020100471A1 (ja) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | オルガノ株式会社 | 擬似移動層方式クロマト分離方法及び擬似移動層方式クロマト分離システム |
WO2021230144A1 (ja) | 2020-05-14 | 2021-11-18 | オルガノ株式会社 | 擬似移動層方式クロマト分離方法及び擬似移動層方式クロマト分離システム |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP8177545A patent/JPH10860A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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