JPH10297097A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来より短波長域のレーザー光により、
高密度な記録およびその再生が可能な光記録媒体を提供
すること。 【解決手段】 下記特定のアゾ金属化合物を記録層に含
有させる。 【化1】
高密度な記録およびその再生が可能な光記録媒体を提供
すること。 【解決手段】 下記特定のアゾ金属化合物を記録層に含
有させる。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】追記型記録媒体の従来技術としては、シ
アニン色素を記録材料として用いたもの(特開昭57−
82093、58−56892、58−112790、
58−114989、59−85791、60−832
36、60−89842、61−25886)、フタロ
シアニン色素を記録材料として用いたもの(特開昭61
−150243、61−177287、61−1548
88、61−24609、62−39286、63−3
7991、63−39888)などがあり、また追記型
コンパクトディスクの従来技術としては、シアニン色素
+金属反射層を記録材としたもの(特開平1−1598
42、2−42652、2−13656、2−1684
46)、フタロシアニン色素+金属反射層を記録材とし
たもの(特開平1−176585、3−215466、
4−113886、4−226390、5−1272、
5−171052、5−116456、5−9686
0、5−139044)、アゾ金属キレート色素+金属
反射層を記録材としたもの(特開平4−46186、4
−141489、4−361088、5−27958
0)などがある。
アニン色素を記録材料として用いたもの(特開昭57−
82093、58−56892、58−112790、
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36、60−89842、61−25886)、フタロ
シアニン色素を記録材料として用いたもの(特開昭61
−150243、61−177287、61−1548
88、61−24609、62−39286、63−3
7991、63−39888)などがあり、また追記型
コンパクトディスクの従来技術としては、シアニン色素
+金属反射層を記録材としたもの(特開平1−1598
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46)、フタロシアニン色素+金属反射層を記録材とし
たもの(特開平1−176585、3−215466、
4−113886、4−226390、5−1272、
5−171052、5−116456、5−9686
0、5−139044)、アゾ金属キレート色素+金属
反射層を記録材としたもの(特開平4−46186、4
−141489、4−361088、5−27958
0)などがある。
【0003】しかし、現在の追記型光ディスクシステム
(WORM、CD−R)では、使用レーザーの発振波長
が770〜790nmにあり、記録体は上記波長で記
録、再生が可能なように設定されている。今後、情報量
の増大に伴い、記録媒体の大容量化への流れは必須であ
る。従って記録、再生に用いるレーザー波長が短波長化
することも必然的に起こってくることが容易に予想され
る。しかしながら、耐光性、保存安定性に優れ700n
m以下のレーザーを用いた光ピックアップで記録、再生
が可能な記録材料は、今だ開発されていないのが現状で
ある。
(WORM、CD−R)では、使用レーザーの発振波長
が770〜790nmにあり、記録体は上記波長で記
録、再生が可能なように設定されている。今後、情報量
の増大に伴い、記録媒体の大容量化への流れは必須であ
る。従って記録、再生に用いるレーザー波長が短波長化
することも必然的に起こってくることが容易に予想され
る。しかしながら、耐光性、保存安定性に優れ700n
m以下のレーザーを用いた光ピックアップで記録、再生
が可能な記録材料は、今だ開発されていないのが現状で
ある。
【0004】現在のCD−Rディスクシステムは、使用
レーザーの発振波長が770〜790nmで、記録、再
生が行えるように構成されている。このシステムも上記
同様に、大容量化、記録、再生波長の短波長化は必須で
ある。現在のCD及びCD−ROMは、基盤自体の凹凸
にAlがコーティングしてあり、Alの反射率の波長依
然性が小さいため、将来、レーザー波長が短波長化され
ても再生は可能である。しかしながら、CD−Rは記録
層に680〜750nmに最大吸収波長を有する色素を
用い、その光学定数及び膜厚構成から770〜790n
mに高い反射率が得られるように設定してあるため、7
00nm以下の波長域では反射率は極めて低く、レーザ
ー波長の短波長化に対応できず現在のCD−Rシステム
で記録、再生している情報が、将来のシステムでは再生
できない事態を招く。
レーザーの発振波長が770〜790nmで、記録、再
生が行えるように構成されている。このシステムも上記
同様に、大容量化、記録、再生波長の短波長化は必須で
ある。現在のCD及びCD−ROMは、基盤自体の凹凸
にAlがコーティングしてあり、Alの反射率の波長依
然性が小さいため、将来、レーザー波長が短波長化され
ても再生は可能である。しかしながら、CD−Rは記録
層に680〜750nmに最大吸収波長を有する色素を
用い、その光学定数及び膜厚構成から770〜790n
mに高い反射率が得られるように設定してあるため、7
00nm以下の波長域では反射率は極めて低く、レーザ
ー波長の短波長化に対応できず現在のCD−Rシステム
で記録、再生している情報が、将来のシステムでは再生
できない事態を招く。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来シス
テムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザ
ーを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐光
性、保存安定性に優れた光記録媒体中の記録材料を提供
するとともに、CD−Rシステムで記録された情報を高
密度光ディスクシステムで再生可能とする記録材料を提
供することを目的とする。
テムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザ
ーを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐光
性、保存安定性に優れた光記録媒体中の記録材料を提供
するとともに、CD−Rシステムで記録された情報を高
密度光ディスクシステムで再生可能とする記録材料を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者等が検討した結
果、特定の構造を有する色素を主成分とする記録層とす
ることにより、発振波長700nm以下の半導体レーザ
ーを用いる高密度ディスクシステムに適用可能なことを
見いだし、さらに本発明の化合物を現在のCD−R用記
録材料として用いられている有機色素と混合して用いる
ことにより、レーザーの発振波長が770〜790nm
で記録された情報を、700nm以下の半導体レーザー
を用いる高密度ディスクシステムで再生が可能であるこ
とを見いだし本発明に至った。
果、特定の構造を有する色素を主成分とする記録層とす
ることにより、発振波長700nm以下の半導体レーザ
ーを用いる高密度ディスクシステムに適用可能なことを
見いだし、さらに本発明の化合物を現在のCD−R用記
録材料として用いられている有機色素と混合して用いる
ことにより、レーザーの発振波長が770〜790nm
で記録された情報を、700nm以下の半導体レーザー
を用いる高密度ディスクシステムで再生が可能であるこ
とを見いだし本発明に至った。
【0007】すなわち、本発明は、 (1)基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設
け、更に必要に応じて反射層、保護層を設けてなる光記
録媒体において、前記記録媒体中に下記一般式(I)で
示されるアゾ化合物と2価又は3価の金属からなるアゾ
金属キレート化合物を少なくとも一種類含有することを
特徴とする光記録媒体、
け、更に必要に応じて反射層、保護層を設けてなる光記
録媒体において、前記記録媒体中に下記一般式(I)で
示されるアゾ化合物と2価又は3価の金属からなるアゾ
金属キレート化合物を少なくとも一種類含有することを
特徴とする光記録媒体、
【0008】
【化6】
【0009】[一般式(I)において、XはOH基、C
OOH基もしくはCONH2基を表し、Yはそれが結合
している窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基
を表し、Zはそれが結合している炭素原子と一緒になっ
て芳香環を形成する残基を表す。] (2)アゾ化合物が、下記一般式(II)で示される前記
(1)記載の光記録媒体、
OOH基もしくはCONH2基を表し、Yはそれが結合
している窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基
を表し、Zはそれが結合している炭素原子と一緒になっ
て芳香環を形成する残基を表す。] (2)アゾ化合物が、下記一般式(II)で示される前記
(1)記載の光記録媒体、
【0010】
【化7】
【0011】[一般式(II)において、R1は水素また
はアルキル基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を表し、XはO
H基、COOH基もしくはCONH2基を表し、Zはそ
れが結合している炭素原子と一緒になって芳香環を形成
する残基を表す。また、R2とR3は連結して環を構成し
てもよい。] (3)アゾ化合物が、下記一般式(III) で示される前記
(1)記載の光記録媒体、
はアルキル基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を表し、XはO
H基、COOH基もしくはCONH2基を表し、Zはそ
れが結合している炭素原子と一緒になって芳香環を形成
する残基を表す。また、R2とR3は連結して環を構成し
てもよい。] (3)アゾ化合物が、下記一般式(III) で示される前記
(1)記載の光記録媒体、
【0012】
【化8】
【0013】[一般式(III) において、R4は水素また
はアルキル基を表し、XはOH基、COOH基もしくは
CONH2基を表し、Zはそれが結合している炭素原子
と一緒になって芳香環を形成する残基を表す。] (4)アゾ化合物が、下記一般式(IV)で示される前記
(1)、(2)に記載の光記録媒体、
はアルキル基を表し、XはOH基、COOH基もしくは
CONH2基を表し、Zはそれが結合している炭素原子
と一緒になって芳香環を形成する残基を表す。] (4)アゾ化合物が、下記一般式(IV)で示される前記
(1)、(2)に記載の光記録媒体、
【0014】
【化9】
【0015】[一般式(IV)において、R1は水素また
はアルキル基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を表し、R5〜
R8はそれぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換も
しくは無置換のアルケニル基、アルキルアルコキシ基、
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、トリフッ化メチル基を表し、XはOH基、COOH
基もしくはCONH2基を表す。また、R2とR3は連結
して環を構成してもよい。] (5)アゾ化合物が、下記一般式(V)で示される前記
(1)又は(3)に記載の光記録媒体、
はアルキル基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を表し、R5〜
R8はそれぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換も
しくは無置換のアルケニル基、アルキルアルコキシ基、
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、トリフッ化メチル基を表し、XはOH基、COOH
基もしくはCONH2基を表す。また、R2とR3は連結
して環を構成してもよい。] (5)アゾ化合物が、下記一般式(V)で示される前記
(1)又は(3)に記載の光記録媒体、
【0016】
【化10】
【0017】[一般式(V)において、R4は水素また
はアルキル基を表し、R9〜R12はそれぞれ独立に水素
原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、アルキルアルコキシ基、アルキルアミノ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフッ化メチル基を表
し、XはOH基、COOH基もしくはCONH2基を表
す。] (6)一般式(I)〜(V)で示されるアゾ金属キレー
ト化合物が、450〜630nmに最大吸収波長を有す
ることを特徴とする前記(1)〜(5)何れかに記載の
光記録媒体、 (7)記録媒体中にアゾ金属キレート化合物と680〜
750nmに最大吸収波長を有する色素との混合層を含
むことを特徴とする前記(1)〜(6)何れかに記載の
光記録媒体、 (8)680〜750nmに最大吸収波長を有する色素
がシアニン色素、フタロシアニン色素もしくは、トリ
(ジ)アリールメタン系化合物からなることを特徴とす
る前記(1)〜(7)何れかに記載の光記録媒体。
はアルキル基を表し、R9〜R12はそれぞれ独立に水素
原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、アルキルアルコキシ基、アルキルアミノ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフッ化メチル基を表
し、XはOH基、COOH基もしくはCONH2基を表
す。] (6)一般式(I)〜(V)で示されるアゾ金属キレー
ト化合物が、450〜630nmに最大吸収波長を有す
ることを特徴とする前記(1)〜(5)何れかに記載の
光記録媒体、 (7)記録媒体中にアゾ金属キレート化合物と680〜
750nmに最大吸収波長を有する色素との混合層を含
むことを特徴とする前記(1)〜(6)何れかに記載の
光記録媒体、 (8)680〜750nmに最大吸収波長を有する色素
がシアニン色素、フタロシアニン色素もしくは、トリ
(ジ)アリールメタン系化合物からなることを特徴とす
る前記(1)〜(7)何れかに記載の光記録媒体。
【0018】(9)波長620〜690nmのレーザー
で少なくとも再生可能である前記(1)〜(8)何れか
に記載の光記録媒体、 (10)波長620〜690nmのレーザーで記録及び
/又は再生可能である前記(1)〜(6)何れかに記載
の光記録媒体、 (11)波長770〜830nmのレーザーで記録及び
/又は再生可能である前記(7)、(8)に記載の光記
録媒体、である。
で少なくとも再生可能である前記(1)〜(8)何れか
に記載の光記録媒体、 (10)波長620〜690nmのレーザーで記録及び
/又は再生可能である前記(1)〜(6)何れかに記載
の光記録媒体、 (11)波長770〜830nmのレーザーで記録及び
/又は再生可能である前記(7)、(8)に記載の光記
録媒体、である。
【0019】本発明のアゾ金属キレート化合物は、一般
式(I)において、XはOH基、COOH基もしくはC
ONH2基を表し、Yはそれが結合している窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表し、Zはそれが
結合している炭素原子と一緒になって芳香環を形成する
残基を表すアゾ化合物と、2価又は3価の金属からな
る。
式(I)において、XはOH基、COOH基もしくはC
ONH2基を表し、Yはそれが結合している窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表し、Zはそれが
結合している炭素原子と一緒になって芳香環を形成する
残基を表すアゾ化合物と、2価又は3価の金属からな
る。
【0020】2価又は3価の金属の具体例は、Sc、Y
等の3族原子、Ti、Zr、Hf等の4族原子、V、N
b、Ta等の5族原子、Cr、Mo、W等の6族原子、
Mn、Tc、Re等の7族原子、Fe、Co、Ni、R
u、Rh、Pd、Os、Ir、Pt等の8族原子、C
u、Ag、Au等の9族原子、Zn、Cd、Hg等の1
0族原子が挙げられる。
等の3族原子、Ti、Zr、Hf等の4族原子、V、N
b、Ta等の5族原子、Cr、Mo、W等の6族原子、
Mn、Tc、Re等の7族原子、Fe、Co、Ni、R
u、Rh、Pd、Os、Ir、Pt等の8族原子、C
u、Ag、Au等の9族原子、Zn、Cd、Hg等の1
0族原子が挙げられる。
【0021】アゾ化合物の好ましい構造は、一般式(I
I)、(III) であり、一般式(I)の複素環残基(Y
環)はイミダゾール環又はトリアゾール環より選ばれ
る。最も好まれる構造が、一般式(IV)、(V)であ
る。
I)、(III) であり、一般式(I)の複素環残基(Y
環)はイミダゾール環又はトリアゾール環より選ばれ
る。最も好まれる構造が、一般式(IV)、(V)であ
る。
【0022】一般式(IV)において、R1は水素または
アルキル基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を表し、R5〜
R8はそれぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換も
しくは無置換のアルケニル基、アルキルアルコキシ基、
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、トリフッ化メチル基を表し、XはOH基、COOH
基もしくはCONH2基を表す。また、R2とR3は連結
して環を構成してもよい。
アルキル基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を表し、R5〜
R8はそれぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換も
しくは無置換のアルケニル基、アルキルアルコキシ基、
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、トリフッ化メチル基を表し、XはOH基、COOH
基もしくはCONH2基を表す。また、R2とR3は連結
して環を構成してもよい。
【0023】一般式(IV)におけるR1のアルキル基の
具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等の一級アルキル基、イソ
ブチル基、イソアミル基、2−メチルブチル基等の二級
アルキル基等が挙げられる。
具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等の一級アルキル基、イソ
ブチル基、イソアミル基、2−メチルブチル基等の二級
アルキル基等が挙げられる。
【0024】一般式(IV)におけるR2、R3、R5〜R8
のアルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシ
ル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル
基、n−デシル基等の一級アルキル基、イソブチル基、
イソアミル基、2−メチルブチル基、2−メチルペンチ
ル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、
2−エチルブチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチ
ルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘキ
シル基、2−エチルペンチル基、3−エチルペンチル
基、2−メチルヘプチル基、3−メチルヘプチル基、4
−メチルヘプチル基、5−メチルヘプチル基、2−エチ
ルヘキシル基、3−エチルヘキシル基、イソプロピル
基、sec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メ
チルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチ
ルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチル
ブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−2
−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エチ
ルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロピ
ル−2−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルブ
チル基、1−エチル−2−メチルブチル基、1−プロピ
ル−2−メチルプロピル基、1−メチルヘプチル基、1
−エチルヘキシル基、1−プロピルペンチル基、1−イ
ソプロピルペンチル基、1−イソプロピル−2−メチル
ブチル基、1−イソプロピル−3−メチルブチル基、1
−メチルオクチル基、1−エチルヘプチル基、1−プロ
ピルヘキシル基、1−イソブチル−3−メチルブチル基
等の二級アルキル基、ネオペンチル基、tert−ブチ
ル基、tert−ヘキシル基、tert−アミル基、t
ert−オクチル基等の三級アルキル基、シクロヘキシ
ル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−エチルシクロ
ヘキシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル基、
4−(2−エチルヘキシル)シクロヘキシル基、ボルニ
ル基、イソボルニル基(アダマンタン基)等のシクロア
ルキル基等が挙げられる。
のアルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシ
ル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル
基、n−デシル基等の一級アルキル基、イソブチル基、
イソアミル基、2−メチルブチル基、2−メチルペンチ
ル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、
2−エチルブチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチ
ルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘキ
シル基、2−エチルペンチル基、3−エチルペンチル
基、2−メチルヘプチル基、3−メチルヘプチル基、4
−メチルヘプチル基、5−メチルヘプチル基、2−エチ
ルヘキシル基、3−エチルヘキシル基、イソプロピル
基、sec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メ
チルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチ
ルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチル
ブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−2
−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エチ
ルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロピ
ル−2−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルブ
チル基、1−エチル−2−メチルブチル基、1−プロピ
ル−2−メチルプロピル基、1−メチルヘプチル基、1
−エチルヘキシル基、1−プロピルペンチル基、1−イ
ソプロピルペンチル基、1−イソプロピル−2−メチル
ブチル基、1−イソプロピル−3−メチルブチル基、1
−メチルオクチル基、1−エチルヘプチル基、1−プロ
ピルヘキシル基、1−イソブチル−3−メチルブチル基
等の二級アルキル基、ネオペンチル基、tert−ブチ
ル基、tert−ヘキシル基、tert−アミル基、t
ert−オクチル基等の三級アルキル基、シクロヘキシ
ル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−エチルシクロ
ヘキシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル基、
4−(2−エチルヘキシル)シクロヘキシル基、ボルニ
ル基、イソボルニル基(アダマンタン基)等のシクロア
ルキル基等が挙げられる。
【0025】更に、これら一級及び二級アルキル基は、
ヒドロキシル基あるいはハロゲン原子を以て置換されて
いてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前
記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を介して
置換されているアルキル基としては、メトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル
基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキ
シプロピル基等が、硫黄を介して置換されているアルキ
ル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基等が挙げられる。
ヒドロキシル基あるいはハロゲン原子を以て置換されて
いてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前
記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を介して
置換されているアルキル基としては、メトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル
基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキ
シプロピル基等が、硫黄を介して置換されているアルキ
ル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基等が挙げられる。
【0026】一般式(IV)におけるR2、R3、R5〜R8
のアリール基の具体例は、フェニル基、エチルフェニル
基、ブチルフェニル基、ノニルフェニル基、ナフチル
基、ブチルナフチル基、ノニルナフチル基等が挙げられ
る。なお、アリール基はヒドロキシル基やハロゲン等で
置換されていてもよく、なお酸素、硫黄、窒素等の原子
を介して前記アリール基で置換されていてもよい。酸素
を介して置換されているアリール基としては、フェノキ
シエチル基、メトキシフェニル基、ブトキシフェニル基
等が、硫黄を介して置換されているアリール基として
は、フェニルチオエチル基、メチルチオエチル基、ブチ
ルチオエチル基等が、窒素を介して置換されているアリ
ール基としては、ジメチルアミノフェニル基、ジブチル
アミノフェニル基等が挙げられる。
のアリール基の具体例は、フェニル基、エチルフェニル
基、ブチルフェニル基、ノニルフェニル基、ナフチル
基、ブチルナフチル基、ノニルナフチル基等が挙げられ
る。なお、アリール基はヒドロキシル基やハロゲン等で
置換されていてもよく、なお酸素、硫黄、窒素等の原子
を介して前記アリール基で置換されていてもよい。酸素
を介して置換されているアリール基としては、フェノキ
シエチル基、メトキシフェニル基、ブトキシフェニル基
等が、硫黄を介して置換されているアリール基として
は、フェニルチオエチル基、メチルチオエチル基、ブチ
ルチオエチル基等が、窒素を介して置換されているアリ
ール基としては、ジメチルアミノフェニル基、ジブチル
アミノフェニル基等が挙げられる。
【0027】一般式(IV)におけるR2、R3、R5〜R8
のアルケニル基の具体例は、エチレン基、プロペニル
基、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、ドデセ
ニル基、シクロヘキセニル基、ブチルヘキセニル基等が
挙げられる。なお、アルケニル基はヒドロキシル基やハ
ロゲン原子等で置換されていてもよい。
のアルケニル基の具体例は、エチレン基、プロペニル
基、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、ドデセ
ニル基、シクロヘキセニル基、ブチルヘキセニル基等が
挙げられる。なお、アルケニル基はヒドロキシル基やハ
ロゲン原子等で置換されていてもよい。
【0028】一般式(IV)におけるアルキルアルコキシ
基は、−OR13で表される。R13は水素原子又はアルキ
ル基を表し、アルキル基の具体例は、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等
の一級アルキル基、イソブチル基、イソアミル基、2−
メチルブチル基等の二級アルキル基等が挙げられる。
基は、−OR13で表される。R13は水素原子又はアルキ
ル基を表し、アルキル基の具体例は、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等
の一級アルキル基、イソブチル基、イソアミル基、2−
メチルブチル基等の二級アルキル基等が挙げられる。
【0029】一般式(IV)におけるアルキルアミノ基
は、−NR14R15で表される。R14、R15はそれぞれ独
立に水素原子又はアルキル基を表し、アルキル基の具体
例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基等の一級アルキル基、イソブチル
基、イソアミル基、2−メチルブチル基等の二級アルキ
ル基等が挙げられる。
は、−NR14R15で表される。R14、R15はそれぞれ独
立に水素原子又はアルキル基を表し、アルキル基の具体
例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基等の一級アルキル基、イソブチル
基、イソアミル基、2−メチルブチル基等の二級アルキ
ル基等が挙げられる。
【0030】一般式(V)において、R4は水素または
アルキル基を表し、R9〜R12はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、アルキルアルコキシ基、アルキルアミノ基、置換も
しくは無置換のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、シアノ基、トリフッ化メチル基を表し、XはO
H基、COOH基もしくはCONH2基を表す。
アルキル基を表し、R9〜R12はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル
基、アルキルアルコキシ基、アルキルアミノ基、置換も
しくは無置換のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、シアノ基、トリフッ化メチル基を表し、XはO
H基、COOH基もしくはCONH2基を表す。
【0031】一般式(IV)におけるR4のアルキル基の
具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等の一級アルキル基、イソ
ブチル基、イソアミル基、2−メチルブチル基等の二級
アルキル基等が挙げられる。
具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等の一級アルキル基、イソ
ブチル基、イソアミル基、2−メチルブチル基等の二級
アルキル基等が挙げられる。
【0032】一般式(IV)におけるR9〜R12の具体例
は、前述のR5〜R8の具体例と同様である。
は、前述のR5〜R8の具体例と同様である。
【0033】本発明の記録体は、通常の追記型光ディス
クである図1の構造(図1を2枚貼合わせたいわゆるエ
アーサンドイッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよ
い)と図2からなるCD−R用メディアの構造としても
よい。
クである図1の構造(図1を2枚貼合わせたいわゆるエ
アーサンドイッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよ
い)と図2からなるCD−R用メディアの構造としても
よい。
【0034】次に本発明の光記録媒体を構成する各層の
必要特性及び構成材料例について述べる。
必要特性及び構成材料例について述べる。
【0035】<基板>基板の必要特性としては、基板側
より記録再生を行う場合のみ使用レーザー光に対して透
明でなければならず、記録層側から記録、再生を行う場
合基板は透明である必要はない。基板材料としては例え
ば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等のプラスチック、ガラ
ス、セラミックあるいは金属等を用いることができる。
なお、基板の表面にトラッキング用の案内溝や案内ピッ
ト、更にアドレス信号等のプレフォーマットが形成され
ていてもよい。
より記録再生を行う場合のみ使用レーザー光に対して透
明でなければならず、記録層側から記録、再生を行う場
合基板は透明である必要はない。基板材料としては例え
ば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等のプラスチック、ガラ
ス、セラミックあるいは金属等を用いることができる。
なお、基板の表面にトラッキング用の案内溝や案内ピッ
ト、更にアドレス信号等のプレフォーマットが形成され
ていてもよい。
【0036】<記録層>記録層はレーザー光の照射によ
り何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報
を記録できるものであって、この記録層中には本発明の
色素が含有されていることが必要で、記録層の形成にあ
たって本発明の色素を1種、又は2種以上の組合わせで
用いてもよい。さらに、本発明の上記色素は光学特性、
記録感度、信号特性等の向上の目的で他の有機色素及び
金属、金属化合物と混合又は積層化してもよい。有機色
素の例としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン
系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウ
ム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントレキノン
(インダンスレン)系、キサンテン系、トリフェニルメ
タン系、アズレン系、テトレヒドロコリン系、フェナン
スレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属キレー
ト化合物等が挙げられ、上記の染料を単独で用いてもよ
いし、2種以上の組合わせにしてもよい。
り何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報
を記録できるものであって、この記録層中には本発明の
色素が含有されていることが必要で、記録層の形成にあ
たって本発明の色素を1種、又は2種以上の組合わせで
用いてもよい。さらに、本発明の上記色素は光学特性、
記録感度、信号特性等の向上の目的で他の有機色素及び
金属、金属化合物と混合又は積層化してもよい。有機色
素の例としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン
系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウ
ム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントレキノン
(インダンスレン)系、キサンテン系、トリフェニルメ
タン系、アズレン系、テトレヒドロコリン系、フェナン
スレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属キレー
ト化合物等が挙げられ、上記の染料を単独で用いてもよ
いし、2種以上の組合わせにしてもよい。
【0037】又、上記染料中に金属、金属化合物例え
ば、In、Te、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、A
l、Be、TeO2、SnO、As、Cd等を分散混合
あるいは積層の形態で用いることもできる。さらに、上
記染料中に高分子材料、例えば、アイオノマー樹脂、ポ
リアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリン
グ剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改
良の目的で安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒
に用いることができる。
ば、In、Te、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、A
l、Be、TeO2、SnO、As、Cd等を分散混合
あるいは積層の形態で用いることもできる。さらに、上
記染料中に高分子材料、例えば、アイオノマー樹脂、ポ
リアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリン
グ剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改
良の目的で安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒
に用いることができる。
【0038】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、C
VDまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には上記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよびスピンコーティング等の慣用のコーティン
グ法によって行われる。
VDまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には上記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよびスピンコーティング等の慣用のコーティン
グ法によって行われる。
【0039】用いられる有機溶剤としては一般にメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
【0040】記録層の膜厚は100Å〜10μm好まし
くは200Å〜2000Åが適当である。
くは200Å〜2000Åが適当である。
【0041】<下引き層>下引き層は(a)接着性の向
上、(b)水又はガス等のバリヤー、(c)記録層の保
存安定性の向上、(d)反射率の向上、(e)溶剤から
の基板の保護、(f)案内溝、案内ピット、プレフォー
マットの形成等を目的として使用される。
上、(b)水又はガス等のバリヤー、(c)記録層の保
存安定性の向上、(d)反射率の向上、(e)溶剤から
の基板の保護、(f)案内溝、案内ピット、プレフォー
マットの形成等を目的として使用される。
【0042】(a)の目的に対しては高分子材料例え
ば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の
種々の高分子物質及び、シランカップリング剤等を用い
ることができ、(b)及び(c)の目的に対しては上記
高分子材料以外に無機化合物、例えば、SiO、Mg
F、SiO2、TiO、ZnO、TiN、SiN等金属
又は半金属例えば、Zn、Cu、Ni、Cr、Ge、S
e、Au、Ag、Al等を用いることができる。又、
(d)の目的に対しては金属、例えば、Al、Au、A
g等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染
料、キサンテン系染料等を用いることができ、(e)及
び(f)の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹
脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
ば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の
種々の高分子物質及び、シランカップリング剤等を用い
ることができ、(b)及び(c)の目的に対しては上記
高分子材料以外に無機化合物、例えば、SiO、Mg
F、SiO2、TiO、ZnO、TiN、SiN等金属
又は半金属例えば、Zn、Cu、Ni、Cr、Ge、S
e、Au、Ag、Al等を用いることができる。又、
(d)の目的に対しては金属、例えば、Al、Au、A
g等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染
料、キサンテン系染料等を用いることができ、(e)及
び(f)の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹
脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
【0043】下引き層の膜圧としては0.01〜30μ
m好ましくは、0.05〜10μmが適当である。
m好ましくは、0.05〜10μmが適当である。
【0044】<金属反射層>反射層は単体で高反射率の
得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材
料例としてはAu、Ag、Cr、Ni、Al、Fe、S
n等が挙げられるが、反射率、生産性の点からAu、A
g、Al、Agが最も好ましく、これらの金属、半金属
は単独で使用しても良く、2種の合金としても良い。
得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材
料例としてはAu、Ag、Cr、Ni、Al、Fe、S
n等が挙げられるが、反射率、生産性の点からAu、A
g、Al、Agが最も好ましく、これらの金属、半金属
は単独で使用しても良く、2種の合金としても良い。
【0045】膜形成法としては蒸着、スパッタリング等
が挙げられ、膜圧としては50〜5000Å好ましくは
100〜3000Åである。
が挙げられ、膜圧としては50〜5000Å好ましくは
100〜3000Åである。
【0046】<保護層、基板表面ハードコート層>保護
層、又は基板面ハードコート層は(a)記録層(反射吸
収層)を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、(b)記録
層(反射吸収層)の保存安定性の向上、(c)反射率の
向上等を目的として使用される。これらの目的に対して
は、前記下引き層に示した材料を用いることができる。
又、無機材料として、SiO、SiO2等も用いること
ができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエ
ン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹
脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用い
ることができる。
層、又は基板面ハードコート層は(a)記録層(反射吸
収層)を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、(b)記録
層(反射吸収層)の保存安定性の向上、(c)反射率の
向上等を目的として使用される。これらの目的に対して
は、前記下引き層に示した材料を用いることができる。
又、無機材料として、SiO、SiO2等も用いること
ができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエ
ン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹
脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用い
ることができる。
【0047】上記材料のうち保護層、又は基板表面ハー
ドコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫
外線硬化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層
の膜圧は0.01〜30μm好ましくは0.05〜10
μmが適当である。本発明において、前記下引き層、保
護層、及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同
様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界
面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
ドコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫
外線硬化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層
の膜圧は0.01〜30μm好ましくは0.05〜10
μmが適当である。本発明において、前記下引き層、保
護層、及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同
様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界
面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
【0048】上記のとおり本発明によれば、前記(1)
〜(6)により700nm以下の波長域のレーザー光で
記録、再生が可能で耐光性、保存安定性に優れた情報記
録媒体が提供できた。前記(7)、(8)の記録媒体
で、現状システムでのCD−Rとして使用でき、かつ次
世代の高密度光ディスクシステムとなっても、記録され
た情報を再生可能な情報記録媒体が提供できた。前記
(6)は前記(1)の記録体の最適構造で、高品位の信
号特性が記録可能となった。前記(9)〜(11)によ
り記録波長の限定をすることで新規な記録媒体の提供が
可能となった。
〜(6)により700nm以下の波長域のレーザー光で
記録、再生が可能で耐光性、保存安定性に優れた情報記
録媒体が提供できた。前記(7)、(8)の記録媒体
で、現状システムでのCD−Rとして使用でき、かつ次
世代の高密度光ディスクシステムとなっても、記録され
た情報を再生可能な情報記録媒体が提供できた。前記
(6)は前記(1)の記録体の最適構造で、高品位の信
号特性が記録可能となった。前記(9)〜(11)によ
り記録波長の限定をすることで新規な記録媒体の提供が
可能となった。
【0049】次に本発明においてとくに好ましいアゾ金
属キレート化合物を以下に挙げる。
属キレート化合物を以下に挙げる。
【0050】
【化11】
【0051】
【化12】
【0052】
【化13】
【0053】
【化14】
【0054】
【化15】
【0055】
【化16】
【0056】
【化17】
【0057】
【化18】
【0058】
【化19】
【0059】
実施例1 厚さ1.2mmのPMMAの基板上に、フォトポリマー
にて深さ1200Å、半値幅0.4μm、トラックピッ
チ1.4μmの案内溝を形成した基板上に、化合物例N
o.1のクロロホルム溶液をスピンナー塗布し、厚さ8
00Åの記録層を形成し、記録媒体とした。
にて深さ1200Å、半値幅0.4μm、トラックピッ
チ1.4μmの案内溝を形成した基板上に、化合物例N
o.1のクロロホルム溶液をスピンナー塗布し、厚さ8
00Åの記録層を形成し、記録媒体とした。
【0060】実施例2〜15 実施例1で化合物例No.2、3、4、5、6、7、
8、9、10、11、12、13、14、15を用い実
施例1と全く同様に記録媒体を形成した。
8、9、10、11、12、13、14、15を用い実
施例1と全く同様に記録媒体を形成した。
【0061】比較例1 実施例1で化合物例No.1の代わりに、以下に示す化
合物を用い実施例1と全く同様に記録媒体を形成した。
合物を用い実施例1と全く同様に記録媒体を形成した。
【0062】
【化20】
【0063】<記録条件> レーザー発振波長:635nm 記録周波数 :1.25Mhz 記録線速 :1.2m/sec. <再生条件> レーザー発振波長:635nm 再生パワー :0.25〜0.3mWの連続光 スキャニングバンド幅:30Khz <耐候テスト条件> 耐光テスト:4万Lux、Xe光、50時間連続照射 保存テスト:85℃ 85% 720時間放置
【0064】
【表1】
【0065】実施例16 深さ1000Å、半値幅0.4μm、トラックピッチ
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出形成
ポリカーボネート基板上に、化合物例No.16をメチ
ルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエ
チルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した
液をスピンナー塗布し、厚さ1800Åの有機色素層を
形成し、次いでスパッタ法により金2000Åの反射層
を設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設け記録媒体とした。
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出形成
ポリカーボネート基板上に、化合物例No.16をメチ
ルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエ
チルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した
液をスピンナー塗布し、厚さ1800Åの有機色素層を
形成し、次いでスパッタ法により金2000Åの反射層
を設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設け記録媒体とした。
【0066】実施例17〜30 実施例16で化合物例No.16の代わりにそれぞれ化
合物No.17、18、19、20、21、22、2
3、24、25、26、27、28、29、30を用
い、実施例16と全く同様に記録媒体を得た。
合物No.17、18、19、20、21、22、2
3、24、25、26、27、28、29、30を用
い、実施例16と全く同様に記録媒体を得た。
【0067】比較例2 実施例21で有機薄膜として、化合物例No.21の代
わりに前頁記載の比較例1の(比−1)を用いて記録媒
体とした。
わりに前頁記載の比較例1の(比−1)を用いて記録媒
体とした。
【0068】<記録条件>この記録体に発振波長635
nm、ビーム径1.4μmの半導体レーザー光を用い、
トラッキングしながらEFM信号を記録し(線速1.4
m/sec.)、同じレーザーの連続光で再生し、再生
波形を観察した。
nm、ビーム径1.4μmの半導体レーザー光を用い、
トラッキングしながらEFM信号を記録し(線速1.4
m/sec.)、同じレーザーの連続光で再生し、再生
波形を観察した。
【0069】
【表2】
【0070】
【化21】
【0071】
【化22】
【0072】
【化23】
【0073】実施例31 深さ1000Å、半値幅0.45μm、トラックピッチ
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、前頁に記載の化合物(比−
2)と化合物例No.31とを重量比(1/1)のメチ
ルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエ
チルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解し、ス
ピンナー塗布して、厚さ1700Åの有機色素層を形成
し、次いでスパッタ法により金2000Åの反射層を形
成して、さらにその上にアクリル系フォトポリマーで5
μmの保護層を設け、記録媒体とした。
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、前頁に記載の化合物(比−
2)と化合物例No.31とを重量比(1/1)のメチ
ルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエ
チルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解し、ス
ピンナー塗布して、厚さ1700Åの有機色素層を形成
し、次いでスパッタ法により金2000Åの反射層を形
成して、さらにその上にアクリル系フォトポリマーで5
μmの保護層を設け、記録媒体とした。
【0074】実施例32〜37 実施例31で記録層を化合物No.31例の代わりに、
それぞれNo.32、33、34、35、36、37を
用い実施例31と全く同じように記録媒体を得た。
それぞれNo.32、33、34、35、36、37を
用い実施例31と全く同じように記録媒体を得た。
【0075】実施例38〜44 実施例31で記録層を化合物No.31例の代わりに、
それぞれNo.38、39、40、41、42、43、
44を用い、(比−2)の代わりに(比−3)を用いた
以外は実施例31と全く同じように記録媒体を得た。
それぞれNo.38、39、40、41、42、43、
44を用い、(比−2)の代わりに(比−3)を用いた
以外は実施例31と全く同じように記録媒体を得た。
【0076】実施例45〜50 実施例31で記録層を化合物No.31例の代わりに、
それぞれNo.45、46、47、48、49、50を
用い、(比−2)の代わりに(比−4)を用いた以外は
実施例31と全く同じように記録媒体を得た。
それぞれNo.45、46、47、48、49、50を
用い、(比−2)の代わりに(比−4)を用いた以外は
実施例31と全く同じように記録媒体を得た。
【0077】比較例3、4、5 実施例31で有機記録層を、それぞれ(比−2)のみ、
(比−3)のみ、(比−4)のみとして実施例31と同
様に記録媒体を得た。
(比−3)のみ、(比−4)のみとして実施例31と同
様に記録媒体を得た。
【0078】<記録条件>この記録体に発振波長780
nm、ビーム径1.6μmの半導体レーザーを用い、ト
ラッキングしながらEFM信号を記録し(線速1.4m
/sec)、同じレーザー及び発振波長635nm、ビ
ーム径1.4μmの半導体レーザーの連続光で再生し再
生波形を観察した。
nm、ビーム径1.6μmの半導体レーザーを用い、ト
ラッキングしながらEFM信号を記録し(線速1.4m
/sec)、同じレーザー及び発振波長635nm、ビ
ーム径1.4μmの半導体レーザーの連続光で再生し再
生波形を観察した。
【0079】
【表3】
【0080】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体は、700nm以下の波長域のレーザー光による高密
度な記録およびその再生が可能である。
体は、700nm以下の波長域のレーザー光による高密
度な記録およびその再生が可能である。
【図1】(a)〜(d)は、通常の追記型光記録媒体の
層構成説明図、
層構成説明図、
【図2】(a)〜(c)はCD−R用光記録媒体の層構
成説明図。
成説明図。
1 基板 2 記録層 3 下引き層 4 保護層 5 ハードコート層 6 金属反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07D 257/06 C07D 257/06 Z (72)発明者 笹 登 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 東 康弘 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (11)
- 【請求項1】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
層を設け、更に必要に応じて反射層、保護層を設けてな
る光記録媒体において、前記記録媒体中に下記一般式
(I)で示されるアゾ化合物と2価又は3価の金属から
なるアゾ金属キレート化合物を少なくとも一種類含有す
ることを特徴とする光記録媒体。 【化1】 [一般式(I)において、XはOH基、COOH基もし
くはCONH2基を表し、Yはそれが結合している窒素
原子と一緒になって複素環を形成する残基を表し、Zは
それが結合している炭素原子と一緒になって芳香環を形
成する残基を表す。] - 【請求項2】 アゾ化合物が、下記一般式(II)で示さ
れる請求項1記載の光記録媒体。 【化2】 [一般式(II)において、R1は水素またはアルキル基
を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基を表し、XはOH基、COOH
基もしくはCONH2基を表し、Zはそれが結合してい
る炭素原子と一緒になって芳香環を形成する残基を表
す。また、R 2とR3は連結して環を構成してもよい。] - 【請求項3】 アゾ化合物が、下記一般式(III) で示さ
れる請求項1記載の光記録媒体。 【化3】 [一般式(III) において、R4は水素またはアルキル基
を表し、XはOH基、COOH基もしくはCONH2基
を表し、Zはそれが結合している炭素原子と一緒になっ
て芳香環を形成する残基を表す。] - 【請求項4】 アゾ化合物が、下記一般式(IV)で示さ
れる請求項1、2に記載の光記録媒体。 【化4】 [一般式(IV)において、R1は水素またはアルキル基
を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基を表し、R5〜R8はそれぞれ独
立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のア
ルケニル基、アルキルアルコキシ基、アルキルアミノ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフッ化メ
チル基を表し、XはOH基、COOH基もしくはCON
H2基を表す。また、R2とR3は連結して環を構成して
もよい。] - 【請求項5】 アゾ化合物が、下記一般式(V)で示さ
れる請求項1又は3に記載の光記録媒体。 【化5】 [一般式(V)において、R4は水素またはアルキル基
を表し、R9〜R12はそれぞれ独立に水素原子、置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、アルキル
アルコキシ基、アルキルアミノ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、トリフッ化メチル基を表し、XはOH
基、COOH基もしくはCONH2基を表す。] - 【請求項6】 一般式(I)〜(V)で示されるアゾ金
属キレート化合物が、450〜630nmに最大吸収波
長を有することを特徴とする請求項1〜5何れかに記載
の光記録媒体。 - 【請求項7】 記録媒体中にアゾ金属キレート化合物と
680〜750nmに最大吸収波長を有する色素との混
合層を含むことを特徴とする請求項1〜6何れかに記載
の光記録媒体。 - 【請求項8】 680〜750nmに最大吸収波長を有
する色素がシアニン色素、フタロシアニン色素もしく
は、トリ(ジ)アリールメタン系化合物からなることを
特徴とする請求項1〜7何れかに記載の光記録媒体。 - 【請求項9】 波長620〜690nmのレーザーで少
なくとも再生可能である請求項1〜8何れかに記載の光
記録媒体。 - 【請求項10】 波長620〜690nmのレーザーで
記録及び/又は再生可能である請求項1〜6何れかに記
載の光記録媒体。 - 【請求項11】 波長770〜830nmのレーザーで
記録及び/又は再生可能である請求項7、8に記載の光
記録媒体。
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