JP3412077B2 - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JP3412077B2
JP3412077B2 JP20924695A JP20924695A JP3412077B2 JP 3412077 B2 JP3412077 B2 JP 3412077B2 JP 20924695 A JP20924695 A JP 20924695A JP 20924695 A JP20924695 A JP 20924695A JP 3412077 B2 JP3412077 B2 JP 3412077B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体に関
するものであって、特に光ビームを照射することによ
り、記録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じ
させ、情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な情
報記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在の追記光型ディスクシステム(WO
RM、CD−R)では、使用レーザの発振波長が770
nm〜790nmにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材として用いた数多くの提案
がなされているが、耐光性、保存安定性に優れ、且つ7
00nm以下のレーザを用いた光ピックアップで記録、
再生が可能な記録材料は、未だ開発されていないのが現
状である。
【0003】現在のCD−Rディスクシステムも、使用
レーザの発振波長である770nm〜790nmで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、レーザ波長が短波長化は必須
である。この点、現在のCD及びCD−ROMは、基板
自体の凹凸上にAlがコーティングしてあり、Alの反
射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長が短
波長化されても再生は可能である。しかしながら、CD
−Rは記録層に680nm〜750nmに最大吸収波長
を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成から7
70nm〜790nmに高い反射率が得られる様設定し
てあるため、700nm以下の波長域では反射率は極め
て低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在のC
D−Rシステムで記録、再生している情報が、将来のシ
ステムでは再生出来ない事態を招く。これまでCD−R
として、シアニン色素/金属反射層、フタロシアニン色
素/金属反射層又はアゾ金属キレート色素/金属反射層
などを記録材として用いた数多くの提案がなされている
が、このような点に解決を与えるものは未だ見出されて
いない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なCD−R媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長700nm以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、更には本色素を現在CD−R用記録
材料として用いられている有機色素と混合して用いるこ
とにより、700nm以下の波長域にも高い反射率を得
ることが可能であることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【0006】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式(I)〜(IV)
で示される化合物の少なくとも一種を含有してなること
を特徴とする光記録媒体が提供される。
【化1】
【化2】
【化3】
【化4】 〔式中、X1〜X4、Y1、Y2、m、n、M、A、A’、
B及びB’は、それぞれ以下のものを表わす。 X1〜X4:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の直鎖若しくは分岐のアルキル基又は置換若しくは未
置換のフェニル基、 Y1、Y2:それぞれ独立に置換若しくは未置換の直鎖若
しくは分岐のアルキル基、直鎖、分岐若しくは脂環式の
アルキルを含むアルコキシ基、アルキルチオ基、置換若
しくは未置換のアリールオキシ基、アリールチオ基又は
シリル基、 m、n:0〜2の整数、 上記特定の置換基以外の置換基:水素原子又はハロゲン
原子、 M:2個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、又は
−(OR1)o 基、−(OSiR234)p 基、−(O
POR56)q 基若しくは−(OCOR7)r基を有し
てもよい金属原子、 R1〜R7:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換の
1価の芳香族炭化水素基、 o、p、q、r:0〜2の整数、 A、A’:等しくても異なっていてもよく必ず連結され
ている置換基であって、置換若しくは未置換の2価の脂
肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換の2価の芳香族
炭化水素基、 B、B’:等しくても異なっていてもよく必ず連結され
ている置換基であって、エーテル結合を有していてもよ
い置換若しくは未置換の2価の脂肪族炭化水素基又は置
換若しくは未置換の2価の芳香族炭化水素基。〕 第二に、上記第一に記載した光記録媒体において、前記
記録層が前記一般式(I)〜(IV)で示される化合物
の少なくとも一種と680nm〜750nmに最大吸収
波長を有する有機色素とを含有してなることを特徴とす
る光記録媒体が提供される。第三に、上記第二に記載し
た光記録媒体において、前記680nm〜750nmに
最大吸収波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニ
ン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素
の少なくとも一種である光記録媒体が提供される。第四
に、上記第一に記載した光記録媒体において、前記反射
層がアルミニウム又は金からなる光記録媒体が提供され
る。第五に、上記第一に記載した光記録媒体において、
前記保護層が紫外線硬化型樹脂からなる光記録媒体が提
供される。
【0007】本発明の光記録媒体は、前記一般式(I)
〜(IV)で示される化合物の少なくとも1種を含有す
る記録層を設けたことから、700nm以下の波長域の
レーザ光で記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存
安定性に優れたものとなり、また別の態様では、前記一
般式(I)〜(IV)で示される少なくとも1種の化合
物と、680〜750nmに最大吸収波長を有する有機
色素との混合物からなる記録層を設けたことから、現状
システムでのCD−R媒体として使用でき、しかも次世
代の高密度光ディスクシステムとなっても、記載された
情報を再生することが可能なものとなる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、記録層中に前記一般式(I)〜
(IV)で示される化合物の少なくとも一種を含有して
なることを特徴とする。まず、本発明で使用する前記一
般式(I)〜(IV)で示される化合物について説明す
ると、前記一般式(I)〜(IV)において、X1〜X4
はそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換の直鎖
若しくは分岐のアルキル基又は置換若しくは未置換のフ
ェニル基を表わす。
【0009】この場合のアルキル基の具体例としては、
例えば、次のものが挙げられる。メチル基、エチル基、
n−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペ
ンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、2−メチル
ブチル基、n−ヘキシル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、2−エチ
ルブチル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、
3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メ
チルヘキシル基、2−エチルペンチル基、3−エチルペ
ンチル基、n−オクチル基、2−メチルヘプチル基、3
−メチルヘプチル基、4−メチルヘプチル基、5−メチ
ルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキ
シル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ドデシル基
等の一級アルキル基;イソプロピル基、sec−ブチル
基、1−エチルプロピル基、1−メチルブチル基、1,
2−ジメチルプロピル基、1−メチルヘプチル基、1−
エチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、1,2−
ジメチルブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル
基、1−メチルヘキシル基、1−エチルヘプチル基、1
−プロピルブチル基、1−イソプロピル−2−メチルプ
ロピル基、1−エチル−2−メチルブチル基、1−エチ
ル−2−メチルブチル基、1−プロピル−2−メチルプ
ロピル基、1−メチルヘプチル基、1−エチルヘキシル
基、1−プロピルペンチル基、1−イソプロピルぺンチ
ル基、1−イソプロピル−2−メチルブチル基、1−イ
ソプロピル−3−メチルブチル基、1−メチルオクチル
基、1−エチルヘプチル基、1−プロピルヘキシル基、
1−イソブチル−3−メチルブチル基等の二級アルキル
基;tert−ブチル基、tert−ヘキシル基、te
rt−アミル基、tert−オクチル基等の三級アルキ
ル基;シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル
基、4−エチルシクロヘキシル基、4−tert−ブチ
ルシクロヘキシル基、4−(2−エチルヘキシル)シク
ロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、アダマン
タン基等のシクロアルキル基等。
【0010】また、置換若しくは未置換のフェニル基と
具体例としては、例えばフェニル基、エチルフェニル
基、tert−ブチルフェニル基、ブチルフェニル基、
ノニルフェニル基等が挙げられる。
【0011】前記一般式(I)及び(III)におい
て、Y1及びY2はそれぞれ独立に置換若しくは未置換の
直鎖若しくは分岐のアルキル基、直鎖、分岐若しくは脂
環式のアルキルを含むアルコキシ基、アルキルチオ基、
置換若しくは未置換のアリールオキシ基、アリールチオ
基又はシリル基を表わし、またm及びnは置換数を表わ
し0〜2の整数である。なお、前記特定の置換基以外の
置換基は水素原子又はハロゲン原子である。
【0012】置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の
アルキル基の具体例としては、前記X1〜X4に関するア
ルキル基の具体例と同様のものが挙げられる。また、ア
ルコキシ基の具体例としては、メトキシメチル基、メト
キシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、
ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、メトキ
シプロピル基、エトキシプロピル基などが挙げられ、ま
たアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオエチル
基、エチルチオエチル基、エチルプロピル基などが挙げ
られる。
【0013】また、アリールオキシ基及びアリールチオ
基のアリール基の具体例としては、フェニル基、エチル
フェニル基、ブチルフェニル基、ノニルフェニル基、ナ
フチル基、ブチルナフチル基、ノニルナフチル基等が挙
げられる。なお、アリールオキシ基の具体例としては、
フェノキシエチル基、メトキシフェニル基、ブトキシフ
ェニル基等が、アリールチオ基の具体例としては、フェ
ニルチオエチル基、メチルチオフェニル基、ブチルチオ
フェニル基等が挙げられる。
【0014】また、シリル基としては、トリメチルシリ
ル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基、te
rt−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル
基、クロロプロピルジメチルシリル基、ビニルジメチル
シリル基、イソプロピルジエチルシリル基、フェニルジ
メチルシリル基などのシリル基や、トリメチルシリル置
換メチル基、トリメチルシリル置換エチル基、トリメト
キシシリル置換プロピル基、トリメトキシシリル置換フ
ェニル基などのシリル置換アルキル基などが挙げられ
る。なお、ハロゲン原子としては、臭素原子、塩素原
子、フッ素原子等が挙げられる。
【0015】前記一般式(I)〜(IV)において、M
は2個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を有
してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、又は−
(OR1)o 基、−(OSiR234)p 基、−(OP
OR56)q 基若しくは−(OCOR7)r基を有して
もよい金属原子を表わし、こゝでR1〜R7はそれぞれ独
立に水素原子、置換若しくは未置換の1価の脂肪族炭化
水素基又は置換若しくは未置換の1価の芳香族炭化水素
基であり、o、p、q、rは0〜2の整数である。
【0016】この場合のMの具体例としては、水素原
子;Ca、Mg、Zu、Cu、Ni、Pd、Fe、P
b、Co、Pt、Cd、Ruなどの二価の金属;Al、
In、Fe、Ga、Tl、Mnなどの三価金属のハロゲ
ン化物、ヒドロキシル化物、アルコキシ化物、トリアル
キルシロキシ基など;及びSi、Ti、Sn、Cr、G
a、Sn、Mn、Zr、Vなどの四価金属のハロゲン化
物、アルコキシ化物、ヒドロキシル化物、トリアルキル
シロキシ化物、酸化物などが挙げられる。また、前記R
1〜R7の定義中、1価の脂肪族炭化水素基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブ
チル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル
基、ドデシル基、オクタデシル基等のアルキル基や、ビ
ニル基、アリル基、イソプロペニル基、1−ブテニル
基、2−ブテニル基、2−ペンテニル基等のアルケニル
基などが挙げられる。1価の芳香族炭化水素基として
は、フェニル基、ベンジル基などが挙げられる。また、
それらの置換基としては、フッ素、塩素、臭素などのハ
ロゲン原子、三フッ化炭素基、シアノ基、エステル基な
どが挙げられる。
【0017】前記一般式(II)〜(IV)において、
A及びA’は等しくても異なっていてもよく必ず連結さ
れている置換基であって、置換若しくは未置換の2価の
脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換の2価の芳香
族炭化水素基を表わし、またB及びB’は等しくても異
なっていてもよく必ず連結されている置換基であって、
エーテル結合を有していてもよい置換若しくは未置換の
2価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換の2価
の芳香族炭化水素基を表わすが、これらは特に制限はな
く、連結されている基であればよい。−A−A’−、−
B−B’−としては、例えば表1に挙げられるような基
が好ましい。
【0018】
【表1】
【0019】前記一般式(I)〜(IV)で表わされる
化合物の具体例としては、例えば表2〜表5に示される
ものが挙げられる。
【0020】
【表2】
【0021】
【表3】
【0022】
【表4】
【0023】
【表5】
【0024】また、記録層においては、前記したよう
に、前記一般式(I)〜(IV)で示される少なくとも
1種の化合物と、680〜750nmに最大吸収波長を
有する有機色素との混合物を主成分とすることにより、
現状システムで記録再生が可能であるとともに、次世代
システムにおいても再生のみは可能なCD−R記録媒体
となる。この場合の680〜750nmに最大吸収波長
を有する色素としては、ペンタメチンのシアニン色素、
フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素が好まし
い。
【0025】ペンタメチンのシアニン色素の好ましい例
としては、下記一般式(V)で示されるものが挙げられ
る。
【化5】 式中、R11、R12は炭素数1〜3のアルキル基、R13
14は炭素数1〜6の置換又は未置換のアルキル基、X
は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていてもよ
い。
【0026】フタロシアニン色素の好ましい例として
は、下記一般式(VI−1)若しくは(VI−2)で示
されるものが挙げられる。
【化6】 式中、M1はNi、Pb、Cu、Zn、Co、Mn、F
e、TiO又はVOを、X5〜X8はそれぞれ独立に置換
位置α位の−OR又は−SRを、Rは置換されていても
よい炭素数3〜12の直鎖、分岐若しくは脂環式アルキ
ル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表わ
す。X5〜X8以外のベンゼン環の置換基は水素原子又は
ハロゲン原子である。
【0027】
【化7】 式中、M2は、Si、Ge、In、又はSnを、X9〜X
12はそれぞれ独立に置換位置α位の−OR又は−SR
を、Rは置換されていてもよい炭素数3〜12の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Y3、Y4は−OSiR1516
17、−OCOR151617、又は−OPOR151617
を表わし、R15〜R17はそれぞれ独立に炭素数1〜10
のアルキル基又はアリール基を表わす。X9〜X12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
【0028】また、アゾ金属キレート色素の好ましい例
としては、下記一般式(VII)で示されるアゾ系化合
物と金属とのアゾ金属キレート化合物の一種又は二種以
上が挙げられ、、金属の好ましい例としては、Ni、P
t、Pd、Co、Cu、Znなどが挙げられる。
【化8】 式中、Aはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Bはそれ
が結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環又
は複素環を形成する残基を表わし、またXは活性水素を
有する基を表わす。
【0029】本発明の前記一般式(I)〜(IV)で示
される少なくとも一種の色素と前記(V)〜(VII)
で示される少なくとも一種の色素とを併用する場合の重
量組成比は、本発明色素/〔(V)〜(VII)の色
素〕=10/100〜90/100、好ましくは40/
100〜20/100である。また、両色素を併用した
場合の記録層の膜厚は500Å〜5μm、好ましくは1
000Å〜5000Åである。
【0030】なお、記録層においては、前記一般式
(I)〜(IV)で示される化合物、あるいは該化合物
と前記特定の有機色素とを混合するのみではなく、光学
特性、記録感度、信号特性の向上のため、他の有機色素
及び金属、金属化合物と混合又は積層化して用いること
も、もちろん可能である。この場合、有機色素として
は、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシア
ニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウ
ム系、ナフトキノン系、アントラキノン(インダンスレ
ン)系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレ
ン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリ
フェノチアジン系染料、及び金属錯体化合物などが挙げ
られる。また金属、金属化合物例としては、In、T
e、Bi、In、Se、Sb、Ge、Sn、Al、B
e、TeO2、SnO、As、Cdなどが挙げられ、そ
れぞれを分散混合あるいは積層の形態で用いることがで
きる。更に、染料中に高分子材料、例えばアイオノマー
樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シ
リコーン、液状ゴムなどの種々の材料若しくはシランカ
ップリング剤などを分散混合しても良いし、特性改良の
目的で、安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒
に用いることができる。
【0031】次に、本発明の記録媒体の構成について述
べる。図1は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
1の上に、必要に応じて下引き層3を介して、記録層2
を設け、更に必要に応じ保護層4が設けられている。ま
た、必要に応じて基板1の下にハードコート層を設ける
ことができる。図2は、本発明の記録媒体に適用し得る
別のタイプの層構成例を示す図で、これはCD−Rメデ
ィアの例である。図1の構成の記録層2の上に反射層6
が設けられている。なお、本発明の記録媒体は、図1及
び図2に示した構成の記録層(有機薄膜層)を内側にし
て、他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッ
チ構造にしてもよく、また保護層を介して接着した貼合
せ構造にしてもよい。
【0032】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 1)基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザー光に対して透明でなければならな
いが、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である
必要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックある
いは金属などを用いることができる。なお、基板の表面
にトラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス
信号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
【0033】2)記録層 記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせその変化により情報を記録できるものであっ
て、この記録層中には前述したように前記一般式(I)
〜(IV)で示される化合物の少なくとも一種、場合に
より更に前記(V)〜(VII)で示される色素の少な
くとも一種が含有されている必要がある。記録層の形成
は蒸着、スパッタリング、CVD又は溶剤塗布などの通
常の手段によって行なうことができる。塗布法を用いる
場合には、上記化合物などを有機溶剤に溶解して、スプ
レー、ローラーコーティング、ディッピング又はスピン
コーティングなどの慣用のコーティング法で行なうこと
ができる。用いられる有機溶剤としては、一般にメタノ
ール、エタノール、イソプロパノールなどアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
などのケトン類、N,N−ジメチルアセトアミド、N,
N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類、ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、
酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン
などの脂肪族ハロゲン化炭素類、ベンゼン、キシレン、
モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族
類、あるいはメトキシエタノール、エトキシエタノール
などのセルソルブ類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙
げられる。記録層の膜厚は、100Å〜10μm、好ま
しくは200Å〜2000Åが適当である。
【0034】3)下引き層 下引き層は、接着性の向上、水又はガスなどに対す
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、Z
nO、TiN、SiNなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばZn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、A
u、Ag、Alなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばAl、Au、Agなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は0.
01〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当
である。
【0035】4)反射層 反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい金
属、半金属などが使用できる。具体的材料としては、A
u、Ag、Al、Cr、Ni、Fe、Snなどが挙げら
れ、反射率、生産性の点からAu、Alが最も好まし
い。これらの金属、半金属は単独で使用してもよく、2
種以上の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、ス
パッタリングなどが挙げられ、膜厚としては50〜50
00Å、好ましくは100〜3000Åである。
【0036】5)保護層、基板表面ハードコート層 保護層又は基板表面ハードコート層は、記録層(反射
吸収層)を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層
(反射吸収層)の保存安定性の向上、反射率の向上な
どを目的として使用される。これらの目的に対しては、
前記の下引き層に示した材料を用いることができる。ま
た、無機材料としてSiO、SiO2なども用いること
もでき、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレ
ンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンな
どの熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上
記材料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外
線硬化樹脂である。保護層又は基板表面ハードコート層
の膜厚は0.01〜30μm、好ましくは0.05〜1
0μmが適当である。
【0037】本発明において、前記の下引き層、保護層
及び基板表面ハードコート層には記録層の場合と同様
に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面
活性剤、可塑剤などを含有させることができる。
【0038】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。
【0039】実施例1 実施例1 厚さ1.2μmのポリメチルメタアクリレート基板上に
フォトポリマーにて、深さ1200Å、半値幅0.4μ
m、トラックピッチ1.4μmの案内溝を形成した基板
上に、表2の化合物No.1の1,2−ジクロロエタン
溶液をスピンナー塗布し、厚さ800Åの記録層を設け
て記録媒体を得た。
【0040】実施例2〜8 実施例1において、表2の化合物No.1の代わりに、
それぞれ表3〜5の化合物No.5、No.6、No.
7、No.8、No.16、No.21、No.24を
用いたこと以外は、実施例1と同様にして実施例2〜8
の記録媒体を得た。
【0041】比較例1 実施例1において、表2の化合物No.1の代わりに下
記式(VIII)で示される化合物を用いたこと以外
は、実施例1と同様にして比較例1の記録媒体を得た。
【化9】
【0042】前記の実施例1〜8及び比較例1の記録媒
体を用い、下記の記録条件で基板から光を入射して記録
し、その後記録位置を再生光によりC/N及び反射率を
測定した。その結果を表6に示す。 記録条件: レーザー発振波長 680nm 記録周波数 1.25MHz 記録線速 1.2m/sec 再生条件: レーザー発振波長 680nm 再生パワー 0.25〜0.3mWの連続光 スキャニングバンド巾 30KHz 耐光テスト条件: 耐光テスト 4万Lux、Xe光、50時間連続照射 保存テスト 85℃、85%、720時間放置
【0043】
【表6】
【0044】実施例9 深さ1000Å、半値幅0.45μm、トラックピッチ
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、表2の化合物No.1のメ
チルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチル
エチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液をスピン
ナー塗布し、厚さ1800Åの記録層を形成し、次いで
その上にスパッタ法によりAu2000Åの反射層を設
け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて5μm
の保護層を設け、記録媒体を得た。
【0045】実施例10〜16 実施例9において、表2の化合物No.1の代わりにそ
れぞれ表3〜5の化合物No.5、No.6、No.
9、No.15、No.22、No.23、No.27
を用いたこと以外は、実施例9と同様にして実施例10
〜16の記録媒体を得た。
【0046】比較例2 実施例9において、表2の化合物No.1の代わりに比
較例1で用いた前記一般式(VIII)で示される化合
物を用いたこと以外は、実施例9と同様にして比較例2
の記録媒体を得た。
【0047】実施例9〜16及び比較例2の記録媒体に
発振波長680nm、ビーム径1.4μmの半導体レー
ザー光を用い、トラッキングしながらEFM信号を記録
し(線速1.4m/sec)、同じレーザーの連続光で
再生し、再生波形を観察した。その結果を表7に示す。
【0048】
【表7】
【0049】実施例17 深さ1000Å、半値幅0.45μm、トラックピッチ
1.6μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、下記の一般式(IX)で示
される化合物と表2の化合物No.2とを、重量比(1
/1)のメチルシクロヘキサン、2−メトキシエタノー
ル、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒
に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ1700Åの記録
層を形成し、次いで、スパッタ法によりAu2000Å
の反射層を形成して、更にその上にアクリル系フォトポ
リマーにて5μmの保護層を設け、記録媒体を得た。
【0050】
【化10】
【0051】実施例18〜19 実施例17において、表2の化合物No.2の代わりに
それぞれ表3の化合物No.5、No.12を用いたこ
と以外は、実施例17と同様にして実施例18〜19の
記録媒体を得た。
【0052】実施例20〜21 実施例17において、表2の化合物No.2の代わりに
それぞれ表3の化合物No.15、表4の化合物No.
16を用い、且つ前記一般式(IX)で示される化合物
の代わりに下記一般式(X)で示される化合物を用いた
こと以外は、実施例17と同様にして実施例20〜21
の記録媒体を得た。
【0053】
【化11】
【0054】実施例22〜23 実施例17において、表2の化合物No.2の代わりに
それぞれ表3の化合物No.8、No.9を用い、且つ
前記一般式(IX)で示される化合物の代わりに下記一
般式(XI)で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例17と同様にして実施例22〜23の記録媒体を得
た。
【0055】
【化12】
【0056】比較例3〜5 実施例17において、記録層をそれぞれ前記一般式(I
X)で示される化合物のみ、前記一般式(X)で示され
る化合物のみ、前記一般式(XI)で示される化合物の
みとしたこと以外は、実施例17と同様にして比較例3
〜5の記録媒体を得た。
【0057】実施例17〜23及び比較例3〜5の記録
媒体に発振波長780nm、ビーム径1.6μmの半導
体レーザー光を用い、トラッキングしながらEFM信号
を記録し(線速1.4m/sec)、前記レーザー及び
発振波長680nm、ビーム径1.4μmの半導体レー
ザーの連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果
を表8に示す。
【0058】
【表8】
【0059】
【発明の効果】請求項1の光記録媒体は、前記一般式
(I)〜(IV)で示される化合物の少なくとも一種を
記録層中に含有してなるものとしたことから、波長70
0nm以下に高い光吸収能と光反射性を有しているた
め、高密度記録が可能な700nm以下の波長域のレー
ザー光で記録、再生が可能であり、しかも耐光性、保存
安定性に優れている。
【0060】請求項2の光記録媒体は、前記一般式
(I)〜(IV)で示される化合物の少なくとも一種と
680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素と
を記録層中に含有してなるものとしたことから、現状シ
ステムでのCD−Rとして使用でき、しかも次世代の高
密度光ディスクシステムとなっても、記録された情報を
再生することが可能になる。
【0061】請求項3の光記録媒体は、680〜750
nmに最大吸収波長を有する有機色素として、ペンタメ
チンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属
キレート色素の少なくとも一種を選択したことから、高
品位の信号特性が記録可能となる。
【0062】請求項4の光記録媒体は、前記反射層がア
ルミニウム又は金からなるものとしたことから、生産性
の良い高反射率化、CD−Rメディア化が可能となる。
【0063】請求項6の光情報記録媒体は、前記保護層
が紫外線硬化型樹脂からなるものとしたことから、生産
性の高い保護層化したメディア化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の記録媒体に適用し得る通常の追記型光
記録媒体としての層構成例を示す図である。
【図2】本発明の記録媒体に適用し得るCD−R用とし
ての層構成例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 記録層(有機色素層) 3 下引き層 4 保護層 5 ハードコート層 6 反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植野 泰伸 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平2−276676(JP,A) 特開 平4−106159(JP,A) 特開 平1−264895(JP,A) 特開 平7−268227(JP,A) 特開 平8−282111(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41M 5/26 G11B 7/24 516 CAPLUS(STN) REGISTRY(STN) MARPAT(STN)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
    層を設け、更に必要に応じて、その上に反射層、保護層
    を設けてなる光記録媒体において、前記記録層中に下記
    一般式(I)〜(IV)で示される化合物の少なくとも
    一種を含有してなることを特徴とする光記録媒体。 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 〔式中、X1〜X4、Y1、Y2、m、n、M、A、A’、
    B及びB’は、それぞれ以下のものを表わす。 X1〜X4:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
    換の直鎖若しくは分岐のアルキル基又は置換若しくは未
    置換のフェニル基、 Y1、Y2:それぞれ独立に置換若しくは未置換の直鎖若
    しくは分岐のアルキル基、直鎖、分岐若しくは脂環式の
    アルキルを含むアルコキシ基、アルキルチオ基、置換若
    しくは未置換のアリールオキシ基、アリールチオ基又は
    シリル基、 m、n:0〜2の整数、 上記特定の置換基以外の置換基:水素原子又はハロゲン
    原子、 M:2個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
    有してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、又は
    −(OR1)o 基、−(OSiR234)p 基、−(O
    POR56)q 基若しくは−(OCOR7)r基を有し
    てもよい金属原子、 R1〜R7:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
    換の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換の
    1価の芳香族炭化水素基、 o、p、q、r:0〜2の整数、 A、A’:等しくても異なっていてもよく必ず連結され
    ている置換基であって、置換若しくは未置換の2価の脂
    肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換の2価の芳香族
    炭化水素基、 B、B’:等しくても異なっていてもよく必ず連結され
    ている置換基であって、エーテル結合を有していてもよ
    い置換若しくは未置換の2価の脂肪族炭化水素基又は置
    換若しくは未置換の2価の芳香族炭化水素基。〕
  2. 【請求項2】 前記記録層が前記一般式(I)〜(I
    V)で示される化合物の少なくとも一種と680nm〜
    750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを含有し
    てなることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記680nm〜750nmに最大吸収
    波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、
    フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なく
    とも一種である請求項2記載の光記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記反射層がアルミニウム又は金からな
    る請求項1記載の光記録媒体。
  5. 【請求項5】 前記保護層が紫外線硬化型樹脂からなる
    請求項1記載の光記録媒体。
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