JP3456621B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B50/00—Formazane dyes; Tetrazolium dyes
- C09B50/04—Metal-free formazan dyes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関
し、とりわけ追記型ならびに反復記録型の光記録媒体に
関するものである。
し、とりわけ追記型ならびに反復記録型の光記録媒体に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光記録媒体として光ディスク記録
媒体、光カード記録媒体が広く使用されており、とりわ
け大容量追記型光ディスク媒体として、ＣＤ−Ｒが広範
に利用されるに至っている。さらに、繰り返し記録が可
能な光ディスク記録媒体として、ＣＤ−ＲＷが最近実用
化され、今後はＤＶＤ−ＲＡＭも市場への投入が企図さ
れている。
媒体、光カード記録媒体が広く使用されており、とりわ
け大容量追記型光ディスク媒体として、ＣＤ−Ｒが広範
に利用されるに至っている。さらに、繰り返し記録が可
能な光ディスク記録媒体として、ＣＤ−ＲＷが最近実用
化され、今後はＤＶＤ−ＲＡＭも市場への投入が企図さ
れている。
【０００３】このような記録媒体（情報記録用）の記録
層に適用される記録材料として、種々の化合物が提案さ
れている。例えば、シアニン色素を記録材料として用い
た従来技術として、特開昭５７−８２０９３、特開昭５
８−５６８９２、特開昭５８−１１２７９０、特開昭５
８−１１４９８９、特開昭５９−８５７９１、特開昭６
０−８３２３６、特開昭６０−８９８４２、特開昭６１
−２５８８６各号公報で開示のものがある。
層に適用される記録材料として、種々の化合物が提案さ
れている。例えば、シアニン色素を記録材料として用い
た従来技術として、特開昭５７−８２０９３、特開昭５
８−５６８９２、特開昭５８−１１２７９０、特開昭５
８−１１４９８９、特開昭５９−８５７９１、特開昭６
０−８３２３６、特開昭６０−８９８４２、特開昭６１
−２５８８６各号公報で開示のものがある。
【０００４】また、フタロシアニン色素を記録材料とし
て用いたものとして、特開昭６１−１５０２４３、特開
昭６１−１７７２８７、特開昭６１−１５４８８８、特
開昭６１−２４６０９、特開昭６２−３９２８６、特開
昭６３−３７９９１、特開昭６３−３９８８８各号公報
で開示のものがある。
て用いたものとして、特開昭６１−１５０２４３、特開
昭６１−１７７２８７、特開昭６１−１５４８８８、特
開昭６１−２４６０９、特開昭６２−３９２８６、特開
昭６３−３７９９１、特開昭６３−３９８８８各号公報
で開示のものがある。
【０００５】また、とりわけ追記型コンパクトディスク
の従来技術につき、シアニン色素＋金属反射層を記録材
としたものとして、特開平１−１５９８４２、特開平２
−４２６５２、特開平２−１３６５６、特開平２−１６
８４４６各号公報で開示のものがある。
の従来技術につき、シアニン色素＋金属反射層を記録材
としたものとして、特開平１−１５９８４２、特開平２
−４２６５２、特開平２−１３６５６、特開平２−１６
８４４６各号公報で開示のものがある。
【０００６】また、フタロシアニン色素＋金属反射層を
記録材としたものとして、特開平１−１７６５８５、特
開平３−２１５４６６、特開平４−１１３８８６、特開
平４−２２６３９０、特開平５−１２７２、特開平５−
１７１０５２、特開平５−１１６４５６、特開平５−９
６８６０、特開平５−１３９０４４各号公報で開示のも
のがある。
記録材としたものとして、特開平１−１７６５８５、特
開平３−２１５４６６、特開平４−１１３８８６、特開
平４−２２６３９０、特開平５−１２７２、特開平５−
１７１０５２、特開平５−１１６４５６、特開平５−９
６８６０、特開平５−１３９０４４各号公報で開示のも
のがある。
【０００７】さらに、アゾ金属キレート色素＋金属反射
層を記録材としたものとして、特開平４−４６１８６、
特開平４−１４１４８９、特開平４−３６１０８８、特
開平５−２７９５８０各号公報で開示のものがある。
層を記録材としたものとして、特開平４−４６１８６、
特開平４−１４１４８９、特開平４−３６１０８８、特
開平５−２７９５８０各号公報で開示のものがある。
【０００８】前記のような現在の追記型光ディスクシス
テム（ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ）では、使用レーザーの発振
波長が７７０〜７９０ｎｍにあり、記録体は上記波長で
記録、再生が可能なように設定されている。
テム（ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ）では、使用レーザーの発振
波長が７７０〜７９０ｎｍにあり、記録体は上記波長で
記録、再生が可能なように設定されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
追記型光ディスクシステムの記録材料に用いられるフタ
ロシアニン化合物は、その安定性（熱、光）が極めて高
いため、情報記録感度が低く記録に時間を要している。
また、有機溶剤への溶解性が乏しく、従来は蒸着法しか
薄膜化はできず生産性にすぐれないという問題があっ
た。基板上に有機色素、金属反射層、保護層を順次積層
してなるＣＤ−Ｒ媒体は、そのＣＤ規格を満足するには
高い反射率を必要とし、そのため再生波長域（７７０〜
８３０ｎｍ）に高い屈折率を有し、かつ安定性の高い有
機色素の開発が必要である。
追記型光ディスクシステムの記録材料に用いられるフタ
ロシアニン化合物は、その安定性（熱、光）が極めて高
いため、情報記録感度が低く記録に時間を要している。
また、有機溶剤への溶解性が乏しく、従来は蒸着法しか
薄膜化はできず生産性にすぐれないという問題があっ
た。基板上に有機色素、金属反射層、保護層を順次積層
してなるＣＤ−Ｒ媒体は、そのＣＤ規格を満足するには
高い反射率を必要とし、そのため再生波長域（７７０〜
８３０ｎｍ）に高い屈折率を有し、かつ安定性の高い有
機色素の開発が必要である。
【００１０】さらに今後、情報量の増大に伴い、記録媒
体の大容量化への流れは必須である。従って記録、再生
に用いるレーザー波長が短波長化することも必然的に起
こってくることが容易に予想される。しかしながら、耐
光性、保存安定性に優れ７００ｎｍ以下のレーザーを用
いた光ピックアップで記録、再生が可能な記録材料は、
今だ開発されていないのが現状である。
体の大容量化への流れは必須である。従って記録、再生
に用いるレーザー波長が短波長化することも必然的に起
こってくることが容易に予想される。しかしながら、耐
光性、保存安定性に優れ７００ｎｍ以下のレーザーを用
いた光ピックアップで記録、再生が可能な記録材料は、
今だ開発されていないのが現状である。
【００１１】また、現在のＣＤ−Ｒディスクシステム
は、使用レーザーの発振波長が７７０〜７９０ｎｍで、
記録、再生が行えるように構成されている。このシステ
ムも上記同様に、大容量化、記録、再生波長の短波長化
は必須である。現在のＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭは、基板自
体の凹凸にアルミニウム（以下、Ａｌ）がコーティング
してあり、Ａｌの反射率の波長依存性が小さいため、将
来、レーザー波長が短波長化されても再生は可能であ
る。しかしながら、ＣＤ−Ｒは記録層に６８０〜７５０
ｎｍに最大吸収波長を有する色素を用い、その光学定数
及び膜厚構成から７７０〜７９０ｎｍに高い反射率が得
られるように設定してあるため、７００ｎｍ以下の波長
域では反射率は極めて低く、レーザー波長の短波長化に
対応できず現在のＣＤ−Ｒシステムで記録、再生してい
る情報が、将来のシステムでは再生できない事態を招く
おそれがあった。
は、使用レーザーの発振波長が７７０〜７９０ｎｍで、
記録、再生が行えるように構成されている。このシステ
ムも上記同様に、大容量化、記録、再生波長の短波長化
は必須である。現在のＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭは、基板自
体の凹凸にアルミニウム（以下、Ａｌ）がコーティング
してあり、Ａｌの反射率の波長依存性が小さいため、将
来、レーザー波長が短波長化されても再生は可能であ
る。しかしながら、ＣＤ−Ｒは記録層に６８０〜７５０
ｎｍに最大吸収波長を有する色素を用い、その光学定数
及び膜厚構成から７７０〜７９０ｎｍに高い反射率が得
られるように設定してあるため、７００ｎｍ以下の波長
域では反射率は極めて低く、レーザー波長の短波長化に
対応できず現在のＣＤ−Ｒシステムで記録、再生してい
る情報が、将来のシステムでは再生できない事態を招く
おそれがあった。
【００１２】本発明は、前記のような従来技術における
問題点を解決するためなされたもので、記録感度を高め
高速記録を実現するとともに、有機溶剤への溶解性を高
め生産性の高い溶剤塗工可能なホルマザン金属キレート
化合物を提供し、高密度記録が可能な記録媒体を提供
し、安定性が高く７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を有
するホルマザン金属キレート化合物を提供し、保存安定
性、再生安定性の高い高反射率の光記録媒体を提供する
ことを目的とする。
問題点を解決するためなされたもので、記録感度を高め
高速記録を実現するとともに、有機溶剤への溶解性を高
め生産性の高い溶剤塗工可能なホルマザン金属キレート
化合物を提供し、高密度記録が可能な記録媒体を提供
し、安定性が高く７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を有
するホルマザン金属キレート化合物を提供し、保存安定
性、再生安定性の高い高反射率の光記録媒体を提供する
ことを目的とする。
【００１３】とりわけ本発明は、短波長に発振波長を有
する半導体レーザーを用いる高密度光ディスクシステム
に適用可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体中
の記録材料を提供するとともに、ＣＤ−Ｒ媒体用の記録
材料を提供することを目的とする。
する半導体レーザーを用いる高密度光ディスクシステム
に適用可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体中
の記録材料を提供するとともに、ＣＤ−Ｒ媒体用の記録
材料を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らが検討した結
果、記録層を特定の構造を有する色素を主成分とするこ
とにより、記録レーザ発振波長７７０〜８３０ｎｍを用
いるＣＤ−Ｒに適用できること、また、記録層を特定の
構造を有する色素を主成分とすることにより、記録レー
ザ発振波長６３０〜６９０ｎｍを用いる高密度ディスク
システムに適用可能なことを見いだし、さらに本発明の
高密度ディスクシステム用化合物を現在のＣＤ−Ｒ用記
録材料として用いられている有機色素と混合して用いる
ことにより、７００ｎｍ以下の波長域にも高い反射率を
得ることが可能であることを見いだし本発明に至った。
果、記録層を特定の構造を有する色素を主成分とするこ
とにより、記録レーザ発振波長７７０〜８３０ｎｍを用
いるＣＤ−Ｒに適用できること、また、記録層を特定の
構造を有する色素を主成分とすることにより、記録レー
ザ発振波長６３０〜６９０ｎｍを用いる高密度ディスク
システムに適用可能なことを見いだし、さらに本発明の
高密度ディスクシステム用化合物を現在のＣＤ−Ｒ用記
録材料として用いられている有機色素と混合して用いる
ことにより、７００ｎｍ以下の波長域にも高い反射率を
得ることが可能であることを見いだし本発明に至った。
【００１５】前記目的を実現するため、本発明の請求項
１に係る光記録媒体は、基板上に直接又は下引き層を介
して記録層を設け、更に必要に応じて反射層、保護層を
設けてなる光記録媒体において、前記記録媒体中に、下
記一般式（１）で示されるホルマザン系化合物Ｆｎと、
一般式がＭＹで表される金属塩とかなるホルマザン金属
キレート化合物を、少なくとも一種類含有することを特
徴とする。
１に係る光記録媒体は、基板上に直接又は下引き層を介
して記録層を設け、更に必要に応じて反射層、保護層を
設けてなる光記録媒体において、前記記録媒体中に、下
記一般式（１）で示されるホルマザン系化合物Ｆｎと、
一般式がＭＹで表される金属塩とかなるホルマザン金属
キレート化合物を、少なくとも一種類含有することを特
徴とする。
【００１６】
【化２】
【００１７】但し、上記一般式（１）において、Ｘは置
換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の
アリール基を表し、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基を表し、Ｒ3〜Ｒ10はそれぞれ独立に、水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン
原子、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基等を表す。ま
た、上記一般式ＭＹにおいてＭは３族、４族、５族、６
族、７族、８族、９族、１０族の金属原子又はその酸化
物もしくはハロゲン化物を表し、Ｙは陰イオンを表す。
なお、置換基ＮＲ 1 Ｒ 2 は、Ｒ 1 とＲ 2 が連結して環を形成
してなる置換基である。）前記の構成によれば、高密度
記録媒体としての規範構造及び材料構成が可能になる。
換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の
アリール基を表し、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基を表し、Ｒ3〜Ｒ10はそれぞれ独立に、水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン
原子、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基等を表す。ま
た、上記一般式ＭＹにおいてＭは３族、４族、５族、６
族、７族、８族、９族、１０族の金属原子又はその酸化
物もしくはハロゲン化物を表し、Ｙは陰イオンを表す。
なお、置換基ＮＲ 1 Ｒ 2 は、Ｒ 1 とＲ 2 が連結して環を形成
してなる置換基である。）前記の構成によれば、高密度
記録媒体としての規範構造及び材料構成が可能になる。
【００１８】前記ホルマザン系化合物Ｆｎの置換基Ｒ3
〜Ｒ6のいずれかが、電子供与性であることとしてもよ
い。前記の構成のよれば、記録波長への整合に適した構
造が可能になる。
〜Ｒ6のいずれかが、電子供与性であることとしてもよ
い。前記の構成のよれば、記録波長への整合に適した構
造が可能になる。
【００１９】前記ホルマザン系化合物Ｆｎの置換基ＮＲ
1Ｒ2は、Ｒ1とＲ2が連結して環を形成してなる置換基で
あることとしたことにより、記録波長への整合に適した
構造が可能になる。
1Ｒ2は、Ｒ1とＲ2が連結して環を形成してなる置換基で
あることとしたことにより、記録波長への整合に適した
構造が可能になる。
【００２０】本発明の請求項２に係る光記録媒体は、請
求項１記載のものであって、前記ホルマザン系化合物Ｆ
ｎの置換基Ｘが、置換もしくは無置換のフェニル基であ
ることを特徴とする。前記の構成によれば、ＣＤ−Ｒ用
記録材料の最適構造が可能になる。
求項１記載のものであって、前記ホルマザン系化合物Ｆ
ｎの置換基Ｘが、置換もしくは無置換のフェニル基であ
ることを特徴とする。前記の構成によれば、ＣＤ−Ｒ用
記録材料の最適構造が可能になる。
【００２１】本発明の請求項３に係る光記録媒体は、請
求項１又は２記載のものであって、記録レーザー発振波
長が７７０〜８３０ｎｍであることを特徴とする。前記
の構成によれば、記録媒体を７７０〜８３０ｎｍの限定
した記録波長で記録することが可能になる。
求項１又は２記載のものであって、記録レーザー発振波
長が７７０〜８３０ｎｍであることを特徴とする。前記
の構成によれば、記録媒体を７７０〜８３０ｎｍの限定
した記録波長で記録することが可能になる。
【００２２】本発明の請求項４に係る光記録媒体は、請
求項１記載のものであって、前記ホルマザン系化合物Ｆ
ｎの置換基Ｘが、置換もしくは無置換のアルキル基であ
ることを特徴とする。前記の構成によれば、高密度ディ
スクシステム用記録材料の最適構造が可能になる。
求項１記載のものであって、前記ホルマザン系化合物Ｆ
ｎの置換基Ｘが、置換もしくは無置換のアルキル基であ
ることを特徴とする。前記の構成によれば、高密度ディ
スクシステム用記録材料の最適構造が可能になる。
【００２３】本発明の請求項５に係る光記録媒体は、請
求項１又は４記載のものであって、前記ホルマザン系化
合物Ｆｎに加え、７００〜７５０ｎｍに最大吸収波長を
有する色素との混合層を備えていることを特徴とする。
前記の構成によれば、現行システムで記録再生可能で、
かつ高密度ディスクシステムでも再生可能な光記録媒体
の基本構造及び材料構成が可能になる。
求項１又は４記載のものであって、前記ホルマザン系化
合物Ｆｎに加え、７００〜７５０ｎｍに最大吸収波長を
有する色素との混合層を備えていることを特徴とする。
前記の構成によれば、現行システムで記録再生可能で、
かつ高密度ディスクシステムでも再生可能な光記録媒体
の基本構造及び材料構成が可能になる。
【００２４】本発明の請求項６に係る光記録媒体は、請
求項５に記載の光記録媒体において、７００〜７５０ｎ
ｍに最大吸収波長を有する色素が、シアニン色素、フタ
ロシアニン色素もしくは、トリ（ジ）アリールメタン系
色素からなることを特徴とする。前記の構成によれば、
請求項５の光記録媒体の最適構造が可能になる。
求項５に記載の光記録媒体において、７００〜７５０ｎ
ｍに最大吸収波長を有する色素が、シアニン色素、フタ
ロシアニン色素もしくは、トリ（ジ）アリールメタン系
色素からなることを特徴とする。前記の構成によれば、
請求項５の光記録媒体の最適構造が可能になる。
【００２５】本発明の請求項７に係る光記録媒体は、請
求項１、４、５、６、７記載のものであって、記録レー
ザー発振波長が６３０〜６９０ｎｍであることを特徴と
する。前記の構成によれば、記録媒体を６３０〜６９０
ｎｍに限定した記録波長で記録することが可能になる。
求項１、４、５、６、７記載のものであって、記録レー
ザー発振波長が６３０〜６９０ｎｍであることを特徴と
する。前記の構成によれば、記録媒体を６３０〜６９０
ｎｍに限定した記録波長で記録することが可能になる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照して詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、この発明の好適な具現例の一部であり、
技術構成上好ましい種々の限定が付されているが、この
発明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもの
ではない。
を添付図を参照して詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、この発明の好適な具現例の一部であり、
技術構成上好ましい種々の限定が付されているが、この
発明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもの
ではない。
【００２７】本発明の光記録媒体では、種々の実施形態
が図１〜図４に示されるホルマザン系化合物Ｆｎと、多
数の実施形態が同じく図１〜図４に示される金属塩ＭＹ
とからなるホルマザン金属キレート化合物を、少なくと
も一種類含有させた記録材により記録層を形成する。こ
の記録層は、基板上に直接又は下引き層を介して設けら
れ、更に必要に応じて反射層、保護層を設けて光記録媒
体とする。
が図１〜図４に示されるホルマザン系化合物Ｆｎと、多
数の実施形態が同じく図１〜図４に示される金属塩ＭＹ
とからなるホルマザン金属キレート化合物を、少なくと
も一種類含有させた記録材により記録層を形成する。こ
の記録層は、基板上に直接又は下引き層を介して設けら
れ、更に必要に応じて反射層、保護層を設けて光記録媒
体とする。
【００２８】前記金属塩ＭＹを構成するＭの具体例とし
てはＳｃ，Ｙ等の３族原子、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等の４族
原子、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ等の５族原子、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等
の６族原子、Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ等の７族原子、Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｂ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ等の８
族原子、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の９族原子、Ｚｎ，Ｃｄ，
Ｈｇ等の１０族原子、又はこれらの酸化物もしくはフッ
化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等のハロゲン化物が挙
げられる。また、Ｙの具体例としては、図５に示すよう
な各陰イオンが挙げられる。
てはＳｃ，Ｙ等の３族原子、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等の４族
原子、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ等の５族原子、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等
の６族原子、Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ等の７族原子、Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｂ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ等の８
族原子、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の９族原子、Ｚｎ，Ｃｄ，
Ｈｇ等の１０族原子、又はこれらの酸化物もしくはフッ
化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等のハロゲン化物が挙
げられる。また、Ｙの具体例としては、図５に示すよう
な各陰イオンが挙げられる。
【００２９】Ｘ及びＲ3 〜Ｒ10のアルキル基の具体例と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基、ｎ−ヘプチ
ル基、ｎ−オクチル基一級アルキル基、イソブチル基、
イソアミル基、ｓｅｃ−ブチル基等の二級アルキル基、
ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の三級アルキル
基、シクロへキシル基、ボルニル基、イソボルニル基
（アダマンタン基）等のシクロアルキル基等が挙げられ
る。
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基、ｎ−ヘプチ
ル基、ｎ−オクチル基一級アルキル基、イソブチル基、
イソアミル基、ｓｅｃ−ブチル基等の二級アルキル基、
ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の三級アルキル
基、シクロへキシル基、ボルニル基、イソボルニル基
（アダマンタン基）等のシクロアルキル基等が挙げられ
る。
【００３０】更に、これら一級及び二級アルキル基は、
ヒドロキシル基あるいはハロゲン原子を以て置換されて
いてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前
記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を介して
置換されているアルキル基としては、メトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル
基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキ
シプロピル基等が、硫黄を介して置換されているアルキ
ル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジメチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基等が挙げられる。
ヒドロキシル基あるいはハロゲン原子を以て置換されて
いてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前
記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を介して
置換されているアルキル基としては、メトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル
基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキ
シプロピル基等が、硫黄を介して置換されているアルキ
ル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジメチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基等が挙げられる。
【００３１】Ｘ及びＲ3 〜Ｒ10のアリール基としては、
フェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノ
ニルフェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル基、ノニ
ルナフチル基等が挙げられる。なお、アリール基はヒド
ロキシル基やハロゲン等で置換されていてもよく、なお
酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アリール基で置
換されていてもよい。
フェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノ
ニルフェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル基、ノニ
ルナフチル基等が挙げられる。なお、アリール基はヒド
ロキシル基やハロゲン等で置換されていてもよく、なお
酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アリール基で置
換されていてもよい。
【００３２】酸素を介して置換されているアリール基と
しては、フェノキシエチル基、メトキシフェニル基、ブ
トキシフェニル基等が、硫黄を介して置換されているア
リール基としては、フェニルチオエチル基、メチルチオ
エチル基、ブチルチオエチル基等が、窒素を介して置換
されているアリール基としては、ジメチルアミノフェニ
ル基、ジブチルアミノフェニル基等が挙げられる。
しては、フェノキシエチル基、メトキシフェニル基、ブ
トキシフェニル基等が、硫黄を介して置換されているア
リール基としては、フェニルチオエチル基、メチルチオ
エチル基、ブチルチオエチル基等が、窒素を介して置換
されているアリール基としては、ジメチルアミノフェニ
ル基、ジブチルアミノフェニル基等が挙げられる。
【００３３】Ｒ1 及びＲ2 のアルキル基の具体例として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基一級アルキル基、イソブチル基、イ
ソアミル基、ｓｅｃ−ブチル基等の二級アルキル基、ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の三級アルキル
基、シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基
（アダマンタン基）等のシクロアルキル基等が挙げられ
る。
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基一級アルキル基、イソブチル基、イ
ソアミル基、ｓｅｃ−ブチル基等の二級アルキル基、ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の三級アルキル
基、シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基
（アダマンタン基）等のシクロアルキル基等が挙げられ
る。
【００３４】Ｒ1 及びＲ2 のアリール基としては、フェ
ニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニル
フェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル基、ノニルナ
フチル基等が挙げられる。
ニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニル
フェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル基、ノニルナ
フチル基等が挙げられる。
【００３５】また、Ｒ1 及びＲ2は連結して、ピペリジ
ノ基、モルホリノ基、ピペラジノ基、ピロリジノ基等の
複素環基を形成しているものとする。
ノ基、モルホリノ基、ピペラジノ基、ピロリジノ基等の
複素環基を形成しているものとする。
【００３６】本発明の光記録媒体の構成は、通常の追記
型光ディスクである図６〜図９の構造でもよく、あるい
は図６〜図９を２枚貼合わせたいわゆるエアーサンドイ
ッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよい。さらに、図
１０〜図１２に示されるような、ＣＤ−Ｒ用メディアの
構造としてもよい。
型光ディスクである図６〜図９の構造でもよく、あるい
は図６〜図９を２枚貼合わせたいわゆるエアーサンドイ
ッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよい。さらに、図
１０〜図１２に示されるような、ＣＤ−Ｒ用メディアの
構造としてもよい。
【００３７】前記記録体各層の特性及び構成材料例につ
き述べる。 ＜基板＞ 基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、記
録層側から記録、再生を行う場合基板は透明である必要
はない。基板材料としては例えば、ポリエステル、アク
リル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオ
レフイン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド等のプラスチック、ガラス、セラミックあるいは金
属等を用いることができる。尚、基板の表面にトラッキ
ング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信号等のプ
レフォーマットが形成されていてもよい。
き述べる。 ＜基板＞ 基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、記
録層側から記録、再生を行う場合基板は透明である必要
はない。基板材料としては例えば、ポリエステル、アク
リル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオ
レフイン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド等のプラスチック、ガラス、セラミックあるいは金
属等を用いることができる。尚、基板の表面にトラッキ
ング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信号等のプ
レフォーマットが形成されていてもよい。
【００３８】＜記録層＞
記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせ、その変化により情報を記録できるものであっ
て、この記録層中には本発明に係る色素が含有されてい
ることが必要で、記録層の形成にあたって本発明の色素
を１種、又は２種以上の組合せで用いてもよい。さら
に、本発明の上記色素は光学特性、記録感度、信号特性
等の向上の目的で他の有機色素及び金属、金属化合物と
混合又は積層化しても良い。
生じさせ、その変化により情報を記録できるものであっ
て、この記録層中には本発明に係る色素が含有されてい
ることが必要で、記録層の形成にあたって本発明の色素
を１種、又は２種以上の組合せで用いてもよい。さら
に、本発明の上記色素は光学特性、記録感度、信号特性
等の向上の目的で他の有機色素及び金属、金属化合物と
混合又は積層化しても良い。
【００３９】有機色素の例としては、ポリメチン色素、
ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウ
ム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン
系、アントレキノン（インダンスレン）系、キサンテン
系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトレヒドロ
コリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系染
料、及び金属キレート化合物等が挙げられ、上記の染料
を単独で用いてもよいし、２種以上の組合せにしてもよ
い。
ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウ
ム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン
系、アントレキノン（インダンスレン）系、キサンテン
系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトレヒドロ
コリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系染
料、及び金属キレート化合物等が挙げられ、上記の染料
を単独で用いてもよいし、２種以上の組合せにしてもよ
い。
【００４０】又、上記染料中に金属、金属化合物例え
ば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａ
ｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2 、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合
あるいは積層の形態で用いることもできる。さらに、上
記染料中に高分子材料例えば、アイオノマー樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリン
グ剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改
良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒
に用いることができる。
ば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａ
ｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2 、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合
あるいは積層の形態で用いることもできる。さらに、上
記染料中に高分子材料例えば、アイオノマー樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリン
グ剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改
良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒
に用いることができる。
【００４１】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には上記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよび、スピンコーティング等の慣用のコーティ
ング法によって行われる。
ＶＤまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には上記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよび、スピンコーティング等の慣用のコーティ
ング法によって行われる。
【００４２】用いられる有機溶剤としては一般にメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン
等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、へキサン、ペンタン、シクロへキサン、メチルシク
ロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン
等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、へキサン、ペンタン、シクロへキサン、メチルシク
ロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
【００４３】記録層の膜厚は１００Å〜１０μｍ、好ま
しくは２００Å〜２０００Åが適当である。
しくは２００Å〜２０００Åが適当である。
【００４４】＜下引き層＞
下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガス等の
バリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ）反
射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護、（ｆ）案内
溝、案内ビット、プレフォーマットの形成等を目的とし
て使用される。（ａ）の目的に対しては高分子材料例え
ば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の
種々の高分子物質及び、シランカップリング剤等を用い
ることができる。
バリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ）反
射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護、（ｆ）案内
溝、案内ビット、プレフォーマットの形成等を目的とし
て使用される。（ａ）の目的に対しては高分子材料例え
ば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の
種々の高分子物質及び、シランカップリング剤等を用い
ることができる。
【００４５】さらに（ｂ）及び（ｃ）の目的に対しては
上記高分子材料以外に無機化合物として例えばＳｉＯ、
ＭｇＦ、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等
を、金属又は半金属として例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等をそれぞれ用いる
ことができる。又、（ｄ）の目的に対しては金属として
例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等や、金属光沢を有する有機薄
膜、例えばメチン染料、キサンテン系染料等を用いるこ
とができ、（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては紫外線硬
化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることがで
きる。下引き層の膜厚としては０．０１〜３０μｍ、好
ましくは、０．０５〜１０μｍが適当である。
上記高分子材料以外に無機化合物として例えばＳｉＯ、
ＭｇＦ、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等
を、金属又は半金属として例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等をそれぞれ用いる
ことができる。又、（ｄ）の目的に対しては金属として
例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等や、金属光沢を有する有機薄
膜、例えばメチン染料、キサンテン系染料等を用いるこ
とができ、（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては紫外線硬
化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることがで
きる。下引き層の膜厚としては０．０１〜３０μｍ、好
ましくは、０．０５〜１０μｍが適当である。
【００４６】＜金属反射層＞
反射層は、単体で高反射率の得られる腐食されにくい金
属、半金属等が挙げられ、材料例としてはＡｕ、Ａｇ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、反射
率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好ましく、
これらの金属、半金属は単独で使用しても良く、２種の
合金としても良い。膜形成法としては蒸着、スパッタリ
ング等が挙げられ、膜厚としては５０〜５０００Å、好
ましくは１００〜３０００Åである。
属、半金属等が挙げられ、材料例としてはＡｕ、Ａｇ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、反射
率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好ましく、
これらの金属、半金属は単独で使用しても良く、２種の
合金としても良い。膜形成法としては蒸着、スパッタリ
ング等が挙げられ、膜厚としては５０〜５０００Å、好
ましくは１００〜３０００Åである。
【００４７】＜保護層、基板表面ハードコート層＞
保護層、又は基板面ハードコート層は、（ａ）傷、ホコ
リ、汚れ等からの記録層（反射吸収層）の保護、（ｂ）
記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（ｃ）反射
率の向上等を目的として使用される。これらの目的に対
しては、前記下引き層に示した材料を用いることができ
る。又、無機材料として、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 等も用いる
ことができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリ
エステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水
素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタ
ジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド
樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用
いることができる。
リ、汚れ等からの記録層（反射吸収層）の保護、（ｂ）
記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（ｃ）反射
率の向上等を目的として使用される。これらの目的に対
しては、前記下引き層に示した材料を用いることができ
る。又、無機材料として、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 等も用いる
ことができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリ
エステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水
素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタ
ジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド
樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用
いることができる。
【００４８】上記材料のうち保譲層、又は基板表面ハー
ドコート層に最も好ましい例としては、生産性に優れた
紫外線硬化樹脂がある。保護層又は基板面ハードコート
層の膜厚は０．０１〜３０μｍ好ましくは０．０５〜１
０μｍが適当である。本発明において、前記下引き層、
保護層、及び基板面ハードコート層には記録層の場合と
同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、
界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
ドコート層に最も好ましい例としては、生産性に優れた
紫外線硬化樹脂がある。保護層又は基板面ハードコート
層の膜厚は０．０１〜３０μｍ好ましくは０．０５〜１
０μｍが適当である。本発明において、前記下引き層、
保護層、及び基板面ハードコート層には記録層の場合と
同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、
界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
【００４９】以下に実施例を述べる。なお、以下で化合
物Ｎｏ．とあるのは、前記図１〜図４の化合物Ｎｏ．を
示している。 実施例１ 厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ基板上に、フォトポリマーに
て深さ１２００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ
１．４μｍの案内溝を形成した。ついで、この基板上
に、化合物Ｎｏ．１のテトラヒドロフラン溶液をスピン
ナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を形成し、記録媒体
とした。
物Ｎｏ．とあるのは、前記図１〜図４の化合物Ｎｏ．を
示している。 実施例１ 厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ基板上に、フォトポリマーに
て深さ１２００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ
１．４μｍの案内溝を形成した。ついで、この基板上
に、化合物Ｎｏ．１のテトラヒドロフラン溶液をスピン
ナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を形成し、記録媒体
とした。
【００５０】実施例２、３、参考例１、２、３、４、
５、６、実施例４ 実施例１における化合物Ｎｏ．１の代わりに、化合物Ｎ
ｏ．２、３、４、５、６、７、８、９、１０をそれぞれ
用い、実施例１と全く同様に記録媒体を形成した。
５、６、実施例４ 実施例１における化合物Ｎｏ．１の代わりに、化合物Ｎ
ｏ．２、３、４、５、６、７、８、９、１０をそれぞれ
用い、実施例１と全く同様に記録媒体を形成した。
【００５１】比較例１
実施例１における化合物Ｎｏ．１の代わりに、図１３に
示される比較例化合物Ｒｅｆｃ１を用い、実施例１と全
く同様に記録媒体を形成した
示される比較例化合物Ｒｅｆｃ１を用い、実施例１と全
く同様に記録媒体を形成した
【００５２】記録条件：
レーザー発振波長：７８０ｎｍ
記録周波数 ：１．２５ＭＨｚ
記録線速 ：１．２ｍ／ｓｅｃ．
再生条件：
レーザー発振波長：７８０ｎｍ
再生パワー ：０．２５〜０．３ｍＷの連続光
スキャニングバンド幅：３０ＫＨｚ
耐侯テスト条件：
耐光テスト ：４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、５０時間連続照射
保存テスト ：８５℃・８５％、７２０時間放置
【００５３】評価結果は図１３に示される。各実施例１
〜４、および参考例１〜６は、反射率、Ｃ／Ｎ比とも
に、既存の比較例１よりも優れている。
〜４、および参考例１〜６は、反射率、Ｃ／Ｎ比とも
に、既存の比較例１よりも優れている。
【００５４】参考例７
深さ１０００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出形成
ポリカーボネート基板上に、化合物Ｎｏ．１１をメチル
シクロへキサン、２−メトキシエタノール、メチルエチ
ルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液
をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの有機色素層を形
成し、次いでスパッタ法により金２０００Åの反射層を
設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて５
μｍの保護層を設け記録媒体とした。
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出形成
ポリカーボネート基板上に、化合物Ｎｏ．１１をメチル
シクロへキサン、２−メトキシエタノール、メチルエチ
ルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液
をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの有機色素層を形
成し、次いでスパッタ法により金２０００Åの反射層を
設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて５
μｍの保護層を設け記録媒体とした。
【００５５】参考例８、９、実施例５、６、７、参考例
１０、１１、実施例８、９ 参考例７における化合物Ｎｏ．１１の代わりに化合物Ｎ
ｏ．１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１
９、２０をそれぞれ用い、参考例７と全く同様に記録媒
体を得た。
１０、１１、実施例８、９ 参考例７における化合物Ｎｏ．１１の代わりに化合物Ｎ
ｏ．１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１
９、２０をそれぞれ用い、参考例７と全く同様に記録媒
体を得た。
【００５６】比較例２参考例７
で有機薄膜として、化合物Ｎｏ．１１の代わり
に図１４に示される比較例化合物Ｒｅｆｃ１を用いて記
録媒体とした。
に図１４に示される比較例化合物Ｒｅｆｃ１を用いて記
録媒体とした。
【００５７】記録条件：この記録体に発振波長７８０ｎ
ｍ、ビーム径１．４μｍの半導体レーザー光を用い、ト
ラッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ
／ｓｅｃ．）、同じレーザーの連続光で再生し、再生波
形を観察した。
ｍ、ビーム径１．４μｍの半導体レーザー光を用い、ト
ラッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ
／ｓｅｃ．）、同じレーザーの連続光で再生し、再生波
形を観察した。
【００５８】評価結果は図１４に示される。実施例５〜
９および参考例７〜１１においては、反射率、再生波形
ともに、既存の比較例２よりも優れている。
９および参考例７〜１１においては、反射率、再生波形
ともに、既存の比較例２よりも優れている。
【００５９】実施例１０
厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ基板上に、フォトポリマーに
て探さ１２００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ
１．４μｍの案内溝を形成した。ついで、この基板上
に、化合物Ｎｏ．２１のテトラヒドロフラン溶液をスピ
ンナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を形成し、記録媒
体とした。
て探さ１２００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ
１．４μｍの案内溝を形成した。ついで、この基板上
に、化合物Ｎｏ．２１のテトラヒドロフラン溶液をスピ
ンナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を形成し、記録媒
体とした。
【００６０】実施例１１、１２、参考例１２、１３、１
４、１５、１６、１７、実施例１３ それぞれ、化合物Ｎｏ．２２、２３、２４、２５、２
６、２７、２８、２９、３０を用い、実施例１０と全く
同様に記録媒体を形成した。
４、１５、１６、１７、実施例１３ それぞれ、化合物Ｎｏ．２２、２３、２４、２５、２
６、２７、２８、２９、３０を用い、実施例１０と全く
同様に記録媒体を形成した。
【００６１】比較例３実施例１０
において、化合物Ｎｏ．２１の代わりに、図
１５に示される比較例化合物Ｒｅｆｃ１を用いて実施例
１０と全く同様に記録媒体を形成した。
１５に示される比較例化合物Ｒｅｆｃ１を用いて実施例
１０と全く同様に記録媒体を形成した。
【００６２】記録条件：
レーザー発振波長：６３５ｎｍ
記録周波数 ：１．２５ＭＨｚ
記録線速 ：１．２ｍ／ｓｅｃ．
再生条件：
レーザー発振波長：６３５ｎｍ
再生パワー ：０．２５〜０．３ｍＷの連続光
スキャニングバンド幅：３０ＫＨｚ
耐侯テスト条件：
耐光テスト ：４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、５０時間連続照射
保存テスト ：８５℃・８５％、７２０時間放置
【００６３】評価結果は図１５に示される。実施例１０
〜１３、参考例１２〜１７においては、反射率、Ｃ／Ｎ
比ともに、既存の比較例３よりも優れている。
〜１３、参考例１２〜１７においては、反射率、Ｃ／Ｎ
比ともに、既存の比較例３よりも優れている。
【００６４】参考例１８
深さ１０００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出形成
ポリカーボネート基板上に、化合物Ｎｏ．３１をメチル
シクロへキサン、２−メトキシエタノール、メチルエチ
ルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液
をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの有機色素層を形
成し、次いでスバッタ法により金２０００Åの反射層を
設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて５
μｍの保護層を設け記録媒体とした。
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出形成
ポリカーボネート基板上に、化合物Ｎｏ．３１をメチル
シクロへキサン、２−メトキシエタノール、メチルエチ
ルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液
をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの有機色素層を形
成し、次いでスバッタ法により金２０００Åの反射層を
設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて５
μｍの保護層を設け記録媒体とした。
【００６５】参考例１９、２０、実施例１４、１５、１
６、参考例２１、２２、実施例１７、１８ 参考例１８ において、化合物Ｎｏ．３１の代わりに化合
物Ｎｏ．３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、
３９、４０をそれぞれ用い、参考例１８と全く同様に記
録媒体を得た。
６、参考例２１、２２、実施例１７、１８ 参考例１８ において、化合物Ｎｏ．３１の代わりに化合
物Ｎｏ．３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、
３９、４０をそれぞれ用い、参考例１８と全く同様に記
録媒体を得た。
【００６６】比較例４参考例１８において、
有機薄膜として、化合物Ｎｏ．３
１の代わりに化合物Ｒｅｆｃ１を用いて記録媒体とし
た。
１の代わりに化合物Ｒｅｆｃ１を用いて記録媒体とし
た。
【００６７】記録条件：この記録媒体に発振波長６５０
ｎｍ、ビーム径１．４μｍの半導体レーザー光を用い、
トラッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４
ｍ／ｓｅｃ．）、同じレーザーの連続光で再生し、再生
波形を観察した。
ｎｍ、ビーム径１．４μｍの半導体レーザー光を用い、
トラッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４
ｍ／ｓｅｃ．）、同じレーザーの連続光で再生し、再生
波形を観察した。
【００６８】評価結果は図１６に示される。実施例１４
〜１８、参考例１８〜２２においては、反射率、再生波
形ともに、既存の比較例４よりも優れている。
〜１８、参考例１８〜２２においては、反射率、再生波
形ともに、既存の比較例４よりも優れている。
【００６９】実施例１９
深さ１０００Å、半値幅０．４５μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出形成
ポリカーボネート基板上に、図１７に示される化合物Ｒ
ｅｆｃ２と化合物Ｎｏ．２１とを、重量比（１／１）の
メチルシクロヘキサン、２−メトキシエタノール、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解し
てスピンナー塗布し、厚さ１７００Åの有機色素層を形
成し、次いでスパッタ法により金２０００Åの反射層を
形成し、さらにその上にアクリル系フォトポリマーで６
μｍの保護層を設け、記録媒体とした。
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出形成
ポリカーボネート基板上に、図１７に示される化合物Ｒ
ｅｆｃ２と化合物Ｎｏ．２１とを、重量比（１／１）の
メチルシクロヘキサン、２−メトキシエタノール、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解し
てスピンナー塗布し、厚さ１７００Åの有機色素層を形
成し、次いでスパッタ法により金２０００Åの反射層を
形成し、さらにその上にアクリル系フォトポリマーで６
μｍの保護層を設け、記録媒体とした。
【００７０】実施例２０、２１、参考例２３、２４ 実施例１９
において、記録層を化合物Ｎｏ．２１の代わ
りに、化合物Ｎｏ．２２、２３、２４、２５をそれぞれ
用い、化合物Ｒｅｆｃ２と混合して実施例１９と全く同
じ様に記録媒体を得た。
りに、化合物Ｎｏ．２２、２３、２４、２５をそれぞれ
用い、化合物Ｒｅｆｃ２と混合して実施例１９と全く同
じ様に記録媒体を得た。
【００７１】比較例５実施例１９
において、有機記録層を、化合物Ｒｅｆｃ２
のみとして、実施例１９と同様に記録媒体を得た。
のみとして、実施例１９と同様に記録媒体を得た。
【００７２】記録条件：この記録媒体に発振波長７８０
ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザを用い、トラ
ッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／
ｓｅｃ）、同じレーザ及び発振波長６８０ｎｍ、ビーム
径１．４μｍの半導体レーザの連続光で再生し再生波形
を観察した。
ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザを用い、トラ
ッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／
ｓｅｃ）、同じレーザ及び発振波長６８０ｎｍ、ビーム
径１．４μｍの半導体レーザの連続光で再生し再生波形
を観察した。
【００７３】評価結果は図１７に示される。実施例１９
〜２１、参考例２３、２４においては、発振波長６８０
ｎｍレーザによる反射率、再生波形ともに、既存の比較
例５よりも優れている。
〜２１、参考例２３、２４においては、発振波長６８０
ｎｍレーザによる反射率、再生波形ともに、既存の比較
例５よりも優れている。
【００７４】参考例２５、２６、２７、２８、実施例２
２ 実施例１９において、 記録層を化合物Ｎｏ．２１の代わ
りに、化合物Ｎｏ．２６、２７、２８、２９、３０をそ
れぞれ用い、化合物Ｒｅｆｃ２の代わりに図１８に示す
化合物Ｒｅｆｃ３を用いた以外は実施例１９と全く同じ
様に記録媒体を得た。
２ 実施例１９において、 記録層を化合物Ｎｏ．２１の代わ
りに、化合物Ｎｏ．２６、２７、２８、２９、３０をそ
れぞれ用い、化合物Ｒｅｆｃ２の代わりに図１８に示す
化合物Ｒｅｆｃ３を用いた以外は実施例１９と全く同じ
様に記録媒体を得た。
【００７５】比較例６実施例１９において
、有機記録層を、化合物Ｒｅｆｃ３
のみとして、実施例１９と同様に記録媒体を得た。
のみとして、実施例１９と同様に記録媒体を得た。
【００７６】記録条件：この記録媒体に発振波長７８０
ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザを用い、トラ
ッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／
ｓｅｃ）、同じレーザ及び発振波長６８０ｎｍ、ビーム
径１．４μｍの半導体レーザの連続光で再生し再生波形
を観察した。
ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザを用い、トラ
ッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／
ｓｅｃ）、同じレーザ及び発振波長６８０ｎｍ、ビーム
径１．４μｍの半導体レーザの連続光で再生し再生波形
を観察した。
【００７７】評価結果は図１８に示される。参考例２５
〜２８、実施例２２においては、発振波長６８０ｎｍレ
ーザによる反射率、再生波形ともに、既存の比較例６よ
りも優れている。
〜２８、実施例２２においては、発振波長６８０ｎｍレ
ーザによる反射率、再生波形ともに、既存の比較例６よ
りも優れている。
【００７８】参考例２９、３０、３１、実施例２３、２
４ 実施例１９において 、記録層を化合物Ｎｏ．２１の代わ
りに、化合物Ｎｏ．３１、３２、３３、３４、３５をそ
れぞれ用い、化合物Ｒｅｆｃ２の代わりに図１９に示す
化合物Ｒｅｆｃ４を用いた以外は実施例１９と全く同じ
様に記録媒体を得た。
４ 実施例１９において 、記録層を化合物Ｎｏ．２１の代わ
りに、化合物Ｎｏ．３１、３２、３３、３４、３５をそ
れぞれ用い、化合物Ｒｅｆｃ２の代わりに図１９に示す
化合物Ｒｅｆｃ４を用いた以外は実施例１９と全く同じ
様に記録媒体を得た。
【００７９】比較例７実施例１９において
、有機記録層を化合物Ｒｅｆｃ４の
みとして、実施例１９と同様に記録媒体を得た。
みとして、実施例１９と同様に記録媒体を得た。
【００８０】記録条件：この記録媒体に発振波長７８０
ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザを用い、トラ
ッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／
ｓｅｃ）、同じレーザ及び発振波長６８０ｎｍ、ビーム
径１．４μｍの半導体レーザの連続光で再生し再生波形
を観察した。
ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導体レーザを用い、トラ
ッキングしながらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／
ｓｅｃ）、同じレーザ及び発振波長６８０ｎｍ、ビーム
径１．４μｍの半導体レーザの連続光で再生し再生波形
を観察した。
【００８１】評価結果は図１９に示される。実施例２９
〜３１、参考例２３、２４においては、発振波長６８０
ｎｍレーザによる反射率、再生波形ともに、既存の比較
例７よりも優れている。
〜３１、参考例２３、２４においては、発振波長６８０
ｎｍレーザによる反射率、再生波形ともに、既存の比較
例７よりも優れている。
【００８２】
【発明の効果】上記の通り本発明によれば、ＣＤ−Ｒ用
７７０〜８３０ｎｍ、又は、次世代の高密度光ディスク
システム用６３０〜６９０ｎｍの波長域のレーザ光で記
録、再生が可能で耐光性、保存安定性に優れた情報記録
媒体が提供できた。また、上記一般式（１）で示される
記録材料の安定な構造が提供できた。
７７０〜８３０ｎｍ、又は、次世代の高密度光ディスク
システム用６３０〜６９０ｎｍの波長域のレーザ光で記
録、再生が可能で耐光性、保存安定性に優れた情報記録
媒体が提供できた。また、上記一般式（１）で示される
記録材料の安定な構造が提供できた。
【００８３】請求項２により、ＣＤ−Ｒ用記録材料とし
ての最適構造が提供できた。また、請求項４により、次
世代の高密度光ディスクシステム用記録材料としての最
適構造が提供できた。さらには、請求項５の記録媒体
で、現状システムでのＣＤ−Ｒとして使用でき、かつ次
世代の高密度光ディスクシステムとなっても、記録され
た情報を再生可能な情報記録媒体が提供できた。
ての最適構造が提供できた。また、請求項４により、次
世代の高密度光ディスクシステム用記録材料としての最
適構造が提供できた。さらには、請求項５の記録媒体
で、現状システムでのＣＤ−Ｒとして使用でき、かつ次
世代の高密度光ディスクシステムとなっても、記録され
た情報を再生可能な情報記録媒体が提供できた。
【００８４】請求項７は、請求項５の最適構造であり、
これにより高品位の信号特性が記録可能となった。さら
に、請求項３又は７により記録波長の限定をすること
で、新規な記録法、記録媒体の提供が可能となった。
これにより高品位の信号特性が記録可能となった。さら
に、請求項３又は７により記録波長の限定をすること
で、新規な記録法、記録媒体の提供が可能となった。
【図１】本発明の光記録媒体に適用されるホルマザン系
化合物Ｆｎと金属塩ＭＹの実施形態の図である。
化合物Ｆｎと金属塩ＭＹの実施形態の図である。
【図２】図１に続くホルマザン系化合物Ｆｎと金属塩Ｍ
Ｙの実施形態の図である。
Ｙの実施形態の図である。
【図３】図２に続くホルマザン系化合物Ｆｎと金属塩Ｍ
Ｙの実施形態の図である。
Ｙの実施形態の図である。
【図４】図３に続くホルマザン系化合物Ｆｎと金属塩Ｍ
Ｙの実施形態の図である。
Ｙの実施形態の図である。
【図５】図１〜図４に示される金属塩ＭＹを構成するＹ
（陰イオン）の実施例の図である。
（陰イオン）の実施例の図である。
【図６】本発明による追記型光記録媒体の構成例を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図７】本発明による追記型光記録媒体の別の構成例を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図８】本発明による追記型光記録媒体の更に別の構成
例を示す模式断面図である。
例を示す模式断面図である。
【図９】本発明による追記型光記録媒体の更に別の構成
例を示す模式断面図である。
例を示す模式断面図である。
【図１０】本発明によるＣＤ−Ｒ用光記録媒体の構成例
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図１１】本発明によるＣＤ−Ｒ用光記録媒体の別の構
成例を示す模式断面図である。
成例を示す模式断面図である。
【図１２】本発明によるＣＤ−Ｒ用光記録媒体の更に別
の構成例を示す模式断面図である。
の構成例を示す模式断面図である。
【図１３】実施例１〜４、参考例１〜６、および比較例
１に係る光記録媒体の性能を示す図である。
１に係る光記録媒体の性能を示す図である。
【図１４】実施例５〜９、参考例７〜１１、および比較
例２に係る光記録媒体の性能を示す図である。
例２に係る光記録媒体の性能を示す図である。
【図１５】実施例１０〜１３、参考例１２〜１７、およ
び比較例３に係る光記録媒体の性能を示す図である。
び比較例３に係る光記録媒体の性能を示す図である。
【図１６】実施例１４〜１８、参考例１８〜２２、およ
び比較例４に係る光記録媒体の性能を示す図である。
び比較例４に係る光記録媒体の性能を示す図である。
【図１７】実施例１９〜２１、参考例２３、２４、およ
び比較例５に係る光記録媒体の性能を示す図である。
び比較例５に係る光記録媒体の性能を示す図である。
【図１８】実施例２２、参考例２５〜２８、および比較
例６に係る光記録媒体の性能を示す図である。
例６に係る光記録媒体の性能を示す図である。
【図１９】実施例２３、２４、参考例２９〜３１、およ
び比較例７に係る光記録媒体の性能を示す図である。
び比較例７に係る光記録媒体の性能を示す図である。
Ｆｎ ホルマザン系化合物
ＭＹ 金属塩
１ 基板
２ 記録層
３ 下引き層
４ 保護層
５ ハードコート層
６ 金属反射層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 戸村 辰也
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(72)発明者 笹 登
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(72)発明者 東 康弘
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(56)参考文献 特開 平８−295079（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−144997（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−24997（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41M 5/26
G11B 7/24 516
ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
ＭＡＲＰＡＴ（ＳＴＮ)
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
層を設け、更に必要に応じて反射層、保護層を設けてな
る光記録媒体において、前記記録媒体中に、下記一般式
（１）で示されるホルマザン系化合物Ｆｎと一般式がＭ
Ｙで表される金属塩とからなるホルマザン金属キレート
化合物を少なくとも一種類含有することを特徴とする光
記録媒体。 【化１】 （ただし上記一般式（１）において、Ｘは置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ｒ3〜Ｒ10はそれぞれ独立に、水素原子、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、カルボキシ基等を表す。また、上記一般
式ＭＹにおいてＭは３族、４族、５族、６族、７族、８
族、９族、１０族の金属原子又はその酸化物もしくはハ
ロゲン化物を表し、Ｙは陰イオンを表す。なお、置換基
ＮＲ 1 Ｒ 2 は、Ｒ 1 とＲ 2 が連結して環を形成してなる置換
基である。） - 【請求項２】 前記ホルマザン系化合物Ｆｎの置換基Ｘ
が、置換もしくは無置換のフェニル基であることを特徴
とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録レーザー発振波長が７７０〜８３０
ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光
記録媒体。 - 【請求項４】 前記ホルマザン系化合物Ｆｎの置換基Ｘ
が、置換もしくは無置換のアルキル基であることを特徴
とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記ホルマザン系化合物Ｆｎに加え、７
００〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色素との混合
層を備えていることを特徴とする１又は４に記載の光記
録媒体。 - 【請求項６】 上記７００〜７５０ｎｍに最大吸収波長
を有する色素が、シアニン色素、フタロシアニン色素も
しくは、トリ（ジ）アリールメタン系色素からなること
を特徴とする請求項５に記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 記録レーザー発振波長が６３０〜６９０
ｎｍであることを特徴とする請求項１、請求項４乃至７
のいずれか一項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522797A JP3456621B2 (ja) | 1997-06-07 | 1997-06-07 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522797A JP3456621B2 (ja) | 1997-06-07 | 1997-06-07 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10337958A JPH10337958A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3456621B2 true JP3456621B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=15808280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16522797A Expired - Fee Related JP3456621B2 (ja) | 1997-06-07 | 1997-06-07 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456621B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7439008B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and, method and apparatus for optical recording and reproducing using optical recording medium |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645594B1 (en) | 1999-06-09 | 2003-11-11 | Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo | Formazan metal complex |
| US6762008B2 (en) * | 1999-07-06 | 2004-07-13 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| KR20020080417A (ko) * | 2000-12-19 | 2002-10-23 | (주)하야시바라 생물화학연구소 | 광흡수제 |
| JP4327668B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2009-09-09 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
-
1997
- 1997-06-07 JP JP16522797A patent/JP3456621B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7439008B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and, method and apparatus for optical recording and reproducing using optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10337958A (ja) | 1998-12-22 |
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