JP3486709B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に関する
ものであって、特に光ビームを照射することにより、記
録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒
体に関するものである。
ものであって、特に光ビームを照射することにより、記
録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の追記光型ディスクシステム（ＷＯ
ＲＭ、ＣＤ−Ｒ）では、使用レーザの発振波長が７７０
ｎｍ〜７９０ｎｍにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提
案がなされている（例えば、シアニン色素を記録材料と
して用いたものには、特開昭５７−８２０９３号、特開
昭５８−５６８９２号、特開昭５８−１１２７９０号、
特開昭５８−１１４９８９号、特開昭５９−８５７９１
号、特開昭６０−８３２３６号、特開昭６０−８９８４
２号、特開昭６１−２５８８６号各公報等が、また、フ
タロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特
開昭６１−１５０２４３号、特開昭６１−１７７２８７
号、特開昭６１−１５４８８８号、特開昭６１−２４６
０９１号、特開昭６２−３９２８６号、特開昭６３−３
７７９１号、特開昭６３−３９８８８号各公報等があ
る）が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ７００ｎｍ以
下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能
な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
ＲＭ、ＣＤ−Ｒ）では、使用レーザの発振波長が７７０
ｎｍ〜７９０ｎｍにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提
案がなされている（例えば、シアニン色素を記録材料と
して用いたものには、特開昭５７−８２０９３号、特開
昭５８−５６８９２号、特開昭５８−１１２７９０号、
特開昭５８−１１４９８９号、特開昭５９−８５７９１
号、特開昭６０−８３２３６号、特開昭６０−８９８４
２号、特開昭６１−２５８８６号各公報等が、また、フ
タロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特
開昭６１−１５０２４３号、特開昭６１−１７７２８７
号、特開昭６１−１５４８８８号、特開昭６１−２４６
０９１号、特開昭６２−３９２８６号、特開昭６３−３
７７９１号、特開昭６３−３９８８８号各公報等があ
る）が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ７００ｎｍ以
下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能
な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
【０００３】現在のＣＤ−Ｒディスクシステムも、使用
レーザの発振波長である７７０ｎｍ〜７９０ｎｍで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は
必須である。この点、現在のＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭは、
基板自体の凹凸上にＡｌがコーティングしてあり、Ａｌ
の反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長
が短波長化されても再生は可能である。しかしながら、
ＣＤ−Ｒは記録層に６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収
波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成か
ら７７０ｎｍ〜７９０ｎｍに高い反射率が得られる様設
定してあるため、７００ｎｍ以下の波長域では反射率は
極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在
のＣＤ−Ｒシステムで記録、再生している情報が、将来
のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでＣＤ
−Ｒとして、シアニン色素／金属反射層、フタロシアニ
ン色素／金属反射層又はアゾ金属キレート色素／金属反
射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされ
ている（例えば、シアニン色素／金属反射層を記録材料
として用いたものには、特開平１−１５９８４２号、特
開平２−４２６５２号、特開平２−１３６５６号、特開
平２−１６８４４６号各公報等が、フタロシアニン色素
を記録材料として用いたものには、特開平１−１７６５
８５号、特開平３−２１５４６６号、特開平４−１１３
８８６号、特開平４−２２６３９０号、特開平５−１２
７２号、特開平５−１７１０５２号、特開平５−１１６
４５６号、特開平５−６９８６０号、特開平５−１３９
０４４号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録
材料として用いたものには、特開平４−４６１８６号、
特開平４−１４１４８９号、特開平４−３６１０８８
号、特開平５−２７９５８０号各公報等がある）が、こ
のような点に解決を与えるものは未だ見出されていな
い。
レーザの発振波長である７７０ｎｍ〜７９０ｎｍで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は
必須である。この点、現在のＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭは、
基板自体の凹凸上にＡｌがコーティングしてあり、Ａｌ
の反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長
が短波長化されても再生は可能である。しかしながら、
ＣＤ−Ｒは記録層に６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収
波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成か
ら７７０ｎｍ〜７９０ｎｍに高い反射率が得られる様設
定してあるため、７００ｎｍ以下の波長域では反射率は
極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在
のＣＤ−Ｒシステムで記録、再生している情報が、将来
のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでＣＤ
−Ｒとして、シアニン色素／金属反射層、フタロシアニ
ン色素／金属反射層又はアゾ金属キレート色素／金属反
射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされ
ている（例えば、シアニン色素／金属反射層を記録材料
として用いたものには、特開平１−１５９８４２号、特
開平２−４２６５２号、特開平２−１３６５６号、特開
平２−１６８４４６号各公報等が、フタロシアニン色素
を記録材料として用いたものには、特開平１−１７６５
８５号、特開平３−２１５４６６号、特開平４−１１３
８８６号、特開平４−２２６３９０号、特開平５−１２
７２号、特開平５−１７１０５２号、特開平５−１１６
４５６号、特開平５−６９８６０号、特開平５−１３９
０４４号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録
材料として用いたものには、特開平４−４６１８６号、
特開平４−１４１４８９号、特開平４−３６１０８８
号、特開平５−２７９５８０号各公報等がある）が、こ
のような点に解決を与えるものは未だ見出されていな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なＣＤ−Ｒ媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なＣＤ−Ｒ媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長７００ｎｍ以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、本発明を完成するに至った。
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長７００ｎｍ以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式（Ｉ）で示される
アゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からなるアゾ金属
キレート化合物の少なくとも１種を含有してなることを
特徴とする光記録媒体が提供される。
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式（Ｉ）で示される
アゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からなるアゾ金属
キレート化合物の少なくとも１種を含有してなることを
特徴とする光記録媒体が提供される。
【化１】
（上式中のＸ、Ｙ、Ｒ１〜Ｒ５及びＭＺ中のＭ、Ｚは、
それぞれ以下のものを表す。 Ｘ：＞ＮＲ６基又はＯ原子 Ｒ６：水素原子又はアルキル基、 Ｙ：−ＯＨ基、−ＣＯＯＨ基又は−ＣＯＮＨ２基、Ｒ １ 〜Ｒ ３ 、Ｒ ５ ：それぞれ独立に、水素原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のアルケニル基、アルコキ
シ基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
トリフッ化メチル基又はカルボキシ基、但し、Ｒ１〜Ｒ
５全部が同時に水素原子となることはない、Ｒ ４ ：−ＮＲ ７ （Ｒ ８ ）で示されるアミノ基若しくはア
ミノ基誘導体（但し、Ｒ ７ 及びＲ ８ はそれぞれ独立に水
素原子、アルキル基又はアリール基を表す。）、水酸基
又はアルコキシ基、 Ｍ：３族、４族、５族、６族、７族、８族、９族若しく
は１０族の金属原子、又はその酸化物若しくはハロゲン
化物、 Ｚ：陰イオン。） 第二に、前記一般式（Ｉ）中の置換基Ｒ ２ が電子供与性
基である請求項１に記載の光記録媒体が提供される。 第三に、前記記録層が前記一般式（Ｉ）で示される化合
物の少なくとも１種と６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸
収波長を有する有機色素とを含有してなることを特徴と
する上記第一又は第二に記載した光記録媒体が提供され
る。 第四に、前記６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収波長を
有する有機色素がシアニン色素、フタロシアニン色素及
びトリ（ジ）アリールメタン系化合物の少なくとも１種
である上記第三に記載した光記録媒体が提供される。 第五に、前記記録層が波長６３０〜７２０ｎｍのレーザ
光によって記録されるものである上記第一〜第四のいず
れかに記載した光記録媒体が提供される。
それぞれ以下のものを表す。 Ｘ：＞ＮＲ６基又はＯ原子 Ｒ６：水素原子又はアルキル基、 Ｙ：−ＯＨ基、−ＣＯＯＨ基又は−ＣＯＮＨ２基、Ｒ １ 〜Ｒ ３ 、Ｒ ５ ：それぞれ独立に、水素原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のアルケニル基、アルコキ
シ基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
トリフッ化メチル基又はカルボキシ基、但し、Ｒ１〜Ｒ
５全部が同時に水素原子となることはない、Ｒ ４ ：−ＮＲ ７ （Ｒ ８ ）で示されるアミノ基若しくはア
ミノ基誘導体（但し、Ｒ ７ 及びＲ ８ はそれぞれ独立に水
素原子、アルキル基又はアリール基を表す。）、水酸基
又はアルコキシ基、 Ｍ：３族、４族、５族、６族、７族、８族、９族若しく
は１０族の金属原子、又はその酸化物若しくはハロゲン
化物、 Ｚ：陰イオン。） 第二に、前記一般式（Ｉ）中の置換基Ｒ ２ が電子供与性
基である請求項１に記載の光記録媒体が提供される。 第三に、前記記録層が前記一般式（Ｉ）で示される化合
物の少なくとも１種と６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸
収波長を有する有機色素とを含有してなることを特徴と
する上記第一又は第二に記載した光記録媒体が提供され
る。 第四に、前記６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収波長を
有する有機色素がシアニン色素、フタロシアニン色素及
びトリ（ジ）アリールメタン系化合物の少なくとも１種
である上記第三に記載した光記録媒体が提供される。 第五に、前記記録層が波長６３０〜７２０ｎｍのレーザ
光によって記録されるものである上記第一〜第四のいず
れかに記載した光記録媒体が提供される。
【０００７】本発明の光記録媒体は、前記一般式（Ｉ）
で示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からな
るアゾ金属キレート化合物の少なくとも１種を含有する
記録層を設けたことから、７００ｎｍ以下の波長域のレ
ーザ光で記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存安
定性に優れたものとなり、また別の態様では、前記一般
式（Ｉ）で示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属
塩からなるアゾ金属キレート化合物の少なくとも１種
と、６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色
素との混合物からなる記録層を設けたことから、現状シ
ステムでのＣＤ−Ｒ媒体として使用でき、しかも次世代
の高密度光ディスクシステムとなっても、記載された情
報を再生することが可能なものとなる。
で示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からな
るアゾ金属キレート化合物の少なくとも１種を含有する
記録層を設けたことから、７００ｎｍ以下の波長域のレ
ーザ光で記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存安
定性に優れたものとなり、また別の態様では、前記一般
式（Ｉ）で示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属
塩からなるアゾ金属キレート化合物の少なくとも１種
と、６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色
素との混合物からなる記録層を設けたことから、現状シ
ステムでのＣＤ−Ｒ媒体として使用でき、しかも次世代
の高密度光ディスクシステムとなっても、記載された情
報を再生することが可能なものとなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、記録層中に下記一般式（Ｉ）で
示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からなる
アゾ金属キレート化合物の少なくとも１種を含有してな
ることを特徴とする。
本発明の光記録媒体は、記録層中に下記一般式（Ｉ）で
示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からなる
アゾ金属キレート化合物の少なくとも１種を含有してな
ることを特徴とする。
【化１】
【０００９】まず、本発明で使用する上記一般式（Ｉ）
で示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からな
るアゾ金属キレート化合物について説明すると、上記一
般式（Ｉ）において、Ｘは＞ＮＲ6基（但し、Ｒ6は水素
原子又はアルキル基を表す）、Ｏ原子又はＳ原子を表
し、Ｙは−ＯＨ基、−ＣＯＯＨ基又は−ＣＯＮＨ2基を
表し、Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立に、水素原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、アルコキシ
基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ト
リフッ化メチル基又はカルボキシ基を表す。また、ＭＺ
において、Ｍは３族、４族、５族、６族、７族、８族、
９族若しくは１０族の金属原子、又はその酸化物若しく
はハロゲン化物を表し、Ｚは陰イオンを表す。
で示されるアゾ系化合物とＭＺで表される金属塩からな
るアゾ金属キレート化合物について説明すると、上記一
般式（Ｉ）において、Ｘは＞ＮＲ6基（但し、Ｒ6は水素
原子又はアルキル基を表す）、Ｏ原子又はＳ原子を表
し、Ｙは−ＯＨ基、−ＣＯＯＨ基又は−ＣＯＮＨ2基を
表し、Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立に、水素原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、アルコキシ
基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ト
リフッ化メチル基又はカルボキシ基を表す。また、ＭＺ
において、Ｍは３族、４族、５族、６族、７族、８族、
９族若しくは１０族の金属原子、又はその酸化物若しく
はハロゲン化物を表し、Ｚは陰イオンを表す。
【００１０】上記金属塩ＭＺにおけるＭの具体例として
は、Ｓｃ、Ｙ等の３族原子、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の４族
原子、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等の５族原子、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等
の６族原子、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ等の７族原子、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等の８
族原子、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の９族原子、Ｚｎ、Ｃｄ、
Ｈｇ等の１０族原子、又はこれらの酸化物若しくはフッ
化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等のハロゲン化物が挙
げられる。
は、Ｓｃ、Ｙ等の３族原子、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の４族
原子、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等の５族原子、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等
の６族原子、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ等の７族原子、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等の８
族原子、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の９族原子、Ｚｎ、Ｃｄ、
Ｈｇ等の１０族原子、又はこれらの酸化物若しくはフッ
化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等のハロゲン化物が挙
げられる。
【００１１】また、Ｚの具体例としては、表１に示すよ
うなものが挙げられる。
うなものが挙げられる。
【表１】
【００１２】また、前記一般式（Ｉ）におけるＲ １ 〜Ｒ
３ 、Ｒ ５ 及びＲ ６ のアルキル基の具体例としては、次の
ものが挙げられる。メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−
デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ト
リデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オ
クタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等の
一級アルキル基；イソブチル基、イソアミル基、２−メ
チルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペン
チル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、
２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メ
チルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペ
ンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル
基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５
−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチ
ルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１
−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジ
メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチル
ブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチ
ルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−
メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピ
ルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル
基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチル−２
−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル
基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１
−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、
１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロ
ピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１
−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イ
ソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル基；ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシ
ル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の
三級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシクロ
ヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシ
ル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、
アダマンタン基等のシクロアルキル基等。
３ 、Ｒ ５ 及びＲ ６ のアルキル基の具体例としては、次の
ものが挙げられる。メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−
デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ト
リデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オ
クタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等の
一級アルキル基；イソブチル基、イソアミル基、２−メ
チルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペン
チル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、
２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メ
チルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペ
ンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル
基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５
−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチ
ルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１
−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジ
メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチル
ブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチ
ルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−
メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピ
ルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル
基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチル−２
−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル
基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１
−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、
１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロ
ピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１
−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イ
ソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル基；ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシ
ル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の
三級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシクロ
ヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシ
ル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、
アダマンタン基等のシクロアルキル基等。
【００１３】更に、これら一級及び二級アルキル基は、
ヒドロキシル基あるいはハロゲン原子を以て置換されて
いてもよく、また酸素、硫黄、窒素などの原子を介して
前記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を介し
置換されているアルキル基としては、メトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル
基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキ
シプロピル基などが、硫黄を介し置換されているアルキ
ル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基など
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基などが挙げられる。
ヒドロキシル基あるいはハロゲン原子を以て置換されて
いてもよく、また酸素、硫黄、窒素などの原子を介して
前記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を介し
置換されているアルキル基としては、メトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル
基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキ
シプロピル基などが、硫黄を介し置換されているアルキ
ル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基など
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基などが挙げられる。
【００１４】また、Ｒ １ 〜Ｒ ３ 及びＲ ５ のアリール基と
しては、フェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニ
ル基、ノニルフェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル
基、ノニルナフチル基等が挙げられる。なお、アリール
基はヒドロキシル基やハロゲン等で置換されていてもよ
く、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アリー
ル基で置換されていてもよい。酸素を介して置換されて
いるアリール基としては、フェノキシエチル基、メトキ
シフェニル基、ブトキシフェニル基等が、硫黄を介して
置換されているアリール基としては、フェニルチオエチ
ル基、メチルチオエチル基、ブチルチオエチル基等が、
窒素を介して置換されているアリール基としては、ジメ
チルアミノフェニル基、ジブチルアミノフェニル基等が
挙げられる。
しては、フェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニ
ル基、ノニルフェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル
基、ノニルナフチル基等が挙げられる。なお、アリール
基はヒドロキシル基やハロゲン等で置換されていてもよ
く、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アリー
ル基で置換されていてもよい。酸素を介して置換されて
いるアリール基としては、フェノキシエチル基、メトキ
シフェニル基、ブトキシフェニル基等が、硫黄を介して
置換されているアリール基としては、フェニルチオエチ
ル基、メチルチオエチル基、ブチルチオエチル基等が、
窒素を介して置換されているアリール基としては、ジメ
チルアミノフェニル基、ジブチルアミノフェニル基等が
挙げられる。
【００１５】また、Ｒ １ 〜Ｒ ３ 及びＲ ５ のアルケニル基
としては、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘ
キセニル基、オクテニル基、ドデセニル基、シクロヘキ
セニル基、ブチルヘキセニル基等が挙げられる。なお、
アルケニル基はヒドロキシル基やハロゲン原子等で置換
されていてもよい。
としては、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘ
キセニル基、オクテニル基、ドデセニル基、シクロヘキ
セニル基、ブチルヘキセニル基等が挙げられる。なお、
アルケニル基はヒドロキシル基やハロゲン原子等で置換
されていてもよい。
【００１６】前記一般式（Ｉ）で示されるアゾ系色素の
うち、置換基Ｒ１〜Ｒ５がすべて水素原子であるものと
金属塩とからなる金属キレート化合物は、その光吸収帯
が非常に短い。このため６００〜７５０ｎｍでの記録に
は適さない。ところが、Ｒ２、Ｒ４の位置にアルキル
基、アミノ基若しくはアルコキシ基といった電子供与性
基を導入すると吸収帯は長波長移動し、６００〜７５０
ｎｍでの記録に適するようになる。特に、一般式（Ｉ）
の置換基Ｒ４が、−ＮＲ ７ （Ｒ ８ ）で示されるアミノ基
又はアミノ基誘導体であるとき最適となる。この場合、
Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基若し
くはアリール基である。Ｒ７、Ｒ８のアルキル基若しく
はアリール基の具体例としては、前記Ｒ１〜Ｒ５の具体
例で用いたものと同様のものが挙げられる。
うち、置換基Ｒ１〜Ｒ５がすべて水素原子であるものと
金属塩とからなる金属キレート化合物は、その光吸収帯
が非常に短い。このため６００〜７５０ｎｍでの記録に
は適さない。ところが、Ｒ２、Ｒ４の位置にアルキル
基、アミノ基若しくはアルコキシ基といった電子供与性
基を導入すると吸収帯は長波長移動し、６００〜７５０
ｎｍでの記録に適するようになる。特に、一般式（Ｉ）
の置換基Ｒ４が、−ＮＲ ７ （Ｒ ８ ）で示されるアミノ基
又はアミノ基誘導体であるとき最適となる。この場合、
Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基若し
くはアリール基である。Ｒ７、Ｒ８のアルキル基若しく
はアリール基の具体例としては、前記Ｒ１〜Ｒ５の具体
例で用いたものと同様のものが挙げられる。
【００１７】本発明の前記一般式（Ｉ）で示されるアゾ
系化合物とＭＺで表される金属塩からなるアゾ金属キレ
ート化合物の具体例としては、例えば表２−（１）〜表
２−（３）で示されるものが挙げられる。又、前記一般
式（Ｉ）においてＸがＳ原子で示される化合物の参考例
として、例示化合物Ｎｏ１、Ｎｏ６、Ｎｏ１１、Ｎｏ１
６、Ｎｏ２１、Ｎｏ２６、Ｎｏ３１、Ｎｏ３６、Ｎｏ４
１、Ｎｏ４６が挙げられる。
系化合物とＭＺで表される金属塩からなるアゾ金属キレ
ート化合物の具体例としては、例えば表２−（１）〜表
２−（３）で示されるものが挙げられる。又、前記一般
式（Ｉ）においてＸがＳ原子で示される化合物の参考例
として、例示化合物Ｎｏ１、Ｎｏ６、Ｎｏ１１、Ｎｏ１
６、Ｎｏ２１、Ｎｏ２６、Ｎｏ３１、Ｎｏ３６、Ｎｏ４
１、Ｎｏ４６が挙げられる。
【００１８】
【表２−（１）】
【００１９】
【表２−（２）】
【００２０】
【表２−（３）】
【００２１】また、記録層においては、前記したよう
に、前記一般式（Ｉ）で示されるアゾ系化合物とＭＺで
表される金属塩からなる少なくとも１種のアゾ金属キレ
ート化合物と、６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有
する有機色素との混合物を主成分とすることにより、現
状システムで記録再生が可能であるとともに、次世代シ
ステムにおいても再生のみは可能なＣＤ−Ｒ記録媒体と
なる。この場合の６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を
有する色素としては、シアニン色素（特にペンタメチン
のシアニン色素）、フタロシアニン色素及びトリ（ジ）
アリールメタン系化合物が好ましい。
に、前記一般式（Ｉ）で示されるアゾ系化合物とＭＺで
表される金属塩からなる少なくとも１種のアゾ金属キレ
ート化合物と、６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有
する有機色素との混合物を主成分とすることにより、現
状システムで記録再生が可能であるとともに、次世代シ
ステムにおいても再生のみは可能なＣＤ−Ｒ記録媒体と
なる。この場合の６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を
有する色素としては、シアニン色素（特にペンタメチン
のシアニン色素）、フタロシアニン色素及びトリ（ジ）
アリールメタン系化合物が好ましい。
【００２２】シアニン色素の好ましい例としては、下記
一般式（II）で示されるものが挙げられる。
一般式（II）で示されるものが挙げられる。
【化２】
式中、Ｒ11、Ｒ12は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ13、
Ｒ14は炭素数１〜６の置換又は未置換のアルキル基、Ｚ
1は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族
環と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていても
よい。
Ｒ14は炭素数１〜６の置換又は未置換のアルキル基、Ｚ
1は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族
環と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていても
よい。
【００２３】フタロシアニン色素の好ましい例として
は、下記一般式（III−１）若しくは（III−２）で示さ
れるものが挙げられる。
は、下記一般式（III−１）若しくは（III−２）で示さ
れるものが挙げられる。
【化３】
式中、Ｍ1はＮｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、ＴｉＯ又はＶＯを、Ｘ5〜Ｘ8はそれぞれ独立に置換
位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲを、Ｒは置換されていても
よい炭素数３〜１２の直鎖、分岐若しくは脂環式アルキ
ル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表わ
す。Ｘ5〜Ｘ8以外のベンゼン環の置換基は水素原子又は
ハロゲン原子である。
ｅ、ＴｉＯ又はＶＯを、Ｘ5〜Ｘ8はそれぞれ独立に置換
位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲを、Ｒは置換されていても
よい炭素数３〜１２の直鎖、分岐若しくは脂環式アルキ
ル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表わ
す。Ｘ5〜Ｘ8以外のベンゼン環の置換基は水素原子又は
ハロゲン原子である。
【００２４】
【化４】
式中、Ｍ2は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｉｎ、又はＳｎを、Ｘ9〜Ｘ
12はそれぞれ独立に置換位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲ
を、Ｒは置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Ｙ5、Ｙ6は−ＯＳｉＲ15Ｒ16Ｒ
17、−ＯＣＯＲ15Ｒ16Ｒ17、又は−ＯＰＯＲ15Ｒ16Ｒ17
を表わし、Ｒ15〜Ｒ17はそれぞれ独立に炭素数１〜１０
のアルキル基又はアリール基を表わす。Ｘ9〜Ｘ12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
12はそれぞれ独立に置換位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲ
を、Ｒは置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Ｙ5、Ｙ6は−ＯＳｉＲ15Ｒ16Ｒ
17、−ＯＣＯＲ15Ｒ16Ｒ17、又は−ＯＰＯＲ15Ｒ16Ｒ17
を表わし、Ｒ15〜Ｒ17はそれぞれ独立に炭素数１〜１０
のアルキル基又はアリール基を表わす。Ｘ9〜Ｘ12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
【００２５】また、トリ（ジ）アリールメタン系化合物
の好ましい例としては、下記一般式（IV）で示される化
合物の１種又は２種以上が挙げられる。
の好ましい例としては、下記一般式（IV）で示される化
合物の１種又は２種以上が挙げられる。
【化５】
（式中、Ｒ13とＲ18はそれぞれ独立に水酸基、置換若し
くは無置換のアルコキシ基又は置換若しくは無置換のア
ミノ基を表し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、
Ｒ19、Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子又はハロゲン原子
を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立
に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換若しくは無置
換のアルコキシ基、置換若しくは無置換のアミノ基、カ
ルボキシル基又はスルホ基を表し、またＺ’は陰イオン
を表す。）
くは無置換のアルコキシ基又は置換若しくは無置換のア
ミノ基を表し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、
Ｒ19、Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子又はハロゲン原子
を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立
に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換若しくは無置
換のアルコキシ基、置換若しくは無置換のアミノ基、カ
ルボキシル基又はスルホ基を表し、またＺ’は陰イオン
を表す。）
【００２６】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される少な
くとも１種の色素と前記一般式（II）〜（IV）で示され
る少なくとも１種の色素とを併用する場合の重量組成比
は、本発明色素／〔（II）〜（IV）の色素〕＝１０／１
００〜９０／１００、好ましくは４０／１００〜２０／
１００である。また、両色素を併用した場合の記録層の
膜厚は５００Å〜５μｍ、好ましくは１０００Å〜５０
００Åである。
くとも１種の色素と前記一般式（II）〜（IV）で示され
る少なくとも１種の色素とを併用する場合の重量組成比
は、本発明色素／〔（II）〜（IV）の色素〕＝１０／１
００〜９０／１００、好ましくは４０／１００〜２０／
１００である。また、両色素を併用した場合の記録層の
膜厚は５００Å〜５μｍ、好ましくは１０００Å〜５０
００Åである。
【００２７】次に、本発明の記録媒体の構成について述
べる。図１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、記録層２
を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられている。ま
た、必要に応じて基板１の下にハードコート層５を設け
ることができる。図２は、本発明の記録媒体に適用し得
る別のタイプの層構成例を示す図で、これはＣＤ−Ｒメ
ディアの例である。図１の構成の記録層２の上に反射層
６が設けられている。なお、本発明の記録媒体は、図１
及び図２に示した構成の記録層（有機薄膜層）を内側に
して、他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイ
ッチ構造にしてもよく、また保護層を介して接着した貼
合せ構造にしてもよい。
べる。図１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、記録層２
を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられている。ま
た、必要に応じて基板１の下にハードコート層５を設け
ることができる。図２は、本発明の記録媒体に適用し得
る別のタイプの層構成例を示す図で、これはＣＤ−Ｒメ
ディアの例である。図１の構成の記録層２の上に反射層
６が設けられている。なお、本発明の記録媒体は、図１
及び図２に示した構成の記録層（有機薄膜層）を内側に
して、他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイ
ッチ構造にしてもよく、また保護層を介して接着した貼
合せ構造にしてもよい。
【００２８】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザ光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必
要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
イミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属などを用いることができる。なお、基板の表面に
トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信
号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザ光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必
要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
イミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属などを用いることができる。なお、基板の表面に
トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信
号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
【００２９】２）記録層
記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生
じさせその変化により情報を記録できるものであって、
この記録層中には前記一般式（Ｉ）で示される化合物の
少なくとも１種が含有されていることが必要で、記録層
の形成に当たって前記一般式（Ｉ）で示される化合物を
１種又は２種以上の組合せで用いてもよい。更に、これ
らの色素は光学特性、記録感度、信号特性の向上のた
め、他の有機色素及び金属、金属化合物と混合又は積層
化して用いることも、もちろん可能である。この場合の
他の有機色素としては、ポリメチン色素、ナフタロシア
ニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコ
ニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキ
ノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニ
ルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェ
ナンスレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属錯
体化合物などが挙げられる。また、金属、金属化合物例
としては、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどが
挙げられ、それぞれを分散混合あるいは積層の形態で用
いることができる。更に、上記染料中に高分子材料、例
えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材
料若しくはシランカップリング剤などを分散混合しても
良いし、特性改良の目的で、安定剤（例えば遷移金属錯
体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などと一緒に用いることができる。
じさせその変化により情報を記録できるものであって、
この記録層中には前記一般式（Ｉ）で示される化合物の
少なくとも１種が含有されていることが必要で、記録層
の形成に当たって前記一般式（Ｉ）で示される化合物を
１種又は２種以上の組合せで用いてもよい。更に、これ
らの色素は光学特性、記録感度、信号特性の向上のた
め、他の有機色素及び金属、金属化合物と混合又は積層
化して用いることも、もちろん可能である。この場合の
他の有機色素としては、ポリメチン色素、ナフタロシア
ニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコ
ニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキ
ノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニ
ルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェ
ナンスレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属錯
体化合物などが挙げられる。また、金属、金属化合物例
としては、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどが
挙げられ、それぞれを分散混合あるいは積層の形態で用
いることができる。更に、上記染料中に高分子材料、例
えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材
料若しくはシランカップリング剤などを分散混合しても
良いし、特性改良の目的で、安定剤（例えば遷移金属錯
体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などと一緒に用いることができる。
【００３０】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有
機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、
ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコー
ティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤
としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、
エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの
炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は、１００
Å〜１０μｍ、好ましくは２００Å〜２０００Åが適当
である。
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有
機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、
ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコー
ティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤
としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、
エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの
炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は、１００
Å〜１０μｍ、好ましくは２００Å〜２０００Åが適当
である。
【００３１】３）下引き層
下引き層は、接着性の向上、水又はガスなどに対す
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は０．
０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当
である。
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は０．
０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当
である。
【００３２】４）反射層
反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい金
属、半金属などが使用できる。材料例としては、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎなどが挙げられ、
反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好まし
い。これらの金属、半金属は単独で使用してもよく、２
種以上の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、ス
パッタリングなどが挙げられ、膜厚としては５０〜５０
００Å、好ましくは１００〜３０００Åである。
属、半金属などが使用できる。材料例としては、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎなどが挙げられ、
反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好まし
い。これらの金属、半金属は単独で使用してもよく、２
種以上の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、ス
パッタリングなどが挙げられ、膜厚としては５０〜５０
００Å、好ましくは１００〜３０００Åである。
【００３３】５）保護層、基板表面ハードコート層
保護層又は基板表面ハードコート層は、記録層（反射
吸収層）を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層
（反射吸収層）の保存安定性の向上、反射率の向上な
どを目的として使用される。これらの目的に対しては、
前記の下引き層に示した材料を用いることができる。ま
た、無機材料としてＳｉＯ、ＳｉＯ2なども用いること
もでき、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレ
ンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンな
どの熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上
記材料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外
線硬化樹脂である。保護層又は基板表面ハードコート層
の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１
０μｍが適当である。
吸収層）を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層
（反射吸収層）の保存安定性の向上、反射率の向上な
どを目的として使用される。これらの目的に対しては、
前記の下引き層に示した材料を用いることができる。ま
た、無機材料としてＳｉＯ、ＳｉＯ2なども用いること
もでき、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレ
ンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンな
どの熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上
記材料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外
線硬化樹脂である。保護層又は基板表面ハードコート層
の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１
０μｍが適当である。
【００３４】本発明において、前記の下引き層、保護層
及び基板表面ハードコート層には記録層の場合と同様
に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面
活性剤、可塑剤などを含有させることができる。
及び基板表面ハードコート層には記録層の場合と同様
に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面
活性剤、可塑剤などを含有させることができる。
【００３５】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。
発明これらに限定されるものではない。
【００３６】参考例１
厚さ１．２ｍｍのポリメチルメタクリレート基板上にフ
ォトポリマーにて、深さ１２００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、化合物具体例Ｎｏ．１のクロロホルム溶液をスピ
ンナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を設けて記録媒体
を得た。
ォトポリマーにて、深さ１２００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、化合物具体例Ｎｏ．１のクロロホルム溶液をスピ
ンナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を設けて記録媒体
を得た。
【００３７】実施例１〜１２、参考例１〜３ 参考例１
において、化合物具体例Ｎｏ．１の代わりに、
化合物具体例Ｎｏ．２、Ｎｏ．３、Ｎｏ．４、Ｎｏ．
５、Ｎｏ．６、Ｎｏ．７、Ｎｏ．８、Ｎｏ．９、Ｎｏ．
１０、Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１２、Ｎｏ．１３、Ｎｏ．１
４、Ｎｏ．１５を用いたこと以外は、参考例１と同様に
して実施例１〜１２、参考例１〜３の記録媒体を得た。
化合物具体例Ｎｏ．２、Ｎｏ．３、Ｎｏ．４、Ｎｏ．
５、Ｎｏ．６、Ｎｏ．７、Ｎｏ．８、Ｎｏ．９、Ｎｏ．
１０、Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１２、Ｎｏ．１３、Ｎｏ．１
４、Ｎｏ．１５を用いたこと以外は、参考例１と同様に
して実施例１〜１２、参考例１〜３の記録媒体を得た。
【００３８】比較例１参考例１
において、化合物具体例Ｎｏ．１の代わりに下
記式（Ｖ）で示される化合物を用いたこと以外は、参考
例１と同様にして比較例１の記録媒体を得た。
記式（Ｖ）で示される化合物を用いたこと以外は、参考
例１と同様にして比較例１の記録媒体を得た。
【化６】
【００３９】前記の実施例１〜１２、参考例１〜３及び
比較例１の記録媒体を用い、下記の記録条件で基板から
光を入射して記録し、その後記録位置を再生光によりＣ
／Ｎ比及び反射率を測定した。その結果を表３に示す。 記録条件： レーザ発振波長 ６８０ｎｍ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ 記録線速 １．２ｍ／ｓｅｃ 再生条件： レーザ発振波長 ６８０ｎｍ（実施例１〜８、参考例１、２ 、比較例１） ６３５ｎｍ（実施例９〜1２、参考例３） 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷの連続光 スキャニングバンド巾 ３０ＫＨｚ 耐光テスト条件： 耐光テスト ４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、５０時間連続照射 保存テスト ８５℃、８５％、７２０時間放置
比較例１の記録媒体を用い、下記の記録条件で基板から
光を入射して記録し、その後記録位置を再生光によりＣ
／Ｎ比及び反射率を測定した。その結果を表３に示す。 記録条件： レーザ発振波長 ６８０ｎｍ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ 記録線速 １．２ｍ／ｓｅｃ 再生条件： レーザ発振波長 ６８０ｎｍ（実施例１〜８、参考例１、２ 、比較例１） ６３５ｎｍ（実施例９〜1２、参考例３） 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷの連続光 スキャニングバンド巾 ３０ＫＨｚ 耐光テスト条件： 耐光テスト ４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、５０時間連続照射 保存テスト ８５℃、８５％、７２０時間放置
【００４０】
【表３】
【００４１】参考例４
深さ１０００Å、半値幅０．４μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物具体例Ｎｏ．１６を
メチルシクロヘキサン、２−メトキシエタノール、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解
した液をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの記録層を
形成し、次いでその上にスパッタ法により金２０００Å
の反射層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマ
ーにて５μｍの保護層を設け、記録媒体を得た。
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物具体例Ｎｏ．１６を
メチルシクロヘキサン、２−メトキシエタノール、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解
した液をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの記録層を
形成し、次いでその上にスパッタ法により金２０００Å
の反射層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマ
ーにて５μｍの保護層を設け、記録媒体を得た。
【００４２】実施例１３〜２４、参考例５、６ 参考例４
において、化合物具体例Ｎｏ．１６の代わりに
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．１７、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．
１９、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２１、Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２
３、Ｎｏ．２４、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．２６、Ｎｏ．２
７、Ｎｏ．２８、Ｎｏ．２９、Ｎｏ．３０を用いたこと
以外は、参考例４と同様にして実施例１３〜２４、参考
例５、６の記録媒体を得た。
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．１７、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．
１９、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２１、Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２
３、Ｎｏ．２４、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．２６、Ｎｏ．２
７、Ｎｏ．２８、Ｎｏ．２９、Ｎｏ．３０を用いたこと
以外は、参考例４と同様にして実施例１３〜２４、参考
例５、６の記録媒体を得た。
【００４３】比較例２参考例４
において、化合物具体例Ｎｏ．１６の代わりに
比較例１で用いた前記式（Ｖ）で示される化合物を用い
たこと以外は、参考例４と同様にして比較例２の記録媒
体を得た。
比較例１で用いた前記式（Ｖ）で示される化合物を用い
たこと以外は、参考例４と同様にして比較例２の記録媒
体を得た。
【００４４】実施例１３〜２４、参考例４〜６及び比較
例２の記録媒体に発振波長６３５ｎｍ、ビーム径１．４
μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながらＥ
ＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、同じレー
ザの連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を
表４に示す。
例２の記録媒体に発振波長６３５ｎｍ、ビーム径１．４
μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながらＥ
ＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、同じレー
ザの連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を
表４に示す。
【００４５】
【表４】
【００４６】参考例７
深さ１０００Å、半値幅０．４５μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、下記の式（VI）で示される
化合物と化合物具体例Ｎｏ．３１とを、重量比（１／
１）のメチルシクロヘキサン、２−メトキシエタノー
ル、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒
に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ１７００Åの記録
層を形成し、次いで、スパッタ法により金２０００Åの
反射層を形成して、更にその上にアクリル系フォトポリ
マーにて５μｍの保護層を設け、記録媒体を得た。
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、下記の式（VI）で示される
化合物と化合物具体例Ｎｏ．３１とを、重量比（１／
１）のメチルシクロヘキサン、２−メトキシエタノー
ル、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒
に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ１７００Åの記録
層を形成し、次いで、スパッタ法により金２０００Åの
反射層を形成して、更にその上にアクリル系フォトポリ
マーにて５μｍの保護層を設け、記録媒体を得た。
【００４７】
【化７】
【００４８】実施例２５〜２９、参考例８ 参考例７
において、化合物具体例Ｎｏ．３１の代わりに
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．３２、Ｎｏ．３３、Ｎｏ．
３４、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３６、Ｎｏ．３７を用いたこ
と以外は、参考例７と同様にして実施例２５〜２９、参
考例８の記録媒体を得た。
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．３２、Ｎｏ．３３、Ｎｏ．
３４、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３６、Ｎｏ．３７を用いたこ
と以外は、参考例７と同様にして実施例２５〜２９、参
考例８の記録媒体を得た。
【００４９】実施例３０〜３５、参考例９ 参考例７
において、化合物具体例Ｎｏ．３１の代わりに
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．３８、Ｎｏ．３９、Ｎｏ．
４０、Ｎｏ．４１、Ｎｏ．４２、Ｎｏ．４３、Ｎｏ．４
４を用い、且つ前記式（VI）で示される化合物の代わり
に下記式（VII）で示される化合物を用いたこと以外
は、参考例７と同様にして実施例３０〜３５、参考例９
の記録媒体を得た。
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．３８、Ｎｏ．３９、Ｎｏ．
４０、Ｎｏ．４１、Ｎｏ．４２、Ｎｏ．４３、Ｎｏ．４
４を用い、且つ前記式（VI）で示される化合物の代わり
に下記式（VII）で示される化合物を用いたこと以外
は、参考例７と同様にして実施例３０〜３５、参考例９
の記録媒体を得た。
【００５０】
【化８】
【００５１】実施例３６〜４０、参考例１０ 参考例７
において、化合物具体例Ｎｏ．３１の代わりに
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．４５、Ｎｏ．４６、Ｎｏ．
４７、Ｎｏ．４８、Ｎｏ．４９、Ｎｏ．５０を用い、且
つ前記式（VI）で示される化合物の代わりに下記式（VI
II）で示される化合物を用いたこと以外は、参考例７と
同様にして実施例３６〜４０、参考例１０の記録媒体を
得た。
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．４５、Ｎｏ．４６、Ｎｏ．
４７、Ｎｏ．４８、Ｎｏ．４９、Ｎｏ．５０を用い、且
つ前記式（VI）で示される化合物の代わりに下記式（VI
II）で示される化合物を用いたこと以外は、参考例７と
同様にして実施例３６〜４０、参考例１０の記録媒体を
得た。
【００５２】
【化９】
【００５３】比較例３〜５参考例７
において、記録層をそれぞれ前記一般式（VI）
で示される化合物のみ、前記一般式（VII）で示される
化合物のみ、前記一般式（VIII）で示される化合物のみ
としたこと以外は、参考例７と同様にして比較例３〜５
の記録媒体を得た。
で示される化合物のみ、前記一般式（VII）で示される
化合物のみ、前記一般式（VIII）で示される化合物のみ
としたこと以外は、参考例７と同様にして比較例３〜５
の記録媒体を得た。
【００５４】実施例２５〜４０、参考例７〜１０及び比
較例３〜５の記録媒体に発振波長７８０ｎｍ、ビーム径
１．６μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしな
がらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、前
記レーザ及び発振波長６３５ｎｍ、ビーム径１．４μｍ
の半導体レーザの連続光で再生し、再生波形を観察し
た。その結果を表５に示す。
較例３〜５の記録媒体に発振波長７８０ｎｍ、ビーム径
１．６μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしな
がらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、前
記レーザ及び発振波長６３５ｎｍ、ビーム径１．４μｍ
の半導体レーザの連続光で再生し、再生波形を観察し
た。その結果を表５に示す。
【００５５】
【表５−（１）】
【００５６】
【表５−（２）】
【００５７】
【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で示されるアゾ金属キレート化合物の少なくとも
１種を記録層中に含有してなるものとしたことから、波
長７５０ｎｍ以下に高い光吸収能と光反射性を有してい
るため、高密度記録が可能な７５０ｎｍ以下の波長域の
レーザ光で記録、再生が可能であり、しかも耐光性、保
存安定性に優れ、特に６００〜７５０ｎｍの記録再生に
最適のものである。
（Ｉ）で示されるアゾ金属キレート化合物の少なくとも
１種を記録層中に含有してなるものとしたことから、波
長７５０ｎｍ以下に高い光吸収能と光反射性を有してい
るため、高密度記録が可能な７５０ｎｍ以下の波長域の
レーザ光で記録、再生が可能であり、しかも耐光性、保
存安定性に優れ、特に６００〜７５０ｎｍの記録再生に
最適のものである。
【００５８】請求項２の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）中の置換基Ｒ２が電子供与性基であるアゾ金属キ
レート化合物を使用したことから、吸収帯が長波長へ移
動し、６００〜７５０ｎｍでの記録再生により適したも
のとなる。
（Ｉ）中の置換基Ｒ２が電子供与性基であるアゾ金属キ
レート化合物を使用したことから、吸収帯が長波長へ移
動し、６００〜７５０ｎｍでの記録再生により適したも
のとなる。
【００５９】
【００６０】請求項３の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種と６８０〜７
５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素とを記録層中
に含有してなるものとしたことから、現状システムで記
録、再生が可能で、しかも次世代の高密度光ディスクシ
ステムでも、記録された情報を再生することが可能にな
る。
（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種と６８０〜７
５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素とを記録層中
に含有してなるものとしたことから、現状システムで記
録、再生が可能で、しかも次世代の高密度光ディスクシ
ステムでも、記録された情報を再生することが可能にな
る。
【００６１】請求項４の光記録媒体は、６８０〜７５０
ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素として、シアニン
色素、フタロシアニン色素及びトリ（ジ）アリールメタ
ン系化合物の少なくとも一種を選択したことから、高品
位の信号特性が記録可能となる。
ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素として、シアニン
色素、フタロシアニン色素及びトリ（ジ）アリールメタ
ン系化合物の少なくとも一種を選択したことから、高品
位の信号特性が記録可能となる。
【００６２】請求項５の光記録媒体は、記録層が波長６
３０〜７２０ｎｍのレーザ光によって記録されるもので
あるため、７７０〜８３０ｎｍ対応の光記録媒体に比べ
１．６〜１．８倍の高密度化追記型光記録媒体が得られ
る。
３０〜７２０ｎｍのレーザ光によって記録されるもので
あるため、７７０〜８３０ｎｍ対応の光記録媒体に比べ
１．６〜１．８倍の高密度化追記型光記録媒体が得られ
る。
【図１】本発明の記録媒体に適用し得る通常の追記型光
記録媒体としての層構成例を示す図である。
記録媒体としての層構成例を示す図である。
【図２】本発明の記録媒体に適用し得るＣＤ−Ｒ用とし
ての層構成例を示す図である。
ての層構成例を示す図である。
１ 基板
２ 記録層（有機色素層）
３ 下引き層
４ 保護層
５ ハードコート層
６ 反射層
フロントページの続き
(72)発明者 笹 登
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(72)発明者 東 康弘
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(56)参考文献 特開 平９−175031（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−245374（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−1615（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−6644（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−277703（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−254543（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41M 5/26
G11B 7/24 516
ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
ＭＡＲＰＡＴ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
層を設け、更に必要に応じて、その上に反射層、保護層
を設けてなる光記録媒体において、前記記録層中に下記
一般式（Ｉ）で示されるアゾ系化合物とＭＺで表される
金属塩からなるアゾ金属キレート化合物の少なくとも１
種を含有してなることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 （上式中のＸ、Ｙ、Ｒ１〜Ｒ５及びＭＺ中のＭ、Ｚは、
それぞれ以下のものを表す。 Ｘ：＞ＮＲ６基又はＯ原子 Ｒ６：水素原子又はアルキル基、 Ｙ：−ＯＨ基、−ＣＯＯＨ基又は−ＣＯＮＨ２基、Ｒ １ 〜Ｒ ３ 、Ｒ ５ ：それぞれ独立に、水素原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のアルケニル基、アルコキ
シ基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
トリフッ化メチル基又はカルボキシ基、但し、Ｒ１〜Ｒ
５全部が同時に水素原子となることはない、Ｒ ４ ：−ＮＲ ７ （Ｒ ８ ）で示されるアミノ基若しくはア
ミノ基誘導体（但し、Ｒ ７ 及びＲ ８ はそれぞれ独立に水
素原子、アルキル基又はアリール基を表す。）、水酸基
又はアルコキシ基、 Ｍ：３族、４族、５族、６族、７族、８族、９族若しく
は１０族の金属原子、又はその酸化物若しくはハロゲン
化物、 Ｚ：陰イオン。） - 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）中の置換基Ｒ ２ が電子
供与性基である請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記記録層が前記一般式（Ｉ）で示され
る化合物の少なくとも１種と６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに
最大吸収波長を有する有機色素とを含有してなることを
特徴とする請求項１又は２に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収
波長を有する有機色素がシアニン色素、フタロシアニン
色素及びトリ（ジ）アリールメタン系化合物の少なくと
も１種である請求項３に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記記録層が波長６３０〜７２０ｎｍの
レーザ光によって記録されるものである請求項１〜４の
いずれかに記載の光記録媒体。
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- 1997-06-23 US US08/880,405 patent/US5939163A/en not_active Expired - Fee Related
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