JPH0724114B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH0724114B2 JPH0724114B2 JP60277882A JP27788285A JPH0724114B2 JP H0724114 B2 JPH0724114 B2 JP H0724114B2 JP 60277882 A JP60277882 A JP 60277882A JP 27788285 A JP27788285 A JP 27788285A JP H0724114 B2 JPH0724114 B2 JP H0724114B2
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- recording
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はレーザ特に半導体レーザによる書込み記録に適
した光情報記録媒体に関する。
した光情報記録媒体に関する。
〔従来技術〕 最近、Te等の金属記録膜に代えて有機色素記録膜を使用
する情報記録媒体が注目されている。有機色素膜が有利
である点は、融点、分解温度が低く、熱伝導率も低いの
で高感度、高密度化の可能性があること、膜形成が塗布
という工法により可能なため量産性が高く、低コスト化
が期待できること、基板にプラスチツク材料を使用する
場合熱膨張、透水性、その他の物理的化学的特性が類似
しているため記録膜のクラツク発生、基板のそり変形が
低減される可能性があること等である。
する情報記録媒体が注目されている。有機色素膜が有利
である点は、融点、分解温度が低く、熱伝導率も低いの
で高感度、高密度化の可能性があること、膜形成が塗布
という工法により可能なため量産性が高く、低コスト化
が期待できること、基板にプラスチツク材料を使用する
場合熱膨張、透水性、その他の物理的化学的特性が類似
しているため記録膜のクラツク発生、基板のそり変形が
低減される可能性があること等である。
ところが、プラスチツク基板上に有機色素薄膜をコーテ
イング法によつて形成させる場合プラスチツクに溶解性
の高いアセトン、ジクロルエタン等の溶剤がしばしば用
いられることから塗布時にプラスチツク基板までも溶解
してしまうという問題があつた。塗布時にプラスチツク
基板を少しでも溶解すると色素膜の反射率が大きくなら
ずひいては上述した有機色素薄膜の利点が損なわれるこ
とになる。そこで、基板を溶解しない溶剤を用いて塗布
することが考えられるが、保存性および記録特性が悪く
なりまた塗布法による膜形成はピンホールが多くなる。
さらに、無機系材料では熱伝導率が高くなるため感度が
悪くなりまた基板材料(有機物)との熱および吸水に対
する膨張(変形)率が異なるため亀裂などが生じてエラ
ーの発生原因となる。
イング法によつて形成させる場合プラスチツクに溶解性
の高いアセトン、ジクロルエタン等の溶剤がしばしば用
いられることから塗布時にプラスチツク基板までも溶解
してしまうという問題があつた。塗布時にプラスチツク
基板を少しでも溶解すると色素膜の反射率が大きくなら
ずひいては上述した有機色素薄膜の利点が損なわれるこ
とになる。そこで、基板を溶解しない溶剤を用いて塗布
することが考えられるが、保存性および記録特性が悪く
なりまた塗布法による膜形成はピンホールが多くなる。
さらに、無機系材料では熱伝導率が高くなるため感度が
悪くなりまた基板材料(有機物)との熱および吸水に対
する膨張(変形)率が異なるため亀裂などが生じてエラ
ーの発生原因となる。
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであつて、その
主な目的は光情報記録媒体における基板の耐溶剤性の向
上、低欠陥率化および感度低下防止にある。
主な目的は光情報記録媒体における基板の耐溶剤性の向
上、低欠陥率化および感度低下防止にある。
上記目的を達成するために、本発明は下引き層を構成す
る成分として(1)四アルコキシシランおよび有機トリ
アルコキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1
種の珪素のアルコレートと(2)ヒドロキシアルキル基
含有(メタ)アクリレート/低級アルキル基含有(メ
タ)アクリレート共重合体、ポリアミド樹脂およびポリ
アミノサルフォン樹脂からなる群から選ばれる少なくと
も1種の高分子化合物を用いることを特徴としている。
る成分として(1)四アルコキシシランおよび有機トリ
アルコキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1
種の珪素のアルコレートと(2)ヒドロキシアルキル基
含有(メタ)アクリレート/低級アルキル基含有(メ
タ)アクリレート共重合体、ポリアミド樹脂およびポリ
アミノサルフォン樹脂からなる群から選ばれる少なくと
も1種の高分子化合物を用いることを特徴としている。
すなわち、本発明の光情報記録媒体はプラスチツク基板
上に上記(1)の金属アルコレートと上記(2)の高分
子化合物との混合物よりなる下引き層を設け、その上に
ポリメチン系色素を主成分とする記録層を設けたもので
ある。さらに必要に応じて記録層の上に保護層を設けて
もよい。またこのようにして構成された一対の記録媒体
を記録層を内側にして他の基板と空間を介して密封した
エアーサンドイツチ構造にしてもよく、あるいは保護層
を介して接着した密着サンドイツチ(貼合せ構造)にし
てもよい。
上に上記(1)の金属アルコレートと上記(2)の高分
子化合物との混合物よりなる下引き層を設け、その上に
ポリメチン系色素を主成分とする記録層を設けたもので
ある。さらに必要に応じて記録層の上に保護層を設けて
もよい。またこのようにして構成された一対の記録媒体
を記録層を内側にして他の基板と空間を介して密封した
エアーサンドイツチ構造にしてもよく、あるいは保護層
を介して接着した密着サンドイツチ(貼合せ構造)にし
てもよい。
次に本発明の光情報記録媒体を構成する材料および各層
の必要特性について説明する。
の必要特性について説明する。
プラスチツク基板としては射出成形により形成されてい
るものが生産性およびコストの面から特に好ましくまた
基板側より記録再生を行う場合のみ使用レーザ光に対し
て透明でなければならない。代表例としてアクリル樹
脂、ポリカーボネート、ポリメチルペンテンなどをあげ
ることができるが、これらのみに制限されない。なお、
基板の表面にはアドレス信号等のプレフオーマツトと案
内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
るものが生産性およびコストの面から特に好ましくまた
基板側より記録再生を行う場合のみ使用レーザ光に対し
て透明でなければならない。代表例としてアクリル樹
脂、ポリカーボネート、ポリメチルペンテンなどをあげ
ることができるが、これらのみに制限されない。なお、
基板の表面にはアドレス信号等のプレフオーマツトと案
内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
下引き層は(1)四アルコキシ金属および有機トリアル
コキシ金属からなる群から選ばれる少くとも1種の金属
アルコレートと(2)ヒドロキシアルキル基含有アクリ
レートまたはメタクリレートとアルキル基含有アクリレ
ートまたはメタクリレートとの共重合体およびアミノ基
含有高分子からなる群から選ばれる少なくとも1種の高
分子化合物との混合物から形成される。(1)と(2)
との割合は重量比で99.9:0.1〜20:80好ましくは90:10〜
40:60が適当である。下引き層の形成は上記混合物を水
および有機溶剤中に溶解させ塗布後硬化させて行うこと
ができる。下引き層の塗布に用いる有機溶剤は上記混合
物の種類によつても異なるが、その代表例としてアルコ
ール系溶剤例えばメタノール、エタノールなどまたはア
ルコール系溶剤と他の溶剤との混合溶剤例えばメタノー
ル/1,2−ジクロルエタンなどをあげることができる。エ
タノールが好ましい。混合溶剤を用いる場合はアルコー
ル系溶剤に対して他の溶剤を50%まで好ましくは30%ま
で混合するのが適当である。塗布後硬化を促進させるた
めの加熱してもよい。また、必要に応じ上記混合物に無
機または有機の酸または塩基を添加して硬化を促進する
こともできる。さらに、屈折率、膨張率を制御させるた
めに他の金属アルコレートを混入してもよい。下引き層
の膜厚は100〜3000Å好ましくは300〜1500Åである。
コキシ金属からなる群から選ばれる少くとも1種の金属
アルコレートと(2)ヒドロキシアルキル基含有アクリ
レートまたはメタクリレートとアルキル基含有アクリレ
ートまたはメタクリレートとの共重合体およびアミノ基
含有高分子からなる群から選ばれる少なくとも1種の高
分子化合物との混合物から形成される。(1)と(2)
との割合は重量比で99.9:0.1〜20:80好ましくは90:10〜
40:60が適当である。下引き層の形成は上記混合物を水
および有機溶剤中に溶解させ塗布後硬化させて行うこと
ができる。下引き層の塗布に用いる有機溶剤は上記混合
物の種類によつても異なるが、その代表例としてアルコ
ール系溶剤例えばメタノール、エタノールなどまたはア
ルコール系溶剤と他の溶剤との混合溶剤例えばメタノー
ル/1,2−ジクロルエタンなどをあげることができる。エ
タノールが好ましい。混合溶剤を用いる場合はアルコー
ル系溶剤に対して他の溶剤を50%まで好ましくは30%ま
で混合するのが適当である。塗布後硬化を促進させるた
めの加熱してもよい。また、必要に応じ上記混合物に無
機または有機の酸または塩基を添加して硬化を促進する
こともできる。さらに、屈折率、膨張率を制御させるた
めに他の金属アルコレートを混入してもよい。下引き層
の膜厚は100〜3000Å好ましくは300〜1500Åである。
(1)の珪素のアルコレートの代表的な例としては、下
記一般式(A)で表わされる四アルコキシシラン、一般
式(B)で表わされる有機トリアルコキシシラン及び一
般式(C)で表わされるこれらの縮合物などが挙げられ
る。
記一般式(A)で表わされる四アルコキシシラン、一般
式(B)で表わされる有機トリアルコキシシラン及び一
般式(C)で表わされるこれらの縮合物などが挙げられ
る。
Si(OR)4 ……(A) R1Si(OR)3 ……(B) (RO)3Si−OSi(OR)2−OnR ……(C) (ただし上記式中、Rは1〜8個の炭素原子を有するア
ルキル基またはアリル(Allyl)基あるいはアリール(A
ryl)基を表わし、R1は1〜6個の炭素原子を有する炭
化水素基を表わし、そしてnは0または1〜11の整数を
表わす)。
ルキル基またはアリル(Allyl)基あるいはアリール(A
ryl)基を表わし、R1は1〜6個の炭素原子を有する炭
化水素基を表わし、そしてnは0または1〜11の整数を
表わす)。
これらの例はテトラアルキル(またはテトラアリルある
いはテトラアリール)オルトシリケートまたはポリアル
キル(またはアリルあるいはアリール)シリケート類で
あり、具体的にはたとえばメチルオルトシリケート、エ
チルオルトシリケート、n−プロピルオルトシリケー
ト、n−ブチルオルトシリケート、n−オクチルオルト
シリケート、フエニルオルトシリケート、ベンジルオル
トシリケート、およびフエネチルオルトシリケート、ア
リルオルトシリケート、メタアリルオルトシリケートな
どがあり、さらにそれらのオルトシリケート類の脱水縮
合によつて生成するポリシリケート類も用いられる。
いはテトラアリール)オルトシリケートまたはポリアル
キル(またはアリルあるいはアリール)シリケート類で
あり、具体的にはたとえばメチルオルトシリケート、エ
チルオルトシリケート、n−プロピルオルトシリケー
ト、n−ブチルオルトシリケート、n−オクチルオルト
シリケート、フエニルオルトシリケート、ベンジルオル
トシリケート、およびフエネチルオルトシリケート、ア
リルオルトシリケート、メタアリルオルトシリケートな
どがあり、さらにそれらのオルトシリケート類の脱水縮
合によつて生成するポリシリケート類も用いられる。
炭素数が8をこえる置換基を有する有機シリケートを用
いると、加水分解速度が低いため効率よく複合体の製造
を行ない得ないおそれがある。
いると、加水分解速度が低いため効率よく複合体の製造
を行ない得ないおそれがある。
(2)の高分子化合物としては、下記一般式Iで示され
るヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートと下記一般
式IIで示される低級アルキル(メタ)アクリレートとの
共重合体、ポリアミド樹脂又はポリアミノサルフォン樹
脂が使用される。
るヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートと下記一般
式IIで示される低級アルキル(メタ)アクリレートとの
共重合体、ポリアミド樹脂又はポリアミノサルフォン樹
脂が使用される。
(式中R1はHまたはCH3であり、R2は水酸基をもつ2〜
6個の炭素原子を有するアルキル基を表わす。) (式中R1はHまたはCH3であり、R3は水酸基をもつ1〜1
8個の炭素原子を有するアルキル基を表わす。) I式で表わされる化合物の具体例としては、2−ヒドロ
キシエチルアクリレートまたは−メタクリレート、ヒド
ロキシプロピルアクリレートまたは−メタクリレート、
ヒドロキシブチルアクリレートまたは−メタクリレー
ト、グリセロールモノアクリレートまたは−メタクリレ
ート、ポリエチレングリコールアクリレートまたは−メ
タクリレートなどが挙げられ、またII式で表わされる化
合物の具体例としては、メチルアクリレートまたはメチ
ルメタクリレート、ブチルアクリレートまたはブチルメ
タクリレート、オクチルアクリレートまたはオクチルメ
タクリレート、エチルヘキシルアクリレートまたはエチ
ルヘキシルメタクリレート、ラウリルアクリレートまた
はラウリルメタクリレートなどが挙げられる。ポリアミ
ド樹脂としては、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン61
0、ナイロン612、ナイロン11、ナイロン12、共重合ナイ
ロンおよびモノマーキャスティングナイロンなどが挙げ
られる。
6個の炭素原子を有するアルキル基を表わす。) (式中R1はHまたはCH3であり、R3は水酸基をもつ1〜1
8個の炭素原子を有するアルキル基を表わす。) I式で表わされる化合物の具体例としては、2−ヒドロ
キシエチルアクリレートまたは−メタクリレート、ヒド
ロキシプロピルアクリレートまたは−メタクリレート、
ヒドロキシブチルアクリレートまたは−メタクリレー
ト、グリセロールモノアクリレートまたは−メタクリレ
ート、ポリエチレングリコールアクリレートまたは−メ
タクリレートなどが挙げられ、またII式で表わされる化
合物の具体例としては、メチルアクリレートまたはメチ
ルメタクリレート、ブチルアクリレートまたはブチルメ
タクリレート、オクチルアクリレートまたはオクチルメ
タクリレート、エチルヘキシルアクリレートまたはエチ
ルヘキシルメタクリレート、ラウリルアクリレートまた
はラウリルメタクリレートなどが挙げられる。ポリアミ
ド樹脂としては、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン61
0、ナイロン612、ナイロン11、ナイロン12、共重合ナイ
ロンおよびモノマーキャスティングナイロンなどが挙げ
られる。
本発明による下引層は(1)の珪素のアルコレートと
(2)の高分子化合物との混合物よりなるから有機高分
子鎖を介した無機酸化物層を形成し無機物と有機物との
中間的な性質を示す。そのため感度低下が小さく、基板
と膨張率、吸水変形率等が近い値となり、ピンホールが
少くなるものと考えられる。
(2)の高分子化合物との混合物よりなるから有機高分
子鎖を介した無機酸化物層を形成し無機物と有機物との
中間的な性質を示す。そのため感度低下が小さく、基板
と膨張率、吸水変形率等が近い値となり、ピンホールが
少くなるものと考えられる。
本発明における記録層は塗布法で形成されるポリメチン
系色素を主成分とするものである。ポリメチン系色素と
しては例えばシアニン(メロシアニン)色素、クロコニ
ウム色素、ピリリウム色素などをあげることができる。
記録層は慣用のコーテイング法を用いて塗設することが
できその厚さは100〜10μm好ましくは、200〜2μmと
される。膜厚が100Å未満では吸収が小さく記録できず1
0μmを越すと記録感度が低下しさらにノイズが多くな
る。記録層はポリメチン系色素を主成分とするものであ
るが記録特性および安定性向上のために前記色素を2種
以上組合せてもよくまた他の色素例えばフタロシアニン
系、テトラヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリフエ
ノチアジン系、フエナンスレン系、アントラキノン(イ
ンダンスレン)系、キサンテン系、トリフエニルメタン
系、アズレン系、スクアリウム系、ナフトキノン系など
の色素または金属例えばIn、Sn、Te、Bi、Al、Se、As、
Cd、などまたは金属化合物例えばTiO2、SnOなどと混合
分散しても積層してもよい。また、記録層はその他に高
分子材料、保存安定剤(例えば、金属錯体、フエノール
系化合物など)、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、
可塑剤などを含有していてもよい。コーテイング法とし
てはデイツプコーテイング、スプレーコーテイング、ブ
レードコーテイング、スピンコーテイング、ローラーコ
ーテイング、カーテンコーテイングなどをあげることが
できる。塗布の際に使用する溶剤はポリメチン系色素の
種類によつても異なるが例えばメチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロイキサノンなどのケトン
系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトールアセテー
ト、ブチルカルビトールアセテートなどのエステル系、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどのエーテル
系、トルエン、キシレンなどの芳香族系、ジクロロエタ
ンなどのハロゲン化アルキル系などを用いることができ
る。
系色素を主成分とするものである。ポリメチン系色素と
しては例えばシアニン(メロシアニン)色素、クロコニ
ウム色素、ピリリウム色素などをあげることができる。
記録層は慣用のコーテイング法を用いて塗設することが
できその厚さは100〜10μm好ましくは、200〜2μmと
される。膜厚が100Å未満では吸収が小さく記録できず1
0μmを越すと記録感度が低下しさらにノイズが多くな
る。記録層はポリメチン系色素を主成分とするものであ
るが記録特性および安定性向上のために前記色素を2種
以上組合せてもよくまた他の色素例えばフタロシアニン
系、テトラヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリフエ
ノチアジン系、フエナンスレン系、アントラキノン(イ
ンダンスレン)系、キサンテン系、トリフエニルメタン
系、アズレン系、スクアリウム系、ナフトキノン系など
の色素または金属例えばIn、Sn、Te、Bi、Al、Se、As、
Cd、などまたは金属化合物例えばTiO2、SnOなどと混合
分散しても積層してもよい。また、記録層はその他に高
分子材料、保存安定剤(例えば、金属錯体、フエノール
系化合物など)、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、
可塑剤などを含有していてもよい。コーテイング法とし
てはデイツプコーテイング、スプレーコーテイング、ブ
レードコーテイング、スピンコーテイング、ローラーコ
ーテイング、カーテンコーテイングなどをあげることが
できる。塗布の際に使用する溶剤はポリメチン系色素の
種類によつても異なるが例えばメチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロイキサノンなどのケトン
系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトールアセテー
ト、ブチルカルビトールアセテートなどのエステル系、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどのエーテル
系、トルエン、キシレンなどの芳香族系、ジクロロエタ
ンなどのハロゲン化アルキル系などを用いることができ
る。
なお、本発明における記録層の上には必要に応じて保護
層を設けることができるが記録層のキズ、ホコリ、汚れ
などからの保護を目的とする場合はビニル系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、天然ゴム、アイオノマー樹脂などの高分
子材料、無機化合物例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、Zn
O、TiN、SiNなど、金属または半金属例えばZn、Cu、
S、Ni、Cr、Ge、Se、Al、Agなどを用いることができ
る。また、反射率の向上を目的とする場合、上記の金属
または半金属あるいは金属光沢を有する有機薄膜例えば
ポリメチン系色素、キサンテン系色素などを用いること
ができる。
層を設けることができるが記録層のキズ、ホコリ、汚れ
などからの保護を目的とする場合はビニル系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、天然ゴム、アイオノマー樹脂などの高分
子材料、無機化合物例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、Zn
O、TiN、SiNなど、金属または半金属例えばZn、Cu、
S、Ni、Cr、Ge、Se、Al、Agなどを用いることができ
る。また、反射率の向上を目的とする場合、上記の金属
または半金属あるいは金属光沢を有する有機薄膜例えば
ポリメチン系色素、キサンテン系色素などを用いること
ができる。
本発明の光情報記録媒体を情報の記録再生に用いる場
合、情報の記録は書込み用レーザー光の照射による記録
層とその光または熱との相互作用により生じる物理的形
状変化(ピツト形成)により記録される。一方、情報の
再生は読出し用レーザー光の照射により記録層の反射率
を感知することによりなされる。
合、情報の記録は書込み用レーザー光の照射による記録
層とその光または熱との相互作用により生じる物理的形
状変化(ピツト形成)により記録される。一方、情報の
再生は読出し用レーザー光の照射により記録層の反射率
を感知することによりなされる。
以下に比較例と共に実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定される
ものではない。
に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定される
ものではない。
実施例 1 PMMA基板上に(1)オルトエチルシリケート10重量部に
エタノール87.5重量部と0.05N塩酸15重量部とを加えた
ものおよび(2)メチルメタクリレート6重量部、ヒド
ロキシブチルアクリレート4重量部、ベンゾイルパーオ
キシド0.1重量部およびエチルセロソルブ50重量部をN2
雰囲気下80℃で10時間加熱撹拌したものからなる混合塗
液をスピナー塗布し、70℃下で2時間加熱、その後室温
下で1日放置し、膜厚約900Åの下引き層を得た。
エタノール87.5重量部と0.05N塩酸15重量部とを加えた
ものおよび(2)メチルメタクリレート6重量部、ヒド
ロキシブチルアクリレート4重量部、ベンゾイルパーオ
キシド0.1重量部およびエチルセロソルブ50重量部をN2
雰囲気下80℃で10時間加熱撹拌したものからなる混合塗
液をスピナー塗布し、70℃下で2時間加熱、その後室温
下で1日放置し、膜厚約900Åの下引き層を得た。
この上に下記化合物(A) の0.7重量%ジクロルエタン溶液をスピナー塗布し、約6
00Åの記録層を形成して記録媒体を作製した。
00Åの記録層を形成して記録媒体を作製した。
実施例 2 実施例1におけるメチルメタクリレート6重量部および
ヒドロキシブチルアクリレート4重量部の構成成分に代
えてブチルアクリレート6重量部および2−ヒドロキシ
エチルメタクリレート4重量部を用いた以外には実施例
1と同様にして記録媒体を作製した。
ヒドロキシブチルアクリレート4重量部の構成成分に代
えてブチルアクリレート6重量部および2−ヒドロキシ
エチルメタクリレート4重量部を用いた以外には実施例
1と同様にして記録媒体を作製した。
実施例 3 実施例1におけるオルトエチルシリケート10重量部の構
成成分に代えてオルトエチルシリケート6重量部および
メチルトリエトキシシリケート4重量部を用いて実施例
1を繰り返した。
成成分に代えてオルトエチルシリケート6重量部および
メチルトリエトキシシリケート4重量部を用いて実施例
1を繰り返した。
実施例 4 実施例3におけるオルトエチルシリケートに代えてオル
トメチルシリケートを用いて実施例3を繰り返した。
トメチルシリケートを用いて実施例3を繰り返した。
実施例 5 実施例2における化合物(A)に代えて下記化合物
(B) を用いて実施例2を繰り返した。
(B) を用いて実施例2を繰り返した。
実施例 6 実施例1における記録層組成にさらにビス(4−ジエチ
ルアミノジチオベンジル)ニツケル10重量%を添加して
実施例1を繰り返した。
ルアミノジチオベンジル)ニツケル10重量%を添加して
実施例1を繰り返した。
実施例 7 実施例1で得た記録層上にさらに下記化合物(C) を100Åの膜厚で真空蒸着させた。
比較例 1 実施例1において、オルトエチルシリケートのみを用い
て下引き層を形成した。
て下引き層を形成した。
比較例 2 実施例3において、金属アルコレート成分のみを用いて
下引き層を形成した。
下引き層を形成した。
比較例 3 実施例3において、アクリル共重合体成分のみを用いて
下引層を形成した。
下引層を形成した。
比較例 4 実施例1において下引層を形成せずに基板上に直接記録
層を形成した。
層を形成した。
実施例 8 PMMA基板上に(1)オルトエチルシリケート1重量部に
エタノール7.5重量部と0.05N塩酸1.5重量部とを加えた
ものおよび(2)ポリアミド5重量部とエタノール95重
量部とからなる溶液を混合した塗液をスピナー塗布し、
70℃下で2時間加熱し、その後室温で1日放置し、膜厚
約900Åの下引き層を得た。この上に実施例1で用いた
化合物(A)の0.7重量%ジクロルエタン溶液をスピナ
ー塗布し約600Åの記録層を形成して記録媒体を作製し
た。
エタノール7.5重量部と0.05N塩酸1.5重量部とを加えた
ものおよび(2)ポリアミド5重量部とエタノール95重
量部とからなる溶液を混合した塗液をスピナー塗布し、
70℃下で2時間加熱し、その後室温で1日放置し、膜厚
約900Åの下引き層を得た。この上に実施例1で用いた
化合物(A)の0.7重量%ジクロルエタン溶液をスピナ
ー塗布し約600Åの記録層を形成して記録媒体を作製し
た。
実施例 9 実施例8におけるポリアミドに代えてポリアミノサルフ
オンを用いて実施例8を繰り返した。
オンを用いて実施例8を繰り返した。
実施例 10 実施例8におけるオルトエチルシリケート1.0重量部の
構成成分に代えてオルトエチルシリケート0.75重量部お
よびメチルトリエトキシシリケート0.75重量部を用いて
実施例8を繰り返した。
構成成分に代えてオルトエチルシリケート0.75重量部お
よびメチルトリエトキシシリケート0.75重量部を用いて
実施例8を繰り返した。
実施例 11 実施例10においてオルトエチルシリケート1.0重量部に
代えてオルトメチルシリケート2.0重量部を用いた。
代えてオルトメチルシリケート2.0重量部を用いた。
実施例 12 実施例9において、記録材として化合物(A)に代えて
実施例5で用いた化合物(B)を使用した。
実施例5で用いた化合物(B)を使用した。
実施例 13 実施例8における記録層組成にさらにビス(4−ジエチ
ルアミノジチオベンジル)ニツケル10重量%を添加して
実施例8を繰り返した。
ルアミノジチオベンジル)ニツケル10重量%を添加して
実施例8を繰り返した。
実施例 14 実施例8で得た記録層上にさらに実施例7で使用した化
合物(C)を100Åの膜厚で真空蒸着させた。
合物(C)を100Åの膜厚で真空蒸着させた。
比較例 5 実施例8において、オルトエチルシリケートのみを用い
て下引き層を形成した。
て下引き層を形成した。
比較例 6 実施例10において金属アルコレート成分のみを用いて下
引き層を形成した。
引き層を形成した。
比較例 7 実施例8において、ポリアミド樹脂成分のみを用いて下
引き層を形成した。
引き層を形成した。
比較例 8 実施例12においてポリアミノサルフオン樹脂成分のみを
用いて下引き層を形成した。
用いて下引き層を形成した。
比較例 9 実施例8において下引き層を形成せずに基板上に直接記
録層を形成した。
録層を形成した。
上記実施例および比較例で作製した各記録媒体に波長79
0nmの半導体レーザを用い線速1.5m/secで0.7MHzの信号
を記録した。この再生は同じレーザを用いて0.2mWで読
出し反射光をスペクトル解析(スキヤニングフイルター
30kHz)してC/Nを測定した。
0nmの半導体レーザを用い線速1.5m/secで0.7MHzの信号
を記録した。この再生は同じレーザを用いて0.2mWで読
出し反射光をスペクトル解析(スキヤニングフイルター
30kHz)してC/Nを測定した。
次に、同じ記録媒体を60℃、90%R.H.の恒温恒湿槽に50
0時間保存して保存性加速試験を行なつた後のCNを測定
した。
0時間保存して保存性加速試験を行なつた後のCNを測定
した。
なお、未記録部の反射率で20%以上低下している部分を
欠陥とみなして欠陥率をチエツクした。これらの結果を
以下の表にまとめて示す。
欠陥とみなして欠陥率をチエツクした。これらの結果を
以下の表にまとめて示す。
〔効 果〕 本発明によれば、従来の無機系下引き層に比べて感度低
下が小さくかつエラー率が大巾に減少した(ピンホール
の低減、保存時の亀裂などによるエラーの低減)記録媒
体を得ることができる。また、射出成形プラスチツク基
板上に直接工法により記録層の形成ができ製造コストを
大幅に低減させることができる。
下が小さくかつエラー率が大巾に減少した(ピンホール
の低減、保存時の亀裂などによるエラーの低減)記録媒
体を得ることができる。また、射出成形プラスチツク基
板上に直接工法により記録層の形成ができ製造コストを
大幅に低減させることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】プラスチック基板上に(1)四アルコキシ
シランおよび有機トリアルコキシシランからなる群から
選ばれる少なくとも1種の珪素のアルコレートと(2)
ヒドロキシアルキル基含有(メタ)アクリレート/低級
アルキル基含有(メタ)アクリレート共重合体、ポリア
ミド樹脂およびポリアミノサルフォン樹脂からなる群か
ら選ばれる少なくとも1種の高分子化合物との混合物か
らなる下引き層を介してポリメチン系色素を主成分とす
る記録層を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277882A JPH0724114B2 (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 光情報記録媒体 |
DE19863642585 DE3642585A1 (de) | 1985-12-12 | 1986-12-12 | Optisches informationsaufzeichnungsmaterial |
US06/941,061 US4737444A (en) | 1985-12-12 | 1986-12-12 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277882A JPH0724114B2 (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62139148A JPS62139148A (ja) | 1987-06-22 |
JPH0724114B2 true JPH0724114B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=17589601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60277882A Expired - Lifetime JPH0724114B2 (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 光情報記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4737444A (ja) |
JP (1) | JPH0724114B2 (ja) |
DE (1) | DE3642585A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US5249176A (en) * | 1987-07-20 | 1993-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium, process for preparing the same and its optical recording and reproducing system |
DE3725134A1 (de) * | 1987-07-29 | 1989-02-09 | Basf Ag | Flaechenfoermiges, mehrschichtiges, laseroptisches aufzeichnungsmaterial |
US5090009A (en) * | 1988-07-30 | 1992-02-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
JPH04337359A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Canon Inc | 赤外吸収化合物及びそれを用いた光記録媒体 |
FR2681602A1 (fr) * | 1991-09-20 | 1993-03-26 | Rhone Poulenc Chimie | Sols ou gels de polymeres mixtes organiques et inorganiques, leur procede de preparation et leur application comme materiaux polymeres charges. |
KR960030149A (ko) * | 1995-01-28 | 1996-08-17 | 김광호 | 유기광기록매체 |
US5863703A (en) * | 1995-02-10 | 1999-01-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium using a phthalocyanine compound |
US5786123A (en) * | 1996-03-19 | 1998-07-28 | Eastman Kodak Company | Optical recording elements comprising a polymeric dye |
US5998093A (en) * | 1996-01-29 | 1999-12-07 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
JP3486709B2 (ja) * | 1996-06-21 | 2004-01-13 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
JPH10297097A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
JP3659548B2 (ja) | 1997-07-22 | 2005-06-15 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
JP3685368B2 (ja) | 1998-08-18 | 2005-08-17 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
JP3479023B2 (ja) | 1999-05-18 | 2003-12-15 | シャープ株式会社 | 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 |
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US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
TW200300932A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Information recording medium |
US20040125739A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording method and optical information recording medium |
JP4137691B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2008-08-20 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
TW200727287A (en) * | 2006-01-05 | 2007-07-16 | Prodisc Technology Inc | Optical information storage medium |
EP3470469A1 (de) * | 2017-10-13 | 2019-04-17 | LANXESS Deutschland GmbH | Methinfarbstoffe |
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JPS57131548A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-14 | Teijin Ltd | Laminate |
US4524126A (en) * | 1981-06-30 | 1985-06-18 | International Business Machines Corporation | Adhesion of a photoresist to a substrate |
US4460665A (en) * | 1981-12-28 | 1984-07-17 | Ricoh Co., Ltd. | Optical information recording medium |
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ATE28251T1 (de) * | 1982-12-31 | 1987-07-15 | Minnesota Mining & Mfg | Aufzeichnungsmaterial zur optischen speicherung von informationen. |
JPS60219098A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | レ−ザ−記録材料 |
JPS61214161A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体に保護膜を形成する方法 |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP60277882A patent/JPH0724114B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-12-12 DE DE19863642585 patent/DE3642585A1/de active Granted
- 1986-12-12 US US06/941,061 patent/US4737444A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US4737444A (en) | 1988-04-12 |
DE3642585C2 (ja) | 1990-05-17 |
JPS62139148A (ja) | 1987-06-22 |
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