JP3029678B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JP3029678B2
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恵子 一ノ瀬
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関す
る。
【従来の技術】従来、光波長750nm〜800nmの
半導体レーザ用の有機記録材料は実用的なものが知られ
ている。代表的なものはシアニン色素などのポリメチン
色素、フタロシアニン色素、ナフトキノン色素、ナフタ
ロシアニン色素、スクアリリウム色素などの薄膜を基板
上に設けたものがある。これらの色素は700nm以下
の短波長に光吸収性、光反射性を持たず、高密度記録特
性に限界があった。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】現在、従来光ディスク
で使用されてきた波長域より短波長に発振波長を有する
半導体レーザが(〜670mm)実用化されはじめてい
る。本発明は集光ビームをより細かく絞り込み、高密度
記録可能な600〜700nmの半導体レーザを用いた
光ピックアップに適用できる記録媒体を提供することを
目的とする。集光ビームは波長が短くなる程、細く絞る
ことができ、現状の波長800nmにおける記録密度の
1.6〜1.8倍を達成可能にする。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、記録層中に特定の化合物を用いることが有効で
あることを知見し、本発明に至った。すなわち、本発明
は、基板上に直接又は下引層を介して記録層を設けさら
に必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録媒体にお
いて、該記録層に下記一般式(1)で示される化合物を
用いることを特徴とする光情報記録媒体である。
【0004】
【化6】 ただし、一般式(1)中、A:
【化7】
【化8】
【0005】
【化9】
【化10】 X:カウンターイオン R1〜4:水素原子、置換又は未置換の炭素数1〜12の
アルキル基 本発明の光情報記録媒体の構成を[図1]、[図2]、
[図3]、[図4]に示す。図中、1は基板、2は記録
層、3は下引き層、4は保護層である。本発明の光情報
記録媒体は、上記図に示されるものを記録層を内側にし
て他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッチ
構造にしてもよく、又保護層を介して接着した密着サン
ドイッチ(貼合せ構造)にしてもよい。本発明の光情報
記録媒体において、記録層に使用される前記一般式
(1)の化合物の好ましい例を挙げると、たとえば下記
のものがある。
【化11】
【0006】
【表1】
【0007】 11 Cl C613 CH3613 CH3
【化16】 12 Cl 〃 〃 〃 〃
【化17】 13 Cl C1021 CH31021 CH3
【化18】 14 Cl C49494949
【化19】
【0008】次に、本発明の光情報記録媒体に用いる他
の構成要素について説明する。 a)基板 基板の必要特性としては基板側より記録・再生を行なう
場合のみ使用レーザー光に対して透明でなければならな
い。材料例としてはポリエステル、アクリル樹脂、ポリ
アミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、
フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラ
スチック、ガラス、あるいは金属類、セラミックス等を
用いることができる。 b)下引き層 下引き層の機能としては 接着性の向上 水又はガス等のバリヤー層 記録層の保存安定性の向上 反射率の向上 溶剤からの基板の保護 プレグルーブの形成等がある。
【0009】材料例としてはとして高分子材料、シラ
ンカップリング剤等として上記高分子材料以外、無
機化合物(SiO2、MgF2、SiO、TiO2、Zu
O、TiN、SiN…)、及び金属、半金属(Zn、C
u、S、Ni、Cr、Ge、Se、Ag、Al、Au、
…)が使用できとして金属(Al、Ag、Te、…)
又は金属光沢を有する有機薄膜(メチン染料、キサンテ
ン系染料…)が使用できとしては紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂を用いることができる。 c)記録層 記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせその変化により情報を記録するものでその記録
層中に前記[化1]の化合物を含有することが必要であ
る。記録特性及び安定性向上のため[化1]で示される
化合物の1種又は2種以上を組合せてもよく、特性改良
上、他の低分子化合物(例えば[化1]で示される化合
物より長波長域に吸収能を有する有機化合物(アミニウ
ム、イモニウム、ジイモニウム系化合物等…)又は無機
錯体化合物(ビスジチオジケトン系、ビスフェニルジチ
オール系錯体等…)と混合分散してもよい。記録層膜厚
は、100Å〜10μm、好ましくは200Å〜2μm
である。膜形成法は溶剤塗布法、たとえば、浸漬塗布、
スプレーコーティング、スピナーコーティング、ブレー
ドコーティング、ローラコーティング、カーテンコーテ
ィング等が使用できる。
【0010】d)保護層 保護層の機能としては記録層とキズ、ホコリ、汚れ等
からの保護、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上等である。使用できる材料は前記下引き層の材料例
をそのまま使用することができる。 (その他)この他に前記下引き層、記録層、保護層中に
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤等が含有されていてもよい。又、[化1]で
示した化合物が前記下引き層又は保護層中に含有されて
いてもよい。
【0011】
【実施例】実施例1 厚さ1.15mmのガラス基板上に深さ900Å、半値
巾0.4μm、ピッチ1.2μmのら線状案内溝をフォ
トポリマー50μmにて形成し、この上に化合物例N
o.12の1.2ジクロルエタン溶液をスピナー塗布し
厚さ500Åの記録体を得た。 実施例2 実施例1において化合物例No.12をNo.13とし
た以外は実施例1と同様にして記録体を得た。 実施例3 実施例1において化合物例No.12をNo.7とした
以外は実施例1と同様にして記録体を得た。
【0012】実施例4 実施例1において化合物例No、12をNo.9とした
以外は実施例1と同様にして記録体を得た。これらの記
録体のλMAX、logεの値を下記の表に示す。 上記記録体を下記記録条件で記録したところ全て光学
的なコントラストの高い良好なピットが形成された。 He−Neレーザー ビーム径 1.2μm 線速 2.1m/sec 記録周波数 1.4MHz 高密度記録可能な600〜700nmの半導体レーザー
を用いたピックアップに適用できる記録媒体のため、現
状の800nmにおける記録密度より1.6〜1.8倍
が可能となった。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光情報記
録媒体は600〜700nmの半導体レーザーを用いて
高空度記録が可能であり、現状の800nmを用いる記
録密度の1.6〜1.8倍にも及ぶ。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光情報記録媒体の構成説明図。
【図2】本発明の光情報記録媒体の構成説明図。
【図3】本発明の光情報記録媒体の構成説明図。
【図4】本発明の光情報記録媒体の構成説明図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41M 5/26 CAPLUS(STN) REGISTRY(STN)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に直接又は下引層を介して記録層
    を設けさらに必要に応じて保護層を設けてなる光情報記
    録媒体において、該記録層に下記一般式(1)で示され
    る化合物を用いることを特徴とする光情報記録媒体。 【化1】 ただし、一般式(1)中、A: 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 X:カウンター イオン R1〜4:水素原子、置換又は未置換の炭素数1〜12の
    アルキル基
  2. 【請求項2】 請求項1記載の光情報記録媒体を用い、
    600〜700nmの波長の光で記録、再生する情報記
    録再生方法。
  3. 【請求項3】 分子吸光係数logεが4.5以上の
    [化1]で示される化合物を用いた請求項1記載の光情
    報記録媒体。
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