JPH0550758A

JPH0550758A - 光情報記録媒体及び記録方式

Info

Publication number: JPH0550758A
Application number: JP3277726A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Sato; 勉佐藤; Tatsuya Tomura; 辰也戸村; Noboru Sasa; 登笹; Kaoru Teramura; 薫寺村
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1991-06-10
Filing date: 1991-10-24
Publication date: 1993-03-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】高密度記録が可能な６３０〜７００ｎｍのレ
ーザー光を用いた光ピックアップに適用できる記録媒体
を提供する。【構成】基板上に直接又は下引き層を介して有機薄膜
を設け、さらにその上に必要に応じて保護層を設けてな
る記録媒体において、有機薄膜中に下記一般式（１）〜
（６）で示される化合物の少なくとも１種を含有する光
情報記録媒体。（式中、Ｒ₁〜Ｒ₅、Ｒ₇、Ｒ₈は水素原子、（置換）アル
キル基等、Ｘは酸アニオンを表わし、Ｒ₆、Ｒ₉はカルコ
ゲン元素を表わす。ｎは１又は２、ｌ、ｍは０〜４の整
数、又上記ピリジン環はベンゼン環又はナフタレン環で
縮合されていてもよい。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体及び記録
方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】これまで提案されている光情報記録媒体
には次のようなタイプのものがある。（ａ）低融点金属薄膜を記録層に用いたもの（ｂ）反射膜と有機光吸収層の２層構造型記録層とした
もの（ｃ）高反射率の有機色素膜を記録層に用いたもの（ｄ）有機色素膜に金属反射層を積層したもの（特開昭
６３−２２４０４５、特開平２−４２６５２）上記（ａ）のタイプの記録媒体は低融点金属のＴｅを主
成分とした薄膜により記録層を構成したもので、穴あけ
型と、結晶−アモルファスの相転移に伴う反射率変化を
利用した相変化型がある。このタイプの記録媒体は保存
安定性が悪く、穴あけ型のものは分解能が低く記録密度
があがらず、また相変化型のものは製造条件が難かしく
コストが高くなるという欠点がある。

【０００３】上記（ｂ）のタイプの記録媒体は金属の反
射膜上に有機光吸収層をコーティングにより設け、該有
機光吸収層にレーザ光を照射して窪みを作り、情報の記
録を行うものである。このタイプの記録媒体は、記録層
が金属反射膜上に有機吸収層を積層した２層構造となっ
ているため製造が面倒であり、また光や熱によって変形
又は変質しない金属の反射層を持つため基板側からの記
録・再生が難かしいという欠点がある。

【０００４】上記（ｃ）のタイプの記録媒体は基板上に
反射率の高い有機色素薄膜を記録層として設けたもので
ある。有機色素薄膜は融点、分解温度が高く、熱伝導率
も低いので高感度、高Ｃ／Ｎ化、高信頼性が期待でき、
また膜形成がコーティングにより可能なため量液性が良
く、低コスト化が期待できる等の利点がある。

【０００５】しかしながらこれらの色素は７００ｎｍ以
下の波長域に光吸収性及び光反射性を持たず、高密度記
録性に限界があった。

【０００６】（ｄ）のタイプの記録媒体は市販のＣＤプ
レヤーで再生可能な追記型ＣＤ（ＣＤ−ＷＯ）であり、
高い反射率と高い安定性を両立し得る有機色素の開発が
必要であるが、未だ実用化し得るものが得られていな
い。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は集光ビームを
より細かく絞り込み、高密度記録可能な６３０〜７００
ｎｍのレーザーを用いた光ピックアップに適用できる記
録媒体を提供することを目的とする。

【０００８】集光ビームは波長が短くなるほど、細かく
絞ることが可能で、現状の８００ｎｍにおける記録密度
の１．６〜１．８倍を達成可能とする。

【０００９】又、本発明は熱安定性及び光安定性に優
れ、かつ７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を有する有機
色素を含む有機薄膜を用いた光情報記録媒体を提供し、
保存寿命が長く、再生劣化の少ない、かつ、高反射率の
ＣＤ−ＷＯメディアの達成を可能とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は鋭意検討した結
果、特定の有機色素が有効であることを知見し、本発明
に至った。

【００１１】本発明の記録媒体の構成を図面に基づいて
説明する。図１〜６は本発明の記録媒体の構成例であ
る。

【００１２】記録体は図示したものを記録層を内側にし
て他の基板と空間を介して密封したエアサンドイッチ構
造にしてもよく、又保護層を介して接着した貼合せ構造
にしてもよい。

【００１３】次に本発明の記録媒体の各構成部材につい
て説明する。

【００１４】基板基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レーザ光に対して透明でなければならず、記録
層側から行う場合は透明である必要はない。基板材料と
しては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミ
ド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラスチ
ック、ガラス、セラミックあるいは金属などを用いるこ
とができる。

【００１５】なお、基板の表面にはトラッキング用の案
内溝や案内ピット、さらにアドレス信号などのプレフォ
ーマットが形成されていてもよい。

【００１６】下引き層下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガスなど
のバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上及び
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護、
（ｆ）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形成な
どを目的として使用される。（ａ）の目的に対しては高
分子材料例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビ
ニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状
ゴムなどの種々の高分子物質及びシランカップリング剤
などを用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対
しては上記高分子材料以外に無機化合物例えばＳｉ
Ｏ₂、ＭｇＦ₂、SiO、TiO₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮな
ど、金属又は半金属例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｓ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることが
できる。また、（ｄ）の目的に対しては金属、例えばＡ
ｌ、Ａｇ等や金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチ
ン染料、キサンテン系染料等を用いることができ、
（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
又、下引き層膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは
０．０５〜１０μである。

【００１７】記録層本発明における記録層はレーザ光の照射により何らかの
光学的変化を生じさせその変化により情報を記録できる
ものであって、この記録層中には本発明の色素が含有さ
れている必要がある。また、記録層の形成にあたっては
本発明の色素を１種または２種以上の組合せで用いても
よい。さらに、本発明の上記色素は他の染料例えばフタ
ロシアニン系染料、テトラヒドロコリン系染料、ジオキ
サジン系染料、トリフェノチアジン系染料、フェナンス
レン系染料、シアニン（メロシアニン）系染料、ナフト
キノン系染料、アントラキノン（インダンスレン）系染
料、キサンテン系染料、本発明の上記色素以外のトリフ
ェニルメタン系染料、クロコニウム系染料、ピリリウム
系染料、アズレン系染料などまたは金属、金属化合物例
えばＩｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｓｅ、ＴｅＯ₂、
ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどと混合分散あるいは積層の形態
で用いることもできる。また、本発明の上記色素は高分
子材料例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビ
ニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの
種々の材料もしくはシランカップリング剤などの中に混
合分散して用いてもよいしあるいは特性改良の目的で安
定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、
帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用いるこ
ともできる。

【００１８】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤまたは溶液塗布などの通常の手段によって行うこと
ができる。塗布法を用いる場合には本発明の色素などを
有機溶媒に溶解してスプレー、ローラーコーティング、
ディッピングおよびスピンニングなどの慣用のコーティ
ング法によって行われる。有機溶媒としては一般にはメ
タノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコ
ール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチ
ルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエー
テルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどの
エステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエ
タン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼ
ンなどの芳香族類などを用いることができる。記録層の
膜厚は１００Å〜１０μｍ好ましくは２００Å〜１００
０Åが適当である。

【００１９】保護層保護層は、（ａ）光反射吸収層をその傷、ホコリ、汚れ
等から保護する。（ｂ）光反射吸収層の保存安定性の向
上、（ｃ）反射率の向上等を目的として使用される。こ
れらの目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用
いることができる。また無機材料として、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ₂なども用いることができ、有機材料として、ポリメ
チルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、
ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロ
ース、脂肪族系炭化水素樹脂、芳香族系炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱
軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。

【００２０】本発明において、前記下引き層及び保護層
には記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させる
ことができる。

【００２１】金属反射層本発明において反射層は、単体で高反射率の得られる金
属、半金属等が使用できる。材料例としては、Ａｕ、Ａ
ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉなどが挙げられ、好ましく
はＡｕ、Ａｌが良い。これらの金属は単独で使用しても
よく、合金としてもよい。

【００２２】膜厚は５０〜３０００Å、好ましくは１０
０〜１０００Åが適当である。

【００２３】有機薄膜中に含有させる化合物の例一般式（１）で表わされる化合物

【００２４】

【化４】

【００２５】

【化５】

【００２６】

【化６】

【００２７】一般式（２）で表わされる化合物

【００２８】

【化７】

【００２９】

【化８】

【００３０】

【化９】

【００３１】

【化１０】

【００３２】一般式（３）で表わされる化合物。

【００３３】

【化１１】

【００３４】

【化１２】

【００３５】一般式（４）で表わされる化合物。

【００３６】

【化１３】

【００３７】一般式（５）で表わされる化合物

【００３８】

【化１４】

【００３９】一般式（６）で表わされる化合物

【００４０】

【化１５】

【００４１】

【表１】

【００４２】アミニウム、ジイモニウム例

【００４３】

【化１６】

【００４４】（式中、Ａはフェニル、シクロヘキシルア
ミノ、ジベンジルアミノまたはＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を有
するジアルキルアミノを表わし、ＢはＡと同じであるか
あるいは水素原子を表わし、Ｘは酸アニオンを表わしそ
して上記式中に存在するすべての芳香核は低級アルキ
ル、低級アルコキシ、低級アルキルチオ、ハロゲンまた
は水酸基によって置換されていてもよい）で表わされる
化合物。

【００４５】

【化１７】

【００４６】

【化１８】

【００４７】

【化１９】

【００４８】

【化２０】

【００４９】

【化２１】

【００５０】

【化２２】

【００５１】｛式中、Ｚは置換もしくは無置換の炭素環
ケトンを完成するのに必要な原子群を表わし、この炭素
環には芳香族環が縮合していてもよく、Ｒ₁およびＲ₂は
同じかまたは異なっていてもよく、そしてそれぞれは置
換もしくは無置換アリール基を表わし、Ｘは金属錯体ア
ニオンを表わし、ｍは１または２を表わしそしてＡは

【００５２】

【化２３】

【００５３】（ｎは１または２を示す）または

【００５４】

【化２４】

【００５５】（ｍ＝２の場合）を表わし、該フェニル基
はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲンまたは水酸基で
置換されていてもよい｝

【００５６】

【化２５】

【００５７】

【化２６】

【００５８】アミニウム、ジイモニウム例

【００５９】

【化２７】

【００６０】｛式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は水素又は低級アルキル
基を表わし、Ｘは酸アニオンを表わし、ｍは０、１また
は２であり、Ａは

【００６１】

【化２８】

【００６２】（ｎは１または２である）または

【００６３】

【化２９】

【００６４】（ただしｍが２の場合）を表わしそして存
在するすべての芳香核は低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ハロゲンまたは水酸基によって置換されていても
よい｝

【００６５】

【化３０】

【００６６】

【化３１】

【００６７】金属錯体例アセチルアセトナートキレート系ｄ−（１）Ｎｉ（Ｉ）アクリルアセトナートｄ−（２）Ｃｕ（II）アセチルアセトナートｄ−（３）Ｍｎ（III）アセチルアセトナートｄ−（４）Ｃｏ（II）アセチルアセトナートビスジチオ−αジケトン系ｅ−（５）ビス（ジチオベンジル）ニッケルｅ−（６）ビス（ジチオビアセチル）ニッケルｅ−（７）ビス（４−ジエチルアミノベンジルジチ
オ）ニッケルｅ−（８）ビス（４−ジメチルアミノベンジルジチ
オ）ニッケルビスフェニルジチオール系ｆ−（９）ビス（１，２−ジチオフェニル）ニッケルｆ−（１０）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジメチ
ルフェニル）ニッケルｆ−（１１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−ト
リメチルフェニル）ニッケルｆ−（１２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−ト
リメチルフェニル）ニッケルｆ−（１３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６
−テトラメチルフェニル）ニッケルｆ−（１４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６
−テトラクロロフェニル）ニッケルｆ−（１５）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジクロ
ロフェニル）ニッケルｆ−（１６）ビス（１，２−ジチオ−（α）−ベンゾ
フェニル）ニッケルｆ−（１７）ビス（１，２−ジチオ−３，６−メチル
−（α）ベンゾフェニル）ニッケルｆ−（１８）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェ
ニル）ニッケルｆ−（１９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−ト
リクロロフェニル）ニッケルｆ−（２０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−ト
リクロロフェニル）ニッケルｆ−（２１）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバル
トｆ−（２２）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金ｆ−（２３）ビス（１，２−ジチオ−５−クロロフェ
ニル）ニッケルｆ−（２４）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェ
ニル）ニッケルまた、これらの金属錯体はカチオンと塩を形成してもよ
く、たとえば下記の第４級アンモニウム塩を挙げること
ができる。

【００６８】ｆ−（２５）ビス（１，２−ジチオ−３
−メチルフェニル）ニッケルテトラブチルアンモニウムｆ−（２６）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェ
ニル）ニッケルテトラブチルアンモニウムｆ−（２７）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニ
ル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウムｆ−（２８）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェ
ニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウムｆ−（２９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−ト
リメチルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アン
モニウムｆ−（３０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−ト
リメチルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アン
モニウムｆ−（３１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−ト
リメチルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブ
チル）アンモニウムｆ−（３２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−ト
リメチルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブ
チル）アンモニウムｆ−（３３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−ト
リクロロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブ
チル）アンモニウムｆ−（３４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−ト
リクロロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブ
チル）アンモニウムｆ−（３５）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバル
トテトラプロピルアンモニウムｆ−（３６）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金ジ
プロピルジブチルアンモニウムｆ−（３７）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−ト
リクロロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アン
モニウムｆ−（３８）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−ト
リクロロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アン
モニウムサリチルアルデヒドオキシム系

【００６９】

【化３２】

【００７０】ここにＲ₁およびＲ₂は、アルキル基を表わ
し、Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の遷移金属
原子を表わす。

【００７１】ｇ−（３９）Ｎｉ（II）ｏ−（Ｎ−イソ
プロピルホルムイミドイル）フェノールｇ−（４０）Ｎｉ（II）ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイ
ミドイル）フェノールｇ−（４１）Ｃｏ（II）ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイ
ミドイル）フェノールｇ−（４２）Ｃｕ（II）ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイ
ミドイル）フェノールｇ−（４３）Ｎｉ（II）２，２’−｛エチレンビス
（ニトリロメチリジン）｝ −ジフェノー
ルｇ−（４４）Ｃｏ（II）２，２’−｛エチレンビス
（ニトリロメチリジン）｝ −ジフェノー
ルｇ−（４５）Ｎｉ（II）２，２’−｛１，８−ナフチ
レンビス（ニトリロメチリジン）｝−ジフェノールｇ−（４６）Ｎｉ（II）−（Ｎ−フェニルホルムイミ
ドイル）フェノールｇ−（４７）Ｃｏ（II）−（Ｎ−フェニルホルムイミ
ドイル）フェノールｇ−（４８）Ｃｕ（II）−（Ｎ−フェニルホルムイミ
ドイル）フェノールｇ−（４９）Ｎｉ（II）サリチルアルデヒドフェニル
ヒドラゾンｇ−（５０）Ｎｉ（II）サリチルアルデヒドオキシムチオビスフェノレートキレート系

【００７２】

【化３３】

【００７３】ここにＭは前記と同じであり、Ｒ₃および
Ｒ₄は、アルキル基を表わす。また、Ｍは−電荷をも
ち、カチオンと塩とを形成していてもよい。

【００７４】ｈ−（５１）Ｎｉ（II）ｎ−ブチルアミ
ノ｛２，２’−チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）−
フェノレート｝｛Ｃｒａｓｏｒｂ−ＵＶ−１０８４（ア
メリカンシアナミドカンパニーリミテッド）｝ｈ−（５２）Ｃｏ（II）ｎ−ブチルアミノ｛２，２’
−チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）−フェノレー
ト｝ｈ−（５３）Ｎｉ（II）−２，２’−チオビス（４−
ｔｅｒｔ−オクチル）フェノレートヒドラジン−Ｓ−メチルジチオカルボキシレート類

【００７５】

【化３４】

【００７６】Ｉ−（５４）Ｒ＝Ｃ₄Ｈ₅ Ｍ＝ＮｉＩ−（５５）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝ＮｉＩ−（５６）Ｒ＝４−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝ＮｉＩ−（５７）Ｒ＝２−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝ＮｉＩ−（５８）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝ＣｏＩ−（５９）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝ＣｏＩ−（６０）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝ＰｔＩ−（６１）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｐｄ

【００７７】

【化３５】

【００７８】ＡＸＹＪ−（６２）ＮＨＨＪ−（６３）ＮＣｌＨＪ−（６４）ＮＣＨ₃ ＨＪ−（６５）ＮＣＨ₃ ＣＨ₃ Ｊ−（６６）ＮＣＨ₃ ＣｌＪ−（６７）Ｃ（ＣＮ）ＨＨＪ−（６８）Ｃ（ＣＮ）ＨＣ₂Ｈ₅ Ｊ−（６９）Ｃ（ＣＮ）ＢｒＨ

【００７９】

【化３６】

【００８０】ＭＲ₁ Ｒ₂ Ｒ₃ Ｊ−（７０）ＮｉＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₅ ＣＨ₃ Ｊ−（７１）ＮｉＣＨ₂ＣｌＣ₄Ｈ₅ Ｃ₂Ｈ₅ Ｊ−（７２）ＣｏＣ₄Ｈ₅ ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₅ J-(73) Pt 4-CH₃ＯＣ₄Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₅ ４−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ Ｊ−（７４）Ｎｉ３−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₅ ３−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ Ｊ−（７５）ＣｕＣ₄Ｈ₅ ＣＨ₂＝ＣＨ− Ｃ₄Ｈ₅

【００８１】

【実施例】

実施例１厚さ１．１５ｍｍのガラス基板上にフォトポリマー５０
μｍにて、深さ８５０Å、半値巾０．３μｍ、ピッチ
１．３μｍの案内溝を形成した基板上に化合物例（１）
−１のクロロホルム溶液をスピナー塗布し、厚さ６００
Åの記録層を設け記録媒体とした。

【００８２】実施例２実施例１において化合物（１）−３を用いたもの。

【００８３】実施例３実施例１において化合物（１）−８を用いたもの。

【００８４】実施例４実施例１において記録層を化合物（１）−１とアミニウ
ム塩Ｂ−（１０）の１０／１．２重量比のクロロホルム
溶液で７００Å形成したもの。

【００８５】実施例５実施例２において記録層を化合物（１）−３とジイモニ
ウム塩Ｃ−（７）の１０／２重量比のクロロホルム溶液
で７００Å形成したもの。

【００８６】実施例６実施例１において記録層を化合物（１）−８と金属錯体
ｆ−（２０）の１０／１５重量比のクロロホルム溶液で
７００Å形成したもの。

【００８７】

【表２】

【００８８】上記記録体を用い、以下の記録条件にて基
板を介して記録し、その後、上記記録位置を記録に用い
た装置で、パワー０．２ｍＷの連続光にて再生し、以下
の条件にてＣ／Ｎを測定した。

【００８９】記録条件線速２．１ｍ／ｓｅｃ記録周波数１．６ＭＨｚピックアップレンズＮ．Ａ０．５再生条件スキャンニングフィルター３０ｋＨｚ結果

【００９０】

【表３】

【００９１】実施例７深さ９００Å、半値巾０．４μｍ、ピッチ１．６μｍの
案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形ポリカーボネ
ート基板上に化合物（４）の１，１，２トリフルオロエ
タノール溶液をスピナー塗布し、厚さ１５００Åの記録
層を設け、さらにその上に１０^-5Ｔｏｒｒ下でＡｕを７
００Å真空蒸着し反射層を設けた。

【００９２】実施例８実施例７において化合物（１）−６を用いたもの。

【００９３】実施例９実施例７で記録層を化合物（１）−４とアミニウム塩Ａ
−（９）の１０／１．２重量比の１，１，２トリフルオ
ロエタノール溶液で１５００Å形成したもの。実施例１０実施例８で記録層を化合物（１）−６とジイモニウム塩
Ｃ−（９）の１０／１．２重量比の１，１，２トリフル
オロエタノール溶液で１５００Å形成したもの。

【００９４】

【表４】

【００９５】これらの記録媒体に線速１．３ｍ／ｓｅ
ｃ、記録レーザパワー６ｍＷ、発振波長７８０ｎｍのレ
ーザーでＥＦＭ信号を記録し、再生レーザーパワー０．
５ｍＷで再生波形を観測したところ、いずれもＣＤの国
際規格を満足する信号レベルが得られ、反射率も７０％
以上を有していた。

【００９６】次に同一トラックを再生する再生劣化テス
トを行なったところ、実施例７、８は徐々に信号の低下
が見られたが、実施例９、１０は１００万回再生後もほ
とんど変化は見られなかった。

【００９７】実施例１１厚さ１．１５ｍｍのガラス基板上にフォトポリマー５０
μｍにて、深さ８５０Å、半値巾０．３μｍ、ピッチ
１．３μの案内溝を形成した基板上に化合物例（２）−
３のクロロホルム溶液をスピナー塗布し、厚さ６００Å
の記録層を設け記録媒体とした。

【００９８】実施例１２実施例１１において化合物例（２）−６を用いたもの。

【００９９】実施例１３実施例１１において化合物例（２）−１２を用いたも
の。

【０１００】実施例１４実施例１１において化合物例（２）−１７を用いたも
の。

【０１０１】

【表５】

【０１０２】上記記録体を用い以下の記録条件にて基板
を介して記録し、その後、上記記録位置を記録に用いた
装置で、パワー０．２ｍＷの連続光にて再生し、以下の
条件にてＣ／Ｎを測定した。

【０１０３】記録条件線速２．１ｍ／ｓｅｃ記録周波数１．６ＭＨｚピックアップレンズＮ．Ａ０．５再生条件スキャンニングフィルター３０ｋＨｚ結果

【０１０４】

【表６】

【０１０５】実施例１５深さ９００Å、半値巾０．４μｍ、ピッチ１．６μｍの
案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形ポリカーボネ
ート基板上に化合物（２）−３の１，１，２トリフルオ
ロエタノール溶液をスピナー塗布し、厚さ１５００Åの
記録層を設け、さらにその上に１０^-5Ｔｏｒｒ下でＡｕ
を７００Å真空蒸着し反射層を設けた。実施例１６実施例１５において化合物（２）−６を用いたもの。

【０１０６】これらの記録媒体に線速１．３ｍ／ｓｅ
ｃ、記録レーザパワー６ｍＷ、発振波長７８０ｎｍのレ
ーザーでＥＦＭ信号を記録し、再生レーザーパワー０．
５ｍＷで再生波形を観測したところ、いずれもＣＤの国
際規格を満足する信号レベルが得られ、反射率も７０％
以上を有していた。

【０１０７】実施例１７厚さ１．１５ｍｍのガラス基板上にフォトポリマー５０
μｍにて、深さ８５０Å、半値巾０．３μｍ、ピッチ
１．３μの案内溝を形成した基板上に化合物例（３）−
１のクロロホルム溶液をスピナー塗布し、厚さ８００Å
の記録層を設け記録媒体とした。

【０１０８】実施例１８〜２３実施例１７においてそれぞれ化合物例（３）−３、
（３）−４、（３）−６、（３）−１０、（４）−１
５、（５）−２２を用いたもの。

【０１０９】実施例２４実施例１７において記録層を化合物例（３）−１とアミ
ニウム塩Ｂ−（１０）の１０／１．３重量比のクロロホ
ルム溶液で８００Å形成したもの。

【０１１０】実施例２５実施例１７において記録層を化合物例（３）−１とジイ
モニウム塩Ｃ−（７）の１０／１．５重量比のクロロホ
ルム溶液で８００Å形成したもの。

【０１１１】実施例２６実施例２０において記録層を化合物例（３）−６と金属
錯体ｆ−（２０）の１０／１．７５重量比のクロロホル
ム溶液で８００Å形成したもの。

【０１１２】

【表７】

【０１１３】上記記録体を用い以下の記録条件にて基板
を介して記録し、その後、上記記録位置を記録に用いた
装置で、パワー０．２ｍＷの連続光にて再生し、以下の
条件にてＣ／Ｎを測定した。

【０１１４】記録条件線速２．１ｍ／ｓｅｃ記録周波数１．６ＭＨｚピックアップレンズＮ．Ａ０．５レーザーＡｒレーザー再生条件スキャンニングフィルター３０ｋＨｚレーザーＡｒレーザー結果

【０１１５】

【表８】

【０１１６】顕微鏡で観測したところ、いずれも〜１．
３μｍの記録ピットが良好に形成されていた。

【０１１７】実施例２７深さ９００Å、半値巾０．４μｍ、ピッチ１．６μｍの
案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形ポリカーボネ
ート基板上に化合物例（３）−１のクロロホルム溶液を
スピナー塗布し、厚さ２０００Åの記録層を設け、さら
にその上に１０^-5Ｔｏｒｒ下でＡｕを７００Å真空蒸着
し、反射層を設けた。

【０１１８】実施例２８実施例２７で化合物例（３）−６を用いたもの。

【０１１９】実施例２９実施例２７で化合物例（３）−１とジイモニウム塩Ｃ−
（９）１０／１．５重量比を用いたもの。

【０１２０】実施例３０実施例２７で化合物例（３）−１と金属錯体ｆ−（２
０）１０／１．５重量比を用いたもの。

【０１２１】これらの記録体に以下の記録条件で記録
し、再生レーザーパワー０．５ｍＷで再生波形を観測し
たところ、いずれもＣＤの国際規格を満足する信号レベ
ルが得られ、反射率も６５％以上を有していた。

【０１２２】次に同一トラックを再生する再生劣化テス
トを行なったところ、実施例２７、２８は徐々に信号の
低下が見られたが、実施例２９、３０は１００万回再生
後もほとんど変化は見られなかった。

【０１２３】記録条件線速１．３ｍ／ｓｅｃレーザー半導体レーザー（７８０ｎｍ）記録パワー６ｍＷ変調方式ＥＦＭ実施例３１厚さ１．１５ｍｍのガラス基板上にフォトポリマー５０
μｍにて、深さ８５０Å、半値巾０．３μｍ、ピッチ
１．３μｍの案内溝を形成した基板上に化合物例（１）
のクロロホルム溶液をスピナー塗布し、厚さ６５０Åの
記録層を設け、記録媒体とした。

【０１２４】実施例３２実施例３１において、化合物例（６）−２を用いたも
の。

【０１２５】実施例３３実施例３１において化合物例（６）−８を用いたもの。

【０１２６】実施例３４実施例３１において、記録層を化合物例（６）−１と金
属錯体ｆ−（２０）の１０／１．５重量比クロロホルム
溶液で形成したもの。

【０１２７】実施例３５実施例３２において記録層を化合物例（６）−２とした
もの。ｆ−（３３）の１０／１．５重量比クロロホルム
溶液で形成したもの。

【０１２８】上記記録体を用い、以下の記録条件にて、基板を介し
て記録し、その後上記記録位置を同装置にて、パワー
０．２ｍＷの連続光にて、再生し、以下の条件にてＣ／
Ｎを測定した。

【０１２９】＜記録条件＞＜再生条件＞・レーザーＨｅ−Ｎｅ・線速２．１ｍ／ｓｅｃスキャニングフィルター・記録周波数１．６ＭＨｚ３０ｋＨｚ・ピックアップレンズＮ．Ａ０．５＜結果＞

【０１３０】

【表９】

【０１３１】実施例３６深さ９００Å、半値巾０．４μｍ、ピッチ１．６μｍの
案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形ポリカーボネ
ート基板上に化合物例（６）−３の１，１，２−トリフ
ルオロエタノール溶液をスピナー塗布し、厚さ１６００
Åの記録層を設け、さらにその上に１０^-5Ｔｏｒｒ下で
Ａｕを７００Å真空蒸着し、反射層を設け記録体とし
た。

【０１３２】実施例３７実施例３６で化合物例（６）−１６を用いたもの。

【０１３３】実施例３８実施例３６で化合物例（６）−１８を用いたもの。

【０１３４】実施例３９実施例３６で化合物例（６）−３とアミニウム塩Ａ−
（９）の１０／１２重量比の１，１，２−トリフルオロ
エタノール溶液にて記録層を設けたもの。

【０１３５】実施例４０実施例３６で化合物例（６）−３とジイモニウム塩Ｃ−
（９）の１０／１２重量比の１，１，２−トリフルオロ
エタノール溶液にて記録層を設けたもの。

【０１３６】これらの記録媒体に線速１．３ｍ／ｓｅｃ、発信波長
７８０ｎｍ、記録レーザーパワー６ｍＷでＥＦＭ信号を
記録し、再生レーザーパワー０．５ｍＷで再生波形を観
測したところ、いずれもＣＤの国際規格を満足する信号
レベルが得られ、反射率も７０％以上を有していた。

【０１３７】次に同一トラックを再生する再生劣化テス
トを行ったところ、実施例３６、３７、３８は徐々に信
号の低下が見られたが、実施例３９、４０は１００万回
再生後もほとんど変化は見られなかった。

【０１３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光情報記
録媒体は、波長６３０〜７００ｎｍに高い光吸収性と光
反射性を有しているため、高密度記録可能な６３０〜７
００ｎｍのレーザーを用いたピックアップに適用でき、
現状の８００ｎｍにおける記録密度より１．６〜１．８
倍高密度化が達成でき、又、波長７７０〜８３０ｎｍに
高い屈折率を有し、かつ高い安定性を有するため、高反
射率で保存安定性及び再生安定性に優れたＣＤ−ＷＯ用
記録媒体とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の構成例。

【図２】同別の構成例。

【図３】同さらに別の構成例。

【図４】同さらに別の構成例。

【図５】同さらに別の構成例。

【図６】同さらに別の構成例。

【符号の説明】

１基板２有機色素層３下引き層４保護層５金属反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者寺村薫東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に直接又は下引き層を介して有機
薄膜を設け、さらにその上に必要に応じて保護層を設け
てなる記録媒体において、有機薄膜中に下記一般式
（１）〜（６）で示される化合物の少なくとも１種を含
有することを特徴とする光情報記録媒体。【化１】Ｒ₁、Ｒ₂は水素原子、置換又は非置換のアルキル基、ア
リール基、複素環を表わし、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅は水素原
子、置換又は非置換のアルキル基、アリール基、ヒドロ
キシ、アルコキシ、ハロゲン、カルボキシ、ニトロ、シ
アノ基を表わし、Ｘは酸アニオン、ｎは１又は２、ｌ、
ｍは０〜４の整数、又上記ピリジン環はベンゼン環又は
ナフタレン環で縮合されていてもよい。【化２】式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は水素原子、置換又は未置換のアルキル
基、アリール基、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロゲン、
カルボキシ、ニトロシアノ基、Ｘは酸アニオン、Ｌはメ
チン基又は３、５、７又は９個のメチン基が共重二重結
合を連結されて形成される基で該メチン基は置換されて
いてもよく、又、５員環、６員環を形成していてもよ
い。式（３）〜（５）中のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₇、Ｒ₈
は置換又は未置換の芳香族環又は複素環（芳香族環又は
複素環と縮合されていてもよい）、Ｒ₃は水素原子、カ
ルボキシル基、ハロゲン、置換又は未置換のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、Ｒ₆、Ｒ₉はカルコゲン
元素を表わす。【化３】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子、置換又は未置
換のアルキル基、カルボキシル基、Ｘは酸アニオンを表
わす）
【請求項２】有機薄膜の上にさらに金属反射層及び保
護層を順次積層してなり、基板側からの反射率が６５％
以上ある請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項３】一般式（１）〜（６）で示される化合物
より長波長域に吸収能を有するアミニウム塩、ジイモニ
ウム塩、金属錯体をさらに有機薄膜に含有する請求項１
又は２記載の光情報記録媒体。
【請求項４】請求項１記載の記録媒体を用い、発振波
長６３０〜７００ｎｍの半導体レーザーを用い記録再生
することを特徴とする記録方式。
【請求項５】請求項２記載の記録媒体を用い、発振波
長７７０〜８３０ｎｍの半導体レーザーを用い記録再生
することを特徴とする記録方式。