JPH05330238A - 光情報記録媒体及び記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、熱安定性及び光安定性に優
れ、かつ７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を有する有機
色素を提供し、保存寿命が長く再生劣化の少ない高反射
率のＣＤ−ＷＯ記録媒体の提供にある。 【構成】 透光性を有する基板上に少なくとも光吸収
層、反射層が順次形成された光情報記録媒体において、
前記光吸収層が下式（Ｉ）および（II）で示される化合
物よりなる群から選ばれた化合物の少なくとも１種を含
有する有機薄膜であることを特徴とする光情報記録媒
体。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、光記録媒体、特に追記型ＣＤ記
録媒体の分野に関する。

【０００２】

【従来技術】これまで提案されている光情報記録媒体に
は次のようなタイプのものがある。 （ａ）低融点金属薄膜を記録層に用いたもの （ｂ）反射膜と有機光吸収層の２層構造型記録層とした
もの （ｃ）高反射率の有機色素膜を記録層に用いたもの （ｄ）有機色素膜上に金属反射層を積層したもの （特開昭６３−２２４０４５、特開平２−４２６５２） 上記（ａ）のタイプの記録媒体は低融点金属のＴｅ等を
主成分とした薄膜により記録層を構成したもので、穴あ
け型と、結晶−アモルファスの相転移に伴う反射率変化
を利用した相変化型がある。このタイプの記録媒体は保
存安定性が悪く、穴あけ型のものは分解能が低く記録密
度があがらず、また相変化型のものは製造条件が難かし
くコストが高くなるという欠点がある。上記（ｂ）のタ
イプの記録媒体は金属の反射膜上に有機光吸収層をコー
ティングにより設け、該有機光吸収層にレーザ光を照射
して窪みを作り、情報の記録を行うものである。このタ
イプの記録媒体は、記録層が金属反射膜上に有機光吸収
層を積層した２層構造となっているため製造が面倒であ
り、また光や熱によって変形又は変質しない金属の反射
層を持つため基板側からの記録・再生が難しいという欠
点がある。上記（ｃ）のタイプの記録媒体は基板上に反
射率の高い有機色素薄膜を記録層として設けたものであ
る。有機色素薄膜は融点、分解温度が高く、熱伝導率も
低いので高感度、高Ｃ／Ｎ化、高信頼性が期待でき、ま
た膜形成がコーティングにより可能なため量産性が良
く、低コスト化が期待できる等の利点がある。しかしな
がら、これらの色素は７００ｎｍ以下の波長域に光吸収
性及び光反射性を持たず、高密度記録性に限界があっ
た。上記（ｄ）のタイプの記録媒体は、市販のＣＤプレ
ーヤーで再生可能な追記型ＣＤ（ＣＤ−ＷＯ）であり高
い反射率と高い安定性を両立し得る有機色素の開発が必
要であるが、未だ実用化し得るものが得られていない。

【０００３】

【目的】本発明は、前記のような課題を解決し、熱安定
性及び光安定性に優れ、かつ７７０〜８３０ｎｍに高い
屈折率を有する有機色素を提供し、保存寿命が長く再生
劣化の少ない高反射率のＣＤ−ＷＯ記録媒体の提供を目
的とする。

【０００４】

【構成】本発明の第１は、基板上に直接又は下引き層を
介して有機薄膜および金属反射層を順次設け、さらにそ
の上に必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録媒体
において、（本発明の第１は、基板上に直接又は下引き
層を介して有機薄膜、さらにその上に必要に応じて金属
反射層および／又は保護層を設けてなる光情報記録媒体
において、）該光吸収層が前記式（Ｉ）および（II）で
示される化合物よりなる群から選ばれた化合物の少なく
とも１種を含有する有機薄膜であることを特徴とする光
情報記録媒体に関する。

【０００５】

【化３】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₄およびＲ₅〜Ｒ₈は、同一または相異な
っていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基およびアリール基よりなる群から選ば
れる。Ｘは、酸素あるいは硫黄イオン。Ｚは陰イオ
ン。）

【０００６】

【化４】 （式中、Ｒ₁は、置換あるいは未置換のアルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アリル基。Ｒ₂〜Ｒ₇は、
同一または相異なっていても良く、水素原子、ハロゲ
ン、アルキル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アシル
アミノ基およびヒドロキシ基よりなる群から選ばれる。
Ｋは、置換あるいは未置換芳香族アミン残基。Ｚは陰イ
オン。） 本発明の光情報記録媒体においては、前式（Ｉ）および
（II）の化合物を光吸収層の構成成分として使用するこ
とにより高反射率、例えば反射率が６５％以上という光
情報記録媒体が得られる。

【０００７】本発明の第２は、前記第１の光記録媒体に
おいて、該有機薄膜中に前記式（Ｉ）および（II）の化
合物より長波長域に吸収能を有するアミニウム塩、ジイ
モニウム塩および金属錯体よりなる群から選ばれた化合
物の少なくとも１種を含有させたことを特徴とする光情
報記録媒体に関する。前記各化合物を添加させることよ
り、光吸収層の耐光性を向上させることができる。本発
明の前記の第１の記録媒体の実施態様としては、例えば
図１および図２に示すようなものが挙げられる。

【０００８】以下、本発明の光情報記録媒体を構成する
材料及び各層の必要特性について述べる。 （１）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行う場
合のみ使用レーザ光に対して透明でなければならない。
基板材料としては、例えばポリエステル、アクリル樹
脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィ
ン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドな
どのプラスチック、ガラス、セラミックあるいは金属な
どを用いることができる。なお、基板の表面にはトラッ
キング用の案内溝や案内ピット、さらにアドレス信号な
どのプレフォーマットが形成されていてもよい。

【０００９】（２）下引き層 下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガスなど
のバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上及び
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護、
（ｆ）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形成な
どを目的として使用される。（ａ）の目的に対しては高
分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、
ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液
状ゴムなどの種々の高分子物質及びシランカップリング
剤などを用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に
対しては上記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉ
Ｏ₂、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、Ｓ
ｉＮなど、金属または半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｓ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用い
ることができる。また、（ｄ）の目的に対しては金属、
例えば、Ａｌ、Ａｇ、等や、金属光沢を有する有機薄
膜、例えば、メチン染料、キサンテン系染料等を用いる
ことができ、（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外
線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いること
ができる。下引き層膜厚は０．０１〜３０μｍ、好まし
くは、０．０５〜１０μｍである。

【００１０】（３）記録層 本発明における記録層はレーザ光の照射により何らかの
光学的変化を生じさせその変化により情報を記録できる
ものであればよいが、この記録層中には本発明の前記一
般式（Ｉ）および（II）よりなる群から選ばれた化合物
の少なくとも１種は存在していることが必要であり、２
種以上の組合せで用いてもよい。本発明で使用する前記
一般式（Ｉ）の化合物の具体例を以下の表１および表２
に示す。

【００１１】

【表１】

【００１２】

【表２】 また、本発明で使用する前記一般式（II）の化合物の具
体例を以下の表３、表４および表５に示す。

【００１３】

【表３】

【００１４】

【表４】

【００１５】

【表５】

【００１６】さらに、本発明の上記光吸収層中には、他
の有機色素を加えてもよい。他の有機色素としては、例
えばフタロシアニン系染料、テトラヒドロコリン系染
料、ジオキサジン系染料、トリフエノチアジン系染料、
フエナンスレン系染料、シアニン（メロシアニン）系染
料、ナフトキノン系染料、アントラキノン（インダンス
レン）系染料、キサンテン系染料、本発明の上記色素以
外のトリフエニルメタン系染料、クロコニウム系染料、
ピリリウム系染料、アズレン系染料などまたは金属、金
属化合物例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｓｅ、
ＴｅＯ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどと混合分散あるいは
積層の形態で用いることもできる。また、本発明の上記
色素は高分子材料例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド
系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状
ゴムなどの種々の材料もしくはシランカップリング剤な
どの中に混合分散して用いてもよいし、あるいは特性改
良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一
緒に用いることもできる。

【００１７】本発明において光吸収層に加える添加剤と
して特に有効なものは、色素より長波長域に吸収能を有
するアミニウム、イモニウム、ジイモニウム系化合物等
の有機化合物、または金属錯化合物があり、耐光性向上
に有効である。前記化合物としては、例えば、以下の式
（Ａ）、（Ｂ）または（Ｃ）の化合物、あるいは金属錯
体（Ｄ）があげられる。

【００１８】

【化５】 （式中、Ａはフェニル、シクロヘキシルアミノ、ジベン
ジルアミノまたはＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を有するジアルキ
ルアミノを表わし、ＢはＡと同じであるかあるいは水素
原子を表わし、Ｘは酸アニオンを表わしそして上記式中
に存在するすべての芳香核は低級アルキル、低級アルコ
キシ、低級アルキルチオ、ハロゲンまたは水酸基によっ
て置換されていてもよい）で表わされる化合物。

【００１９】

【化６】

【００２０】

【化７】

【００２１】

【化８】

【００２２】

【化９】

【００２３】

【化１０】 （以下余白）

【００２４】

【化１１】 〔式中、Ｚは置換もしくは未置換の炭素環ケトンを完成
するのに必要な原子群を表わし、この炭素環には芳香族
環が縮合していてもよく、Ｒ₁およびＲ₂は同じかまたは
異なっていてもよくそしてそれぞれは置換もしくは未置
換アルキル基あるいは置換もしくは未置換アリール基を
表わし、Ｘは金属錯体アニオンを表わし、ｍは１または
２を表わし、そしてＡは

【化１２】 （ｎは１または２を示す）または

【化１３】 （ｍ＝２の場合）を表わし、該フェニル基はアルキル
基、アルコキシ基、、ハロゲンまたは水酸基で置換され
ていてもよい。〕 （以下余白）

【００２５】

【化１４】

【００２６】

【化１５】

【００２７】

【化１６】 〔式中、Ｒは水素または低級アルキル基を表わし、Ｘは
酸アニオンを表わし、ｍは０、１または２であり、Ａは

【化１７】 （ｎは１または２である）または

【化１８】 （ただしｍが２の場合）を表わし、そして存在するすべ
ての芳香核は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
ゲンまたは水酸基によって置換されていてもよい。〕 （以下余白）

【００２８】

【化１９】

【００２９】

【化２０】

【００３０】金属錯体（Ｄ） アセチルアセトナートキレート系（Ｄ−１） （１）Ｎｉ(II)アクリルアセトナート （２）Ｃｕ(II)アセチルアセトナート （３）Ｍｎ(III)アセチルアセトナート （４）Ｃｏ(II)アセチルアセトナート ビスジチオ−α−ジケトン系（Ｄ−２） （５）ビス（ジチオベンジル）ニッケル （６）ビス（ジチオビアセチル）ニッケル （７）ビス（４−ジエチルアミノベンジルジチオ）ニッ
ケル （８）ビス（４−ジメチルアミノベンジルジチオ）ニッ
ケル ビスフェニルジチオール系（Ｄ−３） （９）ビス（１，２−ジチオフェニル）ニッケル （１０）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジメチルフェ
ニル）ニッケル （１１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケル （１２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケル （１３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６−テト
ラメチルフェニル）ニッケル （１４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５，６−テト
ラクロロフェニル）ニッケル （１５）ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジクロロフェ
ニル）ニッケル （１６）ビス（１，２−ジチオ−〔ｄ〕−ベンゾフェニ
ル）ニッケル （１７）ビス（１，２−ジチオ−３，６−メチル−
〔ｄ〕−ベンゾフェニル）ニッケル （１８）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケル （１９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケル （２０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケル （２１）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバルト （２２）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金 （２３）ビス（１，２−ジチオ−５−クロロフェニル）
ニッケル （２４）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケル また、これらの金属錯体はカチオンと塩を形成してもよ
く、たとえば下記の第４級アンモニウム塩をあげること
ができる。 （２５）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケルテトラブチルアンモニウム （２６）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケルテトラブチルアンモニウム （２７）ビス（１，２−ジチオ−３−メチルフェニル）
ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （２８）ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニル）
ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （２９）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３０）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３１）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３２）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリメチ
ルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３３）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３４）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチル）
アンモニウム （３５）ビス（１，２−ジチオフェニル）コバルトテト
ラプロピルアンモニウム （３６）ビス（１，２−ジチオフェニル）白金ジプロピ
ルジブチルアンモニウム （３７）ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム （３８）ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−トリクロ
ロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウ
ム サリチルアルデヒドオキシム系（Ｄ−４）

【化２１】 ここに、Ｒ₁およびＲ₂は、アルキル基を表わし、ＭはＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の遷移金属原子を表わ
す。 （３９）Ｎｉ(II)Ｏ−（Ｎ−イソプロピルホルムイミド
イル）フェノール （４０）Ｎｉ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４１）Ｃｏ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４２）Ｃｕ(II)Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミドイ
ル）フェノール （４３）Ｎｉ(II)２，２′−〔エチレンビス（ニトリロ
メチリジン）〕ジフェノール （４４）Ｃｏ(II)２，２′−〔エチレンビス（ニトリロ
メチリジン）〕ジフェノール （４５）Ｎｉ(II)２，２′−〔１，３−ナフチレンビス
（ニトリロメチリジン）〕ジフェノール （４６）Ｎｉ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４７）Ｃｏ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４８）Ｃｕ(II)−（Ｎ−フェニルホルムイミドイル）
フェノール （４９）Ｎｉ(II)サリチルアルデヒドフェニルヒドラゾ
ン （５０）Ｎｉ(II)サリチルアルデヒドオキシム

【００３１】チオビスフェノレートキレート系（Ｄ−
５）

【化２２】 ここに、Ｍは前記と同じであり、Ｒ₃およびＲ₄は、アル
キル基を表わす。また、Ｍは−電荷をもち、カチオンと
塩とを形成していてもよい。 （５１）Ｎｉ(II)ｎ−ブチルアミノ〔２，２′−チオビ
ス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕〔Ｃｙａｓｏ
ｒｂ−ＵＶ−１０８４（アメリカンシアナミド カンパ
ニーリミテッド）〕 （５２）Ｃｏ(II)ｎ−ブチルアミノ〔２，２′−チオビ
ス（４−ｔ−オクチル）−フェノレート〕 （５３）Ｎｉ(II)−２，２′−チオビス（４−ｔ−オク
チル）フェノレート

【００３２】ヒドラジン−ｓ−メチルジチオカルボキシ
レート類（Ｄ−６）

【化２３】 （５４）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｎｉ （５５）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５６）Ｒ＝４−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５７）Ｒ＝２−ＮＯ₂Ｃ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｎｉ （５８）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｃｏ （５９）Ｒ＝４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｍ＝Ｃｏ （６０）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｐｔ （６１）Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅ Ｍ＝Ｐｄ

【００３３】（Ｄ−７）

【化２４】 Ａ Ｘ Ｙ （６２） Ｎ Ｈ Ｈ （６３） Ｎ Ｃｌ Ｈ （６４） Ｎ ＣＨ₃ Ｈ （６５） Ｎ ＣＨ₃ ＣＨ₃ （６６） Ｎ ＣＨ₃ Ｃｌ （６７） Ｃ（ＣＮ） Ｈ Ｈ （６８） Ｃ（ＣＮ） Ｈ Ｃ₂Ｈ₅ （６９） Ｃ（ＣＮ） Ｂｒ Ｈ

【００３４】一般式

【化２５】 Ｍ Ｒ₁ Ｒ₂ Ｒ₃ （７０）Ｎｉ ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₉ ＣＨ₃ （７１）Ｎｉ ＣＨ₂Ｃｌ Ｃ₄Ｈ₉ Ｃ₂Ｈ₅ （７２）Ｃｏ Ｃ₄Ｈ₉ ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₉ （７３）Ｐｔ ４−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₉ ４−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ （７４）Ｎｉ ３−ＣＨ₃ＯＣ₆Ｈ₄ Ｃ₄Ｈ₉ ３−ＣＨ₃ＯＣ₄Ｈ₄ （７５）Ｃｕ Ｃ₆Ｈ₅ ＣＨ₂＝ＣＨ− Ｃ₆Ｈ₅

【００３５】前記のような記録層の形成は蒸着、スパッ
タリング、ＣＶＤまたは溶液塗布などの通常の手段によ
って行なうことができる。塗布法を用いる場合には本発
明の色素などを有機溶媒に溶解してスプレー、ローラー
コーティング、ディッピングおよびスピンニングなどの
慣用のコーティング法によって行なわれる。有機溶媒と
しては一般にはメタノール、エタノール、イソプロパノ
ールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化
メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエ
タンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベン
ゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いるこ
とができる。記録層の膜厚は１００Å〜１０μｍ、好ま
しくは２００Å〜１０００Åが適当である。

【００３６】（３）保護層 保護層は、（ａ）光反射吸収層をその傷、ホコリ、汚れ
等から保護する、（ｂ）光反射吸収層の保存安定性の向
上、（ｃ）反射率の向上等を目的として使用される。こ
れらの目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用
いることができる。また無機材料として、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ₂なども用いることができ、有機材料として、ポリメ
チルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、
ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロ
ース、脂肪族系炭化水素樹脂、芳香族系炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱
軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。本発明に
おいて、前記下引き層及び保護層には記録層の場合と同
様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界
面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。

【００３７】（４）金属反射層 単体で高反射率の得られる金属、半金属等が使用でき
る。材料例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、
Ｎなどが挙げられ、好ましくは、Ａｕ、Ａｌが良い。こ
れらの金属は単独で使用してもよく、合金としてもよ
い。膜厚は５０〜３０００Å、好ましくは１００〜１０
００Åである。

【００３８】

【実施例】

実施例〔１〕 深さ９００Å、半値巾０．４μｍ、ピッチ１．６μｍの
案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形ポリカーボネ
ート基板上に、化合物（Ｉ−１）の１，１，２−トリフ
ルオロエタノール溶液をスピナー塗布し、厚さ１４００
Åの記録層を設け、さらにその上に、１０^-5Ｔｏｒｒ下
で、金を１０００Å真空蒸着し、反射層を設けた。さら
にその上にアクリル系フォトポリマーにより５μｍの保
護層を設け、記録体を作製した。

【００３９】実施例〔２〕〜〔８〕 実施例１に於て、化合物（Ｉ−１）に代えて、化合物
（Ｉ−２）、（Ｉ−４）、（II−１）、（II−５）、
（II−７）、（II−１１）および（II−１３）を用いて
記録体を作製した。

【００４０】実施例

〔９〕 実施例４の記録媒体で記録層を化合物（II−５）とアミ
ニウム塩Ａ−（９）の１０／１．２重量比の混合物で形
成したもの。

【００４１】実施例〔１０〕 実施例４の記録媒体で記録層を化合物（II−５）と金属
錯体Ｄ−（３３）との１０／１．５重量比の混合物で形
成したもの。この様にして得た記録体に、発振波長７８
０ｎｍの半導体レーザーで線速１．３ｍ／ｓｅｃ、記録
周波数１．０ＭＨｚ、記録レーザーパワー７ｍＷで記録
し、再生レーザーパワー０．５ｍｗ、スキャニングフィ
ルター３０ＫＨｚでＣ／Ｎを測定した。次に同一トラッ
クを３０万回再生劣化テストを行い、その後のＣ／Ｎを
測定した。

【００４２】

【表６】

【００４３】

【表７】

【００４４】

【効果】本発明の光記録媒体の光吸収層は、波長７７０
〜８３０ｎｍに高い屈折率を有し、かつ、高い安定性を
有するため、６５％という高反射率で、保存安定性及び
再生安定性に優れたＣＤ−ＷＯ用記録媒体が提供され
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板上に有機色素薄膜（光吸収層）、金属反射
層および保護層を順次設けた型の光情報記録媒体を示す
図である。

【図２】基板上に下引き層を介して有機色素薄膜（光吸
収層）、金属反射層および保護層を順次設けた型の光情
報記録媒体を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 有機色素層 ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ 金属反射層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性を有する基板上に少なくとも光吸
   収層、反射層が順次形成されてなり、基板側からの反射
   率が６５％以上である光情報記録媒体において、前記光
   吸収層が下式（Ｉ）および（II）で示される化合物より
   なる群から選ばれた化合物の少なくとも１種を含有する
   有機薄膜であることを特徴とする光情報記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₄およびＲ₅〜Ｒ₈は、同一または相異な
   っていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
   基、アルコキシ基およびアリール基よりなる群から選ば
   れる。Ｘは、酸素あるいは硫黄イオン。Ｚは陰イオ
   ン。） 【化２】 （式中、Ｒ₁は、置換あるいは未置換のアルキル基、シ
   クロアルキル基、アリール基、アリル基。Ｒ₂〜Ｒ₇は、
   同一または相異なっていても良く、水素原子、ハロゲ
   ン、アルキル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アシル
   アミノ基およびヒドロキシ基よりなる群から選ばれる。
   Ｋは、置換あるいは未置換芳香族アミン残基。Ｚは陰イ
   オン。）
2. 【請求項２】 請求項１記載の光情報記録媒体におい
   て、該有機薄膜中に前記式（Ｉ）および（II）の化合物
   より長波長域に吸収能を有するアミニウム塩、ジイモニ
   ウム塩および金属錯体よりなる群から選ばれた化合物の
   少なくとも１種を含有させたことを特徴とする光情報記
   録媒体。