JPS60254037A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS60254037A JPS60254037A JP59108442A JP10844284A JPS60254037A JP S60254037 A JPS60254037 A JP S60254037A JP 59108442 A JP59108442 A JP 59108442A JP 10844284 A JP10844284 A JP 10844284A JP S60254037 A JPS60254037 A JP S60254037A
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- recording
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Landscapes
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は特定の化合物を含む記録層を有する光情報記録
媒体に関する。さらに詳しくは、レーザビームにより直
接記録し反射光の変化によって情報再生を行なう方法に
用いられる光情報記録媒体に関する。
媒体に関する。さらに詳しくは、レーザビームにより直
接記録し反射光の変化によって情報再生を行なう方法に
用いられる光情報記録媒体に関する。
従来、回転しているディスク状の情報記録媒体にレーザ
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。そしてこの種の情報記録装置に用いら
れる情報記録媒体の記録層としては低融点金属または低
融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されている。
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。そしてこの種の情報記録装置に用いら
れる情報記録媒体の記録層としては低融点金属または低
融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されている。
しかし、これらは保存性が悪い、分解能が低い、記録密
度が低い、コスト高になるなどの欠点を有する。そこで
、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得る有機
薄膜を記録層に用いることが提案されているが、一般に
長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は熱および光に対
して安定性が低いなどの問題点があることから必ずしも
記録特性上満足できる記録層が開発されていないのが現
状である。
度が低い、コスト高になるなどの欠点を有する。そこで
、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得る有機
薄膜を記録層に用いることが提案されているが、一般に
長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は熱および光に対
して安定性が低いなどの問題点があることから必ずしも
記録特性上満足できる記録層が開発されていないのが現
状である。
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであって、その
目的は半導体レーザなどの長波長光による記録長生が可
能で保存性にすぐれかつ再生劣化が少く記録密度の高い
光情報記録媒体を提供することである。
目的は半導体レーザなどの長波長光による記録長生が可
能で保存性にすぐれかつ再生劣化が少く記録密度の高い
光情報記録媒体を提供することである。
本発明者は上記目的を達成するために鋭意研究を行った
結果、下記一般式で示され“る化合物自体が安定な記録
材料として有用であることを見出し本発明の完成に至っ
た。
結果、下記一般式で示され“る化合物自体が安定な記録
材料として有用であることを見出し本発明の完成に至っ
た。
すなわち、本発明は下記一般式で示される化合物を含む
記録層を有する光情報記録媒体を提供することにある。
記録層を有する光情報記録媒体を提供することにある。
一般式
ただし、R1ないしR4は同じかまたは異なってりでも
よくそしてそれぞれは水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、
カルボキシル基、置換もしくは未置換のアリール、アシ
ル、アシルオキシ、アルキル、アルケニルまたはアルコ
キシ基あるいは置換もしくは未置換のアルキル、アラル
キルまたはアルケニルで置換されたアミノ基を表わす。
よくそしてそれぞれは水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、
カルボキシル基、置換もしくは未置換のアリール、アシ
ル、アシルオキシ、アルキル、アルケニルまたはアルコ
キシ基あるいは置換もしくは未置換のアルキル、アラル
キルまたはアルケニルで置換されたアミノ基を表わす。
本発明の上記化合物の具体例を以下の表に示すが、本発
明はこれらのみに限定されるものではない。
明はこれらのみに限定されるものではない。
化合御名 Rj R2
B p−CL H
Cp−0CJ H
D o−CtH
Ep−Cto−CL
F p−N(CT(3)2 H
a p−Ncc5Hy)2H
)T p−OH’ o−OH
工 p−OHH
H3R4
HH
HH
HI(
o−Ct H
p−CL o−CL
p−N(C’Hg)2 H
p−NCC3Hy)2 H
HH
p−OCOCH5H
HH
化合物基 R1,R2
Lp−O03H7H′
M p−0C3T(7H
Op−C3H3Ct2 H
P p−N(CH2O)I=CT()2 HQ p−N
(C6H5CH2)2 H T ’ H0−OCOC2H5 U p−N(C2H40H)2 H V p−N(C2H40H)2 H H3,R4 HH p−CH5CHまCH−o−CL p−cga5cL2 I( HH HH p−C4Hq H p−N(Me)2 o−C/。
(C6H5CH2)2 H T ’ H0−OCOC2H5 U p−N(C2H40H)2 H V p−N(C2H40H)2 H H3,R4 HH p−CH5CHまCH−o−CL p−cga5cL2 I( HH HH p−C4Hq H p−N(Me)2 o−C/。
HH
p−N(C2H40H)2 H
本発明のブL情報記録媒体は基本的には基板と記録層と
から構成されるものであるが、必要に応じてさらに下引
層、保握層などを設けることもできる。また、記録層同
士を内側にして2枚の記録媒体を対向させたいわゆるエ
アーサンドインチ構造にすることも可能である。
から構成されるものであるが、必要に応じてさらに下引
層、保握層などを設けることもできる。また、記録層同
士を内側にして2枚の記録媒体を対向させたいわゆるエ
アーサンドインチ構造にすることも可能である。
本発明における記録Jjflはレーザ光の照射により伺
らかの光学的変化を生じさせその変化により情報を記録
できるものであって、この記録層中には上記一般式の化
合物が含有されている必要がある。また、記録層の形成
にあたっては上記一般式の化合物を1種または2種以上
の組合せで用いてもよい。さらに、本発明の上記化合物
は他の染料例えばフタロシアニン系染料、テトラヒドロ
コリン系染料、ジオキサジン系染料、トリフエッチアジ
ン系染料、フェナンスレン系染料、シアニン(メロシア
ニン〕系染料、アントラキノン(インダンスレン)系染
料、キサンチン系染料、トリフェニルメタン系染料、ク
ロコニウム系染料、ビリリクム系染料、アズレン系染料
などまたは金属、金属化合物例えばIn。
らかの光学的変化を生じさせその変化により情報を記録
できるものであって、この記録層中には上記一般式の化
合物が含有されている必要がある。また、記録層の形成
にあたっては上記一般式の化合物を1種または2種以上
の組合せで用いてもよい。さらに、本発明の上記化合物
は他の染料例えばフタロシアニン系染料、テトラヒドロ
コリン系染料、ジオキサジン系染料、トリフエッチアジ
ン系染料、フェナンスレン系染料、シアニン(メロシア
ニン〕系染料、アントラキノン(インダンスレン)系染
料、キサンチン系染料、トリフェニルメタン系染料、ク
ロコニウム系染料、ビリリクム系染料、アズレン系染料
などまたは金属、金属化合物例えばIn。
8n、 Te、 Bi、AL、 Be%TeO2,8n
O1As、 Caなどと混合分散あるいは積層の形態で
用いることもできる。また、本発明の上記化合物は高分
子材料例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビ
、ニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなど
の種々の材料もしくはシランカップリング剤などの中に
混合分散して用いてもよいしあるいは特性改良の目的で
安定剤(例えば、遷移金属錯体)、分散剤、離燃剤、滑
剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用い
ることもでとる。
O1As、 Caなどと混合分散あるいは積層の形態で
用いることもできる。また、本発明の上記化合物は高分
子材料例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビ
、ニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなど
の種々の材料もしくはシランカップリング剤などの中に
混合分散して用いてもよいしあるいは特性改良の目的で
安定剤(例えば、遷移金属錯体)、分散剤、離燃剤、滑
剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用い
ることもでとる。
次に、図面について本発明による光情報記録媒体の構成
を説明する。
を説明する。
第1図に示すように、本発明の光情報記録媒体は基本的
には基板1上に上記一般式の化合物を含む記録層2を設
けたものである。また、記録層は光反射層と光吸収層と
を任意の順序で組合せた2層構成とすることもできる。
には基板1上に上記一般式の化合物を含む記録層2を設
けたものである。また、記録層は光反射層と光吸収層と
を任意の順序で組合せた2層構成とすることもできる。
記録層の形成は蒸着、ス/(ツタリング、CVDまたは
溶液塗布などの通常の手段によって行うことができる。
溶液塗布などの通常の手段によって行うことができる。
塗布法を用いる場合には有機溶媒に溶解してスプレー、
ローラーコーティング、ディッピングおよびスピンニン
グなどの慣用のコーティング法によって行なわれる。有
機溶媒としては一般には、メタノール、エタノール、イ
ソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスル
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルtx、ト(f)エーテ
ル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素
、トリクロルエタンなどの脂肪族ノ・ロゲン化炭化水木
類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン
、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族
類などを用いることがでとる。記録層の膜厚は100X
〜10μm好ましくは200X〜2μmが適当である。
ローラーコーティング、ディッピングおよびスピンニン
グなどの慣用のコーティング法によって行なわれる。有
機溶媒としては一般には、メタノール、エタノール、イ
ソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスル
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルtx、ト(f)エーテ
ル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素
、トリクロルエタンなどの脂肪族ノ・ロゲン化炭化水木
類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン
、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族
類などを用いることがでとる。記録層の膜厚は100X
〜10μm好ましくは200X〜2μmが適当である。
基板1け基板側から書込み記録を行なう場合は使用レー
ザ光に対して透明でなければならず、また記録層側から
行なう場合は透明である必要はない、基板としてはガラ
ス、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリ
カーボネート、エポキシ、ポリイミド、ポリメチルメタ
クリレートなどのプラスチック、金属、セラミックスが
通常使用されるがその他記録媒体に使用されるものなら
どれでもよい。
ザ光に対して透明でなければならず、また記録層側から
行なう場合は透明である必要はない、基板としてはガラ
ス、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリ
カーボネート、エポキシ、ポリイミド、ポリメチルメタ
クリレートなどのプラスチック、金属、セラミックスが
通常使用されるがその他記録媒体に使用されるものなら
どれでもよい。
また、第2図ないし第4図に示すように第1図の構成の
ものにさらに下引Jfi 5おJ:び/または保護M
4を設けた構成とすることもできる。
ものにさらに下引Jfi 5おJ:び/または保護M
4を設けた構成とすることもできる。
この際、下引層および/または促成層中には本発明の上
記一般式で表わされる化合物が含有されていてもよい。
記一般式で表わされる化合物が含有されていてもよい。
下引層3は(a)接着性の向上、(b)水またはガスな
どのバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上、((
1)反射率の向L(e)溶剤からの基板の保礁およp
(f)プレグルーブの形成などを目的として使用される
。(a)の目的に対しては前記高分子相別およびシラン
カップリング剤などの種々の物質を用いることができ、
’(bL (0)の′目的に対しては上記冒分子材料以
外に無機化合物例えば8102、MI2F2、S10、
TlO2、ZnO1TiN、 S’iNなど、金属また
は半金属例えばZn、 Cu、 s、 Ni、Cr、
Go、 8e、Ca、 jJZ、 Atなどを用いるこ
とができる。(a)の目的に対しては金属例えばAt、
Agなどまたは金属光沢を有する有機薄膜例えばメタ
ン染料、キサンチン系染料などを用いることができそし
て(e)、(f)の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
どのバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上、((
1)反射率の向L(e)溶剤からの基板の保礁およp
(f)プレグルーブの形成などを目的として使用される
。(a)の目的に対しては前記高分子相別およびシラン
カップリング剤などの種々の物質を用いることができ、
’(bL (0)の′目的に対しては上記冒分子材料以
外に無機化合物例えば8102、MI2F2、S10、
TlO2、ZnO1TiN、 S’iNなど、金属また
は半金属例えばZn、 Cu、 s、 Ni、Cr、
Go、 8e、Ca、 jJZ、 Atなどを用いるこ
とができる。(a)の目的に対しては金属例えばAt、
Agなどまたは金属光沢を有する有機薄膜例えばメタ
ン染料、キサンチン系染料などを用いることができそし
て(e)、(f)の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
下引層の膜厚は0.1〜30μm好ましくは0.2〜1
0μmカー適当である。また、保詐層4はキズ、ホコリ
、汚れfcyからの保護および記録層の化学的安定性の
向十名・目的として設けられ、その材料としては下引き
層と同じ材料を使用することができる。保a1w!jの
膜厚は0.1μm以上好ましくは50μm以上が過当で
ある。
0μmカー適当である。また、保詐層4はキズ、ホコリ
、汚れfcyからの保護および記録層の化学的安定性の
向十名・目的として設けられ、その材料としては下引き
層と同じ材料を使用することができる。保a1w!jの
膜厚は0.1μm以上好ましくは50μm以上が過当で
ある。
さらに、本発明による光情報記録媒体の別の構成として
は、第1図ないし第4図に示した同一構成の2枚の記録
媒体(場合によりその1枚を基板のみとして)を用い記
録層2を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層4を介して接着した
いわゆる密着サンドイッチ構造(貼り合せ構造)にして
もよい。
は、第1図ないし第4図に示した同一構成の2枚の記録
媒体(場合によりその1枚を基板のみとして)を用い記
録層2を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層4を介して接着した
いわゆる密着サンドイッチ構造(貼り合せ構造)にして
もよい。
なお、レーザ光源として波長750〜850nmの半導
体レーザな用いると装置の小型化が可能となる。
体レーザな用いると装置の小型化が可能となる。
以下に実施例を掲げて本発明をさらに説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
実施例 1
厚さ1.2簡のポリメチルメタクリレート(以下、rP
MMA Jと略記)基板上に前記化合物例Bの1.2−
ジクロルエタン溶液を回転塗布して厚さ900人の記録
層を形成し記録媒体を作製した。
MMA Jと略記)基板上に前記化合物例Bの1.2−
ジクロルエタン溶液を回転塗布して厚さ900人の記録
層を形成し記録媒体を作製した。
実施例 2
実施例1にお−いて前記化合物例Fを用いて記録層を形
成した以外には実施例1と同様にして記録媒体を作製し
た。
成した以外には実施例1と同様にして記録媒体を作製し
た。
実施例 3
実施例1で形成した記録層の上にさらに厚さ100λの
銀蒸着膜を設けて記録媒体を作製した。
銀蒸着膜を設けて記録媒体を作製した。
実施例 4
厚さ1.2腿のPMMA基板上に前記化合物例Aを真空
蒸着して厚さ1oooiの記録層を形成し記録媒体を作
製した。
蒸着して厚さ1oooiの記録層を形成し記録媒体を作
製した。
実施例 5
厚さ1.2 wa (’)PMMA2Jji板上に前記
化合物例Fと下記一般式(1)の化合物とを1=1の重
量比で混合した1、2−ジクロルエタン溶液を回転塗布
して厚さ7ooXの記録層を形成し記録媒体を作製した
。
化合物例Fと下記一般式(1)の化合物とを1=1の重
量比で混合した1、2−ジクロルエタン溶液を回転塗布
して厚さ7ooXの記録層を形成し記録媒体を作製した
。
実施例 6
厚さ1.2目のPMMA基板上に前記化合物例Gと下記
一般式(U)の化合物とを7:3の重量比で混合した1
、2−ジクロルエタン溶液を回転塗布して厚さ450人
の記録層を設けさらにその上に下記一般式@)の化合物
を厚さ200人で真空蒸着して記録媒体を作製した。
一般式(U)の化合物とを7:3の重量比で混合した1
、2−ジクロルエタン溶液を回転塗布して厚さ450人
の記録層を設けさらにその上に下記一般式@)の化合物
を厚さ200人で真空蒸着して記録媒体を作製した。
実施例 7
厚さ1.2mのPMMA基板上に厚さ150λのTe蒸
着膜を設けさらにその上に前記化合物例Cの1.2−ジ
クロルエタン溶液を回転塗布し厚さ450人の記録層を
形成し記録媒体を作製した。
着膜を設けさらにその上に前記化合物例Cの1.2−ジ
クロルエタン溶液を回転塗布し厚さ450人の記録層を
形成し記録媒体を作製した。
上記実施例で作製した記録媒体に波長790nmの半導
体レーザ光を用いて基板側より、書込みパワー2.25
my、記録周波数0.5 MHz、線速1.5m7’s
e aで情報を書込み再生し、そのスペクトル解析(
スキャニングフィルター、バンド幅30KHz )を行
なってC/Nを測定した。次に、同じ配録媒体に540
00ルツクスのタングステン光を50時間照射した後の
C/Nを測定した。その結果を以下の表にまとめて示す
。
体レーザ光を用いて基板側より、書込みパワー2.25
my、記録周波数0.5 MHz、線速1.5m7’s
e aで情報を書込み再生し、そのスペクトル解析(
スキャニングフィルター、バンド幅30KHz )を行
なってC/Nを測定した。次に、同じ配録媒体に540
00ルツクスのタングステン光を50時間照射した後の
C/Nを測定した。その結果を以下の表にまとめて示す
。
実施例1 48 ’ 45
5047
35ろ 52
4 ’ 51 50
5 54 54
6 55 53
7 46 44
〔効果j
上述のようにして構成された本発明の光情報記録媒体は
以下の効果を奏することができる。
以下の効果を奏することができる。
1、 長波長レーザ(半導体レーザノを用いても高感度
に記録できる。
に記録できる。
2、 良好な形状でビットを形成することが出来、高い
C/Nが得られる。
C/Nが得られる。
5、 熱および光に対する安定性が高く、保存性に優れ
、再生劣化の少い記録体が得られる。
、再生劣化の少い記録体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は本発明の光情報記録媒体の構成を
示す断面図である。 1・・・基板、2・・・記録層、3・・・下引ど層、4
・・・保護層。 特許出願人 株式会社 リ コ −
示す断面図である。 1・・・基板、2・・・記録層、3・・・下引ど層、4
・・・保護層。 特許出願人 株式会社 リ コ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 (式中、R1ないしR4は同じかまたは異なっていても
よくそしてそれぞれは水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、
カルボキシル基、置換もしくは未置換のアリール、アシ
ル、アシルオキシ、アルキル、アルケニルまたはアルコ
キシ基あるいは置換もしくは未置換のアルキル、アラル
キルまたはアルケニルで置換されたアミノ基を表わす)
の化合物を含む記録層を有することを特徴とする、光情
報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59108442A JPS60254037A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59108442A JPS60254037A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60254037A true JPS60254037A (ja) | 1985-12-14 |
Family
ID=14484877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59108442A Pending JPS60254037A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60254037A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103247759A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-14 | 北京博如德工程技术研究有限公司 | 有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用 |
CN103242343A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-14 | 北京博如德工程技术研究有限公司 | 一种有机小分子半导体材料及其制备方法 |
CN103435784A (zh) * | 2013-08-16 | 2013-12-11 | 南京友斯贝特光电材料有限公司 | 一类二噻吩并苯聚合物及其制备和应用 |
CN103450462A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-12-18 | 南京友斯贝特光电材料有限公司 | D-a型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 |
CN103483558A (zh) * | 2013-08-19 | 2014-01-01 | 南京友斯贝特光电材料有限公司 | 一种d-a型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59108442A patent/JPS60254037A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103247759A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-14 | 北京博如德工程技术研究有限公司 | 有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用 |
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