JPS60219098A - レ−ザ−記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、集光したレーザー光を照射することにより光
学的に書き込み及び／又は読取りが可能である情報記録
媒体に関し、特にレーザー記録材料の基板表面の欠陥に
もとすく表面欠陥率が少なく、基板と記録Ｉ―との接着
力が晶く、かつ基板表面の凹凸に起因するフォーカスザ
ーボ性不良のない、かつ基板がガラスの場合はカラス中
の遊離した金属イオン例えばナトリウムイオンやカルシ
ウムイオンに起因する析出物の発生を防止し、かつ記録
層の腐食を防止したレーザー記録材料に関するものであ
る。

（従来技術） 従来、レーザ光等の高エネルギー密度のビームを用いる
記録媒体がある。このような熱的記録媒体においては、
記録層が高い光学繊度を有ｔ７、照射される高エネルギ
ー密度の光ビームを吸収して局所的な温度上昇を生じ、
−物理的あるいは化学的な変化によってその光照射され
た部分の光学的特性が変わることにより情報が記録され
る。。

このような記録媒体は、品密廐記録かり能であること、
高速で情報の褥き込み読み取シができること、アクセス
タイムが短かいこと記録の゛Ｊ鹸刑期保存性すぐれてい
ること等の多くの利点を有する。

一般に、このような記録媒体への記録は、記録すべき情
報を電気的な時系列信号に変換し、その信号に応じて強
度変調されたレーザビームで七の記録媒体上を走査させ
て行うことができ、この場合にはリアルタイムで記録ｉ
ｉ！１Ｉｔａが得られるという利点がある。

かくのごときレーザー記録材料において従来は、基板の
下塗に有機ポリマー例えばポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール等を用いる方法、特開昭ｊｔ７−
／乙グ弘ｊμのごとくオルガノシリコン樹脂を用いる方
法が知られているが、表面欠陥率の減少％記録層との接
着力の改良、フォーカスサーボ性の改良、基板がカラス
の場合の基板表面の析出物の発生防止や記録層の腐食防
止にはいまだ不充分であ− （発明の目的） 本発明の目的は基板表面の微細な傷もしくは異物に起因
する欠陥の減少、基板表面の凹凸に起因するフォーカス
サーボ性の不良の改善、ガラス金基板に用いた場合の析
出物の発生防止及び記録層の腐食防止である。

（発明の構成） 以下に本発明の詳細な説明する。

基板としてはガラス、セルキアストポリメチルメタアク
リレイト、射出成型ポリメチルメタアクリレイト、塩化
ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリカーボネート等が光
学特性、＋面性、加工性。

取扱い性、経時安定性、コストの而から選択される。さ
らにこの基板の上にオルガノアルコオキシシラン及び又
はオルガノアロキシシランを設ける。

塗布滑は、：ｚｏｏｌからＳＯμ、好捷しくはその目的
によって異なるが、表面欠陥率を減少させるためには０
・ｊμ〜１０）ｔ、表面平担化のためには、ｊμ〜ｊＯ
μ、記録層の腐食防止のためにはＯ１ｌμ〜／θμが良
い。

これらを勘案すれば更に好ましいのはＯ０ｊ〜ｊＯμ、
最も好ましいのは０．！ｒ−／θμである。

本発明に用いられるオルガノアルコキノンラン及びオル
ガノアロキノ７ランは頭ｄ店、有（娩ケイ素化学、２４
ｔ７貞〜、２ｊ９貝に記載さｎているが、例えば一般式
ＲＩ　ＸＳ　ｉ　（（Ｊｌ１２１４−Ｘで表わされる化
合物である。

具体的には Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３）　ａ、（ＣＨａ　）　ａＳ　１Ｏ
ｃｌｆ３、（Ｃ６Ｈｓ）ａＳｉ（ＪＣＨｓ、（（Ｊｌｚ
＝Ｃ：ＨＣｌ２）３ｓｉ（ＪＣＨｓ、Ｓ　ｉ　（（ＪＣ
２１−１５）　４．　（Ｃ）Ｊ３）　ａＳ　１（ＪＣ２
Ｈ５、（Ｃ６Ｈ５）ａｓｉＯ（、：２Ｈ５、（ＣＩ−１
３１２（（：ｔ−１２−エ１１ＱＩ２１　Ｓ　１ｃｃ２
１１ｓ、５ｉ（（ＪＣ３Ｈ７）４、（Ｃ２１−１５）３
Ｓｉ　（ＵＣ３１１７）、Ｃ６Ｈ５Ｓｉ　（ＯＣ３１１
７）３、ＣＨ２＝ＣＨ８１（ＯＬ：３Ｈ７）、（ＣＣｌ
２　）　ａｓｉＯｃ６Ｈ５，ＣＨ２ＣＨ３１（ＵＣ６ｔ
ｌｓ　）　３等があけられる。

特に好ましいものは、一般式でｘ：ｏ、Ｒ１及びＲ２が
メチル基、エチル基及びブチル基等のものである。

さらにこの上に中間層を設けても良く、中間層としては
、クリえは、ポリメチルメタアクリレート、アクリル酸
−メタアクリル酸共重合体、スチレン−無水マレイン酸
共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアク
リルアミド、スチレンスルホン酸共重合体、スチレン−
ビニルトルエン共重合体、塩素化ポリエチレン、クロル
スルポン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化
ビニル塩化ビニル井水合体、ポリエステル、ポリイミド
、酢酸ビニル−１益化ビニル共車合体、エチレン−酊ビ
共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン。

ポリカーボネート等のｌｉ４々のポリマー類が用いらり
、る。膜厚とり、では０　、０　／　〜、２０　ｐ％Ｋ
Ｏ、／〜ｌＯμが好捷しく、適旨な溶剤に俗解またＶＪ
分ｉＫ！　Ｌ、てスピンコード、ディップコート、エク
ストルージョンコート、バーコード、スクリーン印刷外
のω在方法によって長けられる。必女があれ（ゴ反射防
止層ケ設けてもよい。

反射防止層としては金属類、Ａｔ、ｃｒ、Ｉｎ。

Ｃｕ、Ｕｅ等またはこれらの酸ｒｌＺ物、霧ｒヒ物、ハ
ロゲン化物等％または色素がｎＪいら！上る。

記録層として用いられる材料に番ま当該技術分野で用い
られる材料、Ｎえば１゛ｅ％　Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓ　ｎ％Ｚ
　ｒ　４　Ａ　Ｚ％　Ｃｕ　％　Ｇ　ｅ　％の金属；Ｂ
ｌ、Ａｓ、Ｓｂ等の半金属＋　（−Ｔ　ａ　ｂ　８１等
の半導体やこれらの合金又は組み合わせとしたものが用
いられる。甘だこれらの金属もしくは半金属の硫化物、
酸化物、ホウ化物、ケイ素化物、炭化物及び窒化物等の
化合物や、これらの化合物と金属との混合物も記録層に
用いられる。

これらの材料によって記録層を設けるには、蒸着、スノ
ξツタリング、イオンブレーティング等が用いられ、元
情報記録に必要な光学製置として１０ｏ１−ｓｓｏｏｌ
の厚さに設けられる。

本発明は単板型の光情報媒体にもサンドイッチ型又はエ
アサンドインチ型の光ＩＨ報記録媒体にも適用できる。

エアサンドインチ型の記録媒体は前記のようにして作ら
れた２枚の記録要素を記録層を内側にしてスペーサを介
して貼り合わせるのであるが（記録層は内基板に設けら
れていても、片方のみに設けられていてもよい）、スペ
ーサは前記中間層の設けられた上に接合してもよい。

特開昭３−７−／ＡＱμｊ弘に見られるがごとく通常の
オルガノシリコン樹脂を出発ｅ＋質とするとアルコキシ
ル基がシロキザンオｈ布中に残り、妃全な三次元のネッ
トワーク構造を有する膜ぐよ得られない。このため、ナ
トリウムイオンやカルシウムイオンに対するバリヤー性
も劣る。１万本発明のごとくオルガノアルコキシシラン
及びオルカッアロキンシランを用いたｊ易合、いちぢる
しぐずぐれたバリヤー性が得られる。

以下に本発明を実施例で示す。

実施例中における即位面＋↓を当りの欠陥個数、ｔく面
平担性及び耐久性は次のごとくしてめた。

単位面積当りの欠陥個数二直径３０３　ｍｍのエアーサ
ンドイッチタイプのディスク状し−ザーＥ１己録材料を
湿度１］、温厚λｊ０Ｃの室内にｊ日間放置しまた後天
の測定を行なつ７ζ。シー１ノー記録材料全５００ｒｐ
ｍで回転させ、内径ｌ０７ｍｍ力らｉｉざＨＨｎ　’Ｅ
で全記録層表面で約／、１μの直径となるように集光し
たシーツ−光でスキャンして反射光全測定した。基板表
面に塵埃の付着があったり、６己録ＪＪ中に欠陥がある
と、レーザー光の反射の変化として検出きれる。

この単位面積当りの欠陥個数の測定装置は、既知の粒子
サイズを有するポリスチレンコロイド粒子を塗布した標
準ザンプルを用いて。

あらかじめギヤリプレイジョンを行なっており、レーザ
ー出力レベル（ａ）０．０？”Ｊ、（ｂ）０゜３３■で
それぞれ０．３μ以上、７μ以上の欠陥の個数かｍ　あ
たシで検出されるように設計されている。

ｉｆ＋久性：カラス基板上にオルガノアルコキシシラン
もしくはオルガノアロキシシランｔ［布し２て、所定温
度で乾燥させ、さらに、ポリメチルメタアクリレートを
乾膜がλθ００ＡＫなるようスピンコードしてｉｐｏ°
Ｃｓ分間乾煙させた。この基板上に、外周部と中心部全
同心円状に遮蔽して同−Ｘｇ２系でＩｎｉコｊＯＡの厚
さに相当する量、Ｇ、ｅＳをコｏｏｌに相当する畦で共
蒸着し記録層を形成した。

このようにして作成した記録層を担持した１枚の基板を
記録層ケ内側にして、外径３０ｊｍｍ内径３０θ伍及び
外匝弘θ市内径Ｊ　ｊ　ｍｍのリング状のスペーサーを
介して、糸外線硬化型接着剤で貼り合せエアサンドイン
チ型のレーザー６己録拐科′（１１−得た。

かくして得られたレーサー記録材料を乙００ＣりＯ％Ｒ
Ｈの恒温恒湿槽に入７Ｌ％ｊ日経時した後、発生した析
出物の数ケｄ４１］定した。

１［（径２．５ｍｍ内の発生個数が０閏のときＱユ０、
／〜１１♂・１のとき△、を個以上のときは×で示しｌ
ｃｏ 尚、無絵布品とは、基板上に本発明のオルカノアルコキ
ンンランせたけオルカッアロキシシランを設けない試ト
ドでその他の処理は４〜発明の実施形態と同様な処理ケ
した試料勿意味する。

七面平担性二東京イ１１１゛密■製のザーフコン衣面和
式計で測定した。

測定は、オルカノアルコキ７ノラン’１ｆｃｌｔｌオル
ガノアロキシシランを設ける前と設けた後の基板につい
て行なった。

実施例１ 厚味／、３ｍ／ｍのソーダ石灰ガラス板にテトラメトオ
キシシランのエタノール／酢酸エチル溶液を乾後膜厚が
５ｏｏｏＡになるように塗布金してｔｊＯｏＣで３０分
間乾燥させた。この塗布前の基板と塗布後の基板の表面
平担性を測定した。

史にこの２種の幕板谷λ枚ずつを組合せて、エアーサン
ドイッチタイプのレーザー８己録材イ４を山［１定した
。

即ち、基板の外周部と中心部を同心円状に遮蔽して同−
貞、杢糸でＩｎｔλｓｏｂの厚さに相当する量、Ｇ　ｅ
　Ｓを、２０ＯＡに相当する量で共蒸着し記録層を形成
した。かくのごとくして作成した記録層を担持し′ｆＣ
，２枚の基板ケ、記録層を内側にして、外径３θｊｍｍ
内径３００ｎｍ及び外径＋’Ｏｍｍ内径３３Ｔｎｍのリ
ング状のスペーサーを介して、紫外線硬化型接着剤ｆ貼
り合せエアーサンドイッチ型のレーザー記録材料、２槌
を侍た。

ρ）＜シて得られた２棟のレーザー記録材料の平方セン
チメートルあたりの欠陥の個数を測定した。

実施例２ 実施例１におけるソーダ石灰ガラス板のかわりに厚みｉ
、ｓｍｍのセルキャストポリメチルメタクリレイト板を
用い、テトラメトオキ／シラン１Ｊｏｏｏ１になるよう
に塗布し、７０°Ｃで７θ時間乾燥させる他は、実施例
１と同様の処理を行なった。

実施例３ Ｗ　７ｉ８ｉ［＋ｌＪ　ｌにおけるテトラメトオキシシ
ランのかわりにテトラエトオキシシランを用いる１ｊＬ
ＩｉＪ　実施例１と同様に処理した。

実施例４ 実施ｇ＋＋　１にも・けるテトラメトオキシプランのエ
タノール／昨酸エチルＷ亭液の刀１わりに士・ノメトオ
キシトリフェニルシランの酢酸エチル／トルエン溶液音
用いる他は実施レリ１と同様に処理した。

比較例１ 厚味／　、　３　？ｎ　／　？ｔＬのソーダカラスＶＣ
，特開昭ｊ７−／　Ａ４μｊ４ｔにみられるオルガノノ
リコンｌ；ｊ７１１ηメチル基：フェニル基；エトキシ
基：水酸基＝１２：Ａ：、２：／の化合物を塗布してＪ
Ｊｔｌ熱炉の中で／、ｆＯｏＣから３ｊＯ°Ｃまで階段
的に熱硬化合づせる他は実施例１と同ａｔに処理して試
料ケ作り評価した。

以上の結果より、本発明試料は欠陥個数の減少、衣面粗
さのｉＪｒＭ少、１１１１１久性が良好な事がわかる。

また比・ｉｔ少しυｌと比較をすると本兄明のモノマー
（オリゴマー）と醒−なって比較しｌ　ｌ　−Ｃ＋：を
俯脂（ポリマー）を用いているため精成の商い事より！
々目１通ｉＪ陵のに面相さは改良されず、欠陥の１１ｔ
Ｎ数も改良されていない。また比炊例１のものはｔｏｏ
ｃり０ｑＩ）ＲＨより弱い事件（１イ・りえば１．ｔ　
００Ｕ　ｇ　０％Ｐｔ　Ｌｔ　）では効果はみられるが
本発明で打った耐久性のｔｒ１曲力法では耐久法のｔ改
良もみらＲない。

付ｄ′ト出１）！ｔｊ人　畠士−ＩＪ具フィルム株式会
社手続補正書 昭和ｊり年ｔ　月　Ｚ日 特許１長官殿　碧虱 １、事件の表示　昭和タフ年特願第　り６７７２号２、
発明の名称　レーザー記録材料 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 件　所　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称（ｓ２
ｏ）ｉ−ｉｉｍフィルム株式会社連絡先　〒１０６東京
都港区西麻布２１０２６番３０号４、補正の対象　明細
書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 （１）明細書第５頁第４行目の １等の炭化水素基」の次に ｒ（Ｐは１〜１０の整数）」 を挿入する。

（２）明細書第５頁第１３行目の ｒＣＨ２ＣＨ３ｉ　（ＯＣ６Ｈ５）３　ＪをｒＣＨ２＝
ＣＨ３ｉ　（ＯＣ６Ｈ５）’３　Ｊと補正する。

（３）明細書第５頁第１６行目の 「エチル基及びブチル基等」を 「エチル基、ブチル基及びフェニル基等」と補正する。

（４）明細書第１１頁第３行目の ｒｍ／ｍＪを 「謳」 と補正する。

（５）明細書第１２頁第１９行目の ｒｍ／ｍＪを 　ｍ　Ｊ と補正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上にレーザーによ多情報を書き込み及び／又は読取
   シができる記録層を有する情報記録媒体において、該基
   板と記録層との間にオルガノアルコキシシラン及び／又
   はオルガノアロキシシランを設けた事を特徴とするレー
   ザー記録材料。