JPS6157389A - レ−ザ−記録材料 - Google Patents
レ−ザ−記録材料Info
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- JPS6157389A JPS6157389A JP59179547A JP17954784A JPS6157389A JP S6157389 A JPS6157389 A JP S6157389A JP 59179547 A JP59179547 A JP 59179547A JP 17954784 A JP17954784 A JP 17954784A JP S6157389 A JPS6157389 A JP S6157389A
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- organoalkoxysilane
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- recording layer
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- Pending
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、集光したレーザー光を照射することにより光
学的に書き込み及び／又は読取シが可能・である情報記
録媒体に関し、特にレーザー記録材料の基板表面の欠陥
にもとすく表面欠陥率が少なく、基板と記録層との接着
力が高く、かつ基板表面の凹凸に起因するフォーカスサ
ーボ性不良のない、かつ基板がガラスの場合はガラス中
の遊離した金属イオン例えばナトリウムイオンやカルシ
ウムイオンに起因する析出物の発生いわゆるヤケ七防止
し、かつ記録層の腐食を防止し九レーザー記録材料に関
するものである。
学的に書き込み及び／又は読取シが可能・である情報記
録媒体に関し、特にレーザー記録材料の基板表面の欠陥
にもとすく表面欠陥率が少なく、基板と記録層との接着
力が高く、かつ基板表面の凹凸に起因するフォーカスサ
ーボ性不良のない、かつ基板がガラスの場合はガラス中
の遊離した金属イオン例えばナトリウムイオンやカルシ
ウムイオンに起因する析出物の発生いわゆるヤケ七防止
し、かつ記録層の腐食を防止し九レーザー記録材料に関
するものである。
（従来技術）
従来、レーザ光等の高エネルギー密度のビーム勿用いる
記録媒体がある。このような熱的記録媒体においては、
記録層が高い光学濃度紮有し、照射される高エネルギー
密度の光ビームを吸収して局所的な温度上昇を生じ、物
理的あるいは化学的な変化によってその光照射された部
分の光学的特性が変わることにより情報が記録される。
記録媒体がある。このような熱的記録媒体においては、
記録層が高い光学濃度紮有し、照射される高エネルギー
密度の光ビームを吸収して局所的な温度上昇を生じ、物
理的あるいは化学的な変化によってその光照射された部
分の光学的特性が変わることにより情報が記録される。
このような記録媒体は、高密度記録が可能であること、
高速で情報の書き込み読み取りができること、アクセス
タイムが短かいこと記録の長期保゛存注がすぐれている
こと等の多くの利点を有する。
高速で情報の書き込み読み取りができること、アクセス
タイムが短かいこと記録の長期保゛存注がすぐれている
こと等の多くの利点を有する。
一般に、このような記録媒体への記録は、記録すべき情
報耐電気的な時系列信号に変換し、その信号に応じて強
度変調されたレーザビームでその記録媒体上ケ走査させ
て行うことができ、この場合にはリアルタイムで記録画
像が得られるという利点がある。
報耐電気的な時系列信号に変換し、その信号に応じて強
度変調されたレーザビームでその記録媒体上ケ走査させ
て行うことができ、この場合にはリアルタイムで記録画
像が得られるという利点がある。
かくのごときレーザー記録材料において従来は、基板の
下塗に有機ポリマー例えばポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、エチレン−
酢ビ共重合体等に用いる方法、特開昭７７−／≦４ｃｔ
Ａよ≠のごとくオルガノシリコン樹脂を用いる方法が知
られているが、表面欠陥率の減少、記録層との接着力の
改良、フォーカスサーボ性の改良、基板がガラスの場合
の基板表面の析出物の発生防止や記録層の腐食防止には
いまだ不充分であつ九。
下塗に有機ポリマー例えばポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、エチレン−
酢ビ共重合体等に用いる方法、特開昭７７−／≦４ｃｔ
Ａよ≠のごとくオルガノシリコン樹脂を用いる方法が知
られているが、表面欠陥率の減少、記録層との接着力の
改良、フォーカスサーボ性の改良、基板がガラスの場合
の基板表面の析出物の発生防止や記録層の腐食防止には
いまだ不充分であつ九。
ｉた、特開昭！７−７≦弘≠ｊμにおいては下塗層のオ
ルガノシリコン樹脂を加熱し、ポリシロキサ／とするこ
とＫよシ、はじめて基板から遊離してくる金属イオンの
パｊＪヤ一層として作用するため、塗布後加熱操作を必
要とする。
ルガノシリコン樹脂を加熱し、ポリシロキサ／とするこ
とＫよシ、はじめて基板から遊離してくる金属イオンの
パｊＪヤ一層として作用するため、塗布後加熱操作を必
要とする。
充分なバジャー性を得るＫは高温での加熱が必要である
が、高温で加熱すると次のような欠点衛生ずるようにな
る、りまフ高温により基板が変形し、フォーカスが部分
的に合わなぐな夛フォーカスサーボ性が不良となる。
が、高温で加熱すると次のような欠点衛生ずるようにな
る、りまフ高温により基板が変形し、フォーカスが部分
的に合わなぐな夛フォーカスサーボ性が不良となる。
即ち特開！７−／４弘ｔＡ！≠においては、充分なイζ
リヤー性を有し、かつフォーカスサーボ性も良好なレー
ザー記録材料を得る事は不可能で６つ次。
リヤー性を有し、かつフォーカスサーボ性も良好なレー
ザー記録材料を得る事は不可能で６つ次。
（発明の目的）
本発明の第７の目的は基板表面の微細な傷もしくは異物
に起因する欠陥の減少、基板表面の凹凸に起因するフォ
ーカスサーボ性の不良の改善、ガラスを基板に用りた場
合の析出物の発生防止及び記録層の腐食防止である。
に起因する欠陥の減少、基板表面の凹凸に起因するフォ
ーカスサーボ性の不良の改善、ガラスを基板に用りた場
合の析出物の発生防止及び記録層の腐食防止である。
本発明の第２の目的はより低い温度でアルカリバリヤー
性葡有する下塗層の作成を可能にする事により、基板の
変形に起因するフォーカスチーく性の不良を改善する事
にある。’１７’Ｃ加熱工程をよシ低い温度、よシ短時
間で行う事により、コスト的に有利な生産方法を与える
事にある。
性葡有する下塗層の作成を可能にする事により、基板の
変形に起因するフォーカスチーく性の不良を改善する事
にある。’１７’Ｃ加熱工程をよシ低い温度、よシ短時
間で行う事により、コスト的に有利な生産方法を与える
事にある。
（発明の構成）
以下に本発明の詳細な説明する。基板としてガラス、セ
ルキアストポリメチルメタアクリレイト射出成型ポリメ
チルメタアクリレイト、塩化ビニル、塩化ビニル共重合
体、ポリカーボネート等が光学特性、平面性、加工性取
扱い性、経時安定性、コスト等から選択される。
ルキアストポリメチルメタアクリレイト射出成型ポリメ
チルメタアクリレイト、塩化ビニル、塩化ビニル共重合
体、ポリカーボネート等が光学特性、平面性、加工性取
扱い性、経時安定性、コスト等から選択される。
さらにこの基板の上に、ドープ剤としてＡｔ。
Ｔｉ、Ｐ、Ｂ、Ｓｂ＋Ａｓ、Ｚｎ＋Ａｕ＋Ｐｔ＋Ｇａ、
Ｓｎ、Ｔａ。
Ｓｎ、Ｔａ。
Ｃｅ、Ｉｎ勿／種以上含有するオルガノアルコキシシラ
ン及び／又はオルガノアルキシシラン全設ける。塗布量
に２００人からｊＯμｍ好ましくはその主目的によって
異なるが、表面欠陥率を減少させるためにはＯ，コ、α
〜ＩＱμ、記録層の腐食防止のためには０．／、１０μ
が好ましい。これらを考慮すると更に好ましいのはＯｏ
、２〜ｊＯμ、最も好ましいのはＯ，コ〜１０μである
。ドープ剤として用いられるＡＺ ＊ ’１１ ＋ Ｐ
＋ Ｂ ＊ Ｓ ｂ ＋ Ａ ｓ 、Ｚ ｎ 。
ン及び／又はオルガノアルキシシラン全設ける。塗布量
に２００人からｊＯμｍ好ましくはその主目的によって
異なるが、表面欠陥率を減少させるためにはＯ，コ、α
〜ＩＱμ、記録層の腐食防止のためには０．／、１０μ
が好ましい。これらを考慮すると更に好ましいのはＯｏ
、２〜ｊＯμ、最も好ましいのはＯ，コ〜１０μである
。ドープ剤として用いられるＡＺ ＊ ’１１ ＋ Ｐ
＋ Ｂ ＊ Ｓ ｂ ＋ Ａ ｓ 、Ｚ ｎ 。
Ａ ｕ ＊ ？ ｔ ＊ Ｇ ａ ＊ Ｓ ｎ ＊ Ｔ
ａ ＃ Ｃｅ 、Ｉ ｎ等の危はオルガノアルコキシ
シランｉたはオルガノアロキシシランに対してＯ，ノ〜
ｉｏｏ重ｊｌｔ％が好ましい。特に好ましい範囲は、ｒ
、ｏ〜ｊＯ重量襲である。
ａ ＃ Ｃｅ 、Ｉ ｎ等の危はオルガノアルコキシ
シランｉたはオルガノアロキシシランに対してＯ，ノ〜
ｉｏｏ重ｊｌｔ％が好ましい。特に好ましい範囲は、ｒ
、ｏ〜ｊＯ重量襲である。
本発明に用いられるオルガノアルコキシシラン及びオル
ガノアロキシシランは槙書店、有機ケイ素化学λ４ｔ７
頁〜２！２頁に記載されているが、例えば一般式ＲＩ
ＸＳ ｉ （ＯＲｚ ） ４ ｘで表わされる化合物
である。
ガノアロキシシランは槙書店、有機ケイ素化学λ４ｔ７
頁〜２！２頁に記載されているが、例えば一般式ＲＩ
ＸＳ ｉ （ＯＲｚ ） ４ ｘで表わされる化合物
である。
具体的には
５ｉ（ＯＣＨ３）４、（ＣＨａ）ａｓｉＯｃＨ３゜（Ｃ
６Ｈ５）ａｓｉＯｃＨａ、（ＣＨ２ゴＨＣＨ２） ａ
Ｓ ｌＯＣＨ３、（Ｃ６Ｈ５） ３ＳｉＯＣｚＨｓ、 （ＣＨａ）２（ＣＨ２：ＣＨＣＨ２）ＳｉＱｃ２Ｈ５、
Ｓｔ （ＯＣ４Ｈ９） ４、Ｓｉ （ＯＣ６Ｈ５） ４
．５Ｌ（ＯＣ３Ｈ７）４、（Ｃ２Ｈ５）ａｓｉ（ＯＣ３
Ｈ７）、Ｃ６Ｈ５Ｓｉ （ＯＣ３Ｈ７） ３、ＣＨ２＝
ＣＨ５ｉ （ＱＣ３Ｈ７）、（ＣＨａ） ３ｓｉＯｃ６
Ｈ５、ＣＨ２＝ＣＨ３ｉ （ＱＣａＨｓ）ａ等があげら
れる。
６Ｈ５）ａｓｉＯｃＨａ、（ＣＨ２ゴＨＣＨ２） ａ
Ｓ ｌＯＣＨ３、（Ｃ６Ｈ５） ３ＳｉＯＣｚＨｓ、 （ＣＨａ）２（ＣＨ２：ＣＨＣＨ２）ＳｉＱｃ２Ｈ５、
Ｓｔ （ＯＣ４Ｈ９） ４、Ｓｉ （ＯＣ６Ｈ５） ４
．５Ｌ（ＯＣ３Ｈ７）４、（Ｃ２Ｈ５）ａｓｉ（ＯＣ３
Ｈ７）、Ｃ６Ｈ５Ｓｉ （ＯＣ３Ｈ７） ３、ＣＨ２＝
ＣＨ５ｉ （ＱＣ３Ｈ７）、（ＣＨａ） ３ｓｉＯｃ６
Ｈ５、ＣＨ２＝ＣＨ３ｉ （ＱＣａＨｓ）ａ等があげら
れる。
特に好ましいものは、一般式でＸ：０．Ｒ２がメチル基
、エチル基、プロピル基、ブチル基及びフェニル基等の
ものである。
、エチル基、プロピル基、ブチル基及びフェニル基等の
ものである。
これらのシラン化合物は必要に応じ溶剤に溶解し、ディ
ップコート法、スピンコード法、エクストルージョンコ
ート法、バーコード法、スフ１，１−ン印刷法等により
基板に塗布する。
ップコート法、スピンコード法、エクストルージョンコ
ート法、バーコード法、スフ１，１−ン印刷法等により
基板に塗布する。
ドープ剤含有のオルガノアルコキシシランまたはオルガ
ノアロキシシランは加熱温度が低くてもアルカリバリア
ー性のある皮膜を形成する。具体的には加熱条件λ５ｏ
０Ｃコ時間でもほぼ使用可能な皮膜を形成する。このた
めドープ剤を含有しない試料を用いたレーザー記録材料
は加熱条件λよＯＯＣ−２時間では全く耐久注勿示さな
いが、ドープ剤を含有する試料を用いたレーザー記録材
料はかな９の耐久性４示す。これは加熱条件λｊｏ ０
Ｃでドープ剤がポリシロキサン構造に入ってａｓｏｏｃ
での膜形成全容易にするためか、または皮膜中のドープ
剤に、ガラスからのアルカリイオンが配位して拡散を防
止するためであると考えられる。
ノアロキシシランは加熱温度が低くてもアルカリバリア
ー性のある皮膜を形成する。具体的には加熱条件λ５ｏ
０Ｃコ時間でもほぼ使用可能な皮膜を形成する。このた
めドープ剤を含有しない試料を用いたレーザー記録材料
は加熱条件λよＯＯＣ−２時間では全く耐久注勿示さな
いが、ドープ剤を含有する試料を用いたレーザー記録材
料はかな９の耐久性４示す。これは加熱条件λｊｏ ０
Ｃでドープ剤がポリシロキサン構造に入ってａｓｏｏｃ
での膜形成全容易にするためか、または皮膜中のドープ
剤に、ガラスからのアルカリイオンが配位して拡散を防
止するためであると考えられる。
本発明における熱処理温度は２ｏｏＯｃ以上であシ好ま
しくはコｊＯｏＣ以上ｚｏｏｏｃ以下である。
しくはコｊＯｏＣ以上ｚｏｏｏｃ以下である。
さらにこの上に甲間１１を設けても良く、中間層−とし
ては、例えば、ポリメチルメタアクリレート、アクリル
酸−メタアクリル酸共重合体、スチレン−無水マレイン
酸共重合体ポリビニルアルコール−Ｎ−、、ｌチロール
アクリルアミド、スチレンスルホ／酸共重合体、ステン
ンービニルトリエン共重合体、塩素化ポリエチレン、ク
ロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエステル、ポリ
イミド、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、エチレン−
酢ビ共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカ
ーボネート等の種々のポリマー類が用いられる。膜厚と
しては０．０／、２０μ特に０．１〜１０μが好ましく
適当な溶剤に溶解または分解してスピンコード、ティッ
プコート、エクストルージョンコート、バーコード、ス
クリーン印刷等の塗布方法によって設けられる。必要が
あれば反射防止層を設けてもよい。反射防止層としては
金属類ＡムＣｒ、 Ｉｎ、 Ｃｕ、Ｇｅ等またはこれら
の酸化物、硫化物、ハロゲン化物等ま窺は色素が用いら
れる。
ては、例えば、ポリメチルメタアクリレート、アクリル
酸−メタアクリル酸共重合体、スチレン−無水マレイン
酸共重合体ポリビニルアルコール−Ｎ−、、ｌチロール
アクリルアミド、スチレンスルホ／酸共重合体、ステン
ンービニルトリエン共重合体、塩素化ポリエチレン、ク
ロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエステル、ポリ
イミド、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、エチレン−
酢ビ共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカ
ーボネート等の種々のポリマー類が用いられる。膜厚と
しては０．０／、２０μ特に０．１〜１０μが好ましく
適当な溶剤に溶解または分解してスピンコード、ティッ
プコート、エクストルージョンコート、バーコード、ス
クリーン印刷等の塗布方法によって設けられる。必要が
あれば反射防止層を設けてもよい。反射防止層としては
金属類ＡムＣｒ、 Ｉｎ、 Ｃｕ、Ｇｅ等またはこれら
の酸化物、硫化物、ハロゲン化物等ま窺は色素が用いら
れる。
記録層として用いられる材料には当該技術分野で用いら
れる材料、例えばＴｅ、 Ｚｎ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 ’
１ｒｓＡ４Ｃｕ、Ｇｅ等の金属； Ｂｉ、 Ａｓ、ｓｂ
等の半金属；Ｇｅ、Ｓｉ等の半導体やこれらの合金又は
組み合わせとしたものが用いられる。またこれらの金属
もしくは半金属の硫化物、酸化物、ホウ化物、ケイ素化
物、炭化物及び窒化物等の化合物や、これらの化合物と
金属との混合物も記録層に用いられる。
れる材料、例えばＴｅ、 Ｚｎ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 ’
１ｒｓＡ４Ｃｕ、Ｇｅ等の金属； Ｂｉ、 Ａｓ、ｓｂ
等の半金属；Ｇｅ、Ｓｉ等の半導体やこれらの合金又は
組み合わせとしたものが用いられる。またこれらの金属
もしくは半金属の硫化物、酸化物、ホウ化物、ケイ素化
物、炭化物及び窒化物等の化合物や、これらの化合物と
金属との混合物も記録層に用いられる。
これらの材料によって記録層を設けるには、蒸着、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等が用いられ、光情
報記録に必要な光学濃度として１００λ〜５ｔｏｏｌの
厚さに設けられる。
ッタリング、イオンブレーティング等が用いられ、光情
報記録に必要な光学濃度として１００λ〜５ｔｏｏｌの
厚さに設けられる。
本発明は単板型の光情報媒体にもサンドインチ型又はエ
アサンドインチ型の光情報記録媒体にも適用できる。エ
アサンドイッチ型の記録媒体は前記のようにして作られ
た２枚の記録要素を記録層を内側にしてスペーサを介し
て貼り合わせるのであるが（記録Ｎは両基板に設けられ
ていても、片方のみに設け９れていてもよい）、スペー
サは前記中間層の設けられた上に接合してもよい。
アサンドインチ型の光情報記録媒体にも適用できる。エ
アサンドイッチ型の記録媒体は前記のようにして作られ
た２枚の記録要素を記録層を内側にしてスペーサを介し
て貼り合わせるのであるが（記録Ｎは両基板に設けられ
ていても、片方のみに設け９れていてもよい）、スペー
サは前記中間層の設けられた上に接合してもよい。
特開昭ｊ７−ＩＡＩＬ４Ａｊ４ＡＶｃ見られるごとく通
常のオルガノシリコン樹脂を出発物質とすると、アルコ
キシル基または、シラノール基がシロキサ゛ン構造中に
残シ完全な三次元のネットワーク構造を有する膜は得ら
れない。さらに上記特許の加熱条件１ｓｏ０ｃから３よ
ｏ ’Ｃの階段的熱処理ではオルガノシリコン樹脂では
シラノール基が残留し三次元のネットワーク構造が得ら
れないのは当業会の常識である。
常のオルガノシリコン樹脂を出発物質とすると、アルコ
キシル基または、シラノール基がシロキサ゛ン構造中に
残シ完全な三次元のネットワーク構造を有する膜は得ら
れない。さらに上記特許の加熱条件１ｓｏ０ｃから３よ
ｏ ’Ｃの階段的熱処理ではオルガノシリコン樹脂では
シラノール基が残留し三次元のネットワーク構造が得ら
れないのは当業会の常識である。
このためナトリウムイオンやカルシウムイオンに対する
バリヤー性も劣る。１方、本発明の如く、オルガノアル
コキシシラン及びオルガノアロキシシランを用いた場合
、著しく秀れたバリヤー性が得られ、ドープ剤茫併用す
る事によりさらにガラスの軟化点から低い温度で上記性
能が得られる。
バリヤー性も劣る。１方、本発明の如く、オルガノアル
コキシシラン及びオルガノアロキシシランを用いた場合
、著しく秀れたバリヤー性が得られ、ドープ剤茫併用す
る事によりさらにガラスの軟化点から低い温度で上記性
能が得られる。
以下に本発明ヶ実施例で示す。実施例中における単位面
積当りの欠陥個数、耐久性は次のごとくして求めた。
積当りの欠陥個数、耐久性は次のごとくして求めた。
単位面積当９の欠陥個数二直径３０１ｙｍのエアーサン
ドイッチタイプのディスク状レーザー記録材料を湿度１
］、温度−１ｊＯＣの室内に５日間放置した後火の測定
で行なった。レーザー記録材料ｋｒ００ｒｐｍ で回転
させ、内径１０り間からｌλｔｒｙｓまでを記録層表面
で約／、４μの直径となるように集光したレーザー光で
スキャンして反射光を測定した。基板表面に、Ｉｌｌ挨
の付着があったり、記録層中に欠陥があると、レーザー
光の反射の変化として検出される。
ドイッチタイプのディスク状レーザー記録材料を湿度１
］、温度−１ｊＯＣの室内に５日間放置した後火の測定
で行なった。レーザー記録材料ｋｒ００ｒｐｍ で回転
させ、内径１０り間からｌλｔｒｙｓまでを記録層表面
で約／、４μの直径となるように集光したレーザー光で
スキャンして反射光を測定した。基板表面に、Ｉｌｌ挨
の付着があったり、記録層中に欠陥があると、レーザー
光の反射の変化として検出される。
この単位面積当りの欠陥個数の測定装置は、既知の粒子
サイズ紮有するポリスチレンコロイド粒子欠塗布した標
準サンプル欠周いて、あらかじめキャリブレイクヨンで
行なっており、レーザー出力レベル（ａ）０，０９ｖ、
（ｂ）０．３３Ｖでそれぞれ０．３μｍ以上、／、０μ
ｍ以上の欠陥の個数がｃｒｎ２あタシで検出されるよう
に設計されている。
サイズ紮有するポリスチレンコロイド粒子欠塗布した標
準サンプル欠周いて、あらかじめキャリブレイクヨンで
行なっており、レーザー出力レベル（ａ）０，０９ｖ、
（ｂ）０．３３Ｖでそれぞれ０．３μｍ以上、／、０μ
ｍ以上の欠陥の個数がｃｒｎ２あタシで検出されるよう
に設計されている。
耐久性ニ
ガラス基板上にオルガノアルコキシシランもしくはドー
プ剤を含むオルガノアロキシシランを塗布して、所定温
度で乾燥させさらに、ポリメチルメタアクリレートに蛇
腹がコ０００λになるようスピンコードして１４ｃｏ０
ｃｓ分間乾燥させた。
プ剤を含むオルガノアロキシシランを塗布して、所定温
度で乾燥させさらに、ポリメチルメタアクリレートに蛇
腹がコ０００λになるようスピンコードして１４ｃｏ０
ｃｓ分間乾燥させた。
この基板上に、外周部と中心部を同心円状に遮蔽して同
−真空系でＩｎ ’（ユｊＯｋの厚さに相当する量、Ｇ
ｅ８ ％ｒ：λｏｏｌに相当する輩で共蒸着し記録Ｉ＆
に形成した。このようにして作成した記録／ｉｆｋ担持
した２枚の基板を記録層を内側にして、外径ＪＯＪｒｒ
ｒｒｒｒ内径ＪＯＯｒｍ及び外径≠ｏｔａｎ内径３！頭
のリング状のスはサーを介して、紫外線硬化型接着剤で
貼シ合せエアーサンドインチ型のレーザー記録材料を得
た。
−真空系でＩｎ ’（ユｊＯｋの厚さに相当する量、Ｇ
ｅ８ ％ｒ：λｏｏｌに相当する輩で共蒸着し記録Ｉ＆
に形成した。このようにして作成した記録／ｉｆｋ担持
した２枚の基板を記録層を内側にして、外径ＪＯＪｒｒ
ｒｒｒｒ内径ＪＯＯｒｍ及び外径≠ｏｔａｎ内径３！頭
のリング状のスはサーを介して、紫外線硬化型接着剤で
貼シ合せエアーサンドインチ型のレーザー記録材料を得
た。
かくして得られ友レーザー記録材料５（ｔＯｏＣりＯ％
ＲＨの恒温恒湿槽に入れ、３日経時した後、発生した析
出物の数に測定した。直径２．ｊｒａｎ内の発生個数が
０個のときは◎、７〜３個のとき○、４〜３個のときΔ
、６個以上のときｈｘで示した。
ＲＨの恒温恒湿槽に入れ、３日経時した後、発生した析
出物の数に測定した。直径２．ｊｒａｎ内の発生個数が
０個のときは◎、７〜３個のとき○、４〜３個のときΔ
、６個以上のときｈｘで示した。
尚、無塗布品とは、基板上に本発明のオルガノアルコキ
シシランまたはオルガノアロキシシランを設けない試料
でその他の処理は本発明の笑施形態と同様な処理をした
試料を意味する。
シシランまたはオルガノアロキシシランを設けない試料
でその他の処理は本発明の笑施形態と同様な処理をした
試料を意味する。
実施例１
厚味／、Ｊｔ！ｍのソーダ石灰ガラス板にシランに対し
リン’ｉ／ｊ％含有するテトラメトオキシシランのエタ
ノール／酢酸エチル／ｆｆ３液茫乾後膜厚がｊｏｏｏλ
になるように塗布欠して２５ＯＯＣ１λ時間、乾燥させ
た。シラ／を塗らない基板も上記と同様の熱処理鴛行っ
た。この２種の基板の各２枚ずつを組合せて、エヤーサ
ンドイッチタイプのレーザー記録材料を測定した。即ち
基板の外周部と中心部を同心円状に遮蔽して、同−真空
系でＩｎ２２ｔＯ人の厚さに相当する量、ＧｅＳ ’
＜２Ｑ０λに相当する量で共蒸着し記録層を形成した。
リン’ｉ／ｊ％含有するテトラメトオキシシランのエタ
ノール／酢酸エチル／ｆｆ３液茫乾後膜厚がｊｏｏｏλ
になるように塗布欠して２５ＯＯＣ１λ時間、乾燥させ
た。シラ／を塗らない基板も上記と同様の熱処理鴛行っ
た。この２種の基板の各２枚ずつを組合せて、エヤーサ
ンドイッチタイプのレーザー記録材料を測定した。即ち
基板の外周部と中心部を同心円状に遮蔽して、同−真空
系でＩｎ２２ｔＯ人の厚さに相当する量、ＧｅＳ ’
＜２Ｑ０λに相当する量で共蒸着し記録層を形成した。
このようにして、作成した記録層に担持した２枚の基板
欠記録層を内側にして、外径３０６ｗｎ内径ＪＯＯ順及
び外径ｕｏｗｒｐｎ内径３５−のリング状のスは−サー
欠介して紫外線硬化型接着剤で貼９合せエヤーサンドイ
ッチ型のレーザー記録材料２種を得た。このようにして
得られｆＴ、２種のレーザー□記録材料の平方センナメ
ートルあ？ｃシの欠陥の個数と耐久性を評価した。
欠記録層を内側にして、外径３０６ｗｎ内径ＪＯＯ順及
び外径ｕｏｗｒｐｎ内径３５−のリング状のスは−サー
欠介して紫外線硬化型接着剤で貼９合せエヤーサンドイ
ッチ型のレーザー記録材料２種を得た。このようにして
得られｆＴ、２種のレーザー□記録材料の平方センナメ
ートルあ？ｃシの欠陥の個数と耐久性を評価した。
実施例λ
実施例／におけるリン含有テトラメトオキシシランの代
りに、リンで含有しないテトラメトオキクシラン鴛用い
他は、実施例１と同様の処理上して、欠陥の個数と耐久
性の評価でした。
りに、リンで含有しないテトラメトオキクシラン鴛用い
他は、実施例１と同様の処理上して、欠陥の個数と耐久
性の評価でした。
実施例３
実施例１におけるリン含有テトラメトオキシシランの代
りにシランに対して’ｌ’ ｉ 欠／ Ａ ％含有する
テトラエトオキシシラン欠周いる他は実施例１と同様に
処理して、欠陥の個数と耐久性の評価でした。
りにシランに対して’ｌ’ ｉ 欠／ Ａ ％含有する
テトラエトオキシシラン欠周いる他は実施例１と同様に
処理して、欠陥の個数と耐久性の評価でした。
実施例μ
実施例１のリン含有テトラメトキシシランの代りにテト
ラエトオキシシランに用いる他は実施例１と同様に処理
して、欠陥の個数と耐久性の評価鴛した。
ラエトオキシシランに用いる他は実施例１と同様に処理
して、欠陥の個数と耐久性の評価鴛した。
実施例よ
実施例／の熱処理ｔμよｏＯｃＪｏ分間に変更する以外
は実施例１と同様に処理して、欠陥の個数と耐久性の評
価鴛した。
は実施例１と同様に処理して、欠陥の個数と耐久性の評
価鴛した。
実施例を
実施例１におけるソーダ石灰ガラス板の代シに厚味／、
Ｊｍのセルキアストポリメチルメタアクリレイト板を用
いテトラメトオキシシラン’（２０ｏｏ１になるように
塗布しｔＯｏＣでｉｏ分間乾燥させる他は実施例１と同
様の処理耐荷い、欠陥の個数を評価した。
Ｊｍのセルキアストポリメチルメタアクリレイト板を用
いテトラメトオキシシラン’（２０ｏｏ１になるように
塗布しｔＯｏＣでｉｏ分間乾燥させる他は実施例１と同
様の処理耐荷い、欠陥の個数を評価した。
結果を第７表に示す。
以上の結果より、本発明のドープ剤含有、オルガノアル
コオキシシラン及び／又はオルガノアロキシシランは、
これらの物質に塗布しない′Ｍ、版と比較して欠陥の個
数が減少している事が明らかで、さらに、本発明のドー
プ剤含有、オルガノアルコオキシシラン及び／又はオル
ガノアロキシシラン シラン系化合物よシガラスに対する、耐久性能も秀れて
いる事がわかる。
コオキシシラン及び／又はオルガノアロキシシランは、
これらの物質に塗布しない′Ｍ、版と比較して欠陥の個
数が減少している事が明らかで、さらに、本発明のドー
プ剤含有、オルガノアルコオキシシラン及び／又はオル
ガノアロキシシラン シラン系化合物よシガラスに対する、耐久性能も秀れて
いる事がわかる。
Claims (1)
- 基板上にレーザーにより情報を書込み及び／又は読取り
ができる記録層に有する情報記録媒体において、該基板
と記録層との間に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐ、Ｂ、Ｓｂ、Ａｓ、
Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｃｅ、Ｉｎ、の
少くとも１種以上を含みかつ熱処理された、オルガノア
ルコキシシラン及び／又はオルガノアロキシシランの層
を有する事を特徴とするレーザー記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179547A JPS6157389A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | レ−ザ−記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179547A JPS6157389A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | レ−ザ−記録材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157389A true JPS6157389A (ja) | 1986-03-24 |
Family
ID=16067653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59179547A Pending JPS6157389A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | レ−ザ−記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6157389A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201929A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPH01172552A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｎｉ−Ｔｉ系形状記憶合金の製造方法 |
| US4913949A (en) * | 1987-07-29 | 1990-04-03 | Basf Aktiengesellschaft | Planar, multilayered, laser-optical recording material |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59179547A patent/JPS6157389A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201929A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US4913949A (en) * | 1987-07-29 | 1990-04-03 | Basf Aktiengesellschaft | Planar, multilayered, laser-optical recording material |
| JPH01172552A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｎｉ−Ｔｉ系形状記憶合金の製造方法 |
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