JPS63201929A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　　発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。

先行技術とその問題点 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の°開発研究が行
われている。

このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その−例解、除去等して、ピ
ットと称される小穴を形成して書き込みを行い、このピ
ットにより情報を記録し、このピットを読み出し光で検
出して読み出しを行うビット形成タイプのものがある。

このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Ｔｅを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。

また、近年、Ｔｅ系材料が有害であること、そして、よ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Ｔｅ系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している（特開昭６０−２０３４８８号等）
。

このような色素等の記録層を有するビット形成タイプの
光記録媒体では、感度およびＳ／Ｎ比の低下を防止する
ために、いわゆるエアーサンドイッチ構造とすることが
好ましい。

さらに、これらの色素を含む記録層を基板上に形成して
、記録・再生を行なう場合、通常、基板の裏面側から書
き込み光および読み出し光を照射して記録・再生を行な
う。

しかし、基板としてポリカーボネート、アクリル樹脂等
の透明樹脂製の基板を用いる場合、記録層の塗布設層の
際の塗布溶媒により樹脂基板表面がおかされ、記録層の
反射率が低下し、読み出しのＳ／Ｎ比が十分高くとれな
いという欠点がある。

また、長期保存に際し、色素その他の添加物が基板樹脂
中へ溶解拡散してしまい、反射率が低下してしまうよう
なおそれがある。

さらには、−書き込みにより、基板が熱によってへこん
でしまうなど損傷をうけ、これによってもＳ／Ｎ比が低
下する。また、消去後のノイズが増加する。

これに対し１本発明者らは、下地層として、ケイ素系縮
合物のコロイド粒子分散液の塗膜を用いる旨を提案して
いる（特開昭６０−２０３４８９号）。

ところが、このような塗膜による下地層は、基板との接
着性において十分ではなく、特に記録書き込み後の接着
性が悪化するという問題があった。

また、このような下地層が存在するために、予め基板上
に形成したトラッキング制御用のグループないしピット
やトラック内の基板１に形成したアドレス信号用ピット
等が埋ってしまい、再生信号やアドレス信号の検出がし
にくいという問題もあった。

■　　発明の目的 本発明の目的は、接着性、特に記録書き込み後の接着性
が良好で、かつ耐溶剤性に優れ、再生信号やアドレス信
号等も良好に再生できる光記録媒体を提供することにあ
る。

■　　発明の開示 このようなＩＩ的は、下記の本発明によって達成される
。

すなわち、本発明は、基板トに、色素または色素組成物
の記録層を有する光記録媒体において、記録層と基板と
の間に、シロキサン結合を有する珪素化合物を重合する
ことにより形成したプラズマ重合１漠下地層を有するこ
とを特徴とする光記録媒体である。

■　　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光輪録媒体１は、第１図に示すように、基板１
１トに記録層１２を有するものであって、記録層１２と
基板１１どの間にＦ地層１３を有するものである。

そして、基板１１は書き込み光および読み出し光に対し
、実質的に透明（好ましくは透過率８０％以上）なもの
であることが好ましく、実質的に透明であれば、書き込
みおよび読み出しを基板裏面側から行なうことができ、
感度、Ｓ／Ｎ比等の点で有利であり、また、はこり対策
等の実装上の点でも有利である。

基板の形状は使用用途に応じ、ディスク、テープ、ドラ
ム、ベルト等いずれであってもよい。

このような基板１１の記録層１２および下地層１３形成
面には、第１図に示すように、トラッキング用にプリグ
ループ１１５が形成されることが好ましい。

プリグループ１１５の溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、
特にλ／　７　ｎ〜λ／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基
板の屈折率である）とされている。また、プリグループ
１１５の溝の巾は、トラツク１１程度とされる。

そして、このプリグループ１１５の凹部または凸部に位
置する記録層１２を記録トラック部として、書き込み光
および読み出し光を基板裏面側から照射することが好ま
しい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向上し、しか“もトラッキングの制御信
号は大きくなる。

このようなグループを形成するかわりにビットを形成し
てもよい。

またトラック部にはアドレス信号用のビットを設けるこ
とができる。

このような基板１１上へのグループやビットの形成は、
２Ｐ法によっても射出成形法によってもよい。

基板１１は、通常、樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等
のオレフィン系樹脂等から形成するが、″その他、ガラ
ス等であってもよい。

そして基板は、少なくとも樹脂表面を有することが好ま
しく、用いる樹脂としては上記のものが挙げられる。

このような基板ｔｔｈには、下地層１３および記録層１
２が形成される。

本発明における下地層１３は、プラズマ重合膜から形成
され、このプラズマ重合膜はシロキサン結合を有する珪
素化合物を重合したものである。

シロキサン結合を有する有機珪素化合物としては、以下
のものが好ましい。

テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロシ
ロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキ
シジシロキサン、トリエトキシビニルシラン、ジメチル
エトキシビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、メ
チルトリメトキシシラン、ジメトキシメチルクロロシラ
ン、ジメトキシメチルシラン、トリメトキシシラン、ジ
メチルエトキシシラン、トリメトキシシラノール、ハイ
ドロキシメチルトリメチルシラン、メトキシトリメチル
シラン、ジメトキシジメチルシラン、エトキシトリメト
キシシラン、ビス（２−クロロエトキシ）メチルシラン
、アセトキシトリメチルシラン、クロロメチルジメチル
エトキシシラン、２−クロロエトキシトリメチルシラン
、エトキシトリメチルシラン、ジェトキシメチルシラン
、エチルトリメトキシシラン、トリス（２−クロロエト
キシ）シラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフ
ルオロプロピルシラン、！−クロロメチルー２−クロロ
エトキシトリメチルシラン、アリルオキシトリメチルシ
ラン、エトキシジメチルビニルシラン、イソプロフェノ
キシトリメチルシラン、３−クロロプロピルジメトキシ
メチルシラン、クロロメチルジェトキシメチルシラン、
トリエトキシクロロシラン、３−クロロプロルビルトリ
メトキシシラン、ジェトキシジメチルシラン、−ジメト
キシ−３−メルカプトプロピルメチルシラン、トリエト
キシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロビルトリメトキシシラン、ジェトキ
シメチルビニルシラン、クロロメチルトリエトキシシラ
ン、ターシャリ−ブトキシトリメチルシラン、ブチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、３−（
Ｎ−メチルアミノプロピル）トリエトキシシラン、ジェ
トキシジビニルシラン、ジェトキシジエチルシラン、エ
チルトリエトキシシラン、２−メルカプトエチルトリエ
トキシシラン、３−アミノプロピルジェトキシメチルシ
ラン、ｐ−クロロフェニルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシ
シラン、アリルトリエトキシシラン、３−クロロプロピ
ルトリモトキシシラン、３−アリルアミノプロピルトリ
メトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキサ
トリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、３−メチルアクリルオキシプロピルトリメトキ
シシラン、メチルトリス（２−メトキシエトキシ）シラ
ン、ジェトキシメチルフェニルシラン、ｐ−クロロフェ
ニルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン
、テトラアリルオキシシラン、テトラプロポキシシラン
、テトライソプロポキシシラン、ジメトキシジフェニル
シラン、ジェトキシジフェニルシラン、テトラフェノキ
シシラン、１．１，３．３−テトラメチルジシロキサン
、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキ
サン、１，１，１，３，５，５゜５−ヘプタメチルトリ
シロキサン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、１，
３．５−）ツメチル−１，３，５−トリフエニルシクロ
トリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン
、ヘキサメチルシクロシロキサン。

これらは単独で用いても、２　ＭＪ以上を併用してもよ
い。

この他、上記各種有機珪素化合物を併用したり、シロキ
サンと炭化水素系化合物とを用いてもよい。

炭化水素系化合物としては、通常操作性の良いことから
、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペ
ンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、
アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不
飽和の炭化水素の１種以上を用い、珪素化合物に対し炭
化水素系化合物は通常、モル比で５０倍程度以下用いる
ことができる。

本発明の、プラズマ重合膜は、６３２８人における屈折
率ｎが１．３〜１．７とすることが好ましい。

このような屈折率とするのは、ｎが１．３未満では、膜
の緻密性が不十分であり、ト分な耐溶剤性が得られず、
接着性も十分ではないからであり、また、１．７をこえ
ると、重合膜の撥水性と硬さが増し、重合膜に接して設
層される記録層１２（塗布膜）との接着が不良となり、
また設層が困難となるからである。

このようなｎとするときには、後述のように低成膜率お
よび低圧のプラズマ重合条件を選べばよい。

本発明において、プラズマ重合膜下地層１３の厚さは、
１０〜１０００人、好ましくは５０〜６００人とするの
がよい。

このような厚さとするのは１０λ未満では、本発明の実
効が得られないからであり、１０００人をこえても本発
明の効果に差異はなく、この値以上にする必要がないか
らである。

なお、膜Ｊ’Ｘの測定は、エリプソメーター等を用いれ
ばよい。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜下地層１３は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由型
ｆは、常圧に比べ分子間距離が非常に大″きいため、電
界加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電を温
度）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原ｒ軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

゛気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギ
ーをあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このような電子の運動エネルギー（電子温度）と、分子
の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと呼
ばれ、ここでは化学種か比較的原型を保ったまま爪台等
の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、本発
明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形成
しようとするものである。　なお、低温プラズマを利用
するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第２図に
示しである。　第２図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。

第２図において、反応容器Ｒ−１，ｍは、原料ガス源５
１１または５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコ
ントローラ５２１および５２２を経て供給される。　ガ
ス源５１１または５１２から別々のガスを供給する場合
は、混合ｖＩ５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０　ＩＩＩＬＺ分の流量範囲
をとりつる。

反応容器Ｒ内には、被処理基板１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。

−・方の？「極５５１は、例えば周波数可変型の電源５
４に接癲され、他方の回転式電極５５２は８にて接地さ
れている。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７．油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む。　これら真空系統は、反応容器内
を０．１Ｔｏｒｒ未満、好ましくは０．００５〜０．０
８Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
以丁になるまで容器内を排気し、その後処理ガスか所定
の流量において容器内に混合状態で供給させる。

そして、成膜率は上記のようなｎの重合膜とする場合は
５０〜２００λ／ｗｊｎとするのがよい。

このとき、反応容器内の真空は０．１Ｔｏｒｒ未満、好
ましくは０　、０　Ｏ５〜０　、０８Ｔｏｒｒの範囲に
管理される。

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。　
こうして、基板上にプラズマ上に重合膜が形成される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２．”Ｈｅ、８２
などを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

本発明では、特に動作圧力が低圧にある場合は、磁場を
併用するマグネトロン方式を用いるのが好ましい。

なお、本発明において原料に液体上ツマ−を用いる場合
は、第２図におけるガス源５１１゜５１２のところに液
体モノマーを入れた容器を恒温槽に設置して使用すれば
よい。

このように形成される本発明の光磁気記録媒体のプラズ
マ重合膜中のＳｉ含有量は、通常２〜９５ａＬ％、特に
２〜８０ａＬ％程度とする。

また、プラズマ重合膜中のＣ含有量は、５〜５０ａＬ％
程度−Ｈは５〜９０ａＬ％程度含有されることが好まし
い。

なお、プラズマ重合膜中の０含有量は、通常４０ａＬ％
程度以下とされる。

なお、プラズマ重合膜中のＳｉ、Ｃ，Ｈおよびその他の
元素の含有量の分析は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析
）等に従えばよい。

５ＩＩＪＳを用いる場合、プラズマ重合膜表面にて、Ｓ
ｉ、（：：、Ｈおよびその他の元素をカウントして算出
さればよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｓ
ｉ、Ｃ，Ｈおよびその他の元素のプロファイルを測定し
て算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座第３巻（
１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）”Ｓ［ＭＳ
およびＬＡＭＭＡ″の記載に従えばよい。

このようなプラズマ重合膜下地層１３は、プラズマ処理
された基板１１）Ｈに形成されることが好ましい。

基板１１表面をプラズマ処理することによって、基板１
１どの接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重
合膜下地層１３との接着力が向上する。

基板１１表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成
条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的はほぼ
同一である。

ただし、プラズマ処理は、原則として無機ガスを処理ガ
ス（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を原
料ガスとして用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

すなわち、Ｈ２、Ａｒ、Ｈｅ、０２　、Ｎ２　。

空気、ＮＨ３，０３，Ｈ２Ｏ；Ｎｏ、Ｎ２０゜０２など
のＮＯｘ等の中から適宜選定し、これらの単独ないし混
合したものいずれであってもよい。

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流マイクロ波等いずれであってもよい
。

記録層１２としては、種々のものであってよい。　ただ
、本発明では色素単独からなるか、色素組成物からなる
ことが好ましい。

用いる色素としては、書き込み光および読み出し光の波
長に応じ、これを有効に吸収するもののなかから、適宜
決定すればよい。　この場合、これらの光源としては、
装置を小型化できる点で、半導体レーザーを用いること
が好ましいので１色素はシアニン系、フタロシアニン系
、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン系、
ビリリウムないしチアピリリウム塩系等が好ましい。

また、色素組成物を記録層とする場合、ニトロセルロー
ス等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ナイロン等
の熱可塑性樹脂を含有させることができる。　また、色
素の酸化劣化を防止するため、クエンチャ−を含有させ
ることもできる。　さらには、この他の添加剤を含有さ
せてもよい。

このような場合、特に好ましくは、インドレニン系のシ
アニン色素とビスフェニルジチオール系等のクエンチャ
−との混合物が好ましい。

またこれらを色素のカチオンと、クエンチャ−のアニオ
ンとのイオン結合体として用いるのも好ましい。

好ましい色素およびクエンチャ−の詳細については特開
昭５９−５５７９４号、同５９−５５７９５号、同５９
−８１１９４号、同５９−８３６９５号、同６０−１８
３８７号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７
号、同６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同
６０−３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−
４４５５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３
９０号、同６〇−４７０６９号、同６０−２０９９１号
、同６０−７１２９４号、同６０−５４８９２号、同６
０−７１２９５号、同６０−７１２９６号、同６０−７
３８９１号、同６０−７３８９２号、同６０−７３８９
３号、同６０−８３８９２号、同６０−８５４４９号、
同６０−９２８９３号、同６０−１５９０８７号、同６
〇−１６２６９１号、同６０−２０３４８８号、同６０
−２０１９８８号、同６０−２３４８８６号、同６０−
２３４８９２号、同６１−１６８９４号、同６１−１１
２９２号、同６１−１１２９４号、同６１−１６８９１
号、同６１−８３８４号、同６１−１４９８８号、同６
１−１６３２４３号、四６１−２１０５３９号、特願昭
６０−５４０１３号等に記載されている。

記録層１２の設層は、ケトン系、エステル系、エーテル
系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、アルコール系等
の溶媒を用いてスピンナーコート等の塗布を行えばよい
。　本発明では下地層１３を設けたことにより耐溶剤性
が向上し、最適の溶媒を広範囲で溶媒群から選択して用
いることができめる。

このような記録層１２は、０．０１〜１０−の厚さとす
ればよい。

なお、トラッキング制御用のグループないしビットを設
ける場合、記録層の厚さは、０．２戸以ド、より好まし
くは０．０５〜０．１５％とすることが好ましい。

このとき、書き込み感度が向上する。　また、記録層中
での多重反射により、反射率がきわめて高くなり、読み
出しのＳ／Ｎ比がきわめて高くなる。　そして、記録ト
ラック部と他の領域との厚さの差にもとづく反射率の違
いが大きくなり、トラッキング制御が容易となる。

このような記録部分には、記録層のＦ層を設層すること
もできる。

また、本発明の光記録媒体は、保護板を設けてもよい。

下地層１３および記録層１２を有する基板１１と、保護
板とは空隙を介して一体化することが好ましく、その際
一方に突起を設けて一体化してもよく、−・体化するに
は、通常超音波融着な用いればよい。

超音波融着を施す場合には、突起を例えば棒状とすれば
この突起が有効に加熱され、融着効率が良好で、卸業性
が良好となり、また接着強度も高く、空隙間−も精度よ
く制御することができる。

変形が大きく突起配置密度が高いときには、気密な外周
壁が全面に形成されることがある。

また通気口を隔壁間に形成することもできる。

通気口は、突起間間隙に形成される。

また、固着は接着剤を注入することによっても行われる
。

また、基板の周縁部にホットメルト樹脂を接着剤として
塗布し、その後、内基板を組み合せ超訝波融着を施した
、いわゆる接着と融着との組み合せを用いて一体化して
もよい。

このような複数の棒状突起を形成するには、原盤または
スタンパ−の加工を行い、基板成形時−・体成形すれば
よい。

以上、棒状突起によるー・体化について説明してきたが
、この他、公知の種々の一体化構造が可能である。

なお、以上では片面記録の場合について述べてきたが本
発明では、両方の基板に記録層を設ける両面記録の媒体
としてもよい。　この場合には両方の基板が実質的に透
明な樹脂製であり、かつ両方の基板に下地層を設けるこ
とが必要である。

■　発明の具体的作用 本発明の光記録媒体は、通常ディスクとし、回転Ｆ、書
き込み光を基板裏面側から照射する。　これにより、好
ましくは溝凹部に位置する記録トラック部にビットがト
ラック状に形成される。

このように形成されたビットは、回転下、基板裏面側か
ら読み出し光を照射１して、その反射光を検出すること
によって検知される。

また、トラッキングの制御を行うには、通常、書き込み
および読み出しを行いながら、その反射光を分割して、
２分割した一対のセンサーに導入する。。　このとき、
ビームスポットが記録トラック部をはずれかけると、溝
の段差で位相差による干渉効果による一次光が一方のセ
ンサー側にかたよるので、両センサーの信号を検出して
、トラックエラー信号が検出される。

なお、記録層に一旦形成したビットを、光または熱によ
って消去して、ｉｌＴび書き込みを行うこともできる。

また、書き込みおよび読み出しに用いる光源としては、
各柚レーザーを用いることができるが、特に半導体レー
ザーを用いることが好まし■　発明の具体的効果 本発明の光記録媒体は、基板１に、色素または色素組成
物の記録層を有するものであって記録層と基板との間に
シロキサン結合を有する珪素化合物を重合することによ
り形成したプラズマ重合膜下地層を有しているため、接
着性、特に記録書き込み後の接着性が良好であるまた耐
溶剤性に優れ反射レベルが高く良好な再生信号が得られ
る。　さらには、トラッキング制御用のグループないし
ビットやアドレス信号用のビットの埋没を防止でき、ト
ラッキング制御用のグループないしビットの埋没による
エラー信号の発生がなく、アドレス信号用のビットの埋
没がないため、アドレス信号も良好に再生することがで
きる。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例をあげて本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
ポリカーボネート樹脂（分子量１５０００）からなる基
板１１に射出成型により、スパイラル状に巾０．６−１
深さ０．ＩＰのトラッキング制御用のグループを、また
巾０．６−１深さ０．１−のアドレス信号用のビットを
それぞれ設けた。　このような基板１１を真空チャンバ
中に入れ、　旦１０−５Ｔｏｒｒの真空に引パた後、処
理ガスとしてＡ「を用い、流量：　５０ｍ１／分にてガ
ス圧０．ＩＴｏｒｒに保ちながら１３．５６ＭＨｚの高
周波電圧をかけてプラズマを発生させ、基板１１表面を
プラズマ処理した。

その後、さらに表１に示す条件にてプラズマ重合１漠下
地層１３を基板ｌｌ上に形成した。

なお１表１に示した屈折率ｎは６２３８人にて測定した
。

また、これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで
測定し、１１ｑ厚はエリプソメータによって測定した。

記録層１２はインドレニン系シアニン色素（１，３，３
，１’　、３’　、３’　−ヘキサトリメデルインドト
リカルボシアニンカチオン）とビスフェニルジチオール
系のクエンチャ−（ビス（トリクロロフェニルジチオー
ル）Ｎｉアニオン）との色素結合体の２．２％シクロヘ
キサノン溶液を用いて、０．０５−の厚さに前述のよう
に下地層１３を設層した基板１１１ｚに塗布設層した。

　′ このようにしてサンプルｌ〜８を得た。゛また下地層を
設層しないものも作製し、これをサンプル１０とした。

また、比較として、特開昭６０−２０３４８９号で開示
されているケイ素系縮合物のコロイド粒子分散液（コル
コート）の塗膜を下地層に使用したものも作製し、これ
をサンプル１１とした。

この場合、下地層は酢酸、エチルとエチルアルコールを
１０：１１の割合で混合し、攪拌しながら徐々にＳｉ（
ＯＣ２Ｈ５）４を酢酸エチルに対し２／２５の割合で添
加後、３〜４日間放置した溶液をｎ−プロパツールでさ
らに１０倍希釈した後、基板上に塗布設層し、６０℃、
３０分処理して形成した。

なお、酸化ケイ素コロイドの粒径は５０〜８０人であり
、下地層の厚さは４００人とした。

以上のサンプルを用いて下記の測定を行った。

（１）基板と下地層との接着強度 各サンプルの初期時、記録後および６０℃、９０％ＲＨ
の雰囲気中に１０日放置後の接着強度を、各サンプルを
１ｍｍ間隔で縦横各々１１本クロスカットし、セロテー
プによる剥離テストを行ったときの基板への残存率（％
）により、；ｆ価した。

なお、記録は、記録パワー３．８ｍＷ、線速度１．３ｎ
＋／Ｓで行った。

（２）反射レベル ８ｊＯｎｍで基板裏面側から光デイスクドライブ装置に
て溝部をトラッキングコントロールを行った状態で反射
レベル測定した。　なお、表中の値は任意単位である。

（３）トラッキングエラーイ言号の全 光ディスクドライブ装置にて、記録膜面（未記録部）に
光を集束させ、トラッキングコントロールを行わない状
態でｐｕｓｈ−ｐｕｌ　ｌトラッキングエラー１８号の
量を測定した。　なお、表中の任′意単位である。

（４）アドレス信号の再生 光デイスクドライブ装置にて記録膜面（アドレス信号部
）に光を集束させ、トラッキングコントロールを行った
状態でアドレス信号光の量を測定した。　なお、表中の
値は任意単位である。

これらの結果を表２に示す。

表２の結果より、本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録媒体の１実施態様を示す断面
図である。 第２図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 １・・・光記録媒体、１１・・・基板。 １１５・・・グループ、１２・・・記録層、１３−・・
プラズマ重合膜下地層、 ５３・・・混合器、 ５４・・・直流、交流および周波数可変型電源、５６・
・・油回転ポンプ、 ５７・・・液体窒素トラップ、 ５８・・・油拡散ポンプ、 ５９−・・真空コントローラ、 １１１・・・被処理基板、 ５１１．５１２・・・原料ガス源、 ５２１．５２２・・・マスフローコントローラ、５５１
．５５２・・・電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、色素または色素組成物の記録層を有す
   る光記録媒体において、 記録層と基板との間に、シロキサン結合を有する珪素化
   合物を重合することにより形成したプラズマ重合膜下地
   層を有することを特徴とする光記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜の６３２８Åにおける屈折率が１
   ．３〜１．７である特許請求の範囲第１項に記載の光記
   録媒体。
3. （３）プラズマ重合膜下地層の厚さが１０〜１０００Å
   である特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光記
   録媒体。
4. （４）基板が少なくとも樹脂表面を有する特許請求の範
   囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光記録媒体。