JPS63108540A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS63108540A JPS63108540A JP61255310A JP25531086A JPS63108540A JP S63108540 A JPS63108540 A JP S63108540A JP 61255310 A JP61255310 A JP 61255310A JP 25531086 A JP25531086 A JP 25531086A JP S63108540 A JPS63108540 A JP S63108540A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。
に関する。
先行技術とその問題点
光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の開発研究が行わ
れている。
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の開発研究が行わ
れている。
このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点でヒートモード光記録媒体の開発が活発
になフている。
要である等の点でヒートモード光記録媒体の開発が活発
になフている。
このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その−例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して読
み出しを行うピット形成タイプのものがある。
用する光記録媒体であり、その−例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して読
み出しを行うピット形成タイプのものがある。
このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Teを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Teを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。
また、近年、Te系材料が打害であること、そして、よ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Te系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している(特願昭59−19715号等)。
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Te系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している(特願昭59−19715号等)。
このような色素等の記録層を有するビット形成タイプの
光記録媒体では、感度およびS/N比の低下を防止する
ために、いわゆるエアーサンドインチ構造とすることが
好ましい。
光記録媒体では、感度およびS/N比の低下を防止する
ために、いわゆるエアーサンドインチ構造とすることが
好ましい。
さらに、これらの色素を含む記録層を基板上に形成して
、記録・再生を行う場合、通常、基板の裏面側から書き
込み光および読み出し光を照射して記録・再生を行う。
、記録・再生を行う場合、通常、基板の裏面側から書き
込み光および読み出し光を照射して記録・再生を行う。
しかし、基板としてポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂等の透明樹脂製の基板を用いる場合、記録層の塗布設
層の際の塗4ii溶媒により樹脂基板表面がおかされ、
記録層の反射率が低ドし、読み出しのS/N比が十分高
くとれないという欠点がある。
脂等の透明樹脂製の基板を用いる場合、記録層の塗布設
層の際の塗4ii溶媒により樹脂基板表面がおかされ、
記録層の反射率が低ドし、読み出しのS/N比が十分高
くとれないという欠点がある。
また、長期保存に際し、色素その他の添加物が基板樹脂
中へ溶解拡散してしまい、反射率か低下してしまうよう
なおそれがある。
中へ溶解拡散してしまい、反射率か低下してしまうよう
なおそれがある。
さらには、書き込みにより、基板が熱によってへこんで
しまうなど損傷をうけ、これによってもS/N比が低下
し、ジッターも増大する。
しまうなど損傷をうけ、これによってもS/N比が低下
し、ジッターも増大する。
また、消去後のノイズが増大する。
これに対し、本発明者らは、基板上に下地層として、ケ
イ素系縮合物のコロイド粒子分散液の塗膜を用いる旨を
提案している(特願昭59−60233号)。
イ素系縮合物のコロイド粒子分散液の塗膜を用いる旨を
提案している(特願昭59−60233号)。
これにより基板がアクリル樹脂の場合は上記不都合が改
善されるものである。
善されるものである。
ところで、基板材質としては、基板のソリ(吸湿性)、
耐熱性等の点で、アクリル樹脂よりもポリカーボネート
樹脂が好ましい。
耐熱性等の点で、アクリル樹脂よりもポリカーボネート
樹脂が好ましい。
しかし、基板としてポリカーボネート樹脂を用いると、
特願昭59−60233号で好ましい範囲とされている
上記塗膜の厚さo、oos〜0.05μmでは、以下の
ような問題点があることが判明した。
特願昭59−60233号で好ましい範囲とされている
上記塗膜の厚さo、oos〜0.05μmでは、以下の
ような問題点があることが判明した。
上記下地層塗膜の厚さがo、oos〜
0.01μm程度の場合には、上記の耐溶剤性が不十分
であり、十分な反射率が得られない。
であり、十分な反射率が得られない。
そこで、膜厚を0.01〜0.05μm程度として、耐
溶剤性をあげようとすると、書き込みの際基板が熱によ
って損傷をうけ基板にもピットが形成されてしまい、ジ
ッターが増加して安定な出力が得られない。
溶剤性をあげようとすると、書き込みの際基板が熱によ
って損傷をうけ基板にもピットが形成されてしまい、ジ
ッターが増加して安定な出力が得られない。
■ 発明の[目的
本発明の目的は、反射率が高く再生出力およびS/N比
が高く、ピット形状が安定でジッターが少なく安定した
再生出力が得られ、トラッキングエラー信号が大きくト
ラッキング;しり御が安定に行える光記録媒体を提供す
ることにある。
が高く、ピット形状が安定でジッターが少なく安定した
再生出力が得られ、トラッキングエラー信号が大きくト
ラッキング;しり御が安定に行える光記録媒体を提供す
ることにある。
■ 発明の開示
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち、本発明は ポリカーボネート樹脂基板上に、
0.06〜0.2μlの厚さのケイ素縮合物のコロイド
粒子分散液の塗膜からなる下地層を有し、この下地層の
上に、色素または色素組成物からなる記録層を有するこ
とを特徴とする光記録媒体である。
0.06〜0.2μlの厚さのケイ素縮合物のコロイド
粒子分散液の塗膜からなる下地層を有し、この下地層の
上に、色素または色素組成物からなる記録層を有するこ
とを特徴とする光記録媒体である。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光記録媒体の一例として、第1図に片面記録タ
イプの光記録ディスクを示す。
イプの光記録ディスクを示す。
光記録ディスク1は、ディスク状の基板31上に、下地
層5および記録層6を有する光記録部分2と、保護板3
5とを有する。
層5および記録層6を有する光記録部分2と、保護板3
5とを有する。
この場合、用いる基板31はポリカーボネート樹脂製で
、中央に回転軸が嵌入する孔部を有するディスク状をな
す。
、中央に回転軸が嵌入する孔部を有するディスク状をな
す。
そして、ポリカーボネート樹脂は書き込みおよび読み出
し光に対し実質的に透明であるので、古き込みおよび読
み出しを基板裏面側から行うことができ、感度、S/N
比等の点で有利であり、また、はこり対策等の実装上の
点でも有利である。
し光に対し実質的に透明であるので、古き込みおよび読
み出しを基板裏面側から行うことができ、感度、S/N
比等の点で有利であり、また、はこり対策等の実装上の
点でも有利である。
本発明に使用するポリカーボネート樹脂としては、脂肪
族ポリカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート
、芳香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、
特に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい
。 これらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点で
ビスフェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい
。 なかでもビスフェノールAタイプのポリカーボネー
ト樹脂は最も好ましく用いられる。
族ポリカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート
、芳香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、
特に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい
。 これらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点で
ビスフェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい
。 なかでもビスフェノールAタイプのポリカーボネー
ト樹脂は最も好ましく用いられる。
また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,
000〜15.000程度であることが好ましい。
000〜15.000程度であることが好ましい。
このような基板31の記録層6形成而には、トラッキン
グ用の溝が形成されることが好ましい。
グ用の溝が形成されることが好ましい。
溝の深さは、λ/ 8 n程度、特にλ/ 7 n〜λ
/ 12 n (ここに、nは基板の屈折率である)と
されている。 また、溝のrjIは、トラック巾程度と
される。
/ 12 n (ここに、nは基板の屈折率である)と
されている。 また、溝のrjIは、トラック巾程度と
される。
このような基板31上への溝形成は樹脂の射出成形法に
より行ってよく、また2P法により行ってもよい。
より行ってよく、また2P法により行ってもよい。
22法の場合、前記の各種樹脂の平坦基板」二にフォト
ポリマーを所定厚みに塗布し、これにスタンバ−を押圧
して紫外線硬化させ溝を形成するものである。
ポリマーを所定厚みに塗布し、これにスタンバ−を押圧
して紫外線硬化させ溝を形成するものである。
そして、この溝の四部または凸部に位置する記録層6を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、古き込み感度と読み出
しのS/N比が向−トシ、シかもトラッキングの制御信
号は大きくなる。
しのS/N比が向−トシ、シかもトラッキングの制御信
号は大きくなる。
また、保護板35は、基板31と同材質でよい。 また
、保護板35は不透明であってもよい。
、保護板35は不透明であってもよい。
このような基板、保護板の少なくとも一方の外周部およ
び/または内周部に基板一体用の複数の突起が設けられ
ていてもよい。 また、スペーサーとしての連結部材に
より、一体化を行ってもよい。
び/または内周部に基板一体用の複数の突起が設けられ
ていてもよい。 また、スペーサーとしての連結部材に
より、一体化を行ってもよい。
第1図では、保護板35の内周部および外周部に複数の
突起71.75を設け、この突起を介して一体化してい
る。
突起71.75を設け、この突起を介して一体化してい
る。
このような基板31上には、下地層5および記録層6が
塗設される。
塗設される。
下地層5は、ケイ素系縮合物のコロイド粒子分散液の塗
膜からなる。
膜からなる。
ケイ素系縮合物のコロイド粒子は、ハロゲン化ケイ素、
特に四塩化ケイ素、ないしアルキルケイ酸、特に四低級
アルキル(メチル、エチル)ケイ酸の加水分解縮合物が
好適である。
特に四塩化ケイ素、ないしアルキルケイ酸、特に四低級
アルキル(メチル、エチル)ケイ酸の加水分解縮合物が
好適である。
そして、コロイド粒子径は、30〜100人、特に50
〜80人とされる。
〜80人とされる。
また、分散媒としては、アルコール、特に1価の脂肪族
アルコール、あるいは酢酸アルキル、あるいはこれらと
芳香族炭化水素との混合溶媒等が用いられる。
アルコール、あるいは酢酸アルキル、あるいはこれらと
芳香族炭化水素との混合溶媒等が用いられる。
また、加水分解のためには、必要に応じ塩酸等の鉱酸が
添加される。
添加される。
そして、必要に応じエチレングリコール等の安定剤や界
面活性剤等が添加される。
面活性剤等が添加される。
このようなコロイド粒子分散液の一例としては、特公昭
31−6533号に記載された四塩化ケイ素(SiCI
14)と1価の脂肪族アルコールとを酢酸アルキルエス
テル中に溶解させたものがある。 そして、この塗膜か
らなる表面コート層である下地層5が形成された基板3
1の反対面上に記録層6が塗設される。
31−6533号に記載された四塩化ケイ素(SiCI
14)と1価の脂肪族アルコールとを酢酸アルキルエス
テル中に溶解させたものがある。 そして、この塗膜か
らなる表面コート層である下地層5が形成された基板3
1の反対面上に記録層6が塗設される。
また、特公昭36−4740号に記載された四アルキル
ケイ酸と1価の脂肪族アルコール、酢酸アルキルおよび
鉱酸よりなる溶液に、1〜20w[%のエチレングリコ
ールを添加したものでもよい。
ケイ酸と1価の脂肪族アルコール、酢酸アルキルおよび
鉱酸よりなる溶液に、1〜20w[%のエチレングリコ
ールを添加したものでもよい。
さらには、特公昭45−35435号に記載された四低
級アルキルケイ酸のアルコール溶液でもよい。
級アルキルケイ酸のアルコール溶液でもよい。
このような場合、使用する1価の脂肪族アルコールとし
ては、メチルアルコール、エチルアルコール、変性アル
コール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールあ
るいはそれらの混合物、 酢酸アルキルとしては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
アミル、酢酸ブチルあるいはこれらの混合物を用い、 w:、酸としては塩酸、硫酸等で、酋通工業的に用いら
れているものを用いればよい。
ては、メチルアルコール、エチルアルコール、変性アル
コール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールあ
るいはそれらの混合物、 酢酸アルキルとしては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
アミル、酢酸ブチルあるいはこれらの混合物を用い、 w:、酸としては塩酸、硫酸等で、酋通工業的に用いら
れているものを用いればよい。
なお、これらの分散液の塗布は、常法に従い、スピンナ
ーコート等の塗布にすればよい。
ーコート等の塗布にすればよい。
そして、乾燥は、40〜80℃にて、20分〜2時間程
度行えばよい。
度行えばよい。
このようにして形成される塗膜は、水酸基を一部有する
ことのある酸化ケイ素塗膜である。
ことのある酸化ケイ素塗膜である。
下地層5の厚さは、0.06〜0.2μmとする。
下地層5の厚さが042μmをこえると、プリグループ
が埋没してしまいトラッキング信号が小さくなり、0.
06μm未満では、ジッターが少なくしかも耐溶剤性が
良好な媒体は得られない。
が埋没してしまいトラッキング信号が小さくなり、0.
06μm未満では、ジッターが少なくしかも耐溶剤性が
良好な媒体は得られない。
本発明の記録層6としては、種々のものであってよい。
ただ、本発明では色素単独からなるか、色素組成物か
らなることが好ましい。
らなることが好ましい。
用いる色素としては、書き込み光および読み出し光の波
長に応じ、これをイT効に吸収するもののなかから、適
宜決定すればよい。 この場合、これらの光源としては
、装置を小型化できる点で、半導体レーザーを用いるこ
とが好ましいので、色素はシアニン系、フタロシアニン
系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン系
、ピリリウムないしチアピリリウム塩系等が好ましい。
長に応じ、これをイT効に吸収するもののなかから、適
宜決定すればよい。 この場合、これらの光源としては
、装置を小型化できる点で、半導体レーザーを用いるこ
とが好ましいので、色素はシアニン系、フタロシアニン
系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン系
、ピリリウムないしチアピリリウム塩系等が好ましい。
また、色素組成物を記録層とする場合、ニトロセルロー
ス等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ナイロン等
の熱可塑性樹脂を含有させることができる。 また、色
素の酸化劣化を防止するため、クエンチャ−を含有させ
ることもできる。 さらには、この他の添加剤を含有さ
せてもよい。
ス等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ナイロン等
の熱可塑性樹脂を含有させることができる。 また、色
素の酸化劣化を防止するため、クエンチャ−を含有させ
ることもできる。 さらには、この他の添加剤を含有さ
せてもよい。
このような場合、特に好ましくは、インドレニン系のシ
アニン色素とビスフェニルジチオール系等のクエンチャ
−との混合物が好ましい。
アニン色素とビスフェニルジチオール系等のクエンチャ
−との混合物が好ましい。
またこれらを色素のカチオンと、クエンチャ−のアニオ
ンとのイオン結合体として用いるのも好ましい。
ンとのイオン結合体として用いるのも好ましい。
記録層の設層は、ケトン系、エステル系、エーテル系、
ジ)6族系、ハロゲン化アルキル系、アルコール系等の
溶媒を用いてスピンナーコート等の塗布を行えばよい。
ジ)6族系、ハロゲン化アルキル系、アルコール系等の
溶媒を用いてスピンナーコート等の塗布を行えばよい。
本発明では下地層を設けたことにより耐溶剤性が向上
し、最適の溶媒を広範囲の溶媒群から選択して用いるこ
とができる。
し、最適の溶媒を広範囲の溶媒群から選択して用いるこ
とができる。
このような記録層6は、0.O1〜10μlの厚さとす
ればよい。
ればよい。
なお、記録層の塗布に際し、塗布溶液の粘度は0.5〜
10cp、スピンナーの回転数は500〜1,000r
pm程度とする。
10cp、スピンナーの回転数は500〜1,000r
pm程度とする。
なお、トラッキング制御用の溝を設ける場合、記録層の
厚さは、0,2μI以下、より好ましくは0.05〜0
,15μmとすることが好ましい。
厚さは、0,2μI以下、より好ましくは0.05〜0
,15μmとすることが好ましい。
このとき、書き込み感度が向上する。 また、記録層中
での多重反射により、反射率がきわめて高くなり、読み
出しのS/N比がきわめて高くなる。 そして、記録ト
ラック部と他の領域との厚さの差にもとづく反射率の違
いが大きくなり、トラッキングル1#が容易となる。
での多重反射により、反射率がきわめて高くなり、読み
出しのS/N比がきわめて高くなる。 そして、記録ト
ラック部と他の領域との厚さの差にもとづく反射率の違
いが大きくなり、トラッキングル1#が容易となる。
このような記録部分には、記録層の上層を設層すること
もできる。
もできる。
下地層5および記録層6を有する基板31と、保護板3
5とを突起71.75を介して一体化するには、通常、
超音波融着を用いればよい。
5とを突起71.75を介して一体化するには、通常、
超音波融着を用いればよい。
超音波融着を施す場合には、例えば棒状の突起71.7
5が有効に加熱され、融着効率が良好で、作業性が良好
となり、また接着強度も高く、空隙間隔も積度よ〈制御
することができる。
5が有効に加熱され、融着効率が良好で、作業性が良好
となり、また接着強度も高く、空隙間隔も積度よ〈制御
することができる。
変形が大きく、突起配設密度が高いときには、気密な外
周壁が全面に形成されることがある。
周壁が全面に形成されることがある。
また、通気口を隔壁間に形成することもできる。
通気「1は、突起間間隙に形成される。
また、固着は接着剤を注入することによっても行われる
。
。
また、基板の周縁部にホットメルト樹脂を接着剤として
塗布し、その後、両店板を組み合わせM音波融着を施し
た、いわゆる接着と融着との組み合わせを用いて一体化
してもよい。
塗布し、その後、両店板を組み合わせM音波融着を施し
た、いわゆる接着と融着との組み合わせを用いて一体化
してもよい。
このような複数の棒状突起を形成するには、原盤または
スタンパ−の加工を行い、基板成形時に一体成形すれば
よい。
スタンパ−の加工を行い、基板成形時に一体成形すれば
よい。
以上棒状突起による一体化について説明してきたが、こ
の他、公知の種々の一体化構造が可能である。
の他、公知の種々の一体化構造が可能である。
なお、以上では片面記録の場合について述べてきたが、
本発明では、両方の基板に記録層を設ける両面記録の媒
体としてもよい。 この場合には両方の基板がポリカー
ボネート樹脂製であり、かつ両方の基板に下地層を設け
ることが必要である。
本発明では、両方の基板に記録層を設ける両面記録の媒
体としてもよい。 この場合には両方の基板がポリカー
ボネート樹脂製であり、かつ両方の基板に下地層を設け
ることが必要である。
■ 発明の具体的作用
本発明の光記録媒体は、通常ディスクとし、回転下、書
き込み光を基板裏面側から照射する。 これにより、好
ましくは溝凹部に位置する記録トラック部にビットがト
ラック状に形成される。
き込み光を基板裏面側から照射する。 これにより、好
ましくは溝凹部に位置する記録トラック部にビットがト
ラック状に形成される。
このように形成されたビットは、回転下、基板裏面側か
ら読み出し光を照射して、その反射光を検出することに
よって検知される。
ら読み出し光を照射して、その反射光を検出することに
よって検知される。
また、トラッキングの制御を行うには、通常、書き込み
および読み出しを行いながら、その反射光を分割して、
2分割した一対のセンサーに導入する。 このとき、ビ
ームスポットが記録トラック部をはずれかけると、溝の
段差で位相差による干渉効果による一次光が一方のセン
サー側にかたよるので、両センサーの信号を検出して、
トラックエラー信号が検出される。
および読み出しを行いながら、その反射光を分割して、
2分割した一対のセンサーに導入する。 このとき、ビ
ームスポットが記録トラック部をはずれかけると、溝の
段差で位相差による干渉効果による一次光が一方のセン
サー側にかたよるので、両センサーの信号を検出して、
トラックエラー信号が検出される。
なお、記録層に一旦形成したビットを、光または熱によ
って消去して、再び書き込みを行うこともできる。
って消去して、再び書き込みを行うこともできる。
また、書き込みおよび読み出しに用いる光源としては、
各科レーザーを用いることができろか、特に半導体レー
ザーを用いることが好ましい。
各科レーザーを用いることができろか、特に半導体レー
ザーを用いることが好ましい。
■ 発明の具体的効果
本発明の光記録媒体は、ポリカーボネート樹脂基板の記
録層設層面側に所定厚のケイ素系縮合物のコロイド粒子
分散液の塗膜からなる下地層を有する。
録層設層面側に所定厚のケイ素系縮合物のコロイド粒子
分散液の塗膜からなる下地層を有する。
そして、この所定厚さの下地層の上から記録層を設層す
るので、記録層の塗布用溶媒によるポリカーボネート樹
脂基板の劣化かきわめて小さくなるので、記録層の反射
率の低下が少なく、読み出しのS/N比が格段と向上す
る。
るので、記録層の塗布用溶媒によるポリカーボネート樹
脂基板の劣化かきわめて小さくなるので、記録層の反射
率の低下が少なく、読み出しのS/N比が格段と向上す
る。
また、保存による反射率の経時劣化もない。
また、下地層の厚さを所定厚とすることにより、読み込
み時の発熱による基板の損傷がなく、ビット形状が安定
でジッターの増加を制御でき、安定した読み出し信号が
得られる。
み時の発熱による基板の損傷がなく、ビット形状が安定
でジッターの増加を制御でき、安定した読み出し信号が
得られる。
また、トラッキングエラー信号も大きい。
そして、このようなすぐれた効果は、本発明における下
地層厚さ0.06〜0.2μmにて臨界的に生じるもの
である。
地層厚さ0.06〜0.2μmにて臨界的に生じるもの
である。
本発明者らは、本発明の効果を確認するために、種々の
実験を行った。
実験を行った。
以下にその一例を示す。
実験例1
直径12cmのポリカーボネート樹脂基板上に、厚さの
異なる下地層を設け、この上に記録層を設けて各種媒体
を得た。
異なる下地層を設け、この上に記録層を設けて各種媒体
を得た。
下地層は、酢酸エチルとエチルアルコールを10+11
の割合で混合し、攪拌しながら徐々にSi (QC2
H,)4を酢酸エチルに対し2/25の割合で添加後、
3〜4日間放置した溶液をロープロバノールでさらに1
0倍希釈した後、基体上に塗布設層、60℃、30分処
理して形成した。
の割合で混合し、攪拌しながら徐々にSi (QC2
H,)4を酢酸エチルに対し2/25の割合で添加後、
3〜4日間放置した溶液をロープロバノールでさらに1
0倍希釈した後、基体上に塗布設層、60℃、30分処
理して形成した。
この場合、酸化ケイ素コロイドの粒径は50〜80人で
あった。
あった。
下地層の膜厚は0.005〜0.25μmとした。
記録層には、インドレニン系シアニン色素、(1,3,
3,1’ 、3’ 、3’ −ヘキサトリメチルインド
トリカルボシアニンカチオン)とビスフェニルジチオー
ル系のクエンチャ−(ビス(トリクロロフェニルジチオ
ール)Niアニオン)との色素結合体の溶媒としてシク
ロへキサノン2.2%溶液を用いて、0,05μmの厚
さに塗布設層した。
3,1’ 、3’ 、3’ −ヘキサトリメチルインド
トリカルボシアニンカチオン)とビスフェニルジチオー
ル系のクエンチャ−(ビス(トリクロロフェニルジチオ
ール)Niアニオン)との色素結合体の溶媒としてシク
ロへキサノン2.2%溶液を用いて、0,05μmの厚
さに塗布設層した。
以トの試料を用いて下記の測定を行フた。
(1)反射レベル
830nmで基板裏面側から光デイスクドライブ装置に
て溝部をトラッキングし、反射レベルを測定した。
て溝部をトラッキングし、反射レベルを測定した。
(2)ジッター
EFM−CD信号を溝部に線速1.3m/sにて記録し
、再生EFMアイパターンのアイ開口部のジッター量を
測定した。
、再生EFMアイパターンのアイ開口部のジッター量を
測定した。
(3)トラッキングエラー
光デイスクドライブ装置にて、記録膜面(未記録部)に
光を集束させ、トラッキングコントロールを行わない状
態でpush−pull トラッキングエラー信号の
量を測定した。
光を集束させ、トラッキングコントロールを行わない状
態でpush−pull トラッキングエラー信号の
量を測定した。
表 1
1(比較)o、oos 反射不均一で −
−かつ低い 2(比較)0.01 反射不均一で −
−かつ低い 3(比較) 0.02 0.30 400
324(比較) 0.05 0.33
150 355 0.06
0.36 80 396 0.
1 0.38 60 457
0.15 0.40 70
408(比較) 0.25 0.41 10
0 15表1に示される結果から、本発明の効
果が明らかである。
−かつ低い 2(比較)0.01 反射不均一で −
−かつ低い 3(比較) 0.02 0.30 400
324(比較) 0.05 0.33
150 355 0.06
0.36 80 396 0.
1 0.38 60 457
0.15 0.40 70
408(比較) 0.25 0.41 10
0 15表1に示される結果から、本発明の効
果が明らかである。
第1図は、本発明の光記録ディスクの例を示す切断端面
図である。 符号の説明 1・・・・・・・・・・光記録ディスク、2・・・・・
・・・・・光記録部分、 31・・・・・・・・基板、 35・・・・・・・・保護板、 5・・・・・・・・・・下地層、 6・・・・・・・・・・記録層、 71.75・・・・棒状突起
図である。 符号の説明 1・・・・・・・・・・光記録ディスク、2・・・・・
・・・・・光記録部分、 31・・・・・・・・基板、 35・・・・・・・・保護板、 5・・・・・・・・・・下地層、 6・・・・・・・・・・記録層、 71.75・・・・棒状突起
Claims (1)
- ポリカーボネート樹脂基板上に、0.06〜0.2μm
の厚さのケイ素縮合物のコロイド粒子分散液の塗膜から
なる下地層を有し、この下地層の上に、色素または色素
組成物からなる記録層を有することを特徴とする光記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61255310A JPS63108540A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61255310A JPS63108540A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63108540A true JPS63108540A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17276998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61255310A Pending JPS63108540A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63108540A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7128959B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-10-31 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
US7132149B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-11-07 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
US7300742B2 (en) * | 2002-08-23 | 2007-11-27 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
US7329462B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-02-12 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
-
1986
- 1986-10-27 JP JP61255310A patent/JPS63108540A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7128959B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-10-31 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
US7132149B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-11-07 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
US7300742B2 (en) * | 2002-08-23 | 2007-11-27 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
US7329462B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-02-12 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
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