JPH0354744A - 光情報記録媒体及びそれを用いた光情報記録方法 - Google Patents

光情報記録媒体及びそれを用いた光情報記録方法

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JPH0354744A
JPH0354744A JP1191148A JP19114889A JPH0354744A JP H0354744 A JPH0354744 A JP H0354744A JP 1191148 A JP1191148 A JP 1191148A JP 19114889 A JP19114889 A JP 19114889A JP H0354744 A JPH0354744 A JP H0354744A
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高岸 吉和
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大田黒 国彦
Emiko Hamada
浜田 恵美子
Toru Fujii
徹 藤井
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、少なくとも透光性基板と、該基板上に設けら
れた色素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた
反射層とを有するtilt報を光学的に書き込みあるい
は読み出し得る光情報記録媒体および該記録媒体への記
録方法に関するものである。
[従来の技術コ 現在においては、ピットをあらかじめプレス等の手段で
基板の上に形成し、ピットが形成された面に金属の反射
膜を形成した再生算用の情報記録媒体としてコンパクト
ディスク(以下CDという)が実用化されており、広く
普及している。
また、レーザービームを基板に照射して情報を記録する
光情報記録媒体も検討がされており、その中で、少なく
とも透光性基板と、該基板上に設けられた色素を含む光
吸収層と、該光吸収層上に設けられた反射層とを有し、
情報を光学的に書き込みあるいは読み出し得る光情報記
録媒体は、たとえば特開昭54−89605等によって
知られており、このような光情報記録媒体への記録状態
を示すものとして光吸収層に隣接する層が変形するもの
としては、特開昭58−189851,  特開昭59
−171689等が知られている。
しかし、従来の吸収層として色素を用いた書き込み可能
な情報記録媒体では、記録された信号を再生W用の情報
記録媒体として広く知られているコンパクトディスク(
以下CDという)と同じようにCDプレーヤーで再生す
ることはできなかった。
CDとして再生するためには、CD規格に準拠する再生
信号が得られなければならない。CD規格に準拠するた
めには、反射率が70%以上、!++/It0−が0.
6以上、13/Il。,が0.3〜0.7、ブロックエ
ラーレートが3,OXIO−2以下、プッシュブル値が
0.04〜0.07の範囲内でなければならない。
また、光情報記録媒体から得られる再生信号のコントラ
ストを良くするために、プリグルーブ5が形成された基
板上に設けられた光吸収層の反射層側を略平坦にするこ
と(以下「レベリング」といろ)については、特開昭5
9−135640、特開昭59−210546によって
知られており、プレピットを有する情報記録媒体ではあ
るが、プレピットの深さを規定したものとして、特開昭
63−25793 1等が知られている。
[発明が解決しようとする課題] しかし、プリグルーブ5が形成された基板に色素を含む
光吸収層が設けられ、さらに反Q4EJが設けられた光
情報記録媒体として、上記CD規格を満足するための光
吸収層の最適条件は何等示されていなかった。
したがって、本発明は、第一に、現在のCD規格に準拠
可能な再生信号が得られる光情報記録媒体およびその光
情報記録媒体への記録方法を提供することを目的とし、
第二に、特に再生信号のコントラストの良い、具体的に
は、現在のCD規格に定められたプッシュブルの値が良
好な光情報記録媒体を提供することを目的とし、第三、
に変調度の大きな再生信号が得られる光情報記録媒体を
提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段コ 本発明の要旨は、第一に、透光性を有し、スパイラル状
にプリグルーブが形成された基板上に、直接または他の
層を介して色素からなる光吸収層が設けられ、該光吸収
層に直接または他の層を介して金fit摸からなる光反
射層が設けられた光情報記録媒体において、該光吸収層
の基?側の層界のプリグルーブ部分の深さをd Rub
s光吸収層の反射層側の層界のプリグルーブ部分の深さ
をd.■、光吸収層より透光性基板側にある層の複素屈
折率の実数部をnsub、光1及収層の鳩素屈折率の実
数部をn。5、再生光の波長をλとしたときの光学的位
相差ΔS=2dsub {nsub − nsb* (
 1 − dabs/ dat+b)  ) /λ が
、 ΔS≦0.  3であることを特徴とする光情報記
録媒体である。
第二に、上記光情報記録媒体において、光吸収層の基板
側の層界のプリグルーブ部分の深さd subがd s
ul+≧50nmである光情報記録媒体である。
なお、上記光情報記録媒体は、光吸収層が透光性基板上
の一部の領域に形成され、同光吸収層の無い領域に予め
信号再生用のピットが形成されたROM領域を有する光
情報記録媒体であってもよい。
第三に、透光性を有し、スパイラル状にプリグルーブが
形成された基板上に直接または他の層を介して色素から
なる光吸収層が設けられ、該光吸収層に直接または他の
層を介して金aiからなる光反射層が設けられた光情報
記録媒体に光学的に情報を記録する光情報記録方法にお
いて、光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深
さをd sub+光吸収層の反射層側の層界のプリグル
ーブ部分の深さをdabs、光吸収層より透光性基板側
にある層の複素屈折率の実数部をnsubs光吸収層の
複素屈折率の実数部をnsb,、再生光の波長をλとし
たときの光学的位相差ΔS ”2 daub {nsu
b− nabs ( 1 − dabs/ d.,.)
)/λ が、ΔS≦0、3である光情報記録媒体を用い
、透光性基板から記録光を照射し、光吸収層の基板側の
層を変形させることを特徴とする光情報記録方法である
第四に、上記光情報記録媒体において、光吸収層の基板
側の層界のプリグルーブ部分の深゜さd sumがd 
sub≧50nmである光情報記録方法である。
[作   用コ 後に詳しく述べるように、上記光情報記録媒体において
、基板側から再生レーザー光を照射したとき、光反射層
によりプリグルーブの部分とそれ以外の部分C以下「ラ
ンド部」という。)とで反射されたレーザー光の光学的
位相差(ΔS=2ND/λ)は、 ΔS ” 2 d 
sub ( n sul+−nabs ( l−dab
s/dsub) ) /λ で表わされ、第3図のよう
に、ΔSを、一〇.5≦ΔS≦0.5で変化させるとき
、反射光は、干渉効果により、ΔS=0で最大となり、
ΔS=±0.5で最小となる。
本発明者らは、実験およびシミュレーシβンの結果より
、後述する各実施例の説明において明らかにされる通り
、ΔS≦0.3の範囲でCD規格にQ’lA可能な光情
報記録媒体が得ることができることを見出だした。さら
に、dsubを50nm以上とすることにより変調度が
大きく、波形ひずみおよびジッターの少ない、CD規格
に準拠した光情報記録媒体が得るこ−とができる。
[実 施 例] 次に、本発明に好適な光情報記録媒体を以下具体的に説
明する。
第1図と第2図において、laは基板、2は光吸収層、
lbは光吸収層2の透光性基板1側の層界、3は反射層
、3bは光吸収層2の反射層3側の層界、4は保r!i
層である。5は上記透光性基板lの上にスパイラル状に
形成されたプリグルーブ、6はこのプリグルーブ5以外
の部分、すなわちランド6である。
第1図において、daubは、光吸収層2に隣接する透
光性基板1側のランド6の部分の層界1bを基準とした
ときのプリグルーブ5の部分の同層界1bの最底部の深
さを示す。d abs は、光吸収層2の反射層3側の
ランド6の部分の履界3bを基準としたときのプリグル
ーブ5の部分の同層界3bの最底部の深さを示す。n*
ukは、光吸収層2より透光性基板1側にある層の合成
複素屈折率の実数部を示し、それらの層が透光性基板1
を含んでKi数層あるときは、各層の合成された複素屈
折率の実数部を示す。nsk1は、光吸収I!!2の複
素屈折率の実数部を示し、dgは、プリグルーブ5の部
分の光吸収層2の厚さを示し、d9は、ランド6の部分
の光吸収層2の厚さを示す。
この場合において、透光性基板!側から光を照射したと
きに、プリグルーブ内の光吸収層2の上記基板1 fi
lllの層を基準としたときのランド6の部分の光学的
距離は、n sub ” d suk+ n ab,−
dR  で表され、光吸収層2の上記基板1側の層を基
準としたときのプリグルーブ5の部分の光学的距離は、
n.b.●dgで表される。したがって、その光学的距
離差(ND)は、ND=nsub @dgub− na
bs (d K− d 9 )である。このとき、d 
g+ d abl = d 11 + d sub で
あり、変形すると、dg−dΩ=d.,.−d。,であ
るから、透光性基板1側から再生レーザー光を照射した
とき、反射層3によりプリグルーブ5の部分とランド6
の部分とで反射されたレーザー光の光学的位相差(ΔS
=2ND/λ)は、ΔS=2 daub { nsub
− nabs ( 1 − debt/ dsub) 
)/λ となる。
この場合において、第3図のように、ΔSを、一〇.5
≦ΔS≦0.  5で変化させるとき、反射光は、干渉
効果により、△S=Oで最大となり、ΔS=±0.5で
最小となる。
既に述べた通り本件発明による光情報記録媒体では、上
記ΔSをΔS≦0.3の範囲とする。
そして、この光情報記録媒体に本発明による記録方法で
記録されたものをCD規格に従って再生すると、CD規
格に準拠した出力信号が得れれる。なお、製造上の要求
、すなわち塗膜の均一性、透光性基板1の成形性の点か
ら−0.4≦ΔS≦0.3であることが望ましい。
さらに、d,.を50 nm以上、より望ましくは80
nm以上とすることにより、変調度が大きく、波形ひず
みおよびジッターの少ない、CD規格に準拠した再生信
号が出力できる光情報記録媒体を得ることができる。
また、実験およびシミュレーシリンの結果より、光学的
パラメーターとして与えられるρ=risbs・a/λ
(aはdgとdi?の平均厚さ)が、0.05≦ρ≦1
.  6であることが望ましいことが分かっている。
このような条件を得るための光情報記録媒体は、以下の
ようなものである。
透光性基板lの材料は、レーザー光?二対する屈折率が
1.4〜1.  6の範囲の透明度の高い材料で、耐術
撃注に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリカーポ
ネート、アクリル等が例示できるが、これらに限られる
わけではない。
透光性基板1は上記のような材料を用いて、例えば射出
成形等の手段により成形される。
プリグルーブ5は、通常考えられる条件のものであれば
どのようなものでもよいが、50〜250μmの深さが
好適であり、さらに望ましくは80〜180μmの深さ
であることが望ましい。
プリグルーブ5は、基板の射出成形時にスタンバを即し
当てることにより形成されるのが通常であるが、レーザ
ーによってカッティングすることや2P法?こよって作
られるものでもよい。
光吸収層2と透光性基板lどの間には、Si02等の耐
溶剤層やエンハンス層をコーティングしておいてもよい
光吸収層2の材料は、光吸収性の仔機色素であり、シア
ニン色素、ボリメチン色素、トリアリールメタン色素、
ビリリウム色素、フェナンスレン色素、テトラデヒドロ
コリン色素、1・リアリールアミン色素、スクアリリウ
ム色素、クロコニックメチン色素等が例示できるが、こ
れらに限定されるものではなく、光吸収性のY7[色素
であるかぎり本発明の効果を得ることが可能である。
なお、光吸収層2には、他の色素、樹脂(例えばニトロ
セルロース等の熟可塑性招脂、熱可塑性エラストマー)
、液ゴム等を含んでいても良い。具体的には、イソブチ
レン、無水マレイン酸共重合体、エチレン酢ビコボリv
一塩Z化ポリブロビレン、ポリエチレンオキシド、ポリ
アミド、ナイロン、クマロン樹脂、ケ]・ン樹脂、酢酸
ビニル、ボリスチレン、PVA(ポリビニルアルコール
)、PVE(ポリビニルエステル)算が、セルロース誘
導体としては、カルボキシメチルセルロース、ニトロセ
ルロース、HPC (ヒドロキシブロビルセルロース)
、HEC(ヒドロキシエチルセルロース)、MC(メチ
ルセルロース)、EC(エチルセルロース)EHEC 
(エチルヒドロキシエチルセルロース)、CMEC (
カルボキシメチルエチルセルロース)等が、オリゴマー
としては、オリゴスチレン、メチルスチレンオリゴマー
等が、エラストマーゴムとしては、スチレンブロックコ
ボリマー ウレタン系熱可塑性エラストマー等が挙げら
れる。
光吸収層2は、上記の色素および任意の添加剤を公知の
有機溶媒(たとえばケトンアルコール、アセチルアセト
ン、メチルセルロプ、トル工冫等)で溶解●溶媒和した
ものをプリグルーブが形成された透光性基板lの表面、
または同基板lの上にさらに他の層をコーティングした
表面上に形成される。
この場合の形成手段としては、蒸着法、LB法、スビン
コート法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御できるた
めに、スビンコート法が望ましい。
光吸収層2の層厚を調整する方法は、具体的には、スビ
ンコートの回転数を変化させる、粘性の異なる物質を混
在させてスビンコートを行う、溶剤を複数種類用いて溶
解させた光吸収物質を用いてスビンコートを行う、高沸
点物質を混在させてスビンコートを行う等の手段が挙げ
られる。
反射NJ3は、金i膜が望ましく、例えば、金、銀、ア
ルミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパ
ッタ法等の手段により形成される。
反射率が70%以上を有することが必要であるため、特
に金または金を含む合金を主体とする金属で形成するこ
とが望ましい。
また、反射層3の酸化を防止するため、反射fgJ3の
上に耐酸化層等の他の層を設けてもよい。
なお、光吸収層2より反射層3側にある層は、基板側の
層に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いものであ
ることが望ましい。このように構成することによって記
録信号のブロックエラーレートの低減に効果が認められ
る。
上記反射層3の上には、保護Jli4を設けても良い。
保護層4は耐衝撃性の優れた樹脂によって形成されるこ
とが望ましい。たとえば紫外線硬化樹脂をスビンコート
法により塗布し、紫外線を照射して硬化させることによ
り形成する。
また、ウレタン等の仰性材で形成してもよい。
このようにして製造された光情報記録媒体では、第4図
に示すように、基板側から光吸収層に記録レーザー光を
照射することによって、光吸収痛のレーザー光照射部分
にエネルギーが与えられ、光吸収層の基板側の層を変形
させる。
この変形部分は、CDの基板表面にあらかじめプレス等
の手段ζこより形成されたピットに近似したものである
記録信号の再生は、基板側から読取りレーザーを!1a
射することにより、ピット部分の反射光とピット以外の
部分の反射光の光学的位相差を読み取ることにより行わ
れる。
また、本発明では、光吸収層2が透光性基板lのほぼ全
面に形成された光情報記録媒体の他、透光性基板lの一
部が光吸収層2を有する記録可能領域であり、その他の
部分がCDフォーマット信号が再生できるピットを有す
る.R O M領域である光情報記録媒体にも適用が可
能である。
このような光情報記録媒体は、例えば、透光性基板Iの
表面のROM頭域となる部分に信号再生用のピットをス
タンパ等で予め形成しておき、その外側の記録可能領域
にのみ光吸収層2を形成したものである。
このような光情報記録媒体では、ROM領域に予めプレ
ス等で大量に画一的なデータを記録しておくことができ
、しかもここには光吸収層が無いため、誤消去や別なデ
ータの誤記録のおそれが無い。また、光吸収層を有する
領域では、使用考独自のデータを任意に記録することが
できる。そして、この記録されたデータがCD規格に準
じた信号をもって再生できるため、上記ROM領域の情
報と同様に、市販のCDプレーヤで再生することができ
る。
次に本発明の具体的な実施例について、数値を挙げて詳
細に説明する。
(実施例1) 幅0.4ums 深さ1 3 0 n ffh  ピッ
チ1.6μmのスパイラル状のプリグルーブが形成され
た厚さ1.2mms 外径1 2 0 m ms 内径
15mmのポリカーボネート基板を射出成形法により成
形した。
シアニン色素として、0.55gの1,1′一ジブチル
3.  3.  3’,  3’テトラメチル4l5,
4’,5’ −ジベンゾインドジカーボシアニンバーク
ロレート(日本感光色素■製、品番NK32 1 9)
を、アセチルアセトン溶剤1〇一に溶解し、これを上記
基板の上に300Orpmで約5秒間スビンコートシ、
膜化を始めたところで回転数を300rpmに下げて十
分乾燥するまで回転させ、膜厚(dg )150nmの
光吸収層を形成した。
この先啜収層のグループ内の深さ(dshs)は、62
nmであり、複素屈折率(nmbs)は、2。7である
。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このとき
の光学的バラメーター(ρ)は、0.52である。また
、基板材料であるポリカーボネートの屈折率( nsu
b )は1.58であるから、未記録状態のプリグルー
ブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.056で
ある。
このディスクの全面に真空蒸着法により、j摸厚60n
mのAul摸を形成した。さらに、この反射層の上に紫
外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射
して硬化させ、厚みIOμmの保護層を形成した。
こうして得られた光記録媒体に、波長780nmの半導
体レーザーを線速1.2m/sees記録パワー6.8
mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、この光
記録媒体を、市販のCDプレーヤー(Aurex  X
R−V73、再生光λは、7 8 0 n m+  再
生パワー0.5mWのレーザー)で再生したところ、光
記録媒体の反01率が73.5%、再生信号のアイパタ
ーンから求められる!++/L。,が、0.78、Iz
/It。,が、0.  45、ブロックエラーレートが
、2.OXIO”  プッシュプル値は、0.067で
あった。これは、CD規格に定める基準を十分に満足し
ている。
(実施例2) 上記実施例lと同様に成形されたポリカーボネート基板
に、実施例lと同じシアニン色素0.65gを、アセチ
ルアセトン溶剤10ccに溶解したものをスピンコート
法により250Orpmで約5秒間スビンコートした。
脱化を始めたところで回転数を800rpmに下げて十
分乾燥するまで回転させ、j摸厚(dg)160nmの
光吸収層を形成した。
この光吸収層のグループ内の深さ(a.b.)は、75
nmであり、複素廊折率(nails)は、2.7であ
る。再生光の波長(/1)は、780nmであり、この
ときの光学的バラメーター(ρ)は、0.55である。
また、基板材料であるポリカーボネートの屈折1’(n
sob)はl.58であるから、未記録状態のプリグル
ーブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.15で
ある。
このディスクの全面に真空蒸着法により、膜厚60nm
のAugを形成した。さらに、この反04Mjの上に紫
外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射
して硬化させ、厚みIOμmの保護層を形成した。
こうして得られた光記録媒体に、実施例1と同様に、波
長780nmの半導体レーザーを線速1.2m/sec
s  記録パワー6.8mWで照射し、EFM信号を記
録し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光記録
媒体の反射早が70.3%、再生信号のアイパターンか
ら求められるI++/L−  が、0。75、 Ii/
L。,が、0.  42、プロックエラーレートが、2
.2X10−2  プッシュプル値は、0.069であ
った。これは、CD規格に定める基準を十分に満足して
いる。
(実施例3) W () .  3 μffh  深さ1 8 0 n
 m−.  ピッチ1.6μmのスパイラル状のプリグ
ルーブが形成された厚さ1.2mmt 外径1 2 0
 m ffh  内径15mmのポリカーボネート基板
を射出成形法により成形した。このように成形されたポ
リカーボネー1・基板に、実施例Iと同じシアニン色素
0.50gを、アセチルアセトン溶剤10ccに溶解し
たものをスビンコー1・法により3000rpmで約5
秒間スビンコートした。脱化を始めたところで回転数を
30Orpmに下げて十分乾燥するまで回転させ、膜厚
(dg)140nmの光吸収層を形成した。
この光吸収層のグループ内の深さCd−b− )は、8
6nmであり、複素屈折率(nsh)は、2.7である
。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このとき
の光学的バラメーター(ρ)は、0.48である。また
、基板材料であるポリカーボネートの屈折率(nsub
)は1.58であるから、未記録状態のプリグルーブと
ランドとの光学的位相差(ΔS)は、一0.068であ
る。
このディスクの全面に実施例1と同様に反0{層および
保護層を形成した。
こうして得られた光記録媒体に、実施例lと同様に、波
長780nmの半導体レーザーを線速1.2m/sec
x 記録パワー6.8mWで照射し、EFM信号を記録
し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光記録媒
体の反射率が77.5%、再生信号のアイパターンから
求められるI++/It−,が、0.85、 I3/I
t。,が、0.40,  ブロックエラーレートが、5
,2X10”  プッシュプル値は、0.055であっ
た。これは、CD規格に定める基準を十分に満足してい
る。
(実施例4) 幅0.8μms  深さ1 8 0 n ms  ビッ
チl.6μmのスパイラル状のプリグルーブが形成され
た厚さ1.2rnms 外径1 2 0 m rrh 
 内径15mmのポリカーボネート基板を射出成形法に
より成形した。このように成形されたポリカーボネーH
S板に、実施例lと同じシアニン色素0.60gを、ア
セチルアセトン溶剤1 0ccに溶解したものをスビン
コート法により250Orpmで約5秒間スピンコート
した。脱化を始めたところで回転数を150Orpmに
下げて十分乾燥するまで回転させ、膜厚(dg ) 1
50nmの光吸収層を形成した。
この光吸収層のグループ内の深さ(d−b−)は、11
8nrnであり、複素屈折率(ni−)は、2.7であ
る。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このと
きの光学的パラメーター(ρ)は、0.52である。ま
た、基板材料であるポリカーポネートの屈折率(nsu
b)は1.58であるから、未記録状態のプリグルーブ
とランドとの光学的位相差(ΔS)は、O.3である。
このディスクの全面に実施例1と同様に反射層および保
護層を形成した。
こうして得られた光記録媒体に、実施例lと同様に、波
長780nmの半導体レーザーを線it。2m/see
s  記録パワー8.8mWで照射し、EFM信号を記
録し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光記録
媒体の反射車が70.0%、再生信号のアイパターンか
ら求められるI ++/ I top が、O.  f
31、It/It。,が、0.32、ブロックエラーレ
ートが、5.5X10−’  プッシュブル値は、0.
070であった。これは、CD規格に定める基準を十分
に満足している。
(実施例6) 幅0,4μm1 深さ1 8 0 n ffh  ピッ
チ1.6μmのスパイラル状のプリグルーブが形成され
た厚さ1.2mms 外径1 2 0 m rrh  
内径l5mmのポリカーポネート基板を射出成形法によ
り成形した。このように成形されたポリカーボネート基
板に、実施例lと同じシアニン色素0.65gを、アセ
チルアセトン溶剤10ccに溶解し、さらに6−ナイロ
ン(Mw=35000)を0.1g溶解したものをスビ
ンコート法により3000rpmで約5砂間スピンコー
トした。膜化を始めたところで回転数を300rpmに
下げて十分乾燥するまで回転させ、1摸厚(dg )2
50nmの光吸収層を形成した。
この光吸収層のグループ内の深さ(d.b.)は、10
nmであり、複素屈折率(nabs)は、2.4である
。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このとき
の光学的バラメーター(ρ)は、0.77である。また
、基板材料であるポリカーボネートの屈折’F ( n
 sum )は1858であるから、未記録状態のプリ
グルーブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、−0.
32である。
このディスクの全面に実施例1と同様に反射層および保
護層を形成した。
こうして得られた光記D媒体に、実施例1と同様に、波
長780nmの半導体レーザーを線速1.  2m/s
ec,  記録パワー6.8mWでjjr1射し、EF
M信号を記録し、市販のCDプレーヤーで再生したとこ
ろ、光記録媒体の反射率が70.5%、再生信号のアイ
パターンから求められるI,,/昌。,が、0.65、
 13/1.。,が、0,35、ブロックエラーレート
が、3.OXIO−2  プッシュブル値は、0.04
8であった。これは、CD規格に定める基準を十分に満
足している。
(実施例6) 直径46〜100mmφの範囲( R O M fin
lxN)に、14’l 0.  6 μffh  深さ
0.  08μms  ピッチ1.6μmのスパイラル
状のCDフォーマット信号が再生できるプレピット8が
形成され、その外側の直径100−11.7mmφの範
囲(記録可能領bA)に、幅0−  8um1 深さ5
 0 n ffhピッチ1.  6μmのスパイラル状
のプリグルーブが形成された厚さ1.  2mms  
外径120mm1  内径15mmのボリカーボネート
基板を射出成形法により成形した。このように成形され
たポリカーボネート基板の直径100mmφより外周側
の部分、つまり記録可能領域の上にのみ、実施例lと同
じシアニン色素0.5Flzrを、アセチルアセトン溶
剤10ccに溶解したものをスビンコート法により30
00rprnで約5秒間スビンコートした。j摸化を始
めたところで回転数を300rpmに下げで十分乾燥す
るまで回転させ、j模1!! (dg )150nmの
光吸収層を形成した。
この光吸収層のグループ内の深さ(d.b.)は、40
 nmであり、複素屈折車(nabs)は、2.7であ
る。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このと
きの光学的バラメーター(ρ)は、0.52である。ま
た、基板材料であるポリカーボネートの屈折率(nsu
b)は!.58であるから、未記録状態のプリグルーブ
とランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.13である
このディスクの全面に実施例lと同様に反Q1層および
保護層を形成した。
こうして得られた光記録媒体の記録可能領域に、実施例
1と同様に、波長780nmの半導体レーザーを線速1
.2m/sees  記録パワー6.8mWで!Iq射
し、EFM信号を記録し、市販のCDプレーヤーで再生
したところ、光記録媒体の反射率が75.0%、再生信
号のアイパターンから求められるIx/IL0− が、
0.6 0−  1 z/ I t−−が、0,31、
ブロックエラーレートが、6.OXIO−3  プッシ
ュブル値は、0.070であった。これは、CD規格に
定める基準を十分に満足している。
(比較例■) 上記実施例lと同様に成形されたポリカーボネートλ(
板に、実施例lと同じシアニン色素0.55gを、アセ
チルアセトン溶剤10ccに溶解したものをスビンコー
ト法により3000rpmで十分乾燥するまで回転させ
、膜厚(dg)130nmの光吸収層を形成した。
この光吸収層のグループ内の深さ(d−b−)は、 1
05nmであり、複素屈折率(nsba)は、2,7で
ある。再生光の波長(/1)は、1800mであり、こ
のときの光学的パラメー2−(ρ)は、0.45である
。また、基板材tであるポリカーボネートの屈折率(n
sub)c;l.58であるから、未記録状態のプリグ
ルーブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.35
である。
このディスクの全面に真空蒸着法により、那厚60nm
のAu膜を形成した。さらζこ、こC反射層の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚み10μmの(!1護層を形成した。
こうして得られた光記録媒体に、実施例1と同様に、波
長780nmの半導体レーザーを斜速1,  2m/s
ect  記録パワー8.8mWで照射し、EFM信号
を記録し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光
記録媒体の反射率が63,O%、再生信号のアイパター
ンから求められるIz/L−  が、0.75、 Ii
/rt。,が、0.52、ブロックエラーレートが、3
.OXIO−3  プッシュブル(直は、0.087で
あった。
このようにΔSが、0.35のときは、反射率が低く、
プッシュブル値が悪くなり、CD規格の基準値を満足す
ることはできない。
[発明の効果コ 本発明によれば、現在のCD規格に準拠した、特にCD
規格に定められたプッシュプル値の良好な光情報記録媒
体および該記録媒体への記録方法を提供することができ
る。さらに、上記第二と第四の手段によれば、良好な変
調度を有する再生信号が得られる光情報記B媒体および
該記録媒体への記録方法を提供することができる。
4,図面の111I1iな説明 第1図は、本発明の実施例を示す光情報記録媒体の部分
的断面図、第2図は、同光情報記録媒体の半断面斜視図
、第3図は、光情報記録媒体の光学的位相差と反射光の
岳の関係を示すグラフ、第4図は、光情報記録媒体に光
学的に記録した状態を模式的に示す部分的断面図である

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透光性を有し、スパイラル状にプリグルーブが形
    成された基板上に、直接または他の層を介して色素から
    なる光吸収層が設けられ、該光吸収層に直接または他の
    層を介して金属膜からなる光反射層が設けられた光情報
    記録媒体において、該光吸収層の基板側の層界のプリグ
    ルーブ部分の深さをd_s_u_b、光吸収層の反射層
    側の層界のプリグルーブ部分の深さをd_a_b_s、
    光吸収層より透光性基板側にある層の複素屈折率の実数
    部をn_s_u_b、光吸収層の複素屈折率の実数部を
    n_a_b_s、再生光の波長をλとしたときの光学的
    位相差ΔS=2d_s_u_b{n_s_u_b−n_
    a_b_s(1−d_a_b_s/d_s_u_b)}
    /λが、ΔS≦0.3であることを特徴とする光情報記
    録媒体。
  2. (2)光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深
    さd_s_u_bがd_s_u_b≧50nmである上
    記第1請求項記載の光情報記録媒体。
  3. (3)光吸収層が透光性基板上の一部の領域に形成され
    、同光吸収層の無い領域に予め信号再生用のピットが形
    成されたROM領域を有する上記第1たは第2請求項の
    何れかに記載の光情報記録媒体。
  4. (4)透光性を有し、スパイラル状にプリグルーブが形
    成された基板上に直接または他の層を介して色素からな
    る光吸収層が設けられ、該光吸収層に直接または他の層
    を介して金属膜からなる光反射層が設けられた光情報記
    録媒体に光学的に情報を記録する光情報記録方法におい
    て、光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深さ
    をd_s_u_b光吸収層の反射層側の層界のプリグル
    ーブ部分の深さをd_a_b_s、光吸収層より透光性
    基板側にある層の複素屈折率の実数部をn_s_u_b
    、光吸収層の複素屈折率の実数部をn_a_b_s、再
    生光の波長をλとしたときの光学的位相差ΔS=2d_
    s_u_b{n_s_u_b−n_a_b_s(1−d
    _a_b_s/d_s_u_b)}/λが、ΔS≦0.
    3である光情報記録媒体を用い、透光性基板から記録光
    を照射し、光吸収層の基板側の層を変形させることを特
    徴とする光情報記録方法。
  5. (5)光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深
    さd_s_u_bがd_s_u_b≧50nmである上
    記第4請求項記載の光情報記録方法。
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