JP2530239B2 - 光情報記録媒体およびこの光情報記録媒体への光情報記録方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光情報記録媒体および光情報記録媒体への光
情報記録方法にかかわるもので、とくに透光性を有する
とともにプリグルーブを形成した基板と、この基板上に
設けるとともに色素から構成した光吸収層と、この光吸
収層上に設けるとともに金属膜から構成した光反射層と
を有する光学的に書き込みおよび読み出し可能な光情報
記録媒体およびこの光情報記録媒体への光情報記録方法
に関するものである。

［従来の技術］ この種の光情報記録媒体としては、プレス等の手段を
用いて上記透光性の基板の上にあらかじめピットを形成
し、さらにこのピットを形成した面に金属の反射膜を形
成した再生専用の光情報記録媒体としてコンパクトディ
スク（以下「CD」という）が実用化されており、広く普
及している。

また、こうした再生専用からさらに進んで、使用者側
で必要に応じてレーザービームを基板に照射することに
より、情報を記録することが可能な光情報記録媒体も検
討されている。

たとえば特開昭54-89605号等は、少なくとも透光性の
基板と、この基板上に設けるとともに色素を含む光吸収
層と、この光吸収層の上に設けた光反射層とを有し、情
報を光学的に書き込みおよび読み出し可能な光情報記録
媒体を開示している。

また特開昭58-189851号あるいは特開昭59-171689号等
は、光吸収層に隣接する層を変形させることによりこう
した光情報記録媒体への記録を行う方法を開示してい
る。

さらに特開昭59-135640号あるいは特開昭59-210546号
等は、光情報記録媒体から得られる再生信号のコントラ
ストを向上させるために、プリグルーブを形成した基板
上に設けた光吸収層の光反射層側を平坦にすること（以
下「レベリング」という）について開示している。

なおまた特開昭63-257931号等は、プレピットを有す
る光情報記録媒体においてこのプレピットの深さを規定
している。

しかしながら、光吸収層として色素を用いた書き込み
可能ないわゆる追記形の従来の光情報記録媒体を使用す
る場合には、この光情報記録媒体に記録された信号を再
生するための専用のCDプレーヤーを新しく別途必要と
し、再生専用のCD用として一般に広く普及している市販
のCDプレーヤーでは再生することができないという問題
がある。

そこで、CDとして市販のCDプレーヤーで再生を行うた
めには、世界統一規格であるCD規格に準拠する再生信号
が得られなければならない。

このCD規格に準拠するためには、前記光反射層による
反射率が70％以上であること、上記再生信号における変
調振幅の変調度I 11/I topが0.6以上であること（ただ
し、「I top」はCDの再生信号における最大反射光量で
あり、「I 11」は記録が行なわれるグルーブ内において
記録される最長ピットにより回折されて対物レンズに返
ってくる反射光量と、非ピット部により反射されて対物
レンズに返ってくる反射光量との差に対応する光学的変
調成分である）、同再生信号における変調振幅の変調度
I3/I topが0.3〜0.7であること（ただし、I3」は記録が
行なわれるグルーブ内において記録される最短ピットに
より回折されて対物レンズに返ってくる反射光量と、非
ピット部により反射されて対物レンズに返ってくる反射
光量との差に対応する光学的変調成分である）、ブロッ
クエラーレートが3.0×10^-2以下であること、さらにピ
ットのトラッキングについてプッシュプル法を採用した
ときにそのプッシュプル値が0.04〜0.07であることが必
要である。

このプッシュプル値について以下述べる。いわゆる追
記形のCDについては、上記CD規格を満足した再生信号を
得る前提として、再生と同時に記録を行うことになる。
したがって、CD規格に規定された信号を再生することが
できるように記録するためには当該CDが未記録状態であ
っても、良好なトラッキングを可能とすることが必要で
ある。

一般に、レーザーピックアップの照射位置をCD上のピ
ット列に正確に位置させて記録用および再生用のレーザ
ー光がCDのトラックを正確に追尾可能とするいわゆるト
ラッキングの方法としては、３ビーム法、プッシュプル
法等が知られている。

このプッシュプル法は、当該トラッキングのためのビ
ームを二分割し、それぞれのビームが照射するそれぞれ
の区画の反射光量を比較しながら上記レーザーピックア
ップをトラック上に正確にガイドするものである。こう
したトラッキングは、すでに記録された状態の光情報記
録媒体に限らず、未記録状態の光情報記録媒体であって
も、採用することができる。

CD規格では、こうしたプッシュプル値を （I1-I2）/I0 により表すとしている。ただし、I0は反射光の強度、I
1、およびI2は左右それぞの反射光の強度である。

現在のCD規格にはすでに記録された状態のプッシュプ
ル値が規定されており、このCD規格によるとプッシュプ
ル値は既述のように0.04〜0.07であることが必要であ
る。

しかしながら、CD規格に準拠した再生信号を追記的に
記録するにあたっては、上述のように記録する場合のプ
ッシュプルも必要である。そして、記録前と記録後とに
おけるプッシュプルはできる限り近い方が望ましい。

しかしながら、プリグルーブを形成した基板に色素を
含む光吸収層を設け、さらにこの光吸収層の上に光反射
層を設けた従来の光情報記録媒体には、上述のようなプ
ッシュプルに関する規格はもちろん、上記CD規格による
諸条件を満足するための基板および光吸収層の最適条件
を示しているものはなかった。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は以上のような諸問題にかんがみてなされたも
ので、CD規格に規定された再生信号を容易に得ることが
可能な光情報記録媒体およびこの光情報記録媒体への光
情報記録方法を提供することを課題とする。

具体的には、第一に、記録時において安定したトラッ
キングが可能であるとともに、再生時においてはプッシ
ュプル信号がCD規格を満足している光情報記録媒体を提
供することを課題とする。

第二に、再生時に反射率および変調度がCD規格を満足
する光情報記録媒体を提供することを課題とする。

第三に、上述のような課題を達成するための光情報記
録媒体への光情報記録方法を提供することを課題とす
る。

［課題を解決するための手段］ すなわち、第一の発明は、透光性を有するとともにプ
リグルーブを形成した基板と、この基板上に設けるとと
もに色素から構成した光吸収層と、この光吸収層上に設
けるとともに金属膜から構成した光反射層とを有する光
情報記録媒体であって、上記プリグルーブの左右に位置
するランドの部分における上記光吸収層と上記基板とを
層界から、上記プリグルーブの部分における該層界の最
底部までの深さをd subとし、上記ランドの部分におけ
る上記吸収層と上記光反射層との層界から、上記プリグ
ルーブの部分における該層界の最底部の深さをd absと
し、上記基板の複素屈折率の実数部をn subとし、上記
光吸収層の複素屈折率の実数部をn absとするととも
に、再生光の波長をλとし、上記光反射層により反射さ
れるこの再生光の上記プリグルーブの部分と上記ランド
部分の間の光学的位相差をΔＳ＝2d sub｛n sub−n abs
（1-d abs/d sub）｝／λとし、さらに上記光吸収層の
上記ランドの部分における膜厚をd lnとしたときに、−
0.4≦ΔＳ≦−0.04、90nm≦d ln≦350nm、およびd sub
≧40nmであることを特徴とする光情報記録媒体である。

なお、上記光吸収層の平均膜厚をd avとし、ρ＝n ab
s・d av/λとしたとき、0.05≦ρ≦1.6とすることが望
ましい。

さらに、上記光吸収層の複素屈折率の虚部をk absと
したときに、k abs≦0.3であることが望ましい。

また、第二の発明は、透光性を有するとともにプリグ
ルーブを形成した基板と、この基板上に設けるとともに
色素から構成した光吸収層と、この光吸収層上に設ける
とともに金属膜から構成した光反射層とを有する光情報
記録媒体を用い、上記基板側から記録光を照射すること
により記録することを特徴とする光情報記録媒体の光情
報記録方法であって、上述の第一の発明による光情報記
録媒体を用いて、すなわち上記位相差ΔＳが負の場合に
はこの光情報記録媒体の上記ランドにピットを形成する
ことを特徴とする光情報記録媒体への光情報記録方法で
ある。

なお、上記基板側から記録光を照射することによりこ
の基板の上記光吸収層側に変形させて、上記ピットを形
成することが望ましい。

つぎに、第１図ないし第９図にもとづき本発明をより
具体的に説明する。

第１図は、本発明による光情報記録媒体１の一部切り
欠き斜視図、第２図は同光情報記録媒体１の記録前の要
部縦断面図、第３図は同光情報記録媒体１の記録後の要
部縦断面図である。

この光情報記録媒体１は透光性の基板２と、この基板
２上に形成した光吸収層３と、この光吸収層３の上に形
成した光反射層４と、この光反射層４の上に形成した保
護層５とを有する。なお、必要に応じて基板２と光吸収
層３との間、および光吸収層３と光反射層４との間には
中間層（図示せず）を設けることもある。

上記基板２にはスパイラル状のプリグルーブ６を形成
してある。このプリグルーブ６の左右には、このプリグ
ルーブ６以外の部分すなわちランド７が位置している。

なお、基板２と光吸収層３とは第一の層界８により互
いに接している。光吸収層３と光反射層４とは第二の層
界９により接している。光反射層４と保護層５とは第三
の層界10により接している。

第３図に示すように、光情報記録媒体１に記録光（記
録用レーザー光）L1を照射したときに、光吸収層３がこ
のレーザー光L1のエネルギーを吸収することにより発熱
し、基板２側に熱変形が生じてピット11を形成してい
る。あるときには、光吸収層３に光学的変化が生ずる場
合もある。

とくに第２図にしめすように、プリグルーブ６の左右
に位置するランド７の部分における上記第一の層界８か
ら、プリグルーブ６の部分における第一の層界８の最底
部までの深さをd subとする。

上記ランド７の部分における上記第二の層界９から、
プリグルーブ６の部分における第二の層界９の最底部の
深さをd absとする。

上記基板２の複素屈折率の実数部、すなわち第一の層
界８より基板２側に位置する層の複素屈折率の実数部
（これらの層が基板２を含んで複数層あるときには、各
層の合成した複素屈折率の実数部）をn subとする。

光吸収層３の複素屈折率の実数部をn absとする。

光吸収層３の平均膜厚をd avとする。なお、ここで平
均膜厚d avとは、（光吸収層３の体積）／（光吸収層３
が形成された領域の面積）により表される。

光吸収層３のプリグルーブ６の部分における膜厚をd
grとする。

光吸収層３のランド７の部分における膜厚をd lnとす
る。

光吸収層３の複素屈折率の虚部をk absとする。

また、再生光（再生用レーザー光）L2の波長をλとす
る。

さらに、基板２側から照射し、光反射層４により反射
されるこの再生光L2の、プリグルーブ６の部分と、ラン
ド７の部分との間の光学的位相差をΔＳとする。以下、
この光学的位相差ΔＳについて述べる。

まず、基板２側から光を照射したときに、プリグルー
ブ６内の光吸収層３の基板２側の第一の層界８を基準と
したときのランド７の部分における第二の層界９までの
光学的距離は、 n sub・d sub＋n abs・d ln により表される。

また、プリグルーブ６内の光吸収層３の基板２側の第
一の層界８を基準としたときのプリグルーブ６の部分に
おける第二の層界９までの光学的距離は、 n abs・d gr により表される。

したがって、その光学的距離差をNDとすれば、 ND＝（n sub・d sub＋n abs・d ln） −n abs・d gr ＝n sub・d sub-n abs（d gr-d ln） である。

このとき、 d gr＋d abs＝d ln＋d sub であり、つまり、 d gr-d ln＝d sub-d abs である。したがって、 ND＝n sub・d sub-n abs（d sub-d abs） である。

したがって、基板２側から再生光L2を照射したとき、
光反射層４により反射された、プリグルーブ６の部分と
ランド７の部分との再生光L2の光学的位相差ΔＳ＝2ND/
λは、 2d sub｛n sub-n abs（1-d abs/d sub）｝／λ により表される。

第４図に示すように、ΔＳを−0.5≦ΔＳ≦0.5の範囲
内で変化させるとき、反射光は干渉効果によりΔＳ＝０
において最大となり、ΔＳ＝±0.5において最小とな
る。

本発明者らは、実験およびシュミレーションの結果か
ら、ΔＳ≦0.3の範囲においてCD規格に準拠可能な再生
信号を得ることができることを見い出した。

なお製造上の要求すなわち塗膜の均一性、基板２の成
形性の点から、−0.4≦ΔＳ≦0.3であることが望まし
い。

ここで、とくにトラッキングエラーシグナル、すなわ
ちプッシュプル信号は、この光学的位相差ΔＳに依存し
ている。

たとえば、ΔＳが正数（ΔＳ＞０）である場合には、
ランド７部分の光学的距離がプリグルーブ６に比較して
長い。

基板２と光吸収層３との間の第一の層界８における基
板２の変形をともなう記録方法においては、この基板２
の変形にともなって光吸収層３の基板２側の層の表面が
変形するため、ピット11に相当する記録部の光学的距離
が短くなる。したがって、第５図に示すように、記録部
分においては光学的距離すなわち屈折率と光路長との積
の変化量ΔLdがλ/4（光路差でλ/2）の場合には、記録
部と未記録部とのプッシュプルの差（プッシュプルの変
化量ΔP.P.）はなくなくなるが、変化量ΔLdがλ/4以下
の場合には、記録部のプッシュプルが大きくなってしま
う。

この場合にプリグルーブ６に記録すれば、記録時のプ
ッシュプルは第６図に示す場合には、常に正つまり位相
が逆転せず、十分トラッキングが可能になる。

したがってΔＳ＞０の場合には、プリグルーブ６に記
録を行うことが望ましい。かくすることにより、プッシ
ュプル信号のピット部と非ピット部との間におけるプッ
シュプル信号の変動が小さい、ピット11の部分と非ピッ
ト部との間でのプッシュプルの位相の逆転のない、安定
した記録および再生を行うことができる。

なおΔＳ＞０の場合にランド７部分に記録を行ったと
きには、第７図に示すように、記録時にプッシュプルレ
ベルが０になってしまう可能性がある。プッシュプルレ
ベルが０になると、記録時のトラッキングが不安定にな
り、トラックジャンプや記録ピットのジッターの原因に
なりやすい。

本発明者らは、検討の結果、当該光学的位相差ΔＳ
を、0.03〜0.3の範囲にすることにより、プリグルーブ
６上で安定したトラッキングが可能な光情報記録媒体１
を提供することができることを見い出した。ΔＳが0.03
よりも小さいと、記録部でのプッシュプル信号が小さす
ぎるため、安定したトラッキングが困難になる。また、
ΔＳが0.3よりも大きい場合には、記録部における反射
率が小さくなるために、CD規格に規定する反射率70％以
上を満足することは困難である。

つぎに、ΔＳ＞０である場合は、プリグルーブ６部分
の光学的距離がランド７部分に比較して長い。

ΔＳ＞０の場合において既述したと同様に、基板２と
光吸収層３との間の第一の層界８における基板２の変形
をともなう記録方法においては、この基板２の変形にと
もなって光吸収層３の基板２側の層の表面が変形するた
め、ピット11に相当する記録部の光学的距離が短くな
る。したがって、第５図に示すように、前記光学的距離
の変化量ΔLdがλ/4（光路差でλ/2）の場合には、記録
部と未記録部のプッシュプルの差（プッシュプルの変化
量ΔP.P.）がなくなるが、変化量ΔLdがλ/4以下の場合
には、記録部のプッシュプルは大きくなってしまう。

この場合にランド７に記録すれば、記録時のプッシュ
プルは、第６図に示すように常に正でありつまり位相が
逆転せず、十分トラッキングが可能になる。

したがって、ΔＳ＞０の場合には、ランド７に記録を
行うことが望ましい。かくすることにより、プッシュプ
ル信号のピット部と非ピット部との間でのプッシュプル
信号の変動が小さい、ピット11の部分と非ピット部との
間での位相の逆転のない、安定した記録および再生を行
うことができる。

なおΔＳ＞０の場合にプリグルーブ６部分に記録を行
ったときには、第７図に示すように、記録時にプッシュ
プルレベルが０になってしまう可能性がある。プッシュ
プルレベルが０になると、記録時のトラッキングが不安
定になり、トラックジャンプや記録ピットのジッターの
原因になりやすい。

本発明者らは、検討の結果、当該光学的位相差ΔＳ
を、−0.04〜−0.4の範囲にすることにより、安定した
トラッキングが可能な光情報記録媒体１を提供すること
ができることを見い出した。ΔＳが−0.04よりも大きい
と、記録部でのプッシュプル信号が小さすぎるため、安
定したトラッキングが困難になる。また、このΔＳが−
0.4よりも小さい場合には、記録部における反射率が小
さくなるために、CD規格に規定する反射率70％以上を満
足することは困難である。

つぎに、プリグルーブ６の部分における深さd subに
ついて説明する。

このd subを40nm以上、さらに望ましくは60nm以上と
することにより、変調度が大きく、波形歪みおよびジッ
ターの少ない、CD規格に準拠した再生信号を出力するこ
とが可能な光情報記録媒体１を得ることができる。

つぎに、プリグルーブ６の部分における膜厚d grにつ
いて説明する。

前記光学的位相差ΔＳ＞０であって、プリグルーブ６
に記録を行う場合には、プリグルーブ６部分における膜
厚d grが90〜350nmにおいて、良好な、波形歪みおよび
ジッターの少ない記録を行うことができる。

とくに、d grが150〜300nmである場合には、変調度も
大きく、記録の前後における。プッシュプルの変化のほ
とんどない、最適な記録を行うことができる。d grが90
nmよりも小さい場合には、記録前後もしくは記録部と未
記録部との間における光学的位相差が小さすぎるため、
十分な変調を得ることができない。また、d grが350nm
よりも大きい場合には、ジッターおよび波形歪みがおお
きくなり、ブロックエラーレート（BLER）がCD規格を満
足することができなくなる。

つぎに、ランド７の部分における膜厚d lnについて説
明する。

前記光学的位相差ΔＳ＞０であって、ランド７に記録
を行う場合には、ランド７部における膜厚d lnが90〜35
0nmにおいて良好な、波形歪みおよびジッターの少ない
記録を行うことができる。

とくに、180〜350nmである場合には、変調度も大き
く、記録の前後における。プッシュプルの変化のほとん
どない、最適な記録を行うことができる。d lnが90nmよ
りも小さい場合には、記録前後もしくは記録部と未記録
部との間における光学的位相差が小さすぎるため、十分
な変調を得ることができない。また、d lnが350nmより
も大きい場合には、ジッター、および波形歪みがおおき
くなり、ブロックエラーレート（BLER）がCD規格を満足
することができなくなる。

つぎに、ρ＝n abs・d av/λにより定義される光学的
パラメーターについて説明する。

本発明者らによる実験およびシュミレーションの結果
から、ρ＝n abs・d av/λ（ただし、「n abs」は光吸
収層３の複素屈折率の実数部、「d av」はプリグルーブ
６部分の膜厚d grとランド７部分の膜厚d lnとの平均の
膜厚ないしは光吸収層３の平均膜厚、「λ」は再生光の
波長である）が非常に重要な光学的パラメーターである
ことに着目した。

本発明による光情報記録媒体１のように、基板２上に
光吸収層３および光反射層４を積層した構造を有するデ
ィスクの場合、その再生時に基板２側から入射したレー
ザー光（再生光）は、基板２と光吸収層３との間の屈折
率の差、および光吸収層３と光反射層４との間の屈折率
の差により、第２図に示すようにそれぞれ基板２と光吸
収層３との間の界面（第一の層界８）および光吸収層３
と光反射層４との間の界面（第二の層界９）において二
重に反射されるとともに、これらふたつの界面において
反射されるそれぞれの光は互いに干渉し合うことにな
る。干渉光が強め合う条件においては反射光量が多くな
り、干渉光が弱め合う条件においては反射光量が少なく
なる。この干渉の程度は、入射光の波長に対する光吸収
層３の光学的な厚さの割合、つまり当該光学的パラメー
ター、ρ＝n abs・d av/λに支配されることが判明し
た。

より具体的に述べると、第８図は、実験およびシュミ
レーションにもとづく、ρと反射率との関係を示すグラ
フで、図示のように、ρの値に応じて反射率つまり反射
光量はサインカーブ状に変動する。なお全体的に右下り
になる理由は、光吸収層３の厚さの増大による光吸収層
３におけるレーザー光吸収層が増加するためである。CD
規格に規制されている反射率が70％以上その他の諸条件
を満足するためには、なるべく干渉を強め合う条件でρ
を決定する方が有利となり、かくしてρの値が重要視さ
れることになる。すなわち、基板２上に光吸収層３およ
び光反射層４を積層した構成を有する光情報記録媒体１
において、ρ＝n abs・d av/λで定義される光学的パラ
メーターを0.05≦ρ≦1.6の範囲内に設定することによ
り、CD規格の諸条件、反射率が70％以上、かつ変調度と
して示されるI 11/I topが60％以上、および変調度I3/I
topが0.3〜0.7を満足する出力信号を容易に得ることが
できる。

上記ρが0.05よりも小さい場合には、光吸収層３の膜
厚d avを0.05μｍ以下と、相当薄くしなければならない
ため、製造上実用的ではない。

したがって、0.05≦ρ≦0.6の範囲においては、0.30
≦ρ≦0.6の範囲が実用的であり、十分な変調度を取る
ためには、0.1以上の範囲が望ましく、変調度の大きい
安定した記録特性を得るためには0.45±0.1の範囲が最
も望ましい範囲であるということができる。

さらに、第８図に示すようにρが0.6以上の範囲であ
っても、グラフ上でのピーク点であれば、反射率が70％
を越えることが可能である。

0.6＜ρ＜1.6の範囲においては、ピーク点は２点あ
り、常に0.6＜ρ＜1.10の範囲と、1.10＜ρ＜1.6の範囲
とにあり、それらのピーク点において高い反射率を得る
ことができることがわかっている。

ρ＞1.6の時には膜厚が厚くなるため、膜厚の制御が
困難になり、製造上実用的ではない。

このρと反射率との関係を示すグラフは、指数関数
と、周期関数との組み合わされた関数として表され、ρ
が大きくなるにしたがって、周期関数の振幅が大きくな
る。

こうした周期関数の振幅は、光情報記録媒体１を構成
する層の複素屈折率、膜厚、それらの均質性等をパラメ
ーターとして変化する。たとえば、光吸収層３から光が
入射する側にある層の屈折率が小さいと、反射率はグラ
フ全体として反射率が高くなる方向にシフトする等であ
る。

また、このグラフは光吸収層３の複素屈折率の虚部k
abs、およびd avをパラメーターとする指数関数で表さ
れ、第９図に示すようにk absが大きくなるほどグラフ
全体の反射率の減衰が大きくなるということもわかって
いる。

光吸収層３が均質であり、その複素屈折率の実部n ab
s、膜厚d avに不均一な分布がない限り、上記グラフの
ピークを示す点の周期には変化がないことが本発明者ら
のシミュレーションによりわかっている。

なお、条件により、第８図におけるグラフのボトム点
の反射率についても、上記パラメーター条件を制御する
ことによりこれを高くすることが可能であるが、ρをボ
トム点付近に設定した場合には、変調度を大きく取るこ
とが困難であり、ある場合には、記録前よりも反射率が
上昇してしまう場合も生じる。したがって、ρはピーク
点付近に設定することが望ましい。

上記k absについても言及する。

高い反射率を得るためにはこのk absが0.3以下である
ことが必要である。

なお本発明者らは、k absの数値設定が重要なパラメ
ーターであることを見い出している。すなわちこのk ab
sが0.3以下であれば、０に近くなるほど反射率は向上す
る。したがって、この範囲が最も望ましい。しかし０に
近づくほど記録感度が悪くなるため、０より大きいこと
が必要である。具体的には、0.01以上の範囲が望まし
く、実際には0.05前後が望ましい。

上記ρが0.05〜0.6の範囲においては同層の複素屈折
率の虚部k absは0.3以下であることが望ましい。またρ
が0.6〜1.6の範囲においては、k absは0.2以下であるこ
とが望ましい。

なお、本発明の内容は、他の層がある場合においても
適用可能である。たとえば、基板２と光吸収層３との間
に透明層（たとえばSiO 2等のエンハンス層、下引き層
等）を設けた場合には、この層を基板２の一部として取
り扱ってもよく、光吸収層３と光反射層４との間に層
（たとえば、接着層、硬質層等）を設けた場合には、こ
れらの層を第二の光吸収層３として考え、ρ＝（n1・d1
＋n2・n2）／λとして取り扱い、多数層になる場合に
は、 ρ＝Σ（ni・di）／λ （ただし、ｉは整数、niは各層の複素屈折率の実数部、
diは各層の平均膜厚） とすれば、複数の層がある場合にも同様に取り扱うこと
ができる。

また、k absの平均として表される合成複素屈折率Ｋ
は、 Ｋ＝Σdi・ki/Σdi （ただし、kiは各層の複素屈折率の虚部） として求めれば単層の場合と同様に取り扱うことができ
る。

つぎに、各層の材質ないし物性等について説明する。

まず、透光性の基板２は、レーザー光に対する屈折率
が1.4〜1.6の範囲内の透明度の高い材料で、耐衝撃性に
優れた主として樹脂により形成したもの、たとえばガラ
ス板、アクリル板、エポキシ板等を用いる。また、基板
２上に他の層、たとえばSi 2等の耐溶剤層やエンハンス
層をコーティングしておいてもよい。

これらの材料を射出成型法等の手段により成型する。
基板２の厚さは、CD規格に準拠するように、1.1mm〜1.5
mmが望ましい。

なお、本発明の効果を十分に得るためには、基板２の
材料はポリカーボネートが望ましい。また基板２の熱膨
張係数αの値が、5.0×10^-5〜7.0×10^-5（cm/℃）程度
のものが望ましい。

こうした基板２の光吸収層３側の表面には、トラッキ
ングガイド手段を設けてある。このトラッキングガイド
手段としては、所定間隔に形成されたピットからなるア
ドレスピット、いわゆるサンプルサーボでもよいが、ス
パイラル状に形成したプリグルーブ６（第２図、第３
図）が望ましい。スパイラル状のプリグルーブ６は、デ
ータ信号を記録するときのトラッキングをガイドするた
めに用いられる。

上記プリグルーブ６の深さは通常考えられる条件のも
のであればどのようなものでもよいが、30〜250nmの深
さが好適であり、さらに望ましくは、60〜180nmの深さ
であることが望ましい。また、プリグルーブ６の幅は、
0.3〜1.3μｍが望ましい。

プリグルーブ６とプリグルーブ６との間の間隔、いわ
ゆるトラッキングピッチは、1.6μｍが望ましい。

また、プリグルーブ６等のトラッキング手段には、時
間コード情報（ATIP:Absolute Time In Pregroove）を
プリグルーブ６のエッジに入れておいてもよい。

こうしたプリグルーブ６は基板２の射出成型時にスタ
ンパを押し当てることによりこれを形成するのが通常で
あるが、レーザーによりカッティングすることや、2P法
（Photo-Polymer法）によりこれを製作してもよい。

つぎに、前記光吸収層３はこうした基板２のトラッキ
ングガイド手段の上に形成した光吸収性の物質からなる
層で、レーザーを照射することにより、発熱、溶融、昇
華、変形または変性をともなう層である。この光吸収層
３はたとえば溶剤により溶解したシアニン系色素等を、
スピンコート法等の手段により、基板２の表面に一様に
コーティングすることによってこれを形成する。

光吸収層３に用いる材料は、公知の光記録材料である
限り、本発明の効果を得ることは可能であるが、光吸収
性の有機色素が望ましい。具体的には、ポリメチン系色
素、トリアリールメタン系色素、ピリリウム系色素、フ
ェナンスレン系色素、テトラデヒドロコリン系色素、ト
リアリールアミン系色素、スクアリリウム系色素、クロ
コニックメチン系色素、メロシアニン系色素等の光吸収
性の有機色素を例示することができるが、これらに限定
されるものではなく、公知の光記録材料である限り本発
明の効果を得ることができる。

なお、光吸収層３には他の色素、樹脂（たとえばニト
ロセルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマ
ー）、液ゴム等を含んでもよい。

具体的には、イソブチレン、無水マレイン酸共重合
体、エチレン酢ビコポリマー、塩素化ポリプロピレン、
ポリエチレンオキシド、ポリアミド、ナイロン、クマロ
ン樹脂、ケトン樹脂、酢酸ビニル、ポリスチレン、PVA
（ポリビニルアルコール）、PVE（ポリビニルエステ
ル）等が挙げられる。

セルロース誘導体としては、カルボキシメチルセルロ
ース、ニトロセルロース、HPC（ヒドロキシプロピルセ
ルロース）、HEC（ヒドロキシエチルセルロース）、MC
（メチルセルロース）、EC（エチルセルロース）、EHEC
（エチルヒドロキシエチルセルロース）、CMEC（カルボ
キシメチルエチルセルロース）等が挙げられる。

オリゴマーとしては、オリゴスチレン、メチルスチレ
ンオリゴマー等が挙げられる。

エラストマーゴムとしては、スチレンブロックコポリ
マー、ウレタン系熱可塑性エラストマー等が挙げられ
る。

光吸収層３は、上記の色素および任意の添加物を公知
の有機溶媒（たとえば、ケトンアルコール、アセチルア
セトン、メチルセルソルブ、トルエン等）を用いて溶解
したものを、プリグルーブ６を形成した基板２上の表
面、または基板２上のさらに他の層をコーティングした
表面上に形成する。

この場合の形成手段としては、蒸着法、LB法、あるい
はスピンコート法等が挙げられるが、光吸収層３の濃
度、粘度、溶剤の乾燥速度等を調節することにより、層
厚を制御することができるスピンコート法が望ましい。

この光吸収層３の層厚を調節する方法として具体的に
は、スピンコートの回転数を変化させる方法、粘性の異
なる物質を混在させてスピンコートを行う方法、溶剤を
複数種類用いて溶解させた光吸収物質を用いてスピンコ
ートを行う、あるいは高沸点物質を混在させてスピンコ
ートを行う方法等が挙げられる。

つぎに、前記光反射層４は金属膜であり、たとえば、
金、銀、銅、アルミニウム、あるいはこれらを含む合金
を、蒸着法、スパッタ法等の手段によりこれを形成す
る。反射率70％以上を有することが必要なため、これら
の中でも、金または金を含む合金を主体とする金属膜が
望ましい。

また、光反射層４の酸化を防止するため、光反射層４
の上に耐酸化層等の他の層を設けてもよい。

つぎに、前記保護層５は、基板２と同様の耐衝撃性に
優れた樹脂によりこれを形成する。たとえば、紫外線硬
化樹脂をスピンコート法により塗布し、これに紫外線を
照射して硬化させることによりこれを形成する。このほ
か、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン系ハード
コート樹脂等を使用することもある。

保護層５は、一般には重合してポリマーとなり得る有
機化合物のモノマーおよびオリゴマーを塗布後、架橋反
応させることによりこれを得ることができる。しかしな
がら、材質は有機化合物に限らず、無機物をスパッタ法
あるいは蒸着法等公知の手段により形成してもよい。

なお、架橋反応により有機ポリマーとしてこれを得る
場合には、作業性の面から分子中にひとつ以上の反応性
アクリロイル基（−CH＝CH 2）を持つ有機重化合物のモ
ノマーおよびオリゴマーの混合物に反応開始剤、反応触
媒を少量加え、液状のこれらの混合物を塗布し、紫外線
もしくは電子線を照射することにより架橋させる方法が
有利である。

しかしながら、架橋の方法はこれに限られるわけでは
なく、エポキシ樹脂やウレタン樹脂のように、熱によっ
て架橋が進むものであってもよいし、ジアルコキシシラ
ンカップリング剤のように空気中の水分で重合反応が進
むものであってもよい。

こうして得られた架橋物の主鎖および側鎖は、飽和も
しくは不飽和系の直鎖状炭化水素であってもよいし、メ
ラミン、ビスフェノール系等の環状化合物を含んでいて
もよい。また、この架橋物の主鎖または側鎖の途中に一
個以上のエーテル結合を含むポリエーテル、エステル結
合を含むポリエステル、ウレタン結合を含むポリウレタ
ン、イオン結合を含むアイオマー、アミド結合を含むポ
リアミド、イミド結合を含むポリイミド、スルホン結合
を含むポリスルホン、スルフィド結合を含むポリスルフ
ィド等に例示されるその他の結合を含んでいてもかまわ
ない。これらの結合をふたつ以上含む共重合化合物であ
ってもよいし、ブロックポリマーであってもかまわな
い。

また、これらの架橋物の防湿性を向上させるために、
側鎖にフルオロカーボン等を含んでいてもよいし、ハロ
ゲン化水素による劣化を防止するためにエポキシ樹脂を
含んでいてもよい。

また、光反射層４との密着性を向上させるために、側
鎖にヒドロキシル基、カルボキシル基、アクリル基、ア
ミノ基、酢酸ビニル基等を含んでいてもよいし、主鎖ま
たは側鎖に塩基酸が含まれていてもよい。

保護層５の形成の際には、塗布中に樹脂とその反応
剤、反応開始剤等のほかに、塗布性を向上させるため
に、溶剤、希釈剤が含まれていてもよい。また、塗膜の
安定化を図るために、レベリング剤や、可塑剤、酸化防
止剤、帯電防止剤、等が含まれていてもよい。また、必
要に応じて、顔料や染料にり着色してあってもかまわな
い。

なお、樹脂の硬化は、架橋構造の架橋密度ないしは反
応性アクロイル濃度によってこれを変えることができ、
主鎖となり得るオリゴマー自体の分子回転の自由度によ
っても変わってくる。

また本発明による光情報記録媒体１では、基板２に対
して、光吸収層３の背後側の層、たとえば光反射層４や
保護層５等を、ピット11を形成した層に比較して熱変形
温度が高く、かつ硬度が高いものにより形成することが
望ましい。背後側の層を硬度の高い層により形成するこ
とは、CD規格に規定する記録信号のブロックエラーレー
トの低減に効果が認められる。

CD規格に明記されている使用環境温度内つまり−15℃
〜70℃の範囲内においては、保護層５の硬度をえんぴつ
硬度で2H以上とすることにより、光吸収層３の光反射層
４側の第二の層界９の変形を小さく抑えることができ
る。その結果、波形歪みを抑えることができ、BLERの小
さな良好な記録を行うことができる。保護層５の硬度を
小さくするにしたがって、BLERは増加する傾向がある。

当該保護層５の熱膨張係数αを、使用環境温度−15℃
〜70℃の範囲内において、1.5×10^-5〜9.0×10^-5の範囲
内にすることにより、この保護層５が基板２と同様の熱
体積変化を示すため、熱を加えた場合にも光情報記録媒
体１全体としてそりを生じさせ難くなる。

αが1.5×10^-5未満の場合には、加熱時の膨張により
基板２の方が大きく膨張するため、光情報記録媒体１が
保護層５側にそり、基板２の各層に引張り張力が生じ、
記録ピット11のジッターが増加する原因となる。

αが9.0×10^-5よりも大きい場合には、加熱時の膨張
により保護層５の方が大きく膨張するため、保護層５が
たるみ、光吸収層３と光反射層４との間、および光反射
層４と保護層５との間に層間剥離を生ずる。

なお、保護層５の収縮率を12％以下とすることによ
り、これを硬化させた後に、樹脂の歪みが残らないよう
にヒートサイクル試験を行ったときでも、保護層５に割
れが生じない。機械的強度を考慮すると、この収縮率は
10％以下であることが望ましい。

なおまた、光反射層４と保護層５との間に、光反射層
４の酸化を防止する耐酸化層を介在させることもでき
る。

［作用］ 本発明による光情報記録媒体は公知の光情報記録装置
によって記録を行うことができる。以下概説する。すな
わち、光情報記録装置のレーザー照射手段すなわちピッ
クアップを設けた側に透光性の基板２の表面が面するよ
うに光情報記録媒体１を配置する。この光情報記録媒体
１をスピンドルモータにより回転させながら、CD規格に
準拠した信号に変調されたレーザースポットを、前記ト
ラッキングガイド手段にしたがってトラッキングしなが
ら、ピックアップにより光情報記録媒体１の光吸収層３
に照射することによって、ピット11を形成する。

本発明による光情報記録方法においては、波長λが78
0nm付近のレーザースポットを照射することが望まし
い。また、CD規格との関連から、線速度は、1.2〜1.4m/
secである必要があり、記録パワーは６〜9mW程度でよ
い。すなわち、市販のCDプレーヤーにおいてその記録パ
ワーを再生時よりも大きくすることにより記録を行うこ
とができる。

なおこの記録時において、既述のように光吸収層３の
膜厚等の条件からプリグルーブ６間のランド７部分が光
学的に明るいときには、プリグルーブ６内にレーザーを
照射して、ピット11を形成することが望ましい。

また逆に、光学的にプリグルーブ６が明るいときには
ランド７部にピット11を形成することが望ましい。

こうした条件によりピット11を形成することによっ
て、再生時の再生レーザーの反射光の明暗差がはっきり
し、高い変調度を得ることができる。

かくして、CD規格を満足する再生信号を得ることがで
きる光情報記録媒体１を容易に作成可能となる。

なお本発明による光情報記録媒体１は、第３図に示す
ように、光吸収層３に基板２側から記録用レーザー光L1
を照射したとき、この光吸収層３がレーザー光L1を吸収
して熱を発生し、基板２の表面が局部的に変形し、基板
２表面にピット11が形成されるものが望ましい。

あるいは、光吸収層３が光学的変化を起こし、これに
よってピット11が形成されるものでもよい。

さらに、上記レーザー光L1の照射により融解、分解し
た成分が軟化した基板２の中に拡散し、基板２を形成す
る成分と部分的に混合して、化合し、そこに光吸収層３
や基板２の他の部分とは光学的に異なった部分が生成し
て、ピット11が形成される場合もある。

記録信号の再生は、基板２側から再生用レーザー光L2
を照射することにより、ピット11部分の反射光とピット
11以外の部分の反射光との光学的位相差ΔＳの明暗の差
を読み取ることによって行われる。

また本発明では、光吸収層３が基板２のほぼ全面に形
成された光情報記録媒体１のほか、基板２の一部が光吸
収層３を有する記録可能領域であり、その他の部分がCD
フォーマット信号が再生可能なピット11を有するROM領
域である光情報記録媒体にも適用が可能である。このよ
うな光情報記録媒体はたとえば基板２の表面のROM領域
となる部分に信号再生用のピットをスタンパ等により、
あらかじめ形成しておき、その外側の記憶可能領域にの
み光吸収層３を形成したものである。

こうした光情報記録媒体では、ROM領域にあらかじめ
プレス等により大量に画一的なデータを記録しておくこ
とができ、しかもここには光吸収層３がないため、誤消
去や、別のデータの誤記録のおそれがない。また、光吸
収層３を有する領域では使用者独自のデータを任意に記
録することができる。そして、この記録されたデータが
CD規格に準じた信号をもって再生することができるた
め、上記ROM領域の情報と同様に市販のCDプレーヤーに
より再生することができる。

［実施例］ つぎに本発明による光情報記録媒体およびこの光情報
記録媒体への光情報記録方法についてその実施例を以下
に説明する。なお、実施例１および実施例２は未記録状
態のプリグルーブ６とランド７との光学的位相差ΔＳが
正の場合、実施例３および実施例４はΔＳが負の場合を
例示している。

（実施例１） 幅0.5μｍ、深さ100nm、およびピッチ1.6μｍのスパ
イラル状のプリグルーブ６を形成した厚さ1.2mm、外径1
20mm、内径15mmのポリカーボネート基板を射出成形法に
より成形した。

シアニン色素として0.65gの1,1′−ジブチル3,3,3′,
3′テトラメチル4,5,4′,5′−ジベンゾインドジカーボ
シアニンパークロレート（日本感光色素株式会社製、NK
-3219）をジアセトンアルコール10mlに溶解し、これを
上記基板上に回転数を適当に変化させながらスピンコー
トすることによって平均膜厚d avが140nmの光吸収層を
形成した。

この光吸収層のプリグルーブ６における深さd absは4
9nm、複素屈折率n absは2.7、再生光の波長λは780nmで
あるから、このときの光学パラメータρは0.48である。

また基板の材料であるポリカーボネートの屈折率n su
bは1.58であるから、未記録状態のプリグルーブとラン
ドとの光学的位相差ΔＳは0.052である。

また、以上の結果からプリグルーブ６の膜厚d grは17
5nmである。

このディスクの全面に真空蒸着法により膜厚60nmのAu
膜を形成した。さらに、この光反射層の上に紫外線硬化
樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚さ10μｍの保護層を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に、波長780nmの半導体
レーザーを線速1.4m/secで記録したところ、最適パワー
は7.2mWであった。このパワーでEFM信号をプリグルーブ
部に記録し、そのときの光情報記録媒体を市販のCDプレ
ーヤー（Aurex XR-V73、再生光の波長780nm、再生パワ
ー0.5mWのレーザー）で再生したところ、光情報記録媒
体の反射率が77.3％、再生信号のアイパターンから求め
られる変調度I 11/I topが0.73、I3/I topが0.42、ブロ
ックエラーレートが1.6×10^-3、プッシュプル値は0.067
であった。これはCD規格に定める基準を十分に満足して
いる。

（比較例１） 実施例１において作成した光情報記録媒体の未記録エ
リアのランド部に波長780nmの半導体レーザーを用い
て、線速1.4m/secで最適記録パワーにより記録した。そ
して、この記録部分を実施例１と同様にして再生したと
ころ、ブロックエラーレートは5.0×10^-2、再生時のプ
ッシュプルが0.019であった。これらはいずれもCD規格
を満足していない。

（実施例２） 上記実施例１と同様に成形したポリカーボネート基板
に実施例１と同じシアニン色素0.78gをジアセトンアル
コール溶剤10ccに溶解したものを、スピンコート法によ
り、回転数を適当に変化させながら塗布した。成膜後の
膜厚d avは260nmであった。

この光吸収層のプリグルーブ内の深さd subは57nmで
あり、複素屈折率n absは2.7である。再生光の波長は78
0nmであり、このときの光学的パラメーターρは0.90で
ある。

またこのときの未記録状態のΔＳは0.11であった。

プリグルーブにおける光吸収層の膜厚d grは290nmと
なる。

このディスクの全面に真空蒸着法により膜厚60nmのAu
膜を形成した。さらにこの光反射層の上に紫外線硬化樹
脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚さ10μｍの保護層を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に実施例１と同様に波長
780nmの半導体レーザーを線速1.4m/secで記録したとこ
ろ、最適記録パワーは5.2mWであった。このパワーでのE
FM信号を光情報記録媒体のプリグルーブ部に記録し、そ
の記録部を実施例１と同様に再生したところ、反射率が
73.2％、再生信号のI 11/I topが0.85、I3/I topが0.4
5、ブロックエラーレートが2.2×10^-3、プッシュプル値
は0.053であった。これはCD規格に定める基準を十分に
満足している。

（比較例２） 実施例２において作成した光情報記録媒体の未記録エ
リアのランド部に波長780nmの半導体レーザーを用い
て、線速1.4m/secで最適記録パワーにより記録した。そ
して、この記録部分を実施例１と同様にして再生したと
ころ、ブロックエラーレートは7.8×10^-2、再生時のプ
ッシュプルが0.022であった。これらはいずれもCD規格
を満足していない。

（実施例３） 幅0.7μｍ、深さ100nm、およびピッチ1.6μｍのスパ
イラル状のプリグルーブを形成した厚さ1.2mm、外径120
mm、および内径15mmのポリカーボネート基板を射出成形
法により成形した。

シアニン色素として0.70gの1,1′−ジブチル3,3,3′,
3′テトラメチル4,5,4′,5′−ジベンゾインドジカーボ
シアニンパークロレート（日本感光色素株式会社製、NK
-3219）をジアセトンアルコール10mlに溶解し、これを
上記基板上に回転数を適当に変化させながら、スピンコ
ートすることによって平均膜厚d av210nmの光吸収層を
形成した。

この光吸収層のプリグルーブ内の深さd absは12nmで
あり、複素屈折率n absは2.7であり、再生光の波長λは
780nmであるから、このときの光学パラメータρは0.73
である。

また、基板の材料であるポリカーボネートの屈折率n
subは1.58であるから、未記録状態のプリグルーブとラ
ンドとの光学的位相差ΔＳは、−0.20である。

また、以上の結果からランドでの膜厚d lnは172nmで
ある。

このディスクの全面に真空蒸着法により膜厚60nmのAu
膜を形成した。さらに、この光反射層の上に紫外線硬化
樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚さ10μｍの保護層を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に、波長780nmの半導体
レーザーを線速1.4m/secで記録したところ、最適パワー
は6.5mWであった。このパワーでEFM信号をランド部に記
録した。、そのときの光情報記録媒体の反射率が74.5
％、再生信号のアイパターンから求められるI 11/I top
が0.82、I3/I topが0.42、ブロックエラーレートが1.8
×10^-3、プッシュプル値は0.048であった。これはCD規
格に定める基準を十分に満足している。

（比較例３） 実施例３において作成した光情報記録媒体の未記録エ
リアのプリグルーブ部に波長780nmの半導体レーザーを
用いて線速1.4m/secで最適記録パワーにより記録した。
そして、この記録部分を実施例３と同様にして再生した
ところ、ブロックエラーレートは8.5×10^-1、再生時の
プッシュプルが0.009であった。これらはいずれもCD規
格を満足していない。

（実施例４） 上記実施例３と同様に成形形したポリカーボネート基
板に実施例３と同じシアニン色素0.85gをジアセトンア
ルコール溶剤10ccに溶解したものを、スピンコート法に
より回転数を適当に変化させながら塗布した。成膜後の
膜厚d avは240nmであった。

この光吸収層のプリグルーブ内の深さd subは10nmで
あり、複素屈折率n absは2.7である。再生光の波長λは
780nmであり、このときの光学的パラメータρは0.83で
ある。またこのときの未記録状態のΔＳは−0.22であっ
た。また、このときのランド上での光吸収層の膜厚d ln
は201nmとなる。

このディスクの全面に真空蒸着法により膜厚60nmのAu
膜を形成した。さらにこの光反射層の上に紫外線硬化樹
脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚さ10μｍの保護層を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に実施例３と同様に、波
長780nmの半導体レーザーを線速1.4m/secで記録したと
ころ、最適記録パワーは6.0mWであった。このパワーで
のEFM信号を光情報記録媒体のプリグルーブ部に記録
し、その記録部を実施例３と同様に再生したところ、反
射率が72.1％、再生信号のI 11/I topが0.84、I3/I top
が0.42、ブロックエラーレートが1.9×10^-3、プッシュ
プル値は0.052であった。また未記録部分のプッシュプ
ルも同じく0.052であった。これはCD規格に定める基準
を十分に満足している。

（比較例４） 実施例４において作成した光情報記録媒体の未記録エ
リアのプリグルーブ部に波長780nmの半導体レーザーを
用いて、線速1.4m/secで最適記録パワーにより記録し
た。そして、この記録部分を実施例３と同様にして再生
したところ、ブロックエラーレートは8.0×10^-1、再生
時のプッシュプルが0.012であった。これらはいずれもC
D規格を満足していない。

［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、光学的位相差ΔＳ、お
よび光吸収層のランドの部分における膜厚、さらにプリ
グルーブの深さを所定の値に設定することにより、現在
のCD規格に準拠した、とくにCD規格に定められたプッシ
ュプル値、さらには反射率および変調度の規格値を満足
することが可能な光情報記録媒体およびこの光情報記録
媒体への記録方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光情報記録媒体１の一部切り欠き
斜視図、 第２図は同、光情報記録媒体１およびこの光情報記録媒
体１への光情報記録方法を説明するための要部縦断面
図、 第３図は同、プリグルーブ６にピット11を形成した状態
の要部縦断面図、 第４図は光学的位相差ΔＳと反射光量との関係のグラ
フ、 第５図は記録の前後における光学的距離の変化量ΔLd
と、記録の前後におけるプッシュプルの変化量ΔP.P.と
の関係のグラフ、 第６図は記録の前後にわたるプッシュプルの変化の様子
を示すグラフ 第７図は同、記録の前後にわたるプッシュプルの変化の
様子を示すグラフで、プッシュプルが正負反転する場合
を示すグラフ、 第８図はρ（＝n abs・d av/λ）と反射率との関係のグ
ラフ、 第９図は光吸収層３の複素屈折率k absと反射率との関
係のグラフである。 １……光情報記録媒体 ２……透光性の基板 ３……光吸収層 ４……光反射層 ５……保護層 ６……プリグルーブ ７……ランド ８……第一の層界 ９……第二の層界 10……第三の層界 11……ピット d sub……ランド７の部分における光吸収層３と基板２
との第一の層界８から、プリグルーブ６の部分における
第一の層界８の最底部の深さ d abs……ランド７の部分における光吸収層３と光反射
層４との第二の層界９から、プリグルーブ６の部分にお
ける第二の層界９の最底部の深さ n sub……光吸収層３と基板２との第一の層界８より基
板２側に位置する層の複素屈折率の実数部 n abs……光吸収層３の複素屈折率の実数部 k abs……光吸収層３の複素屈折率の虚数部 d av……光吸収層３の平均膜厚 d gr……光吸収層３のプリグルーブ６の部分における膜
厚 d ln……光吸収層３のランド７の部分における膜厚 λ……再生光の波長 ΔＳ……光学的位相差 L1……記録用レーザー光 L2……再生用レーザー光

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透光性を有するとともにプリグルーブを形
   成した基板と、 この基板上に積層するとともに色素から構成した光吸収
   層と、 この光吸収層上に積層するとともに金属膜から構成した
   光反射層とを有する光情報記録媒体であって、 前記プリグルーブの左右に位置するランドの部分におけ
   る前記光吸収層と前記基板との層界から、前記プリグル
   ーブの部分における該層界の最底部までの深さをd sub
   とし、 前記ランドの部分における前記光吸収層と前記光反射層
   との層界から、前記プリグルーブの部分における該層界
   の最底部の深さをd absとし、 前記基板の複素屈折率の実数部をn subとし、 前記光吸収層の複素屈折率の実数部をn absとするとと
   もに、 再生光の波長をλとし、 前記光反射層により反射されるこの再生光の前記プリグ
   ルーブの部分と前記ランド部分との間の光学的位相差を
   ΔＳ＝2d sub｛n sub−n abs（1-d abs/d sub）｝／λ
   とし、さらに 前記光吸収層の前記ランドの部分における膜厚をd lnと
   したときに、 −0.4≦ΔＳ≦−0.04、 90nm≦d ln≦350nm、および d sub≧40nm であることを特徴とする光情報記録媒体。
2. 【請求項２】前記光吸収層の平均膜厚をd avとし、 ρ＝n abs・d av/λとし、 前記光吸収層の複素屈折率の虚部をk absとしたとき
   に、0.05≦ρ≦0.6のときには、０＜k abs≦0.3である
   ことを特徴とする請求項（１）記載の光情報記録媒体。
3. 【請求項３】透光性を有するとともにプリグルーブを形
   成した基板と、 この基板上に積層するとともに色素から構成した光吸収
   層と、 この光吸収層上に積層するとともに金属膜から構成した
   光反射層とを有する光情報記録媒体を用い、前記基板側
   から記録光を照射することにより記録することを特徴と
   する光情報記録媒体の光情報記録方法であって、 前記プリグルーブの左右に位置するランドの部分におけ
   る前記光吸収層と前記基板との層界から、前記プリグル
   ーブの部分における該層界の最底部までの深さをd sub
   とし、 前記ランドの部分における前記光吸収層と前記光反射層
   との層界から、前記プリグルーブの部分における該層界
   の最底部の深さをd absとし、 前記基板の複素屈折率の実数部をn subとし、 前記光吸収層の複素屈折率の実数部をn absとするとと
   もに、 再生光の波長をλとし、 前記光反射層により反射されるこの再生光の前記プリグ
   ルーブの部分と前記ランド部分との間の光学的位相差を
   ΔＳ＝2d sub｛n sub-n abs（1-d abs/d sub）｝／λと
   し、さらに 前記光吸収層の前記ランドの部分における膜厚をd lnと
   したときに、 −0.4≦ΔＳ≦−0.04、 90nm≦d ln≦350nm、および d sub≧40nm であることを特徴とする光情報記録媒体の前記ランドに
   ピットを形成することを特徴とする光情報記録媒体への
   光情報記録方法。
4. 【請求項４】前記基板側から記録光を照射することによ
   り該基板の前記光吸収層側を変形させることを特徴とす
   る請求項（３）記載の光情報記録媒体への光情報記録方
   法。