JPS63225945A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS63225945A JPS63225945A JP5882887A JP5882887A JPS63225945A JP S63225945 A JPS63225945 A JP S63225945A JP 5882887 A JP5882887 A JP 5882887A JP 5882887 A JP5882887 A JP 5882887A JP S63225945 A JPS63225945 A JP S63225945A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0938—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following servo format, e.g. guide tracks, pilot signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
磁気ディスクに関する◎
〔従来の技術〕
レーザ光を用いて記録・再生及び消去を行なうことがで
きる光磁気ディスクは、大容量ファイルメモリとして将
来広い用途が期待されている。ところで、この光磁気デ
ィスクには、光スポットを正規の位置に保持するために
、ディスク基板上にあらかじめ案内溝が形成される0案
内溝の形状は特開昭55−67949号公報や特開昭6
1−13458号公報等に示されているが、特に7字形
状の案内溝は矩形状案内溝と比較して溝の「肩」が滑ら
かであるために、案内溝上に形成された透明膜や磁性膜
にいわゆる段切れが生じないという長所があり、有利で
ある。さらに、7字形状の案内溝を採用した場合1%開
昭fil−13458号公報に示されている如く、溝と
溝との間の平坦部(以下溝間と呼ぶ)に情報を記録する
ことにより、良質な再生信号を得ることができる。しか
も、このよ・うなV字状案内溝において(ス、トラッキ
ング侑号の変調度を最大とするために、溝深さをλ/6
〜λ15にすればよいことが、1986年(昭和61年
)春季第33回応用物達学関係連合講演会、2a−H−
3(p106)JC,t+いて示されている。ここで溝
深さとは1周囲の溝間部分の高さから垂直に7字谷底ま
で側った距離をいい。
きる光磁気ディスクは、大容量ファイルメモリとして将
来広い用途が期待されている。ところで、この光磁気デ
ィスクには、光スポットを正規の位置に保持するために
、ディスク基板上にあらかじめ案内溝が形成される0案
内溝の形状は特開昭55−67949号公報や特開昭6
1−13458号公報等に示されているが、特に7字形
状の案内溝は矩形状案内溝と比較して溝の「肩」が滑ら
かであるために、案内溝上に形成された透明膜や磁性膜
にいわゆる段切れが生じないという長所があり、有利で
ある。さらに、7字形状の案内溝を採用した場合1%開
昭fil−13458号公報に示されている如く、溝と
溝との間の平坦部(以下溝間と呼ぶ)に情報を記録する
ことにより、良質な再生信号を得ることができる。しか
も、このよ・うなV字状案内溝において(ス、トラッキ
ング侑号の変調度を最大とするために、溝深さをλ/6
〜λ15にすればよいことが、1986年(昭和61年
)春季第33回応用物達学関係連合講演会、2a−H−
3(p106)JC,t+いて示されている。ここで溝
深さとは1周囲の溝間部分の高さから垂直に7字谷底ま
で側った距離をいい。
またλは上記光ディスクに照射されるレーザ光の波長を
示す。
示す。
しかしながら上記従来技術では、案内溝上に記録膜を直
接形成しているため、基板の屈折率のみが湾部されて最
適溝深さが検討されていた0このため、基板上に基板の
屈折率より大きな屈折率を有する透明膜が形成され、該
透明膜上に記録膜が設けられた場合における最適溝深さ
については全く考慮されていなかった。実際λ1510
0溝深さとしたとき、上述のような積層構造では、案内
溝上に直接記録膜を形成した場合と比べて、トラ、キン
グ信号の変調度が小さくなるという問題が生じることが
、新たに見出された。
接形成しているため、基板の屈折率のみが湾部されて最
適溝深さが検討されていた0このため、基板上に基板の
屈折率より大きな屈折率を有する透明膜が形成され、該
透明膜上に記録膜が設けられた場合における最適溝深さ
については全く考慮されていなかった。実際λ1510
0溝深さとしたとき、上述のような積層構造では、案内
溝上に直接記録膜を形成した場合と比べて、トラ、キン
グ信号の変調度が小さくなるという問題が生じることが
、新たに見出された。
本発明の目的は、基板と記録膜との間に基板の屈折率よ
りも大きな屈折率を有する透明膜が設けられた場合にお
いて、最適なトラッキング信号を得ることのできる案内
溝深さを有する光磁気ディスクを提供することにある。
りも大きな屈折率を有する透明膜が設けられた場合にお
いて、最適なトラッキング信号を得ることのできる案内
溝深さを有する光磁気ディスクを提供することにある。
上記目的は、7字形状を有する溝の溝深さを従来のλ/
6〜λ15から、λ/6よりも浅くしかもλ/8よりも
深くすることにより達成される。
6〜λ15から、λ/6よりも浅くしかもλ/8よりも
深くすることにより達成される。
案内溝深さをV字形状でλ/6よりも浅くしかもλ/8
よりも深くすると、透明膜の屈折率が基板のそれよりも
太きいた。め、この屈折率の差から換算した光学的溝深
さが、従来示されていた溝深さとほぼ一致する。このた
めに、最適なトラ、キング信号を得ることができる0 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
よりも深くすると、透明膜の屈折率が基板のそれよりも
太きいた。め、この屈折率の差から換算した光学的溝深
さが、従来示されていた溝深さとほぼ一致する。このた
めに、最適なトラ、キング信号を得ることができる0 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第3図は本発明になる光磁気ディスク9の上面図である
。基板にはガラスを用いており、その直径は130mm
、中央部に設けた穴の内径は15rr+mである。いま
、AA’、BB’ 、CC’ 。
。基板にはガラスを用いており、その直径は130mm
、中央部に設けた穴の内径は15rr+mである。いま
、AA’、BB’ 、CC’ 。
DD’で切断した断面の一部を拡大して第1図に示す。
ここで、ガラス基板1上には1幅0.4μm深さλ/7
のV字状案内溝9を形成するための紫外線硬化樹脂層2
が1通常の2p(photo−polymerizat
ion )プロセスを経て厚さ30μmだけ設けられ
ている。この紫外線硬化樹脂層2が形成されたガラス基
板1.すなわちここではレプリカと呼ぶことにするが、
これをまず真空中で加熱し、紫外線硬化樹脂中に含まれ
るガス(主としてH2O)の脱気を行なった。ここで、
案内溝6の形状が変化するのを防ぐために、加熱温度は
100℃とした0脱気処理を行ったレプリカはスパ、り
装置内に装てんし、5X10−’Torrの真空度にま
で真空排気し、まずS’3N4ターゲットをスバ、りし
て、屈折率が2.07の窒化シリコン膜3を厚さ850
λだけ形成した。この膜厚は、窒化シリコン膜3中での
干渉を利用して後述する磁性膜のカー回転角を増大させ
るのに最も効果の高い膜厚である。このあと真空を破る
ことなくターゲットをTb −Fe −Co −Nb複
合ターゲ、トに変え、TbFeCo’f’Jbの四元系
非晶質磁性膜4を窒化シリコン膜3上に厚さ1000人
だけ作製した。最後に、前述の窒化シリコンをターゲッ
トとして、やはり真空を破ることなく窒化シリコン膜5
を磁性膜4上に厚さ3000人積層し、磁性膜4が大気
に晒ぎれて酸化・腐食することを防止した。
のV字状案内溝9を形成するための紫外線硬化樹脂層2
が1通常の2p(photo−polymerizat
ion )プロセスを経て厚さ30μmだけ設けられ
ている。この紫外線硬化樹脂層2が形成されたガラス基
板1.すなわちここではレプリカと呼ぶことにするが、
これをまず真空中で加熱し、紫外線硬化樹脂中に含まれ
るガス(主としてH2O)の脱気を行なった。ここで、
案内溝6の形状が変化するのを防ぐために、加熱温度は
100℃とした0脱気処理を行ったレプリカはスパ、り
装置内に装てんし、5X10−’Torrの真空度にま
で真空排気し、まずS’3N4ターゲットをスバ、りし
て、屈折率が2.07の窒化シリコン膜3を厚さ850
λだけ形成した。この膜厚は、窒化シリコン膜3中での
干渉を利用して後述する磁性膜のカー回転角を増大させ
るのに最も効果の高い膜厚である。このあと真空を破る
ことなくターゲットをTb −Fe −Co −Nb複
合ターゲ、トに変え、TbFeCo’f’Jbの四元系
非晶質磁性膜4を窒化シリコン膜3上に厚さ1000人
だけ作製した。最後に、前述の窒化シリコンをターゲッ
トとして、やはり真空を破ることなく窒化シリコン膜5
を磁性膜4上に厚さ3000人積層し、磁性膜4が大気
に晒ぎれて酸化・腐食することを防止した。
このようにして製作した第1図あるいは第3図に示した
光磁気ディスクについて、0.83μmの波長を有する
半導体レーザと、0.6の開口数を有する絞り込みレン
ズとを搭載した光へ、ドを用い7字形状の案内溝を有す
る光磁気ディスクにレーザ光を照射し、第2図中に示し
たボール形光検出器10によってトラッキング信号を検
出した。このとき、光磁気ディスクの案内溝深さdに対
してトラッキング信号の変調度を測定したところ、第2
図に示すような結果が得られた。ここで1図中に示すボ
ール形光検出器10の二つの光検出素子D1.D2から
の出力の和(D1+D、)に対する出力差ID、−D、
lを変調度と定議して、計算(実線及び破線)、あるい
は実測(丸印及び三角印)している。また溝深さdは、
特開昭57−187604号公報に開示されている回折
法と呼ばれる方法で測定している0図から明らかなよう
に、計算値と実測値とが良く一致していることがわかる
。すなわち、トラッキング信号を最大にするには案内溝
深さをλ/6よりも浅くシかもλ/8よりも深くなるよ
うに選べばよい0このとき。
光磁気ディスクについて、0.83μmの波長を有する
半導体レーザと、0.6の開口数を有する絞り込みレン
ズとを搭載した光へ、ドを用い7字形状の案内溝を有す
る光磁気ディスクにレーザ光を照射し、第2図中に示し
たボール形光検出器10によってトラッキング信号を検
出した。このとき、光磁気ディスクの案内溝深さdに対
してトラッキング信号の変調度を測定したところ、第2
図に示すような結果が得られた。ここで1図中に示すボ
ール形光検出器10の二つの光検出素子D1.D2から
の出力の和(D1+D、)に対する出力差ID、−D、
lを変調度と定議して、計算(実線及び破線)、あるい
は実測(丸印及び三角印)している。また溝深さdは、
特開昭57−187604号公報に開示されている回折
法と呼ばれる方法で測定している0図から明らかなよう
に、計算値と実測値とが良く一致していることがわかる
。すなわち、トラッキング信号を最大にするには案内溝
深さをλ/6よりも浅くシかもλ/8よりも深くなるよ
うに選べばよい0このとき。
従来の溝深さの場合よりも約5係大きくできるので、安
定なトラ、キングができる様になる。さらには、クロス
ドラ、フカラント方式により光へ。
定なトラ、キングができる様になる。さらには、クロス
ドラ、フカラント方式により光へ。
ドを光磁気ディスク上でアクセスする場合には。
案内溝深さが従来よりも浅くなるために、案内溝を横断
するときのレベル信号をより大きくすることができ、安
定なりロストラック・カウントを行なうことができる0 以上述べた様な効果は、基板1と磁性膜4との間に設け
られる膜が窒化シリコン3に限られるものではない。窒
化シリコン膜は通常2程度の大きさの屈折率をもつので
、これと同程度の屈折率。
するときのレベル信号をより大きくすることができ、安
定なりロストラック・カウントを行なうことができる0 以上述べた様な効果は、基板1と磁性膜4との間に設け
られる膜が窒化シリコン3に限られるものではない。窒
化シリコン膜は通常2程度の大きさの屈折率をもつので
、これと同程度の屈折率。
すなわち1.90〜2.14程度の屈折率を有する透明
膜であれば、前述した効果を見い出すことができる。た
とえば、一酸化シリコン、窒化アルミニウムなどの透明
誘電体膜が適している。あるいはこれらの誘電体膜で1
本来の組成よりもシリコンやアルミニウムが過剰に存在
するような組成のものでもよい。窒化シリコンを例にと
ると1通常Si 、N4組成の窒化シリコン膜が使用さ
れるが。
膜であれば、前述した効果を見い出すことができる。た
とえば、一酸化シリコン、窒化アルミニウムなどの透明
誘電体膜が適している。あるいはこれらの誘電体膜で1
本来の組成よりもシリコンやアルミニウムが過剰に存在
するような組成のものでもよい。窒化シリコンを例にと
ると1通常Si 、N4組成の窒化シリコン膜が使用さ
れるが。
これにシリコンが多少添加された窒化シリコン膜を用い
てもかまわない。たとえばシリコンが2モルチ添加され
た(8j、N4)。osS’o、。2でありても屈折率
が上述した程度の値であれば使用可能である0また。カ
ー回転角を効率よく増大させるためには、透明膜の膜厚
は600〜1000λの範囲にあるのが好ましく、より
好ましくは750〜900人の範囲がよい。さらに1本
発明になる光磁気ディスクの基板はガラスに限られるも
のではない。アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂など
の射出成形基板あるいは、紫外線等で硬化させて成形す
る光硬化形基板、さらにはエポキシ樹脂などの熱硬化性
樹脂を用いて作製する注型基板などを用いても全く差支
えない。ただし、この場合は基板自体に案内溝が形成さ
れているため、紫外線硬化樹脂層2は不要である。
てもかまわない。たとえばシリコンが2モルチ添加され
た(8j、N4)。osS’o、。2でありても屈折率
が上述した程度の値であれば使用可能である0また。カ
ー回転角を効率よく増大させるためには、透明膜の膜厚
は600〜1000λの範囲にあるのが好ましく、より
好ましくは750〜900人の範囲がよい。さらに1本
発明になる光磁気ディスクの基板はガラスに限られるも
のではない。アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂など
の射出成形基板あるいは、紫外線等で硬化させて成形す
る光硬化形基板、さらにはエポキシ樹脂などの熱硬化性
樹脂を用いて作製する注型基板などを用いても全く差支
えない。ただし、この場合は基板自体に案内溝が形成さ
れているため、紫外線硬化樹脂層2は不要である。
さらには、光磁気ディスクの媒体構成は第1図。
第3図に示したものに限られるものではない0たとえば
、第1図において紫外線硬化樹脂層2上に基板と同じ屈
折率をもつ透明誘電体膜(たとえば二酸化シリコン)を
形成し、この上に高屈折率窒化シリコン膜3.磁性膜4
、窒化シリコン膜5を積層してもかまわない。本発明の
趣旨内で種々の媒体構成が可能である。
、第1図において紫外線硬化樹脂層2上に基板と同じ屈
折率をもつ透明誘電体膜(たとえば二酸化シリコン)を
形成し、この上に高屈折率窒化シリコン膜3.磁性膜4
、窒化シリコン膜5を積層してもかまわない。本発明の
趣旨内で種々の媒体構成が可能である。
本発明によれば、カー回転角を増大させるための高屈折
率膜を用いた場合において、トラッキング信号の変調度
を低下させることなく、R#適なトラッキング信号の得
られる案内溝深さを有した光磁気ディスクを実現するこ
とができる0
率膜を用いた場合において、トラッキング信号の変調度
を低下させることなく、R#適なトラッキング信号の得
られる案内溝深さを有した光磁気ディスクを実現するこ
とができる0
第1図は本発明になる光ディスクの一部を切り出した小
片の見取図、第2図は本発明になる光ディスクの効果を
示す図である0第3図は本発明になる光ディスクの上面
図であり1図中AA’ 。 BB’、 CC’、 DD’は第1図の小片を切り出す
際の切断線を示すものである0 1・・・ガラス基板、2・・・紫外線硬化樹脂層、3,
5窒化シリコン膜、4・・・磁性膜、6・・・案内溝、
7・・・高屈折率膜を有しない場合の変調度と案内溝深
さとの関係、8・・・高屈折率膜を有する場合の変調度
と案内溝深さとの関係、9・・・光磁気ディスク。
片の見取図、第2図は本発明になる光ディスクの効果を
示す図である0第3図は本発明になる光ディスクの上面
図であり1図中AA’ 。 BB’、 CC’、 DD’は第1図の小片を切り出す
際の切断線を示すものである0 1・・・ガラス基板、2・・・紫外線硬化樹脂層、3,
5窒化シリコン膜、4・・・磁性膜、6・・・案内溝、
7・・・高屈折率膜を有しない場合の変調度と案内溝深
さとの関係、8・・・高屈折率膜を有する場合の変調度
と案内溝深さとの関係、9・・・光磁気ディスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも、V字形状の案内溝を有する透明基板と
、該透明基板の屈折率より大きな屈折率を有する透明膜
と、該透明膜上に設けられた磁性膜とから成る光磁気デ
イスクにおいて、上記案内溝の溝と溝との間に情報を記
録し、かつ、V字形状の深さをλ/6よりも浅くしかも
λ/8よりも深くしたことを特徴とする光磁気デイスク
。(ここでλは上記光デイスクに照射されるレーザ光の
波長を示す。) 2、上記透明膜が窒化シリコン、窒化アルミニウム、一
酸化シリコンの誘電体膜、あるいはシリコン、アルミニ
ウムが本来の組成よりも過剰に存在する窒化シリコン、
窒化アルミニウム、一酸化シリコンの誘電体膜であるこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の光磁気デ
イスク。 3、上記磁性膜が希土類一遷移金属非晶質磁性薄膜であ
ることを特徴とする。特許請求の範囲第1項記載の光磁
気デイスク。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5882887A JPS63225945A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 光磁気デイスク |
EP19880102182 EP0282744A3 (en) | 1987-03-16 | 1988-02-15 | Magneto-optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5882887A JPS63225945A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63225945A true JPS63225945A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=13095510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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