JPH03230332A - 光情報記録媒体およびこの光情報記録媒体への光情報記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光情報記録媒体およびこの光情報記録媒体への
光情報記録方法にかかわるもので、とくに透光性を有す
るとともにプリグルーブを形成した基板と、この基板上
に設けるとともに色素から構成した光吸収層と、この光
吸収層上に設けるとともに金属膜から構成した光反射層
とを有する光学的に書き込みおよび読み出し可能な光情
報記録媒体およびこの先情９１記録媒体への光情報記録
方法に関するものである。

［従来の技術］ この種の光情報記録媒体としては、プレス等の手段を用
いて上記透光性の基板の上にあらかじめピットを形成し
、さらにこのピットを形成した面に金属の反射膜を形成
した再生専用の光情報記録媒体としてコンパクトディス
ク（以下ｒＣＤＪという）が実用化されており、広く普
及している。

また、こうした再生専用からさらに進んで、使用者側で
必要に応じてレーザービームを基板に照射することによ
り、情報を記録することが可能な光情報記録媒体も検討
されている。

たとえば特開昭５４−８９６０５号等は、少なくとも透
光性の基板と、この基板上に設けるとともに色素を含む
光吸収層と、この光吸収層の上に設けた光反射層とを有
し、情報を光学的に書き込みおよび読み出し可能な光情
報記録媒体を開示している。

また特開昭５８−１８９８５１号あるいは特開昭５９−
１７１６８９号等は、光吸収層に隣接する層を変形させ
ることによりこうした光情報記録媒体への記録を行う方
法を開示している。

さらに特開昭５９−１．３５６４０号あるいは特開昭５
９−２１０５４６号等は、光情報記録媒体から得られる
再生信号のコントラストを向上させるために、プリグル
ーブを形成した基板上に設けた光吸収層の光反射層側を
平坦にすること（以下「レベリング」という）について
開示している。

なおまた特開昭６３−２５７９３１号等は、プレピット
を有する光情報記録媒体においてこのプレピットの深さ
を規定している。

しかしながら、光吸収層として色素を用いた書き込み可
能ないわゆる追記形の従来の光情報記録媒体を使用する
場合には、この光情報記録媒体に記録された信号を再生
するための専用のＣＤプレーヤーを新しく別途必要とし
、再生専用のＣＤ用として一般に広く普及している市販
のＣＤプレーヤーでは再生することができないという問
題がある。

そこで、ＣＤとして市販のＣＤプレーヤーで再生を行う
ためには、世界統一規格であるＣＤ規格に準拠する再生
信号が得られなければならない。

このＣＤ規格に準拠するためには、前記光反射層による
反射率が７０％以上であること、上記再生信号における
変調振幅の変調度Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６以上
であること、同再生（ｉ号における変調振幅の変調度Ｉ
　３／　Ｉ　ｔｏｐが０．　３〜０．７であること、ブ
ロックエラーレートが３．０ＸＩＯ−２以下であること
、さらにピットのトラッキングについてプッシュプル法
を採用したときにそのプッシュプル値が０．０４〜０．
０７であることが必要である。

このプッシュプル値について以下述べる。いわゆる追記
形のＣＤについては、上記ＣＤ規格を満足した再生信号
を得る前提として、再生と同時に記録を行うことになる
。したがって、ＣＤ規格に規定された信号を再生するこ
とができるように記録するためには当該ＣＤが未記録状
態であっても、良好なトラッキングを可能とすることが
必要である。

一般に、レーザーピックアップの照射位置をＣＤ上のピ
ット列に正確に位置させて記録用および再生用のレーザ
ー光がＣＤのトラックを正確に追尾可能とするいわゆる
トラッキングの方法としては、３ビーム法、プッシュプ
ル法等が知られている。

このプッシュプル法は、当該トラッキングのためのビー
ムを二分割し、それぞれのビームが照射するそれぞれの
区画の反射光量を比較しながら上記レーザーピックアッ
プをトラック上に正確にガイドするものである。こうし
たトラッキングは、すでに記録された状態の光情報記録
媒体に限らず、未記録状態の光情報記録媒体であっても
、採用することができる。

ＣＤ規格では、こうしたプッシュプル値を（ＩＩ−Ｉ２
）／ＩＯ により表すとしている。ただし、ＩＯは反射光の強度、
Ｉ１、および工２は左右それぞれの反射光の強度である
。

現在のＣＤ規格にはすでに記録された状態のプッシュプ
ル値が規定されており、このＣＤ規格によるとプッシュ
プル値は既述のように０．０４〜０．０７であることが
必要である。

しかしながら、ＣＤ規格に準拠した再生信号を追記的に
記録するにあたっては、上述のように記録する場合のプ
ッシュプルも必要である。そして、記録前と記録後とに
おけるプッシュプルはできる限り近い方が望ましい。

しかしながら、プリグルーブを形成した基板に色素を含
む光吸収層を設け、さらにこの光吸収層の上に光反射層
を設けた従来の光情報記録媒体には、上述のようなプッ
シュプルに関する規格はもちろん、上記ＣＤ規格による
諸条件を満足するための基板および光吸収層の最適条件
を示しているものはなかった。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は以上・のような諸問題にかんがみてなされたも
ので、ＣＤ規格に規定された再生信号を容易に得ること
が可能な光情報記録媒体およびこの光情報記録媒体への
光情報記録方法を提供することを課題とする。

、　具体的には、第一に、記録時において安定したトラ
ッキングが可能であるとともに、再生時においてはプッ
シュプル信号がＣＤ規格を満足している光情報記録媒体
を提供することを課題とする。

第二に、再生時に反射率および変調度がＣＤ規格を満足
する光情報記録媒体を提供することを課題とする。

第三に、上述のような課題を達成するための光情報記録
媒体への光情報記録方法を提供することを！ｌ！１題と
する。

［１！Ｉｇを解決するための手段］ すなわち、第一の発明は、透光性を有するとともにプリ
グルーブを形成した基板と、この基板上に設けるととも
に色素から構成した光吸収層と、この光吸収層上に設け
るとともに金属膜がら構成した光反射層とを有する光情
報記録媒体であって、上記プリグルーブの左右に位置す
るランドの部分における上記光吸収層と上記基板との層
界から、上記プリグルーブの部分における該層界の最底
部までの深さをｄ　ｓｕｂとし、上記ランドの部分にお
ける上記光吸収層と上記光反射層との層界から、上記プ
リグルーブの部分における該層界の最底部の深さをｄ　
ａｂｓとし、上記基板の複素屈折率の実数部をｎ　ｓｕ
ｂとし、上記光吸収層の複素屈折率の実数部をｎ　ａｂ
ｓとするとともに、再生光の波長をλとし、上記光反射
層により反射されるこの再生光の上記プリグルーブの部
分と上記ランド部分との間の光学的位相差を△５＝２ｄ
ｓｕｂ　｛ｎｓｕｂ−ｎａｂｓ　（１−ｄ　ａｂｓ／　
ｄ　５ｕｂ）　）　／λとし、さらに上記光吸収層の上
記プリグルーブの部分における膜厚をｄｇｒとしたとき
に、０．０３≦ΔＳ≦０．３．９０　ｎ　ｒｎ≦ｄｇｒ
≦３５０ｎｍ、およびｄ　ｓｕｂ≧４０ｎｍであること
を特徴とする光情報記録媒体である。

なお、上記光吸収層の平均膜厚をｄａｖとし１、ｏ＝ｎ
ａｂｓ−ｄａｖ／λとしたとき、０．０！’）≦ρ≦１
．６とすることが望ましい。

さらに、上記光吸収層の複素屈折率の虚部をｋ　ａｂｓ
としたときに、ｋ　ａｂｓ≦０．３であることが望まし
い。

また、第二の発明は、透光性を有するとともにプリグル
ーブを形成した基板と、この基板上に設けるとともに色
素から構成した光吸収層と、この光吸収層上に設けると
ともに金属膜から構成した光反射層とを有する光情報記
録媒体を用い、上記基板側から記録光を照射することに
より記録することを特徴とする光情報記録媒体の光情報
記録方法であって、上述の第一の発明による光情報記録
媒体を用いて、すなわち上記位相差ΔＳが正の場合には
この光情報記録媒体の上記プリグルーブにピットを形成
することを特徴とする光情報記録媒体への光情報記録方
法である。

なお、上記基板側から記録光を照射することによりこの
基板の上記光吸収層側を変形させて、上記ピットを形成
することが望ましい。

つぎに、第１図ないし第９図にもとづき本発明をより具
体的に説明する。

第１図は、本発明による光情報記録媒体１の一部切り欠
き斜視図、第２図は同光情報記録媒体１の記録前の要部
縦断面図、第３図は同光情報記録媒体１の記録後の要部
縦断面図である。

この光情報記録媒体１は透光性の基板２と、この基板２
上に形成した光吸収層３と、この光吸収層３の上に形成
した光反射層４と、この光反射層４の上に形成した保７
ｇＩ／Ｗ５とを有する。なお、必要に応じて基板２と光
吸収Ｎ３との間、および光吸収層３と光反射Ｎ！４との
間には中間Ｎ（図示せず）を設けることもある。

上記基板２にはスパイラル状にプリグルーブ６を形成し
である。このプリグルーブ６の左右には、このプリグル
ーブ６以外の部分すなわちランド７が位置している。

なお、基板２と光吸収層３とは第一の層界８により互い
に接している。光吸収ＭＩ３と光反射層４とは第二の層
界９により接している。光反射層４と保護層５とは第三
の層界１ｏにより接している。

第３図に示すように、光情報記録媒体１に記録光（記録
用レーザー光）Ｌｌを照射したときに、光吸収層３がこ
のレーザー光Ｌ　１のエネルギーを吸収することにより
発熱し、基板２側に熱変形が生じてピット１１を形成し
ている。あるときには、光吸収層３に光学的変化が生ず
る場合もある。

とくに第２図にしめすように、プリグルーブ６の左右に
位置するランド７の部分における上記第一の層界８から
、プリグルーブ６の部分における第一の層界８の最底部
までの深さをｄ　ｓｕｂとする。

上記ランド７の部分における上記第二の層界９から、プ
リグルーブ６の部分における第二の層界９の最底部の深
さをｄ　ａｂｓとする。

上記基板２の複素屈折率の実数部、すなわち第一の層界
８より基板２側に位置する層の複素屈折率の実数部（こ
れらの層が基板２を含んで複数贋あるときには、各層の
合成した複素屈折率の実数部）をｔ＋ｓｕｂとする。

光吸収層３の複素屈折率の実数部をｒｌａｂｓとする。

光吸収層３の平均Ｕｒ１．をｄａｖとする。なお、ここ
で平均膜厚ｄａｖとは、　（光吸収層３の体積）／（光
吸収Ｎ３が形成された領域の面積）により表される。

光吸収層３のプリグルーブ６の部分における膜厚をｄｇ
ｒとする。

光吸収Ｎ３のランド７のｒ１μ分における膜１グをｄｌ
ｎとする。

光吸収ＩｇＪ３の複素屈折率の虚部をｋ　ａｂｓとする
。

また、再生光（再生用レーザー光）Ｌ２の波長をλとす
る。

さらに、基板２側から照射し、光反射層４により反射さ
れるこの再生光Ｌ２の、プリグルーブ６の部分と、ラン
ド７の部分との間の光学的位相差をΔＳとする。以下、
この光学的位相差ΔＳについて述べる。

まず、基板２側から光を照射したときに、プリグルーブ
６内の光吸収７ｗ３の基板２側の第一の層界８を基準と
したときのランド７の部分における第二の層界９までの
光学的距離は、 ■ｌ５ｕｂａｄＳｕｂ＋ｎａｂＳ１１ｄ１ｎにより表さ
れる。

また、プリグルーブ６内の光吸収層３の基板２側の第一
の層界８を基準としたときのプリグルーブ６の部分にお
ける第二の層界９までの光学的距離は、 ｎａｂＳ＠ｄｇｒ により表される。

したがって、その光学的距離差＆ＮＤとすれば、 ＮＤ＝　　｛ｎｓｕｂ−ｄｓｕｂ＋ｎａｂｓ−ｄｌｎ）
−ｎａｂＳ′ｄｇｒ ＝ｎｓｕｂ°ｄｓｕｂ−ｎａｂｓ　（ｄｇｒ−ｄｌｎ）
である。

このとき、 ｄ　ｇｒ＋　ｄ　ａｂｓ＝　ｄ　ｌｎ＋　ｄ　ｓｕｂで
あり、つまり、 ｄ　ｇｒ　−ｄ　１ｎ＝　ｄ　ｓｕｂ　−ｄ　ａｂｓで
ある。したがって、 ＮＤ＝ｎｓｕｂ・ｄｓｕｂ−ｎａｂｓ　（ｄｓｕｂ−ｄ
ａｂｓ）である。

したがって、基板２側から再生先Ｌ２を照射したとき、
光反射層４により反射された。プリグルーブ６の部分と
ランド７の部分との再生先Ｌ２の光学的位相差ΔＳ　＝
　２　ＮＤ／λは、２ｄｓｕｂ　（ｒｌｓｕｂ　−ｒｌ
ａｂＳ（１−ｄａｂｓ／ｄｓｕｂ）　｝／λ により表される。

第４図に示すように、ΔＳを−０，５≦ΔＳ≦０．５の
範囲内で変化させるとき、反射光は干渉効果によりΔＳ
＝０において最大となり、ΔＳ＝±０．５において最小
となる。

本発明者らは、実験およびシュミレーションの結果から
、ΔＳ≦０．　３の範囲においてＣＤ規格に準拠可能な
再生信号を得ることができることを見い出した。

なお製造上の要求すなわち塗膜の均一・性、基板２の成
形性の点から、−〇、４≦ΔＳ≦０．　３であることが
望ましい。

ここで、とくにトラッキングエラーシグナル、すなわち
プッシュプル信号は、この光学的位相差ΔＳに依存して
いる。

たとえば、ΔＳが正数（ΔＳ〉０）である場合には、ラ
ンド７部分の光学的距離がプリグルーブ６に比較して長
い。

基板２と光吸収層３との間の第一の層界８における基板
２の変形をともなう記録方法においては、この基板２の
変形にともなって光吸収層３の基板２側の層の表面が変
形するため、・ピット１１に相当する記録部の光学的距
離が短くなる。したかって、第５図に示すように、記録
部分においては光学的距離すなわち屈折率と光路長との
積の変化量ΔＬ　ｄがλ／４（光路差でλ／２）の場合
には、記録部と未記録部とのプッシュプルの差（プッシ
ュプルの変化量△ｐ、　　ｐ、　　）はなくなくなるが
、変化量△Ｌｄがλ／１以下の場合には１，１ｄ録部の
プッシュプルが大きくなってしまう。

この場合にプリグルーブ６に記録すれば、記録時のプッ
シュプルは第６図に示す場合には、常に正つまり位相が
逆転せず、１−分トラッキングが可能になる。

したがってΔＳ＞Ｏの場合には、プリグルーブ６に記録
を行うことが望ましい。かくすることにより、プッシュ
プル信号のピット部と非ピット部との間におけるプッシ
ュプル信号の変動が小さい、ピント１１の部分と非ピン
ト部とのｎｏでのプッシュプルの位相の逆転のない、安
定した記録および再生を行うことができる。

なおΔＳ＞Ｏの場合にランド７部分に記録を行ったとき
には、第７図に示すように、記録時にプッシュプルレベ
ルがＯになってしまう可能性がある。プッシュプルレベ
ルがＯになると、記録時のトラッキングが不安定になり
、トラックジャンプや記録ピットのジッターの原因にな
りやすい。

本発明者らは、検討の結果、当該光学的位相差ΔＳを、
０．０３〜０．　３の範囲にすることにより、プリグル
ーブ６上で安定したトラッキングが可能な光情報記録媒
体１を提供することができることを見い出した。ΔＳが
０．０３よりも小さいと、記録部でのプッシュプル信号
が小さすぎるため、安定したトラッキングが困難になる
。また、ΔＳが０．　３よりも大きい場合には、記録部
における反射率が小さくなるために、ＣＤ規格に規定す
る反射率７０％以上を満足することは困難である。

つぎに、ΔＳ＜Ｏである場合は、プリグルーブ６部分の
光学的距離がランド７部分に比較して長い。

ΔＳ＞Ｏの場合において既述したと同様に、基板２と先
板数層３との間の第一の層界８における基板２の変形を
ともなう記録方法においては、この基板２の変形にとも
なって先板数層３の基板２側の層の表面が変形するため
、ピット１１に相当する記８部の光学的距離が短くなる
。したがって、＠５図に示すように、１７Ｉ記光学的距
離の変化量△Ｌ、　ｄがλ／４（光路差でλ／２）の場
合には、記録部と未記録部のプッシュプルの差（プッシ
ュプルの変化量△Ｐ、　　Ｐ、　　）がなくなるが、変
化量△Ｌｄがλ／４以下の場合には、記録部のプッシュ
プルは大きくなってしまう。

この場合にランド７に記録すれば、記録時のプッシュプ
ルは、ｔ５６図に示すように常に正でありつまり位相が
逆転せず、十分トラッキングが可能になる。

したがって、ΔＳく０の場合には、ランド７に記録を行
うことが望ましい。かくすることにより、プッシュプル
信号のピント部と非ピット部との開でのプッシュプル信
号の変動が小さい、ピット１１の部分と非ピット部との
間での位相の逆転のない、安定した記録および再生を行
うことができる。

なおΔＳ＜Ｏの場合にプリグルーブ（３ｇＨ５分に記録
を行ったときには、第７図に示すように、記録時にプッ
シュプルレベルが０になってしまう可能性がある。プッ
シュプルレベルが０になると、記録時のトラッキングが
不安定になり、トラックジャンプや記録ピットのジッタ
ーの原因になりやすい。

本発明者らは、検討の結果、当該光学的位相差ΔＳを、
−〇、０４〜−０．　４の範囲にすることにより、安定
したトラッキングが可能な光情報記録媒体１を提供する
ことができることを見い出した。ΔＳが−０，０４より
も大きいと、記録部でのプッシュプル信号が小さすぎる
ため、安定したトラッキングが困難になる。また、この
ΔＳが−０，４よりも小さい場合には、記録部における
反射率が小さくなるために、ＣＤ規格に規定する反射率
７０％以上を満足することは困難である。

つぎに、プリグルーブ６の部分における深さｄ　ｓｕｂ
について説明する。

このｄ　ｓｕｂを４０ｎｍ以上、さらに望ましくは６０
ｎｍ以上とすることにより、変調度が大きく、波形歪み
およびジッターの少ない、ＣＤ規格に準拠した再生信号
を出力することが可能な光情報記録媒体１を得ることが
できる。

つぎに、プリグルーブ６の部分における膜厚ｄｇｒにつ
いて説明する。

前記光学的位相差ΔＳ＞Ｏであって、プリグルーブ６に
記録を行う場合には、プリグルーブ６部分における膜厚
ｄｇｒが９０〜３５０ｎｍにおいて、良好な、波形歪み
およびジッターの少ない記録を行うことができる。

とくに、ｄｇｒが１５０〜３００　ｎ　ｒｎである場合
には、変調度も大きく、記録の前後における。

プッシュプルの変化のほとんどない、最適な記録を行う
ことができる。ｄｇｒが９０　ｎ　ｍよりも小さい場合
には、記録前後もしくは記録部と未記録部との間におけ
る光学的位相差が小さすぎるため、部分な変調を得るこ
とができない。また、ｄｇｒが３５０　ｎ　ｒｎよりも
大きい場合には、ジッターおよび波形歪みがおおきくな
り、ブロックエラーレー）（ＢＬＥＲ）がＣＤ規格を満
足することができなくなる。

つぎに、ランド７の部分における膜厚ｄｉｎについて説
明する。

前記光学的位相差ΔＳくＯであって、ランド７に記録を
行う場合には、ランド７部における膜厚ｄｌｎが９０〜
３５０ｎｍにおいて良好な、波形歪みおよびジッターの
少ない記録を行うことができる。

とくに、１８０〜３５０　ｎ　ｍである場合には、変調
度も大きく、記録の前後における。プッシュプルの変化
のほとんどない、最適な記録を行うことができる。ｄｌ
ｎが９０ｎｍよりも小さい場合には、記録前後もしくは
記録部と未記録部との間における光学的位相差が小さす
ぎるため、十分な変調を得ることができない。また、ｄ
ｉｎが３５０　ｎｍよりも大きい場合には、ジッター　
および波形歪みがおおきくなり、ブロックエラーレート
（ＢＬＥＲ）がＣＤ規格を満足することができなくなつ
ぎに、ρ＝ｎａｂｓ−ｄａｖ／λにより定義される光学
的パラメーターについて説明する。

本発明者らによる実験およびシュミレーションの結果か
ら、ρ＝ｎａｂｓ−ｄａｖ／λが非常に重要なパラメー
ターであることに着目した。すなわち。

基板２」二に光吸収Ｎ３および光反射Ｎ４を設けた構成
を有する光情報記録媒体１において、ＣＤ規格に規定し
ている反射率が７０％以上、かつ変調度として示される
Ｉ　ｌ　１／　Ｉ　ｔｏｐが６０％以上、および変調度
１３／　Ｔ　ｔｏｐが０．３〜０．７という出力信号を
得るためには、光吸収ｒｒ１３の複素屈折率の実数部ｎ
　ａｂｓと、プリグルーブ６部分の膜厚ｄｇｒとランド
７部分の膜厚ｄｉｎとの平均の膜厚ないしはその平均膜
厚ｄａｖと、再生光の波長λとで与えられるρ＝ｎａｂ
Ｓ−ｄａｖ／λを０．０５≦ρ≦１．６の範囲内に設定
することにより、容易に反射率をＣＤ規格に適合する反
射率７０％以上とすることができることがわかっている
。

上記ρが０．０５よりも小さい場合には、光吸収層３の
膜厚ｄａｖを０．０５μｍ以下と、相当薄くしなければ
ならないため、製造上実用的ではない。

したがって、０．０５≦ρ≦０．６のＷＡ囲においては
、０．３０≦ρ≦０．６の範囲が実用的であり、十分な
変調度を取るためには、０．１以上の範囲が望ましく、
変調度の大きい安定した記録特性を得るためには０．４
５±０．１の範囲が最も望ましい範囲であるということ
ができる。

さらに、第８図に示すようにρが０．６以上の範囲であ
っても、グラフ上でのピーク点であれば、反射率が７０
％を越えることが可能である。

０．６＜ρ＜１．６の範囲においては、ピーク点は２点
あり、常に０．６＜ρ＜１．１０の範囲と、１．１０＜
ρ＜１．６の範囲とにあり、それらのピーク点において
高い反射率を得ることができることがわかっている。

ρ〉１．６の時には膜厚が厚くなるため、膜厚の制御が
困難になり、製造上実用的ではない。

このρと反射率との関係を示すグラフは、指数関数と、
周期関数との組み合わされた関数として表され、ρが大
きくなるにしたがって、周期関数の振幅が大きくなる。

こうしたＭＪ周期関数振幅は、光情報記録媒体１を構成
する層の複素屈折率、膜Ｉ’Ｘ、それらの均質性等をパ
ラメーターとして変化する。たとえば、光吸収層３から
光が入射する側にある屡の屈折率が小さいと、反射率は
グラフ全体として反射率が高くなる方向にシフトする等
である。

また、このグラフは光吸収ｒ＃３の複素屈折率の虚部ｋ
ａｂｓ、およびｄａｖをパラメーターとする指数関数で
表され、第９図に示すようにｋａｂｓが大きくなるほど
グラフ全体の反射率の減衰が大きくなるということもわ
かっている。

光吸収層３が均質であり、その複素屈折率の実部ｒ１ａ
ｂｓ、膜厚ｄａｖに不均一な分布がない限り、上記グラ
フのピークを示す点の周期には変化がないことが本発明
者らのシミュレーションによりわかっている。

なお、条件により、第８図におけるグラフのボトム点の
反射率についても、上記パラメーター条件を制御するこ
とによりこれを高くすることが可能であるが、ρをボト
ム点付近に設定した場合には、変調度を大きく取ること
が困難であり、ある場合には、記録前よりも反射率が上
昇してしまう場合も生じる。したがって、ρはピーク点
付近にｄ々定することが望ましい。

」ユ記ｋ　ａｂｓについても３及する。

高い反射率を得るためにはこのｋａｂｓが０．　３以下
であることが必要である。

なお本発明者らは、ｋ　ａｂｓの数値設定か重要なパラ
メーターであることを見い出している。すなわちこのｋ
　ａｂｓが０．　３以下であれば、０に近くなるほど反
射率は向上する。したがって、この範囲が最も望ましい
。しかしＯに近づくほど記録感度が悪くなるため、Ｏよ
り大きいことが必要である。

具体的には、０．０１以上の範囲が望ましく、実際には
０．０５前後が望ましい。

上記ρが０．０５〜０．　６のＩＦｉ！囲においては同
層の複素屈折率の虚部ｋ　ａｂｓは０．　３以下である
ことが望ましい。またρが０．　６〜１．６の範囲にお
いては、ｋ　ａｂｓは０．　２以ドであることが望まし
い。

なお、本発明の内容は、他の層がある１９合においても
適用可能である。たとえば、基板２と光吸収層３との開
に透明１（たとえば５ｉ０２等のエンハンス層、下引き
贋等）をａ々けた場合には、この層を基板２の−・部と
して取り扱ってもよく、光吸収ＩＷ３と光反射ＮＩ４と
の間に屑（たとえば、接着層、硬質層等）を設けた場合
には、これらの層を第二の光吸収層３として考え、ρ＝
（ｒ＋１・ｄ１＋Ｔ１２・ｒｘ２｝／λとして取り扱い
、多数Ｍになる場合には、 ρ＝Σ（ｎｉ−ｄｉ｝／λ （ただし、ｉは整数、ｎｉは各層の複素屈折率の実数部
、ｄｉは各層の平均膜厚） とすれば、複数の層がある場合にも同様に取り扱うこと
ができる。

また、ｋａｂｓの平均として表される合成複素屈折率に
は、 Ｋ＝Σｄｉ−ｋｉ／Σｄｉ （ただし、ｋｉは各層の複素屈折率の虚部）として求め
れば単層の場合と同様に取り扱うことができる。

つぎに、各層のネオ質ないし物性等についてβ；明する
。

まず、透光性の基板２は、レーザー光に対する屈折率が
１．４〜１．６の範囲内の透明度の高い材料で、耐衝撃
性に優れた主として樹脂により形成したもの、たとえば
ガラス板、アクリル板、エポキシ板等を用いる。また、
基板２上に他の贋、たとえばＳｉ２等の耐溶剤層やエン
ハンス層をコーティングしておいてもよい。

これらの材料を射出成型法等の手段により成型する。基
板２の厚さは、ＣＤ規格に準拠するように、１．１ｍｍ
　〜１．５ｍｍが望ましい。

なお１本発明の効果を十分に得るためには。

基板２の材料はポリカーボネートが望ましい。また基板
２の熱膨張係数αの値が、５．０ＸＩＯ−’〜７．　　
ＯＸ　１０−’　（ｃｍ／’Ｃ）程度のものが望ましい
。

こうした基板２の光吸収Ｍ３側の表面には、トラッキン
グガイド手段を設けである。このトラッキングガイド手
段としては、所定間隔に形成されたピットからなるアド
レスピット、いわゆるサンプルサーボでもよいが、スパ
イラル状に形成したプリグルーブ６（ｆｊＳ２図、第３
図）が望ましい。

スパイラル状のプリグルーブ６は、データ信号なｄ上鏝
するときのトラッキングをガイドするために用いられる
。

上記プリグルーブ６の深さは通−贋者えら九る条件のも
のであればどのようなものでもよいが、３０〜２５０　
ｎ　ｍの深さが好適であり、さらに望ましくは、６０〜
１８０　ｎ　ｒｎの深さであることが望ましい。また、
プリグルーブ６の幅は、０．　３〜１．３μｎ１が望ま
しい。

プリグルーブ６とプリグルーブ６との間の間隔、いわゆ
るトラッキングピッチは、１．６μｍが望ましい。

また、プリグルーブ６等のトラッキング手段には、時ｕ
ｎコード情報（ΔＴＩＰ：Ａｂｓｏ１ｕしｅ　　Ｔｉｍ
ｅ　　Ｉｎ　　Ｐｒｅｇｒｏｏｖｅ）をプリグルーブ６
のエツジに入れておいてもよい。

こうしたプリグルーブ６は基板２の射出成型時にスタン
パを押し当てることによりこれを形成するのが通常であ
るが、レーザーによりカッティングすることや、２Ｐ法
（Ｐｈ　ｏ　ｔ、　ｏ−Ｐｏ　ｌ　ｙｍｅｒ法）により
これを製作してもよい。

つぎに、前記光吸収層３はこうした基板２のトラッキン
グガイド手段の上に形成した光吸収性の物質からなる屑
で、レーザーを照射することにより、発熱、溶融、昇華
、変形または変性をともなう層である。この光吸収層３
はたとえば溶剤により溶解したシアニン系色素等を、ス
ピンコード法等の手段により、基板２の表面に一様にコ
ーティングすることによってこれを形成する。

光吸収層３に用いる材ＩＦ−は、公知の光記録材料であ
る限り、本発明の効果を得ることは可能であるが、光吸
収性の有機色素が望ましい。具体的には、ポリメチン系
色素、トリアリールメタン系色素、ピリリウム系色素、
フェナンスレン系色素。

テトラデヒドロコリン系色素、トリアリールアミン系色
素、スクアリリウム系色素、クロコニックメチン系色素
、メロシアニン系色素等の光吸収性の有機色素を例示す
ることができるが、これらに限定されるものではなく、
公知の光記録材料である限り本発明の効果を得ることが
できる。

なお、光吸収Ｎ３には他の色素、樹Ｗａ（たとえばニト
ロセルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー
）、液ゴム等を含んでもよい。

具体的には、イソブチレン、無水マレイン酸共重合体、
エチレン酢ピコポリマー　塩素化ポリプロピレン、ポリ
エチレンオキシド、ポリアミド。

ナイロン、クマロン樹月旨、ケトン樹月旨、酢酸ビニル
、ポリスチレン、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、Ｐ
ＶＥ　（ポリビニルエステル）等が挙げられる。

セルロース誘導体としては、カルボキシメチルセルロー
ス、ニトロセルロース、ＲＰＣ（ヒドロキシプロピルセ
ルロース）、ＨＥＣ（ヒドロキシエチルセルロース）、
Ｍ、Ｃ（メチルセルロース）、ＥＣ（エチルセルロース
）、ＥＨＥＣ（エチルヒドロキシエチルセルロース）、
ＣＭＥＣ（カルボキシメチルエチルセルロース）等が挙
げられる。

オリゴマーとしては、オリゴスチレン、メチルスチレン
オリゴマー等が挙げられる。

エラストマーゴムとしては、スチレンブロックコポリマ
ー　ウレタン系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。

光吸収ｒｆｉ３は、上記の色素および任意の添加物を公
知の有機溶媒（たとえば、ケトンアルコール、アセチル
アセトン、メチルセルソルブ、トルエン等）を用いて溶
解したものを、プリグルーブ６を形成した基板２上の表
面、または基板２上のさらに他の層をコーティングした
表面上に形成する。

この場合の形成手段としては、ａＲ法、ＬＢ法、あるい
はスピンコード法等が挙げられるが、光吸収層３の濃度
、粘度、溶剤の乾燥速度等を調節することにより、層厚
を制御することができるスピンコード法が望ましい。

このｙ０吸収層３の層厚を調節する方法として具体的に
は、スピンコードの回転数を変化させる方法、粘性の異
なる物質を混在させてスピンコードを行う方法、溶剤を
複数Ｆ！類用いて溶解させた光吸収物質を用いてスピン
コードを行う、あるいは高沸点物質を混在させてスピン
コードを行う方法等が挙げられる。

つぎに、前記光反射層４は金属膜であり、たとえば、金
、銀、銅、アルミニウム、あるいはこれらを含む合金を
、原着法、スパッタ法等の手段によりこれを形成する。

反射率７０％以上を有することが必要なため、これらの
中でも、金または金を含む合金を主体とする金属膜が望
ましい。

また、光反射層４の酸化を防止するため、光反射１’Ｍ
４の−Ｌに耐酸化層等の他の層を投けてもよい。

つぎに、前記保ｎＷＩ５は、基板２と同様の耐衝撃性に
優れた樹脂によりこれを形成する。たとえば、紫外線硬
化樹脂をスピンコード法により塗布し、これに紫外線を
照射して硬化させることによりこれを形成する。このほ
か、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン系ハード
コート樹脂等を使用することもある。

保護層５は、一般には取合してポリマーとなり得る有機
化合物のモノマーおよびオリゴマーを塗布後、架橋反応
させることによりこれを得ることができる。しかしなが
ら、材質は有機化合物に限らず、無機物をスパッタ法あ
るいは原着法等公知の手段により形成してもよい。

なお、架橋反応により有機ポリマーとしてこれを得る場
合には、作業性の面から分子中にひとつ以上の反応性ア
クリロイル、！Ｓ　（−ＣＨ＝　ＣＩＩ　２）を待つ有
機重化合物のモノマーおよびオリゴマーの混合物に反応
開始剤１反応触媒を少散加え、液状のこれらの混合物を
塗布し、紫外線もしくは電′Ｔ−線を照射することによ
り架橋させる方法が有利である。

しかしながら、架橋の方法はこれに限られるわけではな
く、エポキシ樹月旨やウレタン樹月旨のように、熱によ
って架橋が進むものでありでもよいし、ジアルコキシシ
ランカップリング剤のように空気中の水分で重合反応が
進むものであってもよい。

こうして得られた架橋物の主鎖および側鎖は、飽和もし
くは不飽和系の直鎖状炭化水素であってもよいし、メラ
ミン、ビスフェノール系等の環状化合物を含んでいても
よい。また、この架橋物の主鎖または側鎖の途中に一個
以上のエーテル結合を含むポリエーテル、エステル結合
を含むポリエステル、ウレタン結合を含むポリウレタン
、イオン結合を含むアイオマー、アミド結合を含むポリ
アミド、イミド結合を含むポリイミド、スルホン結合を
含むポリスルホン、スルフィド結合を含むポリスルフィ
ド等に例示されるその他の結合を含んでいてもかまわな
い。これらの結合をふたつ以上含む共歌合化合物であっ
てもよいし、ブロックポリマーであってもかまわない。

また、これらの架橋物の防湿性を向上させるために、側
鎖にフルオロカーボン等を含んでいてもよいし、ハロゲ
ン化水素による劣化を防止するため（こエポキシ樹月旨
を含んでいてもよい。

また、光反射層４との密着性を向上させるために、側鎖
にヒドロキシル基、カルボキシル基、アクリル基、アミ
ノ基、酢酸ビニル基等を含んでいてもよいし、主鎖また
は側鎖に塩基酸が含まれていてもよい。

保護Ｎ５の形成の際には、塗布中に樹脂とその反応剤、
反応開始剤等のほかに、塗布性を向上させるために、溶
剤、希釈剤が含まれていてもよい。また、塗膜の安定化
を図るために、レベリング剤や、可塑剤、酸化防止剤、
帯電防止剤、等が含まれていてもよい。また、必要に応
じて、顔料や染料により着色してあってもかまわない。

なお、樹脂の硬化は、架橋構造の架橋密度ないしは反応
性アクロイル濃度によってこれを変えることができ、主
鎖となり得るオリゴマー自体の分子回転の自由度によっ
ても変わってくる。

また本発明による光情報記録媒体１では、基板２に対し
て、光吸収層３の背後側の層、たとえば光反射層４や保
護層５等を、ピット１１を形成した層に比較して熱変形
温度が高く、かつ硬度が高いものにより形成することが
望ましい。背後側の層を硬度の高い屑により形成するこ
とは、ＣＤ規格に規定する記録信跨のブロックエラーレ
ートの低誠に効果が認められる。

ＣＤ規格に明記されている使用環境温度内つまり一１５
℃〜７０°Ｃの範囲内においては、保護ＷＪ　５の硬度
をえんぴつ硬度で２）１以りとすることにより、光吸収
ＷＪ３の光反射層４側の第二の層界９の変形を小さく抑
えることができる。その結果、波形歪みを抑えることが
でき、ｎ　Ｌ　Ｅ　Ｒの小さな良好な記録を行うことが
できる。保ＰＩ層５の硬度を小さくするにしたがって、
Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒは増加する傾向がある。

当該保ＰＩ層５の熱膨張係数αを、使用環境温度−１５
°Ｃ〜７０℃の範囲内において、１．５×１０−５〜９
．０ＸＩＯ−’の範囲内にすることにより、この保ＰＩ
贋５が基板２と同様の熱体積変化を示すため、熱を加え
た場合にも光情報記録媒体１全体としてそりを生じさせ
難くなる。

αが１．５Ｘ１０−’末潮の場合には、加熱時の膨張に
より基板２の方が大きく膨張するため、光情報記録媒体
１が保護層５側にそり、基板２の各層に引張り張力が生
じ、記録ピット１１のジッターが増加する原因となる。

αが９．０ＸＩＯ−’よりも大きい場合には、加熱時の
膨張により保ＰＩ層５の方が大きく膨張するため、保１
ＩＷ５がたるみ、光吸収１’Ｗ３と光反射層４との間、
および光反射層４と保ＰＩ層５との間に層間剥離を生ず
る。

なお、保ｆｆ層５の収縮率を１２％以下とすることによ
り、これを硬化させた後に、樹脂の歪みが残らないよう
にヒートサイクル試験を行ったときでも、保護ｒｆＦＪ
５に割れが生じない。機械的強度を考慮すると、この収
縮率は１０％以下であることが望ましい。

なおまた、光反射ｒｗ４と保ＦＪＭ’ｆ５との間に、光
反射ＷＩ４の酸化を防止する耐酸化層を介在させること
もできる。

［作用］ 本発明による光情報記録媒体は公知の光情報記録装置に
よって記録を行うことができる。以下概説する。すなわ
ち、光情報記録装置のレーザー照射手段すなわちピック
アップを設けた側に透光性の基板２の表面が面するよう
に光情報記録媒体１を配置する。この光情報記録媒体１
をスピンドルモータにより回転させながら、ＣＤ規格に
準拠した信桂に変調されたレーザースポットを、前記ト
ラッキングガイド手段にしたがってトラッキングしなが
ら、ピックアップにより光情報記録媒体・１の光吸収層
３に照射することによって、ピット１１を形成する。

本発明による光情報記録方法においては、波長λが７８
０　ｎ　ｒｎ付近のレーザースポットを照射することが
望ましい。また、ＣＤ規格との関連から、線速度は、１
．２〜１．４ｒｎ／ｓｅｃである必要があり、記録パワ
ーは６〜９ｍＷ程度でよい。

すなわち、市販のＣＤプレーヤーにおいてその記録パワ
ーを再生時よりも大きくすることにより記録を行うこと
ができる。

なおこの記録時において、既述のように光吸収層３の膜
厚等の条件からプリグルーブ６間のランド７部分が光学
的に明るいときには、プリグルーブ６内にレーザーを照
射して、ピット１１を形成することが望ましい。

また逆に、光学的にプリグルーブ６が明るいときにはラ
ンド７部にピット１１を形成することが望ましい。

こうした条件によりピット１１を形成することによって
、再生時の再生レーザーの反射光の明暗差がはっきりし
、高い変調度を得ることができる。

かくして、ＣＤ規格を満足する再生信号を得ることがで
きる光情報記録媒体１を容易に作成可能となる。

なお本発明による光情報記録媒体１は、第３図に示すよ
うに、光吸収ｒｆ１３に基板２側から記録用レーザー光
Ｌ１を照射したとき、この光吸収層３がレーザー光Ｌ１
を吸収して熱を発生し、基板２の表面が局部的に変形し
、基板２表面にピット１１が形成されるものが望ましい
。

あるいは、光吸収層３が光学的変化を起こし。

これによってピット１１が形成されるものでもよい。

さらに、上記レーザー光Ｌ１の照射により融解、分解し
た成分が軟化した基板２の中に拡散し、基板２を形成す
る成分と部分的に混合して、化合し、そこに光吸収層３
や基板２の他の部分とは光学的に異なった部分が生成し
て、ピット１１が形成される場合もある。

記録信号の再生は、）、％　４＆　２側から再生用レー
ザー光Ｌ　２を照射することにより、ピット１１部分の
反射光とピット１１以外の部分の反射光との光学的位相
差ΔＳの明暗の差を読み取ることによって行われる。

また本発明では、光吸収層３が基板２のほぼ全面に形成
された光情報記録媒体１のほか、基板２の一部が光吸収
層３を有する記録可能領域であり、その他の部分がＣＤ
フォーマット信号が再生可能なピット１１を有するＲＯ
Ｍ領域である光情報記録媒体にも適用が可能である。こ
のような光情報記録媒体はたとえば基板２の表面のＲＯ
Ｍ領域となる部分に信号再生用のピットをスタンパ等に
より、あらかじめ形成しておき、その外側の記憶可能領
域にのみ光吸収層３を形成したものである。

こうした光情報記録媒体では、ＲＯＭ領域にあらかじめ
プレス等により大量に画一的なデータを記録しておくこ
とができ、しかもここには光吸収層３がないため、誤消
去や、別のデータの誤記録のおそれがない。また、光吸
収ＷＩ３を有する領域では使用者独自のデータを任意に
記録することができる。そして、この記録されたデータ
がＣＤ規格に準じた信号をもって再生することができる
ため、上記ＲＯＭ領域の情報と同様に市販のＣＤプレー
ヤーにより再生することができる。

［実施例］ つぎに本発明による発情ｆσ記録媒体およびこの元情報
記録媒体への光情報記録方法についてその実施例を以下
に説明する。なお、実施例１および実施例２は未記録状
態のプリグルーブ６とランド７との光学的位相差ΔＳが
正の場合、実施例３および実施例４はΔＳが負の場合を
例示している。

（実施例Ｉ） ｌｔ５０．５μｒｎ、深さ１００　ｒｌｍ、およびピッ
チ１．６μｍのスパイラル状のプリグルーブ６を形成し
た厚さ１　、　２　ｒｎ　ｍ、外径１２０　ｍ　ｍ、内
径１５ｍｍのポリカーボネート基板を射出成形法により
成形した。

シアニン色素として０．６５ｇの１，１′ジブチル３．
　３．　３’　　　３’　テトラメチル４，５゜４′　
　５′−ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレー
ト（口本感光色素株式会社製、ＮＫ−３２１９）をジア
セトンアルコールＬ　Ｏｒｎ　］に溶解し、これを上記
基板上に回転数を適当に変化させながらスピンコードす
ることによって平均膜厚ｄａｖが１４０ｎｍの光吸収層
を形成した。

この光吸収層のプリグルーブ６における深さｄ　ａｂｓ
は４９ｎｍ、　　複素屈折’ｌ　ｎ　ａｂｓは２．７、
再生光の波長λは７８０　ｎ　ｍであるから、このとき
の光学パラメータρは０．４８である。

また基板の材料であるポリカーボネートの屈折率ｎ　ｓ
ｕｂは１．５８であるから、未記録状態のプリグルーブ
とランドとの光学的位相差ΔＳは０゜０５２である。

また、以」二の結果からプリグルーブ６の膜厚ｄｇｒは
１７５ｎｍである。

このディスクめ全面に真空原着法により膜厚６０　ｎ　
ｍのＡｕ膜を形成した。さらに、この光反射層の上に紫
外線硬化樹脂をスピンコートシ、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚さ１０μｍの保［を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に、波長７８０１　Ｉｎの
半導体レーザーを線速り、４ｒｎ／ｓｅｅで記録したと
ころ、最適パワーは７．２ｍＷであった。このパワーで
ＥＦＭ信号をプリグルーブ部に記録し、そのときの光情
報記録媒体を市販のＣＤプレーヤー（Δｕｒｅｘ　　Ｘ
Ｒ−Ｖ７３、再生光の波長７８０　ｎ　ｒｎ、再生パワ
ー０．５ｍＷのレー、−ザー）で再生したところ、光情
報記録媒体の反射率が７７．３％、再生信号のアイパタ
ーンから求められる変調度１１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．
７３、Ｉ　３／　Ｉｔ、ｏｐが０．４２、ブロックエラ
ーレートが１．６×１０−、プッシュプル値は０．０６
７であった。

これはＣＤ規格に定める基準を十分に満足している。

（比較例１） 実施例１において作成した光情報記録媒体の未記録エリ
アのランド部に波長７８０ｎｍの半導体レーザーを用い
て、線速１．４ｒｎ／ｓｅｃで最適記録パワーにより記
録した。そして、この記録部分を実施例１と同様にして
再生したところ、ブロックエラーレートは５．０ｘｔＯ
−２、再生時のプッシュプルが０．０１９であった。こ
れらはいずれもＣＤ規格を満足していない。

（実施例２） 上記実施例１と同様に成形したポリカーボネート基板に
実施例１と同じシアニン色素０．７８ｇをジアセトンア
ルコール溶剤１０ｃｃに溶解したものを、スピンコード
法により、回転数を適当に変化させながら塗布した。成
膜後の膜厚ｄａｖは２６０　ｎ　ｒｎであった。

この光吸収層のプリグルーブ内の深さｄ　ｓｕｂは５７
　ｎ　ｒｎであり、複素屈折率ｎａｂｓは２．７である
。

再生光の波長は７８０ｎｍであり、このときの光学的パ
ラメーターρは０・９０である。

またこのときの未記録状態のΔＳは０．１１であった。

プリグルーブにおける光吸収層の膜厚ｄにｒは２９０ｎ
ｍとなる。

このディスクの全面に真空蒸着法により膜厚６０ｎｍの
Ａｕ膜を形成した。さらにこの光反射層の上に紫外線硬
化樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬化
させ、厚さ１０μｍの保護層を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に実施例１と同様に波Ｐｔ
７８０ｎｍの半導体レーザーを線速１゜４ｒｎ／ｓｅｅ
で記録したところ、最適記録パワーは５．２ｒｎＷであ
った。このパワーでのＥＦＭ信号を光情報記録媒体のプ
リグルーブ部に記録し、その記録部を実施例１と同様に
再生したところ、反射率が７３．２％、再生信号のＩ　
１１／　Ｉ　ｔｏｐが０゜８５、Ｉ　３／　Ｔ　ｔｏｐ
が０．４５、ブロックエラーレートが２．２Ｘ１０−１
、プッシュプル値は０．０５３であった。これはＣＤ規
格に定める基準を十分に満足している。

（比較例２） 実施例２において作成した光情報記録媒体の未記録エリ
アのランド部に波長７８０　ｎ　ｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．　４　ｍ／　ｓ　ｅ　ｃで最適記録パ
ワーにより記録した。そして、この記録部分を実施例１
と同様にして再生したところ、ブロックエラーレートは
７．８Ｘ１０−２、再生時のプッシュプルが０．０２２
であった。これらはいずれもＣＤ規格を満足していない
。

（実施例３） ＠０．　７μｍ、深さ１００　ｎ　ｒｎ、およびピッチ
１．６μｍのスパイラル状のプリグルーブを形成した厚
さ１．　２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、および内径１５ｍｍ
のポリカーボネート基板を射出成形法により成形した。

シアニン色素として０．７０ｇの１，１′ジブチル３．
　３．　３’　　　３’テトラメチル４，５゜４′　　
５′−ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレート
（日本感光色素株式会社製、ＮＫ−３２１９）をジアセ
トンアルコール１０ｍ１に溶解し、これを上記基板上に
回転数を適当に変化させながら、スピンコードすること
により平均膜厚ｄａｖ２１０ｎｍの光吸収層を形成した
。

この光吸収層のプリグルーブ内の深さｄ　ａｂｓは１２
ｎｍであり、複素屈折率ｎａｂｓは２．７であり、再生
光の波長λは７８０ｎｍであるから、このときの光学パ
ラメータρは０．７３である。

また、基板の材料であるポリカーボネートの屈折率ｒ＋
ｓｕｂは１，５８であるから、未記録状態のプリグルー
ブとランドとの光学的位相差ΔＳは、−０，２０である
。

また、以１−の結果からランドでの膜厚ｄｉｎは１、７
２　ｎ　ｍである。

このディスクの全面に亘空原着法により膜厚６０ｎ　ｍ
のＡｕ膜を形成した。さらに、この光反射層の七に紫外
線硬化樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して
硬化させ、１ダさ１０μｍの保護層を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に、波長７８０ＩＩ　ｍの
甲、導体レーザーを線速１．　４　＋ｎ／　ｓ　ｃ　ｃ
でＮｉｌ！ｆｉしたところ、最適パワーは６．５ｒｎＷ
てあった。このパワーでＥＦＭ信号をランド部に記録し
た。そのときの発情ｆＩＩ記録媒体の反射率が７４゜５
％、再生信号のアイパターンから求められるＴ１１／　
Ｉ　ｔ；ｏｐ６’ｏ、　　８２、　Ｔ　３／　Ｉ　ｔｏ
ｐが０．４２、ブロックエラーレートが１．８Ｘ１０−
’　　プッシュプルイ［αは０．０４８であった。これ
はＣＤ規格に定める基準を１・分に満足している。

（比較例３） 実施例３において作成した光情報記録媒体の未記録エリ
アのプリグルーブ部に波長７８０　ｎ　ｍの半導体レー
ザーを用いて線速Ｊ、、４ｍ／ｓｅｅで最適記録パワー
により記録した。そして、この記録部分を実施例３と同
様にして再生したところ、ブロックエラーレートは８，
５ｘｌＯ−’、再生時のプッシュプルが０．００９であ
った。これらはいずれもＣＤ規格を満足していない。

（実施例４） 上記実施例３と同様に成形形したポリカーボネート基板
に実施例３と同じシアニン色素０．　８５ｇをジアセト
ンアルコール溶剤１０　ｃ　ｃに溶解したものを、スピ
ンコード法により回転数を適当に変化させながら塗布し
た。成膜後の膜厚ｄａｖは２４０ｎｍであった。

この光吸収層のプリグルーブ内の深さｄ　ｓｕｂは１０
　ｎ　ｍであり、複素屈折率ｎａｂｓは２．７である。

再生光の波長は７８０ＩＩ　ｍであり、このときの光学
的パラメーターρは０・８３である。またこのときの未
記録状態のΔＳは一〇、２２であった。

また、このときのランド上での光吸収層の膜Ｉγｄ１！
１は２０　］、　ｎ　ｍとなる。

このディスクの全面に真空蒸着法により膜厚６０　ｎ　
ｍのＡｕ膜を形成した。さらにこの光反射層の上に紫外
線硬化樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して
硬化させ、厚さ１０μｒｎの保護層を形成した。

こうして得た光情報記録媒体に実施例３と同様に、波長
７８０　ｎ　ｍの半導体レーザーを線速１゜４ｒｎ／　
ｓｅｃで記録したところ、最適記録パワーは６．○ｍＷ
であった。このパワーでのＥＦＭ信÷１−を光情報記録
媒体のプリグルーブ部に記録し、その記録部を実施例３
と同様に再生したところ、反射率が７２．１％、再生信
号のＩ　１１／　Ｉ　ｊｏｐが０゜８４、　Ｉ　３／　
Ｉ　ｔｏｐが０．４２、ブロックエラーレートが１．９
Ｘ１０−、プッシュプル値は０３Ｏ５２であった。また
未記録部分のプッシュプルも回しく０．０５２であった
。これはＣＤ規格に定める基準を十分に満足している。

（比較例４） 実施例４において作成した光情報記録媒体の未記録エリ
アのプリグルーブ部に波長７８０　ｎ　ｍの半導体レー
ザーを用いて、線速１．４ｒｎ／ｓｅＣで最適記録パワ
ーにより記録した。そして、この記録部分を実施例３と
同様にして再生したところ、ブロックエラーレートは８
．０ＸＩＯ−’　　再生時のプッシュプルが０．０１２
であった。これらはいずれもＣＤ規格を満足していない
。

［発明の効ｆｆｉ］ 以上のように本発明によれば、光学的位相差ΔＳ、およ
び光吸収層のプリグルーブの部分における膜厚、さらに
プリグルーブの深さを所定の値に設定することにより、
現在のＣＤ規格に準拠した、とくにＣＤ規格に定められ
たプッシュプル値、さらには反射率および変調度の規格
値を満足することが可能な光情報記録媒体およびこの光
情報記録媒体への記録方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による発情ｆ！！記録媒体ｌの一部切り
欠き斜視図、 第２図は同、光情報記録媒体１およびこの光情報記録媒
体１への光情報記録方法を説明するための要部縦新面図
、 第３図は同、プリグルーブ６にピット１１を形成した状
態の要部縦断面図、 第４図は光学的位相差ΔＳと反射光量との関係のグラフ
、 第５図は記録の前後における光学的距離の変化量△Ｌｄ
と、記録の前後におけるプッシュプルの変化量Δｐ、　
　ｐ、　　との関係のグラフ、ｆｔ５６図は記録の前後
にわたるプッシュプルの変化の様子を示すグラフ、 第７図は同、記録の前後にわたるプッシュプルの変化の
様子を示すグラフで、プッシュプルが正負反転する場合
を示すグラフ、 第８図はｐ　（＝ｎａｂｓ−ｄａｖ／λ）と反射率との
関係のグラフ、 第９図は光吸収層３の複素屈折率ｋａｂｓと反射率との
関係のグラフである。 １　、、、、、、光情報記録媒体 ２・・・・・・透光性の基板 ３　、、、、、、光吸収層 ４　、、、、、、光反射層 ５００１０６．保護層 ６　、、、、、、プリグルーブ ７　、、、、、、ランド ８・・・・・・第一の清算 ９　、、、、、、第二の層界 １０、、、、、、第三の層界 Ｉ　Ｌ　、、、、、、ピット ｄｓｕｂ、、−、−ランド７の部分における光吸収層３
と基板２との第一の層界８がら、 プリグルーブ６の部分における第一 の層界８の最底部の深さ （］ａｂＳ００１０．ランド７の部分における光吸収層
３と光反射Ｍ４との第二の層界９から、 プリグルーブ６の部分における第二 の層界９の最底部の深さ ｎ５ｕｂ、、、、、光吸収層３と基板２との第一の層界
８より基板２側に位置する層の 複素屈折率の実数部 ｒｔａｂｓ、、、、、光吸収層３のａ９．ＨＩ折率の実
数部ｋａｂｓ、、、、、光吸収層３の炭素屈折率の虚数
部ｄ　ａｖ、、、、、、光吸収Ｎ３の平均膜厚ｄ　ｇｒ
、、、、、、光吸収Ｍ３のプリグルーブ６の部分におけ
る膜厚 ｄｌ旧０．１１．光吸収層３のランド７の部分における
膜厚 λ９１９０１１１．再生光の波長 ΔＳ　、、、、、、光学的位相差 Ｌ　１　、、、、、、記録用レーザー光■、２　、、、
、、、再生用レーザー光第 図 第 ２ 図 ＼ 第 図 反＠光量 図 Ｐｂ　°翫シ標Ｉｎめ７〜ノシ１フー！しし△°ＩしＰ
ｒ：ｔ＊中の７−ノ５ニアＩレレ八°ＪしＰａ４ｅｉ牟
艷め７６へ・１５ユフ町しレベル図 Ｐａ　：記Ｍ棧め７ヘソシユフ１１シシぺ１し第 図 ／’−ｎａｂｓ・ｄａｙ　／入 第 図 尤幅収１１め碩索庄析卑の虚部 　ａｂｓ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）透光性を有するとともにプリグルーブを形成した
   基板と、 この基板上に設けるとともに色素から構成した光吸収層
   と、 この光吸収層上に設けるとともに金属膜から構成した光
   反射層とを有する光情報記録媒体であって、 前記プリグルーブの左右に位置するランドの部分におけ
   る前記光吸収層と前記基板との層界から、前記プリグル
   ーブの部分における該層界の最底部までの深さをｄｓｕ
   ｂとし、 前記ランドの部分における前記光吸収層と前記光反射層
   との層界から、前記プリグルーブの部分における該層界
   の最底部の深さをｄａｂｓとし、前記基板の複素屈折率
   の実数部をｎｓｕｂとし、前記光吸収層の複素屈折率の
   実数部をｎａｂｓとするとともに、 再生光の波長をλとし、 前記光反射層により反射されるこの再生光の前記プリグ
   ルーブの部分と前記ランド部分との間の光学的位相差を
   ΔＳ＝２ｄｓｕｂ｛ｎｓｕｂ−ｎａｂｓ（１−ｄａｂｓ
   ／ｄｓｕｂ）｝／λとし、さらに前記光吸収層の前記プ
   リグルーブの部分における膜厚をｄｇｒとしたときに、 ０．０３≦ΔＳ≦０．３、 ９０ｎｍ≦ｄｇｒ≦３５０ｎｍ、および ｄｓｕｂ≧４０ｎｍ であることを特徴とする光情報記録媒体。 （２）前記光吸収層の平均膜厚をｄａｖとし、ρ＝ｎａ
   ｂｓ・ｄａｖ／λとしたとき、 ０．０５≦ρ≦１．６であることを特徴とする請求項（
   １）記載の光情報記録媒体。 （３）前記光吸収層の複素屈折率の虚部をｋａｂｓとし
   たときに、 ｋａｂｓ≦０．３であることを特徴とする請求項（２）
   記載の光情報記録媒体。 （４）透光性を有するとともにプリグルーブを形成した
   基板と、 この基板上に設けるとともに色素から構成した光吸収層
   と、 この光吸収層上に設けるとともに金属膜から構成した光
   反射層とを有する光情報記録媒体を用い、前記基板側か
   ら記録光を照射することにより記録することを特徴とす
   る光情報記録媒体の光情報記録方法であつて、 前記プリグルーブの左右に位置するランドの部分におけ
   る前記光吸収層と前記基板との層界から、前記プリグル
   ーブの部分における該層界の最底部までの深さをｄｓｕ
   ｂとし、 前記ランドの部分における前記光吸収層と前記光反射層
   との層界から、前記プリグルーブの部分における該層界
   の最底部の深さをｄａｂｓとし、前記基板の複素屈折率
   の実数部をｎｓｕｂとし、前記光吸収層の複素屈折率の
   実数部をｎａｂｓとするとともに、 再生光の波長をλとし、 前記光反射層により反射されるこの再生光の前記プリグ
   ルーブの部分と前記ランド部分との間の光学的位相差を
   ΔＳ＝２ｄｓｕｂ｛ｎｓｕｂ−ｎａｂｓ（１−ｄａｂｓ
   ／ｄｓｕｂ）｝／λとし、さらに前記光吸収層の前記プ
   リグルーブの部分における膜厚をｄｇｒとしたときに、 ０．０３≦ΔＳ≦０．３、 ９０ｎｍ≦ｄｇｒ≦３５０ｎｍ、および ｄｓｕｂ≧４０ｎｍ であることを特徴とする光情報記録媒体の前記プリグル
   ーブにピットを形成することを特徴とする光情報記録媒
   体への光情報記録方法。 （５）前記基板側から記録光を照射することにより該基
   板の前記光吸収層側を変形させることを特徴とする請求
   項（４）記載の光情報記録媒体への光情報記録方法。