JP2937037B2

JP2937037B2 - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JP2937037B2
Application number: JP26655494A
Authority: JP
Inventors: 雅嗣小川
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-10-31
Filing date: 1994-10-31
Publication date: 1999-08-23
Anticipated expiration: 2014-08-23
Also published as: JPH08129786A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体及びその
再生方法に係り、特に予め情報が凹凸の変化として記録
されているプリピットが、隣り合う案内トラック間に形
成されている光磁気記録媒体及びその再生方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図５（Ａ）、（Ｂ）は従来の光磁気記録
媒体の一例の平面図及び同図（Ａ）のａ−ａ′線に沿う
断面図を示す。一般的に、従来の光磁気記録媒体は、図
４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、表面に案内溝１０１と
平坦部１０２とが交互に形成され、更に平坦部１０２の
一部には予め所定の情報が凹凸の変化として記録された
部分を有する。この既記録部分の凹部を一般にプリピッ
ト１０３という。

【０００３】図５（Ｂ）に示すように、上記の案内溝１
０１は基板１０４表面に対して断面が傾斜した側壁を有
し、また、上記のプリピット１０３は基板１０４表面に
対して略垂直な側壁を有する凹部であり、これらの上に
は磁性膜１０５が被覆形成されている。かかる構造の光
磁気記録媒体が円盤状である場合は、案内溝１０１はス
パイラル状あるいは同心円状に形成されて、光スポット
を隣の平坦部１０２上に追従走査させる案内トラックを
形成している。

【０００４】すなわち、案内溝１０１からの反射光の変
化に基づいてトラックサーボにより光スポットを平坦部
１０２に追従させながら、平坦部１０２に情報を磁性膜
１０５の磁化方向の変化として記録し、既記録情報をカ
ー効果を利用して再生する。トラックサーボのかけ方に
は、プッシュプル法、スリービーム法、ヘテロダイン法
などが従来より知られているが、いずれも平坦部１０２
からの光スポットの位置ずれを、それに伴い反射光の変
化で感知する仕組みになっている。

【０００５】光スポットからの位置ずれに伴い反射光を
変化させているのは、案内溝１０１であり、案内溝１０
１は重要な役割を果たしている。この案内溝１０１は、
基板を成形する工程で作成されるが、その中で、その精
度に影響してくるのが、原盤露光プロセスと原盤転写プ
ロセスである。

【０００６】原盤転写プロセスは、原盤を基板１０４に
転写させる工程で、特にこの工程が案内溝１０１の精度
に大きく影響してくる。原盤転写プロセスには、コンプ
レッション法、インジェクション法、２Ｐ法等がある
が、いずれの方法も一長一短があり、案内溝１０１の劣
化は多くの場合、この工程で原盤を忠実に転写すること
ができずに生じている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このため、従来は光磁
気記録媒体の高密度化が進むに従って、精度良く原盤転
写プロセスを行うことが難しくなってきた。更に、案内
溝１０１が狭くなった光磁気記録媒体や、案内溝１０１
と平坦部１０２の両方に記録する媒体（ランド・グルー
ブ記録用媒体）では、案内溝１０１とプリピット１０３
の両方を精度良く作成するのが非常に難しく、その結
果、光磁気記録媒体の媒体ノイズが上昇し、高密度化の
障壁となっていた。

【０００８】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
高密度化が進んだ場合でも、案内トラックを良好に形成
し得る光磁気記録媒体及びその再生方法を提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光磁気記録媒体は、基板の表面に形成され
た第１の磁性膜と、該第１の磁性膜上に光スポットの進
行方向に平行な方向に、かつ、光スポットの進行方向と
直交する方向に周期的間隔で形成された第２の磁性膜、
若しくは基板の表面に被覆形成されると共に光スポット
の進行方向に平行な方向に、かつ、光スポットの進行方
向と直交する方向に周期的間隔で厚さが厚い部分を有す
るように形成された第１の磁性膜と、第１の磁性膜の厚
さが厚い部分上に形成された第２の磁性膜、又は基板の
表面に形成された第１の磁性膜と、該第１の磁性膜上全
面に被覆形成されると共に光スポットの進行方向に平行
な方向に、かつ、光スポットの進行方向と直交する方向
に周期的間隔で厚さが厚い部分を有するように形成され
た第２の磁性膜とを少なくとも有し、第１の磁性膜と第
２の磁性膜とはそれぞれ室温付近において磁化の向きが
反対になるように磁気的に結合され、かつ、第２の磁性
膜の磁化状態が第１の磁性膜に転写する特性を持たせた
構造としたものである。

【００１０】また、本発明における第２の磁性膜は、ト
ラックエラー信号を得るための案内トラックを形成する
ことを特徴とする。また、本発明の光磁気記録媒体にお
いて第２の磁性膜の室温近傍での界面磁壁エネルギー密
度が、第１の磁性膜の界面磁壁エネルギー密度よりも大
きいか、または第１の磁性膜の厚さが、第２の磁性膜と
の間にできる界面磁壁の厚さよりも薄く形成されてい
る。

【００１１】更に、本発明の光磁気記録媒体の再生方法
では、第２の磁性膜を案内トラックとして有する光磁気
記録媒体に対して光を照射して得られる反射光を、少な
くとも偏光ビームスプリッタを介して光スポットの進行
方向に対して垂直な方向に対称に分割された光検出器に
入射し、第２の磁性膜に対する光スポットのずれに応じ
たレベルのトラックエラー信号を光検出器より取り出し
て再生するようにしたものである。

【００１２】

【作用】本発明の光磁気記録媒体では、第１の磁性膜と
第２の磁性膜とはそれぞれ室温付近において磁化の向き
が反対になるように磁気的に結合され、かつ、第２の磁
性膜の磁化状態が第１の磁性膜に転写する特性を持たせ
た構造とされているため、光磁気記録媒体全体に外部磁
界を印加して初期化すると、第２の磁性膜が成膜されて
いる部分あるいは第２の磁性膜が他よりも厚く成膜され
ている部分の下の第１の磁性膜の磁化方向も他の部分と
同様に印加磁界の方向を向く。このとき、第１及び第２
の磁性膜の界面には磁化の向きが反対になるように磁気
的に結合による界面磁壁が存在する。

【００１３】この後に外部磁界の印加を停止すると、転
写特性のため第２の磁性膜の下の第１の磁性膜が界面磁
壁をパンチスルーし、第２の磁性膜が成膜されている下
の第１の磁性膜部分あるいは第２の磁性膜が他よりも厚
く成膜されている部分の下の第１の磁性膜部分だけ、磁
化の方向が反転する。従って、第１の磁性膜と第２の磁
性膜が凹凸を形成している場合、凹部と凸部のそれぞれ
で転写特性を変えることができる。

【００１４】これにより、第２の磁性膜の有るところ又
は厚い部分と、無いところ又は薄い部分とではカー回転
の回転方向が逆になり、第２の磁性膜を案内トラックと
して形成できる。

【００１５】ある磁性膜の磁化状態を他の磁性膜に転写
する場合は、磁性膜の界面に生じる界面磁壁を磁化状態
を写される側の磁性膜にパンチスルーさせることが必要
である。界面磁壁は、界面磁壁エネルギー密度の小さな
磁性膜の方に動き、界面磁壁エネルギー密度の小さい磁
性膜をパンチスルーする傾向がある。また、界面磁壁エ
ネルギー密度の大小に拘らず、磁性膜に生じるはずの界
面磁壁の厚さよりも磁性膜を薄くすると、界面磁壁はそ
の磁性膜をパンチスルーする傾向がある。従って、この
ような条件で交換結合多層膜を作成するることにより、
室温近傍で、第２の磁性膜の磁化状態を第１の磁性膜に
転写することができる。

【００１６】また、本発明再生方法では、カー回転によ
り生じた光の成分を第２の磁性膜の周期的形成方向に垂
直な方向に対して対称な方向に分割された光検出器の出
力電気信号の差信号をとることにより、プッシュプル法
などと同じトラックエラー信号を得てトラックサーボを
かけることができる。つまり、本発明の光磁気記録媒体
では、物理的な溝が無くても第２の磁性膜のみが成膜さ
れている部分又は第２の磁性膜が厚く成膜されている部
分を案内トラックとして用いることができ、案内溝の形
成を不要にできる。

【００１７】

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
１（Ａ）、（Ｂ）は本発明になる光磁気記録媒体の第１
実施例の平面図及び同図（Ａ）のａ−ａ′線に沿う断面
図を示す。同図（Ｂ）に示すように、本実施例はプリピ
ット１０３が形成されている基板３上に第１の磁性膜１
が被覆され、更にこの第１の磁性膜１上で、かつ、従来
の案内溝１０１の位置に相当する位置に所定の膜厚の第
２の磁性膜２が案内トラックとして形成されている。

【００１８】従って、本実施例の媒体表面は図１（Ａ）
に示すように、第２の磁性膜２が形成されている領域４
の間に第１の磁性膜１のみが形成されている領域５が位
置することとなる。なお、第２の磁性膜２は、エッチン
グを行うことにより、望みの形状に加工されている。

【００１９】第１及び第２の磁性膜１及び２は、例えば
希土類−遷移金属アモルファス合金などの光磁気記録材
料からなり、室温付近において、互いに磁化の向きが反
対になるように磁気的に結合するようにされている。ま
た、第２の磁性膜２の磁化状態は第１の磁性膜１に転写
する特性とされている。

【００２０】これにより、本実施例の光磁気記録媒体全
体に外部磁場を印加して初期化すると、第２の磁性膜２
が形成されている領域４の第１の磁性膜１も含め、すべ
ての磁性膜１及び２の磁化方向が印加磁場の方向を向
く。このとき第１の磁性膜１と第２の磁性膜２との界面
には磁化の向きが反対になるように磁気的に結合による
界面磁壁が存在する。この後、外部磁場の印加を止める
ことにより、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２との転写
特性のため、第２の磁性膜２の下の第１の磁性膜１が界
面磁壁をパンチスルーし、領域４の第１の磁性膜１だけ
磁化の方向が反転する。

【００２１】この領域４を信号品質良く形成するには、
第２の磁性膜２の室温近傍での界面磁壁エネルギー密度
を第１の磁性膜１の界面磁壁エネルギー密度よりも大き
くするとよい。また、第１の磁性膜１の厚さを第２の磁
性膜２との間にできる界面磁壁の厚さよりも薄くするこ
とで転写特性を高めてもよい。

【００２２】なお、図１において、第１の磁性膜１と第
２の磁性膜２とは基板３の上に直接形成されているよう
に示しているが、基板３と第１の磁性膜１との間には第
１の誘電体膜を形成して腐食保護効果や多重干渉による
信号増大効果を付与してもよい。また、第１の磁性膜１
や第２の磁性膜２の上に第２の誘電体膜を形成して腐食
保護効果を付与してもよい。また、更に第２の誘電体膜
の上に反射膜を形成して多重干渉による信号増大効果を
付与してもよい。更にまた、その上に保護膜を形成して
もよい。また、第１の磁性膜１を１層ではなく、数層で
形成し、転写特性を向上するようにしてもよい。

【００２３】基板３の材質としては、ポリカーボネー
ト、アクリル等の合成樹脂、ガラス等を使用でき、これ
らには樹脂等が被覆されているものを用いてもよい。基
板３の形状としてはディスク状のものやカード状のもの
を用いることができる。

【００２４】第１の磁性膜１の材質としては、希土類金
属と鉄族遷移金属との非晶質合金や、鉄族遷移金属と貴
金属との周期多層膜や、ＭｎＢｉ合金等を用いることが
できる。ＴｂＦｅＣｏ膜を主成分とする膜は特に望まし
い。第２の磁性膜２の材質としては、鉄族遷移金属や、
希土類金属と鉄族遷移金属との非晶質合金等を用いるこ
とができる。Ｃｏ、ＴｂＦｅを主成分とする膜は特に望
ましい。

【００２５】次に、本発明になる光磁気記録媒体の第２
実施例について説明する。図２（Ａ）、（Ｂ）は本発明
になる光磁気記録媒体の第２実施例の平面図及び同図
（Ａ）のａ−ａ′線に沿う断面図を示す。同図中、図１
と同一構成部分には同一符号を付してある。図２（Ｂ）
に示すように、本実施例はプリピット１０３が形成され
ている基板３上に第１の磁性膜６が被覆され、更にこの
第１の磁性膜６上で、かつ、従来の案内溝１０１の位置
に相当する位置に所定の膜厚の第２の磁性膜２が案内ト
ラックとして形成されている。

【００２６】従って、本実施例の媒体表面は図２（Ａ）
に示すように、第２の磁性膜２が形成されている領域７
の間に第１の磁性膜６のみが形成されている領域５が位
置することとなる。なお、第１の磁性膜６の材質とし
ては、希土類金属と鉄族遷移金属との非晶質合金や、鉄
族遷移金属と貴金属との周期多層膜や、ＭｎＢｉ合金等
を用いることができる。ＴｂＦｅＣｏ膜を主成分とする
膜は特に望ましい。

【００２７】本実施例は、第１実施例と異なり、第２の
磁性膜２が存在する部分の第１の磁性膜６の厚さが第２
の磁性膜２が存在しない部分の厚さに比べて厚く形成さ
れている点に特徴がある。これは、第２の磁性膜２を部
分的にエッチング除去する際に、ややオーバーエッチン
グすることによる。

【００２８】本実施例も第１実施例と同様に、室温付近
において第１の磁性膜６の厚い部分と第２の磁性膜２と
は磁化の向きが反対になるように磁気的に結合するよう
にし、第２の磁性膜２の磁化状態は第１の磁性膜６の厚
い部分に転写する特性を持たせてある。これにより、本
実施例の光磁気記録媒体に外部磁場を印加して初期化す
ると、第２の磁性膜２が形成されている案内溝と同等の
領域７の第１の磁性膜６も含め、すべての磁性膜６及び
２の磁化方向が印加磁場の方向を向く。このとき第１の
磁性膜６と第２の磁性膜２との界面には磁化の向きが反
対になるように磁気的に結合による界面磁壁が存在す
る。

【００２９】この後、外部磁場の印加を止めることによ
り、第１の磁性膜６と第２の磁性膜２との転写特性のた
め、第２の磁性膜２の下の第１の磁性膜６が界面磁壁を
パンチスルーし、領域７の第１の磁性膜６だけ磁化の方
向が反転する。

【００３０】この領域７を信号品質良く形成するには、
第２の磁性膜２の室温近傍での界面磁壁エネルギー密度
を第１の磁性膜６の厚い部分の界面磁壁エネルギー密度
よりも大きくするとよい。また、第１の磁性膜６の厚さ
を第２の磁性膜２との間にできる界面磁壁の厚さよりも
薄くすることで転写特性を高めてもよい。

【００３１】なお、図２において、第１の磁性膜６と第
２の磁性膜２とは基板３の上に直接形成されているよう
に示しているが、基板３と第１の磁性膜６との間には第
１の誘電体膜を形成して腐食保護効果や多重干渉による
信号増大効果を付与してもよい。また、第１の磁性膜６
や第２の磁性膜２の上に第２の誘電体膜を形成して腐食
保護効果を付与してもよい。

【００３２】また、更に第２の誘電体膜の上に反射膜を
形成して多重干渉による信号増大効果を付与してもよ
い。更にまた、その上に保護膜を形成してもよい。ま
た、第１の磁性膜６を１層ではなく、数層で形成し、転
写特性を向上するようにしてもよい。

【００３３】次に、本発明になる光磁気記録媒体の第３
実施例について説明する。図３（Ａ）、（Ｂ）は本発明
になる光磁気記録媒体の第３実施例の平面図及び同図
（Ａ）のａ−ａ′線に沿う断面図を示す。同図中、図１
と同一構成部分には同一符号を付してある。図３（Ｂ）
に示すように、本実施例はプリピット１０３が形成され
ている基板３上に第１の磁性膜１が被覆され、更にこの
第１の磁性膜１上に第２の磁性膜８が被覆されている。

【００３４】この第２の磁性膜８は、従来の案内溝１０
１の位置に相当する位置においては所定の膜厚で厚く形
成されて案内トラックを構成し、案内溝１０１の位置に
相当しない位置では薄く形成されている。従って、本実
施例の媒体表面は図３（Ａ）に示すように、第２の磁性
膜８が厚く形成されている案内トラックの領域９の間に
第２の磁性膜８が薄く形成されている領域１０が位置す
ることとなる。なお、第２の磁性膜８の材質としては、
鉄族遷移金属や、希土類金属と鉄族遷移金属との非晶質
合金等を用いることができる。Ｃｏ、ＴｂＦｅを主成分
とする膜は特に望ましい。

【００３５】本実施例は、上記のように、第１の磁性膜
１上全面に第２の磁性膜８が存在するが、従来の案内溝
１０１の位置に相当する位置において案内溝１０１の位
置に相当しない位置よりも厚く形成されている点に特徴
がある。第２の磁性膜８が領域１０において薄く形成さ
れるのは、第２の磁性膜８を部分的にエッチング除去す
る際に、ややアンダーエッチングすることによる。

【００３６】本実施例も第１及び第２実施例と同様に、
室温付近において第１の磁性膜１と第２の磁性膜８の厚
い部分とは磁化の向きが反対になるように磁気的に結合
するようにし、第２の磁性膜８の厚い部分の磁化状態は
第１の磁性膜１に転写する特性を持たせてある。これに
より、本実施例の光磁気記録媒体に外部磁場を印加して
初期化すると、第２の磁性膜８が形成されている案内溝
と同等の領域９の第１の磁性膜１も含め、すべての磁性
膜１及び８の磁化方向が印加磁場の方向を向く。このと
き第１の磁性膜１と第２の磁性膜８の厚い部分との界面
には磁化の向きが反対になるように磁気的に結合による
界面磁壁が存在する。

【００３７】この後、外部磁場の印加を止めることによ
り、第１の磁性膜１と第２の磁性膜８との転写特性のた
め、第２の磁性膜８の厚い部分（領域９の部分）の下の
第１の磁性膜１が界面磁壁をパンチスルーし、領域９の
第１の磁性膜１だけ磁化の方向が反転する。なお、領域
９以外の領域１０での第２の磁性膜８は薄く形成されて
いるので、室温での第２の磁性膜８から第１の磁性膜１
２への磁化の転写は起こらず、磁化の転写は第２の磁性
膜８が厚く形成された領域９の第１の磁性膜１に対して
のみしか生じない。

【００３８】この領域９を信号品質良く形成するには、
第２の磁性膜８の厚い部分の室温近傍での界面磁壁エネ
ルギー密度を第１の磁性膜１の界面磁壁エネルギー密度
よりも大きくするとよい。また、第２の磁性膜８の厚い
部分の下の第１の磁性膜１の厚さを第２の磁性膜８との
間にできる界面磁壁の厚さよりも薄くすることで転写特
性を高めてもよい。

【００３９】なお、図３において、第１の磁性膜１と第
２の磁性膜８とは基板３の上に直接形成されているよう
に示しているが、基板３と第１の磁性膜１との間には第
１の誘電体膜を形成して腐食保護効果や多重干渉による
信号増大効果を付与してもよい。また、第１の磁性膜１
や第２の磁性膜８の上に第２の誘電体膜を形成して腐食
保護効果を付与してもよい。

【００４０】また、更に第２の誘電体膜の上に反射膜を
形成して多重干渉による信号増大効果を付与してもよ
い。更にまた、その上に保護膜を形成してもよい。ま
た、第１の磁性膜１を１層ではなく、数層で形成し、転
写特性を向上するようにしてもよい。同様に、第２の磁
性膜８を１層ではなく、数層で形成し、転写特性を向上
するようにしてもよい。

【００４１】このように、上記の第１乃至第３実施例で
は、従来の案内溝１０１の代わりに、基板３上に第２の
磁性膜２、８による凸部を形成してこれを案内トラック
としているため、高密度化が進んだ場合でも、案内トラ
ック形成のために基板を案内溝形成時のように変形させ
ることがなく、よって従来よりも精度良く案内トラック
を作成することができる。

【００４２】次に、本発明の光磁気記録媒体の再生方法
の一実施例について説明する。図４は本発明再生方法の
一実施例を説明する構成図を示す。同図において、光デ
ィスク１２は、上記の第１乃至第３の実施例のいずれか
の光磁気記録媒体を円盤状に構成したディスクで、図示
しないスピンドルモータにより回転され、また、記録再
生用のレーザ光は透明な基板３を透過して第１の磁性膜
１又は６に入射される。

【００４３】図４において、偏光ビームスプリッタ（Ｐ
ＢＳ）１３、レンズ１４、１／２波長板１５、レンズ１
６、ＰＢＳ１７、２分割フォトディテクタ１８及びフォ
トディテクタ１９は光ディスク１２に対して情報を記
録、再生する装置の一部を構成している。

【００４４】２分割フォトディテクタ１８は、図１
（Ａ）、図２（Ａ）あるいは図３（Ａ）のａ−ａ′方向
に対し、垂直に２分割されている。ＰＢＳ１７はカー回
転によって生じた成分をすべて反射し、入射光と同じ成
分をすべて透過する。ＰＢＳ１３はカー回転によって生
じた成分をすべて反射し、入射光と同じ成分をある割合
で反射し、残りを透過する。ＰＢＳ１３を透過した光は
フォーカスエラー信号などに使用される。

【００４５】次に、この構成の動作について説明する。
図示しない光源より出射された一定の光強度のレーザ光
２０は、ＰＢＳ１３を透過してレンズ１４に入射され、
これにより集束されて光ディスク１２上に光スポットを
結像した後反射される。光ディスク１２の前記領域５あ
るいは１０で、かつ、プリピット１０３が形成されてい
ない領域（記録領域）に位置する第１の磁性膜１あるい
は６には、記録情報が磁化の方向の変化として記録され
ているので、光ディスク１２の反射光の偏光面がこの磁
化の方向に対応して回転する。

【００４６】光ディスク１２の反射光はレンズ１４を透
過してＰＢＳ１３に入射され、ここで上記の反射の際の
回転によって生じた、入射光の偏光面に垂直な偏光面の
反射光成分がすべて反射され、入射光偏光面と同じ偏光
面の反射光成分がある割合で反射され、残りの反射光成
分が透過される。ＰＢＳ１３で反射された反射光成分
は、１／２波長板１５によりその偏光面が４５度回転さ
れた後、レンズ１６を透過してＰＢＳ１７に入射され
る。

【００４７】ＰＢＳ１７は入射された光と同一の偏光面
の光成分を透過してフォトディテクタ１９に入射し、か
つ、入射された光と垂直の偏光面の光成分を反射して２
分割フォトディテクタ１８に入射する。２分割フォトデ
ィテクタ１８によりそれぞれ光電変換して得られた２信
号は差をとられてトラックエラー信号として使用され
る。

【００４８】ここで、光スポットが領域４（又は９）か
領域５（又は１０）に存在するときには、上記のトラッ
クエラー信号は０になるが、光スポットが領域４（又は
９）又は領域５（又は１０）からずれると、上記のトラ
ックエラー信号はそのずれに比例したレベルに変化す
る。従って、領域４（又は９）を案内トラックとしたと
きのこのトラックエラー信号を用いることにより、光ス
ポットを領域５（又は１０）に追従させることができ
る。

【００４９】また、フォトディテクタ１８により光電変
換して得られた２信号の和と、フォトディテクタ１９に
より光電変換して得られた信号を用いて差動を取ること
により再生信号が得られる。なお、フォトディテクタ１
９はここでは特に分割していないが、分割したものを用
いることもできる。このように、本実施例では、再生信
号の光学系をそのまま利用してトラックエラー信号を生
成できるため、新たにトラックサーボ用の光学系を必要
としないため、光学部品を節約できるという効果があ
る。

【００５０】次に、本発明の光磁気記録媒体の具体例に
ついて更に説明する。第１の具体例は、基板３として直
径１３０ｍｍのポリカーボネート基板を用い、その基板
３上に第１の誘電体膜として窒化シリコン膜を８０ｎ
ｍ、第１の磁性膜１としてＴｂＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ、
第２の磁性膜２として第１の磁性膜１とは組成が多少異
なるＴｂＦｅＣｏ膜を１００ｎｍ、第２の誘電体膜とし
て窒化シリコン膜を８０ｎｍの各膜厚にて順次に積層し
た光ディスクである。

【００５１】また、この第１の具体例では、第２の磁性
膜２がトラックピッチ１．６μｍ相当の周期でスパイラ
ル状に形成され、第１の磁性膜１のＴｂＦｅＣｏ膜のキ
ュリー温度が１８０℃、室温での界面磁壁エネルギー密
度が２．４ｅｒｇ／ｃｍ²で、第２の磁性膜２のＴｂＦ
ｅＣｏ膜のキュリー温度が３００℃、室温での界面磁壁
エネルギー密度が２．６ｅｒｇ／ｃｍ²とされている。
これにより、室温近傍で第２の磁性膜２から第１の磁性
膜１への界面磁壁のパンチスルーを生じさせることがで
きる。

【００５２】また、第２の磁性膜２のＴｂＦｅＣｏ膜の
補償温度は８０℃で、室温近傍では第１の磁性膜１のＴ
ｂＦｅＣｏ膜と第２の磁性膜２のＴｂＦｅＣｏ膜は、磁
化の方向が反対となっている。この第１の具体例の光デ
ィスクを再生したところ、案内溝がなくなったことによ
ってノイズが減少し、搬送波電力対雑音電力比（Ｃ／Ｎ
比）５５ｄＢ以上の良好な再生信号が得られた。また、
良好なトラックエラー信号も得られ、トラックサーボも
良好にかけることができた。

【００５３】次に、第２の具体例は、第１の磁性膜１と
してＴｂＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ、第２の磁性膜２として
第１の磁性膜１とは組成が多少異なるＴｂＦｅＣｏ膜を
１００ｎｍで成膜し、他の膜は第１の具体例と同じ構造
とした光ディスクである。

【００５４】この第２の具体例では、第２の磁性膜２が
トラックピッチ１．６μｍ相当の周期でスパイラル状に
形成され、第１の磁性膜１のＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー
温度が１８０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度が
２．３ｅｒｇ／ｃｍ²で、第２の磁性膜２のＴｂＦｅＣ
ｏ膜のキュリー温度が３００℃、室温での界面磁壁エネ
ルギー密度が２．７ｅｒｇ／ｃｍ²とされている。これ
により、室温近傍で第２の磁性膜２から第１の磁性膜１
への界面磁壁のパンチスルーを生じさせることができ
る。

【００５５】また、第１の磁性膜１のＴｂＦｅＣｏ膜の
補償温度は５０℃で、室温近傍では第１の磁性膜１のＴ
ｂＦｅＣｏ膜と第２の磁性膜２のＴｂＦｅＣｏ膜は、磁
化の方向が反対となっている。この第２の具体例の光デ
ィスクを再生したところ、案内溝がなくなったことによ
ってノイズが減少し、Ｃ／Ｎ比５５ｄＢ以上の良好な再
生信号が得られた。また、良好なトラックエラー信号も
得られ、トラックサーボも良好にかけることができた。

【００５６】次に、第３の具体例は、第１の磁性膜１と
してＴｂＦｅＣｏ膜を２０ｎｍ、第２の磁性膜２として
ＴｂＣｏ膜を１００ｎｍで成膜し、他の膜は第１の具体
例と同じ構造とした光ディスクである。

【００５７】この第３の具体例では、第２の磁性膜２が
トラックピッチ１．６μｍ相当の周期でスパイラル状に
形成され、第１の磁性膜１のＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー
温度が１８０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度が
２．４ｅｒｇ／ｃｍ²で、第２の磁性膜２のＴｂＣｏ膜
のキュリー温度が３１０℃、室温での界面磁壁エネルギ
ー密度が２．３ｅｒｇ／ｃｍ²とされている。これによ
り、第１の磁性膜１ができるはずの界面磁壁の厚さより
も薄いために、室温近傍で第２の磁性膜２から第１の磁
性膜１への界面磁壁のパンチスルーを生じさせることが
できる。

【００５８】また、第１の磁性膜１のＴｂＦｅＣｏ膜の
補償温度は６０℃で、室温近傍では第１の磁性膜１のＴ
ｂＦｅＣｏ膜と第２の磁性膜２のＴｂＣｏ膜は、磁化の
方向が反対となっている。この第３の具体例の光ディス
クを再生したところ、案内溝がなくなったことによって
ノイズが減少し、第１及び第２の具体例と同様に、良好
な再生信号と良好なトラックエラー信号を得ることがで
き、良好な再生ができた。

【００５９】次に、第４の具体例は、第１の磁性膜１と
してＴｂＦｅＣｏ膜を２０ｎｍ、第２の磁性膜２として
ＴｂＣｏ膜を１００ｎｍで成膜し、他の膜は第１の具体
例と同じ構造とした光ディスクである。

【００６０】この第４の具体例では、第２の磁性膜２が
トラックピッチ１．６μｍ相当の周期でスパイラル状に
形成され、第１の磁性膜１のＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー
温度が１８０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度が
２．４ｅｒｇ／ｃｍ²で、第２の磁性膜２のＴｂＣｏ膜
のキュリー温度が３２０℃、室温での界面磁壁エネルギ
ー密度が２．６ｅｒｇ／ｃｍ²とされている。これによ
り、室温近傍で第２の磁性膜２から第１の磁性膜１への
界面磁壁のパンチスルーを生じさせることができる。

【００６１】また、第２の磁性膜２のＴｂＣｏ膜の補償
温度は８０℃で、室温近傍では第１の磁性膜１のＴｂＦ
ｅＣｏ膜と第２の磁性膜２のＴｂＣｏ膜は、磁化の方向
が反対となっている。この第４の具体例の光ディスクを
再生したところ、案内溝がなくなったことによってノイ
ズが減少し、上記の各具体例と同様に、良好な再生信号
と良好なトラックエラー信号を得ることができ、良好な
再生ができた。

【００６２】上記の第１の磁性膜１と第１の誘電体膜の
間に、再生用のＧｄＦｅＣｏ膜又はＧｄＴｂＦｅＣｏ膜
又はＧｄＤｙＦｅＣｏ膜といった磁性膜を付けた構成の
光磁気記録媒体にも上記の技術を適用した。この場合、
案内溝と同等な部分以外の磁性膜は３層、他の部分は２
層になっている。その結果、上記と同様な良好な再生が
できた。

【００６３】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、例えば第２の磁性膜が形成されている方
の第１の磁性膜に情報を記録し、再生することもでき
る。また、上記の各具体例は第１実施例についての例で
あるが、第２及び第３実施例についてもほぼ同様であ
る。また、上記の技術を光カードに適用した場合、良好
な読み出し特性を持つ高密度光カードが実現できた。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
物理的な溝が無くても第２の磁性膜のみが成膜されてい
る部分又は第２の磁性膜が厚く成膜されている部分を案
内トラックとして用いることができ、案内溝の形成を不
要にできるため、案内溝形成により生じる基板の物理的
変形を防止でき、案内溝をコンプレッション法やインジ
ェクション法等で整形するプロセスが不要になり、高密
度化が進んだ場合でも、案内溝に相当する部分を媒体ノ
イズの上昇なしに良好に形成できる。

【００６５】また、本発明によれば、第２の磁性膜の室
温近傍での界面磁壁エネルギー密度を、第１の磁性膜の
界面磁壁エネルギー密度よりも大きくしたため、又は、
第１の磁性膜の厚さを、第２の磁性膜との間にできる界
面磁壁の厚さよりも薄くしたため、第２の磁性膜を信号
品質良く形成することができる。以上より、本発明によ
れば、光磁気記録媒体のより高密度化を実現でき、大容
量光ディスク及び光カードを実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の第１実施例の平面図
及び断面図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の第２実施例の平面図
及び断面図である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の第３実施例の平面図
及び断面図である。

【図４】本発明再生方法の一実施例を説明する構成図で
ある。

【図５】従来の光磁気記録媒体の一例の平面図及び断面
図である。

【符号の説明】

１、６第１の磁性膜２、８第２の磁性膜３基板４、７、９案内トラックとなる領域５、１０情報記録再生領域１０３プリピット

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に形成された第１の磁性膜
と、該第１の磁性膜上に光スポットの進行方向に平行な
方向に、かつ、光スポットの進行方向と直交する方向に
周期的間隔で形成された第２の磁性膜とを少なくとも有
し、該第１の磁性膜と該第２の磁性膜とはそれぞれ室温
付近において、磁化の向きが反対になるように磁気的に
結合され、かつ、該第２の磁性膜の磁化状態が該第１の
磁性膜に転写する特性を持たせた構造とされていること
を特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】基板の表面に被覆形成されると共に光ス
ポットの進行方向に平行な方向に、かつ、光スポットの
進行方向と直交する方向に周期的間隔で厚さが厚い部分
を有するように形成された第１の磁性膜と、該第１の磁
性膜の該厚さが厚い部分上に形成された第２の磁性膜と
を少なくとも有し、該第１の磁性膜と該第２の磁性膜と
はそれぞれ室温付近において、磁化の向きが反対になる
ように磁気的に結合され、かつ、該第２の磁性膜の磁化
状態が該第１の磁性膜に転写する特性を持たせた構造と
されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】基板の表面に形成された第１の磁性膜
と、該第１の磁性膜上全面に被覆形成されると共に光ス
ポットの進行方向に平行な方向に、かつ、光スポットの
進行方向と直交する方向に周期的間隔で厚さが厚い部分
を有するように形成された第２の磁性膜とを少なくとも
有し、該第１の磁性膜と該第２の磁性膜とはそれぞれ室
温付近において、磁化の向きが反対になるように磁気的
に結合され、かつ、該第２の磁性膜の磁化状態が該第１
の磁性膜に転写する特性を持たせた構造とされているこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項４】前記第２の磁性膜は、トラックエラー信
号を得るための案内トラックを形成することを特徴とす
る請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の光磁気記録
媒体。
【請求項５】前記第２の磁性膜の室温近傍での界面磁
壁エネルギー密度が、前記第１の磁性膜の界面磁壁エネ
ルギー密度よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至
４のうちいずれか一項記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】前記第１の磁性膜の厚さが、前記第２の
磁性膜との間にできる界面磁壁の厚さよりも薄いことを
特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の光
磁気記録媒体。
【請求項７】請求項４記載の光磁気記録媒体に対して
光を照射して得られた反射光を、少なくとも偏光ビーム
スプリッタを介して前記一定方向に対して垂直な方向に
対称に分割された光検出器に入射し、前記第２の磁性膜
に対する光スポットのずれに応じたレベルのトラックエ
ラー信号を該光検出器より取り出して請求項４記載の光
磁気記録媒体の記録情報を再生することを特徴とする光
磁気記録媒体の再生方法。