JP2937045B2 - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関し、特に高Ｃ／Ｎ比を有し高密度記録に
適する光磁気記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光磁気記録媒体について図６(Ａ)
〜(Ｃ)を参照して説明する。なお、図６(Ａ)は従来の光
磁気記録媒体の平面図であり、同(Ｂ)は(Ａ)のｂ−ｂ線
断面図、同(Ｃ)は(Ａ)のｃ−ｃ線断面図である。

【０００３】従来の光磁気記録媒体は、基板103上に、
図６(Ｂ)及び同(Ｃ)に示すような磁性膜101が形成され
ているものである。そして、従来の光磁気記録媒体に
は、一般に再生専用マ−ク105［図６(Ａ)参照」で示す
ような部分が存在し、この部分は、プリフォ−マット信
号として使用されている。なお、図６(Ａ)中の104は、
グル−ブを示す。

【０００４】また、光磁気記録媒体のデ−タの一部を再
生専用マ−ク105のようなもので置き換えてＲＯＭ(Read
Only Memory)部をもつ光磁気ディスクなるものも存在
している(これは“パ−シャルＲＯＭディスク”と呼ば
れている)。再生専用部は、再生専用マ−ク105のように
基板に穴をあける又は突起を付けるなどし(これらの穴
や突起を“ピット”と称する)、反射率をそこだけ変化
させることによって書換不可能な再生専用の機能を持た
せている。

【０００５】ここで、従来の光磁気ディスクの製造方法
を図７に基づいて説明する。なお、図７は、従来の光磁
気ディスクの製造工程順フロ−図である。従来の光磁気
ディスクは、一般に、まず、グル−ブ、ピットといった
部分が形成された基板を成形し(工程Ａ)、次に、その上
に“第１の誘電体”“第１の磁性膜”“第２の誘電体”
“反射膜”“保護膜”を順次成膜する(工程Ｂ〜工程Ｈ)
ことによって製造されている。

【０００６】即ち、従来の光磁気ディスクは、一般に、
図７に示すように、「工程Ａ：基板を成形する工程」→
「工程Ｂ：第１の誘電体を成膜する工程」→「工程Ｃ：
第１の磁性膜を成膜する工程」→「工程Ｆ：第２の誘電
体を成膜する工程」→「工程Ｇ：反射膜を成膜する工
程」→「工程Ｈ：保護膜を成膜する工程」によって製造
されている。

【０００７】上記従来の製造工程中で、ピットの精度に
影響を与えるのが「工程Ａ：基板を成形する工程」に含
まれる原盤露光プロセスと原盤転写プロセスである。こ
のうち、原盤転写プロセスは、原盤を基板に転写させる
工程であり、この工程がピットの精度に大きく影響して
くる。

【０００８】原盤転写プロセスには、コンプレッション
法、インジェクション法、２Ｐ法等が知られているが、
いずれの方法も一長一短があり、多くの場合これらの方
法で原盤を忠実に転写することができず、その結果、ピ
ツトの劣化が生じている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体の高密度化が進むに従って、精度よく原盤転写プロ
セスを行うことが難しくなってきている。更に、トラッ
ク溝が狭くなった光磁気記録媒体や、ランドとグル−ブ
の両方に記録を行う媒体では、トラック溝とピット両方
を精度よく作成するのが非常に難しくなってきている。
その結果、光磁気記録媒体の媒体ノイズが上昇し、高密
度化の障壁となっていた。

【００１０】即ち、従来の光磁気記録媒体では、高密度
化が進むにしたがって、プリフォ−マット部やＲＯＭ部
が精度良く作成できず、そこが媒体ノイズ源となり、高
密度化の障壁となっていた。特に、原盤転写プロセスで
の精度の劣化が問題となっていた。

【００１１】本発明は、以上のような問題点に鑑み成さ
れたものであって、その目的とするところは、第１に、
高密度化が進んだ場合でも、プリフォ−マット部又はＲ
ＯＭ部といった再生専用部を媒体ノイズの上昇なしに良
好に形成できる光磁気記録媒体及びその製造方法を提供
することにあり、第２に、光磁気記録用媒体の高密度化
が可能となり、大容量光ディスクや光カ−ドなどが実現
できる光磁気記録媒体及びその製造方法を提供すること
にある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光磁気記録媒体は、次の(1)〜(5)を特徴と
する。また、同じく上記目的を達成するため、本発明の
光磁気記録媒体の製造方法は、次の(ａ)、(ｂ)を特徴と
する。

【００１３】(1) 本発明の光磁気記録媒体は、基板の主
面上に形成された第１の磁性膜と、該第１の磁性膜の一
部の主面上にのみ形成された第２の磁性膜とを少なくと
も有し、該第１の磁性膜と該第２の磁性膜との磁化は、
室温近傍で垂直磁化可能であり、かつ室温近傍で互いに
反対方向を向く特性であり、しかも室温近傍で第２の磁
性膜の磁化状態は、第１の磁性膜に転写される特性を有
し、第２の磁性膜の存在する部分は再生専用情報である
ことを特徴とする(請求項１)。

【００１４】(2) 本発明の光磁気記録媒体は、基板の主
面上に形成された第１の磁性膜が部分的に厚い部分を有
し、その厚い部分に第２の磁性膜を少なくとも有し、該
第１の磁性膜の厚い部分と該第２の磁性膜との磁化は、
室温近傍で垂直磁化可能であり、かつ室温近傍で互いに
反対方向を向く特性であり、しかも室温近傍で第２の磁
性膜の磁化状態は、第１の磁性膜に転写される特性を有
し、第２の磁性膜の存在する部分は再生専用情報である
ことを特徴とする(請求項４)。

【００１５】(3) 本発明の光磁気記録媒体は、基板の主
面上に形成された第１の磁性膜と、該第１の磁性膜の上
に形成された第２の磁性膜とを少なくとも有し、該第２
の磁性膜は部分的に厚い部分を有し、該第１の磁性膜と
該第２の磁性膜の厚い部分との磁化は、室温近傍で垂直
磁化可能であり、かつ室温近傍で互いに反対方向を向く
特性であり、しかも室温近傍で第２の磁性膜の厚い部分
の磁化状態は、第１の磁性膜に転写される特性を有し、
第２の磁性膜の存在する部分は再生専用情報であること
を特徴とする(請求項７)。

【００１６】(4) また、本発明の光磁気記録媒体は、前
記(1)〜(3)のいずれかの構成を持ち、かつ、室温近傍
で、第２の磁性膜の界面磁壁エネルギ−密度が、他の第
１の磁性膜の界面磁壁エネルギ−密度よりも大きくなる
特性を有する場合があることを特徴とし(請求項２、同
５、同８)、(5) また、本発明の光磁気記録媒体は、前
記(1)〜(3)のいずれかの構成を持ち、かつ、室温近傍
で、第１の磁性膜の膜厚が、第１の磁性膜と第２の磁性
膜との間にできる界面磁壁の厚さよりも薄くなる(小さ
くなる)特性を有する場合があることを特徴とする(請求
項３、同６、同９)。

【００１７】(a) 本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、第１の磁性膜を成膜する工程と、該第１の磁性膜の
上に第２の磁性膜を成膜する工程と、該第２の磁性膜を
部分的にエッチングする工程とを少なくとも含むことを
特徴とする(請求項１０)。(b) また、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法は、第１の磁性膜を成膜する工程と、
該第１の磁性膜の上に第２の磁性膜を部分的に成膜する
工程とを少なくとも含むことを特徴とする(請求項１
１)。

【００１８】以下、本発明に係る光磁気記録媒体につい
て、その作用とともに詳細に説明する。

【００１９】本発明の光磁気記録媒体は、前記(1)〜(3)
に記載したとおり、(1) 基板の主面上に形成された第１
の磁性膜と、該第１の磁性膜の一部の主面上にのみ形成
された第２の磁性膜とを有する構造、(2) 基板の主面上
に形成された第１の磁性膜が部分的に厚い部分を有し、
その厚い部分に第２の磁性膜を有する構造、(3) 基板の
主面上に形成された第１の磁性膜と、該第１の磁性膜の
上に形成された第２の磁性膜とを有し、該第２の磁性膜
が部分的に厚い部分を有する構造、のいずれかの構成
を、少なくとも有するものである。

【００２０】そして、上記第１の磁性膜と上記第２の磁
性膜とを磁化の向きが反対になるように磁気的に結合さ
せ、室温付近で、上記(1)、(2)の第２の磁性膜の磁化状
態、又は、上記(3)の第２の磁性膜の厚い部分の磁化状
態が、上記第１の磁性膜に転写する特性を持たせておく
ものである。

【００２１】本発明に係る上記光磁気記録媒体におい
て、その光磁気記録媒体全体に磁場を印加し初期化すれ
ば、上記第２の磁性膜が成膜されているプリフォ−マッ
ト部又はＲＯＭ部の上記第１の磁性膜の磁化方向も印加
磁場の方向を向くようになる。このとき、上記第１の磁
性膜と上記第２の磁性膜との界面には、磁化の向きが反
対になるような磁気的な結合による界面磁壁が存在す
る。

【００２２】その後、磁場の印加をやめれば、転写特性
のため、上記第２の磁性膜の下の第１の磁性膜が界面磁
壁をパンチスル−し、上記第２の磁性膜が成膜されてい
るプリフォ−マット部又はＲＯＭ部だけ磁化の方向が逆
になる。また、上記第２の磁性膜がディスク全体に成膜
されている場合でも、この磁性膜に凹凸があれば、凹凸
部それぞれで転写特性を変えることができ、ディスクの
一部だけ磁化の方向を逆にできる。

【００２３】これは、上記第２の磁性膜が成膜されてい
るところに記録マ−クが存在することと等価であり、穴
をあける又は突起を付けるなどしなくても、プリフォ−
マット部又はＲＯＭ部を形成することができることを意
味している。この方法を用いれば、従来法のように“穴
をあける又は突起を付ける”などと異なって、物理的な
変形が伴わないため、また、従来法のように“ピツトを
基板にコンプレッション法やインジェクション法等で成
形する”というプロセスがいらないため、プリフォ−マ
ット部又はＲＯＭ部を形成しても、媒体ノイズの上昇が
起こらないという作用効果が生じる。

【００２４】ある磁性膜の磁化状態を他の磁性膜に転写
する場合は、両者の磁性膜の界面に生じる界面磁壁を、
磁化状態を写される側の磁性膜にパンチスル−させるこ
とが必要である。上記界面磁壁は、界面磁壁エネルギ−
密度の小さな磁性膜のほうに動き、界面磁壁エネルギ−
密度の小さい磁性膜をパンチスル−する傾向がある。ま
た、界面磁壁エネルギ−密度の大小にかかわらず、磁性
膜に生じるはずの界面磁壁の厚さよりも磁性膜を薄くす
ると、界面磁壁はその磁性膜をパンチスル−する傾向が
ある。

【００２５】従って、このような条件で交換結合多層膜
を作製すれば、室温近傍で、上記第２の磁性膜の磁化状
態を上記第１の磁性膜に転写することができ、このよう
な特性をある温度領域Ｂの一部に持たせると、有効なプ
リフォ−マット部又はＲＯＭ部の形成が可能となる。

【００２６】次に、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
について説明すると、本発明の方法は、前記したとお
り、(ａ)第１の磁性膜を成膜する工程と、該第１の磁性
膜の上に第２の磁性膜を成膜する工程と、該第２の磁性
膜を部分的にエッチングする工程とを含むことを特徴と
し、又は、(ｂ)第１の磁性膜を成膜する工程と、該第１
の磁性膜の上に第２の磁性膜を部分的に成膜する工程と
を含むことを特徴とする。

【００２７】このように「(ａ)第２の磁性膜を部分的に
エッチングする」又は「(ｂ)第２の磁性膜を部分的に成
膜する」ことによって、プリフォ−マット部又はＲＯＭ
部のみに周りより多くの磁性膜を成膜することができ、
又は、周りと異なる膜厚で第２の磁性膜を成膜すること
ができる。

【００２８】次に、本発明の光磁気記録媒体で使用する
基板の材質及びその形状、並びに、第１の磁性膜及び第
２の磁性膜の各材質について説明するが、本発明は、以
下の記載に限定されるものではない。まず、基板の材質
としては、ポリカ−ボネイト、アクリル等の合成樹脂、
ガラス等を使用することができ、また、ガラス等の基板
に樹脂等を被覆したものも用いることができる。基板の
形状としては、ディスク状のものやカ−ド状のものを用
いることができる。

【００２９】第１の磁性膜の材質としては、希土類金属
と鉄族遷移金属との非晶質合金、鉄族遷移金属と貴金属
との周期多層膜、ＭｎＢｉ合金等を用いることができ、
このうち、ＴｂＦｅＣｏ膜を主成分とする膜は特に好ま
しい。また、第２の磁性膜の材質としては、鉄族遷移金
属や、希土類金属と鉄族遷移金属との非晶質合金等を用
いることができる。このうち、Ｃｏ、Ｔｂ、Ｆｅを主成
分とする膜(例えばＴｂＦｅＣｏ膜やＴｂＣｏ膜)の使用
が特に好ましい。

【００３０】なお、本発明による再生専用マ−クからの
再生信号は、ユ−ザにより記録された書換可能デ−タか
らの再生信号と同じ原理に基づくもののため、再生専用
情報と書換可能情報(ユ−ザ情報)との信号処理整合性が
よく、しかも信頼性の高い信号処理が可能となるので、
高密度の記録再生も可能となる。

【００３１】

【実施例】次に、本発明の光磁気記録媒体に係る実施例
１〜３、製造例１〜２、具体例１〜６を挙げ、本発明を
より詳細に説明する。

【００３２】（実施例１）図１は、本発明の一実施例
(実施例１)を示す光磁気記録媒体の概略図であって、
(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は(Ａ)のｂ−ｂ線断面図であ
る。本実施例１の光磁気記録媒体は、図１(Ｂ)に示すよ
うに、第１の磁性膜１が基板３の上に形成されており、
更にその上に第２の磁性膜２が形成されている。そし
て、基板３には、図１(Ａ)に示すように、グル−ブ４等
のトラック案内が設けられており、また、再生専用マ−
ク５として第２の磁性膜２が部分的に形成されている構
造のものである。

【００３３】そして、上記構造の光磁気記録媒体は、室
温付近において、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２とは
磁化の向きが反対になるように磁気的に結合するように
し、第２の磁性膜２の磁化状態は第１の磁性膜１に転写
する特性を持たせておくようにしたものである。

【００３４】本実施例１の上記光磁気記録媒体におい
て、その光磁気記録媒体全体に外部磁場を印加して初期
化すると、第２の磁性膜２が形成されている再生専用マ
−ク５の部分の第１の磁性膜１の磁化も印加磁場の方向
を向くようになる。このとき、第１の磁性膜１と第２の
磁性膜２との界面には、磁化の向きが反対になるような
磁気的な結合による界面磁壁が存在する。その後、磁場
の印加をやめることにより、第１の磁性膜１と第２の磁
性膜２との転写特性のため、第２の磁性膜２の下の第１
の磁性膜１が界面磁壁をパンチスル−し、再生専用マ−
ク５の部分だけ磁化の方向が逆になる。

【００３５】このように未使用のユ−ザデ−タ領域の磁
化の方向と逆方向の磁化を再生専用マ−ク５の部分に信
号品質良く形成するには、第２の磁性膜２の室温近傍で
の界面磁壁エネルギ−密度を第１の磁性膜１の界面磁壁
エネルギ−密度よりも大きくすることが好ましい。ま
た、第１の磁性膜１の厚さを、第２の磁性膜２との間に
できる界面磁壁の厚さよりも薄くすることで、転写特性
を高めることもできる。

【００３６】なお、本実施例１の光磁気記録媒体では、
図１(Ａ)、(Ｂ)に示すように、第１の磁性膜１と第２の
磁性膜２とは基板３の上に直接形成されているようにし
ている。しかし、本実施例１の光磁気記録媒体では、図
１に図示してないが、(i)基板３と第１の磁性膜１との
間に“第１の誘電体膜”を形成し、これにより腐食保護
効果や多重干渉による信号増大効果を付与すること、(i
i)第１の磁性膜１や第２の磁性膜２の上に“第２の誘電
体膜”を形成し、これにより腐食保護効果を付与するこ
と、が好ましく、上記(i)、(ii)の誘電体膜を形成した
ものも本発明に包含されるものである。

【００３７】また、本実施例１の光磁気記録媒体では、
さらに、(iii)上記第２の誘電体膜の上に“反射膜”を
形成して多重干渉による信号増大効果を付与すること、
(iv)該反射膜の上に“保護膜”を形成すること、(v)第
１の磁性膜１を１層ではなく数層形成し、これにより再
生特性を向上させること、同様に、第２の磁性膜２を１
層ではなく数層形成し、これにより転写特性を向上させ
ること、が好ましく、このような(iii)〜(v)も本発明に
包含されるものである。

【００３８】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
(実施例２)を示す光磁気記録媒体の概略図であって、
(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は(Ａ)のｂ−ｂ線断面図であ
る。本実施例２の光磁気記録媒体は、図２(Ｂ)に示すよ
うに、第１の磁性膜１が基板３の上に形成されており、
更にその上に第２の磁性膜２が形成されている。そし
て、基板３には、図２(Ａ)に示すように、グル−ブ４等
のトラック案内が設けられており、再生専用マ−ク５と
して第２の磁性膜２が部分的に形成されている構造のも
のである。

【００３９】本実施例２の光磁気記録媒体では、図２
(Ｂ)に示すように、再生専用マ−ク５の部分の第１の磁
性膜の厚さが再生専用マ−ク５以外の部分よりも厚くし
た構造のものであり、この点前記実施例１のものと異な
る。このように第１の磁性膜の厚さを部分的に厚くする
には、第２の磁性膜を部分的にエッチング除去する際に
ややオ−バ−エッチングすることにより形成することが
できる。

【００４０】上記構造の光磁気記録媒体では、室温付近
において、上記第１の磁性膜１の厚い部分と上記第２の
磁性膜２とは磁化の向きが反対になるように磁気的に結
合するようにし、第２の磁性膜２の磁化状態は第１の磁
性膜１の厚い部分に転写する特性を持たせておくように
したものである。

【００４１】本実施例２の上記光磁気記録媒体におい
て、その光磁気記録媒体全体に外部磁場を印加して初期
化すると、第２の磁性膜２が形成されている再生専用マ
−ク５の部分の第１の磁性膜１の磁化も印加磁場の方向
を向く。このとき、第１の磁性膜１の厚い部分と第２の
磁性膜２との界面には、磁化の向きが反対になるような
磁気的な結合による界面磁壁が存在する。その後、磁場
の印加をやめることにより、第１の磁性膜１と第２の磁
性膜２との転写特性のため、第２の磁性膜２の下の第１
の磁性膜１が界面磁壁をパンチスル−し、再生専用マ−
ク５の部分だけ磁化の方向が逆になる。

【００４２】このように未使用のユ−ザデ−タ領域の磁
化の方向と逆方向の磁化を再生専用マ−ク５の部分に信
号品質良く形成するには、前記実施例１と同様、第２の
磁性膜２の室温近傍での界面磁壁エネルギ−密度を第１
の磁性膜１の厚い部分の界面磁壁エネルギ−密度よりも
大きくすることが好ましい。また、第２の磁性膜の下の
第１の磁性膜１の厚さを、第２の磁性膜２との間にでき
る界面磁壁の厚さよりも薄くすることで、転写特性を高
めても良い。

【００４３】なお、本実施例２の光磁気記録媒体では、
図２(Ａ)、(Ｂ)に示すように、第１の磁性膜１と第２の
磁性膜２とは基板３の上に直接形成されているようにし
ている。しかし、本実施例２の光磁気記録媒体では、図
２に図示してないが、前記実施例１と同様、(i)基板３
と第１の磁性膜１との間に“第１の誘電体膜”を形成
し、これにより腐食保護効果や多重干渉による信号増大
効果を付与すること、(ii)第１の磁性膜１や第２の磁性
膜２の上に“第２の誘電体膜”を形成し、これにより腐
食保護効果を付与すること、が好ましく、上記(i)、(i
i)の誘電体膜を形成したものも本発明に包含されるもの
である。

【００４４】また、本実施例２の光磁気記録媒体では、
さらに、(iii)上記第２の誘電体膜の上に“反射膜”を
形成して多重干渉による信号増大効果を付与すること、
(iv)該反射膜の上に“保護膜”を形成すること、(v)第
１の磁性膜１を１層ではなく数層形成し、これにより再
生特性を向上させること、同様に、第２の磁性膜２を１
層ではなく数層形成し、これにより転写特性を向上させ
ること、が好ましく、このような(iii)〜(v)も本発明に
包含されるものである。

【００４５】（実施例３）図３は、本発明のその他の実
施例(実施例３)を示す光磁気記録媒体の概略図であっ
て、(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は(Ａ)のｂ−ｂ線断面図で
ある。本実施例２の光磁気記録媒体は、図３(Ｂ)に示す
ように、第１の磁性膜１が基板３の上に形成されてお
り、更にその上に第２の磁性膜２が形成されている。そ
して、基板３には、図３(Ａ)に示すように、グル−ブ４
等のトラック案内が設けられており、また、再生専用マ
−ク５に対応して第２の磁性膜２が厚く形成されてお
り、再生専用マ−ク５以外の部分は第２の磁性膜２は薄
く形成されている構造のものであり［図３(Ｂ)参照］、
この点で前記実施例１及び実施例２と相違する。

【００４６】本実施例３の光磁気記録媒体では、図３
(Ｂ)に示すように、再生専用マ−ク５以外の部分、即ち
ユ−ザ−記録領域(書換可能領域)での第２の磁性膜２が
薄く形成されているため、記録特性に影響はない。この
ように再生専用マ−ク５以外の部分が薄く形成されるの
は、第２の磁性膜を部分的にエッチング除去する際にや
やアンダ−エッチングするためである。

【００４７】上記構造の光磁気記録媒体は、室温付近に
おいて、上記第１の磁性膜１と上記第２の磁性膜２の厚
い部分とは磁化の向きが反対になるように磁気的に結合
するようにし、第２の磁性膜２の厚い部分の磁化状態は
第１の磁性膜１に転写する特性を持たせておくようにし
たものである。

【００４８】本実施例３の上記光磁気記録媒体におい
て、その光磁気記録媒体全体に外部磁場を印加して初期
化すると、第２の磁性膜２の厚い部分の下の第１の磁性
膜１の磁化も印加磁場の方向を向くようになる。このと
き、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２の厚い部分との界
面には、磁化の向きが反対になるような磁気的な結合に
よる界面磁壁が存在する。その後、磁場の印加をやめる
ことにより、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２との転写
特性のため、第２の磁性膜２の厚い部分の下の第１の磁
性膜１が界面磁壁をパンチスル−し、再生専用マ−ク５
の部分だけ磁化の方向が逆になる。

【００４９】このように未使用のユ−ザデ−タ領域の磁
化の方向と逆方向の磁化を再生専用マ−ク５の部分に信
号品質良く形成するには、第２の磁性膜２の厚い部分の
室温近傍での界面磁壁エネルギ−密度を第１の磁性膜１
の界面磁壁エネルギ−密度よりも大きくすると良い。ま
た、第２の磁性膜２の厚い部分の下の第１の磁性膜１の
厚さを、第２の磁性膜２との間にできる界面磁壁の厚さ
よりも薄くすることで、転写特性を高めても良い。

【００５０】なお、本実施例３の光磁気記録媒体では、
図３(Ａ)、(Ｂ)に示すように、第１の磁性膜１と第２の
磁性膜２とは基板３の上に直接形成されているようにし
ている。しかし、本実施例３の光磁気記録媒体では、図
３に図示してないが、前記実施例１及び実施例２と同
様、(i)基板３と第１の磁性膜１との間に“第１の誘電
体膜”を形成し、これにより腐食保護効果や多重干渉に
よる信号増大効果を付与すること、(ii)第１の磁性膜１
や第２の磁性膜２の上に“第２の誘電体膜”を形成し、
これにより腐食保護効果を付与すること、が好ましく、
上記(i)、(ii)の誘電体膜を形成したものも本発明に包
含されるものである。

【００５１】また、本実施例３の光磁気記録媒体では、
さらに、(iii)上記第２の誘電体膜の上に“反射膜”を
形成して多重干渉による信号増大効果を付与すること、
(iv)該反射膜の上に“保護膜”を形成すること、(v)第
１の磁性膜１を１層ではなく数層形成し、これにより再
生特性を向上させること、同様に、第２の磁性膜２を１
層ではなく数層形成し、これにより転写特性を向上させ
ること、が好ましく、このような(iii)〜(v)も本発明に
包含されるものである。

【００５２】ここで、上記した“誘電体膜”“反射膜”
“保護膜”を有する本発明の光磁気記録媒体の製造方法
について、図４、図５を用いて詳細に説明する。なお、
図４は、本発明に係る光磁気記録媒体を製造する１例
(製造例１)を示す製造工程順フロ−図であり、図５は、
他の例(製造例２)を示す製造工程順フロ−図である。

【００５３】（製造例１）まず、図４工程Ａに示すよう
に、ブル−ブ、ピツト等が形成された基板を成形し、次
に、図４工程Ｂ〜工程Ｄ1に示すように、基板上に第１
の誘電体(工程Ｂ)、第１の磁性体(工程Ｃ)、第２の磁性
体(工程Ｄ1)を順次成膜する。

【００５４】続いて、再生専用マ−クとなるべき部分を
残して他の部分の第２の磁性膜を除去する(工程Ｅ1：第
２の磁性膜を部分的に除去する工程)。なお、この除去
手段としては、フォトレジスト等のマスク材を用いてエ
ッチング等を行う方法を採用することができる。その
後、第２の誘電体を第１の磁性膜及び第２の磁性膜の上
に成膜し(工程Ｆ：第２の誘電体を成膜する工程)、その
上に反射膜(工程Ｇ：反射膜を成膜する工程)、保護膜
(工程Ｈ：保護膜を成膜する工程)を順次成膜する。

【００５５】図４に示す光磁気記録媒体の製造方法にお
いて、本質的に必須不可欠な工程としては、第１の磁性
膜を成膜する工程(工程Ｃ)、第２の磁性膜を成膜する工
程(工程Ｄ1)及びこの第２の磁性膜を部分的に除去する
工程(工程Ｅ1)である。その他の工程の追加や省略は、
本発明の要旨の範囲内で変更可能である。例えば、第１
の誘電体と第２の磁性膜との間に“室温近傍での保磁力
が小さい光磁気膜”を設けることが好ましく、これによ
り信号を増大させる効果が大であるので望ましい。

【００５６】（製造例２）本発明に係る光磁気記録媒体
の製造方法として、前記図４に示した製造法以外に、図
５に示すような製造方法を用いることができる。即ち、
まず、図５工程Ａに示すように、ブル−ブ、ピツト等が
形成された基板を成形し、次に、図５工程Ｂ〜工程Ｃに
示すように、基板上に第１の誘電体(工程Ｂ)、第１の磁
性体(工程Ｃ)を順次成膜する。

【００５７】続いて、上記第１の磁性体上に第２の磁性
膜を部分的に成膜する(工程Ｄ2：第２の磁性膜を部分的
に成膜する工程)。なお、この工程は、成膜マスクなど
を用いる等の方法で行うことができる。その後、前記製
造例１と同様、第２の誘電体を第１の磁性膜及び第２の
磁性膜の上に成膜し(工程Ｆ：第２の誘電体を成膜する
工程)、その上に更に反射膜(工程Ｇ：反射膜を成膜する
工程)、保護膜(工程Ｈ：保護膜を成膜する工程)を順次
成膜する。

【００５８】図５に示す光磁気記録媒体の製造方法にお
いて、本質的に必須不可欠な工程としては、第１の磁性
膜を成膜する工程(工程Ｃ)、第２の磁性膜を部分的に成
膜する工程(工程Ｄ2)である。その他の工程の追加や省
略は、本発明の要旨の範囲内で変更可能である。例え
ば、前記製造例１と同様、第１の誘電体と第２の磁性膜
との間に“室温近傍での保磁力が小さい光磁気膜”を設
けることが好ましく、これにより信号を増大させる効果
が大であるので望ましい。

【００５９】次に、本発明に係る光磁気記録媒体につい
て、その具体例１〜６を挙げ、本発明をより詳細に説明
する。

【００６０】（具体例１）基板として「直径：130ｍ
ｍ、トラックピッチ：1.6μｍのポリカ−ボネイト基
板」を用い、この基板に、第１の誘電体として窒化シリ
コン膜を80ｎｍ、第１の磁性膜としてTbFeCo膜を30ｎ
ｍ、第２の磁性膜として第１の磁性膜と組成の多少相違
するTbFeCo膜を100ｎｍ、第２の誘電体として窒化シリ
コン膜を80ｎｍを順次成膜した。

【００６１】第１の磁性膜(TbFeCo膜)のキュリ−温度は
180℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密度は2.4er
g／cm²である。また、第２の磁性膜(TbFeCo膜)のキュリ
−温度は300℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密
度は2.6erg／cm²である。これにより、室温近傍で第２
の磁性膜(TbFeCo膜)から第１の磁性膜(TbFeCo膜)への界
面磁壁のパンチスル−を生じさせることができる。ま
た、第２の磁性膜(TbFeCo膜)の補償温度は80℃で、室温
近傍では第１の磁性膜(TbFeCo膜)と第２の磁性膜(TbFeC
o膜)とは磁化の方向が反対となっている。

【００６２】この具体例１では、再生専用部分としてプ
リフォ−マット部とディスクの一部にＲＯＭ部を形成し
た。このディスクを再生したところ、プリフォ−マット
部、ＲＯＭ部ともに50dB以上のＣ／Ｎが得られ、良好な
再生ができた。

【００６３】（具体例２）第１の磁性膜としてTbFeCo膜
を30ｎｍ、第２の磁性膜として第１の磁性膜と組成の多
少相違するTbFeCo膜を100ｎｍ成膜したものを作製し
た。なお、その他の膜は前記具体例１と同じである。

【００６４】第１の磁性膜(TbFeCo膜)のキュリ−温度は
180℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密度は2.3er
g／cm²である。また、第２の磁性膜(TbFeCo膜)のキュリ
−温度は300℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密
度は2.7erg／cm²である。これにより、室温近傍で第２
の磁性膜(TbFeCo膜)から第１の磁性膜(TbFeCo膜)への界
面磁壁のパンチスル−を生じさせることができる。ま
た、第１の磁性膜(TbFeCo膜)の補償温度は50℃で、室温
近傍では第１の磁性膜(TbFeCo膜)と第２の磁性膜(TbFeC
o膜)とは磁化の方向が反対となっている。

【００６５】この具体例２では、再生専用部分としてプ
リフォ−マット部とディスクの一部にＲＯＭ部を形成し
た。このディスクを再生したところ、前記実施例１と同
様、プリフォ−マット部、ＲＯＭ部ともに50dB以上のＣ
／Ｎが得られ、良好な再生ができた。

【００６６】（具体例３）第１の磁性膜としてTbFeCo膜
を20ｎｍ、第２の磁性膜２としてTbCo膜を100ｎｍ成膜
したものを作製した。なお、その他の膜は前記具体例１
と同じである。

【００６７】第１の磁性膜(TbFeCo膜)のキュリ−温度は
180℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密度は2.4er
g／cm²である。また、第２の磁性膜(TbCo膜)のキュリ−
温度は310℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密度
は2.3erg／cm²である。この場合、第１の磁性膜ができ
るはずの界面磁壁の厚さよりも薄いために、第２の磁性
膜から第１の磁性膜への界面磁壁のパンチスル−が起こ
る。また、第１の磁性膜(TbFeCo膜)の補償温度は60℃
で、室温近傍では第１の磁性膜(TbFeCo膜)と第２の磁性
膜(TbCo膜)とは磁化の方向が反対となっている。

【００６８】前記具体例１、２と同じようにプリフォ−
マット部とＲＯＭ部を形成し、再生したところ、前記具
体例１、２と同様な良好な再生ができた。

【００６９】（具体例４）第１の磁性膜としてTbFeCo膜
を20ｎｍ、第２の磁性膜としてTbCo膜を100ｎｍ成膜し
たものを作製した。なお、その他の膜は前記具体例１と
同じである。

【００７０】第１の磁性膜(TbFeCo膜)のキュリ−温度は
180℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密度は2.4er
g／cm²である。また、第２の磁性膜(TbCo膜)のキュリ−
温度は320℃であり、室温での界面磁壁エネルギ−密度
は2.6erg／cm²である。これにより、室温近傍で第２の
磁性膜(TbCo膜)から第１の磁性膜(TbFeCo膜)への界面磁
壁のパンチスル−を生じさせることができる。また、第
２の磁性膜(TbCo膜)の補償温度は80℃で、室温近傍では
第１の磁性膜(TbFeCo膜)と第２の磁性膜(TbFeCo膜)とは
磁化の方向が反対となっている。

【００７１】前記具体例１〜３と同じようにプリフォ−
マット部とＲＯＭ部を形成し、再生したところ、前記具
体例１〜３と同様な良好な再生ができた。

【００７２】（具体例５）第１の磁性膜と第１の誘電体
の間に、再生用のGdFeCo膜、GdTbFeCo膜、GdDyFeCo膜な
どの磁性膜をつけた構成の光磁気記録媒体にも前記具体
例に記載の技術を適用した。この場合、プリフォ−マッ
ト部及びＲＯＭ部の磁性膜は３層になっており、他の部
分は２層になっている。本具体例５においても、前記具
体例１〜４と同様、良好な再生ができた。

【００７３】（具体例６）前記具体例と同様な技術を、
光カ−ドに関して行った。その結果、上記と同様にＲＯ
Ｍ部を形成することができ、良好な読みだし特性を持つ
高密度光カ−ドが形成された。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
密度化が進んだ場合でも、プリフォ−マット部又はＲＯ
Ｍ部といった再生専用部を媒体ノイズの上昇なしに良好
に形成できる効果が生じる。そして、本発明により、光
磁気記録用媒体の高密度化が可能となり、大容量光ディ
スク及び光カ−ドを実現できるという顕著な効果が生じ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例(実施例１)である光磁気記録
媒体の概略図であって、(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は(Ａ)
のｂ−ｂ線断面図。

【図２】本発明の他の実施例(実施例２)である光磁気記
録媒体の概略図であって、(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は
(Ａ)のｂ−ｂ線断面図。

【図３】本発明のその他の実施例(実施例３)である光磁
気記録媒体の概略図であって、(Ａ)はその平面図、(Ｂ)
は(Ａ)のｂ−ｂ線断面図。

【図４】本発明の光磁気記録媒体の製造方法の一例を示
す製造工程順フロ−図。

【図５】本発明の光磁気記録媒体の製造方法の他の例を
示す製造工程順フロ−図。

【図６】従来の光磁気記録媒体(従来の光磁気ディスク)
を示す図であって、(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は(Ａ)のｂ
−ｂ線断面図、(Ｃ)は(Ａ)のｃ−ｃ線断面図。

【図７】従来の光磁気ディスクの製造工程順フロ−図。

【符号の説明】

１ 第１の磁性膜 ２ 第２の磁性膜 ３ 基板 ４ グル−ブ ５ 再生専用マ−ク １０１ 磁性膜 １０３ 基板 １０４ グル−ブ １０５ 再生専用マ−ク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 11/10

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の主面上に形成された第１の磁性膜
   と、該第１の磁性膜の一部の主面上にのみ形成された第
   ２の磁性膜とを少なくとも有し、該第１の磁性膜と該第
   ２の磁性膜との磁化は、室温近傍で垂直磁化可能であ
   り、かつ室温近傍で互いに反対方向を向く特性であり、
   しかも室温近傍で第２の磁性膜の磁化状態は、第１の磁
   性膜に転写される特性を有し、第２の磁性膜の存在する
   部分は再生専用情報であることを特徴とする光磁気記録
   媒体。
2. 【請求項２】 前記第２の磁性膜の室温近傍での界面磁
   壁エネルギ−密度が、前記第１の磁性膜の界面磁壁エネ
   ルギ−密度よりも大きいことを特徴とする請求項１に記
   載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記第１の磁性膜の厚さが、前記第２の
   磁性膜との間にできる界面磁壁の厚さよりも薄いことを
   特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 基板の主面上に形成された第１の磁性膜
   が部分的に厚い部分を有し、その厚い部分に第２の磁性
   膜を少なくとも有し、該第１の磁性膜の厚い部分と該第
   ２の磁性膜との磁化は、室温近傍で垂直磁化可能であ
   り、かつ室温近傍で互いに反対方向を向く特性であり、
   しかも室温近傍で第２の磁性膜の磁化状態は、第１の磁
   性膜に転写される特性を有し、第２の磁性膜の存在する
   部分は再生専用情報であることを特徴とする光磁気記録
   媒体。
5. 【請求項５】 前記第２の磁性膜の室温近傍での界面磁
   壁エネルギ−密度が、前記第１の磁性膜の界面磁壁エネ
   ルギ−密度よりも大きいことを特徴とする請求項４に記
   載の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記第１の磁性膜の厚さが、前記第２の
   磁性膜との間にできる界面磁壁の厚さよりも薄いことを
   特徴とする請求項４に記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 基板の主面上に形成された第１の磁性膜
   と、該第１の磁性膜の上に形成された第２の磁性膜とを
   少なくとも有し、該第２の磁性膜は部分的に厚い部分を
   有し、該第１の磁性膜と該第２の磁性膜の厚い部分との
   磁化は、室温近傍で垂直磁化可能であり、かつ室温近傍
   で互いに反対方向を向く特性であり、しかも室温近傍で
   第２の磁性膜の厚い部分の磁化状態は、第１の磁性膜に
   転写される特性を有し、第２の磁性膜の存在する部分は
   再生専用情報であることを特徴とする光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 前記第２の磁性膜の室温近傍での界面磁
   壁エネルギ−密度が、前記第１の磁性膜の界面磁壁エネ
   ルギ−密度よりも大きいことを特徴とする請求項７に記
   載の光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 前記第１の磁性膜の厚さが、前記第２の
   磁性膜との間にできる界面磁壁の厚さよりも薄いことを
   特徴とする請求項７に記載の光磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 第１の磁性膜を成膜する工程と、該第
    １の磁性膜の上に第２の磁性膜を成膜する工程と、該第
    ２の磁性膜を部分的にエッチングする工程とを少なくと
    も含むことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】 第１の磁性膜を成膜する工程と、該第
    １の磁性膜の上に第２の磁性膜を部分的に成膜する工程
    とを少なくとも含むことを特徴とする光磁気記録媒体の
    製造方法。