JPH03119537A

JPH03119537A - 光磁気記録媒体および記録方法

Info

Publication number: JPH03119537A
Application number: JP25533589A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Saito; 一郎斉藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-10-02
Filing date: 1989-10-02
Publication date: 1991-05-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野〕本発明は、レーザー光などの光Ｃ本明細書でいう光とは
、上記レーザー光を含む各種波長のエネルギー線を意味
する）によって３値の記録、再生、消去などを行なうこ
とのできる光磁気記録媒体、およびこの光磁気記録媒体
を使用した３値の記録方法に関する。

〔従来の技術］近年、高密度・大容量のメモリとしてレーザー光を用い
た光メモリ素子の研究および開発が急ビッヂで行なわれ
ている。中でも、光磁気記録法は書き換えが可能な記録
方法として注目をあびており、該記録に用いられる光磁
気記録媒体は書き換え可能の光メモリ素子として大いに
期待されている。

以下、第４図を参照しつつ、従来の光磁気記録媒体およ
びその使用法の代表例について説明する。

第４図に例示する従来の光磁気記録媒体は、透光性基体
４１の上に、下地層４２、光磁気記録層４３が順次積層
された構成を有する。透光性基体４１は、例えば、ポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート等のプラスデ
ック、あるいはガラス等から成り、一般にはドーナツ状
など各種形状の板状基体が用いられる。下地層４２は、
例えば５ｉＯ１ＳｉＯ３、ＡＩＮ　、　ＺｎＳ　、　Ｓ
ｉＮ等から成る。光磁気記録層４３を構成する材料とし
ては、ＴｂＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等の希
土類−遷移金属アモルファス系の材料が汎用されている
。また、この光磁気記録層４３は、通常、膜面と垂直な
方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜である。

このような光磁気記録媒体における記録・再生・消去は
、一般には以下の様に行なわれている。

まず、光磁気記録層４３を垂直な一方向（上向きまたは
下向き）に磁化し、基体４１側から情報記録信号に応じ
たレーザー光をスポット照射する。このレーザー光は、
基体４１および下地層４２を通過して光磁気記録層４３
に到達する。その結果、光磁気記録層４３のレーザー光
照射部分において、光の吸収が起り、局所的に温度が上
昇し、その温度が層のキュリー点以上に達し、その部分
の磁化が消失する。この時点で、磁化が消失した部分に
前記磁化方向とは逆方向に磁場を印加していれば、該部
分の磁化が反転し、レーザー光非照射部分と磁化方向を
異にする反転磁区がそこに形成され、これにより情報の
記録がなされる。

記録の再生は、光磁気記録層４３がキュリー点以上には
温度上昇しない程度にパワーを下げたレザー光を基体４
１側から照射し、磁気カー効果を利用して記録層の磁化
方向を読み出すことにより行なう。

記録の消去は、光磁気記録層４３の記録部分にレーザー
光を再照射して該部分の温度をキュリ点近傍に上昇させ
、且つ記録時とは反対方向の磁化を印加することによっ
て該部分の磁化方向を記録開始前の状態に戻すことによ
り行なう。

従来の光磁気記録方法においては、上述のような光磁気
記録層４３の反転磁区の有無をディジタル信号の°１゛
°とＯ゛に対応させて記録するディジタル記録方式が主
流となっている。

〔発明が解決しようとする課題］上述したようなディジタル記録方式において、記録密度
を向上させるには、そのビット長やトラックピッチを小
さくすればよいのであるが、それを小さくし過ぎるとク
ロストークの問題が発生したり、またビーム径に限界が
あるので、このような手段による記録密度の向上には限
界かある。

本発明は上記現状に鑑みなされたものであり、より高密
度な記録が可能であり、且つ良好な記録再生が可能な光
磁気記録媒体および該媒体を使用した記録方法を提供す
ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者は、上記目的を達成すべく検討を重ねた結果、
光磁気記録層として特定の磁気特性を有する２種の記録
層（各々の記録層は更に２層構成）を採用して３値記録
を有効に行なうことが可能であることを見出し、本発明
を完成するに至った。

本発明の光磁気記録媒体は、垂直磁気異方性を有し且つ
互いに交換結合した第１磁性層および第２磁性層から成
る第１記録層と、垂直磁気異方性を有し且つ互いに交換
結合した第３磁性層および第４磁性層から成る第２記録
層とが積層され、該第１磁性層は高いキュリー点（Ｔ　
Ｈｌ　）および低い保磁力（ＨＬＩ）を有し、該第２磁
性層は該第１磁性層に比べて相対的に低いキュリー点（
ＴＬＩ）および高い保磁力（ＨＨＩ）を有し、該第３磁
性層は高いキュリー点（Ｔ）＋２）および低い保磁力（
Ｔ（Ｌ２）を有し、該第４磁性層は該第３磁性層に比べ
て相対的に低いキュリー点（ＴＬ２）および高い保磁力
（ＨＩ３）を有し、Ｔ　ｉ、　ｌ＜　Ｔ　Ｌ　２である
光磁気記録媒体である。

本願発明の記録方法は、上記光磁気記録媒体をＴＬ２付
近まで昇温して記録層面の垂直方向の初期化磁界Ｈ０の
印加し、その後該初期化磁界Ｈ８の方向とは逆方向のバ
イアス磁界Ｈ、を印加しつつ、（イ）ＴＬ、付近まで該媒体が昇温するレーザーパワー
Ｐ１を照射する事と、（ロ）ＴＬＺ付近まで該媒体が昇温するレーザーパワー
Ｐ２を照射する事と、（ハ）Ｔ＋、＋付近までは該媒体が昇温しないレーザー
パワーＰ３を照射する事またはレーザーパワーな照射し
ない事と、を含む３値の記録方法である。

以下、本発明の光磁気記録媒体について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。

第１図は、本発明の光磁気記録媒体の層構成の一態様を
示す模式的断面図である。この態様の媒体は、基体１１
の上に、下地層１２、第１記録層１、中間層１７、第２
記録層２、保護層１８が順次積層された構成を有する。

また、第１記録層１は第１磁性層１３と第２磁性層１４
とから成り、第２記録層２は第３１ｒｉ性層１５と第４
磁性層１６とから成る。なお、本発明においては、この
ように適当な基体＋１上に各記録層を積層することが望
ましく、更にこの基体が透明性基体であることが好まし
い。

第１記録層１を構成する第１磁性層１３と第２磁性層１
４とは磁気的に交換結合しており、上記したように、各
々Ｔ　ｏ　＋’、ＨＬＩ、ＴＬＩ、ＨＨＩを有する。

また第２記録層１を構成する第３磁性層１５と第４磁性
層１６とは磁気的に交換結合しており、上記したように
、各々ＴＨ２、ＨＬ２、ＴＬ２、Ｈ□２を有する。また
上記したようにＴ　Ｌ　ｌ　＜　Ｔ　Ｌ　２である。第
１〜第４磁性層が上記した関係を満たせば、後に詳述す
る３値記録を良好に行なうことが可能である。なお本発
明においてキュリー点および保磁力における「高い」　
「低い」とは、第１磁性層と第２磁性層との比較、また
は、第３磁性層と第４磁性層との比較における相対的な
関係を表わす。

これら第１〜第４の磁性層のうち、第１磁性層１３と第
３磁性層１５は、主に続出し層として適した特性を有す
る磁性層である。本発明においては、この第１磁性層１
３と第３磁性層１５のキュリー点が高いので磁気光学カ
ー回転角が太き（、それ故に良好な読出しが可能である
。また、第２磁性！＋４と第４磁性層１６は、主に書き
込み層として適した特性を有する磁性層である。本発明
においては、この第２磁性層１４と第４磁性層１６のキ
ュリー点が低いので、比較的弱いレーザパワーでも書き
込み可能であり、それ故に良好な書き込みが可能である
。これら磁気特性の関係の相乗により、本発明の媒体は
総合的に優れた３値記録用の光磁気記録媒体となる。

なお、各層のキュリー点、保磁力、膜厚は、後に詳述す
る３値記録で採用するレーザーパワーＰ、〜Ｐ３やバイ
アス磁界の大きさＨＢに応して適宜好適値を選定すれば
よい。したがって、−概にいえないのであるが以下の値
が好適範囲である。ＴＨ＋は２００℃以上が望ましく、
　３００〜５００℃が好ましい。ＴＬＩは８０〜１８０
℃が望ましく、１３０〜１６０℃が好ましい。Ｔ１１２
は２００℃以上が望ましく、　３００〜５００℃が好ま
しい。ＴＬ２は１５０〜２５０℃が望ましく、　１８０
〜２２０℃が好ましい。またＴ、４１とＴｔ２との差に
ついては、Ｔ’　Ｌ　Ｉが、室温〜ＴＬ２の範囲の間に
あることが望ましく、その差は大きい方が誤記録等が無
くなるので好ましい。

ＨＬＩは１０〜９５０ｅが望ましく、ＨＨＩは５　ｋｏ
ｅ以上が望ましく、ＨＬ２は１０〜９５０ｅが望ましく
、ＨＩ３は５　ｋＯｅ以上が望ましい。Ｈ４およびＨＢ
４２は、高いほうが再生性能の点から望ましい。また、
第１磁性層の膜厚は５０〜２００人が望ましく、　１０
０〜１５０人が好ましい。第２磁性層の膜厚は５０〜２
００人が望ましく、　１００〜１５０人が好ましい。第
３磁性層の膜厚は１００〜５００人が望ましく、３００
〜４００人が好ましい。第４磁性層の膜厚は２００〜ｌ
０００人が望ましく、　３００〜６００人が好ましい。

各層の」二連したようなキュリー点や保磁力は、その層
を構成する成分の種類や組成比率を適宜選定することに
より得ることができる。言い換えるならば、本発明の光
磁気記録媒体における磁気特性が得られるのであれば、
その構成する成分の種類や組成比率は特に限定されない
。そのような磁気特性が得られれば従来より光磁気記録
層用構成材料として使用されてきた材料をいずれも使用
可能である。なお、光磁気記録層用材料としては、従来
より、ＭｎＢ１系、ガーネット系、希土類−遷移金属ア
モルファス系等の材料が代表的なものとして知られてい
る。これらの材料のうち、ＭｎＢ　ｉ系材料で構成され
た光磁気記録層は、キュリー点が高いので記録の際に比
較的パワーの大きなレーザーが必要であり、かつ粒界ノ
イズが比較的多いためＳ／Ｎ比の高い再生が困難となる
傾向にある。また、ガーネット系材料で構成された光磁
気記録層は、光の透過率が大きいので大きなパワーのレ
ーザーが必要である。これらに比べて、希土類−遷移金
属アモルファス系材料で構成された光磁気記録層は、キ
ュリー点が適度に低く且つ光の透過率も比較的小さいの
で、本発明の光磁気記録媒体の記録層に使用するに特に
好適な材料である。そのような材料としては、例えば、
ＤｙＦｅ、　ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、　
ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ。

ＴｂＤｙＦｅ、　ＤｙＦｅＣｏ、　ＧｄＤｙＦｅＣｏ、
　ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属非晶質合金を
挙げることができる。

このような材料を用い、先に挙げたような好適範囲のキ
ュリー点、保磁力、膜厚を有するように構成することが
特に好ましい。

なお、第１図に示す態様においては、基体１１に近い方
を第１記録層、遠い方を第２記録層としたが、本発明に
おいては、その逆であってもかまわない。たたしその場
合は、先に述べた記録層の膜厚の好適範囲は逆となる。

また、第１記録層１と、第２記録層２とは、各々２層の
磁性層により構成されるものであるが、後に詳述する３
値の良好な記録が行なえる磁気的作用を示し得れば、磁
性層以外の所望の層を更に含む記録層であってもよい。

基体１１は、使用するレーザー光を適度に透過す１２る基体であれば良く、本発明においてその材料や形状に
特別な限定はない。このようなものであれば、従来より
光磁気記録媒体の基体として使用されたものはいずれも
使用可能であり、例えば、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート等のプラスチック、あるいはガラス等
を挙げることかできる。

下地層１２は、例えば、基体１１からの酸素や水分など
により記録層が劣化するのを防ぐために主として用いる
ことが望ましい。この下地層１２は、例えば、窒化物、
炭化物、硫化物、酸化物などの誘電体から成る。また、
下地層４２の膜厚を、記録または消去に使用するレーザ
ー光の波長に対して反射防止機能を示す厚さに設定する
ことが好ましい。この反射防止機能により、光磁気記録
層の温度を、記録、消去に極めて有効に」−昇させるこ
とができる。

中間Ｎ１７は、第１記録層と第２記録層の磁気的な結合
力をおさえる必要がある場合に設けることが望ましい。

この中間層１７は、例えば誘電体材料で構成される。

保護層１８は、第１記録層、第２記録層の酸化、腐食防
止等の必要がある場合に設けることが望ましい。この保
護層１８は、有機高分子膜、窒化物、炭化物、硫化物、
酸化物などからなる誘電体材料や金属材料で構成される
。また、この保護層１８の代りに金属層を設けることも
本発明において望ましい一態様である。金属層を設けれ
ば、記録媒体の内周部にビットがつまってきた場合に、
熱を良好に拡散でき、ビットの形状を均一に安定して形
成できる等の利点が生じる。その金属層の材料としては
、Ａｕ、Ａｇ％Ａ℃、Ｃｕ等を挙げることができ、その
膜厚は２００〜３０００人が好ましい。

以上述べた各層（薄膜）を基体１１上に積層する方法と
しては、本発明において特に限定は無く、例えば、蒸着
法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法等の膜形成方法などが代表的な方法として挙げられ
る。

次に、本発明の記録方法について、第２図を参照しつつ
説明する。

まず、本発明の光磁気記録媒体をＴ　１．’　２付近ま
て昇温して記録層面の垂直方向の初期化磁界１−１　ｏ
の印加することによって、第１記録層および第２記録層
の磁化を上向きまたは下向きにする。この昇温に用いる
加熱手段として、赤外線ランプ、電磁波による加熱等を
用いることも不可能ではないが、Ｔ１，２付近まで該媒
体が昇温するレーザーパワーＰ。を照射することにより
行う事が、膜のみを昇温でき不必要な部分の昇温による
弊害（貼り合わせ用接着剤の溶融等）が避けられる点な
どから好ましい。以下の説明においては、上向きに初期
化した場合について説明する。

なお、ここで垂直方向（土向き、下向き）とは、厳密な
垂直方向のみを意味するのではなく、光磁気記録媒体と
して記録再生が可能な程度のものを意味する。また、Ｔ
Ｌ２の「付近」という語も同様に、記録が可能な程度の
温度範囲を意味し、厳密なキュリー点のみではない事を
明示するだめの語である。なお、レーザービームの径の
中心付近の温度は相当高く、ビーム径内でも相当の温度
差が有るので、記録部分の昇温したスポット内でも相当
の温度差は有ると推定される。

次に第２図（ａ）に示すように、３段階〔Ｐｌ、Ｐ２、
Ｐ３、ただし０≦Ｐ３　＜ＰＩ　＜Ｐ２　］にパワーが
変化するレーザ光を情報記録信号に応じて基体１１側か
ら照射し、それと同時に初期化磁界Ｈｏの方向とは逆方
向のバイアス磁界ＨＢを印加する。

第２図（ｂ）に示すように、レーザーパワーＰ１が照射
された部分は、第１記録層の磁化のみが下向きに反転し
、レーザパワーＰ２が照射された部分は第１および第２
記録層の磁化が共に反転し、レーザーパワー２３が照射
された部分は、第１記録層および第２記録層の磁化はと
もに反転しない。

このような記録原理は公知であるので、その概要のみを
以下に簡単に述べる。交換結合した第１磁性層（低保磁
力、高キュリー点）と、第２磁性層（高保磁力、低キユ
リー点）は、室温ではその交換力により高保磁力の第２
磁性層により第１磁　５６付層の磁化方向が保持されている。ここにレーザーパワ
ーが付与されると、低キユリー点の第２磁性層の磁化が
無くなると同時にその交換結合力も無くなる。この時、
第１磁性層はキュリー点が高いので磁化は残っており且
つ保磁力が小さいのでバイアス磁界Ｈ８の印加により、
その方向の磁化は反転する。この後、レーザーパワーの
付与かなくなると、第２磁性層の磁化があられれるとと
もに、交換結合により、先はど反転した第１磁性層の磁
化方向に第２１ｉ１１性層の磁化がそろい、温度が下が
って室温に“なると初期の状態と同じように磁化方向が
保持される。ただし、その磁化方向は、初期の反転状態
となっている。

このようにして記録した記録情報は、以下のようにして
再生することができる。記録後の光磁気記録媒体に、Ｔ
　Ｌｌ付近までは該媒体が昇温しない適当なレーザーパ
ワーを照射し、媒体から帰ってくる光（信号）を読み出
す。第２図（ｃ）に示すように帰ってくる光は、磁化の
変化に応じて異なる。つまり、第１および第２記録層の
磁化が共に土向きの部分においては、カー回転角θ、が
得られ、それが共に下向きの部分においては例えば−〇
Ｘが得られる。また、第１記録層と第２記録層の磁化が
反対の部分においては、両層からのカー回転角が打消さ
れ０近傍となり、θに、０、−θＫに対応した３値の信
号が得られる。言い換えるならば、本発明の光磁気記録
媒体は、このような特性が良好に得られるように、各記
録層の材料や膜厚を適宜選定すればよい。特に、Ｐ２対
応部においてＯになるように適宜選定することが好まし
い。

本発明の記録方法において、Ｐ１〜Ｐ３やＨＢの値は、
上述したような第１磁性層と第２磁性層の磁化方向を利
用した３値の記録が可能となるように適宜選定すればよ
く、線速や周囲温度によっても変化するので特に限定さ
れるものではない。

ただし、Ｐｌの範囲は３ｍＷ〜６ｍＷが望ましい。

Ｐ２は、Ｐｌより３ｍＷ〜６ｍＷ程度大きくすることが
望ましい。Ｐ３の範囲は０ｍＷ〜２ｍＷが望ましく、つ
まり記録されている情報が２３とＨ８により消去されな
いのであれば、Ｐ３はゼロでなくともかまわない。ＨＢ
の範囲は５００ｅ〜２００００ｅが望ましい。一般にカ
ー回転角θ、は温度依存性を有し、それ故に再生時の媒
体の温度上昇によりカー回転角は低下する傾向にある。

したがって記録層は、キュリー点が適度に高い媒体で構
成することが好ましい。すなわち、上記ＰＩ、Ｐ２の好
適範囲は、これが最適であるというものではなく、レー
ザの高出力化しても良好な再生が可能ならば、更に高い
パワーとすることが好ましい。

上述した本発明の記録方法は、Ｐ、〜Ｐ３、ＨＯ，ＨＲ
付与可能な装置により実施できる。

第３図は、そのような装置を例示する模式図である。こ
の装置は、パワーを変調可能な半導体レーザー３０１を
有し、このレーザー３旧から発せられるレーザー光は、
レーザビームを平行光にするコリメータレンズ３０２、
レーザー光を直線偏光にする偏光子３０３、レーザーか
らの光を光学的磁気記録媒体３０６に導く偏光ビームス
プリッタ３０４および光ビームを収束させる対物レンズ
３０５を介し光磁気記録媒体３０６へ照射される。一方
、光磁気記録媒体３０６から反射された光は、対物レン
ズ３０５、偏光ビームスプリッタ３０４および検光子３
０７を介して検出器３０８へ送られ、復調回路３０９に
より電気信号に変換される。また、この装置には、記録
・消去用バイアス磁界発生用コイル３１０、レーザー３
０１のパワーを変調するレーザードライバー３１１およ
び上記各部の動作を制御するコントローラ３］２が設け
られている。

［実施例］以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。

実施例１第１図に例示したと同様の層構成の光磁気記録媒体をス
パッタリング法により以下のようにして作製した。プリ
グループ付ポリカーボネート基板（基体１１）の上に、
膜厚８００人の５ｉＪ４膜を下地層１２として形成した
。その上に、Ｔｒｎ＝　４００℃、飽和磁化Ｍ　ｓ　＝
　８０ｅｍｕ／ｃｍ３の膜厚１００人のＧｄＦｅＣ。

膜を、第１磁性層１３として形成した。なお、この　９０膜の保磁力はＧｄＦｅＣｏ膜である故に非常に小さいも
のである。その上に、Ｔ、、＝　１５０℃、Ｈ１ｌ＋＝
ＩＱにＯｅ、　Ｍ　ｓ　＝　］００ｅｍｕ／ｃｍ３の膜
厚１００人のＴｂＦｅＣｏ膜を第２磁性層１４として形
成した。その上に、膜厚１５００人のＳｉＪ＜膜を中間
層１７として形成した。その上に、ＴＨ２＝　４１０℃
、Ｍ　ｓ　＝、１０１００ｅ／ｃｍ３の膜厚４００人の
ＧｄＦｅＣｏ膜を第３磁性層１５として形成した。その
上に、ＴＬ２＝２００℃、ＨＨ２＝ＩＩＫＯｅ　、　Ｍ
　ｓ　＝　９０ｅｍｕ／ｃｍ３の膜厚４００人のＴｂＦ
ｅＣｏ膜を第４磁性層１６として形成した。その上に、
膜厚７００人の５ｉ３１’Ｌ膜を保護層１８として形成
した。

こうして作製した光磁気記録媒体を第３図に示した装置
を用い、レーザーパワーＰ　＋　＝　５　ｍＷ、Ｐ２＝
ＩＯｍｗ、記録周波数＝５００　ｋｌｌｚ　、バイアス
磁界ＨＢ＝　２０００ｅ、ディスク回転数＝　１２００
ｒｐｍの条件で３値の記録を行なった。

この記録を再生レーザーパワー１．５ｍＷにより再生し
たところ、Ｌ＝　＋１８０ｍＶ　、Ｖ２＝　ＯｍＶ、ｖ
３−１８０ｍＶが得られた。すなわち、それぞれ”＋１
”’“０°’−１”に対応する３値の記録および再生が
可能であった。

また、再生レーザーパワー１．５ｍＷで繰り返し再生を
行なったところ、１０６回再生を行なっても再生信号の
変化はなく、良好な再生が可能であった。

比較例１第１の記録層を、キュリー点Ｔ＝　１５０℃、保磁力Ｈ
＝　１０．５　ＫＯｅ、　Ｍ　ｓ　＝　８０ｅｍｕ／ｃ
ｍ３の膜厚１５０人のＴｂＦｅＣｏ膜の一層構成とし、
かつ第２記録層も、Ｔ＝２００℃、Ｈ＝　１０　ＫＯｅ
、　Ｍ　ｓ　＝　８５ｅｍｕ／ｃｍ３の膜厚８００人の
ＴｂＦｅＣｏ膜の一層構成とし、それ以外は実施例１と
同様の光磁気記録媒体を作製した。

この媒体を使用し、実施例と同じ条件で記録、再生した
ところ、Ｖ＋＝　＋　１５０ｍＶ　、　Ｖ２＝　ＯｍＶ
、Ｖ３＝１５０ｍＶが得られた。すなわち、本比較例に
おいては３値記録は可能であるが、その記録再生特性は
実施例１よりも劣っている。

また、実施例１と同様にして繰り返し再生を行なったと
ころ、１０’回程度で再生信号が低下してきた。すなわ
ち、本比較例は、記録の安定性、再生竹性において実施
例１よりも劣っている。

実施例２第１図に例示したと同様の層構成の光磁気記録媒体をス
パッタリング法により以下のようにして作製した。ブリ
グル〜ブ付ポリカーボネート基板（基体１１）の上に、
膜厚８００人のＳｉ：＋ｌＬ膜を下地層１２として形成
した。その上に、Ｔ　Ｈ＋　＝　４２０’Ｃ１飽和磁化
Ｍ　ｓ　＝　１０１００ｅ／ｃｍ３の膜厚１００人のＧ
ｄＦｅＣ。

膜を第１磁性層１３として形成した。その上に、ＴＬ＋
＝　１４０℃、ＨＨｌ：：　２０　ＫＯｅ、　Ｍ　ｓ　
＝　８０ｅｍｕ／ｃｍ３の膜厚１００人のＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ膜を第２磁性層１４として形成した。その上に、膜
厚１６００人の５ｊｓＮ＜膜を中間層１７として形成し
た。その上に、Ｔｕｚ＝　４００℃、　Ｍ　ｓ　＝　８
０ｅｍｕ／ｃｍ３の膜厚３００人のＧｄＦｅＣｏ膜を第
３磁性層１５として形成した。その上に、Ｔ１．２＝　
　１９０℃、ＨＨ２：１８　ＫＯｅ、　Ｍ　ｓ　＝　９
０ｅｍｕ／ｃｍ３の膜厚５圓入のＧｄＴｂＦｅＣｏ膜を
第４磁性層１６として形成した。その上に、膜厚７００
人のＳｊ：＋ｌＬ膜を保護層１８として形成した。

こうして作製した光磁気記録媒体を実施例１と同様の条
件で３値の記録、再生、繰り返し再生を行なったところ
、実施例１と同様の良好な結果を得ることができた。

［発明の効果］以上説明したように本発明によれば、３値の光磁気記録
を行なうことができる。そして、その記録特性および繰
り返し再生などの再生特性は共に良好である。また、３
値記録なので記録密度は非常に向」ニし、且つ従来の光
磁気記録媒体と同様に、良好な書き換えが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を示す
模式的断面図、第２図は本発明の記録方法における媒体
の磁化状態を例示する模式図、第３図は本発明の記録方
法に使用可能な記録再生装置の構成例を示す模式図、第
４図は従来の光磁気記録媒体の層構成の一例を示す模式
的断面図である。１・・・第１記録層　　　２・・・第２記録層１１．４
１・・・基体　　　　１２．４２・・・下地層　３４１３・・・第１磁性層１５・・・第３磁性層１７・・・中間層４３・・・光磁気記録層１４・・・第２ｍ性層１６・・・第４磁性層１８・・・保護層

Claims

【特許請求の範囲】１）垂直磁気異方性を有し且つ互いに交換結合した第１
磁性層および第２磁性層から成る第１記録層と、垂直磁
気異方性を有し且つ互いに交換結合した第３磁性層およ
び第４磁性層から成る第２記録層とが積層され、該第１
磁性層は高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ＿１）および低い保磁
力（Ｈ＿Ｌ＿１）を有し、該第２磁性層は該第１磁性層
に比べて相対的に低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ＿１）および
高い保磁力（Ｈ＿Ｈ＿１）を有し、該第３磁性層は高い
キュリー点（Ｔ＿Ｈ＿２）および低い保磁力（Ｈ＿Ｌ＿
２）を有し、該第４磁性層は該第３磁性層に比べて相対
的に低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ＿２）および高い保磁力（
Ｈ＿Ｈ＿２）を有し、Ｔ＿Ｌ＿１＜Ｔ＿Ｌ＿２である光
磁気記録媒体。２）請求項１記載の光磁気記録媒体をＴ＿Ｌ＿２付近ま
で昇温して記録層面の垂直方向の初期化磁界Ｈ＿０の印
加し、その後該初期化磁界Ｈ＿０の方向とは逆方向のバ
イアス磁界Ｈ＿Ｂを印加しつつ、（イ）Ｔ＿Ｌ＿１付近
まで該媒体が昇温するレーザーパワーＰ＿１を照射する
事と、（ロ）Ｔ＿Ｌ＿２付近まで該媒体が昇温するレーザーパ
ワーＰ＿２を照射する事と、（ハ）Ｔ＿Ｌ＿１付近までは該媒体が昇温しないレーザ
ーパワーＰ＿３を照射する事またはレーザーパワーを照
射しない事と、を、含む３値の記録方法。